JP3141033B2 - 光感知又はｘ線感知センサよりなる装置 - Google Patents

光感知又はｘ線感知センサよりなる装置

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JP3141033B2
JP3141033B2 JP03007044A JP704491A JP3141033B2 JP 3141033 B2 JP3141033 B2 JP 3141033B2 JP 03007044 A JP03007044 A JP 03007044A JP 704491 A JP704491 A JP 704491A JP 3141033 B2 JP3141033 B2 JP 3141033B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マトリックスの行及び
列に配置され、照射の入射量に依存する電荷を発生する
光感知又はＸ線感知センサからなり、該センサのそれぞ
れは電気スイッチを有し、薄膜技術を用いて電気スイッ
チとして構成され、各センサ行に対してスイッチングラ
インが設けられそれを介してスイッチは、関連の活性化
されたセンサ行の電荷が読取ラインを介して同時に出力
されるように活性化され、又並列に読出される信号を直
列信号に変換する転送手段からなる装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】この種の装置は欧州特許明細書第２８９
６０号で公知である。この公知の装置では、一行のセン
サの電荷は同時に読込まれる。この為に、センサの電気
スイッチを活性化するセンサ用の回路が設けられ、これ
により電荷は各列に設けられる読出ラインを介して出力
されうる。従って、一行の電荷は同時に、即ち並列に読
出される。従って並列に読出された電荷は並列信号を直
列信号に変換する転送手段に印加される。この為に、引
用欧州特許明細書により、共通マルチプレクサ又は共通
シフトレジスタは全ての読出ラインに設けられる。
【０００３】とりわけ、Ｘ線適用に対し、単に非常に小
さいＸ線がセンサに入射される。従って、照射の入射の
量によってセンサ素子に発生した電気電荷は非常に小さ
い。読出されるべきこれらの非常に小さい電荷により、
問題は屡々生じ、即ち比較的強い雑音が読出された信号
に重畳される。この問題点をなくす為、引用欧州特許明
細書は各センサ用に各増幅器を提案する。この増幅器は
センサに発生した電荷を増幅し、該電荷は次に電気スイ
ッチ及び関連した読出ラインを介して増幅した形で読出
可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は前記の
種類の改良された装置を提供することである。
【０００５】本目的は、各読出ラインに、結晶性半導体
からなり、転送手段に先行し、増幅器が設けられその増
幅器が、読出動作中、関連読出ラインに接続されるセン
サから読出された信号を増幅する本発明により達成され
る。
【０００６】前記の種類のセンサマトリックスでは、出
来るだけ同時に緩和さるべきいくつかの問題が発生す
る。
【０００７】特に、Ｘ線適用に対し、放射線照射量が最
小化さるべき場合、問題がセンサ感度として発生する。
これらの問題は、個々のセンサが出来るだけ大きい照射
感度の為出来るだけ大きい感知面領域を有さなければな
らない理由により起こる。更に、各センサに対し、光セ
ンサ素子のみならず、電荷が読出される時活性化される
電気スイッチと同様に電荷を蓄える容量も設けられるべ
きである。個々の増幅器が技術の状態によって各センサ
用に設けられる場合、個々のセンサ素子は複雑になり、
センサの照射感知面領域は更に減少する。他の可能性、
即ち薄膜基板で重なって増幅器及び実際のセンサを配置
することは、その場合には、基板上の並列配置の場合の
ように、高不合格パーセントが製造中に基板の不合格に
予期され、基板の複雑性が増幅器の存在により大きく増
すので問題である。例えば、２０００×２０００の素子
からなるセンサマトリックスが形成される時、かかる製
造中許容可能な不合格パーセントは、追加増幅器が各セ
ンサ素子に設けられる場合、製造技術の状態により達成
することは不可能となる。
【０００８】欧州特許明細書第００２８９６０号によ
り、増幅器は薄膜基板上にセンサと共に形成される。従
って、増幅器も又薄膜技術により構成される。しかし、
増幅器は雑音がなく、上記の理由により、出来るだけ敏
感であるべきなので、これらの必要性は、薄膜増幅器が
この点で問題であるので、上記装置では満足に満たされ
ない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記雑音及び
製造問題が欧州特許明細書第００２８９６０号で開示さ
れたような装置により克服できないという事実の認識に
基づいている。従って、マトリックスの各読出ラインに
単に１つの増幅器を提供することが提案され、その増幅
器は関連列の全てのセンサから読出された信号を増幅す
るのに役立つ。従って、各センサ用の増幅器を設ける代
わりに、共通の増幅器が各センサ列に設けられる。この
増幅器は、薄膜技術によりもはや製造される必要はない
が、例えばシリコンが半導体材として用いられうる従来
の半導体結晶技術を用いて望ましくは製造されうる。雑
音行動及び感度に関しては、かかる増幅器は実質的に薄
膜増幅器以上の良い特性を示す。従来のシリコン技術で
のかかる増幅器が用いられる時、本発明装置は、センサ
マトリックス又は個々のセンサが、製造技術の見方か
ら、最新の技術による構成よりも実現するのが実質的に
容易である簡単な構成を有するという、さらに本質的な
利点を提供する。
【００１０】これらの利点は、薄膜技術により製造され
た実際のセンサマトリックス及び従来のシリコン技術に
より製造された増幅器の組み合わせにより得られ、その
一つだけが各読出ラインに設けられる。
【００１１】本発明の一実施例では、各列のセンサは列
の種々の読出ラインに略等しい数の群で接続され、増幅
器は各読出ラインに設けられる。
【００１２】既述した如く、最適評価の為、読出された
信号は出来るだけ全装置の可能な雑音レベル以上にある
べきである。しかし、読出ラインでの雑音は、特にライ
ン自体に、及びスイッチが読出ラインのように容量を有
し、雑音に負の効果を有するラインに接続された個々の
センサの電気スイッチによる。雑音を削減する為、幾つ
かの読出ラインが各列に設けられる。例えば、３つの読
出ラインが設けられる時、センサ素子の１／３は毎回個
々の読出ラインに接続される。従って読出ライン毎の容
量は又、一列ごとの唯１つの読出ラインのみでの解決策
に含まれた略１／３である。しかし、幾つかの読出ライ
ンが各列に設けられる時、増幅器は各読出ラインに設け
られなければならない。
【００１３】本発明による非常に魅力的実施例では、２
つの読出ラインが各列に設けられ、各列のセンサの半分
は一の読出ラインに接続され、列のセンサの他の半分は
他の読出ラインに接続される。この構成では、各列に対
する１つの読出ラインは基板の一側に経路を有し、他の
読出ラインは基板の他方に経路を有する。この場合に
は、２つの読出ラインを基板上の他方に隣るものに配置
する必要はなく、読出ラインの長さは最適化される。
【００１４】本発明の更なる実施例では転送手段は読出
ラインの各部分に接続され、読出ラインに同時に生じる
読出信号を直列信号に変換する幾らかのアナログマルチ
プレクサを設けられる。
【００１５】並列に読取られた信号を１つ又はそれ以上
の直列信号に変換する為、読出ラインの各部分に接続さ
れたアナログマルチプレクサが設けられる。次に、これ
らの読出ラインに生じる読取信号はアナログマルチプレ
クサにより直列信号に変換される。
【００１６】本発明による更なる実施例では、各アナロ
グマルチプレクサの後にＡ／Ｄ変換器が続く、各Ａ／Ｄ
変換器の後にマイクロプロセッサ又は信号処理器が続
き、隣るセンサからの信号を処理する２つのマイクロプ
ロセッサは共通メモリに接続される。
【００１７】種々のアナログマルチプレクサの後にアナ
ログマルチプレクサの直列出力信号をディジタル信号に
変換する各Ａ／Ｄ変換器が続く。更にＡ／Ｄ変換器のデ
ィジタル出力信号は更にマイクロプロセッサにより処理
される。隣るセンサからの信号を処理する２つのマイク
ロプロセッサは共通メモリをアクセスする。
【００１８】アナログマルチプレクサのレベルで並列に
読取られた信号は幾つかの直列信号に変換される。これ
らの直列信号は更に並列に再び処理される。センサマト
リックスが例えば２０００×２０００の別々のセンサか
らなる時、アナログマルチプレクサはマトリックスの２
５６列を処理することができる。次に、各アナログマル
チプレクサは２５６の並列信号を１つの直列信号に変換
する。その場合には、８つのアナログマルチプレクサが
必要とされ、Ａ／Ｄ変換器及びマルチプレクサのレベル
で、８つの直列信号が並列に処理される。並列信号が個
々の信号群内の準直列信号に変換され、かく発生された
直列信号が更に並列に再び処理されるかかるアプローチ
はこれに係る大きいデータ量が単にこの方法で扱われう
るので特に魅力的である。例えば完全なイメージに対
し、即ち、マトリックスの全てのセンサに対して、２５
Hzの信号読取速度の場合において、時間の極端に短い期
間だけが、単一マイクロプロセッサによる信号の直列処
理が可能でない間、信号を処理するのに役立つ。従っ
て、信号は本発明によるサブ群で結合され、その後、そ
れらは更に並列に処理される。
【００１９】この並列処理に続いて、マトリックスの全
てのセンサからの信号を含む共通の全体のビデオ信号へ
の変換が最終段階で行なわれる。この為に、本発明の更
なる実施例では、マイクロプロセッサにより処理された
センサ信号はマイクロプロセッサに続くディジタルマル
チプレクサで全体のビデオ信号を形成するよう結合され
る。
【００２０】本発明の更なる実施例では、個別センサに
より供給され、続いて増幅される信号の補正はマイクロ
プロセッサ及び隣るセンサに共通であるメモリのそのア
クセシングを介して実行され、これにより、センサの感
度の差、個々のセンサの故障又は増幅器の利得係数間の
差の補償が行なわれる。
【００２１】マトリックスの隣るセンサからの信号を処
理する２つのマイクロプロセッサが共通メモリをアクセ
スしうるので、各マイクロプロセッサがその関連したセ
ンサにより供給された信号を隣るセンサのものと比較す
ることは可能である。関連した増幅器の異なる利得係数
による完全センサ群の偏り感度と同様な個々のセンサの
偏り感度はマイクロプロセッサにより決定され、補正さ
れうる。有用な信号を供給するセンサの破壊又はセンサ
の故障の場合には、マイクロプロセッサは例えば隣るセ
ンサの信号の平均値から生じる計算された信号でその信
号を置き換えうる。
【００２２】本発明の更なる実施例では、対応する制御
信号に応答して、マイクロプロセッサは、１つの信号を
形成する列方向及び／又は行方向に互いに隣る幾らかの
センサの信号を毎回結合する。
【００２３】センサに入射する照射が特に低い強度を有
する場合、本発明による装置の改善された雑音にもかか
わらず、雑音問題は依然として生じる。その理由は、個
々のセンサ素子の信号が雑音レベルに非常に近いからで
ある。その場合に、隣るセンサの信号は結合されえ、即
ちマイクロプロセッサにより加算されうる。次に改善さ
れた信号対雑音比を有する強い信号が得られる。所定の
適用に対して、かかる改善された雑音は隣るセンサの信
号の組み合わせによるマトリックス解像度の減少より更
に重要である。
【００２４】特にＸ線検査装置において、本発明による
装置は特に低いＸ線照射量がＸ線検査に望ましいので有
利に用いられ、最適利益は本発明による装置の好ましい
雑音の振舞から生じる。
【００２５】
【実施例】本発明による実施例を以下図面を参照して詳
細に説明する。
【００２６】図１は単に部分的に示されるマトリックス
からなる装置の一部を示す。マトリックスはマトリック
スの行及び列に配置されるセンサからなる。そのような
マトリックスは、図にはその一部のみを示すが、例えば
２０００×２０００センサからなる。
【００２７】図に示されるマトリックスの第１行では、
センサＳ1 ，1 及びＳ1 ，2 が示される。同じ行ではセ
ンサＳ1 ，2 の後に図示されないセンサが続く。しか
し、図は第１行の１２８番目のセンサであるセンサ
Ｓ1 ，128 を示す。この行では、図示されないが、略
２，０００までの更なるセンサ素子が設けられる。
【００２８】同じことはマトリックスの第２行に当ては
まり、図はこの第２行のセンサＳ2 ，1 ，Ｓ2 ，2 及び
Ｓ2 ，128 を示す。しかし、この第２行も全部で略２，
０００のセンサ素子からなる。
【００２９】センサのこれらの最初の２行の後に図示さ
れない更なる行がくる。図は単に最後の行、即ち２，０
００行目を示す。この行の第１センサはＳ2000，1 とし
て示され、第２センサは参照番号Ｓ2000,2を有する。行
１及び２でのように、図はセンサＳ2000，128 を除いて
は更なるセンサは示さない。各行の第１センサは共に第
１の列を構成し、各行の第２センサは第２の列を構成す
る等である。
【００３０】図１にその幾つかを示す、各センサ光セン
サ素子からなる。適切な半導体が用いられる時、この光
センサ素子自体既に、Ｘ線に感知する。しかし、Ｘ線が
ホトダイオード上に設けられた燐層に入射する場合、光
を受ける光感知ホトダイオードでよい。図において、ホ
トセンサ素子はホトダイオード１として示される。更
に、各センサは記憶容量２を有する。ホトダイオード１
のアノード及び記憶容量２の電極は共に負の直流バイア
スを設ける直流電圧源４に接続される。ホトダイオード
１のカソード及び記憶容量２の別な電極は又スイッチ電
界効果トランジスタ３のソース端子に接続される。
【００３１】マトリックスの全てのセンサは各ホトダイ
オード１と、記憶容量２と、電界効果トランジスタ３と
からなり、薄膜技術により全て製造される。
【００３２】照射がホトダイオード１上に入射する時、
ホトダイオードは導通により、直流電圧源４により導入
されるバイアスにより、電荷は記憶容量２に転送され、
電荷の量はホトダイオード１に入射され照射の強度に依
存する。所定時間の後に容量２に蓄えられた電荷は照射
強度を表わす。この電荷はスイッチングトランジスタ３
を介して各センサ素子に対し個別に読出されうる。
【００３３】この為に、センサマトリックスの各行に対
し、スイッチングラインが設けられる。図１の表示で
は、スイッチングライン５が第１のラインに対し設けら
れ、スイッチングライン６は第２のラインに対し設けら
れ、スイッチングライン７は行２０００に対し設けられ
る。これらのスイッチングラインはセンサ内の電界効果
トランジスタ３のゲート端子に接続される。従って、ス
イッチングラインは関連した行のトランジスタ３を活性
化する。例えば、スイッチングライン５はマトリックス
の第１の行の全てのトランジスタ３を活性化する。
【００３４】スイッチングライン５，６，７及び図示し
ない更なるスイッチングラインはディジタルデコーダ３
０により制御されうる。ディジタルデコーダ３０は、セ
ンサ内に蓄えられた電荷に対する読出動作中センサマト
リックスの行を順次活性化するのに役立つ。これは、例
えば初めに第１行に対するスイッチングライン５がその
トランジスタが活性化され、これによりトランジスタが
導直になり、次にスイッチングライン６が第２行のトラ
ンジスタを活性化するよう活性化され、行２０００にな
るまで続けられる。ディジタルデコーダ３０自体は制御
ライン３１を介して制御される。これは例えば、図示さ
れてない、読出動作に対する全ての制御を提供するマイ
クロプロセッサにより実現されうる。
【００３５】図１に部分的に示されるマトリックスの各
列に対して、各読出ラインが設けられる。例えば、単に
センサＳ1 ，1 ，Ｓ2，1 及びＳ2000,1のみを図に示す
第１列は読出ライン８からなる。同様に、第２行は読出
ライン９からなり、図に示される列１２８は読出ライン
１０からなる。図示していない列は又各読出ラインから
なる。読出ラインは共に関連した列の電界効果トランジ
スタ３のドレーン端子に接続される。例えば第１列の読
出ライン８はこの列に配置される全てのセンサの電界効
果トランジスタ３のドレーン端子に接続される。
【００３６】各読出ラインにおいて、読出ライン８，９
及び１０のみが図示されているが、増幅器が設けられ
る。図１中、増幅器１１は読出ライン８内に設けられ、
増幅器１２は読出ライン９内に設けられ、一方増幅器１
３は読出ライン１０内に設けられる。増幅器は、それが
個別のセンサから生じる電荷を増幅するよう読出ライン
ン内に夫々配置される。
【００３７】増幅器の後にその入力が増幅器の出力に接
続されるアナログマルチプレクサ１４が続く。増幅器
は、電流積分器として接続され、従来のシリコン結晶技
術を用いて製造される。
【００３８】例えば、第１行が読出される時、この行に
あるセンサの電界効果トランジスタ３はスイッチングラ
イン５を介して活性化される。次に、この行にあるセン
サの容量２に蓄えられた電荷は関連するセンサの電界効
果トランジスタ３及び読出ラインを介して出力される。
従って、この場合には、この行の全てのセンサは同時に
活性化され、センサ内に蓄えられた電荷は読出ラインを
介して同時に出力される。図示されたセンサに対し、こ
れは電荷が読出ライン８，９及び１０とこれに続く増幅
器１１，１２及び１３を介してアナログマルチプレクサ
１４に到ることを意味する。アナログマルチプレクサ１
４では同時に並列に着く電荷はマルチプレクサの直列出
力１５に現われる直列信号に変換される。マルチプレク
サ１４は、制御されうる制御ライン１６を介して、例え
ばディジタルディコーダのように図示していない外部プ
ロセッサにより制御されうる。
【００３９】図は全部で２０００×２０００センサから
なるマトリックスの比較的にわずかな部分だけを示すの
で、アナログマルチプレクサ１４の更なる回路は完全に
は示されない。１２８読出ラインがアナログマルチプレ
クサ１４に接続され、該読出ラインの信号は出力１５に
ある１つの直列出力信号を形成するようマルチプレクサ
により変換される。マトリックスが全部で２０００列か
らなるので、１６のかかるアナログマルチプレクサが必
要である。
【００４０】センサマトリックスに対する読出動作中、
行は順次活性化され、行の活性化によって、関連行にあ
る全てのセンサの電荷は毎回出力される。次に、次の行
が活性化され、これによりこの行のセンサ内に蓄えられ
た電荷は再び出力される。この動作は、行２０００にな
るまで繰り返される。各読出動作中、並列に着くセンサ
信号はアナログマルチプレクサにより直列信号に変換さ
れる。多数のセンサの故に、これは毎回１２８のセンサ
の群でなされる。全部で８つのアナログマルチプレクサ
が設けられるので、従って８つの直列信号が得られ、該
信号の夫々は、行１２８のセンサの信号を表わす。
【００４１】更に、図２は図１に示される装置に関連し
た転送手段を示す。図２は又図１によるアナログマルチ
プレクサ１４と同様な増幅器１１，１２及び１３を示
す。しかし、２０００のセンサ素子が上記に示されるよ
う行ごとに設けられるので、８つのアナログマルチプレ
クサの全部が転送手段に含まれる。図２はこれらのマル
チプレクサのうちマルチプレクサ１４と、別なマルチプ
レクサ１７及び最後にマルチプレクサ１８だけを示す。
図示されてない更なるアナログマルチプレクサと同様に
これらのアナログマルチプレクサ１７と１８の夫々は、
マルチプレクサ１４のようにその入力が読出ラインを介
して関連列に接続される増幅器が先行する１２８の入力
からなる。
【００４２】夫々のアナログマルチプレクサの後に各ア
ナログディジタル変換器が続く。図２はアナログマルチ
プレクサ１７に続くアナログディジタル変換器２０と同
様にマルチプレクサ１４に続くアナログディジタル変換
器１９を示す。同じことが図示してない更なるアナログ
マルチプレクサに当てはまる。図はＡ／Ｄ変換器２１が
続く最後のマルチプレクサとしてマルチプレクサ１８を
示す。
【００４３】Ａ／Ｄ変換器１９の後にマイクロプロセッ
サ２２が続き、Ａ／Ｄ変換器２０の後にマイクロプロセ
ッサ２３が続き、Ａ／Ｄ変換器２１の後にマイクロプロ
セッサ２４が続く、図示されてない他のＡ／Ｄ変換器の
後にも各マイクロプロセッサが続く。マイクロプロセッ
サ２２及び２３は共通メモリー２５をアクセスする。マ
イクロプロセッサ２３は又図示してない方法で他のマイ
クロプロセッサによってもアクセスされるメモリー２６
をアクセスする。マイクロプロセッサ２４は又メモリー
２７だけが示されている２つのメモリーをアクセスす
る。
【００４４】マイクロプロセッサは、Ａ／Ｄ変換器によ
り供給され、センサ内で読出される信号から生じるディ
ジタル信号を処理するのに役立つ。従って、例えばセン
サの異なる感度、増幅器の異なる感度又は他の誤りは補
償されうる。各マイクロプロセッサは、その関連したセ
ンサの信号が蓄えられるばかりでなく、隣るセンサの信
号が別なマイクロプロセッサによりそれ自体処理される
メモリーをアクセスしうるので、上記のことが可能であ
る。例えばマイクロプロセッサ２２はメモリー２５をア
クセスして、しかし、ここでマイクロプロセッサ２３に
より処理され、その信号がマイクロプロセッサ２２によ
り処理されるマトリックス内のセンサに隣るセンサから
生じる信号も蓄えている。センサ又は増幅器の感度の差
は隣るセンサの信号の比較により検出されうる。更に、
マイクロプロセッサは個々のセンサ素子の破壊を検出す
ることが可能である。次にその信号は例えば隣るセンサ
からの平均的信号により置換されうる。この動作に続い
て、それぞれのマイクロプロセッサは関連した列のセン
サの出力信号を供給する。これらのディジタル出力信号
は、８つのマイクロプロセッサからの８つの信号が、直
列特性を有する全体の信号の形成するよう結合されるデ
ィジタルマルチプレクサ２８の出力に現われるマトリッ
クスの全ての信号を含む装置の全体のビデオ信号を表わ
す。
【図面の簡単な説明】
【図１】シリコン増幅器とアナログマルチプレクサとか
らなるセンサマトリックスの一部を有する装置を示す。
【図２】図１に示す装置の更なる転送手段を示す図であ
る。
【符号の説明】
１ ホトダイオード ２ 記憶容量 ３ 電界効果トランジスタ ４ 直流電圧源 ５，６，７ スイッチングライン ８，９，１０ 読出ライン １１，１２，１３ 増幅器 １４，１７，１８ マルチプレクサ １５ 直列出力 １６，３１ 制御ライン １９，２０，２１ アナログディジタル変換器 ２２，２３，２４ マイクロプロセッサ ２５，２６，２７ メモリー ２８ ディジタルマルチプレクサ ２９ 出力 ３０ ディジタルデコーダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔ ｈｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 ウルリッヒ シーベル ドイツ連邦共和国 5100 アーヘン ツ ェーントヴェーク 60番地 (72)発明者 ヘルフリード ヴィーゾレック ドイツ連邦共和国 5100 アーヘン マ ーシュトリヒター シュトラーセ 18番 地 (56)参考文献 特開 昭62−202684（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−61054（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−101179（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−244176（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−140235（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−76964（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/146 H01L 27/14 H04N 5/32 H04N 5/335

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マトリックスの行及び列に配置され、照
    射の入射量に依存する電荷を発生する光感知又はＸ線感
    知センサ（Ｓ1,1 ，…Ｓ2000,2000 ）からなり、該セン
    サのそれぞれは電気スイッチ（３）を有し、薄膜技術を
    用いて電気スイッチ（３）として構成され、各センサ行
    に対してスイッチングライン（５，６，…７）が設けら
    れそれを介してスイッチ（３）は、関連の活性化された
    センサ行の電荷が読出ライン（８，９，…，１０，…）
    を介して同時に出力されるように活性化され、又並列に
    読出される信号を直列信号に変換する転送手段からな
    り、各読出ライン（８，９，…，１０，…）に、結晶性
    半導体からなり、転送に先行し、増幅器（１１，１２，
    …，１３，…）が設けられ、その増幅器は読出動作中、
    関連読出ライン（８，９，…，１０，…）に接続される
    センサ（Ｓ1,1 ，…Ｓ2000,2000 ）から読出された信号
    を増幅し、且つ、列当りに複数の読出ラインが設けら
    れ、略同数のセンサが列の種々の読出ラインに接続さ
    れ、且つ各読出ラインに増幅器が設けられることを特徴
    とする装置。
  2. 【請求項２】 各列に対し、２つの読出ラインが設けら
    れ、各列の半数のセンサが一の読出ラインに接続され、
    列のセンサの他の半分が他の読出ラインに接続されるこ
    とを特徴とする請求項１の装置。
  3. 【請求項３】 転送手段は幾つかのアナログマルチプレ
    クサ（１４）からなり、それぞれが読出ライン（８，
    ９，…，１０，…）の夫々の部分に接続され、読出ライ
    ン（８，９，…，１０，…）に同時に生じる読出信号を
    直列信号に変換することを特徴とする請求項１乃至２の
    うちいずれか一項の装置。
  4. 【請求項４】 各アナログマルチプレクサ（１４，１
    ５，…，１８）の後に各Ａ／Ｄ変換器（１９，２０，
    …，２１）が続き、各Ａ／Ｄ変換器（１９，２０，…，
    ２１）の後に各信号処理器又はマイクロプロセッサ（２
    ２，２３，…，２４）が続き、隣るセンサからの信号を
    処理する２つのマイクロプロセッサは共通メモリ（２
    ５，２６，…，２７）に接続されることを特徴とする請
    求項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】 マイクロプロセッサ（２２，２３，…，
    ２４）により処理されたセンサ信号は、マイクロプロセ
    ッサ（２２，２３，…，２４）に続くディジタルマルチ
    プレクサ（２８）で全体のビデオ信号を形成するよう結
    合されることを特徴とする請求項４に記載の装置。
  6. 【請求項６】 個々のセンサ（Ｓ1,1 ，…Ｓ2000,2000
    ）により供給され、次に増幅された信号は、マイクロ
    プロセッサ（２２，２３，…，２４）及び隣るセンサに
    ついての共通メモリ（２３，２６，…２７）にアクセス
    することにより補正され、これによりセンサの感度の
    差、個々のセンサの破壊又は増幅器（１１，１２，…，
    １３，…）の利得係数の差は補償されることを特徴とす
    る請求項４又は５に記載の装置。
  7. 【請求項７】 読出ライン（８，９，…，１０，…）の
    増幅器（１１，１２，…，１３，…）及び続くアナログ
    マルチプレクサ（１４，１７，…，１８）は、アナログ
    マルチプレクサ（１４，…）及びその関連した増幅器
    （１１，１２，…，１３，…）が集積回路に配置される
    ように、集積回路に組込まれることを特徴とする請求項
    ３乃至６のうちいずれか一項に記載の装置。
  8. 【請求項８】 適切な制御信号に応答して、毎回列方向
    及び／又は行方向に互いに隣りあう幾つかのセンサ信号
    はマイクロプロセッサ（２２，２３，…，２４）により
    １つの信号を形成するよう結合されることを特徴とする
    請求項４乃至７のうちいずれか一項に記載の装置。
  9. 【請求項９】 増幅器（１１，１２，…，１３，…）は
    電流積分器として接続されることを特徴とする請求項１
    乃至８のうちいずれか一項に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 Ｘ線検査装置において請求項１乃至９
    のうちいずれか一項に記載の装置を使用する方法。
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