JP3142971U - 発光ダイオード光源 - Google Patents

発光ダイオード光源 Download PDF

Info

Publication number
JP3142971U
JP3142971U JP2008002563U JP2008002563U JP3142971U JP 3142971 U JP3142971 U JP 3142971U JP 2008002563 U JP2008002563 U JP 2008002563U JP 2008002563 U JP2008002563 U JP 2008002563U JP 3142971 U JP3142971 U JP 3142971U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting diode
light source
substrate
light emitting
source according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2008002563U
Other languages
English (en)
Inventor
宋文洲
Original Assignee
今臺電子股▲ふん▼有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 今臺電子股▲ふん▼有限公司 filed Critical 今臺電子股▲ふん▼有限公司
Application granted granted Critical
Publication of JP3142971U publication Critical patent/JP3142971U/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/10—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/142—Arrangements of planar printed circuit boards in the same plane, e.g. auxiliary printed circuit insert mounted in a main printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】複数の発光ダイオードチップを一体にパッケージして、作製工程が簡単で、小体積且つ高輝度である発光ダイオード光源を提供する。
【解決手段】その上表面に、凹槽が設けられ、該凹槽以外の領域に、絶縁層が形成され、該絶縁層上において、一部の領域に、電気的に接続するための金属層が設けられる下層基板と、該絶縁層の上方に設置され、該凹槽に対応する領域に、開口が形成される上層基板と、該凹槽の底部に設置され、その表面に回路層が設けられ、両端が、金属導線を介して電気的に接続され、また、それぞれに、複数の発光ダイオードチップが設置され、また、それぞれ、金属導線を介して、対応する電気接点に接続される複数のサブ基板と、該凹槽と該開口に充填される透過コロイドと、が含有される。
【選択図】図１

Description

本考案は、発光ダイオード光源に関し、特に、複数の発光ダイオードチップを、一体にパッケージして、作製工程が簡素化でき、また、小体積且つ高輝度である発光ダイオード光源に関する。
発光ダイオードを光源とする時、一つの発光ダイオードの輝度が足りないため、照明の要求に満足できず、そのため、複数の発光ダイオードを、同時に使用することにより、照明の目的が達成される。既存の方法は、複数の発光ダイオードを組立ててパッケージして、外部の装置に固定し、また、電力で作動する。既存技術として、便利のために、多種類の独自の発光ダイオードモデルブロック構造を有するものが提案され、それらによれば、複数のモデルブロック構造を外部装置に固定して、電力で作動する。従来の発光ダイオードモデルブロックは、次の構造になり、基板に、例えば、プリント基板に、電気信号を伝送する印刷回路パタンが形成され、複数の発光ダイオードパッケージ構造を基板に配列して、発光ダイオードモデルブロックが構成され、また、該モデルブロックを外部装置に設置するか、ケーシングに収納して、光源装置が形成される。しかし、このような従来構造の発光ダイオードモデルブロックは、各発光ダイオードについて、一つずつに、パッケージしてから、複数のパッケージ構造を組立て、そのため、作製工程が複雑で、体積が大きく、輝度が集中できない問題がある。逆に、現在の製品の精密化と小型化になるともに、それらに使用される発光ダイオード光源に対して、小体積や高輝度を要求し、そのため、既存の従来構造である発光ダイオードモデルブロックは、実用的とは言えない。
本考案者は、上記の欠点を改善するため、慎重に研究開発し、そして、学理を活用して、設計が合理的で有効に上記の欠点を改善できる本考案を提案する。
本考案の目的は、複数の発光ダイオードチップを一体にパッケージして、作製工程が簡単で、小体積且つ高輝度である発光ダイオード光源を提供する。
請求項１の考案は、，少なくとも、その上表面に、凹槽が設けられ、該凹槽以外の領域に、絶縁層が形成され、該絶縁層上において、一部の領域に、電気的に接続される金属層が設けられる下層基板と、該絶縁層の上方に設置され、該凹槽に対応する領域に、開口が形成される上層基板と、該凹槽の底部に設置され、その表面に回路層が設けられ、両端が、金属導線を介して電気的に接続され、また、それぞれに、複数の発光ダイオードチップが設置され、また、それぞれ、金属導線を介して、対応する電気接点に接続される複数のサブ基板と、該凹槽と該開口に充填される透過コロイドと、が含有される ことを特徴とする発光ダイオード光源である。
請求項２の考案は、該下層基板が、熱伝導機能のより良い金属からなることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源である。
請求項３の考案は、該上層基板が、熱伝導機能のより良い金属からなることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源である。
請求項４の考案は、該サブ基板の材質が、非金属であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源である。
請求項５の考案は、該透過コロイドに、蛍光物質が含まれることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源である。
請求項６の考案は、該上層基板と該下層基板が、絶縁粘着材により結合されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源である。
請求項７の考案は、該下層基板の両端に、それぞれ、内凹の半円形貫通穴が設置されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源である。
請求項８の考案は、配列された各サブ基板の最先端と最後端が、それぞれ、金属導線を介して、金属層に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源である。
請求項９の考案は、該上層基板と下層基板及びサブ基板が、帯状に配置されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源である。
図１乃至図７を参照しながら。本考案の構造は、次の通りである。
帯状である下層基板１があり、該帯状下層基板１は、熱伝導機能のより良い金属からなり、例えば、アルミ板であり、しかし、それによって制限されず、その上表面に、凹槽１１が設けられ、該凹槽１１以外の領域に、絶縁層１２が形成され、該絶縁層１２上において、一部の領域に、電気的に接続するための金属層１３が設けられ、該帯状下層基板１の両端に、それぞれ、内凹の半円形貫通穴１４が設置され、それにより、ネジ等の装置（図に未表示）で、パッケージ構造全体を外部構造（図に未表示）に固定する。
また、絶縁粘着材（図に未表示）により、該絶縁層１２の上方に設置される帯状上層基板２があり、該帯状上層基板２は、熱伝導機能のより良い金属からなり、例えば、アルミ板であり、しかし、それによって制限されず、該凹槽１１に対応する領域に、開口２１が形成され、該構造を上面から見る時、該開口２１に、ウィンドウが形成される。
また、複数の線形に設置される該凹槽１１の底部にあるサブ基板３があり、該サブ基板３は、材質が、非金属で、帯状に設計され、例えば、シリコン基板であり、しかし、それによって制限されず、その表面に、回路層３１が設けられ、各該サブ基板３上に、複数の発光ダイオードチップ３２が配列され、また、それぞれ、金属導線３３を介して、対応する電気接点３４に接続され、各該サブ基板３同士が、金属導線３５を介して、電気的に接続され、即ち、複数の発光ダイオードチップ３２が、該シリコン基板上に設置され、それぞれ、結晶ラインを介して、チップ３２電極が、シリコン基板上の電気接点３４に接続され、また、各シリコン基板の末端用結晶ラインが、対応する電気接点に接続される。
また、透過コロイド４があり、該透過コロイド４は、蛍光物質が含まれてもよく、該凹槽１１と該開口２１に充填され、即ち、それらのチップ３２の上方にあるウィンドウ全体に、蛍光物質が含まれる透過コロイド４によって充填される。
前記の帯状上層基板２と該帯状下層基板１は、絶縁粘着材５により結合され、該帯状下層基板１は、厚さが帯状上層基板２の厚さよりも大きい。
前記の各該サブ基板３が配列された後、その最先端と最後端が、それぞれ、金属導線３５と金属層１３を介して、電気的に接続される。
図１乃至図７を参照しながら、上記の素子により、本考案は、複数の発光ダイオードチップ３２を一体にパッケージすることにより、複数の発光ダイオードチップ３２が、一体に該凹槽１１にパッケージされ、また、それらのチップ３２の上方にある該凹槽１１と該開口２１に、蛍光物質が含まれる透過コロイド４によって充填され、そのため、作製工程が簡素化でき、また、小体積且つ高輝度である発光ダイオード光源が得られ、従来の技術による大体積で、輝度が集中できず、作製工程が複雑である問題が解消され、そのため、本考案は、より進歩的かつより実用的で、法に従って実用新案登録請求を出願する。
以上は、ただ、本考案のより良い実施例であり、本考案は、それによって制限されることが無く、本考案に係わる考案登録請求の範囲や明細書の内容に基づいて行った等価の変更や修正は、全てが、本考案の考案登録請求の範囲内に含まれる。
本考案の組立て完成概念図 図１の立体分解概念図 本考案のサブ基板の立体外観概念図 本考案の側面概念図 本考案の透過コロイドを充填する前の上面概念図 本考案の縦方向の断面概念図 本考案の横方向の断面概念図
符号の説明
１ 帯状下層基板
１１ 凹槽
１２ 絶縁層
１３ 金属層
１４ 貫通穴
２ 帯状上層基板
２１ 開口
３ サブ基板
３１ 回路層
３２ 発光ダイオードチップ
３３ 金属導線
３４ 電気接点
３５ 金属導線
４ 透過コロイド
５ 絶縁粘着材

Claims (9)

  1. ，少なくとも、
    その上表面に、凹槽が設けられ、該凹槽以外の領域に、絶縁層が形成され、該絶縁層上において、一部の領域に、電気的に接続するための金属層が設けられる下層基板と、
    該絶縁層の上方に設置され、該凹槽に対応する領域に、開口が形成される上層基板と、
    該凹槽の底部に設置され、その表面に回路層が設けられ、両端が、金属導線を介して電気的に接続され、また、それぞれに、複数の発光ダイオードチップが設置され、また、それぞれ、金属導線を介して、対応する電気接点に接続される複数のサブ基板と、
    該凹槽と該開口に充填される透過コロイドとが含有される、ことを特徴とする発光ダイオード光源。
  2. 該下層基板が、熱伝導機能のより良い金属からなることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源。
  3. 該上層基板が、熱伝導機能のより良い金属からなることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源。
  4. 該サブ基板の材質が、非金属であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源。
  5. 該透過コロイドに、蛍光物質が含まれることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源。
  6. 該上層基板と該下層基板が、絶縁粘着材により結合されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源。
  7. 該下層基板の両端に、それぞれ、内凹の半円形貫通穴が設置されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源。
  8. 配列された各サブ基板の最先端と最後端が、それぞれ、金属導線を介して、金属層に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源。
  9. 該上層基板と下層基板及びサブ基板が、帯状に配置されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード光源。
JP2008002563U 2008-01-29 2008-04-22 発光ダイオード光源 Expired - Lifetime JP3142971U (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW97201931 2008-01-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP3142971U true JP3142971U (ja) 2008-07-03

Family

ID=40898308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008002563U Expired - Lifetime JP3142971U (ja) 2008-01-29 2008-04-22 発光ダイオード光源

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7931387B2 (ja)
JP (1) JP3142971U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9755126B2 (en) 2012-07-30 2017-09-05 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light source unit

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4241658B2 (ja) * 2005-04-14 2009-03-18 シチズン電子株式会社 発光ダイオード光源ユニット及びそれを用いて形成した発光ダイオード光源
US7985970B2 (en) * 2009-04-06 2011-07-26 Cree, Inc. High voltage low current surface-emitting LED
KR20090131175A (ko) * 2008-06-17 2009-12-28 삼성전자주식회사 액정 디스플레이 장치용 백라이트 유닛
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8476668B2 (en) * 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
DE102009053713A1 (de) * 2009-11-18 2011-05-19 Ondal Industrietechnik Gmbh Beleuchtungseinheit
TW201201354A (en) * 2010-06-25 2012-01-01 Taiwan Solutions Systems Corp LED chip package structure
US8322882B2 (en) * 2010-09-22 2012-12-04 Bridgelux, Inc. Flexible distributed LED-based light source and method for making the same
CN202217702U (zh) * 2011-07-01 2012-05-09 方与圆电子(深圳)有限公司 一种光源模组及照明装置
JP2013026510A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄモジュールの実装構造
CN107654912B (zh) * 2011-11-01 2020-03-17 日亚化学工业株式会社 发光装置及照明器具
TWD153389S (zh) 2011-11-02 2013-05-01 派特萊特股份有限公司 照明裝置
WO2013177796A1 (zh) * 2012-06-01 2013-12-05 东莞华明灯具有限公司 Led灯带通过灌胶改变出光角度的方法
CN104538389A (zh) * 2014-12-29 2015-04-22 四川柏狮光电技术有限公司 金属基底led灯丝及其制备方法
CN106051644A (zh) * 2015-04-10 2016-10-26 欧司朗股份有限公司 用于发光装置的支承结构及相应方法
US11014312B2 (en) * 2017-08-02 2021-05-25 Shenzhen Thousandshores Technology Co., Ltd. Silicone cold-extrusion lamp belt and manufacturing method thereof
CN112017550B (zh) * 2019-05-31 2022-06-03 成都辰显光电有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5559681A (en) * 1994-05-13 1996-09-24 Cnc Automation, Inc. Flexible, self-adhesive, modular lighting system
TWI249864B (en) * 2003-03-20 2006-02-21 Toyoda Gosei Kk LED lamp
KR100524098B1 (ko) * 2004-09-10 2005-10-26 럭스피아 주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
KR101115800B1 (ko) * 2004-12-27 2012-03-08 엘지디스플레이 주식회사 발광소자 패키지, 이의 제조 방법 및 백라이트 유닛
JP4715422B2 (ja) * 2005-09-27 2011-07-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
TW200824142A (en) * 2006-11-22 2008-06-01 Lighthouse Technology Co Ltd High power diode holder and thereof package is described

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9755126B2 (en) 2012-07-30 2017-09-05 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light source unit

Also Published As

Publication number Publication date
US7931387B2 (en) 2011-04-26
US20090189165A1 (en) 2009-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3142971U (ja) 発光ダイオード光源
CN105514249B (zh) 发光二极管封装以及承载板
JP2017533598A (ja) 発光ダイオード素子
JP2009536453A (ja) ヒートシンクへの多重ｌｅｄの熱表面実装
CN103456727B (zh) 多芯片封装结构
US8716744B2 (en) LED package, method for making the LED package and light source having the same
CN103050602B (zh) 发光装置
TW201511347A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
JP2014049764A (ja) 側面型発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
CN112133815B (zh) Led支架、灯珠、导电基座、发光单元模组及装置
JP2015037196A (ja) Ｌｅｄ発光装置
CN102064267A (zh) 显示屏用的led支架单元、led支架及led支架单元的制造方法
US20080217633A1 (en) Light emitting diode structure
JP5485642B2 (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP4894354B2 (ja) 発光装置
JP2008288487A (ja) 表面実装型発光ダイオード
CN102136431A (zh) 发光二极管封装及其制作方法
CN201133613Y (zh) 发光二极管照明光源
JP2016018990A (ja) パッケージ構造及びその製法並びに搭載部材
JP2012216654A (ja) 樹脂成形フレーム及び光半導体装置
CN202888239U (zh) Led发光芯片的散热载体结构
JP5746569B2 (ja) 発光装置
CN104241500B (zh) 发光二极管封装结构和显示装置
CN104409618A (zh) 一种小尺寸多彩led灯珠
CN217768371U (zh) MicroLED封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110611

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140611

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term