JP2985295B2 - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JP2985295B2 JP2985295B2 JP2402479A JP40247990A JP2985295B2 JP 2985295 B2 JP2985295 B2 JP 2985295B2 JP 2402479 A JP2402479 A JP 2402479A JP 40247990 A JP40247990 A JP 40247990A JP 2985295 B2 JP2985295 B2 JP 2985295B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- optical recording
- layer
- recording
- erasing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非晶相と結晶相の間の
相変化により情報を記録、再生または消去行なう光ディ
スク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型光記
録媒体の初期化方法に関する。
相変化により情報を記録、再生または消去行なう光ディ
スク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型光記
録媒体の初期化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化を利用した書換可能な光記録媒体
は、一般に非晶質状態を記録状態とし、結晶状態を消去
状態として用いられている。一例としてこのような光記
録媒体の記録、消去および再生は、レーザ光の照射によ
り行なっており、その方式は従来のビーム径が１μｍ程
度の小さいスポットで記録、再生を行ない、ディスクの
半径方向が１μｍ程度、円周方向が１０μｍ程度の楕円
で細長いスポットで消去を行なう２ビーム方式から、ビ
ーム径が１μｍ程度の小さいスポットの単一ビームを用
い、その強度を変えることだけで記録、消去および再生
ができる１ビームオーバライト方式（N.Yamada et al..
Proc,SPIE 695,79(1986)）に変ってきている。
は、一般に非晶質状態を記録状態とし、結晶状態を消去
状態として用いられている。一例としてこのような光記
録媒体の記録、消去および再生は、レーザ光の照射によ
り行なっており、その方式は従来のビーム径が１μｍ程
度の小さいスポットで記録、再生を行ない、ディスクの
半径方向が１μｍ程度、円周方向が１０μｍ程度の楕円
で細長いスポットで消去を行なう２ビーム方式から、ビ
ーム径が１μｍ程度の小さいスポットの単一ビームを用
い、その強度を変えることだけで記録、消去および再生
ができる１ビームオーバライト方式（N.Yamada et al..
Proc,SPIE 695,79(1986)）に変ってきている。
【０００３】１ビームオーバライト方式の光記録媒体と
しては、記録膜の結晶化速度が速いことが必須条件であ
り、結晶化速度が速い媒体としては、例えば、Ｓｂ2 Ｔ
ｅ3 薄膜（特開昭59-185048 公報）、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
系薄膜（特開昭62-209742 公報、特開昭63-225934 公
報、N.Yamada et al,Jpn.J.Appl.Phys.,26,Suppl.,26-
4,61-66(1987)）、Ｍ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系薄膜、Ｍは
Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｔｌ，Ｃｏなどの金属元素（第５０
応用物理学会学術講演予稿集29p-PB-37 、第３６応用物
理学会学術講演予稿集１p-ZB-9））、Ｉｎ−Ｓｅ系薄膜
（T.Nishida et al,Jpn.J.Appl.Phys.,26,Suppl.,Supp
l.,26-4,67-70(1987)）、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系薄膜（Y.M
aeda et al,J.Appl.Phys.64,1715(1988) ）などが提案
されている。
しては、記録膜の結晶化速度が速いことが必須条件であ
り、結晶化速度が速い媒体としては、例えば、Ｓｂ2 Ｔ
ｅ3 薄膜（特開昭59-185048 公報）、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
系薄膜（特開昭62-209742 公報、特開昭63-225934 公
報、N.Yamada et al,Jpn.J.Appl.Phys.,26,Suppl.,26-
4,61-66(1987)）、Ｍ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系薄膜、Ｍは
Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｔｌ，Ｃｏなどの金属元素（第５０
応用物理学会学術講演予稿集29p-PB-37 、第３６応用物
理学会学術講演予稿集１p-ZB-9））、Ｉｎ−Ｓｅ系薄膜
（T.Nishida et al,Jpn.J.Appl.Phys.,26,Suppl.,Supp
l.,26-4,67-70(1987)）、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系薄膜（Y.M
aeda et al,J.Appl.Phys.64,1715(1988) ）などが提案
されている。
【０００４】これら記録膜は、蒸着やスパッタリングな
どの真空成膜法により形成されており、一般に非晶質状
態で形成される。そのため光記録媒体として使用する場
合、記録に先立って一度記録領域全体の記録層を結晶状
態にする、いわゆる初期化処理を行う必要がある。
どの真空成膜法により形成されており、一般に非晶質状
態で形成される。そのため光記録媒体として使用する場
合、記録に先立って一度記録領域全体の記録層を結晶状
態にする、いわゆる初期化処理を行う必要がある。
【０００５】従来、光記録媒体を初期化する方法として
は、特開昭60-10631公報に示されるような大パワーで連
続発光のアルゴンレーザ光を幅広く光記録媒体に照射
し、記録部全面を短時間かつ反射率が均一になるように
初期化する方法があった。
は、特開昭60-10631公報に示されるような大パワーで連
続発光のアルゴンレーザ光を幅広く光記録媒体に照射
し、記録部全面を短時間かつ反射率が均一になるように
初期化する方法があった。
【０００６】しかしながら上記従来の方法では、光記録
媒体の基板にポリカーボネート樹脂やポリメチルメタク
リレート樹脂などのプラスチック基板を用いた場合、基
板と蒸着やスパッタリングなどで形成された膜との熱膨
張差により熱応力が生じたり、また基板や保護のための
ＵＶ樹脂層自身が熱変形を生じたりして、光記録媒体の
反りが大きくなり機械特性が劣化するなどの問題があっ
た。また、場合によっては形成膜に微小なクラックが発
生して欠陥となり、更にこれらが、記録、消去の繰り返
しや高温高湿下で広がり大きな欠陥に成長したりして、
光記録媒体の寿命を著しく低下させてしまうという問題
があった。さらに、この問題を解決するために光記録媒
体の熱的負荷を低減するような条件で初期化を行なう
と、記録、消去特性の特に繰り返し初期の消去率が低く
なるという問題が発生した。
媒体の基板にポリカーボネート樹脂やポリメチルメタク
リレート樹脂などのプラスチック基板を用いた場合、基
板と蒸着やスパッタリングなどで形成された膜との熱膨
張差により熱応力が生じたり、また基板や保護のための
ＵＶ樹脂層自身が熱変形を生じたりして、光記録媒体の
反りが大きくなり機械特性が劣化するなどの問題があっ
た。また、場合によっては形成膜に微小なクラックが発
生して欠陥となり、更にこれらが、記録、消去の繰り返
しや高温高湿下で広がり大きな欠陥に成長したりして、
光記録媒体の寿命を著しく低下させてしまうという問題
があった。さらに、この問題を解決するために光記録媒
体の熱的負荷を低減するような条件で初期化を行なう
と、記録、消去特性の特に繰り返し初期の消去率が低く
なるという問題が発生した。
【０００７】この問題の解決手段としては、大きなスポ
ット径のレーザ光を特開昭63-31046公報に示されるよう
な回析格子を用いたり、特開昭63-310471 公報に示され
るようなビームスプリッタを用い２分した後重ね合わせ
たりして、ビームを干渉させて明部と暗部が光記録媒体
の半径方向に並ぶように照射して光記録媒体の熱歪みを
軽減させ、形成膜の微小クラックの発生を防止するよう
な初期化方法が提案されているが、この方法では光学系
が非常に複雑になったり、十分な照射パワー得るために
はより高出力なレーザが必要になるという欠点があっ
た。
ット径のレーザ光を特開昭63-31046公報に示されるよう
な回析格子を用いたり、特開昭63-310471 公報に示され
るようなビームスプリッタを用い２分した後重ね合わせ
たりして、ビームを干渉させて明部と暗部が光記録媒体
の半径方向に並ぶように照射して光記録媒体の熱歪みを
軽減させ、形成膜の微小クラックの発生を防止するよう
な初期化方法が提案されているが、この方法では光学系
が非常に複雑になったり、十分な照射パワー得るために
はより高出力なレーザが必要になるという欠点があっ
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とする
ところは記録層から発生する熱による基板やＵＶ樹脂層
等の熱変形および形成膜の熱歪みによる反りやクラック
が発生せず高速で良好な初期化が実現できる光記録媒体
の初期化を可能とし、変形や反り、クラックのない光記
録媒体の製造方法を提供することにある。
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とする
ところは記録層から発生する熱による基板やＵＶ樹脂層
等の熱変形および形成膜の熱歪みによる反りやクラック
が発生せず高速で良好な初期化が実現できる光記録媒体
の初期化を可能とし、変形や反り、クラックのない光記
録媒体の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
基板上に形成された記録層に光を照射することによっ
て、情報の記録、消去および再生が可能であり、情報の
記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により
おこなわれる光記録媒体を初期化するに際して、ビーム
形状が楕円状であり、該ビームの短軸の半値全幅Ｌ１
（μｍ）が０．５≦Ｌ１≦２．０で、かつレーザ光の照
射による吸収エネルギー量Ｅ（ｎＪ／μｍ 2 ）＝吸収率
Ａ×パワー密度Ｐ×照射時間Ｔが０．３０≦Ｅ≦１０．
０であるレーザ光を照射して前記光記録媒体の記録層を
非晶質状態から結晶状態に変える光記録媒体の製造方法
により達成される。
基板上に形成された記録層に光を照射することによっ
て、情報の記録、消去および再生が可能であり、情報の
記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により
おこなわれる光記録媒体を初期化するに際して、ビーム
形状が楕円状であり、該ビームの短軸の半値全幅Ｌ１
（μｍ）が０．５≦Ｌ１≦２．０で、かつレーザ光の照
射による吸収エネルギー量Ｅ（ｎＪ／μｍ 2 ）＝吸収率
Ａ×パワー密度Ｐ×照射時間Ｔが０．３０≦Ｅ≦１０．
０であるレーザ光を照射して前記光記録媒体の記録層を
非晶質状態から結晶状態に変える光記録媒体の製造方法
により達成される。
【００１０】本発明のレーザ光の光源としては、アルゴ
ンレーザ、ヘリウム・カドミウムレーザ、などのガスレ
ーザおよび半導体レーザなどが用いられるが、とりわ
け、半導体レーザを用いることは、ビーム形状を簡単な
光学系で楕円化でき、装置を小型化でき、かつ消費電力
も小さくできることから好ましい。半導体レーザを用い
本発明の方法により光記録媒体を初期化する装置の１具
体例を図１に示し説明するが、初期化装置は特にこれに
限定されるものではない。
ンレーザ、ヘリウム・カドミウムレーザ、などのガスレ
ーザおよび半導体レーザなどが用いられるが、とりわ
け、半導体レーザを用いることは、ビーム形状を簡単な
光学系で楕円化でき、装置を小型化でき、かつ消費電力
も小さくできることから好ましい。半導体レーザを用い
本発明の方法により光記録媒体を初期化する装置の１具
体例を図１に示し説明するが、初期化装置は特にこれに
限定されるものではない。
【００１１】図１において、１は光記録媒体である。３
は、半導体レーザでレーザ光２を発光する。４はコリメ
ータレンズ、５はシリンドリカルレンズ系、６はミラ
ー、７は対物レンズであり、８はモータ、９は移動台で
ある。半導体レーザ３から出射したレーザ光２はコリメ
ータレンズ４で平行光にされ、シリンドリカルレンズ系
５によりレーザ光２のビ−ムの楕円率を変化させ、ビ−
ム形状を整形する。シリンドリカルレンズ系５を通った
レーザ光２は、ミラー６によって対物レンズ７に導か
れ、この対物レンズ７によって光記録媒体１の記録層１
３に結像され照射される。これらを含む光学系１０は移
動台９により光記録媒体１の半径方向に適当な送りピッ
チで送られる。一方、光記録媒体１はモータ８により回
転される。このような装置により本発明のビーム形状を
光記録媒体１の記録層１３で得るには、上記光学系のレ
ーザ３の波長やコリメータレンズ４と対物レンズ７の開
口数等を適宜変更したり、選択、調整したりすることに
より容易に得ることができる。
は、半導体レーザでレーザ光２を発光する。４はコリメ
ータレンズ、５はシリンドリカルレンズ系、６はミラ
ー、７は対物レンズであり、８はモータ、９は移動台で
ある。半導体レーザ３から出射したレーザ光２はコリメ
ータレンズ４で平行光にされ、シリンドリカルレンズ系
５によりレーザ光２のビ−ムの楕円率を変化させ、ビ−
ム形状を整形する。シリンドリカルレンズ系５を通った
レーザ光２は、ミラー６によって対物レンズ７に導か
れ、この対物レンズ７によって光記録媒体１の記録層１
３に結像され照射される。これらを含む光学系１０は移
動台９により光記録媒体１の半径方向に適当な送りピッ
チで送られる。一方、光記録媒体１はモータ８により回
転される。このような装置により本発明のビーム形状を
光記録媒体１の記録層１３で得るには、上記光学系のレ
ーザ３の波長やコリメータレンズ４と対物レンズ７の開
口数等を適宜変更したり、選択、調整したりすることに
より容易に得ることができる。
【００１２】レーザ光の光記録媒体１の記録層１３での
形状は、楕円状であり、かつ該ビームの短軸の半値全幅
Ｌ１が０．５μｍ≦Ｌ１≦２．０μｍであることが重要
であり、これにより光を吸収した記録層からの熱が拡散
しやすく、基板やＵＶ樹脂層にかかる熱負荷が軽減され
る。このＬ１の値はより好ましくは、０．７μｍ≦Ｌ１
≦１μｍである。０．５μｍ未満では、高精度で高価な
光学系が必要となり、また一部非晶化するなど結晶化が
均一にできないため好ましくない。２．０μｍより大き
いと記録層から発生した熱の実質的な拡散が遅くなり、
基板またはＵＶ樹脂層の熱変形と形成膜の熱歪による反
りやクラックが生じやすくなり好ましくない。
形状は、楕円状であり、かつ該ビームの短軸の半値全幅
Ｌ１が０．５μｍ≦Ｌ１≦２．０μｍであることが重要
であり、これにより光を吸収した記録層からの熱が拡散
しやすく、基板やＵＶ樹脂層にかかる熱負荷が軽減され
る。このＬ１の値はより好ましくは、０．７μｍ≦Ｌ１
≦１μｍである。０．５μｍ未満では、高精度で高価な
光学系が必要となり、また一部非晶化するなど結晶化が
均一にできないため好ましくない。２．０μｍより大き
いと記録層から発生した熱の実質的な拡散が遅くなり、
基板またはＵＶ樹脂層の熱変形と形成膜の熱歪による反
りやクラックが生じやすくなり好ましくない。
【００１３】長軸の半値全幅Ｌ２は、３μｍ≦Ｌ２≦１
００μｍが好ましく、より好ましくは１０μｍ≦Ｌ２≦
７０μｍである。３μｍ未満では、光記録媒体の１トラ
ックの範囲を均一に初期化できないばかりか処理時間も
長くなり、さらに、むらを生じないようにする半径方向
の送りに高精度な機構も必要となる。また、１００μｍ
より大きいとより高出力なレーザを必要とし、また、記
録層にから発生した熱により基板またはＵＶ樹脂層の熱
変形と形成膜の熱歪みより、反りやクラックが生じ易く
なり好ましくない。
００μｍが好ましく、より好ましくは１０μｍ≦Ｌ２≦
７０μｍである。３μｍ未満では、光記録媒体の１トラ
ックの範囲を均一に初期化できないばかりか処理時間も
長くなり、さらに、むらを生じないようにする半径方向
の送りに高精度な機構も必要となる。また、１００μｍ
より大きいとより高出力なレーザを必要とし、また、記
録層にから発生した熱により基板またはＵＶ樹脂層の熱
変形と形成膜の熱歪みより、反りやクラックが生じ易く
なり好ましくない。
【００１４】照射時間Ｔは光記録媒体のある１点をレー
ザ光の半値全幅が通過する時間を意味し、該照射時間は
短い程基板やＵＶ樹脂層にかかる熱負荷が少なくなる
が、十分な相転移熱を与えるにはレーザのパワーをあげ
る必要がある。また、相変化光記録媒体の記録層を結晶
化させるには、記録層を結晶化温度以上の温度領域に加
熱した後、結晶化に必要な時間以上保持する必要があ
り、適正な値に設定にしなければならない。１ビームオ
ーバライト方式の光記録媒体の場合は、２０ｎｓｅｃ≦
Ｔ≦１０００ｎｓｅｃの範囲が好ましく、より好ましく
は５０ｎｓｅｃ≦Ｔ≦５００μｓｅｃである。２０ｎｓ
ｅｃ未満では結晶化にむらが生じやすく、１回では信頼
性の高い初期化が困難になる。１０００ｎｓｅｃより大
きいと初期化時間が長くなり生産性が低下し、しかも、
記録層からの熱拡散になる基板やＵＶ樹脂層への熱負荷
が大きくなり、光記録媒体の熱変形や形成膜のクラック
の原因となる。
ザ光の半値全幅が通過する時間を意味し、該照射時間は
短い程基板やＵＶ樹脂層にかかる熱負荷が少なくなる
が、十分な相転移熱を与えるにはレーザのパワーをあげ
る必要がある。また、相変化光記録媒体の記録層を結晶
化させるには、記録層を結晶化温度以上の温度領域に加
熱した後、結晶化に必要な時間以上保持する必要があ
り、適正な値に設定にしなければならない。１ビームオ
ーバライト方式の光記録媒体の場合は、２０ｎｓｅｃ≦
Ｔ≦１０００ｎｓｅｃの範囲が好ましく、より好ましく
は５０ｎｓｅｃ≦Ｔ≦５００μｓｅｃである。２０ｎｓ
ｅｃ未満では結晶化にむらが生じやすく、１回では信頼
性の高い初期化が困難になる。１０００ｎｓｅｃより大
きいと初期化時間が長くなり生産性が低下し、しかも、
記録層からの熱拡散になる基板やＵＶ樹脂層への熱負荷
が大きくなり、光記録媒体の熱変形や形成膜のクラック
の原因となる。
【００１５】このような照射時間での最適なレーザ光の
パワー密度Ｐは光記録媒体の材料および層構成によって
変るが、５．０ｍＷ／μｍ2 ≦Ｐ≦２５．０ｍＷ／μｍ
2 の範囲が好ましく、より好ましくは７．０ｍＷ／μｍ
2 ≦Ｐ≦２０．０ｍＷ／μｍ2 である。５．０ｍＷ／μ
ｍ2 未満では結晶化にむらが生じたり、結晶化するのに
時間がかかるなど好ましくなく、２５．０ｍＷ／μｍ2
より大きいと熱による記録層の膜歪みなどの欠陥が発生
し易くなりノイズおよび繰り返しで寿命の劣化の原因と
なり好ましくない。
パワー密度Ｐは光記録媒体の材料および層構成によって
変るが、５．０ｍＷ／μｍ2 ≦Ｐ≦２５．０ｍＷ／μｍ
2 の範囲が好ましく、より好ましくは７．０ｍＷ／μｍ
2 ≦Ｐ≦２０．０ｍＷ／μｍ2 である。５．０ｍＷ／μ
ｍ2 未満では結晶化にむらが生じたり、結晶化するのに
時間がかかるなど好ましくなく、２５．０ｍＷ／μｍ2
より大きいと熱による記録層の膜歪みなどの欠陥が発生
し易くなりノイズおよび繰り返しで寿命の劣化の原因と
なり好ましくない。
【００１６】光記録媒体の反射率は構成や材料によって
変化し光記録媒体のレーザ光の吸収率Ａは大きく変化す
るが、レーザ光の照射による吸収エネルギー量（Ｅ＝吸
収率Ａ×パワー密度Ｐ×照射時間Ｔ）は、０．３ｎＪ／
μｍ2≦Ｅ≦１０．０ｎＪ／μｍ2 であることが必要であ
り、好ましくは０．５ｎＪ／μｍ2≦Ｅ≦７．０ｎＪ／
μｍ2である。０．３ｎＪ／μｍ2未満では結晶化にむら
が生じたりするなど好ましくなく、１０．０ｎＪ／μｍ
2より大きいと記録層により発生した熱により基板やＵ
Ｖ樹脂層の熱変形や形成膜の熱歪みにより、反りやクラ
ックが生じ易くなり好ましくない。
変化し光記録媒体のレーザ光の吸収率Ａは大きく変化す
るが、レーザ光の照射による吸収エネルギー量（Ｅ＝吸
収率Ａ×パワー密度Ｐ×照射時間Ｔ）は、０．３ｎＪ／
μｍ2≦Ｅ≦１０．０ｎＪ／μｍ2 であることが必要であ
り、好ましくは０．５ｎＪ／μｍ2≦Ｅ≦７．０ｎＪ／
μｍ2である。０．３ｎＪ／μｍ2未満では結晶化にむら
が生じたりするなど好ましくなく、１０．０ｎＪ／μｍ
2より大きいと記録層により発生した熱により基板やＵ
Ｖ樹脂層の熱変形や形成膜の熱歪みにより、反りやクラ
ックが生じ易くなり好ましくない。
【００１７】光記録媒体の回転は上記照射時間の範囲で
自由に設定できるが、その制御方法は、線速度一定でも
回転数一定でもかまわない。回転数一定とした場合、レ
ーザ光の照射時間が半径位置で変化するため、均一な初
期化状態を得るためにはレーザ光のパワーを順次変化さ
せて行なった方が好ましい。線速度が遅い場合には、記
録媒体記録部全面の初期化に時間を要し、場合によって
は熱により膜破壊が生じる恐れがあり、線速度が速い場
合には照射レーザのパワーを大きくする必要があること
から、線速度としては、２ｍ／ｓ〜４０ｍ／ｓの範囲が
好ましい。
自由に設定できるが、その制御方法は、線速度一定でも
回転数一定でもかまわない。回転数一定とした場合、レ
ーザ光の照射時間が半径位置で変化するため、均一な初
期化状態を得るためにはレーザ光のパワーを順次変化さ
せて行なった方が好ましい。線速度が遅い場合には、記
録媒体記録部全面の初期化に時間を要し、場合によって
は熱により膜破壊が生じる恐れがあり、線速度が速い場
合には照射レーザのパワーを大きくする必要があること
から、線速度としては、２ｍ／ｓ〜４０ｍ／ｓの範囲が
好ましい。
【００１８】レーザビームの光記録媒体に対する配置
は、図２に示すように特に限定されないが、レーザビー
ムの強度分布が一様な部分が光記録媒体の半径方向で広
く取ることができ、レーザビームの送りピッチを大きく
しても初期化が均一にでき、かつ実質的な初期化時間が
短縮できる位置である、半径方向に対する傾き角θが０
度から６０度の範囲が好ましい。
は、図２に示すように特に限定されないが、レーザビー
ムの強度分布が一様な部分が光記録媒体の半径方向で広
く取ることができ、レーザビームの送りピッチを大きく
しても初期化が均一にでき、かつ実質的な初期化時間が
短縮できる位置である、半径方向に対する傾き角θが０
度から６０度の範囲が好ましい。
【００１９】光記録媒体の構成としては、特に限定され
ないが、１ビームオーバライト方式の記録消去特性が良
好な、例えば図３に示すような基板１１上に誘電体層１
２ａ、記録層１３、誘電体層１２ｂおよび反射冷却層１
４をこの順に設け、さらにその上に５μｍ〜４０μｍの
厚さの紫外線硬化樹脂層などの樹脂保護層１５を積層せ
しめたものが、本発明の初期化方法を適用することによ
り、より好ましい効果が期待できるので望ましい。ま
た、保護層１５の上に接着剤層を設け他の基板と貼り合
わせたものでもかまわない。
ないが、１ビームオーバライト方式の記録消去特性が良
好な、例えば図３に示すような基板１１上に誘電体層１
２ａ、記録層１３、誘電体層１２ｂおよび反射冷却層１
４をこの順に設け、さらにその上に５μｍ〜４０μｍの
厚さの紫外線硬化樹脂層などの樹脂保護層１５を積層せ
しめたものが、本発明の初期化方法を適用することによ
り、より好ましい効果が期待できるので望ましい。ま
た、保護層１５の上に接着剤層を設け他の基板と貼り合
わせたものでもかまわない。
【００２０】基板としては、基板側から記録消去を行な
う場合にはレーザ光が透過する材料を用いることが好ま
しく、例えばポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等の
高分子樹脂またはガラスなどが挙げられる。
う場合にはレーザ光が透過する材料を用いることが好ま
しく、例えばポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等の
高分子樹脂またはガラスなどが挙げられる。
【００２１】誘電体層は、基板や記録層などが記録によ
り熱によって変形し記録消去特性が劣化することを防止
する変形防止層、記録層の耐湿熱性や耐酸化性の効果を
もたせる保護層、かつ記録層から反射冷却層への原子拡
散を防止する拡散防止層の役割を果たす。このような誘
電体層としては、例えばＺｎＳ，ＳｉＯ2 ，Ｔａ
2 Ｏ5 ，ＩＴＯ，ＺｒＣ，ＴｉＣ，ＭｇＦ2 等の無機膜
やそれらの混合膜が使用できる。特に、ＺｎＳとＳｉＯ
2 およびＺｎＳとＭｇＦ2 の混合膜は、耐湿熱性に優れ
ており、さらに記録消去の繰り返しによる記録層の劣化
を抑制するので好ましい。１３の記録層は、結晶化速度
が速いものが１ビームオーバライト方式の記録消去を行
なう光記録媒体として好ましく、例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系薄膜、Ｍ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系薄膜、ＭはＰｄ，
Ｃｕ，Ａｇ，Ｔｌ，Ｃｏなどの金属元素、、Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系薄膜など挙げられる。特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系
薄膜、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系薄膜が、本発明の方法
により初期化することにより非晶相から結晶相へ移行す
る際、原子の移動が少なくてすむような単純な面心立方
の結晶構造をとり、かつ単一相にできるため結晶化速度
が速いばかりか、記録、消去の繰り返しよっても相分離
や粗成の偏析など起りにくく、さらに熱安定性が優れて
いるので好ましい。
り熱によって変形し記録消去特性が劣化することを防止
する変形防止層、記録層の耐湿熱性や耐酸化性の効果を
もたせる保護層、かつ記録層から反射冷却層への原子拡
散を防止する拡散防止層の役割を果たす。このような誘
電体層としては、例えばＺｎＳ，ＳｉＯ2 ，Ｔａ
2 Ｏ5 ，ＩＴＯ，ＺｒＣ，ＴｉＣ，ＭｇＦ2 等の無機膜
やそれらの混合膜が使用できる。特に、ＺｎＳとＳｉＯ
2 およびＺｎＳとＭｇＦ2 の混合膜は、耐湿熱性に優れ
ており、さらに記録消去の繰り返しによる記録層の劣化
を抑制するので好ましい。１３の記録層は、結晶化速度
が速いものが１ビームオーバライト方式の記録消去を行
なう光記録媒体として好ましく、例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系薄膜、Ｍ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系薄膜、ＭはＰｄ，
Ｃｕ，Ａｇ，Ｔｌ，Ｃｏなどの金属元素、、Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系薄膜など挙げられる。特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系
薄膜、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系薄膜が、本発明の方法
により初期化することにより非晶相から結晶相へ移行す
る際、原子の移動が少なくてすむような単純な面心立方
の結晶構造をとり、かつ単一相にできるため結晶化速度
が速いばかりか、記録、消去の繰り返しよっても相分離
や粗成の偏析など起りにくく、さらに熱安定性が優れて
いるので好ましい。
【００２２】反射冷却層は、誘電体層１２ｂからの熱拡
散を容易にし、記録時に溶融した記録層の冷却速度を高
めることにより、非晶質ピットの形成を容易にする。ま
た、誘電体層などが、熱的の変形することを防止する効
果、光学的干渉により再生信号のコントラストを改善す
る効果がある。このような反射冷却層としては、レーザ
光の波長で光反射性、吸収性を有し、かつ誘電体層より
も熱伝導度が高い金属または金属酸化物、金属窒化物、
金属炭化物などと金属の混合物、例えばＺｒ，Ｈｆ，Ｔ
ｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ａｌ，Ａｕなどの金属や、これ
らの合金、こららとＺｒ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｓｉ窒化
物、Ａｌ酸化物などを混合したものが使用できる。特に
Ａｌ，Ａｕ，Ｔａやそれらの合金等は、膜の形成が容易
であり、材料選択により熱伝導率が広範囲に調整可能で
あるため好ましい。
散を容易にし、記録時に溶融した記録層の冷却速度を高
めることにより、非晶質ピットの形成を容易にする。ま
た、誘電体層などが、熱的の変形することを防止する効
果、光学的干渉により再生信号のコントラストを改善す
る効果がある。このような反射冷却層としては、レーザ
光の波長で光反射性、吸収性を有し、かつ誘電体層より
も熱伝導度が高い金属または金属酸化物、金属窒化物、
金属炭化物などと金属の混合物、例えばＺｒ，Ｈｆ，Ｔ
ｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ａｌ，Ａｕなどの金属や、これ
らの合金、こららとＺｒ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｓｉ窒化
物、Ａｌ酸化物などを混合したものが使用できる。特に
Ａｌ，Ａｕ，Ｔａやそれらの合金等は、膜の形成が容易
であり、材料選択により熱伝導率が広範囲に調整可能で
あるため好ましい。
【００２３】誘電体層、記録層、反射冷却層の厚さは、
誘電体層１２ａが５０ｎｍ〜３００ｎｍ、誘電体層１２
ｂが１０ｎｍ〜３００ｎｍであり、記録層が１０ｎｍ〜
１００ｎｍであり、かつ反射冷却層が２０ｎｍ〜１５０
ｎｍとしたものが１ビームオーバライト方式の記録消去
を行なう光記録媒体に適しているため好ましい。
誘電体層１２ａが５０ｎｍ〜３００ｎｍ、誘電体層１２
ｂが１０ｎｍ〜３００ｎｍであり、記録層が１０ｎｍ〜
１００ｎｍであり、かつ反射冷却層が２０ｎｍ〜１５０
ｎｍとしたものが１ビームオーバライト方式の記録消去
を行なう光記録媒体に適しているため好ましい。
【００２４】誘電体層、記録層、反射冷却層を記録媒体
基板上に形成する方法とては、公知の真空中での薄膜形
成法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法、ス
パッタリング法等が挙げられる。特に組成、膜厚のコン
トロールが容易であることから、スパッタリング法が好
ましい。
基板上に形成する方法とては、公知の真空中での薄膜形
成法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法、ス
パッタリング法等が挙げられる。特に組成、膜厚のコン
トロールが容易であることから、スパッタリング法が好
ましい。
【００２５】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されない。なお実施例
中の特性は以下の方法に基づいて評価したものである。
明するが、本発明はこれらに限定されない。なお実施例
中の特性は以下の方法に基づいて評価したものである。
【００２６】（１）組成 記録層、誘電体層の組製は、ＩＣＰ発光分析（セイコー
電子工業（株）製ＦＴＳ−１１００型）によって各元素
の含有量を求め、組成比を算出した。
電子工業（株）製ＦＴＳ−１１００型）によって各元素
の含有量を求め、組成比を算出した。
【００２７】（２）反り 光記録媒体の初期化処理による反りは、光記録媒体機械
測定装置ＬＭ−１００Ａ（（株）小野測器製）で測定
し、初期化前後の差で評価した。
測定装置ＬＭ−１００Ａ（（株）小野測器製）で測定
し、初期化前後の差で評価した。
【００２８】（３）記録消去特性（１ビームオーバライ
ト特性） 初期化した光記録媒体を６ｍ／ｓで回転させ、基板側か
ら周波数３．７ＭＨｚ、パルス幅９０ｎｓで変調した記
録パワー２０ｍＷ、消去パワー１０ｍＷの波長８３０ｎ
ｍの半導体レーザ光を開口数０．５５の対物レンズで集
光照射しオーバライト記録を行なった。
ト特性） 初期化した光記録媒体を６ｍ／ｓで回転させ、基板側か
ら周波数３．７ＭＨｚ、パルス幅９０ｎｓで変調した記
録パワー２０ｍＷ、消去パワー１０ｍＷの波長８３０ｎ
ｍの半導体レーザ光を開口数０．５５の対物レンズで集
光照射しオーバライト記録を行なった。
【００２９】記録後、１．３ｍＷの半導体レーザ光で記
録部分を走査し記録の再生を行なった。さらに、記録部
分を先の条件の周波数を１．４ＭＨｚに変更しオーバラ
イト記録を行ない３．７ＭＨｚの記録信号を消去した
後、先と同一の条件で再生を行なった。記録後および消
去後再生信号をそれぞれスペクトル・アナライザにより
キャリヤレベルとノイズレベルを測定し、バンド幅３０
ｋＨｚの条件でキャリヤ対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）を求め、
さらに３．７ＭＨｚの記録時のキャリヤレベルと１．４
ＭＨｚの記録時（３．７ＭＨｚの消去時）の３．７ＭＨ
ｚのキャリヤレベルの差を消去率として求めた。
録部分を走査し記録の再生を行なった。さらに、記録部
分を先の条件の周波数を１．４ＭＨｚに変更しオーバラ
イト記録を行ない３．７ＭＨｚの記録信号を消去した
後、先と同一の条件で再生を行なった。記録後および消
去後再生信号をそれぞれスペクトル・アナライザにより
キャリヤレベルとノイズレベルを測定し、バンド幅３０
ｋＨｚの条件でキャリヤ対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）を求め、
さらに３．７ＭＨｚの記録時のキャリヤレベルと１．４
ＭＨｚの記録時（３．７ＭＨｚの消去時）の３．７ＭＨ
ｚのキャリヤレベルの差を消去率として求めた。
【００３０】繰り返しでの消去率は、３．７ＭＨｚのオ
ーバライト記録を１万回繰り返し、その後、また１回目
と同様に求め評価した。
ーバライト記録を１万回繰り返し、その後、また１回目
と同様に求め評価した。
【００３１】（４）初期化後の反射率 初期化後の反射率は、記録、消去特性測定に使用したも
のと同じ光学系を用い、再生パワーを１．３ｍＷにて測
定した。
のと同じ光学系を用い、再生パワーを１．３ｍＷにて測
定した。
【００３２】（５）クラックなどの欠陥 欠陥は、顕微鏡による目視検査および記録消去特性と同
じ光学系で再生パワー１．３ｍＷにて反射率のレベルが
±１０％以上の部分を欠陥とみなし、その欠陥密度で評
価した。
じ光学系で再生パワー１．３ｍＷにて反射率のレベルが
±１０％以上の部分を欠陥とみなし、その欠陥密度で評
価した。
【００３３】実施例１ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍ、１．６μｍピッチの
スパイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分
６０回転で回転させながら、ＲＦマグネトロンスパッタ
リング法により記録層、誘電体層、および反射冷却層を
形成した。
スパイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分
６０回転で回転させながら、ＲＦマグネトロンスパッタ
リング法により記録層、誘電体層、および反射冷却層を
形成した。
【００３４】まず、７×１０-5Ｐａまで排気した後、６
×１０-1Ｐａのアルゴンガス雰囲気中で基板上にＺｎＳ
とＳｉＯ2 のモル比が８０：２０の誘電体層のＺｎＳ−
ＳｉＯ2 をスパッタリング法により１７０ｎｍ形成し、
次にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、およびＰｄを水晶振動子膜厚計
でモニタしながら同時スパッタリングしてＰｄ2 Ｇｅ18
Ｓｂ30Ｔｅ50の元素組成の記録層を２５ｎｍ形成した。
さらに、上記の誘電体層のＺｎＳ−ＳｉＯ2 スッパタリ
ング法により２０ｎｍ、その上に反射冷却層としてＡｌ
合金を１００ｎｍ形成した。最後に、Ａｌ層上に紫外線
硬化樹脂をスピンコート法により塗布し、その後紫外線
を照射して硬化させ１０μｍの保護層を形成した。以上
により本発明の初期化方法を施す光記録媒体を得た。
×１０-1Ｐａのアルゴンガス雰囲気中で基板上にＺｎＳ
とＳｉＯ2 のモル比が８０：２０の誘電体層のＺｎＳ−
ＳｉＯ2 をスパッタリング法により１７０ｎｍ形成し、
次にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、およびＰｄを水晶振動子膜厚計
でモニタしながら同時スパッタリングしてＰｄ2 Ｇｅ18
Ｓｂ30Ｔｅ50の元素組成の記録層を２５ｎｍ形成した。
さらに、上記の誘電体層のＺｎＳ−ＳｉＯ2 スッパタリ
ング法により２０ｎｍ、その上に反射冷却層としてＡｌ
合金を１００ｎｍ形成した。最後に、Ａｌ層上に紫外線
硬化樹脂をスピンコート法により塗布し、その後紫外線
を照射して硬化させ１０μｍの保護層を形成した。以上
により本発明の初期化方法を施す光記録媒体を得た。
【００３５】初期化は、図１に示した装置でレーザビー
ムの半値全幅Ｌ１が０．８μｍ、Ｌ２が５０μｍ、第２
図の傾き角θを０度とし、パワー密度１１．０ｍＷ／μ
ｍ2 、照射時間の６０ｎｓｅｃで上記光記録媒体の全面
初期化を行なった。この時の、線速度は１３．３ｍ／ｓ
一定で、送りピッチは２５μｍであった。
ムの半値全幅Ｌ１が０．８μｍ、Ｌ２が５０μｍ、第２
図の傾き角θを０度とし、パワー密度１１．０ｍＷ／μ
ｍ2 、照射時間の６０ｎｓｅｃで上記光記録媒体の全面
初期化を行なった。この時の、線速度は１３．３ｍ／ｓ
一定で、送りピッチは２５μｍであった。
【００３６】その結果、初期化前後の反りの差は、１２
μｍと非常に少なく、クラックの発生もなく、かつ欠陥
密度は３．０×１０-6と小さく全面にわたり良好な初期
化できた。さらに、反射率と記録、消去特性を前期評価
方法により評価した結果、初期化後の反射率は均一であ
り、初回のＣ／Ｎは５２．０ｄＢ、消去率 ３０．５ｄ
Ｂ、１万回目のＣ／Ｎは、５２．３ｄＢ、消去率 ２
８．５ｄＢ、と良好なＣ／Ｎ、消去率が得られた。
μｍと非常に少なく、クラックの発生もなく、かつ欠陥
密度は３．０×１０-6と小さく全面にわたり良好な初期
化できた。さらに、反射率と記録、消去特性を前期評価
方法により評価した結果、初期化後の反射率は均一であ
り、初回のＣ／Ｎは５２．０ｄＢ、消去率 ３０．５ｄ
Ｂ、１万回目のＣ／Ｎは、５２．３ｄＢ、消去率 ２
８．５ｄＢ、と良好なＣ／Ｎ、消去率が得られた。
【００３７】実施例２ 光記録媒体の内外周でパワー密度は７．２ｍＷ／μｍ2
から１１．０ｍＷ／μｍ2 に１０段階に分けて、照射時
間は１２０ｎｓｅｃから６０ｎｓｅｃにリニヤ変化させ
る以外は実施例１と同様な光記録媒体を全面初期化し
た。この時の、回転数２１００ｒｐｍ一定で、送りピッ
チは２５μｍであった。
から１１．０ｍＷ／μｍ2 に１０段階に分けて、照射時
間は１２０ｎｓｅｃから６０ｎｓｅｃにリニヤ変化させ
る以外は実施例１と同様な光記録媒体を全面初期化し
た。この時の、回転数２１００ｒｐｍ一定で、送りピッ
チは２５μｍであった。
【００３８】その結果、初期化前後の反りの差は、１８
μｍと非常に少なく、クラックの発生もなく、かつ欠陥
密度は４．５×１０-6と小さく全面にわたり良好な初期
化できた。さらに、反射率と記録、消去特性を前期評価
方法により評価した結果、初期化後の反射率は均一であ
り、初回のＣ／Ｎは５２．３ｄＢ、消去率 ２９．７ｄ
Ｂ、１万回目のＣ／Ｎは、５２．０ｄＢ、消去率 ２
７．５ｄＢ、と良好なＣ／Ｎ、消去率が得られた。
μｍと非常に少なく、クラックの発生もなく、かつ欠陥
密度は４．５×１０-6と小さく全面にわたり良好な初期
化できた。さらに、反射率と記録、消去特性を前期評価
方法により評価した結果、初期化後の反射率は均一であ
り、初回のＣ／Ｎは５２．３ｄＢ、消去率 ２９．７ｄ
Ｂ、１万回目のＣ／Ｎは、５２．０ｄＢ、消去率 ２
７．５ｄＢ、と良好なＣ／Ｎ、消去率が得られた。
【００３９】実施例３ 記録層をＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを水晶振動子膜厚計でモニタ
しながら同時スパッタリングしてＧｅ23Ｓｂ25Ｔｅ52の
元素組成にした以外は実施例１と同様な構成の光記録媒
体を同様な方法で初期化した。
しながら同時スパッタリングしてＧｅ23Ｓｂ25Ｔｅ52の
元素組成にした以外は実施例１と同様な構成の光記録媒
体を同様な方法で初期化した。
【００４０】その結果、初期化前後の反りの差は、１５
μｍと非常に少なく、クラックの発生もなく、かつ欠陥
密度は４．５×１０-6と小さく全面にわたり良好な初期
化できた。さらに、反射率と記録、消去特性を前期評価
方法により評価した結果、初期化後の反射率は均一であ
り、１万回の繰り返しにおいて、実施例１と同様に初回
から良好な記録消去特性が得られた。
μｍと非常に少なく、クラックの発生もなく、かつ欠陥
密度は４．５×１０-6と小さく全面にわたり良好な初期
化できた。さらに、反射率と記録、消去特性を前期評価
方法により評価した結果、初期化後の反射率は均一であ
り、１万回の繰り返しにおいて、実施例１と同様に初回
から良好な記録消去特性が得られた。
【００４１】
【発明の効果】本発明は、相変化を利用した書換え可能
な光記録媒体を特定のビーム形状のレーザ光を照射して
初期化を行なうようにしたので、記録層から発生した熱
により基板またはＵＶ樹脂層の熱変形と形成膜の熱歪み
による反りやクラックが発生せずかつ良好な記録、消去
特性が高速で得られる。さらに、欠陥が少なく初期化で
きるので寿命が長い光記録媒体が得られる。
な光記録媒体を特定のビーム形状のレーザ光を照射して
初期化を行なうようにしたので、記録層から発生した熱
により基板またはＵＶ樹脂層の熱変形と形成膜の熱歪み
による反りやクラックが発生せずかつ良好な記録、消去
特性が高速で得られる。さらに、欠陥が少なく初期化で
きるので寿命が長い光記録媒体が得られる。
【図１】本発明の初期化方法を実施する際に使用される
装置の１例を説明する概略図である。
装置の１例を説明する概略図である。
【図２】本発明のレーザビームの照射位置を説明する概
略図である。
略図である。
【図３】光記録媒体構成の１例を説明する概略図であ
る。
る。
１：光記録媒体、２：半導体レーザ、３：レーザ光、
４：コリメータレンズ、５：シリンドリカルレンズ系、
６：ミラー、７：対物レンズ、１０：光学系、１１：デ
ィスク基板、１２ａ，１２ｂ：誘電体層、１３：記録
層、１４：反射冷却層、１５：樹脂保護層。
４：コリメータレンズ、５：シリンドリカルレンズ系、
６：ミラー、７：対物レンズ、１０：光学系、１１：デ
ィスク基板、１２ａ，１２ｂ：誘電体層、１３：記録
層、１４：反射冷却層、１５：樹脂保護層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−42661（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−133032（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−95254（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−186530（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/00 G11B 7/26
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に形成された記録層に光を照射する
ことによって、情報の記録、消去および再生が可能であ
り、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相
変化によりおこなわれる光記録媒体を初期化するに際し
て、該光記録媒体の記録層上でビーム形状が楕円状であ
り、該ビームの短軸の半値全幅Ｌ１（μｍ）が０．５≦
Ｌ１≦２．０で、かつレーザ光の照射による吸収エネル
ギー量Ｅ（ｎＪ／μｍ 2 ）＝吸収率Ａ×パワー密度Ｐ×
照射時間Ｔが０．３０≦Ｅ≦１０．０であるレーザ光を
照射して前記光記録媒体の記録層を非晶質状態から結晶
状態に変えることを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】レーザ光のパワー密度Ｐ（ｍＷ／μｍ2 ）
が５．０≦Ｐ≦２５．０かつ照射時間Ｔ（ｎｓｅｃ）が
２０≦Ｔ≦１０００である請求項１記載の光記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402479A JP2985295B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402479A JP2985295B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04216323A JPH04216323A (ja) | 1992-08-06 |
| JP2985295B2 true JP2985295B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=18512299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2402479A Expired - Fee Related JP2985295B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2985295B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875160A (en) * | 1996-12-14 | 1999-02-23 | Ricoh Company, Ltd. | Method and device for initializing optical recording medium of phase change type, and optical recording medium |
| TW565835B (en) * | 2001-01-10 | 2003-12-11 | Ricoh Kk | Phase change optical recording medium |
| JP4171461B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2008-10-22 | 日立コンピュータ機器株式会社 | 光ディスクの初期化装置及び初期化方法 |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP2402479A patent/JP2985295B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04216323A (ja) | 1992-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5362538A (en) | Optical recording medium | |
| WO1998038636A1 (en) | Phase-changeable optical recording medium, method of manufacturing the same, and method of recording information on the same | |
| JP2985295B2 (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPH08190734A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08124213A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH07334845A (ja) | 相変化光ディスクの初期化方法 | |
| EP0307750B1 (en) | Use of a storage meedium in a method of recording information | |
| JPH087343A (ja) | 光記録媒体の製造方法、フォーマット方法および光記録媒体 | |
| JP2830336B2 (ja) | 光記録媒体の初期化方法 | |
| JP3087598B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH07161071A (ja) | 光記録媒体 | |
| KR100186525B1 (ko) | 상변화형 광디스크 구조 | |
| JPH04113519A (ja) | 光記録媒体の初期化方法 | |
| JP2982329B2 (ja) | 情報光記録媒体とその記録再生方法 | |
| JPH05144084A (ja) | 光記録媒体とその製造方法 | |
| JP3173177B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH07262607A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08115536A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08115535A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0388146A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH1021587A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPH06150375A (ja) | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 | |
| JPH0883443A (ja) | 光学的情報記録用媒体の製造方法 | |
| JPH11238254A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10269630A (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |