JP3140101B2 - Ｃｖｄ反応装置 - Google Patents
Ｃｖｄ反応装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基板上に化学気相蒸
着法（ＣＶＤ法）を用いて被膜層を形成させる際に用い
られるＣＶＤ反応装置に係わり、更に詳しくは、超電導
マグネットコイルや電力輸送用などとして応用開発が進
められている長尺の酸化物超電導体をＣＶＤ法を用いて
製造する場合に使用されるＣＶＤ反応装置に関する。
着法（ＣＶＤ法）を用いて被膜層を形成させる際に用い
られるＣＶＤ反応装置に係わり、更に詳しくは、超電導
マグネットコイルや電力輸送用などとして応用開発が進
められている長尺の酸化物超電導体をＣＶＤ法を用いて
製造する場合に使用されるＣＶＤ反応装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、長尺の酸化物超電導体をＣＶＤ法
を用いて製造する場合、例えば図２に示すような縦型の
反応チャンバを用いたＣＶＤ反応装置が用いられてい
る。このＣＶＤ反応装置１は、縦長型の反応チャンバ
２、原料ガス供給装置３、排気ポンプ４、基板ヒータ
５、基板移送装置６を主要構成要素として構成されてい
る。
を用いて製造する場合、例えば図２に示すような縦型の
反応チャンバを用いたＣＶＤ反応装置が用いられてい
る。このＣＶＤ反応装置１は、縦長型の反応チャンバ
２、原料ガス供給装置３、排気ポンプ４、基板ヒータ
５、基板移送装置６を主要構成要素として構成されてい
る。
【０００３】上記反応チャンバ２の上方には原料ガス供
給口７が形成され、かつこの原料ガス供給口７は、原料
ガス供給管８を通じて上記原料ガス供給装置３と接続さ
れている。また、上記反応チャンバ２の下方側にはガス
排出口９が形成され、かつこのガス排出口９はガス排出
管１０を通じて排気ポンプ４と接続されている。
給口７が形成され、かつこの原料ガス供給口７は、原料
ガス供給管８を通じて上記原料ガス供給装置３と接続さ
れている。また、上記反応チャンバ２の下方側にはガス
排出口９が形成され、かつこのガス排出口９はガス排出
管１０を通じて排気ポンプ４と接続されている。
【０００４】また、上記反応チャンバ２内部の長尺基板
１１は基板移送装置６により図中の矢印方向に移動され
て送入されるようになっている。また、さらに上記チャ
ンバ２内の下部には基板ヒータ５が設けられ、上記反応
チャンバ２内に送入される長尺基板１１を加熱できるよ
うになっている。
１１は基板移送装置６により図中の矢印方向に移動され
て送入されるようになっている。また、さらに上記チャ
ンバ２内の下部には基板ヒータ５が設けられ、上記反応
チャンバ２内に送入される長尺基板１１を加熱できるよ
うになっている。
【０００５】上記従来のＣＶＤ反応装置１を用いて長尺
の酸化物超電導体（以下、ＳＣ体と略記する。）を作製
するには、基板移送装置６によって反応チャンバ２内に
長尺基板１１を送入し、さらに原料ガス供給管８を介し
て原料ガス供給装置３からチャンバ２内に原料ガスを導
入するとともに、反応チャンバ２内を所定の原料ガス雰
囲気とする。しかる後、直ちに基板ヒータ６で上記チャ
ンバ２内の長尺基板１１を加熱してこの長尺基板１１表
面に酸化物超電導層（以下、ＳＣ層と略記する。）を蒸
着させ、これによりＳＣ体を作製する。また、上述した
ような従来のＣＶＤ反応装置１は、ＣＶＤ反応領域Ａが
狭いため、このＣＶＤ反応領域Ａ近傍の原料ガス雰囲気
を均一に維持し易く、従って、安定な組成のＳＣ層を形
成することができる。
の酸化物超電導体（以下、ＳＣ体と略記する。）を作製
するには、基板移送装置６によって反応チャンバ２内に
長尺基板１１を送入し、さらに原料ガス供給管８を介し
て原料ガス供給装置３からチャンバ２内に原料ガスを導
入するとともに、反応チャンバ２内を所定の原料ガス雰
囲気とする。しかる後、直ちに基板ヒータ６で上記チャ
ンバ２内の長尺基板１１を加熱してこの長尺基板１１表
面に酸化物超電導層（以下、ＳＣ層と略記する。）を蒸
着させ、これによりＳＣ体を作製する。また、上述した
ような従来のＣＶＤ反応装置１は、ＣＶＤ反応領域Ａが
狭いため、このＣＶＤ反応領域Ａ近傍の原料ガス雰囲気
を均一に維持し易く、従って、安定な組成のＳＣ層を形
成することができる。
【０００６】一方、別のＣＶＤ反応装置としては、図３
に示されるような横長型の反応チャンバを用いたＣＶＤ
反応装置が用いられている。このＣＶＤ反応装置２１
は、横長型の反応チャンバ２２、原料ガス供給装置２
３、排気ポンプ２４、基板ヒータ２５、基板移送装置２
６を主要構成要素として構成されている。
に示されるような横長型の反応チャンバを用いたＣＶＤ
反応装置が用いられている。このＣＶＤ反応装置２１
は、横長型の反応チャンバ２２、原料ガス供給装置２
３、排気ポンプ２４、基板ヒータ２５、基板移送装置２
６を主要構成要素として構成されている。
【０００７】上記反応チャンバ２２の下方側の一端には
原料ガス供給口２７が形成され、かつこの原料ガス供給
口２７は、原料ガス供給管２８を通じて上記原料ガス供
給装置２３と接続されている。また、上記反応チャンバ
２２の下方側の他端にはガス排出口２９が形成され、か
つこのガス排出口２９はガス排出管３０を通じて排気ポ
ンプ２４と接続されている。
原料ガス供給口２７が形成され、かつこの原料ガス供給
口２７は、原料ガス供給管２８を通じて上記原料ガス供
給装置２３と接続されている。また、上記反応チャンバ
２２の下方側の他端にはガス排出口２９が形成され、か
つこのガス排出口２９はガス排出管３０を通じて排気ポ
ンプ２４と接続されている。
【０００８】また、上記反応チャンバ２２内の長尺基板
３１は、基板移送装置２６により図中の矢印方向に移動
され、送入されるようになっている。また、さらに上記
チャンバ２２内の下部には基板ヒータ２５が設けられ、
反応チャンバ２２内に送入される長尺基板３１を加熱で
きるようになっている。
３１は、基板移送装置２６により図中の矢印方向に移動
され、送入されるようになっている。また、さらに上記
チャンバ２２内の下部には基板ヒータ２５が設けられ、
反応チャンバ２２内に送入される長尺基板３１を加熱で
きるようになっている。
【０００９】上記従来のＣＶＤ反応装置２１を用いて長
尺のＳＣ体を作製するには、基板移送装置２６によって
反応チャンバ２２内に長尺基板３１を送入し、さらに原
料ガス供給管２８を介して原料ガス供給装置２３からチ
ャンバ２２内に原料ガスを導入するとともに、反応チャ
ンバ２２内を所定の原料ガス雰囲気とする。しかる後、
直ちに基板ヒータ２６で上記チャンバ２２内の長尺基板
３１を加熱してこの長尺基板３１表面にＳＣ層を蒸着さ
せ、これによりＳＣ体を作製する。また、上述したよう
な従来のＣＶＤ反応装置２１は、ＣＶＤ反応領域Ａが広
いので、長尺の基板上に化学反応せしめてＳＣ層を生成
させる際の効率が極めて良好であり、従って、効率的に
長尺ＳＣ体を作製できる。
尺のＳＣ体を作製するには、基板移送装置２６によって
反応チャンバ２２内に長尺基板３１を送入し、さらに原
料ガス供給管２８を介して原料ガス供給装置２３からチ
ャンバ２２内に原料ガスを導入するとともに、反応チャ
ンバ２２内を所定の原料ガス雰囲気とする。しかる後、
直ちに基板ヒータ２６で上記チャンバ２２内の長尺基板
３１を加熱してこの長尺基板３１表面にＳＣ層を蒸着さ
せ、これによりＳＣ体を作製する。また、上述したよう
な従来のＣＶＤ反応装置２１は、ＣＶＤ反応領域Ａが広
いので、長尺の基板上に化学反応せしめてＳＣ層を生成
させる際の効率が極めて良好であり、従って、効率的に
長尺ＳＣ体を作製できる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＣＶＤ反応装置の内、前者の縦型の反応チャンバ２
を用いたＣＶＤ反応装置１にあっては、ＣＶＤ反応領域
Ａが狭いので、長尺基板上に化学反応せしめてＳＣ層を
生成させる際の効率が極めて低いものとなり、従って、
長尺ＳＣ体を作製する際の、生産効率も低くなってしま
うという問題があった。
来のＣＶＤ反応装置の内、前者の縦型の反応チャンバ２
を用いたＣＶＤ反応装置１にあっては、ＣＶＤ反応領域
Ａが狭いので、長尺基板上に化学反応せしめてＳＣ層を
生成させる際の効率が極めて低いものとなり、従って、
長尺ＳＣ体を作製する際の、生産効率も低くなってしま
うという問題があった。
【００１１】また、後者の横長型の反応チャンバ２２を
用いたＣＶＤ反応装置２１にあっては、ＣＶＤ反応領域
Ａが広いので、このＣＶＤ反応領域Ａ近傍の原料ガス雰
囲気を均一な組成に維持することが難しく、従って、均
一かつ安定な組成のＳＣ層を形成するのも困難であると
いう問題があった。
用いたＣＶＤ反応装置２１にあっては、ＣＶＤ反応領域
Ａが広いので、このＣＶＤ反応領域Ａ近傍の原料ガス雰
囲気を均一な組成に維持することが難しく、従って、均
一かつ安定な組成のＳＣ層を形成するのも困難であると
いう問題があった。
【００１２】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、長尺基板上に均一かつ安定な組成のＣＶＤ蒸着層を
効率的に形成することができるＣＶＤ反応装置の提供を
目的とする。
で、長尺基板上に均一かつ安定な組成のＣＶＤ蒸着層を
効率的に形成することができるＣＶＤ反応装置の提供を
目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題は、原料化合物
ガス等の原料ガスを化学反応せしめて基体表面に生成物
を堆積させるＣＶＤ反応を行う横長型の反応チャンバ
と、該反応チャンバ内に原料ガスを供給する原料ガス供
給手段と、該反応チャンバ内のガスを排気するガス排気
手段と、長尺の基体を反応チャンバの長手方向に沿って
一方側に移動させる基板移動手段と、該反応チャンバ内
に配設された横長型の加熱手段とを備えたＣＶＤ反応装
置において、上記反応チャンバの上部には、上方に向け
てすぼまりかつその頂部に原料ガス供給手段が接続され
た原料ガス拡散部が形成され、該反応チャンバの下方側
の長手方向両端部には、前記ガス排気手段に接続される
排気口が設けられてなり、前記原料ガス拡散部は、前記
反応チャンバの長手方向両側に傾斜部を有し、該傾斜部
は前記反応チャンバの長手方向端部側で低く、かつ反応
チャンバの中央部側において高く形成されており、これ
ら傾斜部は前記原料ガス供給手段が接続された頂部から
反応チャンバ長手方向中央部への延長線を基準とする対
称形状であり、一方の傾斜部の下端部は前記一方の排気
口近傍まで形成され、他方の傾斜部の下端部は前記他方
の排気口近傍まで形成され、 さらに前記反応チャンバに
は前記一方の傾斜部の下端部側に長尺の基体の導入部が
形成され、かつ前記他方の傾斜部の下端部側に長尺の基
体の導出部が形成されてなり、前記原料ガス供給手段か
ら供給された原料ガスを、該原料ガス拡散部で均一に拡
散させて該反応チャンバ内の長尺基体近傍に到達せし
め、反応残ガスを該反応チャンバの下方側の長手方向両
端部に設けられた排気口を経て排気せしめる構成とする
ことにより解決される。
ガス等の原料ガスを化学反応せしめて基体表面に生成物
を堆積させるＣＶＤ反応を行う横長型の反応チャンバ
と、該反応チャンバ内に原料ガスを供給する原料ガス供
給手段と、該反応チャンバ内のガスを排気するガス排気
手段と、長尺の基体を反応チャンバの長手方向に沿って
一方側に移動させる基板移動手段と、該反応チャンバ内
に配設された横長型の加熱手段とを備えたＣＶＤ反応装
置において、上記反応チャンバの上部には、上方に向け
てすぼまりかつその頂部に原料ガス供給手段が接続され
た原料ガス拡散部が形成され、該反応チャンバの下方側
の長手方向両端部には、前記ガス排気手段に接続される
排気口が設けられてなり、前記原料ガス拡散部は、前記
反応チャンバの長手方向両側に傾斜部を有し、該傾斜部
は前記反応チャンバの長手方向端部側で低く、かつ反応
チャンバの中央部側において高く形成されており、これ
ら傾斜部は前記原料ガス供給手段が接続された頂部から
反応チャンバ長手方向中央部への延長線を基準とする対
称形状であり、一方の傾斜部の下端部は前記一方の排気
口近傍まで形成され、他方の傾斜部の下端部は前記他方
の排気口近傍まで形成され、 さらに前記反応チャンバに
は前記一方の傾斜部の下端部側に長尺の基体の導入部が
形成され、かつ前記他方の傾斜部の下端部側に長尺の基
体の導出部が形成されてなり、前記原料ガス供給手段か
ら供給された原料ガスを、該原料ガス拡散部で均一に拡
散させて該反応チャンバ内の長尺基体近傍に到達せし
め、反応残ガスを該反応チャンバの下方側の長手方向両
端部に設けられた排気口を経て排気せしめる構成とする
ことにより解決される。
【００１４】
【作用】以上述べたように、本発明のＣＶＤ反応装置に
あっては、反応チャンバの上部に、上方に向けてすぼま
りかつその頂部に原料ガス供給手段が接続された原料ガ
ス拡散部を形成し、該反応チャンバの下方側の長手方向
両端部に、前記ガス排気手段に接続される排気口を設け
た構成としたので、前記原料ガス供給手段から供給され
た原料ガスは、該原料ガス拡散部で均一に拡散されて該
反応チャンバ内の長尺基体近傍に到達し、反応残ガスは
該反応チャンバの下方側の長手方向両端部に設けられた
排気口を経て排気される。従って、上記反応チャンバ内
の長尺基体のＣＶＤ反応領域近傍では、原料ガス雰囲気
が均一となる。
あっては、反応チャンバの上部に、上方に向けてすぼま
りかつその頂部に原料ガス供給手段が接続された原料ガ
ス拡散部を形成し、該反応チャンバの下方側の長手方向
両端部に、前記ガス排気手段に接続される排気口を設け
た構成としたので、前記原料ガス供給手段から供給され
た原料ガスは、該原料ガス拡散部で均一に拡散されて該
反応チャンバ内の長尺基体近傍に到達し、反応残ガスは
該反応チャンバの下方側の長手方向両端部に設けられた
排気口を経て排気される。従って、上記反応チャンバ内
の長尺基体のＣＶＤ反応領域近傍では、原料ガス雰囲気
が均一となる。
【００１５】以下、例を挙げて本発明を詳細に説明す
る。図１は、本発明のＣＶＤ反応装置の一例を示すもの
であり、図中符号４１はＣＶＤ反応装置である。このＣ
ＶＤ反応装置４１は、横長型の反応チャンバ４２、原料
ガス供給装置４３、排気ポンプ４４、基板ヒータ４５、
基板移送装置４６を主要構成要素として構成されてい
る。
る。図１は、本発明のＣＶＤ反応装置の一例を示すもの
であり、図中符号４１はＣＶＤ反応装置である。このＣ
ＶＤ反応装置４１は、横長型の反応チャンバ４２、原料
ガス供給装置４３、排気ポンプ４４、基板ヒータ４５、
基板移送装置４６を主要構成要素として構成されてい
る。
【００１６】上記反応チャンバ４２の上部には、上方に
向けてすぼまりかつその頂部に原料ガス供給手段４３が
接続された原料ガス拡散部４７が形成されている。一
方、上記反応チャンバ４２の下方側には２つのガス排出
口４８，４８が形成され、かつこれら２つのガス排出口
４８，４８はガス排出管４９を通して排気ポンプ４４に
接続されている。
向けてすぼまりかつその頂部に原料ガス供給手段４３が
接続された原料ガス拡散部４７が形成されている。一
方、上記反応チャンバ４２の下方側には２つのガス排出
口４８，４８が形成され、かつこれら２つのガス排出口
４８，４８はガス排出管４９を通して排気ポンプ４４に
接続されている。
【００１７】また、上記反応チャンバ４２内の長尺基板
５０は、基板移送装置４６により図中の矢印方向に移動
され、送入されるようになっている。また、さらに上記
チャンバ４２内の下部には基板ヒータ４５が設けられ、
上記反応チャンバ４２内に送入される長尺基板５０を加
熱できるようになっている。
５０は、基板移送装置４６により図中の矢印方向に移動
され、送入されるようになっている。また、さらに上記
チャンバ４２内の下部には基板ヒータ４５が設けられ、
上記反応チャンバ４２内に送入される長尺基板５０を加
熱できるようになっている。
【００１８】なお、本例では、基板の加熱手段として抵
抗加熱方式の基板ヒータを用いているが、上記加熱手段
は抵抗加熱方式に限定されることなく、例えば誘導加
熱、プラズマ、光（レーザ、ＵＶなど）等を用いても良
い。
抗加熱方式の基板ヒータを用いているが、上記加熱手段
は抵抗加熱方式に限定されることなく、例えば誘導加
熱、プラズマ、光（レーザ、ＵＶなど）等を用いても良
い。
【００１９】本例のＣＶＤ反応装置４１にあっては、上
記したように反応チャンバ４２の上部に、上方に向けて
すぼまりかつその頂部に原料ガス供給手段４３が接続さ
れた原料ガス拡散部４７を形成し、上記反応チャンバ４
２の下方側の長手方向両端部に、前記排気ポンプ４４に
接続されるガス排出口４８，４８を設けた構成としたの
で、この装置を用いてＣＶＤ反応を行う際、原料ガス供
給装置４３から原料ガスは、原料ガス拡散部４７で均一
に拡散されて反応チャンバ４２内の長尺基板５０近傍に
到達し、反応残ガスは反応チャンバ４２の下方側の長手
方向両端部に設けられたガス排出口４８，４８を経て排
気される。従って、上記反応チャンバ４２内の長尺基板
５０のＣＶＤ反応領域近傍では、原料ガス雰囲気が均一
となる。
記したように反応チャンバ４２の上部に、上方に向けて
すぼまりかつその頂部に原料ガス供給手段４３が接続さ
れた原料ガス拡散部４７を形成し、上記反応チャンバ４
２の下方側の長手方向両端部に、前記排気ポンプ４４に
接続されるガス排出口４８，４８を設けた構成としたの
で、この装置を用いてＣＶＤ反応を行う際、原料ガス供
給装置４３から原料ガスは、原料ガス拡散部４７で均一
に拡散されて反応チャンバ４２内の長尺基板５０近傍に
到達し、反応残ガスは反応チャンバ４２の下方側の長手
方向両端部に設けられたガス排出口４８，４８を経て排
気される。従って、上記反応チャンバ４２内の長尺基板
５０のＣＶＤ反応領域近傍では、原料ガス雰囲気が均一
となる。
【００２０】また、本例のＣＶＤ反応装置４１にあって
は、横長型の反応チャンバ４２を用いているため、その
ＣＶＤ反応領域も広くなる。従って、長尺の基板上に原
料層を蒸着する際、長尺の基板上に化学反応せしめて原
料層を生成させる際の効率が極めて良好となる。
は、横長型の反応チャンバ４２を用いているため、その
ＣＶＤ反応領域も広くなる。従って、長尺の基板上に原
料層を蒸着する際、長尺の基板上に化学反応せしめて原
料層を生成させる際の効率が極めて良好となる。
【００２１】次に、上記本例のＣＶＤ反応装置４１を用
いた長尺のＳＣ体の一製造例について述べる。まず、基
板移送装置４６によって反応チャンバ４２内に長尺基板
５０を送入し、さらに原料ガス供給装置４３から反応チ
ャンバ４２内に、原料ガス拡散部４７を介してＳＣ体原
料ガスを導入するとともに、排気ポンプ４４により反応
チャンバ４２の下方側の２つのガス排出口４８，４８か
ら反応チャンバ４２内の反応残ガスを排気する。この
時、原料ガス供給装置４３から原料ガス拡散部４７内に
送り込まれたＳＣ体原料ガスは、図中の矢印で示される
ように拡散される。上記一連の操作により反応チャンバ
４２内の長尺基板５０のＣＶＤ反応領域近傍では、所定
の均一なＳＣ体原料ガス雰囲気となる。
いた長尺のＳＣ体の一製造例について述べる。まず、基
板移送装置４６によって反応チャンバ４２内に長尺基板
５０を送入し、さらに原料ガス供給装置４３から反応チ
ャンバ４２内に、原料ガス拡散部４７を介してＳＣ体原
料ガスを導入するとともに、排気ポンプ４４により反応
チャンバ４２の下方側の２つのガス排出口４８，４８か
ら反応チャンバ４２内の反応残ガスを排気する。この
時、原料ガス供給装置４３から原料ガス拡散部４７内に
送り込まれたＳＣ体原料ガスは、図中の矢印で示される
ように拡散される。上記一連の操作により反応チャンバ
４２内の長尺基板５０のＣＶＤ反応領域近傍では、所定
の均一なＳＣ体原料ガス雰囲気となる。
【００２２】次に、所定の原料ガス雰囲気に調節された
反応チャンバ４２内の長尺基板５０を基板ヒータ４５で
加熱し、この長尺基板５０表面にＳＣ層を蒸着させ、こ
れによりＳＣ体を作製する。
反応チャンバ４２内の長尺基板５０を基板ヒータ４５で
加熱し、この長尺基板５０表面にＳＣ層を蒸着させ、こ
れによりＳＣ体を作製する。
【００２３】なお、本発明に係わるＣＶＤ反応装置を用
いてＳＣ体を製造する際において好適なＳＣ体原料とし
ては、例えばＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系のＳＣ体を作製する
際は、Ｙ-ビス-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジ
オナート（略称：Ｙ（ＤＰＭ）3）やＢａ-ビス-2,2,6,6
-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナート（略称：Ｂａ
（ＤＰＭ）2）やＣｕ-ビス-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-
ヘプタンジオナート（略称：Ｃｕ（ＤＰＭ）2）などの
ＳＣ体原料が好適である。
いてＳＣ体を製造する際において好適なＳＣ体原料とし
ては、例えばＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系のＳＣ体を作製する
際は、Ｙ-ビス-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジ
オナート（略称：Ｙ（ＤＰＭ）3）やＢａ-ビス-2,2,6,6
-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナート（略称：Ｂａ
（ＤＰＭ）2）やＣｕ-ビス-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-
ヘプタンジオナート（略称：Ｃｕ（ＤＰＭ）2）などの
ＳＣ体原料が好適である。
【００２４】
【実施例】上記した本発明のＣＶＤ反応装置の一例であ
るＣＶＤ反応装置４１を用いて以下の操作を行い、ＳＣ
体を作製した。まず、長尺のハステロイ基板を基板移送
装置４６によって１ｍ／ｈの送入速度で反応チャンバ４
２内に送入し、さらに原料ガス供給装置４３から反応チ
ャンバ４２内に、Ｙ（ＤＰＭ）3、Ｂａ（ＤＰＭ）2、Ｃ
ｕ（ＤＰＭ）2より成るＳＣ体原料ガスを導入した。同
時に、排気ポンプ４４により反応チャンバ４２の下方側
の２つのガス排出口４８，４８から４８０ml/minの速度
で反応チャンバ４２内のガスを排気し、さらに上記長尺
ハステロイ基板を基板ヒータ４５で７００℃に加熱し
た。
るＣＶＤ反応装置４１を用いて以下の操作を行い、ＳＣ
体を作製した。まず、長尺のハステロイ基板を基板移送
装置４６によって１ｍ／ｈの送入速度で反応チャンバ４
２内に送入し、さらに原料ガス供給装置４３から反応チ
ャンバ４２内に、Ｙ（ＤＰＭ）3、Ｂａ（ＤＰＭ）2、Ｃ
ｕ（ＤＰＭ）2より成るＳＣ体原料ガスを導入した。同
時に、排気ポンプ４４により反応チャンバ４２の下方側
の２つのガス排出口４８，４８から４８０ml/minの速度
で反応チャンバ４２内のガスを排気し、さらに上記長尺
ハステロイ基板を基板ヒータ４５で７００℃に加熱し
た。
【００２５】上記操作により、長尺ハステロイ基板上に
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系ＳＣ層が形成された長尺ＳＣ体を
作製した。また、得られた長尺ＳＣ体のＳＣ層は、約１
０ないし１５μｍの膜厚で、かつその組成は均一であっ
た。また、その長尺ＳＣ体の臨界温度（Ｔc）は、７７
Ｋ以上であった。
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系ＳＣ層が形成された長尺ＳＣ体を
作製した。また、得られた長尺ＳＣ体のＳＣ層は、約１
０ないし１５μｍの膜厚で、かつその組成は均一であっ
た。また、その長尺ＳＣ体の臨界温度（Ｔc）は、７７
Ｋ以上であった。
【００２６】（比較例） 比較例として、先に述べた縦
型の反応チャンバを用いた従来のＣＶＤ反応装置１を用
いて長尺ＳＣ体を作製した。まず、基板移送装置６によ
って反応チャンバ２内に、１ｍ／ｈの送入速度で上記実
施例と同様の長尺ハステロイ基板を送入し、さらに原料
ガス供給管８を介して原料ガス供給装置３からチャンバ
２内に上記実施例と同様の組成のＳＣ体原料ガスを導入
した。同時に、ガス排出口９から４８０ml/minの速度で
反応チャンバ２内のガスを排気し、さらに基板ヒータ６
で上記長尺ハステロイ基板を７００℃で加熱した。
型の反応チャンバを用いた従来のＣＶＤ反応装置１を用
いて長尺ＳＣ体を作製した。まず、基板移送装置６によ
って反応チャンバ２内に、１ｍ／ｈの送入速度で上記実
施例と同様の長尺ハステロイ基板を送入し、さらに原料
ガス供給管８を介して原料ガス供給装置３からチャンバ
２内に上記実施例と同様の組成のＳＣ体原料ガスを導入
した。同時に、ガス排出口９から４８０ml/minの速度で
反応チャンバ２内のガスを排気し、さらに基板ヒータ６
で上記長尺ハステロイ基板を７００℃で加熱した。
【００２７】上記操作により、長尺ハステロイ基板上に
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系ＳＣ層が形成された長尺ＳＣ体を
作製した。得られた長尺ＳＣ体のＳＣ層は、約２〜４μ
ｍの膜厚であった。
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系ＳＣ層が形成された長尺ＳＣ体を
作製した。得られた長尺ＳＣ体のＳＣ層は、約２〜４μ
ｍの膜厚であった。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のＣＶＤ反応
装置にあっては、反応チャンバの上部に、上方に向けて
すぼまりかつその頂部に原料ガス供給手段が接続された
原料ガス拡散部を形成し、該反応チャンバの下方側の長
手方向両端部に、前記ガス排気手段に接続される排気口
を設けた構成としたので、前記原料ガス供給手段から供
給された原料ガスは、該原料ガス拡散部で均一に拡散さ
れて該反応チャンバ内の長尺基体近傍に到達し、反応残
ガスは該反応チャンバの下方側の長手方向両端部に設け
られた排気口を経て排気されので、上記反応チャンバ内
の長尺基体のＣＶＤ反応領域近傍では、原料ガス雰囲気
が均一となる。従って、長尺基体上に均一かつ安定な組
成のＣＶＤ蒸着層を効率的に形成することができる。
装置にあっては、反応チャンバの上部に、上方に向けて
すぼまりかつその頂部に原料ガス供給手段が接続された
原料ガス拡散部を形成し、該反応チャンバの下方側の長
手方向両端部に、前記ガス排気手段に接続される排気口
を設けた構成としたので、前記原料ガス供給手段から供
給された原料ガスは、該原料ガス拡散部で均一に拡散さ
れて該反応チャンバ内の長尺基体近傍に到達し、反応残
ガスは該反応チャンバの下方側の長手方向両端部に設け
られた排気口を経て排気されので、上記反応チャンバ内
の長尺基体のＣＶＤ反応領域近傍では、原料ガス雰囲気
が均一となる。従って、長尺基体上に均一かつ安定な組
成のＣＶＤ蒸着層を効率的に形成することができる。
【図１】 本発明のＣＶＤ反応装置の一例を示す概略断
面図である。
面図である。
【図２】 従来の縦型の反応チャンバを用いたＣＶＤ反
応装置を示す図である。
応装置を示す図である。
【図３】 従来の横長型の反応チャンバを用いたＣＶＤ
反応装置を示す図である。
反応装置を示す図である。
４１…ＣＶＤ反応装置、４２…反応チャンバ、４３…原
料ガス供給装置、４４…排気ポンプ、４５…基板ヒー
タ、４６…基板移送装置、４７…原料ガス拡散部、４８
…ガス排出口、４９…ガス排出管、５０…長尺基板。
料ガス供給装置、４４…排気ポンプ、４５…基板ヒー
タ、４６…基板移送装置、４７…原料ガス拡散部、４８
…ガス排出口、４９…ガス排出管、５０…長尺基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 香川 昭 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉 電線株式会社内 (72)発明者 河野 宰 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉 電線株式会社内 (72)発明者 佐治 明 愛知県名古屋市緑区大高町字北関山20番 地の１ 中部電力株式会社 電力技術研 究所内 (72)発明者 黒田 昇 愛知県名古屋市緑区大高町字北関山20番 地の１ 中部電力株式会社 電力技術研 究所内 (72)発明者 吉田 弘 愛知県名古屋市緑区大高町字北関山20番 地の１ 中部電力株式会社 電力技術研 究所内 (56)参考文献 特開 平１−304619（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−83275（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−101491（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56
Claims (1)
- 【請求項１】 原料化合物ガス等の原料ガスを化学反応
せしめて基体表面に生成物を堆積させるＣＶＤ反応を行
う横長型の反応チャンバと、該反応チャンバ内に原料ガ
スを供給する原料ガス供給手段と、該反応チャンバ内の
ガスを排気するガス排気手段と、長尺の基体を該反応チ
ャンバの長手方向に沿って一方側に移動させる基板移動
手段と、該反応チャンバ内に配設された横長型の加熱手
段とを備えたＣＶＤ反応装置において、 上記反応チャンバの上部には、上方に向けてすぼまりか
つその頂部に原料ガス供給手段が接続された原料ガス拡
散部が形成され、該反応チャンバの下方側の長手方向両
端部には、前記ガス排気手段に接続される排気口が設け
られてなり、前記原料ガス拡散部は、前記反応チャンバの長手方向両
側に傾斜部を有し、該傾斜部は前記反応チャンバの長手
方向端部側で低く、かつ反応チャンバの中央部側におい
て高く形成されており、これら傾斜部は前記原料ガス供
給手段が接続された頂部から反応チャンバ長手方向中央
部への延長線を基準とする対称形状であり、一方の傾斜
部の下端部は前記一方の排気口近傍まで形成され、他方
の傾斜部の下端部は前記他方の排気口近傍まで形成さ
れ、 さらに前記反応チャンバには前記一方の傾斜部の下端部
側に長尺の基体の導入部が形成され、かつ前記他方の傾
斜部の下端部側に長尺の基体の導出部が形成されてな
り、 前記原料ガス供給手段から供給された原料ガスを、該原
料ガス拡散部で均一に拡散させて該反応チャンバ内の長
尺基板近傍に到達せしめ、反応残ガスを該反応チャンバ
の下方側の長手方向両端部に設けられた排気口を経て排
気せしめることを特徴とするＣＶＤ反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03222268A JP3140101B2 (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | Ｃｖｄ反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03222268A JP3140101B2 (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | Ｃｖｄ反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0544042A JPH0544042A (ja) | 1993-02-23 |
| JP3140101B2 true JP3140101B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=16779726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03222268A Expired - Lifetime JP3140101B2 (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | Ｃｖｄ反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3140101B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4542641B2 (ja) * | 1999-05-24 | 2010-09-15 | 株式会社アルバック | 半導体製造装置及びこの装置を利用したバリアメタル膜の形成方法 |
| JP4553608B2 (ja) * | 2004-03-11 | 2010-09-29 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 金属ストリップの連続式化学蒸着装置 |
| JP5854853B2 (ja) * | 2012-01-13 | 2016-02-09 | 古河電気工業株式会社 | Ｃｖｄ装置 |
-
1991
- 1991-08-07 JP JP03222268A patent/JP3140101B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544042A (ja) | 1993-02-23 |
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