JP3149965B2 - 光半導体モジュ−ル - Google Patents
光半導体モジュ−ルInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体モジュ−ルに
関し、特に、半導体レ−ザと光ファイバピグテ−ルとを
光軸調整し、これをパッケ−ジに搭載した構造を持つ光
半導体モジュ−ルに関する。
関し、特に、半導体レ−ザと光ファイバピグテ−ルとを
光軸調整し、これをパッケ−ジに搭載した構造を持つ光
半導体モジュ−ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信等に用いられる光半導体
モジュ−ルは、光出力用の光ファイバピグテ−ルを備え
たモジュ−ルとして、従来より提供されている。そし
て、この光半導体モジュ−ルとして、半導体レ−ザがレ
ンズを介して光ファイバと光学調整されている構造のも
のが多い。
モジュ−ルは、光出力用の光ファイバピグテ−ルを備え
たモジュ−ルとして、従来より提供されている。そし
て、この光半導体モジュ−ルとして、半導体レ−ザがレ
ンズを介して光ファイバと光学調整されている構造のも
のが多い。
【０００３】従来のこの種光半導体モジュ−ルを図２に
基づいて説明する。図２は、従来の光半導体モジュ−ル
の縦断面図であって、これは、半導体レ−ザ１、ヒ−ト
シンク２、チップキャリア３、モニタホトダイオ−ド
４、セルフォックマイクロレンズ２１、ホルダ２２、ス
ライドリング８、フェル−ル９、光ファイバ１０、ペル
チェ素子１２、パッケ−ジ１３より構成されている。
基づいて説明する。図２は、従来の光半導体モジュ−ル
の縦断面図であって、これは、半導体レ−ザ１、ヒ−ト
シンク２、チップキャリア３、モニタホトダイオ−ド
４、セルフォックマイクロレンズ２１、ホルダ２２、ス
ライドリング８、フェル−ル９、光ファイバ１０、ペル
チェ素子１２、パッケ−ジ１３より構成されている。
【０００４】そして、セルフォックマイクロレンズ２１
は、ハ−ドソルダ２０によりホルダ２２に固定されてお
り、また、半導体レ−ザ１は、セルフォックマイクロレ
ンズ２１を介してフェル−ル９と光学調整され、このフ
ェル−ル９は、スライドリング８を介してホルダ７とＹ
ＡＧ溶接により固定されている。更に、上記ホルダ７
は、ペルチェ素子１２をはさんでパッケ−ジ１３にハン
ダ付けで固定されており、また、上記フェル−ル９は、
ハンダ１１でパッケ−ジ１３の側面に固定され、同時に
気密封止した構造を有している。
は、ハ−ドソルダ２０によりホルダ２２に固定されてお
り、また、半導体レ−ザ１は、セルフォックマイクロレ
ンズ２１を介してフェル−ル９と光学調整され、このフ
ェル−ル９は、スライドリング８を介してホルダ７とＹ
ＡＧ溶接により固定されている。更に、上記ホルダ７
は、ペルチェ素子１２をはさんでパッケ−ジ１３にハン
ダ付けで固定されており、また、上記フェル−ル９は、
ハンダ１１でパッケ−ジ１３の側面に固定され、同時に
気密封止した構造を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の光半導体モジュ
−ルは、図２に示すように、通常、半導体レ−ザ１、セ
ルフォックマイクロレンズ２１及びフェル−ル９を保持
するため、ホルダ２２を有している。ところで、セルフ
ォックマイクロレンズ２１の熱膨張係数は、Ｈレンズで
１１５×１０-7ｄｅｇ-1である。このような熱膨張係数
を持つセルフォックマイクロレンズ２１をホルダ２２に
固定する際、このレンズ２１のクラックを防止するため
に、ハ−ドソルダ２０とホルダ２２の各材料として、そ
の熱膨張係数が上記レンズ２１の熱膨張係数に近いもの
を選択して使用されている。
−ルは、図２に示すように、通常、半導体レ−ザ１、セ
ルフォックマイクロレンズ２１及びフェル−ル９を保持
するため、ホルダ２２を有している。ところで、セルフ
ォックマイクロレンズ２１の熱膨張係数は、Ｈレンズで
１１５×１０-7ｄｅｇ-1である。このような熱膨張係数
を持つセルフォックマイクロレンズ２１をホルダ２２に
固定する際、このレンズ２１のクラックを防止するため
に、ハ−ドソルダ２０とホルダ２２の各材料として、そ
の熱膨張係数が上記レンズ２１の熱膨張係数に近いもの
を選択して使用されている。
【０００６】選択されるホルダ２２の材料として、従
来、熱膨張係数が１１７×１０-7ｄｅｇ-1のＳＳ４１が
用いられている。しかしながら、ＳＳ４１のホルダ２２
を使用した従来の光半導体モジュ−ルは、その冷却能力
としては、環境温度が６５℃であり、市場から要求され
る環境温度７０℃に適応できないという問題点が存在す
る。
来、熱膨張係数が１１７×１０-7ｄｅｇ-1のＳＳ４１が
用いられている。しかしながら、ＳＳ４１のホルダ２２
を使用した従来の光半導体モジュ−ルは、その冷却能力
としては、環境温度が６５℃であり、市場から要求され
る環境温度７０℃に適応できないという問題点が存在す
る。
【０００７】そこで、本発明は上記問題点を解消するこ
とを技術的課題とし、特に、非球面レンズのクラックを
防止することができ、また、冷却能力を向上させる光半
導体モジュールを提供することを目的とする。
とを技術的課題とし、特に、非球面レンズのクラックを
防止することができ、また、冷却能力を向上させる光半
導体モジュールを提供することを目的とする。
【０００８】
【発明が解決するための手段】そして、本発明は、半導
体レーザと光ファイバピグテールがホルダに固定された
レンズを介して光軸調整された光半導体モジュールにお
いて、前記ホルダをＣｕＷで構成し、かつ、前記レンズ
を熱膨張係数がＣｕＷの熱膨張係数に近い値を取るよう
な非球面レンズとすることによりレンズとホルダとの熱
膨張係数差に起因するレンズのクラックを防止すると共
に、光半導体モジュールとしての冷却能力を向上させる
ようにしたものである。
体レーザと光ファイバピグテールがホルダに固定された
レンズを介して光軸調整された光半導体モジュールにお
いて、前記ホルダをＣｕＷで構成し、かつ、前記レンズ
を熱膨張係数がＣｕＷの熱膨張係数に近い値を取るよう
な非球面レンズとすることによりレンズとホルダとの熱
膨張係数差に起因するレンズのクラックを防止すると共
に、光半導体モジュールとしての冷却能力を向上させる
ようにしたものである。
【０００９】即ち、本発明は、半導体レーザと光ファイ
バピグテールがホルダに固定されたレンズを介して光軸
調整された光半導体モジュールにおいて、前記ホルダを
ＣｕＷで構成し、かつ、前記レンズを熱膨張係数がＣｕ
Ｗの熱膨張係数に近い値を取るような非球面レンズとし
たことを特徴とする光半導体モジュールである。
バピグテールがホルダに固定されたレンズを介して光軸
調整された光半導体モジュールにおいて、前記ホルダを
ＣｕＷで構成し、かつ、前記レンズを熱膨張係数がＣｕ
Ｗの熱膨張係数に近い値を取るような非球面レンズとし
たことを特徴とする光半導体モジュールである。
【００１０】
【作用】従来の光半導体モジュ−ルは、前記したとお
り、セルフォックマイクロレンズを使用するものであ
り、この熱膨張係数が１１５×１０-7ｄｅｇ-1であると
ころから、この熱膨張係数に近似のＳＳ４１（熱膨張係
数１１７×１０-7ｄｅｇ-1）製ホルダを使用しなければ
ならない。
り、セルフォックマイクロレンズを使用するものであ
り、この熱膨張係数が１１５×１０-7ｄｅｇ-1であると
ころから、この熱膨張係数に近似のＳＳ４１（熱膨張係
数１１７×１０-7ｄｅｇ-1）製ホルダを使用しなければ
ならない。
【００１１】これに対して、本発明は、ホルダの材質と
して、従来のＳＳ４１に代えてＣｕＷを使用するもので
あり、そして、このＣｕＷは、その熱膨張係数が７０×
１０ー７ｄｅｇー１であるから、ＳＳ４１に比し、熱伝
導率が優れており、そのため、ホルダの熱を効率良く放
出することができ、光半導体モジュールとしての冷却能
力を向上させる作用が生じると共に、レンズのクラック
を防止することができる。本発明において、このＣｕＷ
製ホルダの使用を可能とし、レンズのクラックを防止す
ることができるとする理由は、従来のセルフォックマイ
クロレンズに代えて非球面レンズを使用することにより
起因する。即ち、非球面レンズの熱膨張係数は、その材
料成分を選択することにより、ホルダの材質であるＣｕ
Ｗの上記熱膨張係数に近づけることができるからであ
る。
して、従来のＳＳ４１に代えてＣｕＷを使用するもので
あり、そして、このＣｕＷは、その熱膨張係数が７０×
１０ー７ｄｅｇー１であるから、ＳＳ４１に比し、熱伝
導率が優れており、そのため、ホルダの熱を効率良く放
出することができ、光半導体モジュールとしての冷却能
力を向上させる作用が生じると共に、レンズのクラック
を防止することができる。本発明において、このＣｕＷ
製ホルダの使用を可能とし、レンズのクラックを防止す
ることができるとする理由は、従来のセルフォックマイ
クロレンズに代えて非球面レンズを使用することにより
起因する。即ち、非球面レンズの熱膨張係数は、その材
料成分を選択することにより、ホルダの材質であるＣｕ
Ｗの上記熱膨張係数に近づけることができるからであ
る。
【００１２】
【実施例】次に、図１に基づいて、本発明を詳細に説明
する。図１は、本発明の一実施例である光半導体モジュ
−ルの縦断面図であり、半導体レ−ザ１は、ヒ−トシン
ク２にＡｕＳｎを用いて固定し、このヒ−トシンク２
は、チップキャリア３に同じくＡｕＳｎで固定する。一
方、レンズとして、非球面レンズ６を使用し、この非球
面レンズ６をＣｕＷ製ホルダ７に低融点ガラス５により
固定する。
する。図１は、本発明の一実施例である光半導体モジュ
−ルの縦断面図であり、半導体レ−ザ１は、ヒ−トシン
ク２にＡｕＳｎを用いて固定し、このヒ−トシンク２
は、チップキャリア３に同じくＡｕＳｎで固定する。一
方、レンズとして、非球面レンズ６を使用し、この非球
面レンズ６をＣｕＷ製ホルダ７に低融点ガラス５により
固定する。
【００１３】次に、チップキャリア３をＣｕＷ製ホルダ
７にＰｂＳｎとＹＡＧ溶接で固定し、また、モニタホト
ダイオ−ド４も同じくＰｂＳｎを用いてＣｕＷ製ホルダ
７に固定する。光ファイバ１０の先端であるフェル−ル
９は、スライドリング８を介してＣｕＷ製ホルダ７と光
学調整し、ＹＡＧ溶接で固定する。ペルチェ素子１２
は、パッケ−ジ１３にＩｎＳｎで固定し、ＣｕＷ製ホル
ダ７は、ペルチェ素子１３上に同じくＩｎＳｎを用いて
固定する。また、フェル−ル９は、パッケ−ジ１２とハ
ンダ１１により固定し、同時に気密封止する。
７にＰｂＳｎとＹＡＧ溶接で固定し、また、モニタホト
ダイオ−ド４も同じくＰｂＳｎを用いてＣｕＷ製ホルダ
７に固定する。光ファイバ１０の先端であるフェル−ル
９は、スライドリング８を介してＣｕＷ製ホルダ７と光
学調整し、ＹＡＧ溶接で固定する。ペルチェ素子１２
は、パッケ−ジ１３にＩｎＳｎで固定し、ＣｕＷ製ホル
ダ７は、ペルチェ素子１３上に同じくＩｎＳｎを用いて
固定する。また、フェル−ル９は、パッケ−ジ１２とハ
ンダ１１により固定し、同時に気密封止する。
【００１４】非球面レンズの熱膨張係数は、その材料成
分を選択することにより、ホルダ７の材質であるＣｕＷ
の熱膨張係数７×１０ー７ｄｅｇー１に近づけることが
可能であり、このＣｕＷ製ホルダ７を使用することによ
って、光半導体モジュールとしての冷却能力が格段に向
上する。即ち、環境温度７０℃で比較すると、ペルチェ
素子の消費電流は、５％から１０％少なくなり、冷却能
力の限界は、７０℃から７５℃へ改善される。さらに、
非球面レンズの熱膨張係数がＣｕＷ製のホルダのＣｕＷ
の熱膨張係数に近い値を取るような非球面レンズとした
ことにより、レンズとホルダとの熱膨張係数差に起因す
るレンズのクラックを防止することができる。
分を選択することにより、ホルダ７の材質であるＣｕＷ
の熱膨張係数７×１０ー７ｄｅｇー１に近づけることが
可能であり、このＣｕＷ製ホルダ７を使用することによ
って、光半導体モジュールとしての冷却能力が格段に向
上する。即ち、環境温度７０℃で比較すると、ペルチェ
素子の消費電流は、５％から１０％少なくなり、冷却能
力の限界は、７０℃から７５℃へ改善される。さらに、
非球面レンズの熱膨張係数がＣｕＷ製のホルダのＣｕＷ
の熱膨張係数に近い値を取るような非球面レンズとした
ことにより、レンズとホルダとの熱膨張係数差に起因す
るレンズのクラックを防止することができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、非球面
レンズを採用することにより、ＣｕＷ製のホルダを使用
することができるようになり、そして、このＣｕＷ材
は、従来のセルフォックマイクロレンズの使用で限定さ
れていた材料のＳＳ４１に比べ、熱伝導率が優れている
ので、ペルチェ素子上の最大のヒートマスであるホルダ
の熱を効率良く放出することができ、そのため、光半導
体モジュールとしての冷却能力を向上させることができ
る効果が生じる。さらに、非球面レンズの熱膨張係数が
ＣｕＷ製のホルダのＣｕＷの熱膨張係数に近い値を取る
ような非球面レンズとしたことにより、レンズとホルダ
との熱膨張係数差に起因するレンズのクラックを防止す
ることができるという優れた効果を奏する。
レンズを採用することにより、ＣｕＷ製のホルダを使用
することができるようになり、そして、このＣｕＷ材
は、従来のセルフォックマイクロレンズの使用で限定さ
れていた材料のＳＳ４１に比べ、熱伝導率が優れている
ので、ペルチェ素子上の最大のヒートマスであるホルダ
の熱を効率良く放出することができ、そのため、光半導
体モジュールとしての冷却能力を向上させることができ
る効果が生じる。さらに、非球面レンズの熱膨張係数が
ＣｕＷ製のホルダのＣｕＷの熱膨張係数に近い値を取る
ような非球面レンズとしたことにより、レンズとホルダ
との熱膨張係数差に起因するレンズのクラックを防止す
ることができるという優れた効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例である光半導体モジュ−ルの
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】従来の光半導体モジュ−ルの縦断面図である。
１ 半導体レ−ザ ２ ヒ−トシンク ３ チップキャリア ４ モニタホトダイオ−ド ５ 低融点ガラス ６ 非球面レンズ ７ ＣｕＷ製ホルダ ８ スライドリング ９ フェル−ル １０ 光ファイバ １１ ハンダ １２ ペルチェ素子 １３ パッケ−ジ ２０ ハ−ドソルダ ２１ セルフォックマイクロレンズ ２２ ホルダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−305587（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−261601（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−120884（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−63669（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザと光ファイバピグテールが
ホルダに固定されたレンズを介して光軸調整された光半
導体モジュールにおいて、前記ホルダをＣｕＷで構成
し、かつ、前記レンズを熱膨張係数がＣｕＷの熱膨張係
数に近い値を取るような非球面レンズとしたことを特徴
とする光半導体モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14568391A JP3149965B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 光半導体モジュ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14568391A JP3149965B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 光半導体モジュ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04343492A JPH04343492A (ja) | 1992-11-30 |
| JP3149965B2 true JP3149965B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=15390678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14568391A Expired - Fee Related JP3149965B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 光半導体モジュ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3149965B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3076246B2 (ja) * | 1996-08-13 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | ペルチェクーラ内蔵半導体レーザモジュール |
| JPH10190131A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザー |
| EP1603206A3 (en) | 1999-02-03 | 2006-04-26 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and semiconductor laser module using the same |
| US6810063B1 (en) | 1999-06-09 | 2004-10-26 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US6870871B2 (en) | 2000-02-03 | 2005-03-22 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser devices, and semiconductor laser modules and optical communication systems using the same |
| US6614822B2 (en) | 2000-02-03 | 2003-09-02 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser devices, and semiconductor laser modules and optical communication systems using the same |
| JP2002111135A (ja) | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子、それを用いた光ファイバ増幅器用励起光源 |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP14568391A patent/JP3149965B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04343492A (ja) | 1992-11-30 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
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