JP2970880B2 - 電子ビームによる電圧測定方法及び電子ビームテスタ - Google Patents
電子ビームによる電圧測定方法及び電子ビームテスタInfo
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- JP2970880B2 JP2970880B2 JP3029930A JP2993091A JP2970880B2 JP 2970880 B2 JP2970880 B2 JP 2970880B2 JP 3029930 A JP3029930 A JP 3029930A JP 2993091 A JP2993091 A JP 2993091A JP 2970880 B2 JP2970880 B2 JP 2970880B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームによる電圧
測定方法及び電子ビームテスタに関する。
測定方法及び電子ビームテスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビームテスタでＬＳＩの試験や故障
診断を行う場合、ＬＳＩの内部配線に例えば図６（Ａ）
に示すようなテスト信号を周期的に繰り返し供給し、各
周期の基準点からの時間である位相を、例えば１ｎｓ刻
みで変化させて、各位相における電圧を測定する。
診断を行う場合、ＬＳＩの内部配線に例えば図６（Ａ）
に示すようなテスト信号を周期的に繰り返し供給し、各
周期の基準点からの時間である位相を、例えば１ｎｓ刻
みで変化させて、各位相における電圧を測定する。
【０００３】この測定は、次のようにして行われる。す
なわち、一次電子ビームを測定点に照射し、照射点から
放出された二次電子を、エネルギー分析グリッドを通し
て二次電子検出器で検出する。このエネルギー分析グリ
ッドに印加する電圧を変化させると、図６（Ｃ）に示す
如く二次電子検出量が変化し、いわゆるＳカーブが得ら
れる。各位相について、二次電子検出量が所定のスライ
スレベルになるように、エネルギー分析電圧を２分法で
変化させ、二次電子検出量がこのスライスレベルになっ
たときのエネルギー分析電圧を求め、これを例えば１０
２４回繰返して、１０２４回のエネルギー分析電圧の平
均を求め、これを測定点の電位とする。
なわち、一次電子ビームを測定点に照射し、照射点から
放出された二次電子を、エネルギー分析グリッドを通し
て二次電子検出器で検出する。このエネルギー分析グリ
ッドに印加する電圧を変化させると、図６（Ｃ）に示す
如く二次電子検出量が変化し、いわゆるＳカーブが得ら
れる。各位相について、二次電子検出量が所定のスライ
スレベルになるように、エネルギー分析電圧を２分法で
変化させ、二次電子検出量がこのスライスレベルになっ
たときのエネルギー分析電圧を求め、これを例えば１０
２４回繰返して、１０２４回のエネルギー分析電圧の平
均を求め、これを測定点の電位とする。
【０００４】例えば図６（Ａ）における位相ｔ１及びｔ
２での測定電位は、同図（Ｃ）に示す如く、それぞれＶ
１及びＶ２となる。
２での測定電位は、同図（Ｃ）に示す如く、それぞれＶ
１及びＶ２となる。
【０００５】二次電子検出器は、通常、シンチレータで
二次電子を光に変換し、高感度検出のためこの光を光電
子増倍管で検出する構成となっている。二次電子検出器
の出力には、図６（Ｂ）に示すような暗電流に相当する
オフセットノイズが含まれている。従来では、上記多数
回の平均により、このオフセットノイズは位相によらず
一定であるとみなして、二次電子検出量を補正してい
た。
二次電子を光に変換し、高感度検出のためこの光を光電
子増倍管で検出する構成となっている。二次電子検出器
の出力には、図６（Ｂ）に示すような暗電流に相当する
オフセットノイズが含まれている。従来では、上記多数
回の平均により、このオフセットノイズは位相によらず
一定であるとみなして、二次電子検出量を補正してい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、各位相
について多数回平均をとっても、二次電子検出量のオフ
セットノイズは位相により異なることを本発明者は知見
した。例えば位相ｔ３でのＳカーブは、同図（Ｃ）に示
すような比較的大きなオフセットノイズにより、位相ｔ
２でのＳカーブを縦軸方向に一定値だけシフトした形状
となり、本来Ｖ２であるべきところの分析電圧がＶ３と
なって、Ｖ２−Ｖ３だけ測定電圧が低くなる。このた
め、測定信号は同図（Ｄ）に示す如く、位相ｔ３のとこ
ろでオフセットノイズによる大きな歪みが生ずる。この
ようなオフセットノイズの規則的変動は、幅の狭いパル
スを使用して位相を制御する回路からのノイズが原因と
考えられる。
について多数回平均をとっても、二次電子検出量のオフ
セットノイズは位相により異なることを本発明者は知見
した。例えば位相ｔ３でのＳカーブは、同図（Ｃ）に示
すような比較的大きなオフセットノイズにより、位相ｔ
２でのＳカーブを縦軸方向に一定値だけシフトした形状
となり、本来Ｖ２であるべきところの分析電圧がＶ３と
なって、Ｖ２−Ｖ３だけ測定電圧が低くなる。このた
め、測定信号は同図（Ｄ）に示す如く、位相ｔ３のとこ
ろでオフセットノイズによる大きな歪みが生ずる。この
ようなオフセットノイズの規則的変動は、幅の狭いパル
スを使用して位相を制御する回路からのノイズが原因と
考えられる。
【０００７】本発明の目的は、このような発明者の知見
に基づき、位相に応じて異なるオフセットノイズを除去
することにより、測定精度を向上させることが可能な、
電子ビームによる電圧測定方法及び電子ビームテスタを
提供することにある。
に基づき、位相に応じて異なるオフセットノイズを除去
することにより、測定精度を向上させることが可能な、
電子ビームによる電圧測定方法及び電子ビームテスタを
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、二次電子検出
量のオフセットノイズが位相により異なるという知見に
基づいて案出されたものである。
量のオフセットノイズが位相により異なるという知見に
基づいて案出されたものである。
【０００９】図１は、本発明に係る電子ビームテスタの
原理構成を示す。
原理構成を示す。
【００１０】この電子ビームテスタは、試料１に一次電
子ビームＥＢ１を照射し、照射点から放出された二次電
子ＥＢ２を、エネルギー分析器（エネルギー分析グリッ
ド又はエネルギー分析リング等）２を介して二次電子検
出器３で検出し、エネルギー分析器２に印加する電圧を
調節して該照射点の電圧を測定するものである。図中、
４は動的オフセット記憶手段であり、測定波形の基準点
からの各位相における動的オフセットが格納される。５
は制御手段であり、二次電子ＥＢ２が二次電子検出器３
に到達するのを阻止する電圧をエネルギー分析器２に印
加し、この状態で、各位相について、検出された二次電
子量を該動的オフセットとして動的オフセット記憶手段
４に格納させる。６は二次電子量補正手段であり、電圧
測定状態において検出された二次電子量と該動的オフセ
ットとの差を補正された二次電子検出量とする。
子ビームＥＢ１を照射し、照射点から放出された二次電
子ＥＢ２を、エネルギー分析器（エネルギー分析グリッ
ド又はエネルギー分析リング等）２を介して二次電子検
出器３で検出し、エネルギー分析器２に印加する電圧を
調節して該照射点の電圧を測定するものである。図中、
４は動的オフセット記憶手段であり、測定波形の基準点
からの各位相における動的オフセットが格納される。５
は制御手段であり、二次電子ＥＢ２が二次電子検出器３
に到達するのを阻止する電圧をエネルギー分析器２に印
加し、この状態で、各位相について、検出された二次電
子量を該動的オフセットとして動的オフセット記憶手段
４に格納させる。６は二次電子量補正手段であり、電圧
測定状態において検出された二次電子量と該動的オフセ
ットとの差を補正された二次電子検出量とする。
【００１１】本発明に係る電子ビームによる電圧測定方
法では、試料１に一次電子ビームＥＢ１を照射し、照射
点から放出された二次電子ＥＢ２を、エネルギー分析器
２を介して検出し、エネルギー分析器２に印加する電圧
を調節して該照射点の電圧を測定するものであって、次
のようなステップ（１）〜（４）を有する。
法では、試料１に一次電子ビームＥＢ１を照射し、照射
点から放出された二次電子ＥＢ２を、エネルギー分析器
２を介して検出し、エネルギー分析器２に印加する電圧
を調節して該照射点の電圧を測定するものであって、次
のようなステップ（１）〜（４）を有する。
【００１２】（１）二次電子ＥＢ２が二次電子検出器３
に到達するのを阻止する電圧をエネルギー分析器２に印
加する。
に到達するのを阻止する電圧をエネルギー分析器２に印
加する。
【００１３】（２）この状態で、測定波形の基準点から
の各位相について、二次電子量を動的オフセットとして
検出する。
の各位相について、二次電子量を動的オフセットとして
検出する。
【００１４】（３）電圧測定のために二次電子量を検出
する。
する。
【００１５】（４）電圧測定のために検出された二次電
子量と該動的オフセットとの差を求め、該差を補正され
た二次電子検出量とする。
子量と該動的オフセットとの差を求め、該差を補正され
た二次電子検出量とする。
【００１６】
【作用】本発明では、二次電子検出器出力の、位相によ
り異なるオフセットノイズを、各位相について除去する
ので、電子ビームテスタの電圧測定精度が向上する。
り異なるオフセットノイズを、各位相について除去する
ので、電子ビームテスタの電圧測定精度が向上する。
【００１７】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１８】（１）第１実施例 図２は第１実施例の電子ビームテスタの要部構成を示
す。
す。
【００１９】試料室１０内には、ステージ１２上に試料
１４、例えば半導体チップが露出したＬＳＩが載置され
ている。試料室１０に続く電子ビーム鏡筒１６内には、
一次電子ビームＥＢ１を射出する電子銃１８、光軸調整
用のアライメントコイル２０、一次電子ビームＥＢ１を
例えば矩形状に走査させるための電界を作るビームブラ
ンキングプレート２２Ｘ、２２Ｙ、矩形走査された一次
電子ビームＥＢ１をパルス化するためのアパーチャ２
４、及び、パスル状の一次電子ビームＥＢ１を光軸に垂
直な面内で偏向させるためのビーム偏向コイル２６Ｘ、
２６Ｙが配置されている。試料１４の上方には、引出し
電極２８及びエネルギー分析グリッド３０を介して二次
電子検出器３２が配置されている。
１４、例えば半導体チップが露出したＬＳＩが載置され
ている。試料室１０に続く電子ビーム鏡筒１６内には、
一次電子ビームＥＢ１を射出する電子銃１８、光軸調整
用のアライメントコイル２０、一次電子ビームＥＢ１を
例えば矩形状に走査させるための電界を作るビームブラ
ンキングプレート２２Ｘ、２２Ｙ、矩形走査された一次
電子ビームＥＢ１をパルス化するためのアパーチャ２
４、及び、パスル状の一次電子ビームＥＢ１を光軸に垂
直な面内で偏向させるためのビーム偏向コイル２６Ｘ、
２６Ｙが配置されている。試料１４の上方には、引出し
電極２８及びエネルギー分析グリッド３０を介して二次
電子検出器３２が配置されている。
【００２０】試料１４上の測定点に一次電子ビームＥＢ
１を照射すると、照射点から放出された二次電子ＥＢ２
は、引出し電極２８で引き上げられ、エネルギー分析グ
リッド３０に印加した電圧に応じた割合の二次電子ＥＢ
２がエネルギー分析グリッド３０を通って二次電子検出
器３２で検出される。
１を照射すると、照射点から放出された二次電子ＥＢ２
は、引出し電極２８で引き上げられ、エネルギー分析グ
リッド３０に印加した電圧に応じた割合の二次電子ＥＢ
２がエネルギー分析グリッド３０を通って二次電子検出
器３２で検出される。
【００２１】試料１４の外部端子には、テスト信号発生
回路３４からの周期的なテスト信号が、タイミング発生
回路３６からのトリガ信号に同期して供給される。ま
た、二次電子検出器３２の出力が所定のスライスレベル
になるように、コンピュータ３８から分析電圧制御回路
４０を介してエネルギー分析グリッド３０に分析電圧が
印加される。さらに、タイミング発生回路３６からの同
期信号に同期して、位相指定回路４２からブランキング
制御回路４４を介してビームブランキングプレート２２
Ｘ及び２２Ｙに矩形走査用電圧が印加され、指定位相で
のみ一次電子ビームＥＢ１がアパーチャ２４を通って、
一次電子ビームＥＢ１がパルス化される。
回路３４からの周期的なテスト信号が、タイミング発生
回路３６からのトリガ信号に同期して供給される。ま
た、二次電子検出器３２の出力が所定のスライスレベル
になるように、コンピュータ３８から分析電圧制御回路
４０を介してエネルギー分析グリッド３０に分析電圧が
印加される。さらに、タイミング発生回路３６からの同
期信号に同期して、位相指定回路４２からブランキング
制御回路４４を介してビームブランキングプレート２２
Ｘ及び２２Ｙに矩形走査用電圧が印加され、指定位相で
のみ一次電子ビームＥＢ１がアパーチャ２４を通って、
一次電子ビームＥＢ１がパルス化される。
【００２２】二次電子検出器３２の出力信号は、アンプ
４６で増幅された後、Ａ／Ｄ変換器４８でデジタル化さ
れる。乗算回路５０は、Ａ／Ｄ変換器４８の出力とレジ
スタ５２の内容との積を演算し、その結果を加算回路５
４へ供給する。加算回路５４は、乗算回路５０の出力と
レジスタ５６の内容との和を演算し、その結果を減算回
路５８へ供給する。一方、動的オフセットメモリ６０に
は、各位相に対応したオフセット、すなわち動的オフセ
ットが、後述の如くしてコンピュータ３８により書込ま
れている。動的オフセットメモリ６０は、位相指定回路
４２からの位相指定によりアドレス指定され、その位相
に対応したオフセットを減算回路５８へ供給する。減算
回路５８は、加算回路５４の出力と動的オフセットメモ
リ６０の出力との差を演算し、その結果を、補正された
二次電子検出量としてコンピュータ３８に供給する。
４６で増幅された後、Ａ／Ｄ変換器４８でデジタル化さ
れる。乗算回路５０は、Ａ／Ｄ変換器４８の出力とレジ
スタ５２の内容との積を演算し、その結果を加算回路５
４へ供給する。加算回路５４は、乗算回路５０の出力と
レジスタ５６の内容との和を演算し、その結果を減算回
路５８へ供給する。一方、動的オフセットメモリ６０に
は、各位相に対応したオフセット、すなわち動的オフセ
ットが、後述の如くしてコンピュータ３８により書込ま
れている。動的オフセットメモリ６０は、位相指定回路
４２からの位相指定によりアドレス指定され、その位相
に対応したオフセットを減算回路５８へ供給する。減算
回路５８は、加算回路５４の出力と動的オフセットメモ
リ６０の出力との差を演算し、その結果を、補正された
二次電子検出量としてコンピュータ３８に供給する。
【００２３】次に、動的オフセットメモリ６０に対する
動的オフセット設定の手順を図３に基づいて説明する。
以下の括弧内の数値は、図３中のステップ識別番号を示
す。
動的オフセット設定の手順を図３に基づいて説明する。
以下の括弧内の数値は、図３中のステップ識別番号を示
す。
【００２４】（７０）動的オフセットメモリ６０の全内
容をゼロクリアする。
容をゼロクリアする。
【００２５】（７２）レジスタ５２に対して、自動ゲイ
ンコントロール（ＡＧＣ）法によりゲインを設定し、レ
ジスタ５６に対して、自動オフセットコントロール法
（ＡＯＣ）により静的オフセットを設定する。これらＡ
ＧＣ及びＡＯＣは、標準直流電圧に対する二次電子検出
量が基準値になるようにレジスタ５２及び５６の内容が
定められる。
ンコントロール（ＡＧＣ）法によりゲインを設定し、レ
ジスタ５６に対して、自動オフセットコントロール法
（ＡＯＣ）により静的オフセットを設定する。これらＡ
ＧＣ及びＡＯＣは、標準直流電圧に対する二次電子検出
量が基準値になるようにレジスタ５２及び５６の内容が
定められる。
【００２６】また、エネルギー分析電圧を、二次電子Ｅ
Ｂ２を全て跳ね返す電圧、例えば−２０Ｖにさせる。な
お、試料１４には、電圧測定の際のテスト信号が、テス
ト信号発生回路３４から加えられている。すなわち、オ
フセットノイズを正確に測定するために、エネルギー分
析電圧以外は電圧測定時と同一条件になっている。
Ｂ２を全て跳ね返す電圧、例えば−２０Ｖにさせる。な
お、試料１４には、電圧測定の際のテスト信号が、テス
ト信号発生回路３４から加えられている。すなわち、オ
フセットノイズを正確に測定するために、エネルギー分
析電圧以外は電圧測定時と同一条件になっている。
【００２７】（７４）繰り返し回数ｊを１に初期設定す
る。また、二次電子検出量合計値Ｓ１〜Ｓｎをゼロクリ
アする。
る。また、二次電子検出量合計値Ｓ１〜Ｓｎをゼロクリ
アする。
【００２８】（７６）位相識別番号ｉを１に初期設定す
る。位相はｉΔｔで表され、Δｔは例えば１ｎｓであ
る。
る。位相はｉΔｔで表され、Δｔは例えば１ｎｓであ
る。
【００２９】（７８）位相ｉΔｔでの二次電子量を多数
回、例えば１０２４回繰り返し測定し、その平均値Ａｉ
を求める。合計値ＳｉにＡｉを加えた値を新たな合計値
Ｓｉとする。
回、例えば１０２４回繰り返し測定し、その平均値Ａｉ
を求める。合計値ＳｉにＡｉを加えた値を新たな合計値
Ｓｉとする。
【００３０】（８０、８２）ｉ＜ｎであれば、ｉに１を
加えて位相を更新し、上記ステップ７８へ戻る。ｉ＝ｎ
となれば、次のステップ８４へ進む。
加えて位相を更新し、上記ステップ７８へ戻る。ｉ＝ｎ
となれば、次のステップ８４へ進む。
【００３１】（８４、８６）ｊ＜ｍであれば、ｊに１を
加えて上記ステップ７６へ戻る。ｊ＝ｍとなれば、次の
ステップ８８へ進む。
加えて上記ステップ７６へ戻る。ｊ＝ｍとなれば、次の
ステップ８８へ進む。
【００３２】（８８）平均二次電子検出量ＡＸｉ＝Ｓｉ
／ｎｍ（ｉ＝１〜ｎ）を算出する。
／ｎｍ（ｉ＝１〜ｎ）を算出する。
【００３３】（９０）平均二次電子検出量ＡＸｉ（ｉ＝
１〜ｎ）を位相番号ｉの動的オフセットとして動的オフ
セットメモリ６０に書込む。
１〜ｎ）を位相番号ｉの動的オフセットとして動的オフ
セットメモリ６０に書込む。
【００３４】このようにして、各位相に対する動的オフ
セットが動的オフセットメモリ６０に設定される。
セットが動的オフセットメモリ６０に設定される。
【００３５】次に、各位相について、減算回路５８の出
力が所定のスライスレベルになるように、エネルギー分
析グリッド３０に印加する分析電圧を２分法で変化さ
せ、減算回路５８の出力がこのスライスレベルになった
ときのエネルギー分析電圧を測定電位として求め、測定
信号の波形を得る。
力が所定のスライスレベルになるように、エネルギー分
析グリッド３０に印加する分析電圧を２分法で変化さ
せ、減算回路５８の出力がこのスライスレベルになった
ときのエネルギー分析電圧を測定電位として求め、測定
信号の波形を得る。
【００３６】（２）試験例 図４は上記実施例と従来例とについての試験結果を示
す。
す。
【００３７】同図（Ａ）は、図３に示す処理により得ら
れた動的オフセットであり、ｎ＝１０２４、ｍ＝１０、
Δｔ＝１ｎｓとしたものである。この動的オフセットの
波形を１００回求めたが、１００回とも同一となり、動
的オフセットが各位相に特有のものであることを確認し
た。
れた動的オフセットであり、ｎ＝１０２４、ｍ＝１０、
Δｔ＝１ｎｓとしたものである。この動的オフセットの
波形を１００回求めたが、１００回とも同一となり、動
的オフセットが各位相に特有のものであることを確認し
た。
【００３８】同図（Ｃ）は、上記実施例の電子ビームテ
スタを用いた測定電圧の波形を示す。各位相における測
定電圧は、１０２４回繰り返し測定して得た平均電圧で
ある。
スタを用いた測定電圧の波形を示す。各位相における測
定電圧は、１０２４回繰り返し測定して得た平均電圧で
ある。
【００３９】同図（Ｂ）は、同図（Ｃ）と同一条件の下
で測定した、従来の電子ビームテスタによる測定電圧の
波形を示す。この測定電圧は、図２において動的オフセ
ットメモリの内容をゼロクリアして測定した電圧に等し
い（図４の（Ｃ）から（Ａ）を単に引いたものではな
い）。
で測定した、従来の電子ビームテスタによる測定電圧の
波形を示す。この測定電圧は、図２において動的オフセ
ットメモリの内容をゼロクリアして測定した電圧に等し
い（図４の（Ｃ）から（Ａ）を単に引いたものではな
い）。
【００４０】（３）第２実施例 図５は第２実施例の電子ビームテスタの要部構成を示
す。
す。
【００４１】この電子ビームテスタでは、図２に示す加
算回路５４を用いずに、減算回路５８で乗算回路５０の
出力とレジスタ５６の内容との差を演算し、その結果を
コンピュータ３８に供給している。また、動的オフセッ
トメモリ６０の内容をレジスタ５６に供給して、各位相
毎にレジスタ５６の内容を更新している。他の点は上記
第１実施例と同一である。
算回路５４を用いずに、減算回路５８で乗算回路５０の
出力とレジスタ５６の内容との差を演算し、その結果を
コンピュータ３８に供給している。また、動的オフセッ
トメモリ６０の内容をレジスタ５６に供給して、各位相
毎にレジスタ５６の内容を更新している。他の点は上記
第１実施例と同一である。
【００４２】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明では、二次電
子検出器出力の、位相により異なるオフセットノイズ
を、各位相について除去するので、電子ビームテスタの
電圧測定精度が向上するという効果を奏し、半導体集積
回路試験の正確化に寄与するところが大きい。
子検出器出力の、位相により異なるオフセットノイズ
を、各位相について除去するので、電子ビームテスタの
電圧測定精度が向上するという効果を奏し、半導体集積
回路試験の正確化に寄与するところが大きい。
【図１】本発明に係る電子ビームテスタの原理構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図２】第１実施例の電子ビームテスタの要部構成図で
ある。
ある。
【図３】図２のコンピュータ３８のソフトウエア構成に
係り、動的オフセット設定手順を示すフローチャートで
ある。
係り、動的オフセット設定手順を示すフローチャートで
ある。
【図４】試験結果を示す波形図であって、（Ａ）は二次
電子検出器出力の動的オフセット波形図、（Ｂ）は従来
の電子ビームテスタを用いた測定電圧の波形図、（Ｃ）
は本実施例の電子ビームテスタを用いた測定電圧の波形
図である。
電子検出器出力の動的オフセット波形図、（Ｂ）は従来
の電子ビームテスタを用いた測定電圧の波形図、（Ｃ）
は本実施例の電子ビームテスタを用いた測定電圧の波形
図である。
【図５】第２実施例の電子ビームテスタの要部構成図で
ある。
ある。
【図６】従来例の問題点を示す波形図であって、（Ａ）
はテスト信号の波形図、（Ｂ）は二次電子検出器出力の
オフセットノイズの波形図、（Ｃ）はエネルギー分析電
圧に対する二次電子検出量の波形図、（Ｄ）は測定信号
の波形図である。
はテスト信号の波形図、（Ｂ）は二次電子検出器出力の
オフセットノイズの波形図、（Ｃ）はエネルギー分析電
圧に対する二次電子検出量の波形図、（Ｄ）は測定信号
の波形図である。
１４ 試料 １６ 電子ビーム鏡筒 １８ 電子銃 ２０ アライメントコイル ２２Ｘ、２２Ｙ ビームブランキングプレート ２４ アパーチャ ２６Ｘ、２６Ｙ ビーム偏向コイル ２８ 引出し電極 ３０ エネルギー分析グリッド ３２ 二次電子検出器 ＥＢ１ 一次電子ビーム ＥＢ２ 二次電子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/66
Claims (2)
- 【請求項１】 試料（１）に一次電子ビーム（ＥＢ１）
を照射し、照射点から放出された二次電子（ＥＢ２）
を、エネルギー分析器（２）を介して検出し、該エネル
ギー分析器に印加する電圧を調節して該照射点の電圧を
測定する電子ビームによる電圧測定方法において、該二
次電子が該二次電子検出器（３）に到達するのを阻止す
る電圧を該エネルギー分析器に印加し、この状態で、測
定波形の基準点からの各位相について、二次電子量を動
的オフセットとして検出し、電圧測定のために二次電子
量を検出し、電圧測定のために検出された二次電子量と
該動的オフセットとの差を求め、該差を補正された二次
電子検出量とすることを特徴とする電子ビームによる電
圧測定方法。 - 【請求項２】 試料（１）に一次電子ビーム（ＥＢ１）
を照射し、照射点から放出された二次電子（ＥＢ２）
を、エネルギー分析器（２）を介して二次電子検出器
（３）で検出し、該エネルギー分析器に印加する電圧を
調節して該照射点の電圧を測定する電子ビームテスタに
おいて、測定波形の基準点からの各位相における動的オ
フセットが格納される動的オフセット記憶手段（４）
と、該二次電子が該二次電子検出器に到達するのを阻止
する電圧を該エネルギー分析器に印加し、この状態で、
各位相について、検出された二次電子量を該動的オフセ
ットとして動的オフセット記憶手段に格納させる制御手
段（５）と、電圧測定状態において検出された二次電子
量と、該検出の位相と同一位相の該動的オフセットとの
差を、補正された二次電子検出量とする二次電子量補正
手段（６）と、を有することを特徴とする電子ビームテ
スタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029930A JP2970880B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 電子ビームによる電圧測定方法及び電子ビームテスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029930A JP2970880B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 電子ビームによる電圧測定方法及び電子ビームテスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04268742A JPH04268742A (ja) | 1992-09-24 |
| JP2970880B2 true JP2970880B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=12289709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3029930A Expired - Fee Related JP2970880B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 電子ビームによる電圧測定方法及び電子ビームテスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2970880B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-25 JP JP3029930A patent/JP2970880B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04268742A (ja) | 1992-09-24 |
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