JP3143053B2 - リニアイメージセンサ - Google Patents
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
- H10F39/8063—Microlenses
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- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像形成装置に用
いるリニアイメージセンサの技術分野に属するものであ
る。
いるリニアイメージセンサの技術分野に属するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、画像形成装置として個体リニアイ
メージセンサを用いることは良く知られており、代表的
なものにＣＣＤリニアイメージセンサがある。
メージセンサを用いることは良く知られており、代表的
なものにＣＣＤリニアイメージセンサがある。
【０００３】図１６（ａ），（ｂ）はその構成を簡易に
示した説明図であり、図１６（ａ）において、２０１−
ａ，ｂ，ｃ，ｄ……は１次元的に等ピッチで配置された
光電変換画素列であり、２０２−ａ，ｂ，ｃ，ｄ……は
光電変換画素列２０１−ａ，ｂ，ｃ，ｄ……で光電変換
された電荷を移送する移送ゲート、２０３は移送された
電荷を順次転送する転送部、２０４は転送された電荷を
ライン状に出力信号として読み出す出力回路である。図
１６（ｂ）は、図１６（ａ）の光電変換画素２０１−
ａ，ｂ部を拡大して示した説明図である。
示した説明図であり、図１６（ａ）において、２０１−
ａ，ｂ，ｃ，ｄ……は１次元的に等ピッチで配置された
光電変換画素列であり、２０２−ａ，ｂ，ｃ，ｄ……は
光電変換画素列２０１−ａ，ｂ，ｃ，ｄ……で光電変換
された電荷を移送する移送ゲート、２０３は移送された
電荷を順次転送する転送部、２０４は転送された電荷を
ライン状に出力信号として読み出す出力回路である。図
１６（ｂ）は、図１６（ａ）の光電変換画素２０１−
ａ，ｂ部を拡大して示した説明図である。
【０００４】このようなＣＣＤリニアイメージセンサを
スキャナやデジタル複写機などの画像形成装置に用いた
場合の動作を説明する。
スキャナやデジタル複写機などの画像形成装置に用いた
場合の動作を説明する。
【０００５】まず、画像形成しようとする原稿画像はラ
イン上に照明され、光学レンズ等を通して光電変換画素
列２０１−ａ，ｂ，ｃ，ｄ……上に結像した光学像が図
１６（ｂ）に示す副走査方向（以下、ｙ方向と記す）に
所定速度で移動する。結像画像が図１６（ｂ）に示す位
置Ａから位置Ｂに移動する所定期間に光電変換画素列２
０１−ａ，ｂ，ｃ，ｄ……で光電変換されて蓄積された
電荷が転送部２０３に移送され、次に結像画像が位置Ｂ
から位置Ｃに移動する所定期間に出力回路２０４から読
み出される。
イン上に照明され、光学レンズ等を通して光電変換画素
列２０１−ａ，ｂ，ｃ，ｄ……上に結像した光学像が図
１６（ｂ）に示す副走査方向（以下、ｙ方向と記す）に
所定速度で移動する。結像画像が図１６（ｂ）に示す位
置Ａから位置Ｂに移動する所定期間に光電変換画素列２
０１−ａ，ｂ，ｃ，ｄ……で光電変換されて蓄積された
電荷が転送部２０３に移送され、次に結像画像が位置Ｂ
から位置Ｃに移動する所定期間に出力回路２０４から読
み出される。
【０００６】一般には図１６（ｂ）に示すように、距離
ＡＢ（および距離ＢＣ）は主走査方向（以下、ｘ方向と
記す）の光電変換画素ピッチＰに等しく設定され、ｘ，
ｙ両方向とも等しい解像度となるようにしてある。
ＡＢ（および距離ＢＣ）は主走査方向（以下、ｘ方向と
記す）の光電変換画素ピッチＰに等しく設定され、ｘ，
ｙ両方向とも等しい解像度となるようにしてある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来例で
は、解像度を例えば２倍に高めようとしたら、光電変換
画素ピッチＰを１／２とする必要があり、そのために光
電変換画素列２０１−ａ，ｂ，ｃ，ｄ……の画素サイズ
をｘ，ｙ両方向とも１／２として、前記した読み出しの
ための期間も１／２としなければならなかった。
は、解像度を例えば２倍に高めようとしたら、光電変換
画素ピッチＰを１／２とする必要があり、そのために光
電変換画素列２０１−ａ，ｂ，ｃ，ｄ……の画素サイズ
をｘ，ｙ両方向とも１／２として、前記した読み出しの
ための期間も１／２としなければならなかった。
【０００８】従って光電変換画素の面積が１／４とな
り、なおかつ光電変換される時間が１／２となるため、
感度が１／８となってしまい、画質を非常に劣化させる
という問題があった。また、転送速度が２倍となること
で、電荷の転送性能が劣化したり、転送部における発熱
量や電力の増大も問題となってくる。これらが画像形成
装置の画質を劣化させることは言うまでもない。
り、なおかつ光電変換される時間が１／２となるため、
感度が１／８となってしまい、画質を非常に劣化させる
という問題があった。また、転送速度が２倍となること
で、電荷の転送性能が劣化したり、転送部における発熱
量や電力の増大も問題となってくる。これらが画像形成
装置の画質を劣化させることは言うまでもない。
【０００９】上記の問題のうち感度不足に対しては、光
電変換画素のサイズを大きくして、レンズの結像倍率を
小さくする方法が考えられる。例えば、光電変換画素の
サイズをｘ，ｙ両方向とも約２．８倍とすれば、感度は
従来と同等となるが、転送部のサイズも大きくなってし
まうため、転送性能の劣化や発熱はさらに増大してしま
い、画質の劣化がさらに大きくなる。また、ｘ方向のチ
ップサイズも約２．８倍となってしまい、リニアイメー
ジセンサやレンズのコストを大幅にアップさせてしまう
という問題がある。
電変換画素のサイズを大きくして、レンズの結像倍率を
小さくする方法が考えられる。例えば、光電変換画素の
サイズをｘ，ｙ両方向とも約２．８倍とすれば、感度は
従来と同等となるが、転送部のサイズも大きくなってし
まうため、転送性能の劣化や発熱はさらに増大してしま
い、画質の劣化がさらに大きくなる。また、ｘ方向のチ
ップサイズも約２．８倍となってしまい、リニアイメー
ジセンサやレンズのコストを大幅にアップさせてしまう
という問題がある。
【００１０】本出願に係る発明は、上記のような転送性
能の劣化や発熱を増大することなく、チップサイズもほ
ぼ従来と同等に保ったまま、高解像度と感度の維持を両
立させた性能を有するリニアイメージセンサの提供を目
的とするものである。
能の劣化や発熱を増大することなく、チップサイズもほ
ぼ従来と同等に保ったまま、高解像度と感度の維持を両
立させた性能を有するリニアイメージセンサの提供を目
的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このため、本発明に係る
リニアイメージセンサは、 （１）１次元的に等しい画素ピッチで配列した複数の画
素を有する光電変換画素列を列方向に垂直な方向にＮ
（Ｎは整数）列配置し、前記Ｎ列の光電変換画素列から
出力されるＮラインの画像信号を１ラインの画像信号と
して処理するリニアイメージセンサにおいて、前記画素
の中心から前記列方向および前記列方向に垂直な方向に
向かって単位長さあたりの面積が減少するように前記画
素を形成し、前記列方向に垂直な方向に隣接する前記光
電変換画素列が互いに前記列方向に画素ピッチの１／Ｎ
づつずれるように配置するとともに、前記列方向に垂直
な方向における隣接する光電変換画素列の中心間距離が
前記画素ピッチのＫ／２（Ｋは整数）倍となるように配
置したことを特徴とするリニアイメージセンサ。
リニアイメージセンサは、 （１）１次元的に等しい画素ピッチで配列した複数の画
素を有する光電変換画素列を列方向に垂直な方向にＮ
（Ｎは整数）列配置し、前記Ｎ列の光電変換画素列から
出力されるＮラインの画像信号を１ラインの画像信号と
して処理するリニアイメージセンサにおいて、前記画素
の中心から前記列方向および前記列方向に垂直な方向に
向かって単位長さあたりの面積が減少するように前記画
素を形成し、前記列方向に垂直な方向に隣接する前記光
電変換画素列が互いに前記列方向に画素ピッチの１／Ｎ
づつずれるように配置するとともに、前記列方向に垂直
な方向における隣接する光電変換画素列の中心間距離が
前記画素ピッチのＫ／２（Ｋは整数）倍となるように配
置したことを特徴とするリニアイメージセンサ。
【００１２】（２）前記Ｎ列の光電変換画素列をライン
状の画像信号として１列当たり所定の期間に読み出し、
該Ｎラインの画像信号を前記中心間距離に対応して、前
記所定期間のＫ倍に相当する分だけ遅延し、かつ、前記
Ｎラインの画像信号をそれぞれ前記画素ピッチの１／Ｎ
づつずらした画素配置に相当する２π／Ｎ期間づつ位相
遅延し、前記遅延したＮラインの画像信号を、前記画素
ピッチの１／Ｎづつずらした画素配置に相当する２π／
Ｎ期間について、スイッチング手段により順次抜き取っ
て合成することにより、点順次化した画像信号を得るこ
とを特徴とする上記（１）記載のリニアイメージセン
サ。
状の画像信号として１列当たり所定の期間に読み出し、
該Ｎラインの画像信号を前記中心間距離に対応して、前
記所定期間のＫ倍に相当する分だけ遅延し、かつ、前記
Ｎラインの画像信号をそれぞれ前記画素ピッチの１／Ｎ
づつずらした画素配置に相当する２π／Ｎ期間づつ位相
遅延し、前記遅延したＮラインの画像信号を、前記画素
ピッチの１／Ｎづつずらした画素配置に相当する２π／
Ｎ期間について、スイッチング手段により順次抜き取っ
て合成することにより、点順次化した画像信号を得るこ
とを特徴とする上記（１）記載のリニアイメージセン
サ。
【００１３】（３）前記Ｎ列の光電変換画素列をライン
状の画像信号として１列当たり所定の期間に読み出し、
該Ｎラインの画像信号を前記中心間距離に対応して、前
記所定期間のＫ倍に相当する分だけ遅延し、かつ、前記
Ｎラインの画像信号をそれぞれ前記画素ピッチの１／Ｎ
づつずらした画素配置に相当する２π／Ｎ期間づつ位相
遅延し、前記遅延したＮラインの画像信号をＡ／Ｄ変換
するＡ／Ｄ変換手段を有し、該Ａ／Ｄ変換手段のそれぞ
れＮライン分のデジタル信号出力を、前記画素ピッチの
１／Ｎづつずらした画素配置に相当する２π／Ｎ期間に
ついて、デジタルデータを順次ラッチし、時系列化した
画像信号を得ることを特徴とする上記（１）記載のリニ
アイメージセンサ。
状の画像信号として１列当たり所定の期間に読み出し、
該Ｎラインの画像信号を前記中心間距離に対応して、前
記所定期間のＫ倍に相当する分だけ遅延し、かつ、前記
Ｎラインの画像信号をそれぞれ前記画素ピッチの１／Ｎ
づつずらした画素配置に相当する２π／Ｎ期間づつ位相
遅延し、前記遅延したＮラインの画像信号をＡ／Ｄ変換
するＡ／Ｄ変換手段を有し、該Ａ／Ｄ変換手段のそれぞ
れＮライン分のデジタル信号出力を、前記画素ピッチの
１／Ｎづつずらした画素配置に相当する２π／Ｎ期間に
ついて、デジタルデータを順次ラッチし、時系列化した
画像信号を得ることを特徴とする上記（１）記載のリニ
アイメージセンサ。
【００１４】（４）前記画素の形状は、正多角形である
ことを特徴とする上記（１）ないし（３）のいずれかに
記載のリニアイメージセンサ。
ことを特徴とする上記（１）ないし（３）のいずれかに
記載のリニアイメージセンサ。
【００１５】（５）前記画素の形状は、円形であること
を特徴とする上記（１）ないし（３）のいずれかに記載
のリニアイメージセンサ。によって、前記目的を達成す
るものである。
を特徴とする上記（１）ないし（３）のいずれかに記載
のリニアイメージセンサ。によって、前記目的を達成す
るものである。
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【発明の実施の形態】本出願に係る発明は、画像形成装
置に用いるリニアイメージセンサであり、その構成とし
て、上記目的を達成するため、１次元的に等ピッチで配
列した複数の画素を有する光電変換画素列を、該光電変
換画素列の列方向（ｘ方向）の垂直方向（ｙ方向）にＮ
（Ｎは整数）列配置し、それぞれの画素を画素ピッチの
１／Ｎづつずらすように配置し、かつ、画素の形状を画
素の中心からｘ方向およびｙ方向に向かって、単位長さ
当たりの面積が減少するようにしたことを特徴とする。
上記構成において、前記ｙ方向のＮ列の光電変換画素列
と第Ｎ列の光電変換画素列を基準にした列間隔とを、前
記画素ピッチのＫ／２（Ｋは整数）倍となるように配置
し、前記Ｎ列の光電変換画素列をライン状の画像信号と
して１列当たり所定の期間に読み出し、該Ｎラインの画
像信号を前記それぞれの列間隔に対応して、前記所定期
間のＫ倍に相当する分だけ遅延し、かつ、前記Ｎライン
の画像信号をそれぞれ前記画素ピッチの１／Ｎづつずら
した画素配置に相当する２π／Ｎ期間づつ位相遅延す
る。
置に用いるリニアイメージセンサであり、その構成とし
て、上記目的を達成するため、１次元的に等ピッチで配
列した複数の画素を有する光電変換画素列を、該光電変
換画素列の列方向（ｘ方向）の垂直方向（ｙ方向）にＮ
（Ｎは整数）列配置し、それぞれの画素を画素ピッチの
１／Ｎづつずらすように配置し、かつ、画素の形状を画
素の中心からｘ方向およびｙ方向に向かって、単位長さ
当たりの面積が減少するようにしたことを特徴とする。
上記構成において、前記ｙ方向のＮ列の光電変換画素列
と第Ｎ列の光電変換画素列を基準にした列間隔とを、前
記画素ピッチのＫ／２（Ｋは整数）倍となるように配置
し、前記Ｎ列の光電変換画素列をライン状の画像信号と
して１列当たり所定の期間に読み出し、該Ｎラインの画
像信号を前記それぞれの列間隔に対応して、前記所定期
間のＫ倍に相当する分だけ遅延し、かつ、前記Ｎライン
の画像信号をそれぞれ前記画素ピッチの１／Ｎづつずら
した画素配置に相当する２π／Ｎ期間づつ位相遅延す
る。
【００１９】また、前記遅延したＮラインの画像信号に
おいて、前記画素ピッチの１／Ｎづつずらした画素配置
に相当する２π／Ｎライン期間について、順次スイッチ
ング手段により抜き取って合成することにより、点順次
化した画像信号を得るように動作する。
おいて、前記画素ピッチの１／Ｎづつずらした画素配置
に相当する２π／Ｎライン期間について、順次スイッチ
ング手段により抜き取って合成することにより、点順次
化した画像信号を得るように動作する。
【００２０】あるいは、前記遅延したＮラインの画像信
号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換手段を設け、該Ａ／Ｄ変
換手段のそれぞれＮライン分のデジタル信号出力におい
て、前記画素ピッチの１／Ｎづつずらした画素配置に相
当する２π／Ｎ位相だけずらしてデジタルデータを順次
ラッチし、時系列化した画像信号を得るように動作す
る。
号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換手段を設け、該Ａ／Ｄ変
換手段のそれぞれＮライン分のデジタル信号出力におい
て、前記画素ピッチの１／Ｎづつずらした画素配置に相
当する２π／Ｎ位相だけずらしてデジタルデータを順次
ラッチし、時系列化した画像信号を得るように動作す
る。
【００２１】
【実施例】本発明の実施例である画像形成装置に用いら
れ画像を読み取り信号出力するリニアイメージセンサを
図面を参照して説明する。
れ画像を読み取り信号出力するリニアイメージセンサを
図面を参照して説明する。
【００２２】〔第１の実施例〕図１に示す（ａ），
（ｂ）は、本発明の特徴を最もよく表わすリニアイメー
ジセンサの構成図である。
（ｂ）は、本発明の特徴を最もよく表わすリニアイメー
ジセンサの構成図である。
【００２３】図１（ａ）において、１−ａ，ｂ，ｃ…
…、２−ａ，ｂ……はそれぞれｘ方向に１次元的に等ピ
ッチで配置された菱型形状の光電変換画素列であり、３
−ａ，ｂ，ｃ……、４−ａ，ｂ……はそれぞれ光電変換
画素列１−ａ，ｂ，ｃ……、２−ａ，ｂ……で光電変換
された電荷を移送する移送ゲート、５，６はそれぞれ移
送された電荷を順次転送する転送部、７，８はそれぞれ
転送された電荷をライン状に出力信号Ｓ１，Ｓ２として
読み出す出力回路である。
…、２−ａ，ｂ……はそれぞれｘ方向に１次元的に等ピ
ッチで配置された菱型形状の光電変換画素列であり、３
−ａ，ｂ，ｃ……、４−ａ，ｂ……はそれぞれ光電変換
画素列１−ａ，ｂ，ｃ……、２−ａ，ｂ……で光電変換
された電荷を移送する移送ゲート、５，６はそれぞれ移
送された電荷を順次転送する転送部、７，８はそれぞれ
転送された電荷をライン状に出力信号Ｓ１，Ｓ２として
読み出す出力回路である。
【００２４】図１（ｂ）は、図１（ａ）の光電変換画素
１−ａ，ｂおよび２−ａ，ｂ部を拡大して示したもので
あり、光電変換画素列１−ａ，ｂ，ｃ……および光電変
換画素列２−ａ，ｂ……のｘ方向の画素ピッチはそれぞ
れ２Ｐに設定され、かつ、それぞれの光電変換画素列間
のｙ方向の距離は上記画素ピッチの１／２のＰに設定さ
れている。また、光電変換画素列１−ａ，ｂ，ｃ……と
光電変換画素列２−ａ，ｂ，ｃ……とは互いに２画素間
のちょうど中間位置になるように補間配置されている。
１−ａ，ｂおよび２−ａ，ｂ部を拡大して示したもので
あり、光電変換画素列１−ａ，ｂ，ｃ……および光電変
換画素列２−ａ，ｂ……のｘ方向の画素ピッチはそれぞ
れ２Ｐに設定され、かつ、それぞれの光電変換画素列間
のｙ方向の距離は上記画素ピッチの１／２のＰに設定さ
れている。また、光電変換画素列１−ａ，ｂ，ｃ……と
光電変換画素列２−ａ，ｂ，ｃ……とは互いに２画素間
のちょうど中間位置になるように補間配置されている。
【００２５】図２は、本実施例の動作を説明するための
タイミング図である。
タイミング図である。
【００２６】図２において、（ａ）は移送ゲート３−
ａ，ｂ，ｃ……、４−ａ，ｂ……を制御する移送ゲート
パルスφＴであり、“Ｈ”の時に光電変換画素列１−
ａ，ｂ，ｃ……、２−ａ，ｂ……の電荷がそれぞれ転送
部５，６に移送する。（ｂ），（ｃ）は転送部５，６に
共に供給される転送クロックパルスφＡ，φＢであり、
通常φＡとφＢの１周期におけるパルス数は光電変換画
素列１−ａ，ｂ，ｃ……（または２−ａ，ｂ……）の画
素数とほぼ等しく設定され、またφＡとφＢは共にデュ
ーティ５０％で、かつ互いに逆位相で供給されている。
（ｄ），（ｅ）はそれぞれ出力回路７，８の出力信号Ｓ
１，Ｓ２である。
ａ，ｂ，ｃ……、４−ａ，ｂ……を制御する移送ゲート
パルスφＴであり、“Ｈ”の時に光電変換画素列１−
ａ，ｂ，ｃ……、２−ａ，ｂ……の電荷がそれぞれ転送
部５，６に移送する。（ｂ），（ｃ）は転送部５，６に
共に供給される転送クロックパルスφＡ，φＢであり、
通常φＡとφＢの１周期におけるパルス数は光電変換画
素列１−ａ，ｂ，ｃ……（または２−ａ，ｂ……）の画
素数とほぼ等しく設定され、またφＡとφＢは共にデュ
ーティ５０％で、かつ互いに逆位相で供給されている。
（ｄ），（ｅ）はそれぞれ出力回路７，８の出力信号Ｓ
１，Ｓ２である。
【００２７】上記において、図２に示す時刻ｔ１にて図
１（ｂ）に示す位置Ａに結像した光学像がｙ方向に所定
速度で移動し、時刻ｔ２にて位置Ｂに移動する。同時に
位置Ａ´に結像した光学像は位置Ｂ´に移動する。この
とき、移送ゲートパルスφＴが“Ｈ”となり、時刻ｔ１
から時刻ｔ２の期間に光電変換画素列１−ａ，ｂ，ｃ…
…、２−ａ，ｂ……に蓄積された電荷がそれぞれ転送部
５，６に移送される。
１（ｂ）に示す位置Ａに結像した光学像がｙ方向に所定
速度で移動し、時刻ｔ２にて位置Ｂに移動する。同時に
位置Ａ´に結像した光学像は位置Ｂ´に移動する。この
とき、移送ゲートパルスφＴが“Ｈ”となり、時刻ｔ１
から時刻ｔ２の期間に光電変換画素列１−ａ，ｂ，ｃ…
…、２−ａ，ｂ……に蓄積された電荷がそれぞれ転送部
５，６に移送される。
【００２８】次に結像画像が位置Ｂから位置Ｃに移動
（同時に位置Ｂ´から位置Ｃ´に移動）する時刻ｔ２か
らｔ５の期間中の時刻ｔ３からｔ４の期間に、転送部
５，６に移送された電荷が順次転送され、出力回路７，
８から出力信号Ｓ１−ａ，Ｓ２−ａが出力される。そし
て、時刻ｔ５にて再び移送ゲートパルスφＴが“Ｈ”と
なり、時刻ｔ２からｔ５の期間に光電変換画素列１−
ａ，ｂ，ｃ……、２−ａ，ｂ……に蓄積された電荷がそ
れぞれ転送部５，６に移送され、時刻ｔ６からｔ７の期
間に順次転送され、出力信号Ｓ１−ｂ、Ｓ２−ｂが出力
される。
（同時に位置Ｂ´から位置Ｃ´に移動）する時刻ｔ２か
らｔ５の期間中の時刻ｔ３からｔ４の期間に、転送部
５，６に移送された電荷が順次転送され、出力回路７，
８から出力信号Ｓ１−ａ，Ｓ２−ａが出力される。そし
て、時刻ｔ５にて再び移送ゲートパルスφＴが“Ｈ”と
なり、時刻ｔ２からｔ５の期間に光電変換画素列１−
ａ，ｂ，ｃ……、２−ａ，ｂ……に蓄積された電荷がそ
れぞれ転送部５，６に移送され、時刻ｔ６からｔ７の期
間に順次転送され、出力信号Ｓ１−ｂ、Ｓ２−ｂが出力
される。
【００２９】以降、上記出力が順次繰り返される。
【００３０】ところで、本実施例においては図１（ｂ）
に示すように、ｙ方向に所定期間に移動する距離ＡＢ
（またはＡ´Ｂ´）、ＢＣ（またはＢ´Ｃ´）は、光電
変換画素列１−ａ，ｂ，ｃ……、２−ａ，ｂ……の列間
距離Ｐに設定されているため、例えば時刻ｔ１からｔ２
に光電変換画素列１−ａ，ｂ，ｃ……上を移動するライ
ン状の光学像は、ちょうど時刻ｔ２からｔ５に光電変換
画素列２−ａ，ｂ，ｃ……上を移動することになる。従
って、出力回路７から得られる出力信号Ｓ１−ａに対し
て、１周期分だけ遅延して出力回路８から得られる出力
信号Ｓ２−ｂは、同一のライン状の光学像から得られた
信号ということになる。
に示すように、ｙ方向に所定期間に移動する距離ＡＢ
（またはＡ´Ｂ´）、ＢＣ（またはＢ´Ｃ´）は、光電
変換画素列１−ａ，ｂ，ｃ……、２−ａ，ｂ……の列間
距離Ｐに設定されているため、例えば時刻ｔ１からｔ２
に光電変換画素列１−ａ，ｂ，ｃ……上を移動するライ
ン状の光学像は、ちょうど時刻ｔ２からｔ５に光電変換
画素列２−ａ，ｂ，ｃ……上を移動することになる。従
って、出力回路７から得られる出力信号Ｓ１−ａに対し
て、１周期分だけ遅延して出力回路８から得られる出力
信号Ｓ２−ｂは、同一のライン状の光学像から得られた
信号ということになる。
【００３１】また、上述したように、光電変換画素列１
−ａ，ｂ……と光電変換画素列２−ａ，ｂ，ｃ……とは
お互いに２画素間のちょうど中間位置になるように配置
されているため、出力信号Ｓ１−ａとＳ２−ｂはお互い
の画素間の光学像を補間した形で得られることになる。
−ａ，ｂ……と光電変換画素列２−ａ，ｂ，ｃ……とは
お互いに２画素間のちょうど中間位置になるように配置
されているため、出力信号Ｓ１−ａとＳ２−ｂはお互い
の画素間の光学像を補間した形で得られることになる。
【００３２】図３は、上記のように得られた出力信号を
画像処理するための回路ブロック図である。
画像処理するための回路ブロック図である。
【００３３】３１は図１で説明した構成のＣＣＤリニア
イメージセンサ、３２はＣＣＤリニアイメージセンサ３
１を駆動するためのクロックパルスを生成するクロック
発生回路、３３は図１（ａ）に示す出力回路７の出力信
号Ｓ１を１周期分遅延させるための１ライン遅延線、３
４は図１（ａ）に示す出力回路８の出力信号Ｓ２を１／
２画素に相当する期間、つまり１８０°だけ位相遅延さ
せるための遅延回路、３５，３６はアナログスイッチ回
路、３７はアナログスイッチ回路３５をＯＮ／ＯＦＦ制
御するパルスを反転するインバータである。
イメージセンサ、３２はＣＣＤリニアイメージセンサ３
１を駆動するためのクロックパルスを生成するクロック
発生回路、３３は図１（ａ）に示す出力回路７の出力信
号Ｓ１を１周期分遅延させるための１ライン遅延線、３
４は図１（ａ）に示す出力回路８の出力信号Ｓ２を１／
２画素に相当する期間、つまり１８０°だけ位相遅延さ
せるための遅延回路、３５，３６はアナログスイッチ回
路、３７はアナログスイッチ回路３５をＯＮ／ＯＦＦ制
御するパルスを反転するインバータである。
【００３４】図４は、上記回路ブロックの動作を説明す
るための信号波形図であり、それぞれ１画素ごとにサン
プリングされた信号の状態を示してある。
るための信号波形図であり、それぞれ１画素ごとにサン
プリングされた信号の状態を示してある。
【００３５】Ｓ３は図３に示す１ライン遅延線３３の出
力信号、Ｓ２は出力回路８の出力信号、Ｓ４は１８０°
位相遅延回路３４の出力信号、Ｓ５はアナログスイッチ
回路３５，３６の出力信号である。Ｐ１はアナログスイ
ッチ回路３６をＯＮ／ＯＦＦ制御するパルスであり、
“Ｈ”のときにアナログスイッチ回路３６はＯＮとな
り、“Ｌ”のときにアナログスイッチ回路３７がＯＮと
なる。
力信号、Ｓ２は出力回路８の出力信号、Ｓ４は１８０°
位相遅延回路３４の出力信号、Ｓ５はアナログスイッチ
回路３５，３６の出力信号である。Ｐ１はアナログスイ
ッチ回路３６をＯＮ／ＯＦＦ制御するパルスであり、
“Ｈ”のときにアナログスイッチ回路３６はＯＮとな
り、“Ｌ”のときにアナログスイッチ回路３７がＯＮと
なる。
【００３６】上記において、Ｓ３は出力回路７の出力信
号Ｓ１を１ライン分遅延したものであるから、Ｓ３とＳ
２とは同一のライン状の光学像から得られた信号で、か
つ一方の画素間の光学像を他方が補間するように空間サ
ンプリングされている。また、Ｓ４はＳ２を１８０°位
相遅延したものであるから、Ｓ３とは逆相になってい
る。アナログスイッチ回路は制御パルスが“Ｈ”のとき
にＯＮとなるので、アナログスイッチ回路３５，３６は
それぞれ交互にＯＮとなり、従ってＳ５はＳ３，Ｓ４の
信号部を順次抜き取った形で合成され、空間サンプリン
グ数を倍増した高解像度な点順次信号を得ることができ
る。
号Ｓ１を１ライン分遅延したものであるから、Ｓ３とＳ
２とは同一のライン状の光学像から得られた信号で、か
つ一方の画素間の光学像を他方が補間するように空間サ
ンプリングされている。また、Ｓ４はＳ２を１８０°位
相遅延したものであるから、Ｓ３とは逆相になってい
る。アナログスイッチ回路は制御パルスが“Ｈ”のとき
にＯＮとなるので、アナログスイッチ回路３５，３６は
それぞれ交互にＯＮとなり、従ってＳ５はＳ３，Ｓ４の
信号部を順次抜き取った形で合成され、空間サンプリン
グ数を倍増した高解像度な点順次信号を得ることができ
る。
【００３７】次に、本実施例のように、光電変換画素が
菱型形状の場合の振幅変調度（ＭＴＦ：Modulation Tra
nsfer Function）について説明する。
菱型形状の場合の振幅変調度（ＭＴＦ：Modulation Tra
nsfer Function）について説明する。
【００３８】まず、比較のために画素形状が正方形の場
合について説明する。従来例の図１６（ｂ）に示す様な
光電変換画素配置において、光学像がｙ方向にＰだけ移
動する代わりに、光電変換画素２０１−ａがｙ方向とは
逆方向にＰだけ移動したと考えて、その場合の感度分布
を立体的に示したものを図５に示す。
合について説明する。従来例の図１６（ｂ）に示す様な
光電変換画素配置において、光学像がｙ方向にＰだけ移
動する代わりに、光電変換画素２０１−ａがｙ方向とは
逆方向にＰだけ移動したと考えて、その場合の感度分布
を立体的に示したものを図５に示す。
【００３９】即ち、画素形状を１辺の長さＬの正方形Ｅ
ＦＧＨとし、これがｙ方向とは逆方向にＰだけ移動した
正方形Ｅ´Ｆ´Ｇ´Ｈ´との間の長方形ＥＨＧ´Ｆ´を
最大感度として、ｘ方向には均等な感度分布を形成し、
またｙ方向にはＥＨからＦＧおよびＦ´Ｇ´からＥ´Ｈ
´に向かって感度が徐々に減少するような勾配を持ち、
かつＥＦ´の中点とＧＨ´の中点を結んだ線を中心に線
対称な感度分布を形成している。
ＦＧＨとし、これがｙ方向とは逆方向にＰだけ移動した
正方形Ｅ´Ｆ´Ｇ´Ｈ´との間の長方形ＥＨＧ´Ｆ´を
最大感度として、ｘ方向には均等な感度分布を形成し、
またｙ方向にはＥＨからＦＧおよびＦ´Ｇ´からＥ´Ｈ
´に向かって感度が徐々に減少するような勾配を持ち、
かつＥＦ´の中点とＧＨ´の中点を結んだ線を中心に線
対称な感度分布を形成している。
【００４０】ところで、正方形ＥＦＧＨが移動しないと
きの感度分布は、図６に示す様に正方形ＦＥＧＨを底面
とし、感度（これを“１”とする）を高さとする正方形
柱となる。それに対し、図５の場合の最大感度値はＬ／
Ｐということになる。
きの感度分布は、図６に示す様に正方形ＦＥＧＨを底面
とし、感度（これを“１”とする）を高さとする正方形
柱となる。それに対し、図５の場合の最大感度値はＬ／
Ｐということになる。
【００４１】上記のような感度分布において、ｘ方向の
振幅変調度ＭＴＦを求める。図５において、ｘ方向の断
面の面積をＳｘ１とすると Sx1 ＝(1/2){(P＋L)＋(P−L)} ×L/P ＝L ……（式１） 上記にて明らかなように、ｘ方向には光学像の移動はな
いので、正方形ＥＦＧＨが移動しないときの感度分布で
ある正方形柱のｘ方向の断面の面積に等しい。
振幅変調度ＭＴＦを求める。図５において、ｘ方向の断
面の面積をＳｘ１とすると Sx1 ＝(1/2){(P＋L)＋(P−L)} ×L/P ＝L ……（式１） 上記にて明らかなように、ｘ方向には光学像の移動はな
いので、正方形ＥＦＧＨが移動しないときの感度分布で
ある正方形柱のｘ方向の断面の面積に等しい。
【００４２】さて、ｘ方向のＭＴＦは、光電変換画素に
入射する光の強度が、ｘ方向に１次元的に正弦波状に変
化するものとしたときに、画素の中心に最大光強度を持
つ場合と最小光強度の場合との、画素から得られる信号
電荷量の差分（ΔＸ１１とする）を、画素に入射する光
強度が一様なときに、最大光強度の場合と最小光強度の
場合との信号電荷量の差分（ΔＸｏ１とする）に対する
比率で表わされる。
入射する光の強度が、ｘ方向に１次元的に正弦波状に変
化するものとしたときに、画素の中心に最大光強度を持
つ場合と最小光強度の場合との、画素から得られる信号
電荷量の差分（ΔＸ１１とする）を、画素に入射する光
強度が一様なときに、最大光強度の場合と最小光強度の
場合との信号電荷量の差分（ΔＸｏ１とする）に対する
比率で表わされる。
【００４３】
【数１】
【００４４】次にｙ方向のＭＴＦを求める。図５におい
て、ＥＦ´の中点とＧＨ´の中点を結んだ線からｙ方向
に空間距離ｙの位置（y ≧(1/2)(P-L)）における断面の
面積をＳｙ１とすると Sy1＝Ｌ・｛(1/2L)(P＋L)−(y/L) ｝ ……（式６）
て、ＥＦ´の中点とＧＨ´の中点を結んだ線からｙ方向
に空間距離ｙの位置（y ≧(1/2)(P-L)）における断面の
面積をＳｙ１とすると Sy1＝Ｌ・｛(1/2L)(P＋L)−(y/L) ｝ ……（式６）
【００４５】
【数２】
【００４６】画素に入射する光強度が一様なときの最大
光強度の場合と最小光強度の場合との信号電荷量の差分
は、前記ΔＸ01と同じであるから、ｙ方向のＭＴＦをＭ
ＴＦy1とすると MTFy1 ＝ΔY11/ΔX01 ＝(2/ ω2L2)｛cos(ω/2)(P −L)−cos(ω/2)(P −L)｝……（式８） ここで、画素１辺の長さＬと画素間のピッチＰが等しい
としたとき、ｘ方向、ｙ方向それぞれのＭＴＦは MTFx1 ＝(2/ ωP)sin(ωP/2)＝(fs/πf)sin(πf/fs) ……（式９） MTFy1 ＝(2/ ω2P2)｛1 −cos(ω/2)(P ＋L)｝ ＝(2/ ωP)2sin2(ωP/2)＝(fs/πf)2sin2(πf/fs) ……（式１０） f ：空間周波数、fs：空間サンプリング周波数（画素間
ピッチＰの逆数） 空間周波数ｆが空間サンプリング周波数ｆｓの１／２
倍、すなわちナイキスト周波数（ｆｎとする）であると
したとき f ＝１／２ｆｓ＝ｆｎ ……（式１１） ｘ方向、ｙ方向それぞれのナイキスト周波数ｆｎにおけ
るＭＴＦをＭＴＦｘ１（Ｎ）、ＭＴＦｙ１（Ｎ）とする
と ＭＴＦｘ１（Ｎ）＝２／π≒０．６４ ……（式１２） ＭＴＦｙ１（Ｎ）＝（２／π）2 ≒０．４１ ……（式１３） 従って、ｙ方向のＭＴＦは光学像が移動してしまうこと
により、ｘ方向のＭＴＦに対して２／３程度に劣化する
ことになる。
光強度の場合と最小光強度の場合との信号電荷量の差分
は、前記ΔＸ01と同じであるから、ｙ方向のＭＴＦをＭ
ＴＦy1とすると MTFy1 ＝ΔY11/ΔX01 ＝(2/ ω2L2)｛cos(ω/2)(P −L)−cos(ω/2)(P −L)｝……（式８） ここで、画素１辺の長さＬと画素間のピッチＰが等しい
としたとき、ｘ方向、ｙ方向それぞれのＭＴＦは MTFx1 ＝(2/ ωP)sin(ωP/2)＝(fs/πf)sin(πf/fs) ……（式９） MTFy1 ＝(2/ ω2P2)｛1 −cos(ω/2)(P ＋L)｝ ＝(2/ ωP)2sin2(ωP/2)＝(fs/πf)2sin2(πf/fs) ……（式１０） f ：空間周波数、fs：空間サンプリング周波数（画素間
ピッチＰの逆数） 空間周波数ｆが空間サンプリング周波数ｆｓの１／２
倍、すなわちナイキスト周波数（ｆｎとする）であると
したとき f ＝１／２ｆｓ＝ｆｎ ……（式１１） ｘ方向、ｙ方向それぞれのナイキスト周波数ｆｎにおけ
るＭＴＦをＭＴＦｘ１（Ｎ）、ＭＴＦｙ１（Ｎ）とする
と ＭＴＦｘ１（Ｎ）＝２／π≒０．６４ ……（式１２） ＭＴＦｙ１（Ｎ）＝（２／π）2 ≒０．４１ ……（式１３） 従って、ｙ方向のＭＴＦは光学像が移動してしまうこと
により、ｘ方向のＭＴＦに対して２／３程度に劣化する
ことになる。
【００４７】次に、本実施例の光電変換画素の形状が菱
型の場合の振幅変調度ＭＴＦを求める説明をする。
型の場合の振幅変調度ＭＴＦを求める説明をする。
【００４８】図１（ｂ）に示すような光電変換画素配置
において、光学像がｙ方向に２画素間距離Ｐだけ移動す
る代わりに、光電変換画素１−ａがｙ方向とは逆方向に
Ｐだけ移動したと考え、その場合の感度分布を立体的に
示したものを図７に示す。ここでは計算を簡単にするた
めに、菱型ＩＪＫＭのｘ方向、ｙ方向の対角間の長さＬ
をＰの丁度２倍となるように設定している。
において、光学像がｙ方向に２画素間距離Ｐだけ移動す
る代わりに、光電変換画素１−ａがｙ方向とは逆方向に
Ｐだけ移動したと考え、その場合の感度分布を立体的に
示したものを図７に示す。ここでは計算を簡単にするた
めに、菱型ＩＪＫＭのｘ方向、ｙ方向の対角間の長さＬ
をＰの丁度２倍となるように設定している。
【００４９】図７に示す様に、菱型ＩＪＫＭとｙ方向と
は逆方向にＰだけ移動した菱型Ｉ´Ｊ´Ｋ´Ｍ´との交
点ＮＱと、頂点ＭＪ´とが形成する菱型ＭＮＪ´Ｑを最
大感度（“１”とする）として，ｘ方向には頂点ＪＭ´
を結んだ線を中心に線対象に徐々に感度が減少する感度
勾配を形成し、ｙ方向には頂点ＮＱを結んだ線を中心に
線対象に徐々に感度が減少する感度勾配を形成したもの
となる。
は逆方向にＰだけ移動した菱型Ｉ´Ｊ´Ｋ´Ｍ´との交
点ＮＱと、頂点ＭＪ´とが形成する菱型ＭＮＪ´Ｑを最
大感度（“１”とする）として，ｘ方向には頂点ＪＭ´
を結んだ線を中心に線対象に徐々に感度が減少する感度
勾配を形成し、ｙ方向には頂点ＮＱを結んだ線を中心に
線対象に徐々に感度が減少する感度勾配を形成したもの
となる。
【００５０】上記のような感度分布において、ｘ方向の
ＭＴＦを求める。前述したように、ｘ方向には菱型ＩＪ
ＫＭの移動はないので、図７に示す立体のｘ方向の断面
の面積は菱型ＩＪＫＭが移動しないときの感度分布、す
なわち図８に示す様な菱型ＩＪＫＭを底面とし、高さを
感度“１”とする菱型柱のｘ方向の断面の面積（Ｓｘ２
とする）に等しい。従って、 Ｓｘ２＝（Ｌ／２−χ）・１＝Ｌ／２−χ ……（式１４）
ＭＴＦを求める。前述したように、ｘ方向には菱型ＩＪ
ＫＭの移動はないので、図７に示す立体のｘ方向の断面
の面積は菱型ＩＪＫＭが移動しないときの感度分布、す
なわち図８に示す様な菱型ＩＪＫＭを底面とし、高さを
感度“１”とする菱型柱のｘ方向の断面の面積（Ｓｘ２
とする）に等しい。従って、 Ｓｘ２＝（Ｌ／２−χ）・１＝Ｌ／２−χ ……（式１４）
【００５１】
【数３】
【００５２】次にｙ方向のＭＴＦを求める。
【００５３】まず、図７に示す立体のｙ方向の断面の面
積を部分的に分解して求める。図７に示す立体は次のそ
れぞれ分解した立体にて構成される。
積を部分的に分解して求める。図７に示す立体は次のそ
れぞれ分解した立体にて構成される。
【００５４】（１）菱型ＭＮＪ´Ｑを底面として、最大
感度“１”を高さとする菱形柱 （２）同じ大きさの２つの三角錐（例えば三角形ＩＮＩ
´を底面として、頂点Ｎから感度軸方向に垂線を下ろし
て底面ＩＪＫＫ´Ｍ´Ｉ´と交わる交点を頂点とする三
角錐） （３）同じ大きさの４つの四角錐（例えば頂点ＮＪ´と
頂点ＮＪ´感度軸方向に垂線を下ろして底面ＩＪＫＫ´
Ｍ´Ｉ´と交わる２つの交点とにより形成される四角形
を底面として、頂点Ｎから感度軸方向に垂線を下ろして
底面ＩＪＫＫ´Ｍ´Ｉ´と交わる交点と頂点Ｉとを結ぶ
線分を高さとする四角錐） （４）同じ大きさの４つの三角錐（例えば三角形ＩＪＪ
´を底面として、頂点Ｊ´から感度軸方向に垂線を下ろ
して底面ＩＪＫＫ´Ｍ´Ｉ´と交わる交点を頂点とする
三角錐） 上記４つの立体のｙ方向の中心線（ＭＮを結んだ線）か
らｙ方向に空間距離ｙの位置における断面積を、それぞ
れＳｙ２１，Ｓｙ２２，Ｓｙ２３，Ｓｙ２４とすると Sy21＝(L/2−2y)・1 ＝L/2 −2y ……（式２０） Sy22＝(1/2)(L/4-y ）(1−4y/L) ……（式２１） Sy23＝(1/2) ｛1 ＋(1−4y/L) ｝2y＝(2−4y/L)y ……（式２２） Sy24＝(1/2)(3L/4−y)(3/2−2y/L) ……（式２３）
感度“１”を高さとする菱形柱 （２）同じ大きさの２つの三角錐（例えば三角形ＩＮＩ
´を底面として、頂点Ｎから感度軸方向に垂線を下ろし
て底面ＩＪＫＫ´Ｍ´Ｉ´と交わる交点を頂点とする三
角錐） （３）同じ大きさの４つの四角錐（例えば頂点ＮＪ´と
頂点ＮＪ´感度軸方向に垂線を下ろして底面ＩＪＫＫ´
Ｍ´Ｉ´と交わる２つの交点とにより形成される四角形
を底面として、頂点Ｎから感度軸方向に垂線を下ろして
底面ＩＪＫＫ´Ｍ´Ｉ´と交わる交点と頂点Ｉとを結ぶ
線分を高さとする四角錐） （４）同じ大きさの４つの三角錐（例えば三角形ＩＪＪ
´を底面として、頂点Ｊ´から感度軸方向に垂線を下ろ
して底面ＩＪＫＫ´Ｍ´Ｉ´と交わる交点を頂点とする
三角錐） 上記４つの立体のｙ方向の中心線（ＭＮを結んだ線）か
らｙ方向に空間距離ｙの位置における断面積を、それぞ
れＳｙ２１，Ｓｙ２２，Ｓｙ２３，Ｓｙ２４とすると Sy21＝(L/2−2y)・1 ＝L/2 −2y ……（式２０） Sy22＝(1/2)(L/4-y ）(1−4y/L) ……（式２１） Sy23＝(1/2) ｛1 ＋(1−4y/L) ｝2y＝(2−4y/L)y ……（式２２） Sy24＝(1/2)(3L/4−y)(3/2−2y/L) ……（式２３）
【００５５】
【数４】
【００５６】上記結果の（式９）、（式１０）、（式２
７）をグラフにて表したものを図９のそれぞれ（ａ），
（ｂ），（ｃ）の実線にて示す。
７）をグラフにて表したものを図９のそれぞれ（ａ），
（ｂ），（ｃ）の実線にて示す。
【００５７】図９において、点線はサンプリング周波数
からの折り返し歪特性であり、比較のため、周波数帯域
０〜ｆｎまでのＭＴＦ特性を画像信号処理により１．０
まで補正したと考え、そのときのそれぞれの折り返し歪
特性を比較したものを図９（ｄ）にそれぞれ（ａ），
（ｂ），（ｃ）に対応させて示す。
からの折り返し歪特性であり、比較のため、周波数帯域
０〜ｆｎまでのＭＴＦ特性を画像信号処理により１．０
まで補正したと考え、そのときのそれぞれの折り返し歪
特性を比較したものを図９（ｄ）にそれぞれ（ａ），
（ｂ），（ｃ）に対応させて示す。
【００５８】図９（ｄ）より明らかなように、正方形の
画素形状の特性に比べて菱型の画素形状のものが、ＭＴ
Ｆ特性そのものは劣化するが、ｘ方向ｙ方向ともに折り
返し歪の少ない良好な特性を有することがわかる。ナイ
キスト周波数ｆｎ近辺以上の帯域については、従来より
一般的に行われているように、高域カットフィルタを用
いて遮断すればよい。
画素形状の特性に比べて菱型の画素形状のものが、ＭＴ
Ｆ特性そのものは劣化するが、ｘ方向ｙ方向ともに折り
返し歪の少ない良好な特性を有することがわかる。ナイ
キスト周波数ｆｎ近辺以上の帯域については、従来より
一般的に行われているように、高域カットフィルタを用
いて遮断すればよい。
【００５９】図１０は本発明の第１の実施例に適用可能
な異なる構成の回路ブロック図であり、図３と同じ回路
ブロックには同じ符号を付けてある。図１０において１
０１、１０２はＣＣＤリニアセンサの出力信号Ｓ１、Ｓ
２をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器、１０３は１ラインメ
モリ、１０４はデータラッチ回路である。
な異なる構成の回路ブロック図であり、図３と同じ回路
ブロックには同じ符号を付けてある。図１０において１
０１、１０２はＣＣＤリニアセンサの出力信号Ｓ１、Ｓ
２をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器、１０３は１ラインメ
モリ、１０４はデータラッチ回路である。
【００６０】図１１は図１０の回路ブロックの動作を説
明するための信号波形図であり、それぞれ１画素毎にＡ
／Ｄ変換された信号の状態を示してある。Ｓ７はＡ／Ｄ
変換器１０２のデジタル出力信号、Ｓ８は１ラインメモ
リ１０３の出力信号、Ｐ２はデータラッチ回路に供給す
るラッチコマンドパルスである。Ｓ８はパルスＰ２の立
ち上がりにおいてラッチされ、Ｓ７はパルスＰ２の立ち
下がりにおいてラッチされる。Ｓ９はデータラッチ回路
１０４の出力信号である。
明するための信号波形図であり、それぞれ１画素毎にＡ
／Ｄ変換された信号の状態を示してある。Ｓ７はＡ／Ｄ
変換器１０２のデジタル出力信号、Ｓ８は１ラインメモ
リ１０３の出力信号、Ｐ２はデータラッチ回路に供給す
るラッチコマンドパルスである。Ｓ８はパルスＰ２の立
ち上がりにおいてラッチされ、Ｓ７はパルスＰ２の立ち
下がりにおいてラッチされる。Ｓ９はデータラッチ回路
１０４の出力信号である。
【００６１】上記において、Ｓ８は出力回路７の出力信
号Ｓ１をＡ／Ｄ変換した信号を１ライン分遅延したもの
であるから、Ｓ８とＳ７は同一のライン状の光学像から
得られた信号で、かつ一方の画素間の光学像を他方が補
間するようにサンプリングされている。従って、パルス
Ｐ２によって同一時間にある隣接画素の信号を半位相だ
けずらして順次ラッチすることで、サンプリング数を倍
増した高解像度な時系列信号Ｓ９を得ることができる。
号Ｓ１をＡ／Ｄ変換した信号を１ライン分遅延したもの
であるから、Ｓ８とＳ７は同一のライン状の光学像から
得られた信号で、かつ一方の画素間の光学像を他方が補
間するようにサンプリングされている。従って、パルス
Ｐ２によって同一時間にある隣接画素の信号を半位相だ
けずらして順次ラッチすることで、サンプリング数を倍
増した高解像度な時系列信号Ｓ９を得ることができる。
【００６２】以上説明したように、第１の実施例ではデ
ジタル信号で時系列化の処理ができるので、１ラインメ
モリによる遅延や半位相ずらしの時間誤差のない、また
周波数特性の劣化のない高品位な画像信号を得ることが
できる。
ジタル信号で時系列化の処理ができるので、１ラインメ
モリによる遅延や半位相ずらしの時間誤差のない、また
周波数特性の劣化のない高品位な画像信号を得ることが
できる。
【００６３】〔第２の実施例〕図１２は本発明の第２の
実施例であるリニアイメージセンサの構成図である。
実施例であるリニアイメージセンサの構成図である。
【００６４】図１２において、１２１ａ，ｂ，ｃ……、
１２２−ａ，ｂ，ｃ……、１２３−ａ，ｂ，ｃ……、１
２４−ａ，ｂ，ｃ……はそれぞれｘ方向に１次元的に等
ピッチで配置された菱型形状の光電変換画素列であり、
１２５−ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ……、１２６−ａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ……はそれぞれ光電変換画素列１２
１−ａ，ｂ，ｃ……、１２２−ａ，ｂ，ｃ……、１２３
−ａ，ｂ，ｃ……、１２４−ａ，ｂ，ｃ……で光電変換
された電荷を移送する移送ゲート、１２７、１２８はそ
れぞれ移送された電荷を順次転送する転送部、１２９、
１３０はそれぞれ転送された電荷をライン状に出力信号
Ｓ９、Ｓ１０として読み出す出力回路である。
１２２−ａ，ｂ，ｃ……、１２３−ａ，ｂ，ｃ……、１
２４−ａ，ｂ，ｃ……はそれぞれｘ方向に１次元的に等
ピッチで配置された菱型形状の光電変換画素列であり、
１２５−ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ……、１２６−ａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ……はそれぞれ光電変換画素列１２
１−ａ，ｂ，ｃ……、１２２−ａ，ｂ，ｃ……、１２３
−ａ，ｂ，ｃ……、１２４−ａ，ｂ，ｃ……で光電変換
された電荷を移送する移送ゲート、１２７、１２８はそ
れぞれ移送された電荷を順次転送する転送部、１２９、
１３０はそれぞれ転送された電荷をライン状に出力信号
Ｓ９、Ｓ１０として読み出す出力回路である。
【００６５】上記構成において、この４列の光電変換画
素列のｘ方向の画素ピッチはそれぞれ２Ｐに設定され、
かつ、それぞれの光電変換画素列間のｙ方向の距離は上
記画素ピッチの１／２のＰに設定されている。また、こ
の４列の光電変換画素列の画素は互いにｘ方向の画素ピ
ッチ２Ｐの１／４づつずらした補間配置となっている。
素列のｘ方向の画素ピッチはそれぞれ２Ｐに設定され、
かつ、それぞれの光電変換画素列間のｙ方向の距離は上
記画素ピッチの１／２のＰに設定されている。また、こ
の４列の光電変換画素列の画素は互いにｘ方向の画素ピ
ッチ２Ｐの１／４づつずらした補間配置となっている。
【００６６】本実施例の動作について、前記説明した図
２を用いて簡単に説明する。移送ゲート１２５−ａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ……、１２６−ａ，ｂ，ｃ，ｄ，
ｅ，ｆ……は（ａ）に示す移送ゲートパルスφＴにより
制御され、“Ｈ”のときに光電変換画素列１２１−ａ，
ｂ，ｃ……、１２２−ａ，ｂ，ｃ……の電荷を転送部１
２７に移送し、光電変換画素列１２３−ａ，ｂ，ｃ…
…、１２４−ａ，ｂ，ｃ……の電荷を転送部１２８に移
送する。以下、第１の実施例と同様に、（ｂ），（ｃ）
に示す転送クロックパルスφＡ、φＢにより転送部１２
７、１２８の電荷は順次転送され、出力回路１２９、１
３０から出力信号Ｓ９、Ｓ１０が得られる。このとき転
送クロックパルスφＡとφＢの１周期におけるパルス数
は２列の光電変換画素列の総画素数とほぼ等しく設定さ
れる。従って、出力回路１２９から得られる出力信号Ｓ
９は、光電変換画素列１２１−ａ，ｂ，ｃ……に蓄積さ
れた電荷と、同一期間に光電変換画素列１２２−ａ，
ｂ，ｃ……に蓄積された電荷が、１画素毎交互に繰り返
す点順次信号となる。同様に出力回路１３０から得られ
る出力信号Ｓ１０は、光電変換画素列１２３−ａ，ｂ，
ｃ……に蓄積された電荷と、同一期間に光電変換画素列
１２４−ａ，ｂ，ｃ……に蓄積された電荷が、１画素毎
交互に繰り返す点順次信号となる。
２を用いて簡単に説明する。移送ゲート１２５−ａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ……、１２６−ａ，ｂ，ｃ，ｄ，
ｅ，ｆ……は（ａ）に示す移送ゲートパルスφＴにより
制御され、“Ｈ”のときに光電変換画素列１２１−ａ，
ｂ，ｃ……、１２２−ａ，ｂ，ｃ……の電荷を転送部１
２７に移送し、光電変換画素列１２３−ａ，ｂ，ｃ…
…、１２４−ａ，ｂ，ｃ……の電荷を転送部１２８に移
送する。以下、第１の実施例と同様に、（ｂ），（ｃ）
に示す転送クロックパルスφＡ、φＢにより転送部１２
７、１２８の電荷は順次転送され、出力回路１２９、１
３０から出力信号Ｓ９、Ｓ１０が得られる。このとき転
送クロックパルスφＡとφＢの１周期におけるパルス数
は２列の光電変換画素列の総画素数とほぼ等しく設定さ
れる。従って、出力回路１２９から得られる出力信号Ｓ
９は、光電変換画素列１２１−ａ，ｂ，ｃ……に蓄積さ
れた電荷と、同一期間に光電変換画素列１２２−ａ，
ｂ，ｃ……に蓄積された電荷が、１画素毎交互に繰り返
す点順次信号となる。同様に出力回路１３０から得られ
る出力信号Ｓ１０は、光電変換画素列１２３−ａ，ｂ，
ｃ……に蓄積された電荷と、同一期間に光電変換画素列
１２４−ａ，ｂ，ｃ……に蓄積された電荷が、１画素毎
交互に繰り返す点順次信号となる。
【００６７】光電変換画素列に結像した光学像はｙ方向
に所定速度で移動し、移送ゲートパルスφＴの１周期に
てｙ方向の光電変換画素列間距離Ｐだけ移動する。従っ
て、光電変換画素列１２１−ａ，ｂ，ｃ……に電荷とし
て蓄積されるライン状の光学像を基準にすると、同一の
ライン状の光学像による電荷が光電変換画素列１２２−
ａ，ｂ，ｃ……からは移送ゲートパルスφＴの１周期分
遅延して得られ、光電変換画素列１２３−ａ，ｂ，ｃ…
…からは２周期分、光電変換画素列１２４−ａ，ｂ，ｃ
……からは３周期分遅延して得られることになる。
に所定速度で移動し、移送ゲートパルスφＴの１周期に
てｙ方向の光電変換画素列間距離Ｐだけ移動する。従っ
て、光電変換画素列１２１−ａ，ｂ，ｃ……に電荷とし
て蓄積されるライン状の光学像を基準にすると、同一の
ライン状の光学像による電荷が光電変換画素列１２２−
ａ，ｂ，ｃ……からは移送ゲートパルスφＴの１周期分
遅延して得られ、光電変換画素列１２３−ａ，ｂ，ｃ…
…からは２周期分、光電変換画素列１２４−ａ，ｂ，ｃ
……からは３周期分遅延して得られることになる。
【００６８】図１３は、上記のように得られた出力信号
を画像処理するための回路ブロック図である。
を画像処理するための回路ブロック図である。
【００６９】図１３において、１３１は図１２で説明し
た構成のＣＣＤリニアセンサ、１３２はＣＣＤリニアセ
ンサ１３１を駆動するためのクロックパルスを生成する
クロック発生回路、１３３、１３４はＣＣＤリニアセン
サ１３１の出力信号Ｓ９、Ｓ１０をＡ／Ｄ変換するＡ／
Ｄ変換器、１３５、１３６はＡ／Ｄ変換器１３３、１３
４のデジタル出力信号Ｓ１１、Ｓ１２を奇数画素データ
と偶数画素データとに分離するセレクタ回路、１３７、
１３８、１３９はそれぞれ３ライン、２ライン、１ライ
ン分のラインメモリ、１４０はデータラッチ回路であ
る。
た構成のＣＣＤリニアセンサ、１３２はＣＣＤリニアセ
ンサ１３１を駆動するためのクロックパルスを生成する
クロック発生回路、１３３、１３４はＣＣＤリニアセン
サ１３１の出力信号Ｓ９、Ｓ１０をＡ／Ｄ変換するＡ／
Ｄ変換器、１３５、１３６はＡ／Ｄ変換器１３３、１３
４のデジタル出力信号Ｓ１１、Ｓ１２を奇数画素データ
と偶数画素データとに分離するセレクタ回路、１３７、
１３８、１３９はそれぞれ３ライン、２ライン、１ライ
ン分のラインメモリ、１４０はデータラッチ回路であ
る。
【００７０】図１４は、図１３の回路ブロックの動作を
説明するためのタイミング図であり、それぞれ１画素毎
にＡ／Ｄ変換された信号の状態を示している。
説明するためのタイミング図であり、それぞれ１画素毎
にＡ／Ｄ変換された信号の状態を示している。
【００７１】Ｓ１１、Ｓ１２はＡ／Ｄ変換器１３３、１
３４のデジタル出力信号である。Ｐ３はデータセレクタ
回路１３５に供給するラッチコマンドパルスであり、Ｓ
１１、Ｓ１２の奇数画素信号はパルスＰ３の立ち上がり
においてラッチされて、Ｓ１３、Ｓ１５として出力され
る。また、偶数画素信号はパルスＰ３の立ち下がりにお
いてラッチされて、Ｓ１４、Ｓ１６として出力される。
Ｐ４、Ｐ５はデータラッチ回路１４０に供給するラッチ
コマンドパルスであり、Ｓ１３の３ラインメモリの出力
Ｓ１７はＰ４の立ち上がりにおいてラッチされ、Ｓ１４
の２ラインメモリの出力Ｓ１８はＰ４の立ち下がりにお
いてラッチされる。また、Ｓ１５の１ラインメモリの出
力Ｐ１９はＰ５の立ち上がりにおいてラッチされ、Ｓ１
６はＰ５の立ち下がりにおいてラッチされる。Ｓ２０は
データラッチ回路１４０の出力信号である。
３４のデジタル出力信号である。Ｐ３はデータセレクタ
回路１３５に供給するラッチコマンドパルスであり、Ｓ
１１、Ｓ１２の奇数画素信号はパルスＰ３の立ち上がり
においてラッチされて、Ｓ１３、Ｓ１５として出力され
る。また、偶数画素信号はパルスＰ３の立ち下がりにお
いてラッチされて、Ｓ１４、Ｓ１６として出力される。
Ｐ４、Ｐ５はデータラッチ回路１４０に供給するラッチ
コマンドパルスであり、Ｓ１３の３ラインメモリの出力
Ｓ１７はＰ４の立ち上がりにおいてラッチされ、Ｓ１４
の２ラインメモリの出力Ｓ１８はＰ４の立ち下がりにお
いてラッチされる。また、Ｓ１５の１ラインメモリの出
力Ｐ１９はＰ５の立ち上がりにおいてラッチされ、Ｓ１
６はＰ５の立ち下がりにおいてラッチされる。Ｓ２０は
データラッチ回路１４０の出力信号である。
【００７２】上記において、Ｓ１７は光電変換画素列１
２１−ａ，ｂ，ｃ……から得られた信号を３ライン分遅
延したものであり、Ｓ１８は光電変換画素列１２２−
ａ，ｂ，ｃから得られた信号を２ライン分遅延したもの
であり、Ｓ１９は光電変換画素列１２３−ａ，ｂ，ｃ…
…から得られた信号を１ライン分遅延したものである。
従って、Ｓ１６、Ｓ１７、Ｓ１８、Ｓ１９は同一のライ
ン状の光学像から得られた信号となる。また、これらの
信号はそれぞれのｘ方向の画素配置に対応するように、
お互いに１／４周期づつ異なる位相で順次ラッチされる
ため、データラッチ回路１４０の出力信号Ｓ２０は、ｘ
方向の空間サンプリング数を４倍に増した高解像度な時
系列信号となる。
２１−ａ，ｂ，ｃ……から得られた信号を３ライン分遅
延したものであり、Ｓ１８は光電変換画素列１２２−
ａ，ｂ，ｃから得られた信号を２ライン分遅延したもの
であり、Ｓ１９は光電変換画素列１２３−ａ，ｂ，ｃ…
…から得られた信号を１ライン分遅延したものである。
従って、Ｓ１６、Ｓ１７、Ｓ１８、Ｓ１９は同一のライ
ン状の光学像から得られた信号となる。また、これらの
信号はそれぞれのｘ方向の画素配置に対応するように、
お互いに１／４周期づつ異なる位相で順次ラッチされる
ため、データラッチ回路１４０の出力信号Ｓ２０は、ｘ
方向の空間サンプリング数を４倍に増した高解像度な時
系列信号となる。
【００７３】〔第３の実施例〕図１５は本実施例の構成
上のポイントである画素形状を正六角形とした構成図で
ある。
上のポイントである画素形状を正六角形とした構成図で
ある。
【００７４】１５１−ａ，１５１−ｂ，１５１−ｃおよ
び１５２−ａ，１５２−ｂは光電変換画素列であり、２
列の光電変換画素列のｘ方向の画素ピッチおよびｙ方向
の画素列間距離は共に２Ｐに設定され、かつ、それぞれ
の画素列の画素配置は互いに２画素間の中間位置となる
ように補間配置となっている。この場合、光電変換画素
列１５１−ａ，１５１−ｂ，１５１−ｃから得られた信
号は、前記説明した図３に示す１ライン遅延線３３を２
ライン遅延線とすることで、光電変換画素列１５２−
ａ，１５２−ｂから得られた信号に対応する光学像と同
一の光学像の信号とすることができ、図３に示す出力信
号Ｓ５からは、第１の実施例と同様にｘ方向のサンプリ
ング数を倍増した高解像度な点順次信号を得ることがで
きる。
び１５２−ａ，１５２−ｂは光電変換画素列であり、２
列の光電変換画素列のｘ方向の画素ピッチおよびｙ方向
の画素列間距離は共に２Ｐに設定され、かつ、それぞれ
の画素列の画素配置は互いに２画素間の中間位置となる
ように補間配置となっている。この場合、光電変換画素
列１５１−ａ，１５１−ｂ，１５１−ｃから得られた信
号は、前記説明した図３に示す１ライン遅延線３３を２
ライン遅延線とすることで、光電変換画素列１５２−
ａ，１５２−ｂから得られた信号に対応する光学像と同
一の光学像の信号とすることができ、図３に示す出力信
号Ｓ５からは、第１の実施例と同様にｘ方向のサンプリ
ング数を倍増した高解像度な点順次信号を得ることがで
きる。
【００７５】また、本発明における画素形状は他にも五
角形、八角形、円形なども適用することが可能である。
即ち画素の中心からｘ方向およびｙ方向に向かって、単
位長さあたりの面積が減少するように形成したものであ
ればどのような形状でも構わない。
角形、八角形、円形なども適用することが可能である。
即ち画素の中心からｘ方向およびｙ方向に向かって、単
位長さあたりの面積が減少するように形成したものであ
ればどのような形状でも構わない。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したように、本出願に係る発明
によれば、解像度を高めるために画素数を増加しても、
１画素の面積を従来に比べて大きくできるため、感度の
低下を最小限に抑えることができる。また、転送部を分
割して構成することにより、転送速度を従来と同等にす
ることができるため、転送性能が劣化したり、転送部に
おける発熱量や電力の増大が問題となることはない。ま
た、ｘ方向のチップサイズも従来とほぼ同等なため、リ
ニアイメージセンサやレンズのコストが上昇することは
ない。
によれば、解像度を高めるために画素数を増加しても、
１画素の面積を従来に比べて大きくできるため、感度の
低下を最小限に抑えることができる。また、転送部を分
割して構成することにより、転送速度を従来と同等にす
ることができるため、転送性能が劣化したり、転送部に
おける発熱量や電力の増大が問題となることはない。ま
た、ｘ方向のチップサイズも従来とほぼ同等なため、リ
ニアイメージセンサやレンズのコストが上昇することは
ない。
【図１】 本発明の第１の実施例であるＣＣＤリニアイ
メージセンサの構成図である。
メージセンサの構成図である。
【図２】 本発明の第１の実施例の動作を説明するタイ
ミング図である。
ミング図である。
【図３】 本発明の第１の実施例に適用する画像処理回
路ブロック図である。
路ブロック図である。
【図４】 図３のブロック図を説明する信号波形図であ
る。
る。
【図５】 ｙ方向に移動時の正方形画素の感度分布を示
す立体図である。
す立体図である。
【図６】 静止時の正方形画素の感度分布を示す立体図
である。
である。
【図７】 ｙ方向に移動時の菱型画素の感度分布を示す
立体図である。
立体図である。
【図８】 静止時の菱型画素の感度分布を示す立体図で
ある。
ある。
【図９】 正方形画素および菱型画素のＭＴＦと折り返
し歪特性を示すグラフである。
し歪特性を示すグラフである。
【図１０】 本発明の第１の実施例に適用する第２の画
像処理回路ブロック図である。
像処理回路ブロック図である。
【図１１】 図１０のブロック図を説明する信号波形図
である。
である。
【図１２】 本発明の第２の実施例であるＣＣＤリニア
イメージセンサの構成図である。
イメージセンサの構成図である。
【図１３】 本発明の第２の実施例に適用する画像処理
回路ブロック図である。
回路ブロック図である。
【図１４】 図１３のブロック図を説明する信号波形図
である。
である。
【図１５】 本発明の第３の実施例であるＣＣＤリニア
イメージセンサの画素部の構成図である。
イメージセンサの画素部の構成図である。
【図１６】 従来例のＣＣＤリニアイメージセンサの構
成図である。
成図である。
１−ａ，１−ｂ，１−ｃ 菱型形状の光電変換画素列 ２−ａ，２−ｂ，２−ｃ 菱型形状の光電変換画素列 ３−ａ，３−ｂ，３−ｃ 光電変換された電荷の移送ゲ
ート ４−ａ，４−ｂ，４−ｃ 光電変換された電荷の移送ゲ
ート ５，６ 移送された電荷を順次転送する転送部 ７，８ 転送された電荷を読み出す出力回路 Ｓ１，Ｓ２ 出力信号
ート ４−ａ，４−ｂ，４−ｃ 光電変換された電荷の移送ゲ
ート ５，６ 移送された電荷を順次転送する転送部 ７，８ 転送された電荷を読み出す出力回路 Ｓ１，Ｓ２ 出力信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀井 正文 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 杉浦 崇 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 里村 誠一郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 太田 智市郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04N 1/028 - 1/031 H04N 1/04 - 1/207 H01L 27/14
Claims (5)
- 【請求項１】 １次元的に等しい画素ピッチで配列した
複数の画素を有する光電変換画素列を列方向に垂直な方
向にＮ（Ｎは整数）列配置し、前記Ｎ列の光電変換画素
列から出力されるＮラインの画像信号を１ラインの画像
信号として処理するリニアイメージセンサにおいて、前
記画素の中心から前記列方向および前記列方向に垂直な
方向に向かって単位長さあたりの面積が減少するように
前記画素を形成し、前記列方向に垂直な方向に隣接する
前記光電変換画素列が互いに前記列方向に画素ピッチの
１／Ｎづつずれるように配置するとともに、前記列方向
に垂直な方向における隣接する光電変換画素列の中心間
距離が前記画素ピッチのＫ／２（Ｋは整数）倍となるよ
うに配置したことを特徴とするリニアイメージセンサ。 - 【請求項２】 前記Ｎ列の光電変換画素列をライン状の
画像信号として１列当たり所定の期間に読み出し、該Ｎ
ラインの画像信号を前記中心間距離に対応して、前記所
定期間のＫ倍に相当する分だけ遅延し、かつ、前記Ｎラ
インの画像信号をそれぞれ前記画素ピッチの１／Ｎづつ
ずらした画素配置に相当する２π／Ｎ期間づつ位相遅延
し、前記遅延したＮラインの画像信号を、前記画素ピッ
チの１／Ｎづつずらした画素配置に相当する２π／Ｎ期
間について、スイッチング手段により順次抜き取って合
成することにより、点順次化した画像信号を得ることを
特徴とする請求項１記載のリニアイメージセンサ。 - 【請求項３】 前記Ｎ列の光電変換画素列をライン状の
画像信号として１列当たり所定の期間に読み出し、該Ｎ
ラインの画像信号を前記中心間距離に対応して、前記所
定期間のＫ倍に相当する分だけ遅延し、かつ、前記Ｎラ
インの画像信号をそれぞれ前記画素ピッチの１／Ｎづつ
ずらした画素配置に相当する２π／Ｎ期間づつ位相遅延
し、前記遅延したＮラインの画像信号をＡ／Ｄ変換する
Ａ／Ｄ変換手段を有し、該Ａ／Ｄ変換手段のそれぞれＮ
ライン分のデジタル信号出力を、前記画素ピッチの１／
Ｎづつずらした画素配置に相当する２π／Ｎ期間につい
て、デジタルデータを順次ラッチし、時系列化した画像
信号を得ることを特徴とする請求項１記載のリニアイメ
ージセンサ。 - 【請求項４】 前記画素の形状は、正多角形であること
を特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のリニ
アイメージセンサ。 - 【請求項５】 前記画素の形状は、円形であることを特
徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のリニアイ
メージセンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07283413A JP3143053B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | リニアイメージセンサ |
| US08/739,213 US5956087A (en) | 1995-10-31 | 1996-10-29 | Linear image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07283413A JP3143053B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | リニアイメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09130537A JPH09130537A (ja) | 1997-05-16 |
| JP3143053B2 true JP3143053B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=17665213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07283413A Expired - Fee Related JP3143053B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | リニアイメージセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5956087A (ja) |
| JP (1) | JP3143053B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH10257396A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Toshiba Corp | エリア分離型固体撮像装置 |
| JP3571880B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2004-09-29 | キヤノン株式会社 | 画像読取装置 |
| US6882364B1 (en) * | 1997-12-02 | 2005-04-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd | Solid-state imaging apparatus and signal processing method for transforming image signals output from a honeycomb arrangement to high quality video signals |
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| US6642964B1 (en) * | 1998-12-15 | 2003-11-04 | Xerox Corporation | Geometric configurations for photosites for reducing moire patterns |
| JP3619082B2 (ja) | 1999-10-15 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 画像読取装置及びその照明駆動方法 |
| JP2001203969A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮像装置およびその動作制御方法 |
| WO2002091424A1 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Photon Vision Systems, Inc. | A cmos system for capturing an image and a method thereof |
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