JP2965748B2 - 検出装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、検出部への被検出体の
近接もしくは接触を、非接触で検出する検出装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、非接触で被検出体の検出を行なう
検出装置は、被検出体の存在による光量（反射光もしく
は透過光の光量）の変化を用いて検出するものや、被検
出体による静電容量の変化を用いたものなどが知られて
いる。こうした検出装置では、検出感度の調整は、光量
や静電容量等を一旦電気的な信号に変換し、この電気信
号の大きさを比較する比較値を可変したり、電気信号の
増幅度を可変することで行なわれていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、検出感
度を電気信号に対する比較値や増幅度の調整により可変
しようとすると、回路基板上の抵抗器等を取り替えた
り、基板上の可変抵抗器を調整するといった手間を要す
るという問題があった。特に、回路基板を筐体内に収納
した後、検出感度の調整を行なわざる得ない場合には、
感度調整は極めて困難になってしまう。更に、被検出体
の検出を行なう各種装置に検出装置を取り付けた状態で
感度調整を行なおうとすると、回路基板上の可変抵抗器
の調整などはできないことが多いから、調整用の機器を
外付けせねばならないといった問題を招致する。

【０００４】本発明の検出装置は、こうした問題を解決
して、非接触で行なう検出感度等の調整を容易にするこ
とを目的としてなされ、次の構成を採った。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の検出装置は、検
出部への被検出体の近接もしくは接触を、非接触で検出
する検出装置であって、筐体内に収納された回路基板上
に、検出部を構成するコイルのインダクタンス成分を用
いて発振する発振回路と、該発振回路の発振状況に応じ
てオン・オフされるスイッチング回路とを設け、電気良
導体である第１部材を、前記コイルとは別体に該コイル
の磁束通過範囲に、該磁束によって生起される渦電流に
よる前記発振回路の電流損失を調整可能に設け、誘電体
である第２部材を、前記コイルとは別体に該コイルの磁
束通過範囲であって該第１部材とは異なる位置に、該コ
イルのインダクタンス成分を調整可能に設けたことを要
旨とする。

【０００６】なお、コイルの磁束通過範囲における第
１，第２部材の相対位置および／または存在量を変更す
る部材調整機構を設け、第１部材による電流損失の調
整、第２部材によるインダクタンス成分の調整をおこな
う構成とすることができる。このとき、第１部材および
／または第２部材の部材調整機構は、第１，第２部材の
相対位置および／または存在量の変更を筐体の外部から
可能な位置に設けることが望ましい。

【０００７】

【作用】以上のように構成された本発明の検出装置で
は、電気良導体である第１部材により発振回路の電流損
失を調整し、また誘電体である第２部材により発振回路
を構成するコイルのインダクタンスを調整して、発振回
路の発振の強さや発振周波数を介して発振回路の電流損
失を調整する。コイルの磁束範囲に被検出体、例えば金
属製または金属被膜を有する物体が近づくと、渦電流損
失により発振回路の発振状況は変化する。また、発振回
路の一部から取り出した導体に人体が近づいて発振エネ
ルギの一部が失われると、発振回路の発振状況は同様に
変化する。この結果、スイッチング回路のオン・オフが
切り替わり、被検出体の検出がなされる。

【０００８】なお、第１部材による電流損失の調整、第
２部材によるインダクタンス成分の調整は、第１，第２
部材を、コイルの磁束通過範囲における相対位置および
／または存在量を変更することにより、行なうことがで
きる。また、その相対位置および／または存在量の変更
を筐体の外部から行なうものとすれば、その調整は極め
て容易である。

【０００９】

【実施例】以上説明した本発明の構成・作用を一層明ら
かにするために、以下本発明の検出装置の好適な実施例
について説明する。図１は実施例としての検出装置１の
構造を示す断面図、図２は検出装置１の回路図である。
本実施例では、検出装置１は、検出装置１の出力信号を
利用して各種処理を行なう周知のマイクロプロセッシン
グユニット（以下、ＭＰＵと呼ぶ）２の入力ポートＰＢ
１に接続されている。

【００１０】図１に示すように、検出装置１は、断面
「Ｌ」の字形の筐体１１を備え、この内部に回路基板１
３を備える。この回路基板１３の一端は、筐体１１の外
に飛び出しており、接続端子１５として用いられてい
る。回路基板１３には、図２に示したコイルＬ１，トラ
ンジスタＴｒ１，２等の電子部品が組み立てられてい
る。図１に示すように、コイルＬ１は、「Ｌ」の字形の
筐体１１の突出した収納部２１に収納される。

【００１１】筐体１１のコイルＬ１背面位置には、２個
の下穴３１，３２が設けられている。筐体１１は合成樹
脂製なので、この下穴３１，３２に六角穴付き止めネジ
の形状をした第１調整ネジ４１および第２調整ネジ４２
をねじ込むと、下穴３１，３２の内周面にはネジ溝があ
る程度形成される。従って、第１，第２調整ネジ４１，
４２はこのネジ溝に螺合し、下穴３１，３２内の位置が
調整自在となる。第１調整ネジ４１は電気良導体である
鉄製であり、第２調整ネジ４２は誘電体であるフェライ
ト製である。第１，第２調整ネジ４１，４２は、頭部の
六角穴に専用レンチを入れて容易に回転することがで
き、コイルＬ１の軸方向に沿った位置（以下、前後方向
位置と呼ぶ）を調整することが可能である。この第１，
第２調整ネジ４１，４２を用いた調整については、後述
する。

【００１２】検出装置１は、図２に示すように、１２ボ
ルトが供給される電源端子Ｔ１と、検出端子Ｔ２とを有
する。この検出端子Ｔ２は、回路のグランドレベルを兼
ねており、ＭＰＵ２側で抵抗器ＲＤを介して接地されて
いる。検出装置１は、発振回路ＣＯと、発振回路ＣＯの
発振状態に基づいてオン・オフするスイッチング回路Ｓ
Ｗとから構成されている。

【００１３】スイッチング回路ＳＷには、電源端子Ｔ１
から１２ボルトの電圧が加えられているが、検出端子Ｔ
２が抵抗器ＲＤ（本実施例では抵抗値６８０Ω）により
接地されていることから、スイッチング回路ＳＷの電源
電圧は、スイッチング回路ＳＷのトランジスタＴｒ２の
オン・オフ状態により変化する。一方、発振回路ＣＯに
は、電源端子Ｔ１と検出端子Ｔ２との間に介装された抵
抗器Ｒ１（本実施例では抵抗値２７ＫΩ）とツェナーダ
イオードＤ１により安定化されたツェナー電圧Ｖｚ（本
実施例では約５．５ボルト）が供給される。

【００１４】発振回路ＣＯは、特性が同一の２つのトラ
ンジスタを同一チップ内に形成した双トランジスタＴｒ
１を備え、この双トランジスタＴｒ１の両エミッタとグ
ランドラインとの間に介装された抵抗器Ｒ３，コンデン
サＣ１，Ｃ２およびコイルＬ１により、コルピッツ型の
高周波発振回路として構成されている。なお、双トラン
ジスタＴｒ１のベースは、抵抗器Ｒ２を介して電源ライ
ンに接続されている。この発振回路ＣＯの発振周波数
は、コイルＬ１のインダクタンスとコンデンサＣ１，Ｃ
２の容量とで決まり、本実施例ではおよそ３００ＫＨｚ
となっている。

【００１５】双トランジスタＴｒ１のコレクタの一方は
使用されていないが、他方はスイッチング回路ＳＷのト
ランジスタＴｒ２のベース端子に接続されている。この
トランジスタＴｒ２のベース端子には、グランドライン
との間にコンデンサＣ３が接続されており、エミッタ端
子には抵抗器Ｒ４（本実施例では２２０Ω）が接続され
ている。また、トランジスタＴｒ２のコレクタ端子は、
電源ラインに接続されている。発振回路ＣＯが発振して
いる状態では、双トランジスタＴｒ１は約３００ＫＨｚ
でオン・オフを繰り返しており、双トランジスタＴｒ１
がオンのときには、そのコレクタ電流はスイッチング回
路ＳＷのトランジスタＴｒ２のベースから流れ込んでト
ランジスタＴｒ２をターンオンする。一方、発振回路Ｃ
Ｏの発振により双トランジスタＴｒ１が僅かの時間オフ
となる間は、トランジスタＴｒ２のベース電流はコンデ
ンサＣ３の放充電により継続され、トランジスタＴｒ２
はオン状態に保たれる。

【００１６】発振回路ＣＯが発振している状態で、コイ
ルＬ１に金属製の被検出体、例えばパチンコ玉Ｐが接近
すると、図１に例示したように、コイルＬ１の磁束Ｂが
パチンコ玉Ｐを通り抜けることになり、パチンコ玉Ｐ内
には渦電流Ｉが流れて電流損失を生じる。パチンコ玉Ｐ
は通常金属製であるが、パチンコ玉が金属以外の材料で
作られ表面にメッキがしてある場合でも、メッキなどの
薄膜では断面積が小さいことからかなり大きな渦電流損
失となる。渦電流の発生は発振回路ＣＯの発振エネルギ
を消費することになるから、その高周波発振は著しく減
衰しほぼ停止する。

【００１７】パチンコ玉ＰがコイルＬ１に接近していな
い状態では、トランジスタＴｒ２はオン状態となってお
り、一方、発振回路ＣＯの発振がほぼ停止状態となる
と、スイッチング回路ＳＷのトランジスタＴｒ２はター
ンオフする。抵抗器Ｒ４は抵抗器Ｒ１より抵抗値が小さ
いから（本実施例では２２０Ω：２７ＫΩ）、トランジ
スタＴｒ２がオン状態となると、電源端子Ｔ１からトラ
ンジスタＴｒ２，抵抗器Ｒ４を介してツェナーダイオー
ドＤ１に流れる電流は、抵抗器Ｒ１を介して流れる電流
より増大する（本実施例ではおよそ約１３０倍とな
る）。この電流は最終的には、検出端子Ｔ２に接続され
た抵抗器ＲＤを介して接地側に流れ込むから、抵抗器Ｒ
Ｄの両端電圧、即ちＭＰＵ２の入力ポートＰＢ１の電圧
は、トランジスタＴｒ２がオフ状態で約０．２ボルト、
オン状態で約４．９ボルトとなる。従って、ＭＰＵ２は
入力ポートＰＢ１の状態を監視することで、検出装置１
がパチンコ玉Ｐを検出している状態（ロウレベル）、検
出していない状態（ハイレベル）を容易に知ることがで
きる。

【００１８】次に、この検出装置１の感度や発振条件の
調整について説明する。図３に示すように、本実施例の
検出装置１の調整を行なう場合には、検出装置１の出力
をオシロスコープ５１に接続するか、直接信号のデュー
ティ比を検出する検出器に接続する。ここでは理解の便
を図るため、オシロスコープ５１に接続したものとして
説明する。検査装置は、オシロスコープ５１と、アーム
５３に取り付けられモータ５５により回転する４個のパ
チンコ玉ｐ１ないしｐ４とからなり、実施例の検出装置
１は、回転するパチンコ玉ｐ１ないしｐ４に所定の離間
距離をもって対向する位置に、図示しない治具等を用い
て設置される。

【００１９】モータ５５が回転すると、パチンコ玉ｐ１
ないしｐ４は、繰り返し、検出装置１に近づき最近点を
通って遠ざかる。パチンコ玉ｐ１ないしｐ４の動きに伴
って、検出装置１はオン・オフを繰り返し、オシロスコ
ープ５１上で観察されるその出力信号は、図４に示すよ
うに、１周期Ｓ２においてオフ時間（信号はハイレベル
となっている時間）Ｓ１の矩形波となる。この信号のデ
ューティ比Ｓは、Ｓ＝Ｓ１／Ｓ２となり、検出装置１の
検出感度を反映したものとなっている。

【００２０】検出装置１は、回路を構成する部品の誤差
の累積等に起因して、検出感度に相当の機差を有する。
発振回路ＣＯをとってみても、コイルＬ１、コンデンサ
Ｃ１，Ｃ２は民生品であれば、５ないし１０パーセント
の許容誤差を有する。従って、これらの誤差が累積する
と、発振回路ＣＯの発振強度や周波数も相当に変化す
る。そこで、第１調整ネジ４１および第２調整ネジ４２
を回転して、その前後方向位置を調整し、コイルＬ１が
形成する磁束Ｂに対する相対的な位置を変更し、検出装
置１のデューティ比Ｓが所定の範囲に入るようその調整
を行なう。なお、モータ５５の回転数を一定に制御すれ
ば、デューティ比Ｓをいちいち計算する必要はなく、オ
フ時間Ｓ１を所定幅に調整すれば良い。

【００２１】鉄製の第１調整ネジ４１は、電気的な良導
体であり、磁束Ｂがこの第１調整ネジ４１を貫通すれば
渦電流Ｉが流れ、電流損失を生じることは、パチンコ玉
Ｐの場合と同一である。従って、第１調整ネジ４１の前
後方向位置を第１調整ネジ４１がコイルＬ１に近づく方
向に調整してゆくと、第１調整ネジ４１の内部を貫通す
る磁束密度は高くなり、渦電流による損失は増加する。
従って、検出装置１の発振回路ＣＯの発振は止まり易く
なり、検出感度は高くなって、デューティ比Ｓは大きく
なる。一方、第１調整ネジ４１をコイルＬ１から遠ざか
る方向に調整してゆくと、第１調整ネジ４１の内部を貫
通する磁束密度は低下し、第１調整ネジ４１による電流
損失は低減するから、検出感度は低くなってデューティ
比Ｓは小さくなる。

【００２２】これに対して、強誘電体であるフェライト
製の第２調整ネジ４２の前後方向位置を第２調整ネジ４
２がコイルＬ１に近づく方向に調整してゆくと、第２調
整ネジ４２の誘電率によりコイルＬ１の自己インダクタ
ンスは増加し、発振回路ＣＯの発振周波数は低下する。
一方、第２調整ネジ４２をコイルＬ１から遠ざかる方向
に調整してゆくと、発振回路ＣＯの発振周波数は高くな
る。渦電流損失は、周波数の２乗に比例するから、発振
周波数を調整することによっても検出装置１の検出感度
を調整することができる。また、回路の共振周波数を変
えることで、発振の強度、延いては磁束密度を調整して
検出感度等を調整することも可能である。

【００２３】以上説明したように、本実施例の検出装置
１によれば、パチンコ玉Ｐのような金属製もしくは金属
被膜を有する被検出体を非接触で確実に検出することが
でき、しかもその検出感度の調整を容易に行なうことが
できる。特に、検出感度を、電気回路の電圧や抵抗値，
あるいは増幅度などを変えて調整するのではなく、筐体
１１に設けた第１，第２調整ネジ４１，４２の位置を変
更することにより調整するので、調整は筐体１１の外部
から極めて容易に行なうことができる。従って、回路基
板１３の筐体１１への組み付け後に調整することも容易
であり、例えば検出装置１を実際の使用場所に組み付け
た後に調整することもできる。

【００２４】また、本実施例の検出装置１では、電気良
導体の第１調整ネジ４１と強誘電体の第２調整ネジ４２
とを用いて調整を行ない、第１調整ネジ４１により直接
生じる渦電流損失を増減することによる感度調整と、第
２調整ネジ４２による発振周波数等の変更を利用した間
接的な感度調整とを組み合わせることができ、被検出体
の物性の相違、被検出体の最接近距離等の条件に柔軟に
対処して、検出装置１の検出感度調整を行なうことがで
きる。

【００２５】なお、本実施例では、感度調整用の部材と
して六角穴付き止めネジを用いたので、ネジを筐体１１
の内部に完全に収納した状態で使用することができ、調
整後の不慮の位置変更等が生じにくいという利点があ
る。また、合成樹脂製の筐体１１の下穴３１，３２にい
ちいちネジを切らなくとも第１，第２調整ネジ４１，４
２を取り付けることができ、製造・組立に無用な工数を
要しないという利点も得られる。第１，第２調整ネジ４
１，４２を検出部の背面に設けたので、機器に取り付け
た状態での調整が行ない易いという長所がある。もっと
も、第１，第２調整ネジは４１，４２は、コイルＬ１の
生成する磁束の範囲に位置すれば良く、図５に示すよう
に、筐体１１のコイルＬ１側部に設けても差し支えな
い。

【００２６】また、上述した実施例では、第１，第２調
整ネジ４１，４２の位置を変更することで調整を行なっ
たが、図６に示すように、第１部材もしくは第２部材の
存在量を変更することで調整を行なうものとしてもよ
い。図６に示した構成では、電気良導体である鉄やアル
ミニウム，あるいは銅等の小片Ｈ１および誘電体である
フェライトやパーマロイ等の小片Ｈ２を挿入・固定可能
な溝を筐体１１のコイルＬ１側部に８箇所設け、ここに
所定数の小片Ｈ１，Ｈ２を差し込んで調整を行なってい
る。この例では、感度調整は段階的に行なうことにな
り、製品製造時の調整としては、ネジ等の位置を調整す
る構成より簡易である。なお、小片Ｈ１，Ｈ２の挿入量
を調整すれば、調整部材の位置による調整と併用するこ
とも可能である。

【００２７】更に、以上説明した実施例では、次の回路
上の利点が存在する。トランジスタＴｒ２がオン状態と
なってツェナーダイオードＤ１に流れる電流が上昇する
と、ツェナーダイオードＤ１の特性によってはツェナー
電圧Ｖｚはある程度上昇する。従って、発振回路ＣＯの
双トランジスタＴｒ１のベース電位が上昇し、発振回路
ＣＯの発振条件は強化される。一方、双トランジスタＴ
ｒ１がオフ状態となればツェナー電圧Ｖｚは低下するか
ら、発振条件は悪くなり、発振は停止し易くなる。即
ち、本実施例の回路では、ツェナーダイオードのツェナ
ー電圧の特性が悪い場合（電流が増大したときのツェナ
ー電圧がある程度以上高くなるものの場合）、発振回路
ＣＯの発振条件に正帰還をかけ、コイルＬ１にパチンコ
玉が近づき遠ざかる場合のスイッチング回路ＳＷのスイ
ッチング特性を改善している。なお、ツェナー特性の優
れたツェナーダイオードＤ１を用いる場合には、図７に
示すように、トランジスタＴｒ２のコレクタを抵抗器Ｒ
５を介してグランドラインに接続すると共に、抵抗器Ｒ
６を介して双トランジスタＴｒ１のベースに帰還させる
ことで、同様の効果を得ることができる。

【００２８】なお、図７に示した検出装置１０１は、検
出用のコイルＬ１にいま一つのコイルＬ２を並列に接続
している。この検出装置１０１は、図８に示すように、
「コ」の字形の筐体１１１に、第１実施例と同様の回路
基板１１３を収納したものであり、この回路基板１１３
上に実装されたコイルＬ１，Ｌ２は、「コ」の字形の筐
体１１１の突出した収納部１２１，１２２に各々収納さ
れる。収納部１２１，１２２の中心間距離、即ちコイル
Ｌ１，Ｌ２の中心間距離は、被検出体であるパチンコ玉
Ｐの直径の丁度１．５倍の距離とされている。

【００２９】この検出装置１０１では、隣合ったパチン
コ玉Ｐが連なった状態で移動している場合、これを連続
したレベル信号として検出することができる。検出装置
１のコイルＬ１，Ｌ２は、図８に示したように、その中
心間距離ＤＬは、パチンコ玉Ｐの直径の１．５倍となっ
ている。従って、コイルＬ１の中心（磁束密度最大）に
パチンコ玉Ｐの中心が位置しているとき、コイルＬ２の
中心は、隣り合ったパチンコ玉の接触点にほぼ対応した
位置となる。換言すれば、コイルＬ１の中心がパチンコ
玉の中心からはずれるに従って、コイルＬ２の中心にパ
チンコ玉の中心が近づいてくることになる。従って、パ
チンコ玉が隣同士接した状態となっていれば、パチンコ
玉全体が移動していても、コイルＬ１，Ｌ２の磁束のい
ずれかにより渦電流損失を生じ、発振回路ＣＯの発振は
常時ほぼ停止状態となり、スイッチング回路ＳＷのトラ
ンジスタＴｒ２はオフ状態となって、ＭＰＵ２の入力ポ
ートＰＢ１はロウレベルとなる。

【００３０】なお、本実施例の検出装置１０１では、コ
イルＬ１の背面側には、第１実施例と同様、感度調整用
の第１部材，第２部材である第１調整ネジ１４１，第２
調整ネジ１４２が設けられており、コイルＬ２の背面側
には、感度調整用の第３調整ネジ１４３，第４調整ネジ
１４４が設けられている。第１ないし第４調整ネジ１４
１ないし１４４を調整すると、第１実施例と同様、各コ
イルＬ１，Ｌ２における渦電流損失が変化し、検出装置
１０１の検出感度が調整される。

【００３１】以上説明したように、本実施例の検出装置
１０１では、パチンコ玉が互いに接する程度の距離を保
って移動する場合、コイルＬ１とコイルＬ２との中心間
距離がパチンコ玉の直径の約１．５倍となっているの
で、これを検出して連続した信号を出力することができ
る。しかも、コイルＬ１，Ｌ２おける渦電流損失の大き
さをきめ細かく調整できるので、単に検出感度の調整に
留まらず、例えば隣接するパチンコ玉がどの程度離れて
いる場合に出力信号をオン・オフするか等の設定も調整
することができる。

【００３２】また、本実施例の構成では、筐体や回路基
板はそのままにして、コイルＬ２を実装するか否かによ
り、隣合った状態で移動するパチンコ玉等の被検出物を
連続した信号で検出する検出装置とするか、パチンコ玉
一個一個をオン・オフ信号で検出する検出装置とするか
を、ほぼ同一の構成で実現することができ、構成部品の
共通化を図ることができる。

【００３３】以上本発明の実施例について説明したが、
本発明はこうした実施例に何等限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々なる
態様で実施し得ることは勿論である。例えば第１部材と
して銅，アルミニウム，鉄以外の例えば銅合金などの電
気良導体を用いた構成、第２部材としてフェライト，パ
ーマロイ以外の例えばセラミック等の誘電体を用いた構
成、第１部材，第２部材を回転軸に対して異形形状とし
て軸支しその回転角度によって渦電流損失やコイルのイ
ンダクタンスへの影響が変化する構成、更にこの場合に
第１，第２部材の頭部をツマミ形状として指等で直接調
整可能とした構成、第１部材，第２部材をコイルの被検
出体側に設けた構成、あるいはコイルを複数個設ける場
合にコイルＬ１とＬ２との間隔を被検出体の直径の１．
５倍以外の距離、例えば１．３倍など整数倍以外の距離
とした構成など、様々な実施の態様が可能である。

【００３４】本発明はコイルの形成する磁束が金属物内
で渦電流を生じて発振回路の発振エネルギを消費するこ
とに着目してなされたものであり、同様の原理を利用し
て金属もしくは金属被膜を有する被検出体の近接もしく
は接触を検出することは容易である。渦電流損失を生じ
る物であれば、被検出体は、パチンコ玉以外に、例えば
メタル、硬貨、部品、物流品など、いかなるものであっ
ても差し支えない。一方、渦電流損失以外の損失により
発振状況が変わることを利用して被検出体の検出を行な
うことも考えられる。例えば、発振回路の一部から（例
えば図２、点ａから）直接、あるいはコンデンサ等を介
してリード線を引き出し、ここに金属プレートを接続し
てタッチスイッチとして用いることもできる。金属プレ
ートに人体が近接もしくは接触すると、人体のインピー
ダンスにより高周波発振回路から発振エネルギが失わ
れ、発振状況は変化するのである。この場合でも、調整
部材による渦電流損失を利用してタッチスイッチの検出
感度を調整することが可能である。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように本発明の検出装置で
は、被検出体を非接触で検出することができ、しかも検
出感度の調整に回路基板上の電気部品の交換や可変抵抗
器の調整等が必要なく、検出感度の調整が極めて容易で
あるという優れた効果を奏する。従って、回路基板の筐
体への組み付け後に検出感度を調整することも容易であ
り、例えば検出装置を実際の使用場所に組み付けた後に
調整することもできる。

【００３６】また、本発明の検出装置では、電気良導体
の第１部材と強誘電体の第２部材とを用いて調整を行な
い、第１部材により直接生じる渦電流損失を増減するこ
とによる感度調整と、第２部材よる発振周波数の変更を
利用した間接的な感度調整とを組み合わせることがで
き、被検出体の物性の相違、被検出体の最接近距離等の
条件に柔軟に対処して、検出装置の検出感度調整をきめ
細かく行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例としての検出装置１の構成図
である。

【図２】実施例としての検出装置１の回路図である。

【図３】実施例の検出装置１において感度調整を実際に
行なう場合の構成を示す説明図である。

【図４】感度調整における検出装置１の出力信号の様子
を示す説明図である。

【図５】第１部材，第２部材の他の配置を示す断面図で
ある。

【図６】同じく他の構成例を示す断面図である。

【図７】本発明の他の実施例を示す回路図である。

【図８】同じくその構造を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 検出装置 ２ ＭＰＵ １１ 筐体 １３ 回路基板 ２１ 収納部 ４１ 第１調整ネジ ４２ 第２調整ネジ ＣＯ 発振回路 ＳＷ スイッチング回路

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 検出部への被検出体の近接もしくは接触
   を、非接触で検出する検出装置であって、筐体内に収納
   された回路基板上に、検出部を構成するコイルのインダ
   クタンス成分を用いて発振する発振回路と、該発振回路
   の発振状況に応じてオン・オフされるスイッチング回路
   とを設け、電気良導体である第１部材を、前記コイルと
   は別体に該コイルの磁束通過範囲に、該磁束によって生
   起される渦電流による前記発振回路の電流損失を調整可
   能に設け、誘電体である第２部材を、前記コイルとは別
   体に該コイルの磁束通過範囲であって該第１部材とは異
   なる位置に、該コイルのインダクタンス成分を調整可能
   に設けた検出装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の検出装置であって、コイ
   ルの磁束通過範囲における第１，第２部材の相対位置お
   よび／または存在量を変更する部材調整機構を設けた検
   出装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の検出装置であって、第１
   部材および／または第２部材の部材調整機構は、第１，
   第２部材の相対位置および／または存在量の変更が筐体
   の外部から可能な位置に設けられた検出装置。