JP3141441B2 - レーザーによるＳｉＣ結晶膜の形成法 - Google Patents
レーザーによるＳｉＣ結晶膜の形成法Info
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳｉＣ単結晶薄膜の製造
方法に関し、より詳しくは、従来法より低い温度でＳｉ
Ｃ単結晶薄膜を製造する方法に関する。
方法に関し、より詳しくは、従来法より低い温度でＳｉ
Ｃ単結晶薄膜を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、Ｓｉを用いたデバイスはめざまし
い発展をとげ、到る所で使用されるようになった。しか
し、Ｓｉデバイスは１００℃前後の温度を超えると、正
常に動作することができず、過酷な環境で動作するデバ
イスとしては不適切であると考えられている。そこで過
酷な環境（例えば熱、放射線、化学薬品などのもとで）
においても正常に動作すると考えられるシリコンカーバ
イド（ＳｉＣ）に注目し研究が行なわれてきた。ＳｉＣ
にはおよそ、２５０種の結晶形があることが知られてお
り、このうち３Ｃ構造は電子デバイスに適しており、４
Ｈ、６Ｈ、１５Ｒの各構造がＬＥＤに適していることが
知られている。そしてかかる構造を持つＳｉＣ単結晶
は、従来、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法により製造さ
れていた。
い発展をとげ、到る所で使用されるようになった。しか
し、Ｓｉデバイスは１００℃前後の温度を超えると、正
常に動作することができず、過酷な環境で動作するデバ
イスとしては不適切であると考えられている。そこで過
酷な環境（例えば熱、放射線、化学薬品などのもとで）
においても正常に動作すると考えられるシリコンカーバ
イド（ＳｉＣ）に注目し研究が行なわれてきた。ＳｉＣ
にはおよそ、２５０種の結晶形があることが知られてお
り、このうち３Ｃ構造は電子デバイスに適しており、４
Ｈ、６Ｈ、１５Ｒの各構造がＬＥＤに適していることが
知られている。そしてかかる構造を持つＳｉＣ単結晶
は、従来、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法により製造さ
れていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来用い
られてきた熱ＣＶＤ法においては、単結晶薄膜の成長時
の温度が、１０００〜１４００℃と高いため、格子欠陥
や、界面不整合を起こしやすいという課題があるのみな
らず、一般的に基板として用いられるＳｉ基板とＳｉＣ
の格子定数が、約１Å異なるため、Ｓｉ基板上にＳｉＣ
がうまく積層せず、このため基板上に炭素源となるガス
を流しつつ、急加熱してバッファ層を形成する等の処置
を行っている。しかしながらバッファ層形成時の急加熱
は、基板温度を室温から１５００℃付近まで、１分程度
で加熱するものであり、煩わしい作業であった。また、
プラズマＣＶＤ法を用いれば、プロセスの低温化は可能
であるが、作成した薄膜の表面をプラズマにより損傷さ
せてしまうという課題があった。さらにレーザーＣＶＤ
法を用いると、多結晶やアモルファス状態の薄膜しか得
られず、ＳｉＣ単結晶を作成できなかった。
られてきた熱ＣＶＤ法においては、単結晶薄膜の成長時
の温度が、１０００〜１４００℃と高いため、格子欠陥
や、界面不整合を起こしやすいという課題があるのみな
らず、一般的に基板として用いられるＳｉ基板とＳｉＣ
の格子定数が、約１Å異なるため、Ｓｉ基板上にＳｉＣ
がうまく積層せず、このため基板上に炭素源となるガス
を流しつつ、急加熱してバッファ層を形成する等の処置
を行っている。しかしながらバッファ層形成時の急加熱
は、基板温度を室温から１５００℃付近まで、１分程度
で加熱するものであり、煩わしい作業であった。また、
プラズマＣＶＤ法を用いれば、プロセスの低温化は可能
であるが、作成した薄膜の表面をプラズマにより損傷さ
せてしまうという課題があった。さらにレーザーＣＶＤ
法を用いると、多結晶やアモルファス状態の薄膜しか得
られず、ＳｉＣ単結晶を作成できなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、鋭
意検討の結果、レーザー光を励起源とし、該レーザー光
が基板を照射するようにしたレーザーＣＶＤ法により、
かかる課題が解決されることを見出し、本発明に到達し
た。すなわち本発明の目的は、ＳｉＣの単結晶薄膜を低
温で成長させることが可能で、格子欠陥や、界面不整合
を起こしにくく、かつバッファ層を基板上に生成させる
工程の不要な、ＳｉＣ単結晶薄膜の製造方法を提供する
ことであり、かかる目的は炭素源及びシリコン源となる
原料ガスを含有する材料ガスを、基板上に送り、該基板
上において該原料ガスを分解させ、該基板上にＳｉＣの
薄膜を成長させる方法において、該基板の温度が、２０
〜８００℃であり、該原料ガスの分解をレーザー光で行
い、かつ該レーザー光が該基板を照射することを特徴と
するＳｉＣ単結晶薄膜の製造方法、より詳しくは該レー
ザー光が、該基板に対し、４５〜９０°の角度で該基板
を照射する前記ＳｉＣ単結晶薄膜の製造方法、により容
易に達成される。
意検討の結果、レーザー光を励起源とし、該レーザー光
が基板を照射するようにしたレーザーＣＶＤ法により、
かかる課題が解決されることを見出し、本発明に到達し
た。すなわち本発明の目的は、ＳｉＣの単結晶薄膜を低
温で成長させることが可能で、格子欠陥や、界面不整合
を起こしにくく、かつバッファ層を基板上に生成させる
工程の不要な、ＳｉＣ単結晶薄膜の製造方法を提供する
ことであり、かかる目的は炭素源及びシリコン源となる
原料ガスを含有する材料ガスを、基板上に送り、該基板
上において該原料ガスを分解させ、該基板上にＳｉＣの
薄膜を成長させる方法において、該基板の温度が、２０
〜８００℃であり、該原料ガスの分解をレーザー光で行
い、かつ該レーザー光が該基板を照射することを特徴と
するＳｉＣ単結晶薄膜の製造方法、より詳しくは該レー
ザー光が、該基板に対し、４５〜９０°の角度で該基板
を照射する前記ＳｉＣ単結晶薄膜の製造方法、により容
易に達成される。
【０００５】以下、本発明をより詳細に説明する。
【０００６】本発明に用いられる基板は所望するＳｉＣ
の結晶形と同じであれば特に問わないが所望するＳｉＣ
の格子定数と、基板の格子定数の差は小さい方が好まし
く、具体的には格子定数の差が、１Å以下であることが
好ましい。また、基板の結晶性は高いほど好ましい。具
体的には、例えば立方晶の３Ｃ−ＳｉＣの場合には、Ｓ
ｉ単結晶基板が、結晶性が高く大口径の基板を容易に入
手できるため用いられる。また本発明の方法は基板温度
が従来の製造方法よりかなり低温であるため、高温で分
解しやすいＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物の基板も使
用できるようになった。基板の面方位については特に問
わないが、低指数の面が好ましい。
の結晶形と同じであれば特に問わないが所望するＳｉＣ
の格子定数と、基板の格子定数の差は小さい方が好まし
く、具体的には格子定数の差が、１Å以下であることが
好ましい。また、基板の結晶性は高いほど好ましい。具
体的には、例えば立方晶の３Ｃ−ＳｉＣの場合には、Ｓ
ｉ単結晶基板が、結晶性が高く大口径の基板を容易に入
手できるため用いられる。また本発明の方法は基板温度
が従来の製造方法よりかなり低温であるため、高温で分
解しやすいＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物の基板も使
用できるようになった。基板の面方位については特に問
わないが、低指数の面が好ましい。
【０００７】以下の文において原料ガスとは炭素源ガス
及びシリコン源ガス、材料ガスとは原料ガス及びキャリ
アガスその他必要に応じドーパントガス等を含み、薄膜
成長時に供給されるガスを意味する。
及びシリコン源ガス、材料ガスとは原料ガス及びキャリ
アガスその他必要に応じドーパントガス等を含み、薄膜
成長時に供給されるガスを意味する。
【０００８】本発明に使用される装置の１例を、図１に
示す。図１の装置は、実際に実施例にて用いたものでも
ある。反応室１は真空ポンプ２により減圧され、反応室
１中には、その上に薄膜を成長させるための基板３が、
その表面にレーザー光が照射されるようにステージ４上
に載置される。ステージ４は、ヒーター５により所望の
温度に加熱され、その結果基板３も加熱される。基板３
が所望の温度に加熱された後、材料ガス供給管６より、
炭素源ガスとシリコン源ガスよりなる原料ガスとキャリ
アガスを主成分とする材料ガスが供給される。供給され
た原料ガスは基板上にて、ウィンドウ９を通って反応室
１内に導入されたレーザー光により照射され、光分解さ
れ、基板３とおなじ結晶形のＳｉＣ単結晶薄膜として堆
積、成長する。このときウインドウ９が、生成したＳｉ
やＣが付着することにより曇ってしまい、レーザー光の
透過率を下げてしまうことのないよう、シールドガス供
給管１０より、Ａｒガスのような、不活性気体を供給す
ることにより、生成したＳｉやＣをウィンドウ９に近寄
らせなくすることが好ましい。
示す。図１の装置は、実際に実施例にて用いたものでも
ある。反応室１は真空ポンプ２により減圧され、反応室
１中には、その上に薄膜を成長させるための基板３が、
その表面にレーザー光が照射されるようにステージ４上
に載置される。ステージ４は、ヒーター５により所望の
温度に加熱され、その結果基板３も加熱される。基板３
が所望の温度に加熱された後、材料ガス供給管６より、
炭素源ガスとシリコン源ガスよりなる原料ガスとキャリ
アガスを主成分とする材料ガスが供給される。供給され
た原料ガスは基板上にて、ウィンドウ９を通って反応室
１内に導入されたレーザー光により照射され、光分解さ
れ、基板３とおなじ結晶形のＳｉＣ単結晶薄膜として堆
積、成長する。このときウインドウ９が、生成したＳｉ
やＣが付着することにより曇ってしまい、レーザー光の
透過率を下げてしまうことのないよう、シールドガス供
給管１０より、Ａｒガスのような、不活性気体を供給す
ることにより、生成したＳｉやＣをウィンドウ９に近寄
らせなくすることが好ましい。
【０００９】従来ＳｉＣ単結晶薄膜をレーザーＣＶＤ法
により製造する試みでは、基板に対しレーザー光が水平
に照射されており、基板自身にレーザー光が照射される
ことはなく、またＳｉＣの多結晶やアモルファスは得ら
れたが、単結晶薄膜を得ることは出来なかった。それに
対し本発明では、基板自身にレーザー光が照射されるこ
とによって驚くべきことに、ＳｉＣ単結晶薄膜が容易に
得られるようになったのである。以下に製造条件につ
き、詳細に説明する。
により製造する試みでは、基板に対しレーザー光が水平
に照射されており、基板自身にレーザー光が照射される
ことはなく、またＳｉＣの多結晶やアモルファスは得ら
れたが、単結晶薄膜を得ることは出来なかった。それに
対し本発明では、基板自身にレーザー光が照射されるこ
とによって驚くべきことに、ＳｉＣ単結晶薄膜が容易に
得られるようになったのである。以下に製造条件につ
き、詳細に説明する。
【００１０】本発明に用いられる原料ガスは、分解エネ
ルギーや、吸収係数、多重光子吸収等を考慮し、用いる
レーザー光に分解され、炭素源及び／又はシリコン源と
して使用できるものを選択すればよく、特に限定されな
いが、例えばＡｒＦエキシマレーザーであれば、シリコ
ン源ガスとしてＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨ2Ｃ
ｌ 2、ＳｉＨＣｌ3等が好ましく、炭素源ガスとしては、
ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8，Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ4等が好まし
く、特に好ましくはＣ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ4である。
ルギーや、吸収係数、多重光子吸収等を考慮し、用いる
レーザー光に分解され、炭素源及び／又はシリコン源と
して使用できるものを選択すればよく、特に限定されな
いが、例えばＡｒＦエキシマレーザーであれば、シリコ
ン源ガスとしてＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨ2Ｃ
ｌ 2、ＳｉＨＣｌ3等が好ましく、炭素源ガスとしては、
ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8，Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ4等が好まし
く、特に好ましくはＣ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ4である。
【００１１】本発明に用いられるレーザー光源として
は、そのレーザー光により分解する原料ガスを用いれば
よいため、原理的には特に限定されないが、短波長、す
なわち高エネルギーのエキシマーレーザーをもちいるの
が好ましく、具体的には、ＸｅＦエキシマレーザー（波
長３１５ｎｍ，以下括弧内は発振波長を示す。）、Ｘｅ
Ｃｌエキシマレーザー（３０８ｎｍ）、ＸｅＢｒエキシ
マレーザー（２８２ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー
（２４９ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎ
ｍ）、Ｆ2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）等が用いら
れ、入手しやすく、波長の短い点より、ＡｒＦエキシマ
レーザーが特に好ましい。
は、そのレーザー光により分解する原料ガスを用いれば
よいため、原理的には特に限定されないが、短波長、す
なわち高エネルギーのエキシマーレーザーをもちいるの
が好ましく、具体的には、ＸｅＦエキシマレーザー（波
長３１５ｎｍ，以下括弧内は発振波長を示す。）、Ｘｅ
Ｃｌエキシマレーザー（３０８ｎｍ）、ＸｅＢｒエキシ
マレーザー（２８２ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー
（２４９ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎ
ｍ）、Ｆ2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）等が用いら
れ、入手しやすく、波長の短い点より、ＡｒＦエキシマ
レーザーが特に好ましい。
【００１２】本発明で用いるレーザー光の基板表面に対
する単位面積あたりのパルスエネルギーは、用いられる
レーザー光の波長や照射角、材料ガスの種類、圧力によ
り異なるので、特に限定されないが、例えばＡｒＦエキ
シマレーザーを用い、基板に垂直に照射し、材料ガス圧
が２Ｔｏｒｒの場合、５〜２０ｍＪ／ｃｍ2が好まし
い。２０ｍＪ／ｃｍ2を超えると成長させた薄膜の表面
が粗くなりやすい。レーザーパルスの繰り返し周波数
は、特に限定されないが、あまり低いと成長速度が遅く
なるので好ましくない。
する単位面積あたりのパルスエネルギーは、用いられる
レーザー光の波長や照射角、材料ガスの種類、圧力によ
り異なるので、特に限定されないが、例えばＡｒＦエキ
シマレーザーを用い、基板に垂直に照射し、材料ガス圧
が２Ｔｏｒｒの場合、５〜２０ｍＪ／ｃｍ2が好まし
い。２０ｍＪ／ｃｍ2を超えると成長させた薄膜の表面
が粗くなりやすい。レーザーパルスの繰り返し周波数
は、特に限定されないが、あまり低いと成長速度が遅く
なるので好ましくない。
【００１３】レーザー光の基板に対する照射角度は、レ
ーザー光が基板に照射されさえすれば特に限定されない
が、本発明においては、レーザー光を原料ガスの分解の
みならず、基板の表面を活性化するためにも使用してい
るので、４５〜９０°が好ましく、より好ましくは６０
〜９０°、最も好ましくは、９０°である。照射角が９
０°に近いほど、すなわち基板に対して垂直に近く照射
するほど、成長速度が速く、結晶性もよくなり、好まし
い。
ーザー光が基板に照射されさえすれば特に限定されない
が、本発明においては、レーザー光を原料ガスの分解の
みならず、基板の表面を活性化するためにも使用してい
るので、４５〜９０°が好ましく、より好ましくは６０
〜９０°、最も好ましくは、９０°である。照射角が９
０°に近いほど、すなわち基板に対して垂直に近く照射
するほど、成長速度が速く、結晶性もよくなり、好まし
い。
【００１４】本発明においては、基板の温度を２０〜８
００℃に保持する。高温では薄膜の結晶欠陥が増加し、
低温では生成した薄膜は粗いものになるので上記範囲が
適当である。良好なＳｉＣ薄膜を得るには、好ましくは
２０〜６００℃、特に好ましくは、２００〜５００℃に
保持するのがよい。
００℃に保持する。高温では薄膜の結晶欠陥が増加し、
低温では生成した薄膜は粗いものになるので上記範囲が
適当である。良好なＳｉＣ薄膜を得るには、好ましくは
２０〜６００℃、特に好ましくは、２００〜５００℃に
保持するのがよい。
【００１５】本発明における原料ガスの供給は、キャリ
アガス、シールドガス等を含む反応室内の全ガス圧で、
２．５Ｔｏｒｒ以下が好ましく、より好ましくは１〜２
Ｔｏｒｒである。
アガス、シールドガス等を含む反応室内の全ガス圧で、
２．５Ｔｏｒｒ以下が好ましく、より好ましくは１〜２
Ｔｏｒｒである。
【００１６】２．５Ｔｏｒｒを超えると成長した薄膜の
表面が微粒子に覆われたような粗い面になりやすく、均
一な表面が得られにくい。またあまり圧力が低いと成長
速度が遅くなりやすい。炭素源ガスとシリコン源ガスの
量比は、使用するレーザー光に対するそれぞれのガスの
光分解しやすさに影響されたため、単純に炭素とシリコ
ンの原子数の比が１：１になる組成にはならず、例えば
Ｃ2Ｈ2とＳｉ2Ｈ6を用いた場合、Ｓｉ2Ｈ6：Ｃ2Ｈ2＝
３：７〜３：１７が好ましく、より好ましくは１：４で
ある。
表面が微粒子に覆われたような粗い面になりやすく、均
一な表面が得られにくい。またあまり圧力が低いと成長
速度が遅くなりやすい。炭素源ガスとシリコン源ガスの
量比は、使用するレーザー光に対するそれぞれのガスの
光分解しやすさに影響されたため、単純に炭素とシリコ
ンの原子数の比が１：１になる組成にはならず、例えば
Ｃ2Ｈ2とＳｉ2Ｈ6を用いた場合、Ｓｉ2Ｈ6：Ｃ2Ｈ2＝
３：７〜３：１７が好ましく、より好ましくは１：４で
ある。
【００１７】本発明における原料ガスの供給方法は特に
限定されないが、供給した原料ガスが、なるべく基板付
近で光分解されるのが好ましく、具体的には、レーザー
光を基板に対して９０°で照射した場合、基板に対し平
行な方向から原料ガスを供給することが好ましい。
限定されないが、供給した原料ガスが、なるべく基板付
近で光分解されるのが好ましく、具体的には、レーザー
光を基板に対して９０°で照射した場合、基板に対し平
行な方向から原料ガスを供給することが好ましい。
【００１８】
【実施例】以下本発明を、実施例を用いて更に詳細に説
明するが、本発明は、その要旨を超えないかぎり、実施
例に限定されるものではない。
明するが、本発明は、その要旨を超えないかぎり、実施
例に限定されるものではない。
【００１９】
【実施例１、２、比較例１、２】基板として、３Ｃ構造
をもつＳｉ単結晶を用い、レーザー光源としてＡｒＦエ
キシマレーザー（波長１９３ｎｍ）を用い、図１に示す
装置を用い、レーザー光を９０°に照射するようにし
て、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を成長させた。薄膜形成プ
ロセスのダイヤグラムを図２に示す。また製造条件とそ
の結果を表１に示す。さらに、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ
ＲＤ測定の結果、回折角３５．６°に顕著なピークがみ
られ、３Ｃ−ＳｉＣであることが確認された。単位面積
当りのパルスエネルギーが１５ｍＪ／ｃｍ2を超える
と、成長した薄膜表面が、０．２μｍ程度の微粒子によ
り形成された粗い面になってしまい、緻密な薄膜が得ら
れなかった。
をもつＳｉ単結晶を用い、レーザー光源としてＡｒＦエ
キシマレーザー（波長１９３ｎｍ）を用い、図１に示す
装置を用い、レーザー光を９０°に照射するようにし
て、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を成長させた。薄膜形成プ
ロセスのダイヤグラムを図２に示す。また製造条件とそ
の結果を表１に示す。さらに、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ
ＲＤ測定の結果、回折角３５．６°に顕著なピークがみ
られ、３Ｃ−ＳｉＣであることが確認された。単位面積
当りのパルスエネルギーが１５ｍＪ／ｃｍ2を超える
と、成長した薄膜表面が、０．２μｍ程度の微粒子によ
り形成された粗い面になってしまい、緻密な薄膜が得ら
れなかった。
【００２０】
【実施例３〜５、比較例３、４】実施例１と同様の装置
を用い、表２に示す条件にて該装置を動かし、３Ｃ−Ｓ
ｉＣ単結晶薄膜を成長させた。結果を表２に示す。炉内
圧力、すなわち材料ガス濃度が、３Ｔｏｒｒを超える
と、パルスエネルギーが約１０ｍＪ／ｃｍ2の条件で
は、薄膜表面が、微粒子により形成された粗い面になっ
てしまう。これは材料ガスの濃度が高いため、気相中で
の反応が支配的になってしまい、気相中で成長したＳｉ
Ｃの微粒子が、堆積したためと考えられる。
を用い、表２に示す条件にて該装置を動かし、３Ｃ−Ｓ
ｉＣ単結晶薄膜を成長させた。結果を表２に示す。炉内
圧力、すなわち材料ガス濃度が、３Ｔｏｒｒを超える
と、パルスエネルギーが約１０ｍＪ／ｃｍ2の条件で
は、薄膜表面が、微粒子により形成された粗い面になっ
てしまう。これは材料ガスの濃度が高いため、気相中で
の反応が支配的になってしまい、気相中で成長したＳｉ
Ｃの微粒子が、堆積したためと考えられる。
【００２１】
【実施例６、７、比較例５、６】実施例１と同様の装置
を用い、表３に示す条件にて該装置を動かし、３Ｃ−Ｓ
ｉＣ単結晶薄膜を成長させた。結果を表３に示す。原料
ガスとしてＣ2Ｈ2とＳｉ 2Ｈ6を用いた場合、その量比
は、Ｓｉ2Ｈ6:Ｃ2Ｈ2＝３：７〜３：１７の範囲が好ま
しく、１：４のとき、ＳｉとＣの組成比が１：１になり
とくに好ましい。これはＳｉ源ガスとＣ源ガスの光分解
しやすさが異なることに起因すると考えれる。
を用い、表３に示す条件にて該装置を動かし、３Ｃ−Ｓ
ｉＣ単結晶薄膜を成長させた。結果を表３に示す。原料
ガスとしてＣ2Ｈ2とＳｉ 2Ｈ6を用いた場合、その量比
は、Ｓｉ2Ｈ6:Ｃ2Ｈ2＝３：７〜３：１７の範囲が好ま
しく、１：４のとき、ＳｉとＣの組成比が１：１になり
とくに好ましい。これはＳｉ源ガスとＣ源ガスの光分解
しやすさが異なることに起因すると考えれる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の製造方法により、ＳｉＣの単結
晶薄膜を低温で成長させることが可能で、格子欠陥や界
面不整合を起こしにくく、かつバッファ層を基板上に生
成させる工程の不要な、ＳｉＣ単結晶薄膜を容易に提供
することができる。
晶薄膜を低温で成長させることが可能で、格子欠陥や界
面不整合を起こしにくく、かつバッファ層を基板上に生
成させる工程の不要な、ＳｉＣ単結晶薄膜を容易に提供
することができる。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】
【表３】
【図１】 図１は、本発明のＳｉＣの単結晶薄膜の製造
方法にかかわる装置の説明図である。
方法にかかわる装置の説明図である。
【図２】 図２は、本発明の実施例において用いた基板
温度と処理時間及び供給したガスの種類を示すダイヤグ
ラムである。 １：反応室 ２：真空ポンプ ３：基板 ４：ステージ
５：ヒーター ６：材料ガス供給管 ７：材料ガスボンベ ８：レーザ
ー光 ９：ウィンドウ １０：シールドガス供給管
温度と処理時間及び供給したガスの種類を示すダイヤグ
ラムである。 １：反応室 ２：真空ポンプ ３：基板 ４：ステージ
５：ヒーター ６：材料ガス供給管 ７：材料ガスボンベ ８：レーザ
ー光 ９：ウィンドウ １０：シールドガス供給管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C30B 25/02 C30B 29/36
Claims (4)
- 【請求項１】 炭素源及びシリコン源となる原料ガス
を含有する材料ガスを、基板上に送り、該基板上におい
て該原料ガスを分解させ、該基板上にＳｉＣの薄膜を成
長させる方法において、該基板の温度が、２０〜８００
℃であり、該原料ガスの分解をレーザー光で行い、かつ
該レーザー光が該基板を照射することを特徴とするＳｉ
Ｃ単結晶薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 該レーザー光が、該基板に対し、４５
〜９０°の角度で該基板を照射する請求項１記載のＳｉ
Ｃ単結晶薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 該基板の温度が、２０〜６００℃の範囲
に有ることを特徴とする請求項１または２記載のＳｉＣ
単結晶薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 該基板の温度が、２００〜５００℃の範
囲に有ることを特徴とする請求項１または２記載のＳｉ
Ｃ単結晶薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03243817A JP3141441B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | レーザーによるＳｉＣ結晶膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03243817A JP3141441B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | レーザーによるＳｉＣ結晶膜の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750261A JPH0750261A (ja) | 1995-02-21 |
| JP3141441B2 true JP3141441B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=17109372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03243817A Expired - Fee Related JP3141441B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | レーザーによるＳｉＣ結晶膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3141441B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5267370B2 (ja) | 2009-07-23 | 2013-08-21 | ブラザー工業株式会社 | 光スキャナ |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP03243817A patent/JP3141441B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750261A (ja) | 1995-02-21 |
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