JP3063509B2 - 薄膜光電変換素子の製造装置 - Google Patents
薄膜光電変換素子の製造装置Info
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- chamber
- film forming
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- forming chamber
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可撓性基板上にアモル
ファスシリコン (以下ａ−Siと略す) などの光電変換層
の各層をステッピングロール方式で成膜する薄膜光電変
換素子の製造装置に関する。
ファスシリコン (以下ａ−Siと略す) などの光電変換層
の各層をステッピングロール方式で成膜する薄膜光電変
換素子の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ａ−Siを主材料とした光電変換層を含む
各層を長尺の高分子材料あるいはステンレス鋼などの金
属からなる可撓性基板上に形成して薄膜光電変換素子を
製造する方法は、生産性の点ですぐれている。長尺の可
撓性基板上に複数の層を成膜する方式として、各成膜室
内を移動する基板上に成膜するロールツーロール方式
と、成膜室内で停止させた基板上に成膜したのち成膜の
終わった基板部分を成膜室外へ送り出すステッピングロ
ール方式とがある。プラズマＣＶＤ法を用いて成膜する
ステッピングロール方式では、成膜室開放−基板１フレ
ーム移動−成膜室封止−原料ガス導入−圧力制御−放電
開始−放電終了−原料ガス停止−ガス引き−成膜室開放
の操作がくり返される。 このステップロール方式を採
用した成膜装置は、通常のロールツーロール成膜に比べ
以下の点で優れている。
各層を長尺の高分子材料あるいはステンレス鋼などの金
属からなる可撓性基板上に形成して薄膜光電変換素子を
製造する方法は、生産性の点ですぐれている。長尺の可
撓性基板上に複数の層を成膜する方式として、各成膜室
内を移動する基板上に成膜するロールツーロール方式
と、成膜室内で停止させた基板上に成膜したのち成膜の
終わった基板部分を成膜室外へ送り出すステッピングロ
ール方式とがある。プラズマＣＶＤ法を用いて成膜する
ステッピングロール方式では、成膜室開放−基板１フレ
ーム移動−成膜室封止−原料ガス導入−圧力制御−放電
開始−放電終了−原料ガス停止−ガス引き−成膜室開放
の操作がくり返される。 このステップロール方式を採
用した成膜装置は、通常のロールツーロール成膜に比べ
以下の点で優れている。
【０００３】(1) 隣接する成膜室とのガス相互拡散がな
い。 (2) 装置がコンパクトである。 図２はステッピングロール方式の成膜装置の一例を示
し、共通室２０の中に複数の成膜室２１〜２４が配置さ
れた構造になっており、各成膜室はヒータ２を内蔵した
電極３を昇降させることによって開放、封止できるよう
になっている。高分子薄膜あるいはステンレス鋼等の金
属薄膜からなる可撓性基板１は各成膜室のヒータ２を内
蔵した接地電極３と電源５に接続された高電圧電極４の
間を通され、ロール２５と２６の間の搬送は成膜室開放
時に、成膜は成膜室封止時にそれぞれ行われる。
い。 (2) 装置がコンパクトである。 図２はステッピングロール方式の成膜装置の一例を示
し、共通室２０の中に複数の成膜室２１〜２４が配置さ
れた構造になっており、各成膜室はヒータ２を内蔵した
電極３を昇降させることによって開放、封止できるよう
になっている。高分子薄膜あるいはステンレス鋼等の金
属薄膜からなる可撓性基板１は各成膜室のヒータ２を内
蔵した接地電極３と電源５に接続された高電圧電極４の
間を通され、ロール２５と２６の間の搬送は成膜室開放
時に、成膜は成膜室封止時にそれぞれ行われる。
【０００４】図３(a) 、(b) はステッピングロール方式
の成膜室の開放時および封止時の断面をそれぞれ示す。
断続的に搬送されてくる可撓性基板１の上下に函状の上
部成膜室の壁６と下部成膜室の壁７とが開口部側で対向
している。下部成膜室には高電圧電極４が、上部成膜室
には接地電極３が備えられている。成膜時には、図３
(b) に示すように、上部成膜室の壁６が下降し、接地電
極３が基板１を抑えて下部成膜室の壁７の開口側端面に
取付けられたシール材８に接触させる。これにより下部
成膜室の壁７と基板１により、排気管９に連通する気密
に密閉された成膜空間１０が形成され、高電圧電極４へ
の高周波電圧の印加によりプラズマを成膜空間１０に発
生させ、図示しない導入管から導入された原料ガスを分
解して基板１上に膜を形成する。この場合、シール材８
は厚さ数十から数百ミクロンの可撓性基板を介してヒー
タ２で加熱された上部成膜室の壁６の表面端部と接触す
ることになり、シール材８の接触部の温度は上部成膜室
の壁６の面とほぼ等温になる。成膜時のヒータ温度は２
００〜３００℃、一方、シール材８として弗素ゴム等を
用いる場合、脱ガスを防ぐためにはシール部を１５０℃
以下に保つ必要がある。このため、上部成膜室の壁６の
表面温度を１５０℃以下に保持することが重要になり接
地電極３と上部成膜室の壁６との間に最低２mm、望まし
くは５mm以上の間隔を設ける必要がある。
の成膜室の開放時および封止時の断面をそれぞれ示す。
断続的に搬送されてくる可撓性基板１の上下に函状の上
部成膜室の壁６と下部成膜室の壁７とが開口部側で対向
している。下部成膜室には高電圧電極４が、上部成膜室
には接地電極３が備えられている。成膜時には、図３
(b) に示すように、上部成膜室の壁６が下降し、接地電
極３が基板１を抑えて下部成膜室の壁７の開口側端面に
取付けられたシール材８に接触させる。これにより下部
成膜室の壁７と基板１により、排気管９に連通する気密
に密閉された成膜空間１０が形成され、高電圧電極４へ
の高周波電圧の印加によりプラズマを成膜空間１０に発
生させ、図示しない導入管から導入された原料ガスを分
解して基板１上に膜を形成する。この場合、シール材８
は厚さ数十から数百ミクロンの可撓性基板を介してヒー
タ２で加熱された上部成膜室の壁６の表面端部と接触す
ることになり、シール材８の接触部の温度は上部成膜室
の壁６の面とほぼ等温になる。成膜時のヒータ温度は２
００〜３００℃、一方、シール材８として弗素ゴム等を
用いる場合、脱ガスを防ぐためにはシール部を１５０℃
以下に保つ必要がある。このため、上部成膜室の壁６の
表面温度を１５０℃以下に保持することが重要になり接
地電極３と上部成膜室の壁６との間に最低２mm、望まし
くは５mm以上の間隔を設ける必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３(b) に示す成膜時
には、上部成膜室壁６と基板１によって囲まれた内部空
間１１が生ずる。しかし、本出願人の出願にかかる平成
４年特許願第347394号ほかの明細書に記載されているよ
うに、基板の一面上に形成された薄膜光電変換素子の透
明電極層と他面上に形成された金属電極層とを、基板に
明けられた貫通孔を通る導体を介して接続することによ
り、シート抵抗の高い透明電極層を電流の流れる距離を
短くする構造が開発されている。また、基板に位置合わ
せ用のマーカ穴が明けられることもある。このような光
電変換素子の薄膜の成膜を図３の装置で行う場合、すで
に基板１に分散して明けられた貫通孔を介して、基板１
の両側の空間１０および１１が連通することになる。こ
れによって次の問題が生ずる。 (1) 上部成膜室の内部空間１１に貫通孔を通じて原料ガ
スが侵入して溜る。この溜まったガス、あるいは空間１
１が気密に密閉されていない場合には大気の混入したガ
スが成膜空間１０に逆拡散して成膜に悪影響を及ぼす。 (2) 一つの成膜室内で２種類以上の膜を形成する場合、
一層目の成膜後に空間１１に溜まったガスを引き切らな
いうちに二層目を成膜することになる。このため、一層
目がｐ形あるいはｎ形のドープ膜のときは、その不純物
が二層目に混入することになり、本来得ようとする膜と
は導電率や光学ギャップなどの特性の異なる膜ができて
しまう。
には、上部成膜室壁６と基板１によって囲まれた内部空
間１１が生ずる。しかし、本出願人の出願にかかる平成
４年特許願第347394号ほかの明細書に記載されているよ
うに、基板の一面上に形成された薄膜光電変換素子の透
明電極層と他面上に形成された金属電極層とを、基板に
明けられた貫通孔を通る導体を介して接続することによ
り、シート抵抗の高い透明電極層を電流の流れる距離を
短くする構造が開発されている。また、基板に位置合わ
せ用のマーカ穴が明けられることもある。このような光
電変換素子の薄膜の成膜を図３の装置で行う場合、すで
に基板１に分散して明けられた貫通孔を介して、基板１
の両側の空間１０および１１が連通することになる。こ
れによって次の問題が生ずる。 (1) 上部成膜室の内部空間１１に貫通孔を通じて原料ガ
スが侵入して溜る。この溜まったガス、あるいは空間１
１が気密に密閉されていない場合には大気の混入したガ
スが成膜空間１０に逆拡散して成膜に悪影響を及ぼす。 (2) 一つの成膜室内で２種類以上の膜を形成する場合、
一層目の成膜後に空間１１に溜まったガスを引き切らな
いうちに二層目を成膜することになる。このため、一層
目がｐ形あるいはｎ形のドープ膜のときは、その不純物
が二層目に混入することになり、本来得ようとする膜と
は導電率や光学ギャップなどの特性の異なる膜ができて
しまう。
【０００６】本発明の目的は、上述の問題を解決し、貫
通孔の明けられた可撓性基板に高品質の膜を制御性良く
成膜可能な薄膜光電変換素子の製造装置を提供すること
にある。
通孔の明けられた可撓性基板に高品質の膜を制御性良く
成膜可能な薄膜光電変換素子の製造装置を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、搬送されてくる可撓性基板を成
膜室のそれぞれ函状の壁体を有する二つの部分の開口側
の間に停止させ、基板を成膜室の両部分の壁体の開口側
端面間にはさみ、成膜室の一方の部分および基板により
囲まれた成膜空間をその空間に連通する排気口から真空
にし、その空間内の電極と成膜室の他方の部分および基
板により囲まれた空間内の電極との間に電圧を印加して
成膜するものにおいて、成膜室の各部分および基板によ
り囲まれた両空間内に連通する通気路を備えた薄膜光電
変換素子の製造装置であって、通気路が、成膜室の両部
分の壁体の開口側の可撓性基板の通らない個所に設けら
れた部分に対向して明けられ、成膜時に成膜室外と気密
に隔離されて連通する開口部よりなることとする。
めに、本発明によれば、搬送されてくる可撓性基板を成
膜室のそれぞれ函状の壁体を有する二つの部分の開口側
の間に停止させ、基板を成膜室の両部分の壁体の開口側
端面間にはさみ、成膜室の一方の部分および基板により
囲まれた成膜空間をその空間に連通する排気口から真空
にし、その空間内の電極と成膜室の他方の部分および基
板により囲まれた空間内の電極との間に電圧を印加して
成膜するものにおいて、成膜室の各部分および基板によ
り囲まれた両空間内に連通する通気路を備えた薄膜光電
変換素子の製造装置であって、通気路が、成膜室の両部
分の壁体の開口側の可撓性基板の通らない個所に設けら
れた部分に対向して明けられ、成膜時に成膜室外と気密
に隔離されて連通する開口部よりなることとする。
【０００８】
【作用】成膜時に成膜室と基板によって形成される両空
間を通気路を介して連通させることにより、双方の空間
が真空排気されるため、原料ガスの溜まりの問題がなく
なる。
間を通気路を介して連通させることにより、双方の空間
が真空排気されるため、原料ガスの溜まりの問題がなく
なる。
【０００９】
【実施例】本発明の参考例の成膜室の開放時および封止
時の断面図を図１（ａ）、（ｂ）に示し、図２、図３と
共通の部分には同一の符号が付されている。図１（ｂ）
に示す成膜室封止時は、可撓性基板１を間に挟んだ高電
圧電極４側の空間１０と接地電極側の空間１１は可撓性
配管１２によりつながっている。配管材質は脱ガスが少
なくかつ耐熱性に優れたものであることが望ましくステ
ンレス鋼チューブあるいはポリテトラフルオロエチレン
チューブ等が適当である。配管の長さは、上部成膜室の
壁６の昇降ストロークを考慮し、成膜室の開閉に支障を
きたさないような設計をする必要がある。
時の断面図を図１（ａ）、（ｂ）に示し、図２、図３と
共通の部分には同一の符号が付されている。図１（ｂ）
に示す成膜室封止時は、可撓性基板１を間に挟んだ高電
圧電極４側の空間１０と接地電極側の空間１１は可撓性
配管１２によりつながっている。配管材質は脱ガスが少
なくかつ耐熱性に優れたものであることが望ましくステ
ンレス鋼チューブあるいはポリテトラフルオロエチレン
チューブ等が適当である。配管の長さは、上部成膜室の
壁６の昇降ストロークを考慮し、成膜室の開閉に支障を
きたさないような設計をする必要がある。
【００１０】この装置を用い、可撓性基板１として高分
子フィルムを使用し、フィルム／金属電極／ (ｎ−ｉ−
ｐ) − (ｎ−ｉ−ｐ) ／透明電極構造の二層タンデムセ
ルをステッピングロール成膜する場合について説明す
る。タンデムセルの光電変換層は、図４に示すように、
ｐ層３１、ｐ／ｉ界面層 (バッファ層) ３２、ｉ層３
３、ｎ層３４、ｐ層３５、ｐ／ｉ界面層３６、ｉ層３
７、ｎ層３８よりなり、各層の材質はｐおよびｐ／ｉ界
面層がａ−ＳｉＯ、ｉ層がａ−Ｓｉ、ｎ層がμｃ（微結
晶）−Ｓｉである。これらの膜は主ガスをＳｉＨ4 、希
釈ガスをＨ2 とし、ａ−ＳｉＯ成膜時はＣＯ2 を酸素源
とし、ｐ層およびｎ層成膜時はそれぞれＢ2 Ｈ 6 および
ＰＨ3 をドーピングガスとして成膜される。また、典型
的な各層の膜厚はｐ層３１、３５、ｐ／ｉ界面層３２、
３６、ｎ層３４、３８がトップセルおよびボトムセルと
もそれぞれ１０ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍであり、トッ
プセルおよびボトムセルのｉ層３３、３７の膜厚はそれ
ぞれ８０ｎｍ、４００ｎｍである。この構造の太陽電池
を図２に示すような４つの成膜室をもつステッピングロ
ール方式の装置で成膜するには、例えば第一成膜室２１
でｎ層３８、第二成膜室２２でｉ層３７、第三成膜室２
３でｐ／ｉ界面層３６、ｐ層３５、第四成膜室２４でｎ
層３４、ｉ層３３、ｐ／ｉ界面層３２、ｐ層３１を成膜
することが考えられる。この例の場合、第四成膜室２４
でｎ層成膜後の残ガスのｉ層への混入が前述の問題２と
なる。バイパスラインとして用いられる可撓性配管１２
の内径を１０ｎｍφ以上にすれば、この問題をクリアで
きることが確認されている。ただし、成膜時は新鮮な原
料ガスを淀みなく導入・排気することが前述の問題１の
解決に必要であり、このためには、配管内径を２０ｎｍ
φ以上にすることが望ましい。
子フィルムを使用し、フィルム／金属電極／ (ｎ−ｉ−
ｐ) − (ｎ−ｉ−ｐ) ／透明電極構造の二層タンデムセ
ルをステッピングロール成膜する場合について説明す
る。タンデムセルの光電変換層は、図４に示すように、
ｐ層３１、ｐ／ｉ界面層 (バッファ層) ３２、ｉ層３
３、ｎ層３４、ｐ層３５、ｐ／ｉ界面層３６、ｉ層３
７、ｎ層３８よりなり、各層の材質はｐおよびｐ／ｉ界
面層がａ−ＳｉＯ、ｉ層がａ−Ｓｉ、ｎ層がμｃ（微結
晶）−Ｓｉである。これらの膜は主ガスをＳｉＨ4 、希
釈ガスをＨ2 とし、ａ−ＳｉＯ成膜時はＣＯ2 を酸素源
とし、ｐ層およびｎ層成膜時はそれぞれＢ2 Ｈ 6 および
ＰＨ3 をドーピングガスとして成膜される。また、典型
的な各層の膜厚はｐ層３１、３５、ｐ／ｉ界面層３２、
３６、ｎ層３４、３８がトップセルおよびボトムセルと
もそれぞれ１０ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍであり、トッ
プセルおよびボトムセルのｉ層３３、３７の膜厚はそれ
ぞれ８０ｎｍ、４００ｎｍである。この構造の太陽電池
を図２に示すような４つの成膜室をもつステッピングロ
ール方式の装置で成膜するには、例えば第一成膜室２１
でｎ層３８、第二成膜室２２でｉ層３７、第三成膜室２
３でｐ／ｉ界面層３６、ｐ層３５、第四成膜室２４でｎ
層３４、ｉ層３３、ｐ／ｉ界面層３２、ｐ層３１を成膜
することが考えられる。この例の場合、第四成膜室２４
でｎ層成膜後の残ガスのｉ層への混入が前述の問題２と
なる。バイパスラインとして用いられる可撓性配管１２
の内径を１０ｎｍφ以上にすれば、この問題をクリアで
きることが確認されている。ただし、成膜時は新鮮な原
料ガスを淀みなく導入・排気することが前述の問題１の
解決に必要であり、このためには、配管内径を２０ｎｍ
φ以上にすることが望ましい。
【００１１】本発明の実施例の成膜室の開放時および封
止時の断面図を図５（ａ）、（ｂ）に、成膜室のシール
部平面図を図６に示す。この場合は、上部成膜室および
下部成膜室の外壁６、７に連結された内壁６１、７１が
互いに対向して設けられ、それに図６に示すように円形
の通気口１３、１４が両成膜空間のバイパスとして明け
られている。可撓性基板１は成膜時には図５（ｂ）に示
すように上部成膜室の壁６の端部と下部成膜室の壁７の
端部とにはさまれるほか、成膜室の一辺では内壁６１、
７１の表面の縁部間にはさまれ、下部成膜室の内部空間
１０とはシール材８により気密に保たれる。一方、通気
口１３、１４の周囲には環状のシール材８１が取り付け
られ、通気口１３、１４の内部の成膜室外の空間に対す
る気密を保っている。図１に示した参考例の場合は可撓
性配管１２を設置するスペースを必要とするが、本実施
例の場合はこのスペースが不要であり、コンパクト化に
有利であると考えられる。なお、図１に示した参考例と
同様に通気口１３、１４の直径を１０ｎｍφ以上にすれ
ば前述の問題２をクリアできるが、問題１もクリアする
ためには２０ｎｍφ以上にすることが望ましい。
止時の断面図を図５（ａ）、（ｂ）に、成膜室のシール
部平面図を図６に示す。この場合は、上部成膜室および
下部成膜室の外壁６、７に連結された内壁６１、７１が
互いに対向して設けられ、それに図６に示すように円形
の通気口１３、１４が両成膜空間のバイパスとして明け
られている。可撓性基板１は成膜時には図５（ｂ）に示
すように上部成膜室の壁６の端部と下部成膜室の壁７の
端部とにはさまれるほか、成膜室の一辺では内壁６１、
７１の表面の縁部間にはさまれ、下部成膜室の内部空間
１０とはシール材８により気密に保たれる。一方、通気
口１３、１４の周囲には環状のシール材８１が取り付け
られ、通気口１３、１４の内部の成膜室外の空間に対す
る気密を保っている。図１に示した参考例の場合は可撓
性配管１２を設置するスペースを必要とするが、本実施
例の場合はこのスペースが不要であり、コンパクト化に
有利であると考えられる。なお、図１に示した参考例と
同様に通気口１３、１４の直径を１０ｎｍφ以上にすれ
ば前述の問題２をクリアできるが、問題１もクリアする
ためには２０ｎｍφ以上にすることが望ましい。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、ステッピングロール方
式の成膜時に、可撓性基板の両側に形成される両空間を
つなぐ通気路を設けることにより、排気口を設けない側
の空間のガスの溜まりを防ぐことができる。これによ
り、常に新鮮な原料ガスが供給されるクリーンな成膜を
実現できる。また、同一成膜室で複数の種類の半導体層
を形成しても残ガスの影響のない成膜を実現できる。従
って、本発明によりステッピングロール方式の装置の本
来の特徴を生かした高スループットかつクリーンな成膜
が可能となり、低コストかつ高性能の薄膜光電変換素子
の量産が可能になる。
式の成膜時に、可撓性基板の両側に形成される両空間を
つなぐ通気路を設けることにより、排気口を設けない側
の空間のガスの溜まりを防ぐことができる。これによ
り、常に新鮮な原料ガスが供給されるクリーンな成膜を
実現できる。また、同一成膜室で複数の種類の半導体層
を形成しても残ガスの影響のない成膜を実現できる。従
って、本発明によりステッピングロール方式の装置の本
来の特徴を生かした高スループットかつクリーンな成膜
が可能となり、低コストかつ高性能の薄膜光電変換素子
の量産が可能になる。
【図１】本発明の一実施例の薄膜光電変換素子製造装置
を示し、 (ａ) は成膜室開放時、 (ｂ) は成膜室封止時
の断面図
を示し、 (ａ) は成膜室開放時、 (ｂ) は成膜室封止時
の断面図
【図２】ステッピングロール成膜装置の断面図
【図３】従来の薄膜光電変換素子製造装置を示し、
(ａ) は成膜室開放時、 (ｂ) は成膜室封止時の断面図
(ａ) は成膜室開放時、 (ｂ) は成膜室封止時の断面図
【図４】本発明の装置により製造される薄膜光電変換素
子の光電変換層の構造を示す断面図
子の光電変換層の構造を示す断面図
【図５】本発明の別の実施例の薄膜光電変換素子製造装
置を示し、 (ａ) は成膜室開放時、 (ｂ) は成膜室封止
時の断面図
置を示し、 (ａ) は成膜室開放時、 (ｂ) は成膜室封止
時の断面図
【図６】図５の装置の下部成膜室の平面図
１ 可撓性基板 ２ ヒータ ３ 接地電極 ４ 高電圧電極 ６ 上部成膜室壁 ７ 下部成膜室壁 ８、８１ シール材 ９ 排気口 １０ 下部成膜室内部空間 １２ 可撓性配管 １３、１４ 通気口 ６１、７１ 内壁
Claims (1)
- 【請求項１】搬送されてくる可撓性基板を成膜室のそれ
ぞれ函状の壁体を有する二つの部分の開口側の間に停止
させ、基板を成膜室の両部分の壁体の開口側端面間には
さみ、成膜室の一方の部分および基板により囲まれた成
膜空間をその空間に連通する排気口から真空にし、その
空間内の電極と成膜室の他方の部分および基板により囲
まれた空間内の電極との間に電圧を印加して成膜するも
のにおいて、成膜室の各部分および基板により囲まれた
両空間内に連通する通気路を備えた薄膜光電変換素子の
製造装置であって、 通気路が、成膜室の両部分の壁体の開口側の可撓性基板
の通らない個所に設けられた部分に対向して明けられ、
成膜時に成膜室外と気密に隔離されて連通する開口部よ
りなることを特徴とする薄膜光電変換素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6007971A JP3063509B2 (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 薄膜光電変換素子の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6007971A JP3063509B2 (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 薄膜光電変換素子の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221025A JPH07221025A (ja) | 1995-08-18 |
| JP3063509B2 true JP3063509B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=11680358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6007971A Expired - Fee Related JP3063509B2 (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 薄膜光電変換素子の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3063509B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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