JP3137532B2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアモルファスシリコン太
陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜絶縁膜な
どを形成する化学蒸着型（Chemical Vapour Depositio
n, 以下ＣＶＤという）薄膜形成に用いられる高周波プ
ラズマＣＶＤ装置に関する。
陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜絶縁膜な
どを形成する化学蒸着型（Chemical Vapour Depositio
n, 以下ＣＶＤという）薄膜形成に用いられる高周波プ
ラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】大面積のａ−Ｓｉ系薄膜を製造するため
に、従来より用いられているプラズマＣＶＤ装置の構成
を図６，図７を参照して説明する。この技術的手段は、
例えば、特願平３−５３２９号（特開平４−２３６７８
１号）などに開示されている装置である。
に、従来より用いられているプラズマＣＶＤ装置の構成
を図６，図７を参照して説明する。この技術的手段は、
例えば、特願平３−５３２９号（特開平４−２３６７８
１号）などに開示されている装置である。
【０００３】図６はプラズマＣＶＤ装置の断面図で、反
応容器１内には、グロー放電プラズマを発生させるため
の梯子状平面形コイル電極１１（以下ラダー電極とい
う）が配置されている。このラダー電極１１は図７の電
極平面図に示すように、２本の線材１１ａ，１１ｂに対
して垂直に数本の線材を梯子状に組み、接続した構造を
有し、外周部が四角形をなしている。図６に戻り、ラダ
ー電極１１の電力供給点１１ａ，１１ｂには高周波電源
５から、例えば１３．５６MHz の高周波数の電力（Radi
o Frequency ；以下ＲＦ電力という）がインピーダンス
整合器６を介して供給される。
応容器１内には、グロー放電プラズマを発生させるため
の梯子状平面形コイル電極１１（以下ラダー電極とい
う）が配置されている。このラダー電極１１は図７の電
極平面図に示すように、２本の線材１１ａ，１１ｂに対
して垂直に数本の線材を梯子状に組み、接続した構造を
有し、外周部が四角形をなしている。図６に戻り、ラダ
ー電極１１の電力供給点１１ａ，１１ｂには高周波電源
５から、例えば１３．５６MHz の高周波数の電力（Radi
o Frequency ；以下ＲＦ電力という）がインピーダンス
整合器６を介して供給される。
【０００４】反応容器１内には、図示しないボンベから
反応ガス導入管１２を介して、例えばモノシラン／水素
の混合ガスが供給される。反応容器１内のガスは排気管
７を通して真空ポンプ８により反応容器１外へ排気され
る。
反応ガス導入管１２を介して、例えばモノシラン／水素
の混合ガスが供給される。反応容器１内のガスは排気管
７を通して真空ポンプ８により反応容器１外へ排気され
る。
【０００５】薄膜を蒸着する基板９はラダー電極１１と
平行に設置され、図示しない基板ホルダにて基板加熱ヒ
ータ１０上に支持される。
平行に設置され、図示しない基板ホルダにて基板加熱ヒ
ータ１０上に支持される。
【０００６】この装置を用いて以下のように薄膜を作製
する。まず、真空ポンプ８を駆動して反応容器１内を排
気する。反応ガス導入管１２を通して、例えばモノシラ
ン／水素の混合ガスを１００〜２００ＣＣ／min 程度の
流量で供給し、反応容器１内の圧力を０．５〜１Torrに
保ち、高周波電源５からインピーダンス整合器６を介し
てラダー電極１１にＲＦ電力を印加するとラダー電極１
１と反応容器１との空間及び電極１１の周囲にグロー放
電プラズマが発生する。発生したプラズマにより混合ガ
スが分解され、基板９表面にａ−Ｓｉ薄膜が堆積する。
する。まず、真空ポンプ８を駆動して反応容器１内を排
気する。反応ガス導入管１２を通して、例えばモノシラ
ン／水素の混合ガスを１００〜２００ＣＣ／min 程度の
流量で供給し、反応容器１内の圧力を０．５〜１Torrに
保ち、高周波電源５からインピーダンス整合器６を介し
てラダー電極１１にＲＦ電力を印加するとラダー電極１
１と反応容器１との空間及び電極１１の周囲にグロー放
電プラズマが発生する。発生したプラズマにより混合ガ
スが分解され、基板９表面にａ−Ｓｉ薄膜が堆積する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来の装置は、
ラダー電極１１を用いることにより一般的に用いられて
いる平行平板型電極に比べ、高速・大面積均一成膜が可
能となっている。しかし以下の問題がある。
ラダー電極１１を用いることにより一般的に用いられて
いる平行平板型電極に比べ、高速・大面積均一成膜が可
能となっている。しかし以下の問題がある。
【０００８】（１）図８は従来のラダー電極の電磁場強
度分布の図で、ラダー電極より５mmの位置における電磁
場強度を示している。図示のように、ＲＦ＝５０Ｗの低
電力域では、ほぼ一様な電磁場強度分布であるが、ＲＦ
＝１００Ｗの高電力域では、電極線材１１上は強電磁場
であるのに対し、電極線材１１間は５０Ｗより弱電磁場
強度となる。発生するプラズマの密度は電磁場強度に比
例する。従ってＲＦ＝５０Ｗと１００Ｗを比べた場合、
電極線材１１近傍では１００Ｗの方がプラズマの密度が
高くなっているのに対して電極線材１１間では５０Ｗの
方が高くなる。従来の方法では、原料となるガスは大部
分は電極線材１１上を通らず、線材１１の間を通って供
給されるので、成膜速度は電極線材１１間のプラズマ密
度に比例する。その結果、図９の成膜速度とＲＦ電力と
の関係図に示すようにＲＦ電力を増加していくと、成膜
速度は増加するが、あるＲＦ電力値からは、前述のよう
に電極間のプラズマ密度が高くならないのでＲＦ電力を
増加しても成膜速度が下がるようになり、それ以上の高
速成膜ができなかった。
度分布の図で、ラダー電極より５mmの位置における電磁
場強度を示している。図示のように、ＲＦ＝５０Ｗの低
電力域では、ほぼ一様な電磁場強度分布であるが、ＲＦ
＝１００Ｗの高電力域では、電極線材１１上は強電磁場
であるのに対し、電極線材１１間は５０Ｗより弱電磁場
強度となる。発生するプラズマの密度は電磁場強度に比
例する。従ってＲＦ＝５０Ｗと１００Ｗを比べた場合、
電極線材１１近傍では１００Ｗの方がプラズマの密度が
高くなっているのに対して電極線材１１間では５０Ｗの
方が高くなる。従来の方法では、原料となるガスは大部
分は電極線材１１上を通らず、線材１１の間を通って供
給されるので、成膜速度は電極線材１１間のプラズマ密
度に比例する。その結果、図９の成膜速度とＲＦ電力と
の関係図に示すようにＲＦ電力を増加していくと、成膜
速度は増加するが、あるＲＦ電力値からは、前述のよう
に電極間のプラズマ密度が高くならないのでＲＦ電力を
増加しても成膜速度が下がるようになり、それ以上の高
速成膜ができなかった。
【０００９】（２）上記（１）の欠点を補うために、図
１０のプラズマＣＶＤ装置の断面図に示すようにガス導
入管１２をラダー電極１１に近づけ、ガス導入管１２の
ガス吹出孔１２ａより吹出すガス１３を、電極線材１１
近傍に供給するように改善をしている。しかしながらこ
の場合、図１１のガス導入管断面図に示すように電極１
１近くにあるガス導入管１２の上に分解したガス成分に
より厚く堆積したＳｉＮｘ膜１４が堆積し、ガス吹出孔
１２ａを塞ぐようになる。ガス吹出孔１２ａ周囲に堆積
したＳｉＮｘ膜１４はガス１３が吹出す勢いによりフレ
ーク１５となって吹飛び、このフレーク１５が基板９上
に付着することで基板９上に堆積する薄膜に微少な傷を
生じせしめ、成膜速度は向上しても膜質は悪化した。
１０のプラズマＣＶＤ装置の断面図に示すようにガス導
入管１２をラダー電極１１に近づけ、ガス導入管１２の
ガス吹出孔１２ａより吹出すガス１３を、電極線材１１
近傍に供給するように改善をしている。しかしながらこ
の場合、図１１のガス導入管断面図に示すように電極１
１近くにあるガス導入管１２の上に分解したガス成分に
より厚く堆積したＳｉＮｘ膜１４が堆積し、ガス吹出孔
１２ａを塞ぐようになる。ガス吹出孔１２ａ周囲に堆積
したＳｉＮｘ膜１４はガス１３が吹出す勢いによりフレ
ーク１５となって吹飛び、このフレーク１５が基板９上
に付着することで基板９上に堆積する薄膜に微少な傷を
生じせしめ、成膜速度は向上しても膜質は悪化した。
【００１０】本発明はこのような課題を解決することを
目的として、ラダー電極近辺にできるだけ反応ガスを吹
出させて電極上での高磁場強度によりプラズマ密度を高
め、高速成膜を行うと共に高品質の非晶質薄膜を製造す
ることのできるプラズマＣＶＤ装置を提供するものであ
る。
目的として、ラダー電極近辺にできるだけ反応ガスを吹
出させて電極上での高磁場強度によりプラズマ密度を高
め、高速成膜を行うと共に高品質の非晶質薄膜を製造す
ることのできるプラズマＣＶＤ装置を提供するものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は反応
容器内で放電用電極と対向して基板を配置し、放電用電
極からグロー放電プラズマを発生させて基板上に非晶質
薄板を形成するプラズマＣＶＤ装置において、放電用電
極を中空線材で構成すると共に中空線材の空洞内にガス
を流して電極線材表面から反応ガスを吹出すような構成
として、電極とプラズマ形成用のガス流路とを一体化し
たプラズマＣＶＤ装置とする。
容器内で放電用電極と対向して基板を配置し、放電用電
極からグロー放電プラズマを発生させて基板上に非晶質
薄板を形成するプラズマＣＶＤ装置において、放電用電
極を中空線材で構成すると共に中空線材の空洞内にガス
を流して電極線材表面から反応ガスを吹出すような構成
として、電極とプラズマ形成用のガス流路とを一体化し
たプラズマＣＶＤ装置とする。
【００１２】即ち、本発明は、反応容器と、この反応容
器内に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容
器内に収容された放電用電極と、この放電用電極にグロ
ー放電用電力を供給する電源とを有し、前記反応容器内
で前記放電用電極と対向して設置した基板表面に非晶質
薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前記放電
用電極は複数本の中空線材からなる梯子状の平面形に形
成し、同複数本の中空線材の前記基板に対向する面の裏
面となる位置にガス吹出孔を設けると共に、同ガス吹出
孔と間隙を保って同吹出孔を覆うアースシールドを設け
てなり、前記中空線材の空洞にガスを流し、前記吹出孔
から噴出させることにより放電用電極にガス導入部を一
体化したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を提供す
る。
器内に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容
器内に収容された放電用電極と、この放電用電極にグロ
ー放電用電力を供給する電源とを有し、前記反応容器内
で前記放電用電極と対向して設置した基板表面に非晶質
薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前記放電
用電極は複数本の中空線材からなる梯子状の平面形に形
成し、同複数本の中空線材の前記基板に対向する面の裏
面となる位置にガス吹出孔を設けると共に、同ガス吹出
孔と間隙を保って同吹出孔を覆うアースシールドを設け
てなり、前記中空線材の空洞にガスを流し、前記吹出孔
から噴出させることにより放電用電極にガス導入部を一
体化したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を提供す
る。
【００１３】
【作用】本発明はこのような手段により、反応ガスは放
電用電極を構成する中空線材の空洞内を通り、ガス吹出
孔より流出して反応容器内を所定の圧力にする。電源よ
り放電用電極に電力を供給し、グロー放電プラズマを発
生させ、放電用電極と対向して配置した基板表面にプラ
ズマにより分解した非晶質の薄膜が形成される。この薄
膜形成過程において、ガス吹出孔は中空線材の基板に対
向する面の裏側となる面に設けられており、かつ、アー
スシールドで覆われているので、反応ガスは吹出孔から
アースシールドで導かれて中空線材の基板側の周面上部
で電磁場強度の高い領域に導かれて、この領域でプラズ
マが発生するので、ガス吹出孔周辺はプラズマにさらさ
れず、そのため吹出孔周辺に薄膜が堆積し、これにより
フレークが飛散して基板表面に傷を付けるようなことも
なく、高速、高品質の成膜を形成することができる。
電用電極を構成する中空線材の空洞内を通り、ガス吹出
孔より流出して反応容器内を所定の圧力にする。電源よ
り放電用電極に電力を供給し、グロー放電プラズマを発
生させ、放電用電極と対向して配置した基板表面にプラ
ズマにより分解した非晶質の薄膜が形成される。この薄
膜形成過程において、ガス吹出孔は中空線材の基板に対
向する面の裏側となる面に設けられており、かつ、アー
スシールドで覆われているので、反応ガスは吹出孔から
アースシールドで導かれて中空線材の基板側の周面上部
で電磁場強度の高い領域に導かれて、この領域でプラズ
マが発生するので、ガス吹出孔周辺はプラズマにさらさ
れず、そのため吹出孔周辺に薄膜が堆積し、これにより
フレークが飛散して基板表面に傷を付けるようなことも
なく、高速、高品質の成膜を形成することができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて具体
的に説明する。図１は本発明の一実施例に係るプラズマ
ＣＶＤ装置の構成を示す断面図、図２は図１における中
空ラダー電極の平面図、図３はこの中空ラダー電極の詳
細な断面図、図４は中空ラダー電極の断面図で、ガス供
給とプラズマの状態を示す図、図５は成膜速度とＲＦ電
極との関係を示す図である。
的に説明する。図１は本発明の一実施例に係るプラズマ
ＣＶＤ装置の構成を示す断面図、図２は図１における中
空ラダー電極の平面図、図３はこの中空ラダー電極の詳
細な断面図、図４は中空ラダー電極の断面図で、ガス供
給とプラズマの状態を示す図、図５は成膜速度とＲＦ電
極との関係を示す図である。
【００１５】以下、実施例をこれらの図面を参照し、詳
細に説明するが、従来の装置（図６）と同一の部材には
同一の番号を付している。反応容器１内にはグロー放電
プラズマを発生させるための円筒形中空線材を使用した
弟子状平面形コイル電極２（以下、中空ラダー電極とい
う）が配置されている。この中空ラダー電極２は図２の
平面図及び図３の断面図に示すように２本の中空線材２
ａ，２ｂに対して垂直に数本の中空線材を接続し、梯子
状に組んだ構造を有し、外周部が四角形状をなしてい
る。
細に説明するが、従来の装置（図６）と同一の部材には
同一の番号を付している。反応容器１内にはグロー放電
プラズマを発生させるための円筒形中空線材を使用した
弟子状平面形コイル電極２（以下、中空ラダー電極とい
う）が配置されている。この中空ラダー電極２は図２の
平面図及び図３の断面図に示すように２本の中空線材２
ａ，２ｂに対して垂直に数本の中空線材を接続し、梯子
状に組んだ構造を有し、外周部が四角形状をなしてい
る。
【００１６】このラダー電極の寸法は反応容器の容量に
よるが、中空線材の長さは１００〜１０００mm、中空線
材間は１０〜５０mm、の範囲であり、中空線材の径は３
〜１０mmが好ましい。
よるが、中空線材の長さは１００〜１０００mm、中空線
材間は１０〜５０mm、の範囲であり、中空線材の径は３
〜１０mmが好ましい。
【００１７】又、この中空線材の半周部分には、図３に
示すように、基板９に対向する中空線材の表面の裏面と
なる位置に一定の間隔を保って円弧状のアースシールド
３が設けられている。この電極とアースシールド３との
間隔は０．５〜２mm程度とし、成膜時の反応容器１内圧
力における電子の平均自由行程以下であることが望まし
い。各線材の空洞部は連通しており、又、この中空線材
にはアースシールド３と対向する位置に複数個のガス吹
出孔４が設けられ、中空線材の空洞部と連通している。
このガス吹出孔４の径は０．２〜０．７mm、孔の配列ピ
ッチは１０〜２５mm程度であることが好ましい。
示すように、基板９に対向する中空線材の表面の裏面と
なる位置に一定の間隔を保って円弧状のアースシールド
３が設けられている。この電極とアースシールド３との
間隔は０．５〜２mm程度とし、成膜時の反応容器１内圧
力における電子の平均自由行程以下であることが望まし
い。各線材の空洞部は連通しており、又、この中空線材
にはアースシールド３と対向する位置に複数個のガス吹
出孔４が設けられ、中空線材の空洞部と連通している。
このガス吹出孔４の径は０．２〜０．７mm、孔の配列ピ
ッチは１０〜２５mm程度であることが好ましい。
【００１８】中空ラダー電極２の電力供給点２ａ，２ｂ
には、高周波電源５から、例えば１３．５６MHz の周波
数の電力がインピーダンス整合器６を介して供給され
る。また、中空ラダー電極２のガス供給点２Ｃには図示
を省略したガス供給管より、電気的に絶縁性の中空材を
介して中空ラダー電極２の空洞部へ、例えばモノシラン
／水素の混合ガスが供給され、ガス吹出孔４より反応容
器１内に送り出される。
には、高周波電源５から、例えば１３．５６MHz の周波
数の電力がインピーダンス整合器６を介して供給され
る。また、中空ラダー電極２のガス供給点２Ｃには図示
を省略したガス供給管より、電気的に絶縁性の中空材を
介して中空ラダー電極２の空洞部へ、例えばモノシラン
／水素の混合ガスが供給され、ガス吹出孔４より反応容
器１内に送り出される。
【００１９】なお、中空ラダー電極２を構成する中空線
材の断面形状は、楕円形であっても多角形であっても良
いが、その場合にはアースシールド３も中空線材表面と
の距離が一定となるように同一形状の楕円形、又は多角
形状とする必要がある。反応容器１内のガスは排気管７
を通して真空ポンプ８により排気される。
材の断面形状は、楕円形であっても多角形であっても良
いが、その場合にはアースシールド３も中空線材表面と
の距離が一定となるように同一形状の楕円形、又は多角
形状とする必要がある。反応容器１内のガスは排気管７
を通して真空ポンプ８により排気される。
【００２０】薄膜を成形すべき基板９は、中空ラダー電
極２と平行に設置され、図示しない基板ホルダにより基
板加熱ヒータ１０に支持される。
極２と平行に設置され、図示しない基板ホルダにより基
板加熱ヒータ１０に支持される。
【００２１】この装置を用い、以下のようにして薄膜を
作製する。まず、真空ポンプ８を駆動して反応容器１内
を排気する。図示しないガス供給管より、ガス供給点２
Ｃから中空ラダー電極２の空洞部を介して、例えばモノ
シラン／水素の混合ガスを１００〜２００ＣＣ／min 程
度の流量で供給し、反応容器１内の圧力を０．５〜１To
rr程度に保ち、高周波電源５からインピーダンス整合器
６を介して中空ラダー電極２にＲＦ電力を印加すると、
図４に示すように電極２のアースシールド３がない部分
の周囲にグロー放電プラズマが発生する。
作製する。まず、真空ポンプ８を駆動して反応容器１内
を排気する。図示しないガス供給管より、ガス供給点２
Ｃから中空ラダー電極２の空洞部を介して、例えばモノ
シラン／水素の混合ガスを１００〜２００ＣＣ／min 程
度の流量で供給し、反応容器１内の圧力を０．５〜１To
rr程度に保ち、高周波電源５からインピーダンス整合器
６を介して中空ラダー電極２にＲＦ電力を印加すると、
図４に示すように電極２のアースシールド３がない部分
の周囲にグロー放電プラズマが発生する。
【００２２】プラズマ密度は電極線材近傍で大きく、離
れる程小さくなるが、本発明では図４に示すように、ガ
ス２１は常に最もプラズマ密度の高い領域に供給され、
高密度プラズマ２０はこの領域に発生し、かつ、ガス吹
出孔４の近辺はプラズマが発生してないので、ガス吹出
孔４はプラズマにさらされず、膜が堆積しないので高品
質・高速成膜が可能となることが推測される。そこで下
記条件で成膜実験を行った。
れる程小さくなるが、本発明では図４に示すように、ガ
ス２１は常に最もプラズマ密度の高い領域に供給され、
高密度プラズマ２０はこの領域に発生し、かつ、ガス吹
出孔４の近辺はプラズマが発生してないので、ガス吹出
孔４はプラズマにさらされず、膜が堆積しないので高品
質・高速成膜が可能となることが推測される。そこで下
記条件で成膜実験を行った。
【００２３】基板材料：ガラス、基板面積：３００mm×
３００mm、基板温度：２５０℃、反応ガス及び流量：Ｓ
ｉＨ4 ＝３０ＣＣ／分、水素＝１２０ＣＣ／分、反応容
器内圧力：１Torr、において印加する高周波電力を２０
Ｗから１００Ｗの範囲に設定した。成膜速度と高周波電
力との関係を図５に示す。
３００mm、基板温度：２５０℃、反応ガス及び流量：Ｓ
ｉＨ4 ＝３０ＣＣ／分、水素＝１２０ＣＣ／分、反応容
器内圧力：１Torr、において印加する高周波電力を２０
Ｗから１００Ｗの範囲に設定した。成膜速度と高周波電
力との関係を図５に示す。
【００２４】図５に示されるように、高周波電力を増加
すると成膜速度は増加し、１００Ｗの高周波電力にて１
４オングストローム／sec と非常に速い成膜速度が得ら
れた。このとき、得られた膜の欠陥密度を電子ピン共鳴
方法により測定したところ１．２×１０15個／ＣＣであ
り、高品質の膜であることがわかった。
すると成膜速度は増加し、１００Ｗの高周波電力にて１
４オングストローム／sec と非常に速い成膜速度が得ら
れた。このとき、得られた膜の欠陥密度を電子ピン共鳴
方法により測定したところ１．２×１０15個／ＣＣであ
り、高品質の膜であることがわかった。
【００２５】このように本実施例では、放電用電極とし
て図２及び図３に示す中空ラダー電極２を用いること
で、１０〜１５オングストローム／sec という高速成膜
速度で、かつ、高品質のａ−Ｓｉ薄膜を作製できるもの
である。
て図２及び図３に示す中空ラダー電極２を用いること
で、１０〜１５オングストローム／sec という高速成膜
速度で、かつ、高品質のａ−Ｓｉ薄膜を作製できるもの
である。
【００２６】
【発明の効果】以上、具体的に詳述したように、本発明
によれば、放電用電極として中空線材からなる電極を用
いることにより、中空線材の吹出口より反応ガスを吹出
し、電極近傍の電磁場強度が強い部分に反応ガスを供給
するようにしたので高速で高品質の非晶質薄膜を製造す
ることができる。従って、アモルファスシリコン太陽電
池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの製造分
野で工業的価値が大きい。
によれば、放電用電極として中空線材からなる電極を用
いることにより、中空線材の吹出口より反応ガスを吹出
し、電極近傍の電磁場強度が強い部分に反応ガスを供給
するようにしたので高速で高品質の非晶質薄膜を製造す
ることができる。従って、アモルファスシリコン太陽電
池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの製造分
野で工業的価値が大きい。
【図１】本発明の一実施例に係るプラズマＣＶＤ装置の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図２】図１における中空ラダー電極の平面図である。
【図３】図１における中空ラダー電極の詳細な断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の一実施例に係る中空ラダー電極の断面
図で、ガス供給とプラズマ発生の状態を示す。
図で、ガス供給とプラズマ発生の状態を示す。
【図５】本発明の効果を示す図で、成膜速度とＲＦ電力
との関係を図す。
との関係を図す。
【図６】従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図である。
【図７】図６に示す従来のラダー電極の平面図である。
【図８】従来のラダー電極の電磁場強度分布を示す図で
ある。
ある。
【図９】従来のプラズマＣＶＤ装置の成膜速度とＲＦ電
力との関係を示す図である。
力との関係を示す図である。
【図１０】従来の改良型のプラズマＣＶＤ装置の断面図
である。
である。
【図１１】従来のプラズマＣＶＤ装置におけるラダー電
極での膜堆積の状況を示す概念図である。
極での膜堆積の状況を示す概念図である。
１ 反応容器 ２ 中空ラダー電極 ３ アースシールド ４ ガス吹出孔 ５ 高周波電源 ６ 整合器 ７ 排気管 ８ 真空ポンプ ９ 基板 ２０ 高密度プラズマ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/50 - 16/517 C30B 25/00 - 25/22 H01L 21/205 ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ)
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器と、この反応容器内に反応ガス
を導入し、排出する手段と、前記反応容器内に収容され
た放電用電極と、この放電用電極にグロー放電用電力を
供給する電源とを有し、前記反応容器内で前記放電用電
極と対向して設置した基板表面に非晶質薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ装置において、前記放電用電極は複数本
の中空線材からなる梯子状の平面形に形成し、同複数本
の中空線材の前記基板に対向する面の裏面となる位置に
ガス吹出孔を設けると共に、同ガス吹出孔と間隙を保っ
て同吹出孔を覆うアースシールドを設けてなり、前記中
空線材の空洞にガスを流し、前記吹出孔から噴出させる
ことにより放電用電極にガス導入部を一体化したことを
特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06128665A JP3137532B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06128665A JP3137532B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07330488A JPH07330488A (ja) | 1995-12-19 |
| JP3137532B2 true JP3137532B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=14990421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06128665A Expired - Fee Related JP3137532B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3137532B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4859888B2 (ja) * | 2008-07-28 | 2012-01-25 | 三菱重工業株式会社 | 電極およびこれを備えた真空処理装置 |
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-
1994
- 1994-06-10 JP JP06128665A patent/JP3137532B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH07330488A (ja) | 1995-12-19 |
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