JP3024347B2 - 限流素子 - Google Patents
限流素子Info
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- JP3024347B2 JP3024347B2 JP4046770A JP4677092A JP3024347B2 JP 3024347 B2 JP3024347 B2 JP 3024347B2 JP 4046770 A JP4046770 A JP 4046770A JP 4677092 A JP4677092 A JP 4677092A JP 3024347 B2 JP3024347 B2 JP 3024347B2
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、短絡電流を限流する
限流素子に関するものである。
限流素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１は、例えば特開平２−２８１７６６
号公報に示された限流素子を示す斜視図である。図にお
いて、１は基材で、例えばチタン酸ストロンチウムでつ
くられたセラミック基板が用いられており、２はセラミ
ック基板１の上に形成された超電導膜、４は超電導膜２
の上に形成され、リ−ド線３Ａ、３Ｂに電気的に接続さ
れ、超電導膜２を安定化するための金属膜で、金属膜４
の抵抗値は超電導膜２の常電導抵抗値より小さくなるよ
うに構成されている。
号公報に示された限流素子を示す斜視図である。図にお
いて、１は基材で、例えばチタン酸ストロンチウムでつ
くられたセラミック基板が用いられており、２はセラミ
ック基板１の上に形成された超電導膜、４は超電導膜２
の上に形成され、リ−ド線３Ａ、３Ｂに電気的に接続さ
れ、超電導膜２を安定化するための金属膜で、金属膜４
の抵抗値は超電導膜２の常電導抵抗値より小さくなるよ
うに構成されている。
【０００３】電流はリ−ド線３Ａ、金属膜４、超電導膜
２、金属膜４、リ−ド線３Ｂの経路で流れる。短絡事故
が発生して短絡電流が超電導膜２の臨界電流を越える
と、超電導膜２がクエンチして常電導状態になり超電導
膜２に常電導抵抗が発生し、電流が金属膜４に分流する
が、短絡電流は超電導膜２の常電導抵抗と金属膜４の抵
抗の合成抵抗で限流される。しかしながら、この時点で
は超電導膜２の温度は超電導膜２の臨界温度より低いの
で、短絡電流は僅かしか限流されない。超電導膜２に流
れる電流によるジュ―ル加熱によって超電導膜２の温度
が上昇し、超電導膜２の温度が超電導膜２の臨界温度を
越えると超電導膜２は高い抵抗を発生し、短絡電流が急
激に限流され、その後、超電導膜２が高い抵抗を維持
し、超電導膜２に流れる電流が小さい状態が持続され、
電流波形は図７のようになる。
２、金属膜４、リ−ド線３Ｂの経路で流れる。短絡事故
が発生して短絡電流が超電導膜２の臨界電流を越える
と、超電導膜２がクエンチして常電導状態になり超電導
膜２に常電導抵抗が発生し、電流が金属膜４に分流する
が、短絡電流は超電導膜２の常電導抵抗と金属膜４の抵
抗の合成抵抗で限流される。しかしながら、この時点で
は超電導膜２の温度は超電導膜２の臨界温度より低いの
で、短絡電流は僅かしか限流されない。超電導膜２に流
れる電流によるジュ―ル加熱によって超電導膜２の温度
が上昇し、超電導膜２の温度が超電導膜２の臨界温度を
越えると超電導膜２は高い抵抗を発生し、短絡電流が急
激に限流され、その後、超電導膜２が高い抵抗を維持
し、超電導膜２に流れる電流が小さい状態が持続され、
電流波形は図７のようになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の限流素子では、
金属膜４の抵抗値が超電導膜２の常電導抵抗値より小さ
くなるように構成されているので、短絡電流が超電導膜
２の臨界電流を越え超電導膜２がクエンチして常電導状
態になった後、超電導膜２に流れる電流が小さい。その
結果、超電導膜２の温度上昇速度が遅く、超電導膜２の
温度が臨界温度に達するまでの時間が長くなり、超電導
膜２が顕著な限流動作を始める時には短絡電流は大きく
なってしまっており、限流波高値が大きくなるという問
題点があった。従って、このような限流素子を半導体等
の分野で用いる場合、半導体の許容値を越え、半導体が
破壊してしまうおそれがあった。
金属膜４の抵抗値が超電導膜２の常電導抵抗値より小さ
くなるように構成されているので、短絡電流が超電導膜
２の臨界電流を越え超電導膜２がクエンチして常電導状
態になった後、超電導膜２に流れる電流が小さい。その
結果、超電導膜２の温度上昇速度が遅く、超電導膜２の
温度が臨界温度に達するまでの時間が長くなり、超電導
膜２が顕著な限流動作を始める時には短絡電流は大きく
なってしまっており、限流波高値が大きくなるという問
題点があった。従って、このような限流素子を半導体等
の分野で用いる場合、半導体の許容値を越え、半導体が
破壊してしまうおそれがあった。
【０００５】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたもので、限流波高値が小さい限流素子を得る
ことを目的とする。
になされたもので、限流波高値が小さい限流素子を得る
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、超電導体と
この超電導体を安定化するための安定化用金属を備えた
限流素子において、超電導体に流れる電流が超電導体の
臨界電流より大きく、かつ超電導体の温度が超電導体の
臨界温度より低いときには、安定化用金属の抵抗値が超
電導体の抵抗値より大きくなるように構成し、超電導体
に流れる電流が超電導体の臨界電流より大きく、かつ超
電導体の温度が超電導体の臨界温度より高い温度のとき
には、安定化用金属の抵抗値が超電導体の抵抗値より小
さくなるように構成したものである。
この超電導体を安定化するための安定化用金属を備えた
限流素子において、超電導体に流れる電流が超電導体の
臨界電流より大きく、かつ超電導体の温度が超電導体の
臨界温度より低いときには、安定化用金属の抵抗値が超
電導体の抵抗値より大きくなるように構成し、超電導体
に流れる電流が超電導体の臨界電流より大きく、かつ超
電導体の温度が超電導体の臨界温度より高い温度のとき
には、安定化用金属の抵抗値が超電導体の抵抗値より小
さくなるように構成したものである。
【０００７】
【作用】上記のように構成された限流素子では、短絡電
流が超電導体の臨界電流を越え、超電導体がクエンチし
て常電導状態になった後、超電導体が臨界温度に達する
までは、従来の限流素子の場合と比べ超電導体に流れる
電流が大きい。従って、超電導体の温度が急速に上昇
し、超電導体の温度が臨界温度に達するまでの時間が短
くなり、短絡電流が小さい間に、超電導体が限流動作を
始めるので、従来の限流素子と比べ限流波高値が小さく
なる。また、超電導体の超電導転移開始温度（臨界温
度）より高い温度においては従来と同様、安定化用金属
の抵抗値が超電導体の抵抗値より小さくなるように構成
されているので、超電導体の局所的な溶断を起こしにく
くすることができる。
流が超電導体の臨界電流を越え、超電導体がクエンチし
て常電導状態になった後、超電導体が臨界温度に達する
までは、従来の限流素子の場合と比べ超電導体に流れる
電流が大きい。従って、超電導体の温度が急速に上昇
し、超電導体の温度が臨界温度に達するまでの時間が短
くなり、短絡電流が小さい間に、超電導体が限流動作を
始めるので、従来の限流素子と比べ限流波高値が小さく
なる。また、超電導体の超電導転移開始温度（臨界温
度）より高い温度においては従来と同様、安定化用金属
の抵抗値が超電導体の抵抗値より小さくなるように構成
されているので、超電導体の局所的な溶断を起こしにく
くすることができる。
【０００８】
【実施例】実施例１． 図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であり、１は基
材で、例えばチタン酸ストロンチウムでつくられたセラ
ミック基板が用いられており、２はセラミック基板１の
上に形成された超電導体で、例えばイットリウム系の高
温超電導体であり、この実施例では幅１ｍｍ、厚さ０．
３μｍの超電導膜が用いられている。４は超電導膜２の
上に形成され、リ−ド線３Ａ、３Ｂに電気的に接続さ
れ、超電導膜２を安定化するための金属膜で、例えばア
ルゴン中でグロー放電スパッタ法で形成された銀の膜
（幅１ｍｍ、厚さ１０００オングストローム）であり、
超電導膜の温度が超電導膜の臨界温度より低く、しかも
超電導膜に流れる電流が超電導膜の臨界電流より大きい
条件下で、金属膜の抵抗値が超電導膜の抵抗値より大き
くなるように構成され、超電導膜の超電導転移開始温度
（臨界温度）より高い温度において、金属膜の抵抗値が
超電導膜の抵抗値より小さくなるように構成されてい
る。
材で、例えばチタン酸ストロンチウムでつくられたセラ
ミック基板が用いられており、２はセラミック基板１の
上に形成された超電導体で、例えばイットリウム系の高
温超電導体であり、この実施例では幅１ｍｍ、厚さ０．
３μｍの超電導膜が用いられている。４は超電導膜２の
上に形成され、リ−ド線３Ａ、３Ｂに電気的に接続さ
れ、超電導膜２を安定化するための金属膜で、例えばア
ルゴン中でグロー放電スパッタ法で形成された銀の膜
（幅１ｍｍ、厚さ１０００オングストローム）であり、
超電導膜の温度が超電導膜の臨界温度より低く、しかも
超電導膜に流れる電流が超電導膜の臨界電流より大きい
条件下で、金属膜の抵抗値が超電導膜の抵抗値より大き
くなるように構成され、超電導膜の超電導転移開始温度
（臨界温度）より高い温度において、金属膜の抵抗値が
超電導膜の抵抗値より小さくなるように構成されてい
る。
【０００９】短絡事故が発生して短絡電流が超電導膜２
の臨界電流を越えると、超電導膜２がクエンチして常電
導状態になり超電導膜２に常電導抵抗が発生し、電流が
金属膜４に分流するが、短絡電流は超電導膜２の常電導
抵抗と金属膜４の抵抗の合成抵抗で限流される。しかし
ながら、この時点では超電導膜２の温度は超電導膜２の
臨界温度より低いので、短絡電流は僅かしか限流されな
い。超電導膜２に流れる電流によるジュ―ル加熱によっ
て超電導膜２の温度が上昇し、超電導膜２の温度が超電
導膜２の臨界温度を越えると超電導膜２は高い抵抗を発
生し短絡電流が急激に限流され、その後、超電導膜２が
高い抵抗を維持し超電導膜２に流れる電流が小さい状態
が持続され、電流波形は図２のようになる。
の臨界電流を越えると、超電導膜２がクエンチして常電
導状態になり超電導膜２に常電導抵抗が発生し、電流が
金属膜４に分流するが、短絡電流は超電導膜２の常電導
抵抗と金属膜４の抵抗の合成抵抗で限流される。しかし
ながら、この時点では超電導膜２の温度は超電導膜２の
臨界温度より低いので、短絡電流は僅かしか限流されな
い。超電導膜２に流れる電流によるジュ―ル加熱によっ
て超電導膜２の温度が上昇し、超電導膜２の温度が超電
導膜２の臨界温度を越えると超電導膜２は高い抵抗を発
生し短絡電流が急激に限流され、その後、超電導膜２が
高い抵抗を維持し超電導膜２に流れる電流が小さい状態
が持続され、電流波形は図２のようになる。
【００１０】ところで、この発明では、超電導膜の温度
が超電導膜の臨界温度より低く、しかも超電導膜に流れ
る電流が超電導膜の臨界電流より大きい条件下で、金属
膜の抵抗値が超電導膜の抵抗値より大きくなるように構
成されている。従って、短絡電流が超電導膜２の臨界電
流を越え超電導膜２がクエンチして常電導状態になった
後、超電導膜２に流れる電流が大きい。従って、超電導
膜２の温度が急速に上昇し超電導膜２の温度が臨界温度
に達するまでの時間が短くなり、短絡電流が小さい間
に、超電導膜２が限流動作を始めるので、従来の限流素
子と比べ限流波高値が小さくなる。
が超電導膜の臨界温度より低く、しかも超電導膜に流れ
る電流が超電導膜の臨界電流より大きい条件下で、金属
膜の抵抗値が超電導膜の抵抗値より大きくなるように構
成されている。従って、短絡電流が超電導膜２の臨界電
流を越え超電導膜２がクエンチして常電導状態になった
後、超電導膜２に流れる電流が大きい。従って、超電導
膜２の温度が急速に上昇し超電導膜２の温度が臨界温度
に達するまでの時間が短くなり、短絡電流が小さい間
に、超電導膜２が限流動作を始めるので、従来の限流素
子と比べ限流波高値が小さくなる。
【００１１】また、超電導膜の超電導転移開始温度（臨
界温度）より高い温度においては、従来と同様、金属膜
の抵抗値が超電導膜の抵抗値より小さくなるように構成
されているので、超電導膜２に臨界電流、膜質、膜厚な
どの不均一に基ずく局所的な過度温度上昇があっても、
超電導膜２に流れる電流の大半を金属膜に分流できるの
で、超電導膜２の局所的溶断を顕著に起こしにくくする
ことができる。
界温度）より高い温度においては、従来と同様、金属膜
の抵抗値が超電導膜の抵抗値より小さくなるように構成
されているので、超電導膜２に臨界電流、膜質、膜厚な
どの不均一に基ずく局所的な過度温度上昇があっても、
超電導膜２に流れる電流の大半を金属膜に分流できるの
で、超電導膜２の局所的溶断を顕著に起こしにくくする
ことができる。
【００１２】実施例２．図３はセラミック基板１の両面
に金属膜と超電導膜を形成したものである。図におい
て、１はセラミック基材で、この実施例では例えばチタ
ン酸ストロンチウムでつくられたセラミック基板が用い
られており、２、２Ａはそれぞれ超電導膜、４、４Ａは
それぞれ超電導膜２、２Ａの上に形成された金属膜で、
リ−ド線３Ａ、３Ｂは金属膜４に電気的に接続され、リ
−ド線３Ｃ、３Ｄは金属膜４Ａに電気的に接続されてい
る。電流はリ−ド線３Ａ、金属膜４、超電導膜２、金属
膜４、リ−ド線３Ｂの経路で、また、リ−ド線３Ｃ、金
属膜４Ａ、超電導膜２Ａ、金属膜４Ａ、リ−ド線３Ｄの
経路で流れる。図３に示す実施例では、セラミック基板
１の両面に超電導膜を形成したので、大電流の超電導素
子を得ることができる。
に金属膜と超電導膜を形成したものである。図におい
て、１はセラミック基材で、この実施例では例えばチタ
ン酸ストロンチウムでつくられたセラミック基板が用い
られており、２、２Ａはそれぞれ超電導膜、４、４Ａは
それぞれ超電導膜２、２Ａの上に形成された金属膜で、
リ−ド線３Ａ、３Ｂは金属膜４に電気的に接続され、リ
−ド線３Ｃ、３Ｄは金属膜４Ａに電気的に接続されてい
る。電流はリ−ド線３Ａ、金属膜４、超電導膜２、金属
膜４、リ−ド線３Ｂの経路で、また、リ−ド線３Ｃ、金
属膜４Ａ、超電導膜２Ａ、金属膜４Ａ、リ−ド線３Ｄの
経路で流れる。図３に示す実施例では、セラミック基板
１の両面に超電導膜を形成したので、大電流の超電導素
子を得ることができる。
【００１３】実施例３．図１と図３の実施例では、セラ
ミック基材として板材を用いたが、セラミック基材とし
ては板材以外のものを使用してもよく、例えば図４に示
すような円柱状のものでもよい。
ミック基材として板材を用いたが、セラミック基材とし
ては板材以外のものを使用してもよく、例えば図４に示
すような円柱状のものでもよい。
【００１４】実施例４．以上の実施例では、超電導体と
して超電導膜が用いられているが、図５に示されている
ように線材が用いられてもよい。図５において、２は線
状の超電導体、４はこの超電導体２を安定化するための
安定化用金属で、超電導体２と安定化用金属４で超電導
線が形成されており、３Ａと３Ｂはリ―ド線で超電導線
に電気的に接続されている。
して超電導膜が用いられているが、図５に示されている
ように線材が用いられてもよい。図５において、２は線
状の超電導体、４はこの超電導体２を安定化するための
安定化用金属で、超電導体２と安定化用金属４で超電導
線が形成されており、３Ａと３Ｂはリ―ド線で超電導線
に電気的に接続されている。
【００１５】なお、超電導体２と安定化用金属４で構成
された上記超電導線は図６に示されているような螺旋状
に形成されてもよい。
された上記超電導線は図６に示されているような螺旋状
に形成されてもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば超電導
体とこの超電導体を安定化するための安定化用金属を備
えた限流素子において、超電導体に流れる電流が超電導
体の臨界電流より大きく、かつ超電導体の温度が超電導
体の臨界温度より低いときには、安定化用金属の抵抗値
が超電導体の抵抗値より大きくなるように構成し、超電
導体に流れる電流が超電導体の臨界電流より大きく、か
つ超電導体の温度が超電導体の臨界温度より高い温度の
ときには、安定化用金属の抵抗値が超電導体の抵抗値よ
り小さくなるように構成したので、限流波高値が小さい
限流素子が得られる効果がある。
体とこの超電導体を安定化するための安定化用金属を備
えた限流素子において、超電導体に流れる電流が超電導
体の臨界電流より大きく、かつ超電導体の温度が超電導
体の臨界温度より低いときには、安定化用金属の抵抗値
が超電導体の抵抗値より大きくなるように構成し、超電
導体に流れる電流が超電導体の臨界電流より大きく、か
つ超電導体の温度が超電導体の臨界温度より高い温度の
ときには、安定化用金属の抵抗値が超電導体の抵抗値よ
り小さくなるように構成したので、限流波高値が小さい
限流素子が得られる効果がある。
【図１】従来及びこの発明の実施例１による限流素子を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】この発明の実施例１の限流波形を示す説明図で
ある。
ある。
【図３】この発明の実施例２による限流素子を示す斜視
図である。
図である。
【図４】この発明の実施例３による限流素子を示す斜視
図である。
図である。
【図５】この発明の実施例４による限流素子を示す斜視
図である。
図である。
【図６】この発明の実施例４による他の限流素子を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図７】従来の限流波形を示す説明図である。
２ 超電導体 ２Ａ 超電導体 ４ 安定化用金属 ４Ａ 安定化用金属
フロントページの続き (72)発明者 松野 繁 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 材料デバイス研究所内 (72)発明者 木ノ内 伸一 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 材料デバイス研究所内 (56)参考文献 特開 平２−281765（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−281766（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 39/16 - 39/16 H01L 39/02 - 39/04 H01L 39/20 H01B 12/06 H02H 9/02 ZAA
Claims (1)
- 【請求項１】 超電導体、及びこの超電導体上に設けら
れ、上記超電導体を安定化する安定化用金属を備えた限
流素子において、上記超電導体に流れる電流が上記超電
導体の臨界電流より大きく、かつ上記超電導体の温度が
上記超電導体の臨界温度より低いときには、上記安定化
用金属の抵抗値が上記超電導体の抵抗値より大きくなる
ように構成するとともに、上記超電導体に流れる電流が
上記超電導体の臨界電流より大きく、かつ上記超電導体
の温度が上記超電導体の臨界温度より高い温度のときに
は、上記安定化用金属の抵抗値が上記超電導体の抵抗値
より小さくなるように構成したことを特徴とする限流素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4046770A JP3024347B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 限流素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4046770A JP3024347B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 限流素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251756A JPH05251756A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3024347B2 true JP3024347B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=12756568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4046770A Expired - Fee Related JP3024347B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 限流素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3024347B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100722317B1 (ko) * | 2005-10-28 | 2007-05-28 | 한국전력공사 | 초전도체와 비선형 가변도체의 복합체를 이용한 초전도한류소자 |
| US11031774B2 (en) | 2018-01-19 | 2021-06-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Superconducting fault current limiter having improved energy handling |
| CN109513419B (zh) * | 2018-11-08 | 2021-09-21 | 华南理工大学 | 一种磁性镁锰层状双金属氧化物复合材料及制备与应用 |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP4046770A patent/JP3024347B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05251756A (ja) | 1993-09-28 |
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