JP3144871B2 - 透磁率測定装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁性材料の高周波に
おける実効透磁率およびその実数部と虚数部を可及的に
少ない誤差で求めることを可能とする透磁率測定装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁性材料の透磁率測定方法とし
て、インダクタンス法、ヨーク法などが利用されてい
る。これらの方法ではコイルの分布容量に起因する自己
共振のために、高周波での測定は困難であった。これら
に代わる方法として差動コイルを用いた透磁率測定方法
が知られている。

【０００３】差動コイルを用いた透磁率測定装置の検出
部の構造は、特開昭６１−５７８７１号公報に開示され
ている。すなわち、図６に示すように、この透磁率測定
装置は、断面が矩形状の磁界発生用コイル２に励磁用の
高周波電源４からの電圧を印加して交番磁界を発生さ
せ、磁界発生用コイル２によって発生させられた交番磁
界に対して面が直交するように、該磁界発生用コイル２
内に８字状に巻回する測定用差動コイル６および磁界検
出用コイル８を設け、測定用差動コイル６の一方のコイ
ル部中に透磁率測定試料（以下、単に試料とも記す）９
を挿入し、測定用差動コイル６の出力電圧Ｅ_B と磁界検
出用コイル８の出力電圧Ｅ_H との比、μ＝（Ｅ_B ／
Ｅ_H ）・（Ｓ_H ／Ｓ_B ）から透磁率を測定する。ここ
で、Ｓ_H は磁界検出用コイル８の実効面積、Ｓ_B は試料
９の断面積である。

【０００４】前記の従来技術において、磁界発生用コイ
ル２内に配設される測定用差動コイル６および磁界用検
出コイル８は、例えば、透磁率の小さいガラス材料等で
形成された枠体に細い導線を巻回することにより得てい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】然しながら、前記構成
では、寸法精度がさほどに向上することなく、従って、
製品としてばらつきが出て、正確な透磁率の測定が困難
である。

【０００６】しかも、試料の挿入度合によって異なる透
磁率が測定されることになり、測定結果に信頼性が得ら
れない難点がある。

【０００７】本発明は前記の不都合を克服するためにな
されたものであって、簡単な構成で確実に、すなわち、
測定誤差が少なく且つ迅速に透磁率を測定することが可
能であり、しかも測定部の寸法精度に優れた透磁率測定
装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明は、ほぼ一様な交番磁界を発生する磁界発
生用コイルと、前記磁界発生用コイル中に配設された磁
界検出用コイル並びに測定用差動コイルとを備え測定用
差動コイルの出力電圧と磁界検出用コイルの出力電圧と
から透磁率を測定する透磁率測定装置において、前記磁
界検出用コイルと測定用差動コイルとは単一の基板上に
巻回形成されていることを特徴とする。

【０００９】

【作用】基板上に形成された測定用差動コイルに対して
試料を接近させ、その出力電圧を得る。一方、前記測定
用差動コイルが空心状態の時の出力電圧を得て、両出力
電圧の差を求め、誤差によって前記測定用差動コイルの
出力電圧の値を補正して磁界検出用コイルの出力電圧と
の比から透磁率を測定する。この時、測定用差動コイル
と磁界検出用コイルとは基板上に設けられているため
に、寸法精度が向上し、正確且つ迅速に透磁率の測定が
達成される。

【００１０】

【実施例】以下本発明を実施例により説明する。

【００１１】図１において、参照符号１０は、本発明に
係る透磁率測定装置を示す。この透磁率測定装置１０
は、基本的には、基台１２と前記基台１２にボルト１４
によって固定される案内部材１６と、前記案内部材１６
が臨む磁気検出回路１８とから基本的に構成されてい
る。

【００１２】案内部材１６は、図１から容易に諒解され
る通り、その長手方向中央部に沿って蟻溝２０が設けら
れており、前記蟻溝２０には摺動部材２２が摺動自在に
嵌合されている。摺動部材２２の先端部は試料Ｗの固着
部位として利用する。この場合、摺動部材２２を変位さ
せるために、把手２４が設けられている。なお、参照符
号２６は前記蟻溝２０の一方の端部に設けられた摺動部
材２２のそれ以上の変位を阻止するためのストッパを示
している。

【００１３】前記案内部材１６は磁気検出回路１８に臨
む。磁気検出回路１８はＣチャンネル上に折曲形成され
た励磁用コイル２８と前記励磁用コイル２８の、図にお
いて、垂直方向中央に配設されるプリント基板３０と、
前記プリント基板３０に設けられる８の字状コイル（後
述）の出力を外部へと取り出すためのターミナル部３２
とから構成される。

【００１４】励磁用コイル２８とプリント基板３０とは
固着されており、さらに前記プリント基板３０に穿設さ
れた孔部にボルト３４を挿通して前記案内部材１６の螺
溝に螺合することにより磁気検出回路１８と一体化され
ている。

【００１５】図３並びに図４に前記プリント基板３０の
配線構造を示す。図３から容易に諒解される通り、プリ
ント基板３０の一方の面には一本の導体４２を実質的に
８字状に湾曲乃至屈曲形成して測定用差動コイル４４が
形成され、また、図４に示すように、プリント基板３０
の他方の面に導体４６を湾曲乃至屈曲させて磁界検出用
コイル４８として形成している。測定用差動コイル４４
の出力側は図示しない導線を介して第１ターミナル５０
に接続され、磁界検出用コイル４８の出力側は、同様に
第２ターミナル５２に接続されている。また、励磁用コ
イル２８の出力側は第３ターミナル５４に接続される。
なお、図中、参照符号５６ａ、５６ｂはスルーホールを
示し、また、参照符号５７はプリント基板３０に画成さ
れた矩形状の第１のスペースを示すとともに、さらに参
照符号５８は前記第１スペース５７の下方に画成された
試料挿入用の第２スペースを示す。

【００１６】次に、前記のように構成される透磁率測定
装置１０の回路構成について、図５以降を参照して説明
する。

【００１７】該透磁率測定装置１０は磁界発生のための
高周波電源としての発振器６０を備えて、発振器６０か
らの発振出力はフィルタ・アッテネータ６２に供給して
波形整形し、かつレベルを発振器６０の発振周波数に比
例して減衰させ、高周波電力増幅器６４に供給して電力
増幅し、該高周波電力増幅器６４の出力電圧を励磁用コ
イル２８に印加して、ほぼ均一な交番磁界を発生させ
る。

【００１８】励磁用コイル２８によって発生した交番磁
界と鎖交して発生した測定用差動コイル４４の出力電圧
および磁界検出用コイル４８の出力電圧は夫々第２ター
ミナル５２、第１ターミナル５０を介して２チャンネル
高周波増幅器６６に供給され、それぞれ各別に増幅され
る。２チャンネル高周波増幅器６６によって増幅された
測定用差動コイル４４の出力電圧および磁界検出用コイ
ル４８の出力電圧は２チャンネルミキサ６８に供給され
て、発振器７０からの発振周波数とそれぞれ各別に周波
数混合され中間周波信号に周波数変換される。

【００１９】中間周波信号に変換された測定用差動コイ
ル４４の出力電圧および磁界検出用コイル４８の出力電
圧は２チャンネル中間周波増幅器７２に供給して、それ
ぞれ各別に中間周波数成分のみを選択増幅する。２チャ
ンネル中間周波増幅器７２によって増幅された測定用差
動コイル４４の出力電圧および磁界検出用コイル４８の
出力電圧は２チャンネルＡ／Ｄ変換器およびメモリ７４
に供給してデジタルデータに各別に変換し、発振器６０
の発振周波数ｆ₁ で励磁されたときの振幅データとして
それぞれ２チャンネルＡ／Ｄ変換器およびメモリ７４の
メモリに一旦格納する。

【００２０】２チャンネル中間周波増幅器７２によって
増幅された測定用差動コイル４４の出力電圧および磁界
検出用コイル４８の出力電圧は位相検波器およびＡ／Ｄ
変換器７６に供給し、２チャンネル中間周波増幅器７２
で増幅された磁界検出用コイル４８の出力位相を基準と
して２チャンネル中間周波増幅器７２で増幅された測定
用差動コイル４４の出力位相と２チャンネル中間周波増
幅器７２で増幅された磁界検出用コイル４８の出力位相
との位相差を位相検波して直流電圧として取り出し、デ
ジタルデータに変換して出力する。この場合、Ａ／Ｄ変
換は低い周波数をサンプルパルスとして位相検波出力を
サンプリングし、デジタルデータに変換しているため、
位相検波器およびＡ／Ｄ変換器７６は一時的なメモリと
しても作用している。

【００２１】２チャンネルＡ／Ｄ変換器およびメモリ７
４に格納した測定用差動コイル４４の出力電圧振幅デー
タおよび磁界検出用コイル４８の出力電圧振幅データ、
位相検波器およびＡ／Ｄ変換器７６で変換された位相差
データは、入／出力装置７８を介してマイクロコンピュ
ータ８０に供給して、マイクロコンピュータ８０に読み
込む。

【００２２】マイクロコンピュータ８０はプログラムを
格納したＲＯＭ、作業領域を有するＲＡＭ等を含み、外
部メモリ８２と接続されており、ＲＯＭに格納されたプ
ログラムおよび外部メモリ８２と協働して、機能的に所
定期間毎に発振器６０の発振周波数を、例えば、１ＭＨ
ｚずつ順次変化させる発振周波数制御手段８０ａ、中間
周波数を、例えば、１００ｋＨｚとしたとき、発振器６
０の発振周波数＋１００ｋＨｚの発振周波数に発振器７
０の発振周波数を制御する発振周波数制御手段８０ｂ、
発振器６０の発振周波数に比例して入力レベルを減衰さ
せるフィルタ・アッテネータ６２におけるアッテネータ
の減衰率制御手段８０ｃ、２チャンネルＡ／Ｄ変換器お
よびメモリ７４のメモリに格納した測定用差動コイル４
４の出力電圧振幅データおよび磁界検出用コイル４８の
出力電圧振幅データ、位相検波器およびＡ／Ｄ変換器７
６で変換された位相差データを読み込んで外部メモリ８
２に格納するメモリ制御手段８０ｄを備えている。

【００２３】さらに、マイクロコンピュータ８０は、機
能的に、外部メモリ８２に格納された空心状態のときの
測定用差動コイル４４の出力電圧振幅データ、試料Ｗを
挿入したときにおける測定用差動コイル４４の出力電圧
振幅データ、空心状態のときの測定用差動コイル４４の
出力電圧の位相差データ、および試料Ｗを挿入したとき
における測定用差動コイル４４の出力電圧の位相差デー
タに基づいて、試料Ｗを挿入時の測定用差動コイル４４
の出力電圧から空心状態のときの測定用差動コイル４４
の出力電圧をベクトル減算して補正された測定用差動コ
イル４４の出力電圧を得る補正演算手段８０ｅ、補正さ
れた測定用差動コイル４４の出力電圧と磁界検出用コイ
ル４８の出力電圧との比を演算して透磁率を演算する透
磁率演算手段８０ｆを備えている。

【００２４】さらに、マイクロコンピュータ８０は、必
要に応じて演算した結果を出力するための出力手段とし
てのプリンタ・ディスプレイ装置８４を制御して、透磁
率等を提示する表示制御手段８０ｇも備えている。

【００２５】本発明に係る透磁率測定装置１０は基本的
に以上のように構成されるものであり、次にその作用並
びに効果について説明する。

【００２６】先ず、摺動部材２２の先端部に、図１に示
すように、薄板状の磁性体からなる試料Ｗを、例えば、
セロテープ等で貼着する。そして、把手２４を介して摺
動部材２２を蟻溝２０に沿ってプリント基板３０方向へ
と移動させ、前記摺動部材２２の先端部のストッパ２６
が当接すると、試料Ｗはその長手方向の中央部分がプリ
ント基板３０の第２スペース５８に進入した状態にな
る。ここで、透磁率の測定が開始される。

【００２７】先ず、発振器６０の発振周波数は発振周波
数制御手段８０ａによって１〜１００ＭＨｚまで１ＭＨ
ｚおきにその周波数が制御されるものとして説明する。
試料Ｗを挿入前に、空心状態で発振周波数制御手段８０
ａおよび８０ｂの制御のもとに所定時間間隔毎に同期し
て発振器６０の発振周波数は１ＭＨｚ、２ＭＨｚ、３Ｍ
Ｈｚ、…に、発振器７０の発振周波数は１．１ＭＨｚ、
２．１ＭＨｚ、３．１ＭＨｚ…に制御され、発振器６０
の発振周波数の変更と同期して減衰率制御手段８０ｃの
制御のもとにフィルタ・アッテネータ６２の減衰率が周
波数の逆数に比例するよう制御される。

【００２８】各コイルによって検出される電圧Ｖは磁界
の強さをＨ＝Ａ・exp ｊωｔ（Ａは振幅定数、ωは発振
器６０の発振出力の角周波数）とすると、Ｖ∝ｄＨ／ｄ
ｔ＝ｊωＨとなり、電圧Ｖは角周波数ωに比例する。し
たがって、各コイルの出力電圧レベルは角周波数に比例
して増大する。したがって、例えば、１ＭＨｚの場合に
比較して１００ＭＨｚの場合は１００倍の高電圧となる
ため、高周波電力増幅器６４の利得を大きくとると、高
周波電力増幅器６４が飽和してしまう。これを防止する
ため、減衰率を制御する。減衰率の制御に代わって高周
波電力増幅器６４の利得を制御してもよい。

【００２９】減衰された発振器６０からの発振出力は高
周波電力増幅器６４によって電力増幅され、励磁用コイ
ル２８に印加されて、励磁用コイル２８によって交番磁
界が発生させられる。測定用差動コイル４４および磁界
検出用コイル４８はこの交番磁界に鎖交し、測定用差動
コイル４４および磁界検出用コイル４８から電圧が発生
される。この両電圧は２チャンネル高周波増幅器６６に
おいてそれぞれ増幅され、２チャンネルミキサ６８にお
いて発振器７０の発振周波信号と周波数混合されて、中
間周波信号に変換される。ここで、中間周波数は１００
ｋＨｚである。

【００３０】中間周波数に変換された両信号は２チャン
ネル中間周波増幅器７２において１００ｋＨｚの信号が
それぞれ選択増幅され、増幅された両中間周波信号は２
チャンネルＡ／Ｄ変換器およびメモリ７４において各別
にデジタル化されて、両振幅データが２チャンネルＡ／
Ｄ変換器およびメモリ７４のメモリに発振器６０の発振
周波数に対応して一旦格納される。

【００３１】また、位相検波器およびＡ／Ｄ変換器７６
において、磁界検出用コイル４８の出力電圧の位相を基
準に測定用差動コイル４４の出力電圧の位相と磁界検出
用コイル４８の出力電圧の位相との位相差が位相検波さ
れて、デジタル化されて出力される。

【００３２】ここで、２チャンネル高周波増幅器６６の
入力レベルは大きくとも１ｍＶ_P-P以下であり、これを
２チャンネルＡ／Ｄ変換器およびメモリ７４、位相検波
器およびＡ／Ｄ変換器７６の入力端で１Ｖ_P-P の振幅レ
ベルとするには、７０〜８０ｄＢの電圧利得が必要であ
るが、１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲で振幅特性、位相
特性が共に良好な状態で実現するような２チャンネル高
周波増幅器６６は実現困難である。従って、本実施例に
おいては、２チャンネル高周波増幅器６６の電圧利得を
約４０ｄＢとし、他の利得は２チャンネル中間周波増幅
器７２において得ている。

【００３３】上記の作用が発振器６０の発振周波数変更
毎に行われて、測定用差動コイル４４の出力電圧の振幅
データおよび位相差データがメモリ制御手段８０ｄの制
御のもとに外部メモリ８２に発振器６０の発振周波数に
対応して格納される。これが１ＭＨｚ間隔で１ＭＨｚ〜
１００ＭＨｚにわたって行われることになる。したがっ
て、アナログ的にいえば、空心状態のときの測定用差動
コイル４４の出力電圧Ｅ_B2sin （ωｔ＋θ₂ ）が発振器
６０の発振周波数に対応して外部メモリ８２に格納され
た状態となる。

【００３４】次に、測定用差動コイル４４の一方のコイ
ル部中に試料Ｗが挿入されて、試料Ｗが挿入された状態
において、上記と同様にして、測定用差動コイル４４の
出力電圧の振幅データおよび位相差データと、磁界検出
用コイル４８の出力電圧の振幅データとがメモリ制御手
段８０ｄの制御のもとに外部メモリ８２に発振器６０の
発振周波数に対応して格納される。これが１ＭＨｚ間隔
で１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚにわたって行われることにな
る。この場合は、磁界検出用コイル４８の出力電圧の振
幅データも格納されている。したがって、アナログ的に
いえば、試料Ｗが挿入された状態での測定用差動コイル
４４の出力電圧Ｅ_B1sin （ωｔ＋θ₁ ）と、磁界検出用
コイル４８の出力電圧Ｅ_H sin ωｔとが発振器６０の発
振周波数に対応して外部メモリ８２に格納された状態と
なる。

【００３５】発振器６０の発振周波数が１００ＭＨｚに
達するまで実行されたときは、補正演算手段８０ｅの制
御のもとに試料Ｗが挿入された状態での測定用差動コイ
ル４４の出力電圧の振幅データおよび位相差データか
ら、空心状態での測定用差動コイル４４の出力電圧の振
幅データおよび位相差データがベクトル減算されること
によって補正演算がなされる。このベクトル減算は周波
数毎に行われる。

【００３６】この補正演算をアナログ的に説明すれば、
次の如くである。

【００３７】試料Ｗが挿入された状態での測定用差動コ
イル４４の出力電圧はＥ_B1sin （ωｔ＋θ₁ ）、空心状
態のときの測定用差動コイル４４の出力電圧はＥ_B2sin
（ωｔ＋θ₂ ）、磁界検出用コイル４８の出力電圧はＥ
_H sin ωｔであって、試料Ｗが挿入された状態での補正
された測定用差動コイル４４の出力電圧をＥ_B sin （ω
ｔ＋θ）とする。

【００３８】ここで、θ₁ 、θ₂ およびθは磁界検出用
コイル４８の出力電圧Ｅ_H sin ωｔを基準としたときの
位相である。

【００３９】上記から、補正演算は Ｅ_B sin （ωｔ＋θ）＝Ｅ_B1sin （ωｔ＋θ₁ ）−Ｅ_B2sin （ωｔ＋θ₂ ） である。

【００４０】左辺Ｅ_B sin （ωｔ＋θ）はＥ_B （cos θ
sinωｔ＋sin θ cosωｔ）と書ける。

【００４１】一方、右辺は、 Ｅ_B1sin （ωｔ＋θ₁ ）−Ｅ_B2sin （ωｔ＋θ₂ ） ＝（Ｅ_B1cos θ₁ −Ｅ_B2cos θ₂ ）sin ωｔ ＋（Ｅ_B1sin θ₁ −Ｅ_B2sin θ₂ ）cos ωｔ である。したがってＥ_B は ｜Ｅ_B ｜＝√｛Ｅ_B1 ² ＋Ｅ_B2 ² −２Ｅ_B1Ｅ_B2cos （θ₁ −θ₂ ）｝ となり、位相角θは θ＝tan ^-1｛（Ｅ_B1sin θ₁ −Ｅ_B2sin θ₂ ）／ （Ｅ_B1cos θ₁ −Ｅ_B2cos θ₂ ）｝ となって、補正される。

【００４２】この補正に続いて透磁率演算手段８０ｆの
制御のもとに、（Ｅ_B ／Ｅ_H ）の演算がなされて、透磁
率μが求まる。この演算は周波数毎に行われる。なお、
透磁率測定装置１０が定まり、試料Ｗの断面積を常に一
定にしておけば（Ｓ_H ／Ｓ_B）は一定であり、この演算
は省略してある。この透磁率演算の結果をプリンタ・デ
ィスプレイ装置８４に提示することによって、測定透磁
率が周波数毎のテーブルとしても周波数に対するグラフ
としても提示できる。さらに、Ｅ_B とＥ_H との位相角δ
＝θも演算されて、透磁率｜μ｜cos δから透磁率の実
数部が、｜μ｜sin δから透磁率の虚数部が演算され
る。さらに損失（tan δ）についても（sin δ／cos
δ）から演算される。これらの提示も勿論可能である。

【００４３】なお、上記したように空心状態のときの測
定と試料Ｗを挿入状態での測定を１ＭＨｚ毎に行うため
に、周波数によって測定用差動コイル４４、磁界検出用
コイル４８の浮遊容量および２チャンネル高周波増幅器
６６の入力端の浮遊容量による影響を軽減させることが
できる。

【００４４】なお、上記した一実施例において、空心状
態のときに１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚまでの測定を行い、
次いで試料Ｗを挿入した状態で１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ
までの測定を行う場合を例示したが、同一周波数で空心
状態のときと試料Ｗを挿入した状態のときとを交互に測
定して、１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚまでの測定を行っても
よい。

【００４５】また、空心状態のときの測定を１ＭＨｚ毎
に行う場合を例示したが、空心状態のときの測定を試料
Ｗが挿入された状態での測定の周波数間隔に対し、数倍
の周波数間隔で行っても、充分な場合もある。この場合
は、空心状態のときの測定用差動コイル４４の出力電圧
の振幅データおよび位相差データとして次の周波数での
測定まではその直前の測定値で補間することになる。

【００４６】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、摺動部
材を介してワークを透磁率測定用のコイル内に挿入する
ことができる。そして、この場合、透磁率測定用の基板
は測定用差動コイルと磁界検出用コイルとを備えた単一
の基板から構成されているために、寸法誤差等を生ずる
ことがない。従って、安定した透磁率の測定ができる。
しかも、摺動部材は案内部材に対してストッパを介して
位置決めされるために、常に測定位置が定まった状態に
ある。従って、多数の試料を測定する場合であっても、
安定した測定誤差のない結果が得られる。しかも、該摺
動部材に試料としての薄膜磁性材料を固定して孔部に挿
入可能な固着部位を設けているので、試料の位置決めが
容易である。

【００４７】さらに、本発明によれば、透磁率測定試料
が挿入されていない空心状態のときの測定用差動コイル
の出力電圧を透磁率測定試料が挿入された状態のときに
おける測定用差動コイルの出力電圧からベクトル減算し
て補正し、補正後の測定用差動コイルの出力電圧と磁界
検出用コイルの出力電圧との比から透磁率を測定するよ
うにしたため、測定用差動コイルの製作上の制約等か
ら、測定用差動コイルを形成する２つのコイル部の有効
面積を等しく形成することができない場合においても、
これが補正されて実質的に測定用差動コイルを形成する
２つのコイル部の有効面積を等しく形成したのと等価と
なって、透磁率を正確に測定することができる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の装置の分解斜視図である。

【図２】図１に示す装置の斜視図である。

【図３】図１並びに図２の装置に組み込まれる基板の正
面図である。

【図４】図３に示す基板の背面図である。

【図５】本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。

【図６】本発明が適用される透磁率測定装置の検出部の
構成を示す斜視図である。

【符号の説明】

１０…透磁率測定装置 １２…基台 １６…案内部材 １８…磁気検出回路 ２２…摺動部材 ２４…把手 ２８…励磁用コイル ４４…測定用差動コイル ４８…磁界検出用コイル ５０、５２、５４…ターミナル ６０…発振器 ６２…フィルタ・アッテネータ ６４…高周波電力増幅器 ６６…２チャンネル高周波増幅器 ６８…２チャンネルミキサ ７０…発振器 ７２…２チャンネル中間周波増幅器 ７４…２チャンネルＡ／Ｄ変換器およびメモリ ７６…位相検波器およびＡ／Ｄ変換器 ８０…マイクロコンピュータ ８０ａ、８０ｂ…発振周波数制御手段 ８０ｃ…減衰率制御手段 ８０ｄ…メモリ制御手段 ８０ｅ…補正演算手段 ８０ｆ…透磁率演算手段 ８０ｇ…表示制御手段 ８２…外部メモリ ８４…プリンタ・ディスプレイ装置 Ｗ…試料

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−104044（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−264705（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−232203（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−19584（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−57871（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01R 33/00 - 33/18

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ほぼ一様な交番磁界を発生する磁界発生用
   コイルと、前記磁界発生用コイル中に配設された磁界検
   出用コイル並びに測定用差動コイルとを備え測定用差動
   コイルの出力電圧と磁界検出用コイルの出力電圧とから
   透磁率を測定する透磁率測定装置において、 前記磁界検出用コイルと測定用差動コイルとは単一の基
   板上に巻回形成されていることを特徴とする透磁率測定
   装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の透磁率測定装置において、
   前記基板の測定用差動コイルの中心部位を貫通して試料
   挿入用の孔部が画成されていることを特徴とする透磁率
   測定装置。
3. 【請求項３】請求項２記載の透磁率測定装置において、
   試料挿入用の孔部に対して案内部材を近接配置し、前記
   案内部材に摺動部材を係合させて該摺動部材に固定され
   た試料を前記孔部に挿入することを特徴とする透磁率測
   定装置。
4. 【請求項４】請求項３記載の透磁率測定装置において、
   案内部材に前記摺動部材を所定位置で停止させるストッ
   パを設けることを特徴とする透磁率測定装置。
5. 【請求項５】請求項３または４記載の透磁率測定装置に
   おいて、前記摺動部材に試料としての薄膜磁性材料の固
   着部位を形成することを特徴とする透磁率測定装置。