JP3142943B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JP3142943B2 JP3142943B2 JP04055953A JP5595392A JP3142943B2 JP 3142943 B2 JP3142943 B2 JP 3142943B2 JP 04055953 A JP04055953 A JP 04055953A JP 5595392 A JP5595392 A JP 5595392A JP 3142943 B2 JP3142943 B2 JP 3142943B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関す
る。特に、画素毎にバッファ回路を有するリニアイメー
ジセンサに関する。
る。特に、画素毎にバッファ回路を有するリニアイメー
ジセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のリニアイメージセンサとしては、
ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃ
ｅ）リニアイメージセンサ、あるいはアモルファスシリ
コンを用いた密着型イメージセンサが実用化されてい
る。
ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃ
ｅ）リニアイメージセンサ、あるいはアモルファスシリ
コンを用いた密着型イメージセンサが実用化されてい
る。
【０００３】上述のＣＣＤセンサの場合は、一般にＣＣ
Ｄアナログシフトレジスタを用いて信号の読みだしを行
っているため、製造工程が複雑であり、高価になってし
まうという欠点があった。一方、アモルファスシリコン
を用いた密着型イメージセンサの場合は出力が光電流と
いう形で得られるため、適当な積分器を外付にする必要
があると共に十分なＳ／Ｎ比が得られないという欠点が
あった。
Ｄアナログシフトレジスタを用いて信号の読みだしを行
っているため、製造工程が複雑であり、高価になってし
まうという欠点があった。一方、アモルファスシリコン
を用いた密着型イメージセンサの場合は出力が光電流と
いう形で得られるため、適当な積分器を外付にする必要
があると共に十分なＳ／Ｎ比が得られないという欠点が
あった。
【０００４】上記欠点を解決する従来の技術として、特
開平２−１３１６８１に示されるような画素毎にバッフ
ァ回路を有するリニアイメージセンサがある。以下、
［図８］〜［図１０］を参照して画素毎にバッファ回路
を有するリニアイメージセンサ（以下、アクティブ型セ
ンサと略記する）を説明する。
開平２−１３１６８１に示されるような画素毎にバッフ
ァ回路を有するリニアイメージセンサがある。以下、
［図８］〜［図１０］を参照して画素毎にバッファ回路
を有するリニアイメージセンサ（以下、アクティブ型セ
ンサと略記する）を説明する。
【０００５】［図８］にリニアイメージセンサの複数
（例えば４３６個）の光電変換セルのうちｉ−１番目、
ｉ番目、ｉ＋１番目を抜出して示している。ｉ番目の光
電変換セルは感光画素、容量手段、選択手段からなる。
感光画素は一定時間内の入射光量に応じた信号電荷をノ
ードＮに発生するフォトダイオードＤi からなる。容量
手段はフォトダイオードＤi が発生する電荷量を電圧に
変換するキャパシタＣiからなる。選択手段はゲートが
ノードＲi に、ドレインが１２Ｖの電位に、ソースがノ
ードＮに接続されたしきい値が例えば−３ＶのＭＯＳト
ランジスタＭＲi、ノードＮの電位を高入力インピーダ
ンスで受けて低出力インピーダンスで出力するバッファ
Ｂi 、ゲートがバッファＢi の出力に、ドレインが１２
Ｖの電位に接続されたＭＯＳトランジスタＭＢi 、ＭＯ
ＳトランジスタＭＢi のソースと共通出力ライン１０１
との間にソース・ドレインが接続されゲートがノードＳ
i に接続されたＭＯＳトランジスタＭＡi からなる。共
通出力ライン１０１には定電流源１０３が接続されてい
る。また、共通出力ライン１０１の電位は出力バッファ
１０５を通じて出力ノードＯに出力される。
（例えば４３６個）の光電変換セルのうちｉ−１番目、
ｉ番目、ｉ＋１番目を抜出して示している。ｉ番目の光
電変換セルは感光画素、容量手段、選択手段からなる。
感光画素は一定時間内の入射光量に応じた信号電荷をノ
ードＮに発生するフォトダイオードＤi からなる。容量
手段はフォトダイオードＤi が発生する電荷量を電圧に
変換するキャパシタＣiからなる。選択手段はゲートが
ノードＲi に、ドレインが１２Ｖの電位に、ソースがノ
ードＮに接続されたしきい値が例えば−３ＶのＭＯＳト
ランジスタＭＲi、ノードＮの電位を高入力インピーダ
ンスで受けて低出力インピーダンスで出力するバッファ
Ｂi 、ゲートがバッファＢi の出力に、ドレインが１２
Ｖの電位に接続されたＭＯＳトランジスタＭＢi 、ＭＯ
ＳトランジスタＭＢi のソースと共通出力ライン１０１
との間にソース・ドレインが接続されゲートがノードＳ
i に接続されたＭＯＳトランジスタＭＡi からなる。共
通出力ライン１０１には定電流源１０３が接続されてい
る。また、共通出力ライン１０１の電位は出力バッファ
１０５を通じて出力ノードＯに出力される。
【０００６】次に、［図８］に示した回路の動作を［図
９］を参照して説明する。ノードＲi に印加されるリセ
ットパルスφRi、ノードＳi に印加される選択パルスφ
Siは［図９］に示すような波形である。
９］を参照して説明する。ノードＲi に印加されるリセ
ットパルスφRi、ノードＳi に印加される選択パルスφ
Siは［図９］に示すような波形である。
【０００７】ＭＯＳトランジスタＭＲi がオフしてから
十分な時間がたつと一定時間内の入射光量に応じた電圧
がノードＮにあらわれる。時刻ｔ0 で選択パルスφSiが
立上がると、バッファＢi が作動し、ノードＮの電圧が
ＭＯＳトランジスタＭＢi のゲートに印加される。ま
た、ＭＯＳトランジスタＭＡi がオンとなるため、ノー
ドＮの電位に応じた信号が共通出力ライン１０１に選択
的に伝達される。すなわち、ＭＯＳトランジスタＭＢi
のソース電位はゲートへの印加電圧すなわちノードＮの
電位に応じて定るため、出力ノードＯに一定時間内の入
射光量に応じた電圧が出力される。出力ノードＯの電位
をφO で示した。
十分な時間がたつと一定時間内の入射光量に応じた電圧
がノードＮにあらわれる。時刻ｔ0 で選択パルスφSiが
立上がると、バッファＢi が作動し、ノードＮの電圧が
ＭＯＳトランジスタＭＢi のゲートに印加される。ま
た、ＭＯＳトランジスタＭＡi がオンとなるため、ノー
ドＮの電位に応じた信号が共通出力ライン１０１に選択
的に伝達される。すなわち、ＭＯＳトランジスタＭＢi
のソース電位はゲートへの印加電圧すなわちノードＮの
電位に応じて定るため、出力ノードＯに一定時間内の入
射光量に応じた電圧が出力される。出力ノードＯの電位
をφO で示した。
【０００８】時刻ｔ1 でリセットパルスφRiが立上がる
と、ＭＯＳトランジスタＭＲi はしきい値が−３Ｖに設
定してあるためオンし、ノードＮに１２Ｖが印加され
る。したがって、ノードＮの電圧φN はステップ状に立
上がる。これに応じて出力ノードＯの電位φO もステッ
プ状に立上がる。
と、ＭＯＳトランジスタＭＲi はしきい値が−３Ｖに設
定してあるためオンし、ノードＮに１２Ｖが印加され
る。したがって、ノードＮの電圧φN はステップ状に立
上がる。これに応じて出力ノードＯの電位φO もステッ
プ状に立上がる。
【０００９】時刻ｔ2 でリセットパルスφRiが立ち下が
るとＭＯＳトランジスタＭＲi は−３Ｖのしきい値とい
えどもオフし、ソース・ゲート間の寄生容量によりノー
ドＮの電位φN はわずかに立ち下がり一定電位に落ちつ
く。これに応じて出力ノードＯの電位φO もある一定電
位に落ちつく。
るとＭＯＳトランジスタＭＲi は−３Ｖのしきい値とい
えどもオフし、ソース・ゲート間の寄生容量によりノー
ドＮの電位φN はわずかに立ち下がり一定電位に落ちつ
く。これに応じて出力ノードＯの電位φO もある一定電
位に落ちつく。
【００１０】時刻ｔ3 で選択パルスφSiが立ち下がる
と、ＭＯＳトランジスタＭＡi がオフする。したがっ
て、全てのセルの対応するＭＯＳトランジスタＭＡi が
オフするので、出力ノードＯの電位φO が立ち下がる。
と、ＭＯＳトランジスタＭＡi がオフする。したがっ
て、全てのセルの対応するＭＯＳトランジスタＭＡi が
オフするので、出力ノードＯの電位φO が立ち下がる。
【００１１】ここで、時刻ｔ0 から時刻ｔ1 の出力ノー
ドＯの電位φO と時刻ｔ2 から時刻ｔ3 の出力ノードＯ
の電位φO との差電圧１０７がｉ番目の感光画素が検知
した信号出力である。
ドＯの電位φO と時刻ｔ2 から時刻ｔ3 の出力ノードＯ
の電位φO との差電圧１０７がｉ番目の感光画素が検知
した信号出力である。
【００１２】以上ｉ番目の感光画素が検知した信号を出
力する様子を示した。［図９］に示したように光電変換
セルｉ−１、ｉ＋１に入力される選択パルスφSi-1、φ
Si+1は重なりが無いので、共通出力ライン１０１に同時
に二つ以上のセルからの出力が伝達されることがなく、
各光電変換セルに対して上記の動作を順次行うことで時
系列的な信号出力が得られる。
力する様子を示した。［図９］に示したように光電変換
セルｉ−１、ｉ＋１に入力される選択パルスφSi-1、φ
Si+1は重なりが無いので、共通出力ライン１０１に同時
に二つ以上のセルからの出力が伝達されることがなく、
各光電変換セルに対して上記の動作を順次行うことで時
系列的な信号出力が得られる。
【００１３】［図１０］に上記したようなリニアイメー
ジセンサの断面図の一部を示す。Ｐ型半導体基板２０１
表面にＮ型半導体領域２０３と高濃度のＰ型半導体領域
２０５からなるフォトダイオード２０４と、Ｎ型半導体
領域２０３と高濃度Ｎ型半導体領域２０８をソース・ド
レイン領域とし、ポリシリコン電極２０９をゲートとす
るＭＯＳトランジスタ２０６とが形成されている。フォ
トダイオード２０４が［図８］のＤi に相当し、ＭＯＳ
トランジスタ２０６がＭＯＳトランジスタＭＲi に相当
する。キャパシタＣi は高濃度Ｎ型半導体領域２０７と
Ｐ型半導体基板２０１の接合部に形成されている。
ジセンサの断面図の一部を示す。Ｐ型半導体基板２０１
表面にＮ型半導体領域２０３と高濃度のＰ型半導体領域
２０５からなるフォトダイオード２０４と、Ｎ型半導体
領域２０３と高濃度Ｎ型半導体領域２０８をソース・ド
レイン領域とし、ポリシリコン電極２０９をゲートとす
るＭＯＳトランジスタ２０６とが形成されている。フォ
トダイオード２０４が［図８］のＤi に相当し、ＭＯＳ
トランジスタ２０６がＭＯＳトランジスタＭＲi に相当
する。キャパシタＣi は高濃度Ｎ型半導体領域２０７と
Ｐ型半導体基板２０１の接合部に形成されている。
【００１４】キャパシタＣi は高濃度のＮ型半導体領域
２０７をふくむＰＮ接合で形成されているため光が入射
しなくても暗電流が生じ、これにより生じた電荷がキャ
パシタＣi で電圧変換され信号成分に暗時出力とてい
る。したがって、この部分の暗時出力は極めて大きく固
体撮像装置を低照度で用いる場合画質を大きく損ねると
いう欠点がある。
２０７をふくむＰＮ接合で形成されているため光が入射
しなくても暗電流が生じ、これにより生じた電荷がキャ
パシタＣi で電圧変換され信号成分に暗時出力とてい
る。したがって、この部分の暗時出力は極めて大きく固
体撮像装置を低照度で用いる場合画質を大きく損ねると
いう欠点がある。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
のアクティブ型センサは暗時出力が大きく低照度で用い
る際に画質を大きく損ねるという欠点があった。本発明
は、上記欠点を除去し暗時出力の小さいアクティブ型セ
ンサを提供することを目的とする。
のアクティブ型センサは暗時出力が大きく低照度で用い
る際に画質を大きく損ねるという欠点があった。本発明
は、上記欠点を除去し暗時出力の小さいアクティブ型セ
ンサを提供することを目的とする。
【００１６】
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願では、 入射光量に応じた電圧を出力する複数の
光電変換セルと、前記複数の光電変換セルを選択し選択
された光電変換セルの出力を外部に出力する選択手段を
具備する固体撮像装置において、ｉ‐１番目の前記光電
変換セルにｉ−1番目の第１、第２の制御信号を入力し
た後、ｉ番目の前記光電変換セルにｉ番目の第１、第２
の制御信号を入力する信号発生手段を具備し、ｉ番目の
前記光電変換セルが入射光量に応じた信号電荷を発生す
る感光画素と、電荷量を電圧に変換する容量手段と、ｉ
‐１番目の第２の制御信号に応答して前記容量手段の電
位を所定値にするリセット手段と、ｉ番目の第１の制御
信号に応答して前記感光画素の信号電荷を前記容量手段
に移送する移送手段とを有し、前記感光画素の一端に所
定の電位が供給され、他端に前記移送手段のみ接続され
ていることを特徴とする固体撮像装置を提供する。
に、本願では、 入射光量に応じた電圧を出力する複数の
光電変換セルと、前記複数の光電変換セルを選択し選択
された光電変換セルの出力を外部に出力する選択手段を
具備する固体撮像装置において、ｉ‐１番目の前記光電
変換セルにｉ−1番目の第１、第２の制御信号を入力し
た後、ｉ番目の前記光電変換セルにｉ番目の第１、第２
の制御信号を入力する信号発生手段を具備し、ｉ番目の
前記光電変換セルが入射光量に応じた信号電荷を発生す
る感光画素と、電荷量を電圧に変換する容量手段と、ｉ
‐１番目の第２の制御信号に応答して前記容量手段の電
位を所定値にするリセット手段と、ｉ番目の第１の制御
信号に応答して前記感光画素の信号電荷を前記容量手段
に移送する移送手段とを有し、前記感光画素の一端に所
定の電位が供給され、他端に前記移送手段のみ接続され
ていることを特徴とする固体撮像装置を提供する。
【００１８】また、入射光量に応じた電圧を出力する複
数の光電変換セルと、前記複数の光電変換セルを選択し
選択された光電変換セルの出力を外部に出力する選択手
段を具備する固体撮像装置において、ｉ‐１番目の前記
光電変換セルにｉ−1番目の制御信号を入力した後、ｉ
番目の前記光電変換セルにｉ番目の制御信号を入力する
信号発生手段を具備し、ｉ番目の前記光電変換セルが入
射光量に応じた信号電荷を発生する感光画素と、電荷量
を電圧に変換する容量手段と、ｉ‐１番目の制御信号に
応答して前記容量手段の電位を所定値にするリセット手
段と、ｉ番目の制御信号に応答して前記感光画素の信号
電荷を前記容量手段に移送する移送手段とを有し、前記
感光画素の一端に所定の電位が供給され、他端に前記移
送手段のみ接続されていることを特徴とする固体撮像装
置を提供する。また、前記移送手段が導通した際、前記
感光画素で発生した信号電荷の全てが前記容量手段に移
送される事を特徴とする固体撮像装置を提供する。ま
た、前記移送手段は、前記ｉ番目の第１の制御信号、若
しく、前記ｉ番目の制御信号に応答して前記感光画素で
発生した信号電荷を前記容量手段に移送し、かつ、前記
移送手段は、電流経路の一端が前記感光画素に接続され
た第一のＭＯＳトランジスタと、電流経路の一端が前記
第一のＭＯＳトランジスタの電流経路の他端に接続さ
れ、他端が前記容量手段に接続され、ゲート電極に所定
の定電圧が供給された第二のＭＯＳトランジスタを有す
る事を特徴とする固体撮像装置を提供する。
数の光電変換セルと、前記複数の光電変換セルを選択し
選択された光電変換セルの出力を外部に出力する選択手
段を具備する固体撮像装置において、ｉ‐１番目の前記
光電変換セルにｉ−1番目の制御信号を入力した後、ｉ
番目の前記光電変換セルにｉ番目の制御信号を入力する
信号発生手段を具備し、ｉ番目の前記光電変換セルが入
射光量に応じた信号電荷を発生する感光画素と、電荷量
を電圧に変換する容量手段と、ｉ‐１番目の制御信号に
応答して前記容量手段の電位を所定値にするリセット手
段と、ｉ番目の制御信号に応答して前記感光画素の信号
電荷を前記容量手段に移送する移送手段とを有し、前記
感光画素の一端に所定の電位が供給され、他端に前記移
送手段のみ接続されていることを特徴とする固体撮像装
置を提供する。また、前記移送手段が導通した際、前記
感光画素で発生した信号電荷の全てが前記容量手段に移
送される事を特徴とする固体撮像装置を提供する。ま
た、前記移送手段は、前記ｉ番目の第１の制御信号、若
しく、前記ｉ番目の制御信号に応答して前記感光画素で
発生した信号電荷を前記容量手段に移送し、かつ、前記
移送手段は、電流経路の一端が前記感光画素に接続され
た第一のＭＯＳトランジスタと、電流経路の一端が前記
第一のＭＯＳトランジスタの電流経路の他端に接続さ
れ、他端が前記容量手段に接続され、ゲート電極に所定
の定電圧が供給された第二のＭＯＳトランジスタを有す
る事を特徴とする固体撮像装置を提供する。
【００１９】
【作用】本発明で提供する手段を用いると、各光電変換
セルにリセット手段があり、第１の制御信号に応じて容
量手段に蓄積された電荷を排出し、その電位を所定値に
するため暗電流によって生じた電荷が実質的にすべて排
出されることとなる。その後、第２の制御パルスで感光
画素の信号電荷を容量手段に移送し、この電荷を電圧に
変換することにより暗時出力の小さい出力信号を得るこ
とが出来る。
セルにリセット手段があり、第１の制御信号に応じて容
量手段に蓄積された電荷を排出し、その電位を所定値に
するため暗電流によって生じた電荷が実質的にすべて排
出されることとなる。その後、第２の制御パルスで感光
画素の信号電荷を容量手段に移送し、この電荷を電圧に
変換することにより暗時出力の小さい出力信号を得るこ
とが出来る。
【００２０】シフトレジスタなどの信号発生手段に接続
されて各光電変換セルを用いる場合、信号発生手段がｉ
−１番目の光電変換セルに入力するｉ−１番目の制御信
号をｉ番目の光電変換セルのリセットに用い、ｉ番目の
制御信号を電荷移送にそれぞれ用いる。したがって、暗
時電流により生じた電荷を排出してから感光画素の信号
電荷を容量手段で電圧に変換するので暗時出力の小さい
出力信号を得ることが出来る。
されて各光電変換セルを用いる場合、信号発生手段がｉ
−１番目の光電変換セルに入力するｉ−１番目の制御信
号をｉ番目の光電変換セルのリセットに用い、ｉ番目の
制御信号を電荷移送にそれぞれ用いる。したがって、暗
時電流により生じた電荷を排出してから感光画素の信号
電荷を容量手段で電圧に変換するので暗時出力の小さい
出力信号を得ることが出来る。
【００２１】
【実施例】以下、［図１］〜［図３］を参照して本発明
の第１の実施例を説明する。
の第１の実施例を説明する。
【００２２】［図１］に第１の実施例のリニアイメージ
センサの複数（例えば４３６個）の光電変換セルのうち
ｉ−１番目、ｉ番目、ｉ＋１番目を抜出して示す。ｉ番
目の光電変換セルは感光画素、容量手段、リセット手
段、移送手段、選択手段からなる。感光画素は一定時間
内の入射光量に応じた信号電荷をノードＭ’に発生する
フォトダイオードＤ’i からなる。容量手段はノード
Ｎ’の電荷量を電圧に変換するキャパシタＣ’i からな
る。リセット手段はゲートがノードＳ’i-1 にドレイン
が１２Ｖの電位に、ソースがノードＮ’にそれぞれ接続
されたしきい値が−３ＶのＭＯＳトランジスタＭＲ’i
からなる。移送手段はノードＭ’とノードＮ’との間に
ソース・ドレインを接続しノードＲ’i にゲートが接続
されたＭＯＳトランジスタＭＴi からなる。選択手段
は、ノードＮ’の電位を高入力インピーダンスで受けて
低出力インピーダンスで出力するバッファＢ’i 、ゲー
トがバッファＢ’i の出力にドレインが１２Ｖの電位に
接続されたＭＯＳトランジスタＭＢ’i 、ＭＯＳトラン
ジスタＭＢ’i のソースと共通出力ライン２０１との間
にソース・ドレインが接続されゲートがノードＳ’i に
接続されたＭＯＳトランジスタＭＡ’i からなる。共通
出力ライン２０１には定電流源２０３が接続されてい
る。また、共通出力ライン２０１の電位は出力バッファ
２０５を通じて出力ノードＯ’に出力される。
センサの複数（例えば４３６個）の光電変換セルのうち
ｉ−１番目、ｉ番目、ｉ＋１番目を抜出して示す。ｉ番
目の光電変換セルは感光画素、容量手段、リセット手
段、移送手段、選択手段からなる。感光画素は一定時間
内の入射光量に応じた信号電荷をノードＭ’に発生する
フォトダイオードＤ’i からなる。容量手段はノード
Ｎ’の電荷量を電圧に変換するキャパシタＣ’i からな
る。リセット手段はゲートがノードＳ’i-1 にドレイン
が１２Ｖの電位に、ソースがノードＮ’にそれぞれ接続
されたしきい値が−３ＶのＭＯＳトランジスタＭＲ’i
からなる。移送手段はノードＭ’とノードＮ’との間に
ソース・ドレインを接続しノードＲ’i にゲートが接続
されたＭＯＳトランジスタＭＴi からなる。選択手段
は、ノードＮ’の電位を高入力インピーダンスで受けて
低出力インピーダンスで出力するバッファＢ’i 、ゲー
トがバッファＢ’i の出力にドレインが１２Ｖの電位に
接続されたＭＯＳトランジスタＭＢ’i 、ＭＯＳトラン
ジスタＭＢ’i のソースと共通出力ライン２０１との間
にソース・ドレインが接続されゲートがノードＳ’i に
接続されたＭＯＳトランジスタＭＡ’i からなる。共通
出力ライン２０１には定電流源２０３が接続されてい
る。また、共通出力ライン２０１の電位は出力バッファ
２０５を通じて出力ノードＯ’に出力される。
【００２３】次に、［図１］に示した回路の動作を［図
２］を参照して説明する。Ｒ’i に印加される移送パル
スφR ' i 、Ｓ’i に印加される選択パルスφS ' i は
［図２］に示すような波形である。
２］を参照して説明する。Ｒ’i に印加される移送パル
スφR ' i 、Ｓ’i に印加される選択パルスφS ' i は
［図２］に示すような波形である。
【００２４】時刻ｔ0 で選択パルスφS ' i-1 が立上が
りノードＳ’i-1 に１２Ｖの電圧が印加されると、ＭＯ
ＳトランジスタＭＲ’i はしきい値が−３Ｖに設定して
あるためオンし、ノードＮ’に１２Ｖが印加される。こ
れにより、ノードＮから電荷が排出されるため、ノード
Ｎ’の電圧φN ’はステップ状に立上がる。
りノードＳ’i-1 に１２Ｖの電圧が印加されると、ＭＯ
ＳトランジスタＭＲ’i はしきい値が−３Ｖに設定して
あるためオンし、ノードＮ’に１２Ｖが印加される。こ
れにより、ノードＮから電荷が排出されるため、ノード
Ｎ’の電圧φN ’はステップ状に立上がる。
【００２５】時刻ｔ1 で選択パルスφS ' i-1 が立ち下
がるとＭＯＳトランジスタＭＲ’iは−３Ｖのしきい値
といえどもオフし、ソース・ゲート間の寄生容量により
ノードＮ’の電位φN ’はわずかに立ち下がり一定電位
に落ちつく。
がるとＭＯＳトランジスタＭＲ’iは−３Ｖのしきい値
といえどもオフし、ソース・ゲート間の寄生容量により
ノードＮ’の電位φN ’はわずかに立ち下がり一定電位
に落ちつく。
【００２６】時刻ｔ2 で選択パルスφS ' i が立上がる
とバッファＢ’i が動作し、ノードＮ’の電圧がＭＯＳ
トランジスタＭＢ’i のゲートに印加される。また、Ｍ
ＯＳトランジスタＭＡ’i がオンとなる。ＭＯＳトラン
ジスタＭＢ’i のソース電位はゲートへの印加電圧すな
わちノードＮ’の電圧によって変化するため、出力ノー
ドＯ’にはＭＯＳトランジスタＭＢ’i のソース電位に
応じた電圧が出力される。
とバッファＢ’i が動作し、ノードＮ’の電圧がＭＯＳ
トランジスタＭＢ’i のゲートに印加される。また、Ｍ
ＯＳトランジスタＭＡ’i がオンとなる。ＭＯＳトラン
ジスタＭＢ’i のソース電位はゲートへの印加電圧すな
わちノードＮ’の電圧によって変化するため、出力ノー
ドＯ’にはＭＯＳトランジスタＭＢ’i のソース電位に
応じた電圧が出力される。
【００２７】時刻ｔ3 で移送パルスφR ' i が立上がる
とＭＯＳトランジスタＭＴi がオンし、フォトダイオー
ドＤ’i により一定時間内に発生した電荷がキャパシタ
Ｃ’i に移送される。ここで、ＭＯＳトランジスタＭＴ
i のソース・ゲート間の寄生容量によりノードＮ’の電
位φN ’はわずかに上昇する。
とＭＯＳトランジスタＭＴi がオンし、フォトダイオー
ドＤ’i により一定時間内に発生した電荷がキャパシタ
Ｃ’i に移送される。ここで、ＭＯＳトランジスタＭＴ
i のソース・ゲート間の寄生容量によりノードＮ’の電
位φN ’はわずかに上昇する。
【００２８】時刻ｔ4 で移送パルスφR ' i が立ち下が
るとキャパシタＣ’i の電荷の移送が終了し、移送され
た総電荷量に対応した電圧変化が上記キャパシタ端子に
引き起される。したがって、ノードＮ’の電位φN ’、
さらには出力ノードＯ’の電位φO ’には一定時間内の
入射光量に応じた信号が出力される。
るとキャパシタＣ’i の電荷の移送が終了し、移送され
た総電荷量に対応した電圧変化が上記キャパシタ端子に
引き起される。したがって、ノードＮ’の電位φN ’、
さらには出力ノードＯ’の電位φO ’には一定時間内の
入射光量に応じた信号が出力される。
【００２９】時刻ｔ5 で選択パルスφS ' i が立ち下が
ると、ＭＯＳトランジスタＭＡ’iがすべてオフし、全
てのセルの対応するＭＯＳトランジスタＭＡi がオフす
るので、出力ノードＯ’の電位φO ’が立ち下がる。
ると、ＭＯＳトランジスタＭＡ’iがすべてオフし、全
てのセルの対応するＭＯＳトランジスタＭＡi がオフす
るので、出力ノードＯ’の電位φO ’が立ち下がる。
【００３０】ここで、時刻ｔ2 から時刻ｔ3 の出力ノー
ドＯ’の電位φO ’と時刻ｔ4 から時刻ｔ5 の出力ノー
ドＯ’の電位φO ’との差電圧３０７がｉ番目の感光画
素が検知した信号出力である。
ドＯ’の電位φO ’と時刻ｔ4 から時刻ｔ5 の出力ノー
ドＯ’の電位φO ’との差電圧３０７がｉ番目の感光画
素が検知した信号出力である。
【００３１】以上ｉ番目の感光画素が検知した信号を出
力する様子を示した。［図２］に示したように光電変換
セルｉ−１、ｉ＋１に入力される選択パルス
φS ' i-1 、φS ' i+1 は重なりが無いので、共通出力
ライン３０１に同時に二つ以上のセルからの出力が伝達
されることなく、各光電変換セルに対して上記の動作を
順次行うことで時系列的な信号出力が得られる。
力する様子を示した。［図２］に示したように光電変換
セルｉ−１、ｉ＋１に入力される選択パルス
φS ' i-1 、φS ' i+1 は重なりが無いので、共通出力
ライン３０１に同時に二つ以上のセルからの出力が伝達
されることなく、各光電変換セルに対して上記の動作を
順次行うことで時系列的な信号出力が得られる。
【００３２】［図３］に上記したようなリニアイメージ
センサの断面図の一部を示す。Ｐ型半導体基板４０１表
面にＮ型半導体領域４０３と高濃度のＰ型半導体領域４
０５からなるフォトダイオード４０４と、Ｎ型半導体領
域４０３及び高濃度Ｎ型半導体領域４０８をソース・ド
レイン領域とし、ポリシリコン電極４０９をゲートとす
るＭＯＳトランジスタ４０６とが形成されている。さら
に、高濃度Ｎ型半導体領域４０８、４１１をソース・ド
レイン領域とし、ポリシリコン電極４１３をゲートとす
るＭＯＳトランジスタ４１５が形成されている。フォト
ダイオード４０４が［図１］のＤ’i に相当し、ＭＯＳ
トランジスタ４０６がＭＯＳトランジスタＭＴi に、Ｍ
ＯＳトランジスタ４１５がＭＯＳトランジスタＭＲ’i
に相当する。キャパシタＣ’i は高濃度Ｎ型半導体領域
４０８とＰ型半導体基板４０１の接合部に形成されてい
る。
センサの断面図の一部を示す。Ｐ型半導体基板４０１表
面にＮ型半導体領域４０３と高濃度のＰ型半導体領域４
０５からなるフォトダイオード４０４と、Ｎ型半導体領
域４０３及び高濃度Ｎ型半導体領域４０８をソース・ド
レイン領域とし、ポリシリコン電極４０９をゲートとす
るＭＯＳトランジスタ４０６とが形成されている。さら
に、高濃度Ｎ型半導体領域４０８、４１１をソース・ド
レイン領域とし、ポリシリコン電極４１３をゲートとす
るＭＯＳトランジスタ４１５が形成されている。フォト
ダイオード４０４が［図１］のＤ’i に相当し、ＭＯＳ
トランジスタ４０６がＭＯＳトランジスタＭＴi に、Ｍ
ＯＳトランジスタ４１５がＭＯＳトランジスタＭＲ’i
に相当する。キャパシタＣ’i は高濃度Ｎ型半導体領域
４０８とＰ型半導体基板４０１の接合部に形成されてい
る。
【００３３】キャパシタＣ’i はＰＮ接合で形成されて
いるため光が入射しなくても暗電流が生じ、これにより
生じた電荷がキャパシタＣ’i で電圧変換され暗時出力
が生じる。しかし、ＭＯＳトランジスタＭＲ’i に相当
するＭＯＳトランジスタ４０６がキャパシタＣ’i のリ
セット手段として働き、ＭＯＳトランジスタ４０６がオ
ンするとキャパシタＣ’i に生じた電荷を放出し、暗電
流出力をクリアする。
いるため光が入射しなくても暗電流が生じ、これにより
生じた電荷がキャパシタＣ’i で電圧変換され暗時出力
が生じる。しかし、ＭＯＳトランジスタＭＲ’i に相当
するＭＯＳトランジスタ４０６がキャパシタＣ’i のリ
セット手段として働き、ＭＯＳトランジスタ４０６がオ
ンするとキャパシタＣ’i に生じた電荷を放出し、暗電
流出力をクリアする。
【００３４】［図４］にＭＯＳトランジスタ４０６がオ
ンになり電荷の移送を行っている時のポテンシャル図を
示す。ＭＯＳトランジスタ４０６がオンになるとチャネ
ル部のポテンシャルエネルギーが低下し、フォトダイオ
ード４０４で生じた電荷がポテンシャルの低い高濃度Ｎ
型半導体領域４０８に流れ込む。ここで、電荷量が電圧
に変換される。
ンになり電荷の移送を行っている時のポテンシャル図を
示す。ＭＯＳトランジスタ４０６がオンになるとチャネ
ル部のポテンシャルエネルギーが低下し、フォトダイオ
ード４０４で生じた電荷がポテンシャルの低い高濃度Ｎ
型半導体領域４０８に流れ込む。ここで、電荷量が電圧
に変換される。
【００３５】以上、第１の実施例を説明してきた。各光
電変換セルにリセット手段があり、選択パルスφ
S ' i-1 に応じてＭＯＳトランジスタＭＲ’i がオンし
容量手段に蓄積された電荷量を一定値にする。つまり、
暗電流によって生じた電荷がすべて排出され、暗時電流
出力をクリアする。その後、移送パルスφR ' i に応じ
てＭＯＳトランジスタＭＴi がオンし感光画素の信号電
荷を容量手段に移送し、この電荷を電圧に変換する。こ
のようにすると暗時出力の小さい出力信号を得ることが
出来る。また、リセット手段を制御する信号として選択
パルスφS ' i-1 を用いるので従来と同様のシフトレジ
スタを用いることが出来、回路が複雑化することがな
い。
電変換セルにリセット手段があり、選択パルスφ
S ' i-1 に応じてＭＯＳトランジスタＭＲ’i がオンし
容量手段に蓄積された電荷量を一定値にする。つまり、
暗電流によって生じた電荷がすべて排出され、暗時電流
出力をクリアする。その後、移送パルスφR ' i に応じ
てＭＯＳトランジスタＭＴi がオンし感光画素の信号電
荷を容量手段に移送し、この電荷を電圧に変換する。こ
のようにすると暗時出力の小さい出力信号を得ることが
出来る。また、リセット手段を制御する信号として選択
パルスφS ' i-1 を用いるので従来と同様のシフトレジ
スタを用いることが出来、回路が複雑化することがな
い。
【００３６】ところで、［図４］にはフォトダイオード
Ｄ’i のＮ型拡散領域４０３が完全空乏状態のときの電
荷の移送を示した。このとき、ＭＯＳトランジスタ４０
６がオンになるとＮ型拡散領域４０３に蓄積された電荷
すべてが高濃度Ｎ型拡散領域４０８に移送される。ここ
で、Ｎ型半導体領域４０３の不純物濃度が高い場合な
ど、Ｎ型半導体領域４０３が完全空乏層状態でない場合
でも第１の実施例の効果はかわりないことをつけ加え
る。このとき、Ｎ型半導体領域４０３の［図４］におけ
るポテンシャル井戸はＭＯＳトランジスタ４０６のオン
状態のチャネルのポテンシャルよりも深くなる。フォト
ダイオードＤ’i の容量をＣｄ、キャパシタＣ’i の容
量をＣｃとしフォトダイオードＤ’i で発生した電荷を
Ｑとすると移送される電荷Ｑt は、 Ｑt ＝ＱＣｃ／（Ｃｄ＋Ｃｃ） となり、容量分割された値しか移送されない。しかし、
キャパシタＣ’i の端子電圧Ｖは、 Ｖ＝Ｑ／（Ｃｄ＋Ｃｃ） となり、Ｃｃの値が小さければ電圧振幅が低下するとい
うような問題はない。次に、第２の実施例を［図５］〜
［図７］を参照して説明する。
Ｄ’i のＮ型拡散領域４０３が完全空乏状態のときの電
荷の移送を示した。このとき、ＭＯＳトランジスタ４０
６がオンになるとＮ型拡散領域４０３に蓄積された電荷
すべてが高濃度Ｎ型拡散領域４０８に移送される。ここ
で、Ｎ型半導体領域４０３の不純物濃度が高い場合な
ど、Ｎ型半導体領域４０３が完全空乏層状態でない場合
でも第１の実施例の効果はかわりないことをつけ加え
る。このとき、Ｎ型半導体領域４０３の［図４］におけ
るポテンシャル井戸はＭＯＳトランジスタ４０６のオン
状態のチャネルのポテンシャルよりも深くなる。フォト
ダイオードＤ’i の容量をＣｄ、キャパシタＣ’i の容
量をＣｃとしフォトダイオードＤ’i で発生した電荷を
Ｑとすると移送される電荷Ｑt は、 Ｑt ＝ＱＣｃ／（Ｃｄ＋Ｃｃ） となり、容量分割された値しか移送されない。しかし、
キャパシタＣ’i の端子電圧Ｖは、 Ｖ＝Ｑ／（Ｃｄ＋Ｃｃ） となり、Ｃｃの値が小さければ電圧振幅が低下するとい
うような問題はない。次に、第２の実施例を［図５］〜
［図７］を参照して説明する。
【００３７】［図５］に第２の実施例のｉ番目の光電変
換セルを抜出して示した。ＭＯＳトランジスタＭＴi と
ノードＮ’との間に適当なＤＣ電圧がゲートに印加され
たＭＯＳトランジスタＭＣi が追加された他は第１の実
施例とまったく同様である。したがって、同一の番号及
び記号を付し、動作説明を省略する。
換セルを抜出して示した。ＭＯＳトランジスタＭＴi と
ノードＮ’との間に適当なＤＣ電圧がゲートに印加され
たＭＯＳトランジスタＭＣi が追加された他は第１の実
施例とまったく同様である。したがって、同一の番号及
び記号を付し、動作説明を省略する。
【００３８】［図６］に第２の実施例の断面図の一部を
示す。Ｐ型半導体基板５０１表面にＮ型半導体領域５０
３と高濃度のＰ型半導体領域５０５からなるフォトダイ
オード５０４と、高濃度Ｎ型拡散層５０９と、Ｎ型半導
体領域５０４との間に移送用のゲート５０７、５１１が
設けられている。また、移送に際し方向性をもたせるた
めにゲート５０７の下にはＮ型半導体領域５０８が、ま
た、ゲート５１１のしきい値電圧を調整するためにゲー
ト５１１のチャネル部にイオン注入がされている。さら
に、高濃度Ｎ型半導体領域５０９、５１５をソース・ド
レイン領域とし、ポリシリコン電極５１７をゲートとす
るＭＯＳトランジスタ５１６が形成されている。フォト
ダイオード５０４が［図６］のＤ’i に相当し、ＭＯＳ
トランジスタ５０６がＭＯＳトランジスタＭＴi に、Ｍ
ＯＳトランジスタ５１３がＭＯＳトランジスタＭＣ
i に、ＭＯＳトランジスタ５１６がＭＯＳトランジスタ
ＭＲ’i に相当する。キャパシタＣ’i は高濃度Ｎ型半
導体領域５０９とＰ型半導体基板５０１の接合部に形成
されている。
示す。Ｐ型半導体基板５０１表面にＮ型半導体領域５０
３と高濃度のＰ型半導体領域５０５からなるフォトダイ
オード５０４と、高濃度Ｎ型拡散層５０９と、Ｎ型半導
体領域５０４との間に移送用のゲート５０７、５１１が
設けられている。また、移送に際し方向性をもたせるた
めにゲート５０７の下にはＮ型半導体領域５０８が、ま
た、ゲート５１１のしきい値電圧を調整するためにゲー
ト５１１のチャネル部にイオン注入がされている。さら
に、高濃度Ｎ型半導体領域５０９、５１５をソース・ド
レイン領域とし、ポリシリコン電極５１７をゲートとす
るＭＯＳトランジスタ５１６が形成されている。フォト
ダイオード５０４が［図６］のＤ’i に相当し、ＭＯＳ
トランジスタ５０６がＭＯＳトランジスタＭＴi に、Ｍ
ＯＳトランジスタ５１３がＭＯＳトランジスタＭＣ
i に、ＭＯＳトランジスタ５１６がＭＯＳトランジスタ
ＭＲ’i に相当する。キャパシタＣ’i は高濃度Ｎ型半
導体領域５０９とＰ型半導体基板５０１の接合部に形成
されている。
【００３９】キャパシタＣ’i はＰＮ接合で形成されて
いるため光が入射しなくても暗電流が生じ、これにより
生じた電荷がキャパシタＣ’i で電圧変換され暗時出力
が生じる。しかし、ＭＯＳトランジスタＭＲ’i に相当
するＭＯＳトランジスタ５１６がキャパシタＣ’i のリ
セット手段として働き、ＭＯＳトランジスタ５１６がオ
ンするとキャパシタＣ’i に生じた電荷を放出し、暗電
流出力をクリアする。
いるため光が入射しなくても暗電流が生じ、これにより
生じた電荷がキャパシタＣ’i で電圧変換され暗時出力
が生じる。しかし、ＭＯＳトランジスタＭＲ’i に相当
するＭＯＳトランジスタ５１６がキャパシタＣ’i のリ
セット手段として働き、ＭＯＳトランジスタ５１６がオ
ンするとキャパシタＣ’i に生じた電荷を放出し、暗電
流出力をクリアする。
【００４０】［図７］にＭＯＳトランジスタ５０６がオ
ンになり電荷の移送を行っている時のポテンシャル図を
示す。ＭＯＳトランジスタ５０６がオンになるとチャネ
ル部のポテンシャルエネルギーが低下し、フォトダイオ
ード５０４で生じた電荷がポテンシャルが極小部である
Ｎ型半導体領域５０８に流れ込む。つぎに、ＭＯＳトラ
ンジスタ５０６がオフになるとＮ型半導体領域５０８の
ポテンシャルが高くなり、いったん流れ込んだ電荷がポ
テンシャルが最低の高濃度Ｎ型半導体領域５０９に流れ
込む。ここで、電荷量が電圧に変換される。
ンになり電荷の移送を行っている時のポテンシャル図を
示す。ＭＯＳトランジスタ５０６がオンになるとチャネ
ル部のポテンシャルエネルギーが低下し、フォトダイオ
ード５０４で生じた電荷がポテンシャルが極小部である
Ｎ型半導体領域５０８に流れ込む。つぎに、ＭＯＳトラ
ンジスタ５０６がオフになるとＮ型半導体領域５０８の
ポテンシャルが高くなり、いったん流れ込んだ電荷がポ
テンシャルが最低の高濃度Ｎ型半導体領域５０９に流れ
込む。ここで、電荷量が電圧に変換される。
【００４１】以上、第２の実施例を説明してきたが、こ
の様にすると、ＭＯＳトランジスタ５０６のゲート電
圧、すなわち移送信号φR ’i 、の高濃度Ｎ型半導体領
域５０９への飛込みがなくなる。第１の実施例では［図
３］に示すごとくポリシリコン電極４０９と高濃度Ｎ型
半導体領域４０８との寄生的な容量結合４２０が存在
し、前者の電位変化が後者に影響を与える。特に、高濃
度Ｎ型半導体領域４０８は基板４０１との間でキャパシ
タＣ’i を形成していて、フローティング状態なので出
力信号に影響を与える。しかし、第２の実施例で用いた
電荷の移送手段を用いるとこの様な問題は起らない。す
なわち、［図５］において移送信号φR ’iがノード
Ｎ’の電位に影響を与えない。
の様にすると、ＭＯＳトランジスタ５０６のゲート電
圧、すなわち移送信号φR ’i 、の高濃度Ｎ型半導体領
域５０９への飛込みがなくなる。第１の実施例では［図
３］に示すごとくポリシリコン電極４０９と高濃度Ｎ型
半導体領域４０８との寄生的な容量結合４２０が存在
し、前者の電位変化が後者に影響を与える。特に、高濃
度Ｎ型半導体領域４０８は基板４０１との間でキャパシ
タＣ’i を形成していて、フローティング状態なので出
力信号に影響を与える。しかし、第２の実施例で用いた
電荷の移送手段を用いるとこの様な問題は起らない。す
なわち、［図５］において移送信号φR ’iがノード
Ｎ’の電位に影響を与えない。
【００４２】以上、第１、第２の実施例を説明してきた
が、電源電圧及びリセットトランジスタのしきい値は１
２Ｖ、−３Ｖに限る必要はなく使用状態に応じて変えて
も良い。また、Ｐ型半導体基板にフォトダイオードやＭ
ＯＳトランジスタ等を集積したが、Ｎ型半導体基板に選
択的にＰウェルを形成し、その表面にＮチャネルＭＯＳ
トランジスタ等を形成しても良い。また、Ｎ型半導体基
板にＰチャネルＭＯＳトランジスタ等を集積し、上記回
路構成でＰＮを反転させた固体撮像装置を構成しても良
い。
が、電源電圧及びリセットトランジスタのしきい値は１
２Ｖ、−３Ｖに限る必要はなく使用状態に応じて変えて
も良い。また、Ｐ型半導体基板にフォトダイオードやＭ
ＯＳトランジスタ等を集積したが、Ｎ型半導体基板に選
択的にＰウェルを形成し、その表面にＮチャネルＭＯＳ
トランジスタ等を形成しても良い。また、Ｎ型半導体基
板にＰチャネルＭＯＳトランジスタ等を集積し、上記回
路構成でＰＮを反転させた固体撮像装置を構成しても良
い。
【００４３】また、第１、第２の実施例では、キャパシ
タＣ’i のリセットにＭＯＳトランジスタＭＲ’i を用
い、その制御信号に選択パルスφS ' i-1 を用いている
が、選択パルスφR ' i-1 を用いても同様の効果を得る
ことができる。キャパシタＣ’i にフォトダイオードの
電荷が移送される前にキャパシタＣ’i がリセットされ
ればよいからである。
タＣ’i のリセットにＭＯＳトランジスタＭＲ’i を用
い、その制御信号に選択パルスφS ' i-1 を用いている
が、選択パルスφR ' i-1 を用いても同様の効果を得る
ことができる。キャパシタＣ’i にフォトダイオードの
電荷が移送される前にキャパシタＣ’i がリセットされ
ればよいからである。
【００４４】
【発明の効果】本発明を用いると、暗時出力の小さいア
クティブ型センサ構成することが出来る。
クティブ型センサ構成することが出来る。
【図１】本発明の第一の実施例を示す断面図
【図２】本発明の第一の実施例を示す断面図
【図３】本発明の第一の実施例を示す断面図
【図４】本発明の第一の実施例を示す断面図
【図５】本発明の第二の実施例を示す断面図
【図６】本発明の第二の実施例を示す断面図
【図７】本発明の第二の実施例を示す断面図
【図８】従来例を示す断面図
【図９】従来例を示す断面図
【図１０】従来例を示す断面図
１０１、３０１ 共通出力ライン １０３、３０３ 電流源 １０５、３０５ 出力バッファ ２０１、４０１、５０１ Ｐ型半導体基板 ２０３、４０３、５０３、５０８ Ｎ型半導体領域 ２０５、４０５、５０５ 高濃度Ｐ型半導体領域 ２０４、４０４、５０４ フォトダイオード ２０６、４０６、４１５、５１６ ＭＯＳトランジス
タ ２０８、４０８、４１１、５０９、５１５ 高濃度Ｎ
型半導体領域 ２０９、４０９、４１３、５１７ ポリシリコン電極 ５０７、５１１ ゲート ４２０ 寄生容量
タ ２０８、４０８、４１１、５０９、５１５ 高濃度Ｎ
型半導体領域 ２０９、４０９、４１３、５１７ ポリシリコン電極 ５０７、５１１ ゲート ４２０ 寄生容量
Claims (5)
- 【請求項１】 入射光量に応じた電圧を出力する複数の
光電変換セルと、前記複数の光電変換セルを選択し選択
された光電変換セルの出力を外部に出力する選択手段を
具備する固体撮像装置において、 ｉ‐１番目の前記光電変換セルにｉ−1番目の第１、第
２の制御信号を入力した後、ｉ番目の前記光電変換セル
にｉ番目の第１、第２の制御信号を入力する信号発生手
段を具備し、 ｉ番目の前記光電変換セルが入射光量に応じた信号電荷
を発生する感光画素と、電荷量を電圧に変換する容量手
段と、ｉ‐１番目の第２の制御信号に応答して前記容量
手段の電位を所定値にするリセット手段と、ｉ番目の第
１の制御信号に応答して前記感光画素の信号電荷を前記
容量手段に移送する移送手段とを有し、前記感光画素の
一端に所定の電位が供給され、他端に前記移送手段のみ
接続されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 入射光量に応じた電圧を出力する複数の
光電変換セルと、前記複数の光電変換セルを選択し選択
された光電変換セルの出力を外部に出力する選択手段を
具備する固体撮像装置において、 ｉ‐１番目の前記光電変換セルにｉ−1番目の制御信号
を入力した後、ｉ番目の前記光電変換セルにｉ番目の制
御信号を入力する信号発生手段を具備し、 ｉ番目の前記光電変換セルが入射光量に応じた信号電荷
を発生する感光画素と、電荷量を電圧に変換する容量手
段と、ｉ‐１番目の制御信号に応答して前記容量手段の
電位を所定値にするリセット手段と、ｉ番目の制御信号
に応答して前記感光画素の信号電荷を前記容量手段に移
送する移送手段とを有し、前記感光画素の一端に所定の
電位が供給され、他端に前記移送手段のみ接続されてい
ることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項３】 前記移送手段が導通した際、前記感光画
素で発生した信号電荷の全てが前記容量手段に移送され
る事を特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の固
体撮像装置。 - 【請求項４】 前記移送手段は、前記ｉ番目の第１の制
御信号に応答して前記感光画素で発生した信号電荷を前
記容量手段に移送し、かつ、前記移送手段は、電流経路
の一端が前記感光画素に接続された第一のＭＯＳトラン
ジスタと、電流経路の一端が前記第一のＭＯＳトランジ
スタの電流経路の他端に接続され、他端が前記容量手段
に接続され、ゲート電極に所定の定電圧が供給された第
二のＭＯＳトランジスタを有する事を特徴とする請求項
１記載の固体撮像装置。 - 【請求項５】 前記移送手段は、前記ｉ番目の制御信号
に応答して前記感光画素で発生した信号電荷を前記容量
手段に移送し、かつ、前記移送手段は、電流経路の一端
が前記感光画素に接続された第三のＭＯＳトランジスタ
と、電流経路の一端が前記第三のＭＯＳトランジスタの
電流経路の他端に接続され、他端が前記容量手段に接続
され、ゲート電極に所定の定電圧が供給された第四のＭ
ＯＳトランジスタを有する事を特徴とする請求項２記載
の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04055953A JP3142943B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04055953A JP3142943B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05260246A JPH05260246A (ja) | 1993-10-08 |
| JP3142943B2 true JP3142943B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=13013441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04055953A Expired - Fee Related JP3142943B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3142943B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5625210A (en) * | 1995-04-13 | 1997-04-29 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP04055953A patent/JP3142943B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05260246A (ja) | 1993-10-08 |
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