JP3149026B2 - 半導体受光素子の製造方法 - Google Patents
半導体受光素子の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 波長が１〔μｍ〕帯の光を用いる光通信システムに於
ける受信器を構成するのに好適な半導体受光素子の製造
方法に関し、 InGaAs光吸収層とInPキャリヤ増倍層との間に良質のI
nGaAsPグレーデッド層を形成し、この種の受光素子に於
ける周波数特性を向上させることを目的とし、 有機金属気相堆積法を適用することに依ってガス・ラ
インからの原料を基板上に供給してInGaAsからなる光吸
収層を成長させ、次いで、引き続いて前記ガス・ライン
と同一のガス・ラインから原料ガスを供給し且つ組成を
変えつつInGaAsPからなるグレーデッド層を成長させ、
次いで、引き続いて前記ガス・ラインと同一のガス・ラ
インから原料ガスを供給してInPからなるキャリヤ増倍
層を成長させる工程を含んでなるよう構成する。
ける受信器を構成するのに好適な半導体受光素子の製造
方法に関し、 InGaAs光吸収層とInPキャリヤ増倍層との間に良質のI
nGaAsPグレーデッド層を形成し、この種の受光素子に於
ける周波数特性を向上させることを目的とし、 有機金属気相堆積法を適用することに依ってガス・ラ
インからの原料を基板上に供給してInGaAsからなる光吸
収層を成長させ、次いで、引き続いて前記ガス・ライン
と同一のガス・ラインから原料ガスを供給し且つ組成を
変えつつInGaAsPからなるグレーデッド層を成長させ、
次いで、引き続いて前記ガス・ラインと同一のガス・ラ
インから原料ガスを供給してInPからなるキャリヤ増倍
層を成長させる工程を含んでなるよう構成する。
本発明は、波長が１〔μｍ〕帯の光を用いる光通信シ
ステムに於ける受信器を構成するのに好適な半導体受光
素子の製造方法に関する。
ステムに於ける受信器を構成するのに好適な半導体受光
素子の製造方法に関する。
一般に、長距離光通信システムに於いては、導波路な
どの関係から、波長が１〔μｍ〕帯にある光を利用する
ことが多く、そして、アバランシェ・フォト・ダイオー
ド（（avalanche photo diode:APD）は、その内部で
増幅機能をもつ為、高感度受信器を構成するのに最適で
あるとされている。
どの関係から、波長が１〔μｍ〕帯にある光を利用する
ことが多く、そして、アバランシェ・フォト・ダイオー
ド（（avalanche photo diode:APD）は、その内部で
増幅機能をもつ為、高感度受信器を構成するのに最適で
あるとされている。
現在、光通信システムの大容量化に対処するため、AP
Dを超高速化することについて開発・研究がなされてい
る。１〔μｍ〕帯で使用するAPDは、基本的に、InP基板
に格子整合するInGaAs層の光吸収層、及び、その上に積
層成長したInP層のキャリヤ増倍層で構成され、そし
て、InGaAs光吸収層並びにInPキャリヤ増倍層の間に於
けるバンド不連続値の急峻な差を解消することで正孔の
注入を容易にして周波数応答性を改善する為、InGaAs光
吸収層とInPキャリヤ増倍層との間にInGaAsPなどの四元
混晶からなる薄膜を介在させることが行われているが、
その効果の程は芳しいと言えず、10〔Ｇビット／秒〕を
目標とする超高速光通信システムで適用可能と思われる
APDは実現されていない。
Dを超高速化することについて開発・研究がなされてい
る。１〔μｍ〕帯で使用するAPDは、基本的に、InP基板
に格子整合するInGaAs層の光吸収層、及び、その上に積
層成長したInP層のキャリヤ増倍層で構成され、そし
て、InGaAs光吸収層並びにInPキャリヤ増倍層の間に於
けるバンド不連続値の急峻な差を解消することで正孔の
注入を容易にして周波数応答性を改善する為、InGaAs光
吸収層とInPキャリヤ増倍層との間にInGaAsPなどの四元
混晶からなる薄膜を介在させることが行われているが、
その効果の程は芳しいと言えず、10〔Ｇビット／秒〕を
目標とする超高速光通信システムで適用可能と思われる
APDは実現されていない。
超高速化に有望な構成をもつAPDとしては、InGaAs光
吸収層とInPキャリヤ増倍層との間に組成が緩徐に変化
するInGaAsPグレーデッド層を介在させたものが提案さ
れている。
吸収層とInPキャリヤ増倍層との間に組成が緩徐に変化
するInGaAsPグレーデッド層を介在させたものが提案さ
れている。
然しながら、このようなAPDを簡単に製造することが
できる技術は存在せず、従って、未だ実現されていな
い。
できる技術は存在せず、従って、未だ実現されていな
い。
通常、InGaAs/InP系APDは液相成長（liquid phase
epitaxy:LPE）法、或いは、有機金属気相成長（metalor
ganic vapor phase epitaxy:MOVPE）法で成長させた
エピタキシャル成長結晶を用いて製造されることが多
い。
epitaxy:LPE）法、或いは、有機金属気相成長（metalor
ganic vapor phase epitaxy:MOVPE）法で成長させた
エピタキシャル成長結晶を用いて製造されることが多
い。
然しながら、LPE法或いはMOVPE法を適用してInGaAsP
グレーデッド層を形成することは行われていない。
グレーデッド層を形成することは行われていない。
このうち、LPE法に依った場合、組成が緩徐にグレー
デッドになっているInGaAsP層を形成するのは、制御が
大変に困難であって、近い将来では不可能に近いと思わ
れる。また、MOVPE法に依った場合、原料ガスの流量を
制御することで、原理的にはInGaAsPグレーデッド層を
形成できる筈であるが、実際には、制御が困難なため、
実現されていない。
デッドになっているInGaAsP層を形成するのは、制御が
大変に困難であって、近い将来では不可能に近いと思わ
れる。また、MOVPE法に依った場合、原料ガスの流量を
制御することで、原理的にはInGaAsPグレーデッド層を
形成できる筈であるが、実際には、制御が困難なため、
実現されていない。
本発明では、MOVPE法を適用することに依って、InGaA
s光吸収層とInPキャリヤ増倍層との間に良質のInGaAsP
グレーデッド層を形成し、この種の受光素子に於ける周
波数特性を向上させようとする。
s光吸収層とInPキャリヤ増倍層との間に良質のInGaAsP
グレーデッド層を形成し、この種の受光素子に於ける周
波数特性を向上させようとする。
一般に、In1-xGaxAsyP1-y混晶は、InPに格子整合する
旨の条件のもとで、最も長波長のInGaAs（ホトルミネセ
ンス波長λPL＝1.67〔μｍ〕）からInP（ホトルミネセ
ンス波長λPL＝0.94〔μｍ〕）までをカバーする有用な
材料である。
旨の条件のもとで、最も長波長のInGaAs（ホトルミネセ
ンス波長λPL＝1.67〔μｍ〕）からInP（ホトルミネセ
ンス波長λPL＝0.94〔μｍ〕）までをカバーする有用な
材料である。
第１図は、In1-xGaxAsyP1-y混晶の前記カバー範囲に
於ける各種組成に対して格子整合条件を知得して該混晶
を成長させる場合に於いて、その原料ガス流量とＰの固
相組成（１−ｙ）との関係を表した線図であって、縦軸
には原料ガス流量を、そして、横軸にはＰの固相組成
（１−ｙ）をそれぞれ採ってある。
於ける各種組成に対して格子整合条件を知得して該混晶
を成長させる場合に於いて、その原料ガス流量とＰの固
相組成（１−ｙ）との関係を表した線図であって、縦軸
には原料ガス流量を、そして、横軸にはＰの固相組成
（１−ｙ）をそれぞれ採ってある。
図に於いて、TMIはトリメチルインジウム、即ち、（C
H3）3In、TEGはトリエチルガリウム、即ち、（C2H5）3G
aをそれぞれ示し、そして、AsH3（アルシン）はAsの原
料であり、また、PH3（ホスフィン）はＰの原料である
ことは云うまでもない。尚、格子整合条件の下では、 なる関係がある。
H3）3In、TEGはトリエチルガリウム、即ち、（C2H5）3G
aをそれぞれ示し、そして、AsH3（アルシン）はAsの原
料であり、また、PH3（ホスフィン）はＰの原料である
ことは云うまでもない。尚、格子整合条件の下では、 なる関係がある。
第１図に見られるデータが判っていれば、図示の各流
量曲線に沿うよう原料ガスのマス・フロー・コントロー
ラを制御することに依って、目的とするAPD用諸半導体
層構成を実現することができる。
量曲線に沿うよう原料ガスのマス・フロー・コントロー
ラを制御することに依って、目的とするAPD用諸半導体
層構成を実現することができる。
前記したようなことから、本発明に依る半導体受光素
子の製造方法に於いては、 （１） 有機金属気相堆積法を適用することに依ってガ
ス・ラインからの原料を基板（例えばn+型InP基板１）
上に供給してInGaAsからなる光吸収層（例えばｎ型InGa
As光吸収層２）を成長させ、 次いで、引き続いて前記ガス・ラインと同一のガス・
ラインから原料ガスを供給し且つ組成を変えつつInGaAs
Pからなるグレーデッド層（例えばｎ型InGaAsPグレーデ
ッド層３）を成長させ、 次いで、引き続いて前記ガス・ラインと同一のガス・
ラインから原料ガスを供給してInPからなるキャリヤ増
倍層（例えばｎ型InPキャリヤ増倍層４）を成長させる
工程 を含んでなるか、又は、 （２） 前記（１）に於いて、前記InGaAsPグレーデッ
ド層を成長させる際にＰのソースである原料ガスの急激
な供給立ち上がりを緩和する為に成長時間を延伸した工
程 を含んでなるか、又は、 （３） 前記（１）に於いて、前記InGaAsからなる光吸
収層の成長に代えてInGaAsPからなる光吸収層を成長さ
せる工程 を含んでいる。
子の製造方法に於いては、 （１） 有機金属気相堆積法を適用することに依ってガ
ス・ラインからの原料を基板（例えばn+型InP基板１）
上に供給してInGaAsからなる光吸収層（例えばｎ型InGa
As光吸収層２）を成長させ、 次いで、引き続いて前記ガス・ラインと同一のガス・
ラインから原料ガスを供給し且つ組成を変えつつInGaAs
Pからなるグレーデッド層（例えばｎ型InGaAsPグレーデ
ッド層３）を成長させ、 次いで、引き続いて前記ガス・ラインと同一のガス・
ラインから原料ガスを供給してInPからなるキャリヤ増
倍層（例えばｎ型InPキャリヤ増倍層４）を成長させる
工程 を含んでなるか、又は、 （２） 前記（１）に於いて、前記InGaAsPグレーデッ
ド層を成長させる際にＰのソースである原料ガスの急激
な供給立ち上がりを緩和する為に成長時間を延伸した工
程 を含んでなるか、又は、 （３） 前記（１）に於いて、前記InGaAsからなる光吸
収層の成長に代えてInGaAsPからなる光吸収層を成長さ
せる工程 を含んでいる。
前記手段を採ることに依って、InGaAs或いはInGaAsP
からなる光吸収層とInPからなるキャリヤ増倍層との間
を良質な結晶性をもち且つ滑らかに組成が変化するInGa
AsPからなるグレーデッド層で結ばれるので、光吸収層
からキャリヤ増倍層への正孔の注入は低い電圧で容易に
行うことができ、従って、周波数特性は向上し、また、
暗電流を低減させることが可能となり、高性能の半導体
受光素子を実現することができる。
からなる光吸収層とInPからなるキャリヤ増倍層との間
を良質な結晶性をもち且つ滑らかに組成が変化するInGa
AsPからなるグレーデッド層で結ばれるので、光吸収層
からキャリヤ増倍層への正孔の注入は低い電圧で容易に
行うことができ、従って、周波数特性は向上し、また、
暗電流を低減させることが可能となり、高性能の半導体
受光素子を実現することができる。
第２図は本発明一実施例に依って形成した半導体層構
成を説明する為の要部切断側面図を表している。
成を説明する為の要部切断側面図を表している。
図に於いて、１はn+型InP基板、２はｎ型InGaAs光吸
収層、３はｎ型InGaAsPグレーデッド層、４はｎ型InPキ
ャリヤ増倍層をそれぞれ示している。なお、光吸収層２
はInGaAsPであっても良い。
収層、３はｎ型InGaAsPグレーデッド層、４はｎ型InPキ
ャリヤ増倍層をそれぞれ示している。なお、光吸収層２
はInGaAsPであっても良い。
この半導体層構成に於ける主要なデータを例示すると
次の通りである。
次の通りである。
（ａ） 基板１について 不純物:S 不純物濃度:4×1018〔cm-3〕 （ｂ） 光吸収層２について 厚さ:1.5〔μｍ〕 不純物:Si 不純物濃度:2×1015〔cm-3〕 （ｃ） グレーデッド層３について 厚さ:0.1〔μｍ〕 不純物:Si 不純物濃度:2×1015〔cm-3〕 （ｄ） キャリヤ増倍層４について 厚さ:2.0〔μｍ〕 不純物:Si 不純物濃度：基板側の厚さ0.05〔μｍ〕分が２×1017
〔cm-3〕 表面側の厚さ1.95〔μｍ〕分が５×1015
〔cm-3〕 ところで、図示の各半導体層、即ち、InGaAsやInPも
含めたInGaAsP系混晶の成長速度は1.5〔μm/時間〕であ
り、そして、本発明に於いて成長の主要な対象としてい
るグレーデッド層３の厚さが0.1〔μｍ〕であることか
ら、その成長時間は240〔秒〕である。
〔cm-3〕 表面側の厚さ1.95〔μｍ〕分が５×1015
〔cm-3〕 ところで、図示の各半導体層、即ち、InGaAsやInPも
含めたInGaAsP系混晶の成長速度は1.5〔μm/時間〕であ
り、そして、本発明に於いて成長の主要な対象としてい
るグレーデッド層３の厚さが0.1〔μｍ〕であることか
ら、その成長時間は240〔秒〕である。
第１図から明らかなように、四種類の原料ガスのう
ち、PH3のみがInGaAs近傍での立ち上がりが急峻であ
る。この為、InGaAs光吸収層２を成長した後、約10
〔秒〕程度の成長時間でPH3が０から400〔cc/分〕まで
急激に変化する状況が生じ、そして、この間に於けるＰ
の固相組成の変化は０→0.04と微少である。この結果、
第１図に見られる通りに原料ガスの制御を行うと、ガス
・フローに乱れが生じ易く、良好なグレーデッドとする
には熟練を要する。
ち、PH3のみがInGaAs近傍での立ち上がりが急峻であ
る。この為、InGaAs光吸収層２を成長した後、約10
〔秒〕程度の成長時間でPH3が０から400〔cc/分〕まで
急激に変化する状況が生じ、そして、この間に於けるＰ
の固相組成の変化は０→0.04と微少である。この結果、
第１図に見られる通りに原料ガスの制御を行うと、ガス
・フローに乱れが生じ易く、良好なグレーデッドとする
には熟練を要する。
このような問題を回避するには、PH3の立ち上がりが
急峻な領域、即ち、Ｐ組成が０→0.04に変化する領域に
於いては、成長時間を長くすると良い。
急峻な領域、即ち、Ｐ組成が０→0.04に変化する領域に
於いては、成長時間を長くすると良い。
第３図はPH3の流量を制御する一例について説明する
為の線図を表し、縦軸には原料ガス流量を、そして、横
軸には成長時間をそれぞれ採ってある。
為の線図を表し、縦軸には原料ガス流量を、そして、横
軸には成長時間をそれぞれ採ってある。
図から明らかなように、PH3の立ち上がりを通常の場
合と比較して1/10に、即ち、100〔秒〕間でＰ組成が０
→0.04となるようにすることで、ガス・フローの乱れも
なく、良好なグレーデッド層を形成することができる。
合と比較して1/10に、即ち、100〔秒〕間でＰ組成が０
→0.04となるようにすることで、ガス・フローの乱れも
なく、良好なグレーデッド層を形成することができる。
第４図は第３図について説明した技術を用いて形成し
た第２図に見られる半導体層構成に関するエネルギ・バ
ンド・ダイヤグラムを表し、第２図に於いて用いた記号
と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものと
する。
た第２図に見られる半導体層構成に関するエネルギ・バ
ンド・ダイヤグラムを表し、第２図に於いて用いた記号
と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものと
する。
図に於いて、Evは価電子帯の項、Ecは伝導帯の底をそ
れぞれ示している。
れぞれ示している。
図では、第３図について説明した技術を適用せずに行
った成長で得られた半導体層構成に関するエネルギ・バ
ンドを破線で示してあり、本発明実施例に依った場合も
殆ど差がなく、APD用としては全く問題にならない。
った成長で得られた半導体層構成に関するエネルギ・バ
ンドを破線で示してあり、本発明実施例に依った場合も
殆ど差がなく、APD用としては全く問題にならない。
本実施例に依った場合、ガス・ラインの切り替えをす
ることなく、換言すれば、成長を中断することなく、良
好なグレーデッド層の成長が可能である。
ることなく、換言すれば、成長を中断することなく、良
好なグレーデッド層の成長が可能である。
ところで、第１図について問題としたPH3の立ち上が
り、即ち、Ｐ組成で０→0.04となる場合に於けるホトル
ミネセンス波長λPLの変化量は極僅かであって、1.67
〔μｍ〕→1.65〔μｍ〕の0.02〔μｍ〕に過ぎない。通
常、光通信に用いられる光源の波長は、1.30〔μｍ〕、
或いは、1.55〔μｍ〕であり、受光素子を考えた場合、
光吸収層のホトルミネセンス波長λPLが1.67〔μｍ〕か
ら1.65〔μｍ〕に変化しても、それ程大きな問題とはな
らない。
り、即ち、Ｐ組成で０→0.04となる場合に於けるホトル
ミネセンス波長λPLの変化量は極僅かであって、1.67
〔μｍ〕→1.65〔μｍ〕の0.02〔μｍ〕に過ぎない。通
常、光通信に用いられる光源の波長は、1.30〔μｍ〕、
或いは、1.55〔μｍ〕であり、受光素子を考えた場合、
光吸収層のホトルミネセンス波長λPLが1.67〔μｍ〕か
ら1.65〔μｍ〕に変化しても、それ程大きな問題とはな
らない。
この考えを導入すれば、光吸収層として、Ｐ組成が0.
05程度のInGaAsPを用いることで、第１図に見られる急
激なPH3流量の変化に遭遇することなく、良好なグレー
デッド層を形成できることになる。
05程度のInGaAsPを用いることで、第１図に見られる急
激なPH3流量の変化に遭遇することなく、良好なグレー
デッド層を形成できることになる。
第５図は前記の考えを導入した場合に於けるPH3流量
を制御する一例について説明する為の線図を表し、縦軸
には原料ガス流量を、そして、横軸には成長時間をそれ
ぞれ採ってある。
を制御する一例について説明する為の線図を表し、縦軸
には原料ガス流量を、そして、横軸には成長時間をそれ
ぞれ採ってある。
図から明らかなように、本実施例では、光吸収層の組
成をInGaAsからＰ組成が0.04のInGaAsPに置き換えただ
けであり、このようにした場合、その上に積層するグレ
ーデッド層では、InGaAsPに於けるＰ組成を0.04→１に
変化させることになり、全く問題は起こらず、ガス・ラ
インの切り替えを必要とすることなく、良好なグレーデ
ッド層を形成することが可能である。
成をInGaAsからＰ組成が0.04のInGaAsPに置き換えただ
けであり、このようにした場合、その上に積層するグレ
ーデッド層では、InGaAsPに於けるＰ組成を0.04→１に
変化させることになり、全く問題は起こらず、ガス・ラ
インの切り替えを必要とすることなく、良好なグレーデ
ッド層を形成することが可能である。
本発明に依る半導体受光素子の製造方法に於いては、
有機金属気相堆積法を適用することに依ってガス・ライ
ンからの原料を基板上に供給してInGaAsからなる光吸収
層を成長させ、次いで、引き続いて前記ガス・ラインと
同一のガス・ラインから原料ガスを供給し且つ組成を変
えつつInGaAsPからなるグレーデッド層を成長させ、次
いで、引き続いて前記ガス・ラインと同一のガス・ライ
ンから原料ガスを供給してInPからなるキャリヤ増倍層
を成長させる工程を含んでいる。
有機金属気相堆積法を適用することに依ってガス・ライ
ンからの原料を基板上に供給してInGaAsからなる光吸収
層を成長させ、次いで、引き続いて前記ガス・ラインと
同一のガス・ラインから原料ガスを供給し且つ組成を変
えつつInGaAsPからなるグレーデッド層を成長させ、次
いで、引き続いて前記ガス・ラインと同一のガス・ライ
ンから原料ガスを供給してInPからなるキャリヤ増倍層
を成長させる工程を含んでいる。
前記構成を採ることに依って、InGaAs或いはInGaAsP
からなる光吸収層とInPからなるキャリヤ増倍層との間
を良質な結晶性をもち且つ滑らかに組成が変化するInGa
AsPからなるグレーデッド層で結ばれるので、光吸収層
からキャリヤ増倍層への正孔の注入は低い電圧で容易に
行うことができ、従って、周波数特性は向上し、また、
暗電流を低減させることが可能となり、高性能の半導体
受光素子を実現することができる。
からなる光吸収層とInPからなるキャリヤ増倍層との間
を良質な結晶性をもち且つ滑らかに組成が変化するInGa
AsPからなるグレーデッド層で結ばれるので、光吸収層
からキャリヤ増倍層への正孔の注入は低い電圧で容易に
行うことができ、従って、周波数特性は向上し、また、
暗電流を低減させることが可能となり、高性能の半導体
受光素子を実現することができる。
第１図はIn1-xGaxAsyP1-y混晶を成長させる際の原料ガ
ス流量とＰの固相組成（１−ｙ）との関係を表した線
図、第２図は本発明一実施例に依って形成した半導体層
構成を説明する為の要部切断側面図、第３図はPH3の流
量を制御する一例について説明する為の線図、第４図は
第３図について説明した技術を用いて形成した第２図に
見られる半導体層構成に関するエネルギ・バンド・ダイ
ヤグラム、第５図はPH3流量を制御する一例について説
明する為の線図をそれぞれ示している。 図に於いて、１はn+型InP基板、２はｎ型InGaAs光吸収
層、３はｎ型InGaAsPグレーデッド層、４はｎ型InPキャ
リヤ増倍層をそれぞれ示している。
ス流量とＰの固相組成（１−ｙ）との関係を表した線
図、第２図は本発明一実施例に依って形成した半導体層
構成を説明する為の要部切断側面図、第３図はPH3の流
量を制御する一例について説明する為の線図、第４図は
第３図について説明した技術を用いて形成した第２図に
見られる半導体層構成に関するエネルギ・バンド・ダイ
ヤグラム、第５図はPH3流量を制御する一例について説
明する為の線図をそれぞれ示している。 図に於いて、１はn+型InP基板、２はｎ型InGaAs光吸収
層、３はｎ型InGaAsPグレーデッド層、４はｎ型InPキャ
リヤ増倍層をそれぞれ示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−133970（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−136981（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/10 - 31/119
Claims (3)
- 【請求項１】有機金属気相堆積法を適用することに依っ
てガス・ラインからの原料を基板上に供給してInGaAsか
らなる光吸収層を成長させ、 次いで、引き続いて前記ガス・ラインと同一のガス・ラ
インから原料ガスを供給し且つ組成を変えつつInGaAsP
からなるグレーデッド層を成長させ、 次いで、引き続いて前記ガス・ラインと同一のガス・ラ
インから原料ガスを供給してInPからなるキャリヤ増倍
層を成長させる工程 を含んでなることを特徴とする半導体受光素子の製造方
法。 - 【請求項２】前記InGaAsPグレーデッド層を成長させる
際にＰのソースである原料ガスの急激な供給立ち上がり
を緩和する為に成長時間を延伸した工程 を含んでなることを特徴とする請求項１記載の半導体受
光素子の製造方法。 - 【請求項３】前記InGaAsからなる光吸収層の成長に代え
てInGaAsPからなる光吸収層を成長させる工程 を含んでなることを特徴とする請求項１記載の半導体受
光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15262290A JP3149026B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 半導体受光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15262290A JP3149026B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 半導体受光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445581A JPH0445581A (ja) | 1992-02-14 |
| JP3149026B2 true JP3149026B2 (ja) | 2001-03-26 |
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ID=15544405
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15262290A Expired - Fee Related JP3149026B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 半導体受光素子の製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3149026B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9212830B2 (en) | 2009-03-05 | 2015-12-15 | Pascal Guillemette | Method and system for optimizing and protecting solar panels |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1990
- 1990-06-13 JP JP15262290A patent/JP3149026B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US9212830B2 (en) | 2009-03-05 | 2015-12-15 | Pascal Guillemette | Method and system for optimizing and protecting solar panels |
Also Published As
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