JP3143510B2

JP3143510B2 - 光学素子及びその作製方法

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Publication number: JP3143510B2
Application number: JP1652292A
Authority: JP
Inventors: 日出也雲見; 隆夫米原
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-01-31
Filing date: 1992-01-31
Publication date: 2001-03-07
Anticipated expiration: 2016-03-07
Also published as: JPH05218494A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、シリコンを母材料とす
る波長変換素子等の光学素子及びその作製方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、化合物半導体の分野において、半
導体電子回路や発光受光素子と光学部品とを同一素子上
に集積化したＯＥＩＣ（光学電子集積回路）技術の研究
開発が盛んに行われている。その理由は、電流注入によ
る可視光の発光が直接遷移型の化合物半導体で容易に得
られるからである。そして、このようなＯＥＩＣでは、
微細なミラー、回折格子などの光学部品も化合物半導体
で形成される。

【０００３】一方、電子素子の大規模集積回路の材料と
しては、圧倒的にシリコンが多く用いられており、その
優位は今後とも揺るぎないものと予想される。したがっ
て、このような集積回路と光学素子とをモノリシックに
形成したＯＥＩＣを構成するためには、シリコンを母材
料とする波長変換素子、発光素子、ＥＬ（エレクトロル
ミネッセンス）素子などの光学素子を実現することが必
要となってくる。

【０００４】例えば、現在までに光学素子への可能性が
示されているシリコン系材料、構造あるいは現象として
は、(1) アプライド・フィジックス・レターズ（Appl.P
hys.Lett. ）第５６巻２３７９頁（１９９０年）に記載
された、周囲が酸化膜で被われたＳｉ超微粒子、(2) ジ
ャーナル・オブ・アプライド・フィジックス(J.Appl.Ph
ys.)第５２巻４２４１頁（１９８１年）に記載されたグ
ローディスチャージ（glow discharge）法で堆積された
ＳｉＯ_x 膜のフォトルミネッセンス（photoluminescenc
e ）効果、(3) アプライド・フィジックス・レターズ第
５９巻３０４頁（１９９１年）に記載された、単結晶Ｓ
ｉの陽極化成によって得られる多孔質シリコン、(4) Ｍ
ＯＳ構造Ｓｉ−ＦＥＴのドレイン端におけるアバランシ
（avalanche ）崩壊を伴ったホットキャリア（hot carr
ier ）の再結合、(5) Ｓｉ系アモルファス材料の超格子
構造によるＥＬ効果などが挙げられる。

【０００５】

【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、上記
(3) を利用した素子は電極の取り出しが実用的ではな
い。また、(4) の現象は、そもそも素子の不安定状態に
おける特異現象である故に、制御性に問題があることに
加え、発光領域の形状設計の自由度が低いという発光素
子としては致命的な欠陥を有している。また、(5) の現
象は、精力的な研究にも関わらず、発光強度の不足や成
膜方法の繁雑さから実用には程遠い。このように、何れ
の現象を利用するにせよ、各種の問題を克服する新しい
構造、素子の作製方法の創造が不可欠であった。

【０００６】本発明は、上記(2) のＳｉＯ_x のフォトル
ミネッセンス効果に着目し、この効果を利用した光学素
子をより制御性良く、高能率に作製できる方法を見いだ
したものである。また、本発明は、上記のＳｉＯ_x を利
用した発光ダイオード（ＬＥＤ）及びＳｉＯ_x ，ＳｉＮ
_x ，ＳｉＯ_x Ｎ_y 等の発光現象を利用したＥＬ素子の構
造に関しても提案するものである。

【０００７】即ち、本発明の目的は、シリコンを母材料
として、シリコン系半導体回路と同一基板上に形成が可
能な光学素子およびこの光学素子を効率良く作製する方
法を提供することにある。

【０００８】

【問題点を解決するための手段】本発明の上記目的は、
シリコン表面に運動エネルギーの高い酸素原子または酸
素分子を照射した後、熱処理することによって形成され
たＳｉＯ_x （０＜ｘ＜２）を成分として含み、前記Ｓｉ
Ｏ_x がフォトルミネッセンス効果を示すことを利用し
て、入射した光の波長とは異なる波長の光を得る波長変
換素子として用いることを特徴とする。

【０００９】

【００１０】本発明に基づく発光素子は、ｐｎ接合を有
するシリコンのｐｎ接合近傍にＳｉＯ_x（０＜ｘ＜２）
を成分として含む領域が設けられて成る。また、本発明
に基づく交流駆動型エレクトロルミネッセンス素子は、
シリコン酸化物、シリコン窒化物またはシリコン酸化窒
化物から発光層を形成することによって成る。

【００１１】

【実施例】図１は本発明を波長変換素子に適用した第１
の実施態様の作製方法を説明するための略断面図であ
る。また、図２は図１の方法で作製された波長変換素子
の略断面図である。

【００１２】第１の実施態様の波長変換素子を作製する
場合には、まずシリコン基板の表面１に、十分高い運動
エネルギーを持った酸素原子または酸素分子２を照射
し、シリコン基板の内部３に酸素を注入する。ここで、
シリコン基板は、用途に応じて単結晶シリコン、多結晶
シリコンまたは非晶質シリコンのいずれでも良い。ま
た、酸素原子または酸素分子２として、酸素イオンまた
は酸素プラズマを用いて、電界で加速してシリコン基板
に照射しても良い。ここで、酸素注入をシリコン基板の
表面１の全域に亙って行えば、大面積素子が得られる。
また、通常のリソグラフィー技術を用いて局所的な注入
を行えば、微細な素子を局所的に形成することも可能で
ある。

【００１３】次に、上記のように酸素が注入された基板
に熱処理を行い、注入された酸素とシリコンを結合させ
る。この熱処理によって、図２のようにシリコン内部に
ＳｉＯ_x（０＜ｘ＜２）を含む領域４が形成され、本実
施態様の素子が完成する。熱処理の具体的方法として
は、シリコン基板の表面１を損なわないものであれば、
どのような方法を用いても構わない。また、上記の作製
方法において、酸素の組成比ｘは、注入する酸素濃度と
熱処理条件によって、０から２までの範囲で連続的に変
化させることが可能であり、用途に応じて適宜選択する
ことができる。

【００１４】上記のように作製された波長変換素子は、
ＳｉＯ_x がフォトルミネッセンス効果を示すことを利用
して、入射した光の波長とは異なる波長の光を発する。
ここで、ＳｉＯ_x のフォトルミネッセンス発光ピーク波
長は、組成比ｘの増加とともに短波長側へ連続的にシフ
トすることが、前述のジャーナル・オブ・アプライド・
フィジックス第５２巻４２４１頁（１９８１年）で知ら
れている。したがって、上記作製方法で、組成比ｘを調
整することによって、所望のピーク波長で発光する素子
を得ることができる。

【００１５】酸素注入と熱処理という本発明の簡便な工
程は、何れも通常のシリコンプロセスの範疇にあり、周
知のプロセスから適当な方法を選択すれば良い。これら
２つの工程は、独立して行う必要はなく、同時に行うこ
とも可能である。また、本発明の光学素子は、その極め
て簡素な構造故に、他のいかなる電子・光学素子とも容
易に共存、例えば同一基板上に集積化することができ
る。

【００１６】上記の方法にしたがって波長変換素子を作
製した例を、以下に更に具体的に示す。

【００１７】［実施例１］４インチ径シリコン基板の表
面上に、１００keV のエネルギーに加速された酸素イオ
ンを１×１０¹⁷cm^-2のドーズで注入した。次いで、基板
表面に常圧ＣＶＤ（ケミカル・ベイパー・デポジショ
ン）法を用いて５０nmの膜厚のＳｉＯ₂ を形成してか
ら、窒素雰囲気中で１０００℃の温度で３０分程熱処理
した。この基板表面にフィルターによって可視光域を除
いたＸｅランプを照射したところ、５００nm近傍にピー
ク波長を持つフォトルミネッセンスの発光が観測され
た。

【００１８】［実施例２］５インチ径シリコン基板の表
面上に熱酸化によって２００nmの膜厚のＳｉＯ_２を形成
し、その上に低圧ＣＶＤ法を用いて２００ｎｍの膜厚の
多結晶シリコン膜を堆積した。この多結晶膜に、５０ke
V のエネルギーに加速された酸素イオンを５×１０¹⁶cm
^-2のドーズで注入した。次いで、基板表面に常圧ＣＶＤ
法を用いて１００nmの膜厚のＳｉＯ₂ を形成してから、
窒素雰囲気中でランプ加熱により１２００℃の温度で１
分間程熱処理した。この基板表面にＫｒレーザ光を照射
したところ、５５０nm近傍にピーク波長を持つフォトル
ミネッセンスの発光が観察された。そこで、通常のフォ
トリソグラフィー工程によって、多結晶膜と酸化膜で被
われた基板表面の一部に開口部を設けて単結晶シリコン
を露出させ、そこに通常のＭＯＳトランジスタを作製し
たところ、同時に未加工のシリコン基板上に作製したも
のに遜色なく動作した。このことから、波長変換素子と
電子素子とが共存し得ることが確認された。

【００１９】［実施例３］４インチ径石英基板の表面上
に、ＲＦマグネトロンスパッタ法によって４００nmの膜
厚の非晶質シリコンを形成した。次いで、基板温度を４
００℃に保ちながら、酸素イオンシャワーに１時間ほど
晒した。この非晶質膜に可視光を除いた水銀ランプ光を
照射したところ、６００nm近傍にピーク波長を持つフォ
トルミネッセンスの発光が観察された。

【００２０】図３は、本発明を発光素子に適用した第２
の実施態様を示す概略図である。図３において、符号５
及び６はそれぞれ、固体シリコンに各種不純物を導入す
ることによって形成されたｐ型領域及びｎ型領域を示
す。これらの領域の界面、即ちｐｎ接合面の近傍には、
ＳｉＯ_x （０＜ｘ＜２）を成分として含む領域８が形成
されている。ｐ型領域５及びｎ型領域６の両端からｐｎ
接合の順バイアス方向に電界を印加すると、接合界面７
で発生した電子及び正孔の一部が、それぞれの領域にお
いてＳｉＯ_x に注入され、発光する。発光波長は第１の
実施態様で説明したように組成比ｘの値によって連続的
に変化するため、作製時にｘの値を制御することによっ
て、所望の波長の光を発する素子を得ることができる。

【００２１】図４及び図５は、図３の素子からの光の取
り出し法を説明する斜視図である。図４及び図５におい
て、図３と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説
明は省略する。発光９は、図４のようにｐｎ接合の断面
から取り出しても、図５のように接合面と直交する方向
に、Ｓｉ中を透過させて取り出しても良い。素子作製技
術の観点からいえば、図４の素子の場合にはｐ型領域５
及びｎ型領域６を積層し、界面７に直交する断面を露出
させる方法か、平面内にｐ型領域５及びｎ型領域６を形
成する方法が用いられる。一方、図５の素子の場合に
は、Ｓｉ中における発光９の透過距離の制限から、ｐ型
領域５またはｎ型領域６の厚さには上限があり、波長の
選択によっては、浅い接合の形成技術を用いる必要が生
じる。また、ＳｉＯ_x を成分として含む領域８の幅は、
接合界面７からの距離がそれぞれ、電子及び正孔の拡散
長程度あれば十分であるが、それ以上或はそれ以下であ
っても支障はない。更に、領域８は、必ずしもｐ型領域
５及びｎ型領域６の両領域に亙って設けられている必要
はなく、何れか一方の領域にのみ設けられても構わな
い。

【００２２】本実施態様の発光素子において重要な点
は、接合界面の近傍に設けられたＳｉＯ_x がｐｎ接合の
ダイオード特性を損なわないこと、及び、ＳｉＯ_x の組
成比ｘ、構造やＳｉ中の濃度が、設定した発光波長、電
流注入効率に対して厳密に制御されていることである。
これらの点は全て、素子の作製方法、作製条件に関わっ
てくる。例えば、本実施態様の素子は、単結晶Ｓｉ基板
の深さ方向へ表面と平行に予め形成されたｐｎ接合に酸
素イオンを注入し、この基板を熱処理して結晶回復とＳ
ｉＯ_x の結合・安定化を図ることによって作製される。
この場合、ＳＩＭＯＸ法のように熱処理温度が高すぎる
と、ＳｉＯ₂ がＳｉと分離してしまうので、前記基板を
低い温度で熱処理する必要がある。

【００２３】本実施態様の発光素子の具体例を以下に示
す。

【００２４】［実施例４］初めに、４インチ径の単結晶
シリコン基板（〈１００〉型，抵抗率０．０１Ωcm）の
表面上に、ＣＶＤエピタキシャル成長法によって、１０
¹⁶cm^-3の濃度でリンをドーピングしながら、ｎ型エピタ
キシャル層を２０μｍ程の膜厚まで形成した。次いで、
このｎ型エピタキシャル層にボロンをドーズ量７×１０
¹⁴cm^-2、加速エネルギー３０keV で注入し、これを窒素
雰囲気中で９５０℃で６０分間アニールした。更に、１
２０keV のエネルギーに加速された酸素イオンを１×１
０¹⁶cm^-2のドーズで注入し、窒素雰囲気中で１０００℃
で３０分間アニールした。この基板表面にＩＴＯ膜を８
００Åの膜厚で形成し、基板裏面との間に５Ｖ程の電圧
で通電したところ、基板面方向に、６００nm近傍にピー
ク波長を持つ発光が観察された。また、基板を劈開して
断面から観察したところ、接合界面と思われる領域から
発光していることが確認された。

【００２５】［実施例５］初めに、石英基板の表面上
に、低圧ＣＶＤ法によって、１０¹⁶cm^-3の濃度でリンが
ドープされるようにｎ型多結晶Ｓｉ膜を０．４μｍ程の
膜厚で形成した。次いで、このｎ型多結晶膜に、フォト
リソグラフィー工程とイオン注入・熱処理工程を用い
て、プレナー型のリング状ダイオードを形成した。最も
内側にある直径１００μｍの円形領域は、リンをドーズ
量２×１０¹⁵cm^-2、加速エネルギー１５０keV で注入し
てｎ⁺ 領域とし、その外周から１０μｍ隔てた外側の幅
１０μｍのリング領域に、ボロンをドーズ量５×１０¹⁵
cm^-2、加速エネルギー３０keV で注入してｐ⁺ 領域と
し、これを窒素雰囲気中で９５０℃で３０分間アニール
した。更に、このｐ⁺ リング領域の内壁にある、イオン
注入されていないｎ領域との円筒状の接合界面から、両
領域にそれぞれ５μｍ入り込んだ都合幅１０μｍのリン
グ状領域に１５０keV のエネルギーに加速された酸素イ
オンを４×１０¹⁶cm^-2のドーズで注入し、窒素雰囲気中
で１０００℃で３０分間アニールした。この素子表面か
らｐ⁺ 領域とｎ⁺ 領域との間に５Ｖ程の電圧で通電し、
石英基板裏面から観察したところ、ちょうど接合界面に
対応すると思われる断面形状がリング形の発光が観察さ
れた。

【００２６】次に、本発明を交流駆動型ＥＬ素子に適用
した第３の実施態様について説明する。前述のように、
従来よりグローディスチャージ法で堆積された非晶質の
シリコン酸化物（ＳｉＯ_x ）やシリコン窒化物（ＳｉＮ
_x ）が、フォトルミネッセンスを示すことは知られてい
る。本発明者らの研究では、シリコン酸化窒化物（Ｓｉ
Ｏ_x Ｎ_y ）も同様の発光を示すことが分かっている。本
実施態様はこのような現象を利用したものである。

【００２７】図６は、本実施態様のＥＬ素子の構成例を
示す略断面図である。図６の素子は、シリコン化合物
（ＳｉＯ_x ，ＳｉＮ_x ，ＳｉＯ_x Ｎ_y ）から成る発光層
１０の両面に、この発光層１０をサンドイッチにするよ
うに絶縁層１１及び１２が形成されている。更に、これ
らの絶縁層の外側に、電極１３及び１４が設けられてい
る。この素子に、電極１３及び１４を通して交流電源よ
り交流電圧１５を印加すると、発光層１０はエレクトロ
ルミネッセンスを発する。ここで、発光層１０の抵抗が
十分に高ければ、絶縁層１１及び１２を省くことができ
る。また、素子の作製時に、発光層を構成するシリコン
化合物の組成比を制御することによって、所望の波長の
光を発する素子を得ることができる。

【００２８】次に、シリコン化合物の形成方法について
説明する。第１の方法は、堆積によるものである。即
ち、予め用意した下部電極１４の上に絶縁層１２を形成
し、更にその上に所望のシリコン化合物を堆積して発光
層１０とし、更に上部絶縁層１１及び上部電極１３を形
成する。堆積膜の、特に、低温で堆積されたシリコン化
合物は、一般に熱安定性に劣るので、堆積後に適当な雰
囲気中で熱処理を施して、構造及び組成を安定化する必
要がある。

【００２９】第２の方法は、イオン注入を用いるもので
ある。即ち、第１の方法において、初めから所望のシリ
コン化合物を堆積する代わりに、純粋なシリコン層或は
シリコン化合物層を形成し、次いで、それらの酸素また
は窒素のイオンを注入することにより、最終的に所望の
組成のシリコン化合物を得る。この場合の、注入イオン
の活性化の必要に応じて、イオン注入後の熱処理を施
す。

【００３０】本実施態様のＥＬ素子の具体例を以下に示
す。

【００３１】［実施例６］初めに、ガラス基板上に透明
電極材料Ｉｎ₂ Ｏ₃ を１０００Åの膜厚で形成し、これ
を下部電極とした。次に、スパッタ法でＳｉ₃ Ｎ₄ を２
０００Åの膜厚で形成し、これを下部絶縁層とした。そ
して、この絶縁層の表面の一部に、グローディスチャー
ジ法でＳｉＯ_x を５０００Å程堆積し、更に先程と同様
の絶縁層でころを覆った。この段階で、基板全体を窒素
雰囲気中で４００℃で熱処理し、ＳｉＯ_x を安定化し
た。ここで、組成比ｘは１．１とした。この後、ＳｉＯ
_x 層より広い面積のＡｌ膜を３０００Åの膜厚で形成
し、これを上部電極とした。最後に、ＡＬ膜からずれた
位置のＳｉ₃ Ｎ₄ 絶縁層に開口部を設け、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 下
部電極を一部露出させた。

【００３２】上記のように作製した素子の上下の電極間
に、２００Ｖ，１kHz の矩形波交流電圧を印加したとこ
ろ、ガラス基板側から可視のＥＬ発光が確認できた。

【００３３】［実施例７］初めに、石英基板上に透明電
極材料Ｉｎ₂ Ｏ₃ を２０００Åの膜厚で形成し、これを
下部電極とした。次に、ＬＰＣＶＤ法でＳｉ₃ Ｎ₄ を２
０００Åの膜厚で形成し、これを下部絶縁層とした。そ
して、同じくＬＰＣＶＤ法で多結晶シリコンを４０００
Åの膜厚で堆積した。この多結晶シリコン膜に、９０ke
V のエネルギーに加速された窒素イオンを５×１０¹⁶cm
^-2のドーズで注入し、更に窒素雰囲気中で８００℃で熱
処理した。この多結晶シリコン膜を、通常のフォトリソ
グラフィー工程で５００μｍ角の領域を残してパターニ
ングした後に、先と同様のＳｉ₃ Ｎ₄ 膜で被覆した。こ
の後、残された多結晶シリコン膜より広い面積のＡｌ膜
を３０００Åの膜厚で形成し、上部電極とした。最後
に、ＡＬ膜からずれた位置のＳｉ₃ Ｎ₄ 絶縁層に開口部
を設け、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 下部電極を一部露出させた。

【００３４】上記のように作製した素子の上下の電極間
に、２５０Ｖ，５kHz の矩形波交流電圧を印加したとこ
ろ、基板裏面側からＥＬ発光が確認できた。

【００３５】［実施例８］初めに、低抵抗の単結晶シリ
コン基板上に熱酸化によって２０００Åの膜厚のＳｉＯ
₂ 膜を形成し、基板を下部電極、酸化膜を下部絶縁層と
した。次に、グローディスチャージ法でＳｉＯ_x を５０
００Å程堆積し、この膜に１５０keV のエネルギーに加
速された窒素イオンを２×１０¹⁶cm^-2のドーズで注入し
た。このＳｉＯ_x Ｎ_y 膜を、通常のリソグラフィー工程
で１mm角の領域を残してパターニングした後に、ＡＰＣ
ＶＤ法によって膜厚２０００ÅのＳｉＯ₂ 膜で被覆し
た。ここで、窒素雰囲気中で８００℃で熱処理した後
に、ＳｉＯ_x Ｎ_y 膜より広い面積のＩＴＯ膜を２０００
Åの膜厚で形成し、上部電極とした。

【００３６】上記のように作製した素子のＩＴＯ膜とシ
リコン基板裏面との間に、３００Ｖ，０．５kHz の矩形
波交流電圧を印加したところ、基板表面側からＥＬ発光
が確認できた。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光学素子
は、シリコン化合物の発光現象を利用した構成としたの
で、シリコン系半導体回路と同一基板上にモノリシック
に形成することが可能となった。また、本発明の方法を
用いることによって、制御性良く、高能率に光学素子が
作製できる効果が得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施態様の素子を作製する方法
を説明するための略断面図である。

【図２】本発明の第１の実施態様の素子の構成を示す略
断面図である。

【図３】本発明の第２の実施態様の発光素子の構成を示
す概略図である。

【図４】図３の素子からの光の取り出し方の一例を示す
概略斜視図である。

【図５】図３の素子からの光の取り出し方の他の例を示
す概略斜視図である。

【図６】本発明の第３の実施態様のＥＬ素子の構成を示
す略断面図である。

【符号の説明】

１基板の表面２酸素原子または酸素分子３基板の内部４ＳｉＯ_x を含む領域５ｐ型領域６ｎ型領域７接合界面８ＳｉＯ_x を含む領域９発光１０発光層１１上部絶縁層１２下部絶縁層１３上部電極１４下部電極１５交流電圧

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 33/00 G02F 1/00 H05B 33/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコン表面に運動エネルギーの高い酸
素原子または酸素分子を照射した後、熱処理することに
よって形成されたＳｉＯ_x （０＜ｘ＜２）を成分として
含み、前記ＳｉＯ_x がフォトルミネッセンス効果を示す
ことを利用して、入射した光の波長とは異なる波長の光
を得る波長変換素子として用いることを特徴とする光学
素子。
【請求項２】前記ＳｉＯ_x がシリコン系半導体電子回
路と同一基板上に形成されている請求項１の光学素子。
【請求項３】請求項１に記載の光学素子の作製方法に
おいて、シリコンの表面に運動エネルギーの高い酸素原
子または酸素分子を照射することによって、前記シリコ
ン中に酸素を注入する過程と、酸素が注入されたシリコ
ンを熱処理することによって酸素とシリコンとを結合さ
せ、ＳｉＯ_x （０＜ｘ＜２）を形成する過程とから成る
光学素子の作製方法。
【請求項４】前記酸素原子をイオン化し、この酸素イ
オンを電界によって加速してシリコンの表面に照射する
請求項３記載のの光学素子の作製方法。
【請求項５】ｐｎ接合を有するシリコンのｐｎ接合近
傍にＳｉＯ_x （０＜ｘ＜２）を成分として含む領域が設
けられて成る発光素子。
【請求項６】ｐｎ接合を有するシリコンを形成する過
程と、前記シリコンのｐｎ接合近傍に運動エネルギーの
高い酸素原子または酸素分子を照射することによってシ
リコン中に酸素を注入する過程と、酸素が注入されたシ
リコンを熱処理することによって酸素とシリコンとを結
合させ、ＳｉＯ_x （０＜ｘ＜２）を形成する過程とから
成る発光素子の作製方法。
【請求項７】シリコン酸化物、シリコン窒化物または
シリコン酸化窒化物から成る発光層を有する交流駆動型
エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】シリコンまたはシリコン化合物に酸素ま
たは窒素のイオンを注入する過程と、イオンが注入され
たシリコンまたはシリコン化合物を熱処理して発光層と
する過程とから成る交流駆動型エレクトロルミネッセン
ス素子の作製方法。