JP3217839B2 - Ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置、特にＸ
線による露光を行う為の露光装置で使用するＸ線マスク
構造体、これらのマスク構造体を使用するＸ線露光装置
及びＸ線露光方法に関する。
線による露光を行う為の露光装置で使用するＸ線マスク
構造体、これらのマスク構造体を使用するＸ線露光装置
及びＸ線露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高密度化及び高
速化に伴い、集積回路のパターン線幅が約３年間で７０
％に縮小される傾向にある。大容量メモリ素子（例えば
4MDRAM）の更なる集積化により、１６Ｍbit 容量のもの
等では０．５μｍルールのデバイス設計が行われる様に
なってきた。この為焼付装置も一層の高性能化が要求さ
れ、転写可能な最小線幅が０．５μｍ以下という高性能
が要求され始めて来ている。その為露光光源波長として
Ｘ線領域（７〜１４Å）の光を利用したステッパが開発
されつつある。これらＸ線露光装置に用いられるマスク
構造体は、例えば、図３に示す様に、Ｘ線透過材で出来
たＸ線透過膜３１とそれを緊張保持する保持枠３２´と
からなっており、該Ｘ線透過膜３１上にはアライメント
マーク及び所望の幾何学的配置をもって配列されたＸ線
吸収体３３が形成されている。Ｘ線透過膜３１の形成方
法はその使用材質が有機薄膜か無機薄膜かによって大別
される。前者はＸ線の透過率が高く可視光に対しても透
明である様な材質が選ばれ、そのヤング率、熱膨張係
数、表面粗さ等から、ポリイミド、ポリアミド、マイラ
ー等のフイルムが好んで用いられる。
速化に伴い、集積回路のパターン線幅が約３年間で７０
％に縮小される傾向にある。大容量メモリ素子（例えば
4MDRAM）の更なる集積化により、１６Ｍbit 容量のもの
等では０．５μｍルールのデバイス設計が行われる様に
なってきた。この為焼付装置も一層の高性能化が要求さ
れ、転写可能な最小線幅が０．５μｍ以下という高性能
が要求され始めて来ている。その為露光光源波長として
Ｘ線領域（７〜１４Å）の光を利用したステッパが開発
されつつある。これらＸ線露光装置に用いられるマスク
構造体は、例えば、図３に示す様に、Ｘ線透過材で出来
たＸ線透過膜３１とそれを緊張保持する保持枠３２´と
からなっており、該Ｘ線透過膜３１上にはアライメント
マーク及び所望の幾何学的配置をもって配列されたＸ線
吸収体３３が形成されている。Ｘ線透過膜３１の形成方
法はその使用材質が有機薄膜か無機薄膜かによって大別
される。前者はＸ線の透過率が高く可視光に対しても透
明である様な材質が選ばれ、そのヤング率、熱膨張係
数、表面粗さ等から、ポリイミド、ポリアミド、マイラ
ー等のフイルムが好んで用いられる。
【０００３】一方、Ｘ線透過膜として無機材質を用いる
場合は、保持枠３２´としてのシリコンウエハ（以下、
シリコンウエハ３２´とも呼ぶ）上に化学気相堆積法等
により２μｍ程度の硅素化合物、特に窒化硅素や炭化硅
素等のＸ線透過膜３１が僅かに引っ張り応力をもつ様に
形成される。次にＸ線透過膜３１を堆積したシリコンウ
エハ３２´を、裏面から必要な領域（Ｘ線を透過せしめ
る為の領域）のみエッチングにより除去すると、無機薄
膜であるＸ線透過膜３１がシリコンウエハ３２´上に緊
張保持された状態のマスクブランクスが得られる。しか
しながら、このままの状態ではシリコンウエハ３２´が
薄い為、強度が小さく取扱いにも実用にも不便である
為、補強体３２を接着剤により接着して用いるのが普通
である。前記いずれの場合においても、保持枠３２´
（図３）若しくは補強体３２（図３）は、十分に強度が
大きく熱的に安定で且つ軽いものが望ましい。従来はこ
れらの形成材料として金属も考えられていたが、石英ガ
ラス、硼硅酸ガラス（パイレックス）、セラミックス焼
結体が上記条件をよく満たす為に使用される様になっ
た。上記の如きマスク構造体を用いるＸ線露光装置は、
図１に図解的に示す様に、Ｘ線発生源とＸ線露光領域を
区画するチャンバー１とシリコンウエハ等の被露光材２
を所定位置に固定するウエハチャック３と、上記マスク
構造体４を被露光材の上の所定位置に重ねるマスク把持
手段であるマスクチャック５を主要部分として形成され
ている。
場合は、保持枠３２´としてのシリコンウエハ（以下、
シリコンウエハ３２´とも呼ぶ）上に化学気相堆積法等
により２μｍ程度の硅素化合物、特に窒化硅素や炭化硅
素等のＸ線透過膜３１が僅かに引っ張り応力をもつ様に
形成される。次にＸ線透過膜３１を堆積したシリコンウ
エハ３２´を、裏面から必要な領域（Ｘ線を透過せしめ
る為の領域）のみエッチングにより除去すると、無機薄
膜であるＸ線透過膜３１がシリコンウエハ３２´上に緊
張保持された状態のマスクブランクスが得られる。しか
しながら、このままの状態ではシリコンウエハ３２´が
薄い為、強度が小さく取扱いにも実用にも不便である
為、補強体３２を接着剤により接着して用いるのが普通
である。前記いずれの場合においても、保持枠３２´
（図３）若しくは補強体３２（図３）は、十分に強度が
大きく熱的に安定で且つ軽いものが望ましい。従来はこ
れらの形成材料として金属も考えられていたが、石英ガ
ラス、硼硅酸ガラス（パイレックス）、セラミックス焼
結体が上記条件をよく満たす為に使用される様になっ
た。上記の如きマスク構造体を用いるＸ線露光装置は、
図１に図解的に示す様に、Ｘ線発生源とＸ線露光領域を
区画するチャンバー１とシリコンウエハ等の被露光材２
を所定位置に固定するウエハチャック３と、上記マスク
構造体４を被露光材の上の所定位置に重ねるマスク把持
手段であるマスクチャック５を主要部分として形成され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとしている問題点】ところが、上記
の如き保持枠や補強体を形成するセラミックス材料等は
強度、熱的安定性等に優れた材料であるが、電気的には
絶縁性の高い材料である。又、Ｘ線露光装置では従来の
光に比べ高エネルギーを持つＸ線を光源として用いる
為、マスク構造体から光電子及びオージェ電子が発生す
る。更に、Ｘ線露光装置ではＸ線の強度が低下しない様
にヘリウム雰囲気となっている場合があり、この様な乾
燥雰囲気内でＸ線の露光を行う場合には、マスク構造体
と気体との摩擦により静電気も発生する。一方、Ｘ線露
光時にはマスク構造体と被露光材との間のギャップは１
０〜数１０μｍの間の一定値に保たれる必要がある為、
マスク面が帯電され、マスク面と被露光材とが接触して
放電し、マスク面が傷つけられたり、破損するという問
題がある。更に、放出される光電子や二次電子等の影響
で被露光材上のレジストが過剰露光され、微細パターン
形成時に寸法精度等に狂い等を生じるという問題が発生
している。従って本発明の目的は、上記従来技術の問題
点を解決し、帯電防止性や寸法精度に優れたＸ線マスク
構造体、Ｘ線露光装置及びＸ線露光方法を提供すること
である。
の如き保持枠や補強体を形成するセラミックス材料等は
強度、熱的安定性等に優れた材料であるが、電気的には
絶縁性の高い材料である。又、Ｘ線露光装置では従来の
光に比べ高エネルギーを持つＸ線を光源として用いる
為、マスク構造体から光電子及びオージェ電子が発生す
る。更に、Ｘ線露光装置ではＸ線の強度が低下しない様
にヘリウム雰囲気となっている場合があり、この様な乾
燥雰囲気内でＸ線の露光を行う場合には、マスク構造体
と気体との摩擦により静電気も発生する。一方、Ｘ線露
光時にはマスク構造体と被露光材との間のギャップは１
０〜数１０μｍの間の一定値に保たれる必要がある為、
マスク面が帯電され、マスク面と被露光材とが接触して
放電し、マスク面が傷つけられたり、破損するという問
題がある。更に、放出される光電子や二次電子等の影響
で被露光材上のレジストが過剰露光され、微細パターン
形成時に寸法精度等に狂い等を生じるという問題が発生
している。従って本発明の目的は、上記従来技術の問題
点を解決し、帯電防止性や寸法精度に優れたＸ線マスク
構造体、Ｘ線露光装置及びＸ線露光方法を提供すること
である。
【０００５】
【問題点を解決する為の手段】上記目的は以下の本発明
によって達成される。即ち、本発明は、所望パターンの
Ｘ線吸収体と該吸収体を保持するＸ線透過膜とこれらを
保持する保持枠とを有するＸ線マスク構造体において、
該保持枠の最外周部がイオン注入されており、少なくと
もその一部がＸ線透過膜上に形成された導電膜と導通し
ていることを特徴とするＸ線マスク構造体及びこれらの
Ｘ線マスク構造体を使用するＸ線露光装置及びＸ線露光
方法である。
によって達成される。即ち、本発明は、所望パターンの
Ｘ線吸収体と該吸収体を保持するＸ線透過膜とこれらを
保持する保持枠とを有するＸ線マスク構造体において、
該保持枠の最外周部がイオン注入されており、少なくと
もその一部がＸ線透過膜上に形成された導電膜と導通し
ていることを特徴とするＸ線マスク構造体及びこれらの
Ｘ線マスク構造体を使用するＸ線露光装置及びＸ線露光
方法である。
【０００６】
【作用】Ｘ線マスク構造体の透過膜上に導電性被膜を形
成し、且つ、保持枠の最外周部をイオン注入して導電性
としてこれらを導通させ、Ｘ線マスクを把持する手段の
少なくとも一部に導電部を形成し、マスクとウエハとの
間のギャップを一定に保ちつつこれらの導電部を必要に
応じて電気的に接続することにより、露光時の帯電が防
止され、又、露光時に発生する光電子やオージェ電子等
が有効に除去され、適正且つ寸法精度に優れたＸ線露光
が実現される。特に、本発明のＸ線マスク構造体におい
ては、イオン注入占有領域を保持枠全体積の１０〜５０
％の範囲とすることが好ましい。即ち、イオン注入占有
領域を特にかかる数値範囲内に設定することにより、シ
リコン、セラミックス、ガラス等の非金属材料で形成さ
れている保持枠の有する強度及び熱的安定性を劣化させ
ることなく、充分な除電特性を付与することが出来る。
成し、且つ、保持枠の最外周部をイオン注入して導電性
としてこれらを導通させ、Ｘ線マスクを把持する手段の
少なくとも一部に導電部を形成し、マスクとウエハとの
間のギャップを一定に保ちつつこれらの導電部を必要に
応じて電気的に接続することにより、露光時の帯電が防
止され、又、露光時に発生する光電子やオージェ電子等
が有効に除去され、適正且つ寸法精度に優れたＸ線露光
が実現される。特に、本発明のＸ線マスク構造体におい
ては、イオン注入占有領域を保持枠全体積の１０〜５０
％の範囲とすることが好ましい。即ち、イオン注入占有
領域を特にかかる数値範囲内に設定することにより、シ
リコン、セラミックス、ガラス等の非金属材料で形成さ
れている保持枠の有する強度及び熱的安定性を劣化させ
ることなく、充分な除電特性を付与することが出来る。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を挙
げ、本発明を詳細に説明する。
げ、本発明を詳細に説明する。
【０００８】実施例１ 図１は本発明のＸ線露光装置の断面を図解的に説明する
図である。本露光装置は、Ｘ線マスク構造体４の一側面
部とマスクチャック５の一部を構成し、マスクの位置決
めを行うＶブロック６とから電気的接点７を有し、Ｖブ
ロック部６とチャンバー１が導通しており、チャンバー
１がアース電位となっている。チャンバー内はヘリウム
雰囲気であり、その圧力は１００torr程度となってい
る。図２は、図１の中からＸ線マスク構造体４及びマス
クチャック５を拡大した図である。２３はＸ線吸収体で
あり、本実施例では金（Au）を用いたが、タンタルやタ
ングステン等、露光Ｘ線に対して吸収が大きい材料であ
ればいずれのものでもよい。２１はＸ線吸収体２３を支
持しているＸ線透過膜であり、窒化硅素(SiN) を用いて
いるが、この他、炭化硅素(SiC) 、窒化硼素(BN)、有機
膜であるポリイミド、又は、有機膜と無機膜の複合膜で
も構わない。２２´はＸ線透過膜２１を支えている保持
枠の一部であり、シリコンウエハをバックエッチしたも
のである。保持枠２２´としてのシリコンウエハの最外
周部には、１００ＫｅＶのAu+ 集束イオンビームを図２
に示した２８の様にイオン注入しておく（例えば、イオ
ン注入占有領域を保持枠２２´の全体積の１０％とす
る）。このイオンとしては、ベリリウムイオン、ガリウ
ムイオン、ゲルマニウムイオン、錫イオン、アルミニウ
ムイオン、銅イオン、パラジウムイオン、砒素イオン、
硼素イオン等、集束ビームとして利用出来るものならば
いずれでもよい。２２は２２´を補強する為の補強体で
あり、保持枠の一部でもある。２２はパイレックスガラ
スからなるが、石英ガラス、マシナブルセラミックス等
でもかまわない。このＸ線マスクの全面に金を５０Åの
厚みに蒸着して、電極層２４とした。電極層２４はイオ
ン注入部２８を覆い、２４と２８とは導通する。２５は
マスクチャックであり、２６は２５の一部でＶブロック
と呼ばれるものであり、マスクの位置決めを行う際の基
準となっている。更に、Ｖブロック２６からアースバネ
２７を設置し、保持枠２２´のイオン注入部２８と接触
させることにより、Ｘ線露光時に重金属からなるＸ線吸
収体２３から発生する光電子及びオージエ電子は、Ｘ線
透過膜上に形成されたマスク電極層２４に吸収される。
更に、これらはアースバネ２７、マスクチャック２５か
らチャンバーへと流れて行く。ここで用いられるアース
バネ２７の材質はリン青銅であり、Ｘ線マスク構造体と
接触する部分はＸ線マスク構造体面を傷つけない様に接
触端が曲面になっている。しかし、アースバネ２７の材
質及び形状は、導電性があり、Ｘ線マスク構造体を傷つ
けなければこれに限定されない。又、２７をアースバネ
と呼んだがバネ性のないピン等でも構わない。上記の様
なＸ線露光装置に前記したＸ線マスク構造体を用いてＸ
線露光をすることにより、露光時に発生する帯電が防止
される。その結果、Ｘ線マスク構造体がウエハに接触す
ることがなく、Ｘ線吸収体層を破損することがなくな
り、被露光材の過剰露光も防ぐことが出来る。
図である。本露光装置は、Ｘ線マスク構造体４の一側面
部とマスクチャック５の一部を構成し、マスクの位置決
めを行うＶブロック６とから電気的接点７を有し、Ｖブ
ロック部６とチャンバー１が導通しており、チャンバー
１がアース電位となっている。チャンバー内はヘリウム
雰囲気であり、その圧力は１００torr程度となってい
る。図２は、図１の中からＸ線マスク構造体４及びマス
クチャック５を拡大した図である。２３はＸ線吸収体で
あり、本実施例では金（Au）を用いたが、タンタルやタ
ングステン等、露光Ｘ線に対して吸収が大きい材料であ
ればいずれのものでもよい。２１はＸ線吸収体２３を支
持しているＸ線透過膜であり、窒化硅素(SiN) を用いて
いるが、この他、炭化硅素(SiC) 、窒化硼素(BN)、有機
膜であるポリイミド、又は、有機膜と無機膜の複合膜で
も構わない。２２´はＸ線透過膜２１を支えている保持
枠の一部であり、シリコンウエハをバックエッチしたも
のである。保持枠２２´としてのシリコンウエハの最外
周部には、１００ＫｅＶのAu+ 集束イオンビームを図２
に示した２８の様にイオン注入しておく（例えば、イオ
ン注入占有領域を保持枠２２´の全体積の１０％とす
る）。このイオンとしては、ベリリウムイオン、ガリウ
ムイオン、ゲルマニウムイオン、錫イオン、アルミニウ
ムイオン、銅イオン、パラジウムイオン、砒素イオン、
硼素イオン等、集束ビームとして利用出来るものならば
いずれでもよい。２２は２２´を補強する為の補強体で
あり、保持枠の一部でもある。２２はパイレックスガラ
スからなるが、石英ガラス、マシナブルセラミックス等
でもかまわない。このＸ線マスクの全面に金を５０Åの
厚みに蒸着して、電極層２４とした。電極層２４はイオ
ン注入部２８を覆い、２４と２８とは導通する。２５は
マスクチャックであり、２６は２５の一部でＶブロック
と呼ばれるものであり、マスクの位置決めを行う際の基
準となっている。更に、Ｖブロック２６からアースバネ
２７を設置し、保持枠２２´のイオン注入部２８と接触
させることにより、Ｘ線露光時に重金属からなるＸ線吸
収体２３から発生する光電子及びオージエ電子は、Ｘ線
透過膜上に形成されたマスク電極層２４に吸収される。
更に、これらはアースバネ２７、マスクチャック２５か
らチャンバーへと流れて行く。ここで用いられるアース
バネ２７の材質はリン青銅であり、Ｘ線マスク構造体と
接触する部分はＸ線マスク構造体面を傷つけない様に接
触端が曲面になっている。しかし、アースバネ２７の材
質及び形状は、導電性があり、Ｘ線マスク構造体を傷つ
けなければこれに限定されない。又、２７をアースバネ
と呼んだがバネ性のないピン等でも構わない。上記の様
なＸ線露光装置に前記したＸ線マスク構造体を用いてＸ
線露光をすることにより、露光時に発生する帯電が防止
される。その結果、Ｘ線マスク構造体がウエハに接触す
ることがなく、Ｘ線吸収体層を破損することがなくな
り、被露光材の過剰露光も防ぐことが出来る。
【０００９】実施例２ 図３は、本発明のＸ線マスク構造体の別の態様のＸ線マ
スク構造体及びマスクチャックの断面図である。先ず、
厚さ１ｍｍのシリコンウエハ３２´にＸ線透過膜３１と
なる炭化硅素、Ｘ線吸収体３３となるタンタルを形成し
た。次に、シリコンウエハ３２´のバックエッチをする
前又は後に、シリコンウエハ３２´の最外周部に２００
ＫｅＶのBe2+集束イオンビームを３８の様にイオン注入
しておく（例えば、イオン注入占有領域を保持枠３２´
の全体積の２０％とする）。又、Ｘ線透過膜３１上にＸ
線吸収体３３が形成された後、電極層３４としてカーボ
ン１００Åを蒸着する。電極層３４はイオン注入部３８
を覆い、３４と３８とは導通する。保持枠の一部である
補強体３２はパイレックスガラスからなるが、予め導電
膜３９を設けておく。導電膜３９は１〜数μｍ厚のPtか
らなるが、Au、 AuPd、 Cu、 Ni等、導電性のものであ
ればいずれのものでもよい。導電膜３９の形成方法とし
ては、蒸着、スパッタ又はめっき（無電解、電解）等い
ずれでも構わない。又、導電膜３９として導電性を持つ
ペースト（銀ペースト、金ペースト、カーボンペースト
等）、導電性ポリマー（ポリアセチレン、ポリピロー
ル、ポリパラフェニレン）を塗布しても構わない。以上
の様に予め、電極層３４、導電膜３９及びイオン注入部
３８を設けた後に、３２´と３２の接着を行いマスク構
造体とする。この様なマスク構造体はマスクチャック３
５にチャッキングされ、アースバネ３７により導通をと
ることが出来る。３５が導電体であればアースバネ３７
は必要がない。本実施例の態様では電極層と導電膜とを
夫々別に形成するので、導電膜の厚さを変化させること
が出来る。Ｘ線透過膜３１上の電極層３４は、Ｘ線、可
視光透過率を考えると、薄ければ薄い程よいが、保持枠
３２´上のイオン注入部３８はアースバネの接触によ
り、導電膜３９はマスクチャックへの着脱により機械的
力がかかる場合があるので厚い方が好ましい。本発明の
Ｘ線露光装置に前記のＸ線マスク構造体を用いてＸ線露
光をすることにより、露光時に発生する帯電が防止され
る。その結果、Ｘ線マスク構造体がウエハに接触するこ
とがなく、Ｘ線吸収体層を破損することがなくなり、被
露光材の過剰露光をも防ぐことが出来、又、Ｘ線マスク
構造体の露光の耐久性も向上した。
スク構造体及びマスクチャックの断面図である。先ず、
厚さ１ｍｍのシリコンウエハ３２´にＸ線透過膜３１と
なる炭化硅素、Ｘ線吸収体３３となるタンタルを形成し
た。次に、シリコンウエハ３２´のバックエッチをする
前又は後に、シリコンウエハ３２´の最外周部に２００
ＫｅＶのBe2+集束イオンビームを３８の様にイオン注入
しておく（例えば、イオン注入占有領域を保持枠３２´
の全体積の２０％とする）。又、Ｘ線透過膜３１上にＸ
線吸収体３３が形成された後、電極層３４としてカーボ
ン１００Åを蒸着する。電極層３４はイオン注入部３８
を覆い、３４と３８とは導通する。保持枠の一部である
補強体３２はパイレックスガラスからなるが、予め導電
膜３９を設けておく。導電膜３９は１〜数μｍ厚のPtか
らなるが、Au、 AuPd、 Cu、 Ni等、導電性のものであ
ればいずれのものでもよい。導電膜３９の形成方法とし
ては、蒸着、スパッタ又はめっき（無電解、電解）等い
ずれでも構わない。又、導電膜３９として導電性を持つ
ペースト（銀ペースト、金ペースト、カーボンペースト
等）、導電性ポリマー（ポリアセチレン、ポリピロー
ル、ポリパラフェニレン）を塗布しても構わない。以上
の様に予め、電極層３４、導電膜３９及びイオン注入部
３８を設けた後に、３２´と３２の接着を行いマスク構
造体とする。この様なマスク構造体はマスクチャック３
５にチャッキングされ、アースバネ３７により導通をと
ることが出来る。３５が導電体であればアースバネ３７
は必要がない。本実施例の態様では電極層と導電膜とを
夫々別に形成するので、導電膜の厚さを変化させること
が出来る。Ｘ線透過膜３１上の電極層３４は、Ｘ線、可
視光透過率を考えると、薄ければ薄い程よいが、保持枠
３２´上のイオン注入部３８はアースバネの接触によ
り、導電膜３９はマスクチャックへの着脱により機械的
力がかかる場合があるので厚い方が好ましい。本発明の
Ｘ線露光装置に前記のＸ線マスク構造体を用いてＸ線露
光をすることにより、露光時に発生する帯電が防止され
る。その結果、Ｘ線マスク構造体がウエハに接触するこ
とがなく、Ｘ線吸収体層を破損することがなくなり、被
露光材の過剰露光をも防ぐことが出来、又、Ｘ線マスク
構造体の露光の耐久性も向上した。
【００１０】
【効果】以上の様に本発明によれば、Ｘ線マスク構造体
の保持枠にイオン注入部を持ち、且つ、Ｘ線マスク構造
体把持手段の少なくとも一部にも導電部を形成し、これ
らの導電部を必要に応じて電気的に接続することによ
り、保持枠の強度及び熱的安定性を低下せしめることな
く露光時の帯電が防止され、又、露光時に発生する光電
子やオージェ電子等が有効に除去される為、適正且つ寸
法精度に優れたＸ線露光が実現される。
の保持枠にイオン注入部を持ち、且つ、Ｘ線マスク構造
体把持手段の少なくとも一部にも導電部を形成し、これ
らの導電部を必要に応じて電気的に接続することによ
り、保持枠の強度及び熱的安定性を低下せしめることな
く露光時の帯電が防止され、又、露光時に発生する光電
子やオージェ電子等が有効に除去される為、適正且つ寸
法精度に優れたＸ線露光が実現される。
【図１】本発明によるＸ線露光装置の断面を図解的に説
明する図である。
明する図である。
【図２】本発明のＸ線マスク構造体及びマスクチャック
を図解的に説明する拡大図である。
を図解的に説明する拡大図である。
【図３】本発明のＸ線マスク構造体及びマスクチャック
を図解的に説明する拡大図である。
を図解的に説明する拡大図である。
１：チャンバー ２：被露光材 ３：ウエハチャック ４：Ｘ線マスク構造体 ５、２５、３５：マスクチヤック７：電気的接点 ２１、３１：Ｘ線透過膜 ２２、３２：補強体 ２２´、３２´：保持枠 ２３、３３：Ｘ線吸収体 ２４、３４：電極層２ ７、３７：アースバネ ６、２６：Ｖブロック ２８、３８：イオン注入部３９：導電膜
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−64218（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−260413（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−103922（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−309（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−39021（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−252014（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−142023（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16
Claims (4)
- 【請求項１】 所望パターンのＸ線吸収体と該吸収体を
保持するＸ線透過膜とこれらを保持する保持枠とを有す
るＸ線マスク構造体において、該保持枠の最外周部がイ
オン注入されており、少なくともその一部がＸ線透過膜
上に形成された導電膜と導通していることを特徴とする
Ｘ線マスク構造体。 - 【請求項２】 Ｘ線発生手段とＸ線露光領域とＸ線被露
光材を所定位置に固定する手段とＸ線マスク構造体を所
定位置に固定するマスク把持手段とを含むＸ線露光装置
において、Ｘ線マスク構造体が所望パターンのＸ線吸収
体と該吸収体を保持するＸ線透過膜とこれらを保持する
保持枠とを有し、該保持枠の最外周部がイオン注入され
ており、少なくともその一部がＸ線透過膜上に形成され
た導電膜と導通しており、且つ、上記保持枠の最外周部
がマスク把持手段と必要に応じて電気的に接触する様に
して構成されていることを特徴とするＸ線露光装置。 - 【請求項３】 Ｘ線被露光材の表面にＸ線マスク構造体
を重ね、該マスク構造体を通してＸ線を露光するＸ線露
光方法において、Ｘ線マスク構造体が所望パターンのＸ
線吸収体と該吸収体を保持するＸ線透過膜とこれらを保
持する保持枠を有し、該保持枠の最外周部がイオン注入
されており、少なくともその一部がＸ線透過膜上に形成
された導電膜と導通しており、且つ、該マスク構造体を
把持する手段の少なくとも一部が導電部を形成してお
り、これらの導電部を必要に応じて電気的に接触させる
ことを特徴とするＸ線露光方法。 - 【請求項４】 Ｘ線マスク構造体の保持枠が補強体も含
む請求項１〜３に記載のＸ線マスク構造体、Ｘ線露光装
置又はＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2754492A JP3217839B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | Ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2754492A JP3217839B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | Ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198482A JPH05198482A (ja) | 1993-08-06 |
| JP3217839B2 true JP3217839B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=12224029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2754492A Expired - Fee Related JP3217839B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | Ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3217839B2 (ja) |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP2754492A patent/JP3217839B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05198482A (ja) | 1993-08-06 |
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