JP3075752B2 - 高周波導波管の気密窓 - Google Patents
高周波導波管の気密窓Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高周波導波管の気密窓
に係り、特にその誘電体セラミックス板の表面に付着さ
れた固溶体被膜の組成に関する。
に係り、特にその誘電体セラミックス板の表面に付着さ
れた固溶体被膜の組成に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にクライストロンや進行波管、ある
いはジャイロトロンのようなマイクロ波管の出力部に
は、多くの場合、矩形又は円形の導波管を横切って気密
に接合された誘電体セラミックス板からなる気密窓が用
いられる。
いはジャイロトロンのようなマイクロ波管の出力部に
は、多くの場合、矩形又は円形の導波管を横切って気密
に接合された誘電体セラミックス板からなる気密窓が用
いられる。
【０００３】特に、大電力を増幅するクライストロン
は、大形加速器の高周波電力源や核融合炉のブラズマ加
熱用高周波源として用いられているが、その気密窓とし
て真空気密が容易で誘電体損失が小さいアルミナのセラ
ミックスが主に使用されている。 即ち、従来の高周波
導波管の気密窓は図２に示すように構成され、円形導波
管部１の内側にアルミナセラミックス板からなる気密窓
２が設けられている。図中の符号４はフランジ、５は矩
形導波管、６は気密窓２を冷却するための通水管であ
る。又、この図２において、気密窓２の左側がクライス
トロンの真空側を示し、右側が真空もしくは絶縁ガスが
封入されている外部導波管側である。
は、大形加速器の高周波電力源や核融合炉のブラズマ加
熱用高周波源として用いられているが、その気密窓とし
て真空気密が容易で誘電体損失が小さいアルミナのセラ
ミックスが主に使用されている。 即ち、従来の高周波
導波管の気密窓は図２に示すように構成され、円形導波
管部１の内側にアルミナセラミックス板からなる気密窓
２が設けられている。図中の符号４はフランジ、５は矩
形導波管、６は気密窓２を冷却するための通水管であ
る。又、この図２において、気密窓２の左側がクライス
トロンの真空側を示し、右側が真空もしくは絶縁ガスが
封入されている外部導波管側である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の高
周波導波管の気密窓においては、大電力の高周波を透過
させると、マルチパクタ放電などで生じていると考えら
れているアルミナセラミックス板の局部的な温度上昇に
より、しばしばセラミックス板にクラックや溶融による
ピンホ−ルが発生し、真空気密を損ない問題となってい
る。この発明は、マルチパクタ放電を抑制してクラック
やピンホ−ルの発生を防止し得る高周波導波管の気密窓
を提供することを目的とする。
周波導波管の気密窓においては、大電力の高周波を透過
させると、マルチパクタ放電などで生じていると考えら
れているアルミナセラミックス板の局部的な温度上昇に
より、しばしばセラミックス板にクラックや溶融による
ピンホ−ルが発生し、真空気密を損ない問題となってい
る。この発明は、マルチパクタ放電を抑制してクラック
やピンホ−ルの発生を防止し得る高周波導波管の気密窓
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、誘電体セラ
ミックス板からなる気密窓の表面に窒化チタンと酸化チ
タンとの固溶体被膜が形成され、この固溶体被膜の組成
は、チタンが１．３乃至２３．８原子％の範囲、酸素が
５３．２乃至９７．２原子％の範囲、窒素が０．６乃至
２３．２原子％の範囲の組み合わせからなる組成である
高周波導波管の気密窓である。
ミックス板からなる気密窓の表面に窒化チタンと酸化チ
タンとの固溶体被膜が形成され、この固溶体被膜の組成
は、チタンが１．３乃至２３．８原子％の範囲、酸素が
５３．２乃至９７．２原子％の範囲、窒素が０．６乃至
２３．２原子％の範囲の組み合わせからなる組成である
高周波導波管の気密窓である。
【０００６】
【作用】この発明によれば、気密窓の表面の二次電子放
出係数が低減され、マルチパクタ放電を抑制することが
出来る。その結果、気密窓のクラックやピンホ−ルの発
生を防ぐことが出来る。
出係数が低減され、マルチパクタ放電を抑制することが
出来る。その結果、気密窓のクラックやピンホ−ルの発
生を防ぐことが出来る。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の一実施例
を詳細に説明する。
を詳細に説明する。
【０００８】この発明における高周波導波管の気密窓は
図１に示すように構成され、円形導波管部１１の内側に
はアルミナのような誘電体セラミックス板からなる気密
窓１２が設けられ、この気密窓１２の表面には窒化チタ
ンと酸化チタンとの固溶体被膜１３が所定の厚さ（後
述）に形成されている。この固溶体被膜１３は、誘電体
セラミックスよりも表面固有抵抗が低く、導電体よりも
高い固有抵抗を有し、且つ二次電子放出係数の小さい薄
膜であり、詳しい組成に関しては後述する。尚、図中の
符号１４は円形フランジ、１５は矩形導波管、１６は気
密窓１２を冷却するための通水管であり、気密窓１２の
左側がクライストロンの真空側を示し、右側が真空もし
くは絶縁ガスが封入されている外部導波管側である。
図１に示すように構成され、円形導波管部１１の内側に
はアルミナのような誘電体セラミックス板からなる気密
窓１２が設けられ、この気密窓１２の表面には窒化チタ
ンと酸化チタンとの固溶体被膜１３が所定の厚さ（後
述）に形成されている。この固溶体被膜１３は、誘電体
セラミックスよりも表面固有抵抗が低く、導電体よりも
高い固有抵抗を有し、且つ二次電子放出係数の小さい薄
膜であり、詳しい組成に関しては後述する。尚、図中の
符号１４は円形フランジ、１５は矩形導波管、１６は気
密窓１２を冷却するための通水管であり、気密窓１２の
左側がクライストロンの真空側を示し、右側が真空もし
くは絶縁ガスが封入されている外部導波管側である。
【０００９】気密窓１２の表面に窒化チタンと酸化チタ
ンとの固溶体被膜１３を形成するに当たっては、アルゴ
ン（Ａｒ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ2 ）の混合放電ガス
中でスパッタリングにより所定の厚さに形成する。この
場合、放電ガスの窒素分圧と酸素分圧の割合を変えるこ
とにより、窒化チタンと絶縁体の酸化チタンの組成を連
続的に変えることが出来るので、膜厚と組成比で決定さ
れる抵抗値を任意に選べる。又、既述のように、スパッ
タリングにより固溶体被膜１３を形成するが、アルゴ
ン、窒素、酸素の分圧を制御して窒化チタンと酸化チタ
ンの組成比を変え、スパッタリング時間で膜厚を変え、
所望の固溶体被膜１３を得ている。
ンとの固溶体被膜１３を形成するに当たっては、アルゴ
ン（Ａｒ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ2 ）の混合放電ガス
中でスパッタリングにより所定の厚さに形成する。この
場合、放電ガスの窒素分圧と酸素分圧の割合を変えるこ
とにより、窒化チタンと絶縁体の酸化チタンの組成を連
続的に変えることが出来るので、膜厚と組成比で決定さ
れる抵抗値を任意に選べる。又、既述のように、スパッ
タリングにより固溶体被膜１３を形成するが、アルゴ
ン、窒素、酸素の分圧を制御して窒化チタンと酸化チタ
ンの組成比を変え、スパッタリング時間で膜厚を変え、
所望の固溶体被膜１３を得ている。
【００１０】さて、固溶体被膜１３の詳しい組成は、こ
の発明では、チタンが１．３乃至２３．８原子％の範
囲、酸素が５３．２乃至９７．２原子％の範囲、窒素が
０．６乃至２３．２原子％の範囲の組み合わせからなる
組成に設定されている。
の発明では、チタンが１．３乃至２３．８原子％の範
囲、酸素が５３．２乃至９７．２原子％の範囲、窒素が
０．６乃至２３．２原子％の範囲の組み合わせからなる
組成に設定されている。
【００１１】尚、窒化チタンと酸化チタンとからなる固
溶体被膜１３の固有抵抗は、固溶体被膜中の窒素と酸素
の比率を変えることにより導電体から絶縁体までの値を
とる。この発明の三元化合物の固溶体被膜１３の場合、
窒素の比率が大きいと低抵抗になり酸素の比率が大きい
と高抵抗になる。従って、マイクロ波の誘電体損失の観
点から固溶体被膜１３の組成は、酸素の比率が大きい方
が望ましい。しかし、酸化チタン膜は二次電子放出係数
が大きいので、固溶体被膜１３の酸素の比率の上限は許
容される二次電子放出係数により制限される。窒化チタ
ン膜は二次電子放出係数が酸化チタン膜に比べて小さい
ので、マルチパクタ放電抑制の点では窒化チタン膜単体
で良い。しかし、固有抵抗が小さいので、マイクロ波の
誘電体損失を考慮すると、膜厚の厚さを非常に薄くしな
ければならず、成膜時の膜厚コントロ−ルが難しい。
溶体被膜１３の固有抵抗は、固溶体被膜中の窒素と酸素
の比率を変えることにより導電体から絶縁体までの値を
とる。この発明の三元化合物の固溶体被膜１３の場合、
窒素の比率が大きいと低抵抗になり酸素の比率が大きい
と高抵抗になる。従って、マイクロ波の誘電体損失の観
点から固溶体被膜１３の組成は、酸素の比率が大きい方
が望ましい。しかし、酸化チタン膜は二次電子放出係数
が大きいので、固溶体被膜１３の酸素の比率の上限は許
容される二次電子放出係数により制限される。窒化チタ
ン膜は二次電子放出係数が酸化チタン膜に比べて小さい
ので、マルチパクタ放電抑制の点では窒化チタン膜単体
で良い。しかし、固有抵抗が小さいので、マイクロ波の
誘電体損失を考慮すると、膜厚の厚さを非常に薄くしな
ければならず、成膜時の膜厚コントロ−ルが難しい。
【００１２】この発明の三元化合物の固溶体被膜１３
は、二次電子放出係数と固有抵抗の特性から最適組成値
と最適膜厚が存在する。即ち、固有抵抗値から膜厚は５
０〜１５０オングストロ−ムの範囲が良い。そして、こ
の膜厚の範囲内で、固溶体被膜１３の組成は、既述のよ
うにチタンが１．３乃至２３．８原子％の範囲、酸素が
５３．２乃至９７．２原子％の範囲、窒素が０．６乃至
２３．２原子％の範囲の組み合わせからなる組成である
ことが好ましい。上記範囲の膜厚で、且つ上記組成範囲
内から選ばれた１組の組成からなる固溶体被膜１３を用
いれば、マルチパクタ放電の抑制と誘電体損失による気
密窓１２の発熱低減を実現出来、気密窓１２のクラック
や溶融によるピンホ−ルの発生を防止することが出来
る。
は、二次電子放出係数と固有抵抗の特性から最適組成値
と最適膜厚が存在する。即ち、固有抵抗値から膜厚は５
０〜１５０オングストロ−ムの範囲が良い。そして、こ
の膜厚の範囲内で、固溶体被膜１３の組成は、既述のよ
うにチタンが１．３乃至２３．８原子％の範囲、酸素が
５３．２乃至９７．２原子％の範囲、窒素が０．６乃至
２３．２原子％の範囲の組み合わせからなる組成である
ことが好ましい。上記範囲の膜厚で、且つ上記組成範囲
内から選ばれた１組の組成からなる固溶体被膜１３を用
いれば、マルチパクタ放電の抑制と誘電体損失による気
密窓１２の発熱低減を実現出来、気密窓１２のクラック
や溶融によるピンホ−ルの発生を防止することが出来
る。
【００１３】次に、各種条件における気密窓の温度上昇
測定について説明する。尚、気密窓の温度測定は、気密
窓２又は１２を円形導波管１又は１１に接合し、この円
形導波管１又は１１を矩形導波管５と５又は矩形導波管
１５と１５の間に設置し、矩形導波管５と５又は矩形導
波管１５と１５内を高真空にした後、パルス（パルス幅
が２μｓｅｃ、パルスの繰返し周波数が２５ｐｕｌｓｅ
ｓ／ｓｅｃ）マイクロ波を矩形導波管部５と５又は１５
と１５に導き、気密窓２又は１２に透過させる。そし
て、最大パルス電力に対する気密窓２又は１２の温度
は、冷却水の通水管６又は１６に熱電対を圧着して測定
する。
測定について説明する。尚、気密窓の温度測定は、気密
窓２又は１２を円形導波管１又は１１に接合し、この円
形導波管１又は１１を矩形導波管５と５又は矩形導波管
１５と１５の間に設置し、矩形導波管５と５又は矩形導
波管１５と１５内を高真空にした後、パルス（パルス幅
が２μｓｅｃ、パルスの繰返し周波数が２５ｐｕｌｓｅ
ｓ／ｓｅｃ）マイクロ波を矩形導波管部５と５又は１５
と１５に導き、気密窓２又は１２に透過させる。そし
て、最大パルス電力に対する気密窓２又は１２の温度
は、冷却水の通水管６又は１６に熱電対を圧着して測定
する。
【００１４】先ず図３は、窒化チタン膜を形成しなかっ
た従来の気密窓２の温度上昇を示している。この図から
明らかなように、最大パルス電力が１１ＭＷ付近にマル
チパクタ放電が原因と考えられている２．２℃の急激な
温度上昇があった。そして、上流側と下流側に設けた覗
き窓から観察したところ、窒化チタン膜を形成しなかっ
た場合の最大パルス電力が１７７ＭＷを通過した時の気
密窓２の発光状態は、上流側の気密窓２の中央部で左側
の矩形導波管５の縦方向（上下方向）に３本の輝線が観
察され、下流側は左右両端を除き、右側の矩形導波管５
の中央部分全体が発光している。又、気密窓２の温度上
昇測定後に上流側の３本の輝線が観察された部分のアル
ミナセラミックスの表面状態は、アルミナセラミックス
が溶融して出来た貫通孔が多数観察された。
た従来の気密窓２の温度上昇を示している。この図から
明らかなように、最大パルス電力が１１ＭＷ付近にマル
チパクタ放電が原因と考えられている２．２℃の急激な
温度上昇があった。そして、上流側と下流側に設けた覗
き窓から観察したところ、窒化チタン膜を形成しなかっ
た場合の最大パルス電力が１７７ＭＷを通過した時の気
密窓２の発光状態は、上流側の気密窓２の中央部で左側
の矩形導波管５の縦方向（上下方向）に３本の輝線が観
察され、下流側は左右両端を除き、右側の矩形導波管５
の中央部分全体が発光している。又、気密窓２の温度上
昇測定後に上流側の３本の輝線が観察された部分のアル
ミナセラミックスの表面状態は、アルミナセラミックス
が溶融して出来た貫通孔が多数観察された。
【００１５】図４は、窒化チタン膜を形成しなかった従
来の気密窓２の一次電子エネルギＥｐに対する二次電子
放出係数σの結果を示した図である。一次電子エネルギ
が１．５ＫｅＶで二次電子放出係数σが最大となり、そ
れは３．３から３．５となった。又、測定した一次電子
エネルギの範囲（０．５〜２５ＫｅＶ）で二次電子放出
係数σは１．０以上であった。
来の気密窓２の一次電子エネルギＥｐに対する二次電子
放出係数σの結果を示した図である。一次電子エネルギ
が１．５ＫｅＶで二次電子放出係数σが最大となり、そ
れは３．３から３．５となった。又、測定した一次電子
エネルギの範囲（０．５〜２５ＫｅＶ）で二次電子放出
係数σは１．０以上であった。
【００１６】図５はこの発明の組成とは異なる組成の固
溶体被膜を形成した場合であり、スパッタリング法で形
成した窒化チタンと酸化チタンの膜厚深さ方向の組成
が、チタンが２３．９〜４４．５原子％の範囲、且つ酸
素が２２．２〜５２．９原子％の範囲、且つ窒素が２
３．２〜３３．９原子％の範囲の固溶体被膜を気密窓１
２の表面に６０オングストロ−ムの厚さ形成した場合の
最大パルス電力に対する気密窓１２の温度上昇を示して
いる。この図から明らかなように、最大パルス電力１０
〜１５ＭＷの場合は急激な温度上昇はないが、最大パル
ス電力５０ＭＷでの温度上昇は、従来の窒化チタン膜を
形成しなかった場合に比べ大きく、最大パルス電力２０
０ＭＷ付近で９℃上昇した。これは、固溶体被膜の抵抗
損失によるものと理解される。そして、気密窓１２に最
大パルス電力１００ＭＷを通過した時の気密窓１２の下
流側の発光状態を観察すると、気密窓１２が右側の矩形
導波管１５の左上で発光しているが、発光面積は窒化チ
タンを形成しなかった気密窓２に比べて小さい。
溶体被膜を形成した場合であり、スパッタリング法で形
成した窒化チタンと酸化チタンの膜厚深さ方向の組成
が、チタンが２３．９〜４４．５原子％の範囲、且つ酸
素が２２．２〜５２．９原子％の範囲、且つ窒素が２
３．２〜３３．９原子％の範囲の固溶体被膜を気密窓１
２の表面に６０オングストロ−ムの厚さ形成した場合の
最大パルス電力に対する気密窓１２の温度上昇を示して
いる。この図から明らかなように、最大パルス電力１０
〜１５ＭＷの場合は急激な温度上昇はないが、最大パル
ス電力５０ＭＷでの温度上昇は、従来の窒化チタン膜を
形成しなかった場合に比べ大きく、最大パルス電力２０
０ＭＷ付近で９℃上昇した。これは、固溶体被膜の抵抗
損失によるものと理解される。そして、気密窓１２に最
大パルス電力１００ＭＷを通過した時の気密窓１２の下
流側の発光状態を観察すると、気密窓１２が右側の矩形
導波管１５の左上で発光しているが、発光面積は窒化チ
タンを形成しなかった気密窓２に比べて小さい。
【００１７】図６はこの発明の組成の固溶体被膜を形成
した場合であり、スパッタリング法で形成した窒化チタ
ンと酸化チタンの膜厚深さ方向の組成が、チタンが１．
３〜２５．６原子％の範囲、且つ酸素が６７．７〜９
７．２原子％の範囲、且つ窒素が１．１〜６．７原子％
の範囲の固溶体被膜１３を気密窓１２の表面に６０オン
グストロ−ムの厚さ形成した場合の最大パルス電力に対
する気密窓１２温度上昇を示している。この図から明ら
かなように、最大パルス電力１０ＭＷ付近で急激な温度
上昇はなく、最大パルス電力２００ＭＷの温度上昇も、
約２℃と小さかった。そして、気密窓１２に最大パルス
電力１７２．５ＭＷを通過した時の気密窓１２の上流側
の発光状態を観察すると、気密窓１２が左側の矩形導波
管１５の左右両端で縦方向に発光しているが、発光面積
は窒化チタンを形成しなかった従来の気密窓２に比べて
小さい。又、試験後の気密窓１２にはクラックやピンホ
−ルの発生が認められなかった。
した場合であり、スパッタリング法で形成した窒化チタ
ンと酸化チタンの膜厚深さ方向の組成が、チタンが１．
３〜２５．６原子％の範囲、且つ酸素が６７．７〜９
７．２原子％の範囲、且つ窒素が１．１〜６．７原子％
の範囲の固溶体被膜１３を気密窓１２の表面に６０オン
グストロ−ムの厚さ形成した場合の最大パルス電力に対
する気密窓１２温度上昇を示している。この図から明ら
かなように、最大パルス電力１０ＭＷ付近で急激な温度
上昇はなく、最大パルス電力２００ＭＷの温度上昇も、
約２℃と小さかった。そして、気密窓１２に最大パルス
電力１７２．５ＭＷを通過した時の気密窓１２の上流側
の発光状態を観察すると、気密窓１２が左側の矩形導波
管１５の左右両端で縦方向に発光しているが、発光面積
は窒化チタンを形成しなかった従来の気密窓２に比べて
小さい。又、試験後の気密窓１２にはクラックやピンホ
−ルの発生が認められなかった。
【００１８】図７は図６の場合における窒化チタンと酸
化チタンとの固溶体被膜１３をコ−ティングした気密窓
１２の一次電子エネルギＥｐに対する二次電子放出係数
σの結果を示した図である。一次電子エネルギが０．５
ＫｅＶ付近で二次電子放出係数σが最大（２．０）とな
り、３．０ＫｅＶ以上で．二次電子放出係数σは１．０
以下となる。一次電子エネルギが２．５ＫｅＶ以下で
は、二次電子放出係数σが１．０以上となるものの、そ
の値は窒化チタンを形成しなかった従来の透過窓２に比
べて小さく、窒化チタンと酸化チタンとの固溶体被膜の
効果が認められた。
化チタンとの固溶体被膜１３をコ−ティングした気密窓
１２の一次電子エネルギＥｐに対する二次電子放出係数
σの結果を示した図である。一次電子エネルギが０．５
ＫｅＶ付近で二次電子放出係数σが最大（２．０）とな
り、３．０ＫｅＶ以上で．二次電子放出係数σは１．０
以下となる。一次電子エネルギが２．５ＫｅＶ以下で
は、二次電子放出係数σが１．０以上となるものの、そ
の値は窒化チタンを形成しなかった従来の透過窓２に比
べて小さく、窒化チタンと酸化チタンとの固溶体被膜の
効果が認められた。
【００１９】図８は、この発明の組成にほぼ準ずる固溶
体被膜を形成した場合であり、スパッタリング法で形成
した窒化チタンと酸化チタンの膜厚深さ方向の組成が、
チタンが３．３〜１９．５原子％の範囲、且つ酸素が５
３．２〜９２．７原子％の範囲、且つ窒素が３．３〜２
７．２原子％の範囲の固溶体膜を気密窓の表面に６０オ
ングストロ−ムの厚さ形成した場合の最大パルス電力に
対する気密窓の温度上昇を示している。この図から明ら
かなように、最大パルス電力１０ＭＷ付近で急激な温度
上昇はなく、最大パルス電力にほぼ比例して気密窓の温
度は高くなっている。そして、気密窓１２に最大パルス
電力１７３．０ＭＷを通過した時の気密窓１２の上流側
の発光状態を観察すると、気密窓１２が左側の矩形導波
管１５の左右両端で縦方向に発光しているが、発光面積
は窒化チタンを形成しなかった従来の気密窓２に比べて
小さい。又、温度上昇を測定した後の気密窓１２の表面
には貫通孔や溶融はなかった。
体被膜を形成した場合であり、スパッタリング法で形成
した窒化チタンと酸化チタンの膜厚深さ方向の組成が、
チタンが３．３〜１９．５原子％の範囲、且つ酸素が５
３．２〜９２．７原子％の範囲、且つ窒素が３．３〜２
７．２原子％の範囲の固溶体膜を気密窓の表面に６０オ
ングストロ−ムの厚さ形成した場合の最大パルス電力に
対する気密窓の温度上昇を示している。この図から明ら
かなように、最大パルス電力１０ＭＷ付近で急激な温度
上昇はなく、最大パルス電力にほぼ比例して気密窓の温
度は高くなっている。そして、気密窓１２に最大パルス
電力１７３．０ＭＷを通過した時の気密窓１２の上流側
の発光状態を観察すると、気密窓１２が左側の矩形導波
管１５の左右両端で縦方向に発光しているが、発光面積
は窒化チタンを形成しなかった従来の気密窓２に比べて
小さい。又、温度上昇を測定した後の気密窓１２の表面
には貫通孔や溶融はなかった。
【００２０】このように窒化チタンと酸化チタンとの固
溶体被膜１３を気密窓１２の表面にコ−ティングすれ
ば、低パルス電力でのマルチパクタ放電による急激な温
度上昇を低減することが出来る。
溶体被膜１３を気密窓１２の表面にコ−ティングすれ
ば、低パルス電力でのマルチパクタ放電による急激な温
度上昇を低減することが出来る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
気密窓の表面に形成された固溶体被膜の組成は、チタン
が１．３乃至２３．８原子％の範囲、酸素が５３．２乃
至９７．２原子％の範囲、窒素が０．６乃至２３．２原
子％の範囲の組み合わせからなる組成であるので、気密
窓の二次電子放出係数を低減することが出来、マルチパ
クタ放電を抑制することが出来る。その結果、気密窓の
クラックや溶融によるピンホ−ルの発生を防ぐことが出
来る。
気密窓の表面に形成された固溶体被膜の組成は、チタン
が１．３乃至２３．８原子％の範囲、酸素が５３．２乃
至９７．２原子％の範囲、窒素が０．６乃至２３．２原
子％の範囲の組み合わせからなる組成であるので、気密
窓の二次電子放出係数を低減することが出来、マルチパ
クタ放電を抑制することが出来る。その結果、気密窓の
クラックや溶融によるピンホ−ルの発生を防ぐことが出
来る。
【図１】この発明の一実施例に係る高周波導波管の気密
窓を示す縦断面図。
窓を示す縦断面図。
【図２】従来の高周波導波管の気密窓を示す縦断面図。
【図３】従来の気密窓における温度上昇と最大パルス電
力との関係を示す特性図。
力との関係を示す特性図。
【図４】従来の気密窓における一次電子エネルギに対す
る二次電子放出係数を示す特性図。
る二次電子放出係数を示す特性図。
【図５】この発明の組成とは異なる組成の固溶体被膜を
形成した場合の気密窓における温度上昇と最大パルス電
力との関係を示す特性図。
形成した場合の気密窓における温度上昇と最大パルス電
力との関係を示す特性図。
【図６】この発明の組成の固溶体被膜を形成した場合の
気密窓における温度上昇と最大パルス電力との関係を示
す特性図。
気密窓における温度上昇と最大パルス電力との関係を示
す特性図。
【図７】図６の気密窓における一次電子エネルギに対す
る二次電子放出係数を示す特性図。
る二次電子放出係数を示す特性図。
【図８】この発明の組成にほぼ準ずる固溶体被膜を形成
した場合の気密窓における温度上昇と最大パルス電力と
の関係を示す特性図。
した場合の気密窓における温度上昇と最大パルス電力と
の関係を示す特性図。
１１…円形導波管、１２…気密窓、１３…固溶体被膜。
Claims (1)
- 【請求項１】 導波管内に誘電体セラミックス板からな
る高周波気密窓が設けられ、該気密窓の表面に窒化チタ
ンと酸化チタンとの固溶体被膜が形成されてなる高周波
導波管の気密窓において、上記固溶体被膜の組成は、チ
タンが１．３乃至２３．８原子％の範囲、酸素が５３．
２乃至９７．２原子％の範囲、窒素が０．６乃至２３．
２原子％の範囲の組み合わせからなる組成であることを
特徴とする高周波導波管の気密窓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03031022A JP3075752B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 高周波導波管の気密窓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03031022A JP3075752B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 高周波導波管の気密窓 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04272637A JPH04272637A (ja) | 1992-09-29 |
| JP3075752B2 true JP3075752B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=12319894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03031022A Expired - Lifetime JP3075752B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 高周波導波管の気密窓 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3075752B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2480451A (en) * | 2010-05-18 | 2011-11-23 | E2V Tech | Electron tube rf output window |
| CN103252602B (zh) * | 2013-04-17 | 2015-03-11 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 一套陶瓷窗的装配焊接工装及其使用方法 |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP03031022A patent/JP3075752B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04272637A (ja) | 1992-09-29 |
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