JP3149996B2 - ジョセフソン結合の作製法 - Google Patents
ジョセフソン結合の作製法Info
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- josephson junction
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
- H10N60/0941—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液体窒素温度以下で動
作するジョセフソン接合の作製法に関するものである。
作するジョセフソン接合の作製法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】超電導体の電子デバイスへの応用を図る
上でＩｃＲｎ積の大きなジョセフソン接合を作製する技
術は重要である。高臨界温度（Ｔｃ）の酸化物超電導体
は、いずれも層状の結晶構造を持ち、また、コヒーレン
ス長が短いことから積層型のジョセフソン接合を製作す
るには高度の技術が要求されている。そこで、基板上に
人工的に結晶粒界を設け、その上にジョセフソン接合を
製作する方法が技術的に簡易なため、数多く開発されて
いる。
上でＩｃＲｎ積の大きなジョセフソン接合を作製する技
術は重要である。高臨界温度（Ｔｃ）の酸化物超電導体
は、いずれも層状の結晶構造を持ち、また、コヒーレン
ス長が短いことから積層型のジョセフソン接合を製作す
るには高度の技術が要求されている。そこで、基板上に
人工的に結晶粒界を設け、その上にジョセフソン接合を
製作する方法が技術的に簡易なため、数多く開発されて
いる。
【０００３】例えば、２つの単結晶をはりあわせた基板
を用いたり（グロスら（Ｒ．Ｇｒｏｓｓ，Ｐ．Ｃｈａｕ
ｄｈａｒｉ，Ｄ．Ｄｉｍｏｓ，Ａ．Ｇｕｐｔａ，Ｇ．Ｋ
ｏｒｅｎ），フィジカル・レビュー・レターズ（Ｐｈｙ
ｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．）６４，２２８（１９９
０））、基板上にステップを設ける手法（デアリーら
（Ｋ．Ｄａｒｙ，Ｗ．Ｄ．Ｄｏｚｉｅｒ，Ｊ．Ｆ．Ｂｕ
ｒｃｈ，Ｓ．Ｂ．Ｃｏｏｎｓ，Ｒ．Ｈｕ，Ｃ．Ｅ．Ｐｌ
ａｔｔ，Ｒ．Ｗ．Ｓｉｍｏｎ），アプライド フィジク
ス レターズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）５
８，５４３（１９９１））がある。これら従来技術は接
合の両側の結晶方位の違いを積極的に利用した技術であ
る。
を用いたり（グロスら（Ｒ．Ｇｒｏｓｓ，Ｐ．Ｃｈａｕ
ｄｈａｒｉ，Ｄ．Ｄｉｍｏｓ，Ａ．Ｇｕｐｔａ，Ｇ．Ｋ
ｏｒｅｎ），フィジカル・レビュー・レターズ（Ｐｈｙ
ｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．）６４，２２８（１９９
０））、基板上にステップを設ける手法（デアリーら
（Ｋ．Ｄａｒｙ，Ｗ．Ｄ．Ｄｏｚｉｅｒ，Ｊ．Ｆ．Ｂｕ
ｒｃｈ，Ｓ．Ｂ．Ｃｏｏｎｓ，Ｒ．Ｈｕ，Ｃ．Ｅ．Ｐｌ
ａｔｔ，Ｒ．Ｗ．Ｓｉｍｏｎ），アプライド フィジク
ス レターズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）５
８，５４３（１９９１））がある。これら従来技術は接
合の両側の結晶方位の違いを積極的に利用した技術であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし現状では、いず
れの従来方法も粒界の形成機構が不明で、ジョセフソン
接合特性の再現性は良くなくＩｃＲｎ積もせいぜい０．
３ｍＶ程度であった。また、任意の位置に接合を設ける
ことが困難であるため、集積回路への適用ができなかっ
た。
れの従来方法も粒界の形成機構が不明で、ジョセフソン
接合特性の再現性は良くなくＩｃＲｎ積もせいぜい０．
３ｍＶ程度であった。また、任意の位置に接合を設ける
ことが困難であるため、集積回路への適用ができなかっ
た。
【０００５】従来技術の他の例として、ＦＩＢ装置中に
ＭｇＯ基板をおき３０ＫｅＶに加速したＧａ+ イオンビ
ームを、接合を形成する位置に照射し４５度以上の急峻
な角度をもつ溝を形成する方法がある。ビーム径は５０
ｎｍである。ＭｇＯ基板上に溝が形成されるようにビー
ム電流は１ｐＡから６０ｎＡの領域で制御された。その
後、ＹＢＣＯを３００ｎｍ厚程度に基板全面に堆積す
る。その後、溝を横切るように幅５μｍ長さ３０μｍの
配線パターンを作製すると、溝上部にトンネル障壁が形
成されている。このような特性が観測されるモデルとし
て、配線パターンの結晶方位が溝の内部と溝の外部で異
なりＳＮＳ接合となったこと、または溝上で結晶粒界が
形成されＳＮＳ接合となったことが考えられる。現状で
は、この従来方法もジョセフソン接合特性の再現性は良
くなくＩｃＲｎ積もせいぜい０．３ｍＶ程度であった。
ＭｇＯ基板をおき３０ＫｅＶに加速したＧａ+ イオンビ
ームを、接合を形成する位置に照射し４５度以上の急峻
な角度をもつ溝を形成する方法がある。ビーム径は５０
ｎｍである。ＭｇＯ基板上に溝が形成されるようにビー
ム電流は１ｐＡから６０ｎＡの領域で制御された。その
後、ＹＢＣＯを３００ｎｍ厚程度に基板全面に堆積す
る。その後、溝を横切るように幅５μｍ長さ３０μｍの
配線パターンを作製すると、溝上部にトンネル障壁が形
成されている。このような特性が観測されるモデルとし
て、配線パターンの結晶方位が溝の内部と溝の外部で異
なりＳＮＳ接合となったこと、または溝上で結晶粒界が
形成されＳＮＳ接合となったことが考えられる。現状で
は、この従来方法もジョセフソン接合特性の再現性は良
くなくＩｃＲｎ積もせいぜい０．３ｍＶ程度であった。
【０００６】本発明の目的は、基板の任意の位置に再現
性よくＩｃＲｎ積の大きなジョセフソン接合を得ること
である。
性よくＩｃＲｎ積の大きなジョセフソン接合を得ること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】また、本発明は、単結晶
基板表面の同一平面上に酸化物超電導体薄膜配線パター
ンの対がトンネル障壁を３００ｎｍ以下の幅をもっては
さんで相対するように形成されており、該トンネル障壁
の両側の配線パターンの結晶方位が同一である構造をも
つジョセフソン接合の作製法であって、単結晶基板上全
面にイオン散乱による拡がりを防止する膜を蒸着する工
程と、収束イオンビームを将来該トンネル障壁が設けら
れる目的部分の直上に照射し該目的部分の結晶性を乱す
工程と、その後、残存する該イオン散乱による拡がりを
防止する膜を除去する工程と、該基板上に酸化物超電導
薄膜を堆積することで、同時に、該結晶性が乱された部
分の直上に該酸化物超電導体薄膜と同様の組成からなる
変質した酸化物薄膜からなる部分が作成され、該トンネ
ル障壁となる工程と、該酸化物超電導薄膜をパターニン
グして該トンネル障壁を横切る配線パターンの対を形成
する工程とからなることを特徴とするジョセフソン接合
の作製法である。
基板表面の同一平面上に酸化物超電導体薄膜配線パター
ンの対がトンネル障壁を３００ｎｍ以下の幅をもっては
さんで相対するように形成されており、該トンネル障壁
の両側の配線パターンの結晶方位が同一である構造をも
つジョセフソン接合の作製法であって、単結晶基板上全
面にイオン散乱による拡がりを防止する膜を蒸着する工
程と、収束イオンビームを将来該トンネル障壁が設けら
れる目的部分の直上に照射し該目的部分の結晶性を乱す
工程と、その後、残存する該イオン散乱による拡がりを
防止する膜を除去する工程と、該基板上に酸化物超電導
薄膜を堆積することで、同時に、該結晶性が乱された部
分の直上に該酸化物超電導体薄膜と同様の組成からなる
変質した酸化物薄膜からなる部分が作成され、該トンネ
ル障壁となる工程と、該酸化物超電導薄膜をパターニン
グして該トンネル障壁を横切る配線パターンの対を形成
する工程とからなることを特徴とするジョセフソン接合
の作製法である。
【０００８】前記トンネル障壁の平均的な結晶方位は該
トンネル障壁の両側の配線パターンの結晶方位と同一で
ある。
トンネル障壁の両側の配線パターンの結晶方位と同一で
ある。
【０００９】
【００１０】
【実施例】図１に本発明ジョセフソン接合の作製工程の
概略図を示す。ＭｇＯ（１００）基板上全面にわたり、
真空蒸着法により、約１００ｎｍ厚のＡｕ薄膜２を形成
する（（ａ）図）。その後、収束イオンビーム装置（Ｆ
ＩＢ）中に上記基板をおき、３０ＫｅＶに加速したＧａ
+ イオンビームを接合を形成する位置に照射する
（（ｂ）図）。ビーム径は５０ｎｍである。ＭｇＯ基板
１上にＧａ照射領域３（注入層）が形成されるようにビ
ーム電流は１ｐＡから６０ｎＡの領域で制御された。Ａ
ｕ薄膜２はイオンの散乱による拡がりを防ぎ照射領域３
の幅を狭く制限するのに有効であった。その後、Ａｕ薄
膜２を全面にわたり除去する（（ｃ）図）。除去方法は
４５０ｅＶのＡｒ+ イオンミリングあるいは２．６ｗｔ
％ＫＩと０．６５ｗｔ％Ｉの水溶液による湿式法が基板
に対して影響が少なかった。その後ＹＢａＣｕＯ（以下
ＹＢＣＯ）膜４を３００ｎｍ厚にパルスレーザ蒸着法に
より基板全面に堆積する。照射領域３上のＹＢＣＯ膜は
変質領域５となる（（ｄ）図）。その後ＹＢＣＯ膜を、
Ｇａ照射領域を横切るようにパターニングして幅５μｍ
長さ３０μｍの配線パターン４ａを作製し、取り出し電
極６を設ける。ジョセフソン接合の完成平面図を図２に
示す。６５Ｋに冷却したこの接合にマイクロ波を照射し
たところシャピロステップが観測されジョセフソン接合
が形成できていることが確認できた。
概略図を示す。ＭｇＯ（１００）基板上全面にわたり、
真空蒸着法により、約１００ｎｍ厚のＡｕ薄膜２を形成
する（（ａ）図）。その後、収束イオンビーム装置（Ｆ
ＩＢ）中に上記基板をおき、３０ＫｅＶに加速したＧａ
+ イオンビームを接合を形成する位置に照射する
（（ｂ）図）。ビーム径は５０ｎｍである。ＭｇＯ基板
１上にＧａ照射領域３（注入層）が形成されるようにビ
ーム電流は１ｐＡから６０ｎＡの領域で制御された。Ａ
ｕ薄膜２はイオンの散乱による拡がりを防ぎ照射領域３
の幅を狭く制限するのに有効であった。その後、Ａｕ薄
膜２を全面にわたり除去する（（ｃ）図）。除去方法は
４５０ｅＶのＡｒ+ イオンミリングあるいは２．６ｗｔ
％ＫＩと０．６５ｗｔ％Ｉの水溶液による湿式法が基板
に対して影響が少なかった。その後ＹＢａＣｕＯ（以下
ＹＢＣＯ）膜４を３００ｎｍ厚にパルスレーザ蒸着法に
より基板全面に堆積する。照射領域３上のＹＢＣＯ膜は
変質領域５となる（（ｄ）図）。その後ＹＢＣＯ膜を、
Ｇａ照射領域を横切るようにパターニングして幅５μｍ
長さ３０μｍの配線パターン４ａを作製し、取り出し電
極６を設ける。ジョセフソン接合の完成平面図を図２に
示す。６５Ｋに冷却したこの接合にマイクロ波を照射し
たところシャピロステップが観測されジョセフソン接合
が形成できていることが確認できた。
【００１１】図３に本発明ジョセフソン接合の温度４．
２Ｋでの電流（Ｉ）電圧（Ｖ）特性を示す。マイクロ波
パワーを照射しない場合と充分大きなマイクロ波パワー
を照射した場合の２とおりを示した。マイクロ波パワー
を照射しない場合の電圧ゼロの電流を臨界電流（Ｉｃ）
といい、この場合７ｍＡである。充分大きなマイクロ波
パワーを照射した場合には臨界電流を完全に抑圧するこ
とができ、そのときの抵抗は常伝導抵抗に漸近すること
が知られている。この図の例では約８Ωになっている。
図４に本発明のジョセフソン接合に温度４．２Ｋで１
０．２ＧＨｚの適当な強度のマイクロ波を照射した際の
シャピロステップ特性を示す。良好なジョセフソン接合
が形成されていることがわかる。この場合のＧａ+ イオ
ンビームの照射条件は１ｐＡの電流で１０μｍの長さを
２０秒間で走査し、それを２回くりかえしたものであ
る。この接合のＩｃＲｎ積は５０ｍＶ以上であり、良質
なトンネル障壁が形成されていると言える。ここでＩｃ
は接合における臨界電流、Ｒｎは接合が常伝導になった
時の抵抗である。以上述べたようなジョセフソン接合形
成プロセスをくり返して再現性を調べたところ、いづれ
も従来より一桁大きなＩｃＲｎ積が得られ、再現性は良
好であった。
２Ｋでの電流（Ｉ）電圧（Ｖ）特性を示す。マイクロ波
パワーを照射しない場合と充分大きなマイクロ波パワー
を照射した場合の２とおりを示した。マイクロ波パワー
を照射しない場合の電圧ゼロの電流を臨界電流（Ｉｃ）
といい、この場合７ｍＡである。充分大きなマイクロ波
パワーを照射した場合には臨界電流を完全に抑圧するこ
とができ、そのときの抵抗は常伝導抵抗に漸近すること
が知られている。この図の例では約８Ωになっている。
図４に本発明のジョセフソン接合に温度４．２Ｋで１
０．２ＧＨｚの適当な強度のマイクロ波を照射した際の
シャピロステップ特性を示す。良好なジョセフソン接合
が形成されていることがわかる。この場合のＧａ+ イオ
ンビームの照射条件は１ｐＡの電流で１０μｍの長さを
２０秒間で走査し、それを２回くりかえしたものであ
る。この接合のＩｃＲｎ積は５０ｍＶ以上であり、良質
なトンネル障壁が形成されていると言える。ここでＩｃ
は接合における臨界電流、Ｒｎは接合が常伝導になった
時の抵抗である。以上述べたようなジョセフソン接合形
成プロセスをくり返して再現性を調べたところ、いづれ
も従来より一桁大きなＩｃＲｎ積が得られ、再現性は良
好であった。
【００１２】本発明のジョセフソン接合に流れる臨界電
流Ｉｃを単位面積あたりの臨界電流密度換算したｊｃの
温度特性を図５に示す。Ｇａ+ イオンビームの照射幅が
６０ｎｍ、１３０ｎｍと増大するに従いｊｃが低下す
る。ｊｃに関しこのような特性が観測されるモデルとし
て、Ｇａ+ イオン照射層上でＹＢＣＯ膜が変質し常伝導
性となり、ＳＮＳ接合が形成されたことが考えられる。
つまりＧａイオンを照射したことによって照射領域のＭ
ｇＯ基板の結晶性が乱れ、その上に成長するＹＢＣＯ膜
にもストレスあるいは結晶性の乱れが生じると考えられ
ること、またＹＢＣＯ膜成長の際基板が加熱されるの
で、基板に注入されたＧａのＹＢＣＯ膜中への拡散が考
えられること、それらの相乗効果としてＹＢＣＯ膜中の
酸素欠損が考えられること、である。ＹＢＣＯ膜がＣ軸
配向しているため、本発明のような平面構造の接合では
接合面に垂直方向がコヒーレント長が長いａ−ｂ軸にな
り、しかもトンネル層の結晶構造、化学組成とも超電導
相に近いため、超電導トンネル電流が流れたものと考え
られる。
流Ｉｃを単位面積あたりの臨界電流密度換算したｊｃの
温度特性を図５に示す。Ｇａ+ イオンビームの照射幅が
６０ｎｍ、１３０ｎｍと増大するに従いｊｃが低下す
る。ｊｃに関しこのような特性が観測されるモデルとし
て、Ｇａ+ イオン照射層上でＹＢＣＯ膜が変質し常伝導
性となり、ＳＮＳ接合が形成されたことが考えられる。
つまりＧａイオンを照射したことによって照射領域のＭ
ｇＯ基板の結晶性が乱れ、その上に成長するＹＢＣＯ膜
にもストレスあるいは結晶性の乱れが生じると考えられ
ること、またＹＢＣＯ膜成長の際基板が加熱されるの
で、基板に注入されたＧａのＹＢＣＯ膜中への拡散が考
えられること、それらの相乗効果としてＹＢＣＯ膜中の
酸素欠損が考えられること、である。ＹＢＣＯ膜がＣ軸
配向しているため、本発明のような平面構造の接合では
接合面に垂直方向がコヒーレント長が長いａ−ｂ軸にな
り、しかもトンネル層の結晶構造、化学組成とも超電導
相に近いため、超電導トンネル電流が流れたものと考え
られる。
【００１３】イオンビームの照射幅が４００ｎｍになる
とトンネル電流が流れなくなるので３００ｎｍ以下とす
るのがよい。
とトンネル電流が流れなくなるので３００ｎｍ以下とす
るのがよい。
【００１４】
【発明の効果】本発明により、従来よりＩｃＲｎ積の大
きいジョセフソン接合を再現性良く、任意の位置に形成
することができるため、ジョセフソン接合の集積化が可
能となりＳＱＵＩＤ等への応用が期待できる。
きいジョセフソン接合を再現性良く、任意の位置に形成
することができるため、ジョセフソン接合の集積化が可
能となりＳＱＵＩＤ等への応用が期待できる。
【００１５】なお前述の実施例では単結晶基板としてＭ
ｇＯを用いたが、これに限らず、ＳｒＴｉＯ3 、ＮｄＧ
ａＯ3 、ＬａＡｌＯ3 、ＬａＧａＯ3 等およびそれらの
混晶でもよい。また前述の実施例では、平坦な単結晶基
板上にＹＢＣＯ膜の変質領域を形成したが、非常に浅い
溝や段差であれば、溝や段差の内外で結晶方位が大きく
は変わらないためか、平坦な場合と同様の変質領域を形
成でき、これも請求項１でいう「同一平面上」に含まれ
る。
ｇＯを用いたが、これに限らず、ＳｒＴｉＯ3 、ＮｄＧ
ａＯ3 、ＬａＡｌＯ3 、ＬａＧａＯ3 等およびそれらの
混晶でもよい。また前述の実施例では、平坦な単結晶基
板上にＹＢＣＯ膜の変質領域を形成したが、非常に浅い
溝や段差であれば、溝や段差の内外で結晶方位が大きく
は変わらないためか、平坦な場合と同様の変質領域を形
成でき、これも請求項１でいう「同一平面上」に含まれ
る。
【図１】本発明のジョセフソン接合の製造方法の一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明のジョセフソン接合の一例を示す平面図
である。
である。
【図３】本発明のジョセフソン接合の電流電圧特性を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明のジョセフソン接合のシャピロステップ
特性を示す図である。
特性を示す図である。
【図５】イオン照射をした場合としない場合のジョセフ
ソン接合の超電導臨界電流密度の温度依存性の違いを示
す図である。
ソン接合の超電導臨界電流密度の温度依存性の違いを示
す図である。
１ ＭｇＯ（１００）基板 ２ Ａｕ膜 ３ Ｇａ収束イオンビーム照射領域 ４ ＹＢＣＯ膜 ４ａ ＹＢＣＯ配線 ５ 変質領域 ６ 取り出し電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 克己 東京都江東区東雲１丁目14番３号財団法 人 国際超電導産業技術研究センター超 電導工学研究所内 (72)発明者 榎本 陽一 東京都江東区東雲１丁目14番３号財団法 人 国際超電導産業技術研究センター超 電導工学研究所内 (72)発明者 田中 昭二 東京都江東区東雲１丁目14番３号財団法 人 国際超電導産業技術研究センター超 電導工学研究所内 (56)参考文献 特開 平２−186683（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−132279（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−194573（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 39/22 - 39/24 H01L 39/00
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶基板表面の同一平面上に酸化物超
電導体薄膜配線パターンの対がトンネル障壁を３００ｎ
ｍ以下の幅をもってはさんで相対するように形成されて
おり、該トンネル障壁の両側の配線パターンの結晶方位
が同一である構造をもつジョセフソン接合の作製法であ
って、 単結晶基板上全面にイオン散乱による拡がりを防止する
膜を蒸着する工程と、 収束イオンビームを将来該トンネル障壁が設けられる目
的部分の直上に照射し該目的部分の結晶性を乱す工程
と、 その後、残存する該イオン散乱による拡がりを防止する
膜を除去する工程と、 該 基板上に酸化物超電導薄膜を堆積することで、同時
に、該結晶性が乱された部分の直上に該酸化物超電導体
薄膜と同様の組成からなる変質した酸化物薄膜からなる
部分が作成され、該トンネル障壁となる工程と、 該 酸化物超電導薄膜をパターニングして該トンネル障壁
を横切る配線パターンの対を形成する工程とからなるこ
とを特徴とするジョセフソン接合の作製法。 - 【請求項２】 前記トンネル障壁の平均的な結晶方位が
該トンネル障壁の両側の配線パターンの結晶方位と同一
であるような構造をもたせることを特徴とする請求項１
に記載のジョセフソン接合の作製法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29945092A JP3149996B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | ジョセフソン結合の作製法 |
| US08/148,277 US5534715A (en) | 1992-11-10 | 1993-11-08 | Josephson junction in a wiring pattern of a superconductor oxide |
| EP93308926A EP0597663B1 (en) | 1992-11-10 | 1993-11-09 | Process of producing a Josephson junction |
| DE69307467T DE69307467T2 (de) | 1992-11-10 | 1993-11-09 | Verfahren zur Herstellung eines Josephson-Übergangs |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29945092A JP3149996B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | ジョセフソン結合の作製法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000222746A Division JP2001053345A (ja) | 2000-01-01 | 2000-07-24 | ジョセフソン接合 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151986A JPH06151986A (ja) | 1994-05-31 |
| JP3149996B2 true JP3149996B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=17872735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29945092A Expired - Fee Related JP3149996B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | ジョセフソン結合の作製法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5534715A (ja) |
| EP (1) | EP0597663B1 (ja) |
| JP (1) | JP3149996B2 (ja) |
| DE (1) | DE69307467T2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08316535A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Fujitsu Ltd | ジョセフソン素子及びその製造方法 |
| JP3392653B2 (ja) * | 1996-09-02 | 2003-03-31 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物超電導体ジョセフソン接合素子及びその製造方法 |
| JP3367878B2 (ja) | 1997-09-30 | 2003-01-20 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物超電導体素子の製造方法 |
| JPWO2007125939A1 (ja) * | 2006-04-27 | 2009-09-10 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル | 配線接続用クラッド材及びそのクラッド材から加工された配線接続部材 |
| JP5317126B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2013-10-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | イオン価数弁別高速粒子検出器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5179426A (en) * | 1987-08-04 | 1993-01-12 | Seiko Epson Corporation | Josephson device |
| JPH01161881A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nec Corp | ジョセフソン素子およびその製造方法 |
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