JP3230754B2

JP3230754B2 - 液晶表示装置

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Publication number: JP3230754B2
Application number: JP19616791A
Authority: JP
Inventors: 哲志吉田
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1991-07-11
Filing date: 1991-07-11
Publication date: 2001-11-19
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Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、時分割駆動される電
界効果型の液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、事務機器などの表示装
置として広く使用されており、表示画面の大型化と共に
画素数が多く、表示品質の高いことが要求されている。
このような事務機器などの表示装置には、素子構造が単
純化でき、かつ駆動装置が簡素化できる単純マトリック
ス構造の液晶表示素子が広く使用されている。

【０００３】この単純マトリックス構造の液晶表示素子
は、信号電極がストライプ状に形成された一方の基板と
走査電極がストライプ状に形成された他方の基板とを前
記信号電極と走査電極とが交差するように対向配置さ
せ、前記一方基板と他方基板との間にツイスト配向させ
た液晶材料を介在させて液晶セルが形成され、この液晶
セルの外側に一対の偏光板が配置されている。そして、
前記走査電極に走査信号を供給し、この走査信号と同期
させて前記信号電極にデータ信号を供給することによっ
て走査電極と信号電極が交差する任意の画素の点灯状態
が制御される。

【０００４】このような時分割駆動方法では、時分割数
を多くすると点灯画素と非点灯画素とに印加される電圧
の差、すなわち動作マージンが低下してコントラストが
低下し、また視野角が狭くなる。そのため、従来のＴＮ
型液晶表示素子では、印加電圧に対する輝度変化の急俊
性が劣るため、１／６０デューティ程度の時分割数をと
るのが限度であり、画素数が多く高画質でかつ大型の表
示装置を得ることができなかった。

【０００５】このような急俊性を改善するためにツイス
ト角度を大きくしたＳＴＮ型の液晶表示素子やＳＢＥ型
の液晶表示素子が提案されており、実用化されている。
これらの液晶表示素子は、ツイスト角度を１８０°乃至
２７０°とすることによって前記急俊性を改善し、１／
２００デューティ程度まで時分割数をとることができ
る。この結果、６４０×４００ドットの液晶表示素子で
は、信号電極を２分して表示画面を上下に２分割し、各
画素をそれぞれ１／２００デューティで駆動する方法が
とられていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述した液晶表示素子
は、信号電極を中央で上下に２分割しているため、その
分割した部分に隣接する走査電極と信号電極とが対向す
る中央部分の画素の面積が、対向する基板の位置合わせ
精度に依存し、位置合わせ誤差を無くすことができない
ので、画面中央部の画素列の大きさが異なってしまい、
画面を分割する線が現れ、また、信号電極を上下２分割
しているため、信号電極にデータ信号を供給するための
駆動回路が信号電極の数の２倍の数だけ必要となり、か
つ走査電極に走査信号を供給する走査電極の駆動回路で
は走査電極を２つのグループに分けて走査するための複
雑な信号処理が必要であり、その結果、駆動回路が複雑
でかつ電子回路の素子数が多くなって表示装置が大型化
し、高価なものとなるという欠点があった。

【０００７】また、上述した液晶表示素子は動作の安定
性および長時間動作させたときの信頼性が要求されてい
る。この安定性および信頼性は、液晶材料中に含まれる
イオン性の不純物の影響によるものと考えられている。
しかし、液晶材料中のイオン性の不純物を完全に取り除
くことは困難であるため、動作が不安定となり、長時間
動作の信頼性に欠けるという問題があった。

【０００８】この発明は上述した欠点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は高いコントラストと優れた輝度
変化の急俊性と高速応答性をもち高時分割駆動が可能
で、長時間安定して動作する液晶表示装置を提供するこ
とにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、対向
配置された一対の基板と、この一対の基板の対向する内
面に形成されて互いに交差して対向する電極と、前記一
対の基板に形成された配向膜間に介在してツイスト配向
された正の誘電異方性を有する液晶材料と、前記一対の
基板を挟んで配置された一対の偏光板とを備えた液晶表
示装置において、前記液晶材料は、ベント弾性定数Ｋ33
とスプレイ弾性定数Ｋ11との比で表される弾性定数比Ｋ
33／Ｋ11の値が１．７５以上、誘電異方性Δεと液晶分
子軸に直交する方向の誘電率ε⊥との比である誘電率比
Δε／ε⊥の値が２以下の液晶からなり、前記配向膜近
傍の液晶分子のプレチルト角が６゜以上で、かつ前記一
対の基板間で約２３０゜乃至２５０゜の角度でツイスト
配向されていることを特徴とする。

【００１０】請求項２の発明は、対向配置された一対の
基板と、この一対の基板の対向する内面に形成され、互
いに交差して対向する電極と、一対の基板に形成された
配向膜間に介在してツイスト配向され、正の誘電異方性
を有する液晶材料と、一対の基板を挾んで配置された一
対の偏光板とを備えた液晶表示装置において、前記液晶
材料は、誘電異方性Δεと液晶分子軸に直交する方向の
誘電率ε⊥との比である誘電率比Δε／ε⊥の値が２以
下で、この誘電率ε⊥の値が４より小さく、かつ平均誘
電率

【外１】の値が６以下の液晶からなり、一対の基板間で
約２３０°乃至２５０°の角度でツイスト配向されてい
ることを特徴とする。

【００１１】

【作用】請求項１の発明によれば、液晶材料のツイスト
角を約２３０゜乃至２５０゜と大きくし、ベント弾性定
数Ｋ33とスプレイ弾性定数Ｋ11との比で表される弾性定
数比Ｋ33／Ｋ11の値を１．７５以上と大きく、かつ誘電
異方性Δεと液晶分子軸に直交する方向の誘電率ε⊥と
の比である誘電率比Δε／ε⊥の値を２以下と小さくす
ることによって急峻なしきい値特性を得ることができ、
配向膜間に介在する液晶層の配向膜近傍に位置する液晶
分子のプレチルト角を６゜以上と大きくすることによ
り、ｄ／ｐマージン（すなわち、液晶材料が一定のツイ
スト角で配向され、かつ電圧印加時に一定の動作をする
領域）が大きくなって配向が安定し、これにより高いコ
ントラストと優れた輝度変化の急峻性と高速応答性が得
られ、高時分割駆動が可能となる。

【００１２】請求項２の発明によれば、誘電異方性Δε
と液晶分子軸に直交する方向の誘電率ε⊥との比である
誘電率比Δε／ε⊥の値を２以下と小さくして、応答特
性を良くし、かつ平均誘電率

【外１】の値を６以下とし、誘電率ε⊥の値を４以下と
小さくしたので、配向膜界面に吸着されたイオン性の不
純物を再び液晶材料中に取り込み難くなり、これにより
液晶材料中の可動イオンの量が減少し、長時間動作させ
たときの動作の安定性および信頼性を高めることができ
る。

【００１３】

【実施例】以下、この発明の実施例について、図面を参
照して詳細に説明する。図１において、１はガラス板ま
たは等方性のプラスチック板などからなる下基板であ
る。この下基板１の上面には、紙面の表裏方向に延びる
ストライプ状の透明導電膜からなる複数の第１の電極２
が形成され、この第１の電極２を覆って配向膜３が形成
され、この配向膜３に配向処理が施されている。この下
基板１に対向配置される上基板４は、ガラス板または等
方性のプラスチック板で形成されており、下基板１と対
向する下面には第１の電極２と直交するように紙面の左
右方向に延びるストライプ状の透明導電膜からなる複数
の第２の電極５が形成され、これらの第２の電極５を覆
って配向膜６が形成され、この配向膜６に配向処理が施
されている。上基板４と下基板１とは、電極２、５が形
成された面を対向させ、４μｍ乃至９μｍの間隙を設け
てシール材７によって接合され、これらの基板１、４間
には液晶材料８が封入されている。シール材７によって
接合された上下基板１、４の外側には偏光板９、１０が
配置されている。

【００１４】前記配向膜３、６は、液晶材料８の配向膜
３、６に隣接する液晶分子に初期配向状態で約６°以上
のプレチルト角を与えるポリミドなどからなる高チルト
配向膜で形成されており、図２に示すように表示素子２
０の上下の縁に平行な水平線ｈを基準にして、下基板１
の配向膜３の配向処理方向３ａが左回りに約３０°の角
度で交差する右上がりの方向にラビング処理され、上基
板４の配向膜６の配向方向６ａが右回りに約３０°の角
度で交差する右下がりの方向にラビングされている。ま
た、配向膜３、６には、液晶材料８中の可動イオンを吸
着し易くするために、表面エネルギの極性力成分γ_p値
が大きい配向材料が用いられている。その表面エネルギ
ーの極性力成分γ_pの値は、４０ｄｙｎ／ｃｍより大き
いことが望ましく、この実施例では例えば、表面エネル
ギーの極性力成分の値が４２．１ｄｙｎ／ｃｍの配向膜
が用いられている。

【００１５】これらの配向膜３、６間に封入された液晶
材料８は、その液晶分子が上基板１の配向処理方向３ａ
から上基板４の配向処理方向６ａに向って、図面上で右
回りに約２４０°±１０°ねじれて配列されており、液
晶の屈折率異方性Δｎと液晶層厚ｄとの積Δｎｄの値が
0.75乃至0.90の範囲に設定されている。この液晶材料８
は、ベント弾性定数Ｋ３３とスプレイ弾性定数Ｋ１１と
の比で表わされる弾性定数比Ｋ３３／Ｋ１１が大きい液
晶化合物を多く配合すると共にシアノ基を持った液晶化
合物の配合を少なくし、且つエステル結合及びヘテロ環
式化合物を含まない様にして組成された液晶組成物であ
り、ベント弾性定数Ｋ３３とスプレイ弾性定数Ｋ１１と
の比で表わされる弾性定数比Ｋ３３／Ｋ１１の値が1.75
以上のものである。また、液晶材料８は、その誘電異方
性Δεと液晶分子軸に直交する方向の誘電率（誘電率の
垂直成分）ε⊥との比である誘電率比Δε／ε⊥の値が
２以下で、ｄ／ｐが0.5である。さらに、液晶材料８
は、配向膜３、６に吸着されたイオン性の不純物（可動
イオン）を再び液晶材料８中に取り込み難くするため
に、誘電率の垂直成分ε⊥が４以下と小さく、かつ平均
誘電率

【外２】の値が６以下と小さい。

【００１６】一方、前記偏光板９、１０は、図２に示す
ように、前記上基板４に設けられた配向膜６の配向処理
方向６ａを基準にして、偏光板１０の偏光軸（透過軸）
１０ａは反時計方向に角度Ａだけ回転した方向に向いて
おり、偏光板９の偏光軸（透過軸）９ａは反時計方向に
角度Ｂだけ回転した方向に向いている。即ち、上基板４
に設けられた配向膜６の配向処理方向６ａに対する偏光
板１０の偏光軸（透過軸）１０ａの角度Ａは３０°乃至
６０°の範囲に設定され、偏光板９の偏光軸（透過軸）
９ａの角度Ｂは９５°乃至１２０°の範囲に設定されて
いる。なお、この液晶表示装置は背景色が薄黄となるイ
エロモードであり、この液晶表示装置では特に図２に示
すように角度Ａが５０°で、角度Ｂが１００°であるの
が望ましい。

【００１７】また、図３および図４に示す液晶表示装置
は表示色が黒白のＢ／Ｗモードであり、上基板４と上側
偏光板１０との間に表示画面の着色を防止するために透
過光の色補正を行なう位相板１２が配置されている。こ
の液晶表示装置では特に図４４に示すように角度Ａが４
０°で、角度Ｂが１０５°であるのが望ましく、位相板
１２は、５００ｎｍ乃至６００ｎｍの位相差を持ち、そ
の光学軸（遅相軸）１２ａは配向膜６の配向処理方向６
ａを基準にして反時計方向に角度Ｃを以って交差する方
向に配置されている。即ち、光学軸（遅相軸）１２ａの
配向処理方向６ａに対する角度Ｃは５５°乃至９０°の
範囲に設定され、特に向に約８０°の角度であるのが望
ましい。

【００１８】このような実施例では、液晶材料８の誘電
率比Δε／ε⊥の値を２以下と小さくしたことにより、
ε‖−ε⊥の絶対値の差が小さくなって電界を印加した
ときに液晶分子の配向状態が変化しても液晶層の誘電率
の変化が少ないので、この液晶層に印加される有効な電
界強度の変化が小さくなり、輝度変化の急俊性が極めて
良くなる。すなわち、図５に示す様に、液晶表示装置の
急俊性γの値は、液晶材料９、１７の弾性定数比Ｋ３３
／Ｋ１１の値が大きく、また誘電率比Δε／ε⊥の値が
小さいほど、その値が１．０に近くなり、急俊性が良く
なる。特に、誘電率比Δε／ε⊥の値が２以下と小さい
場合に急俊性が極めて良くなる。そして、この場合、液
晶材料８の誘電率比Δε／ε⊥の値が２以下と小さくす
ると、ｄ／ｐマージン（ナチュラルピッチｐの液晶が基
板間隔ｄの上下基板間に封入されたとき、液晶分子が所
定のツイスト角、例えば２４０°でツイスト配向し、か
つ電圧が印加された場合にもムラの無い均一なツイスト
配向が得られるための基板間隔ｄの範囲）が狭くなり、
またｄ／ｐマージンの上限の値が図６に示す様に小さく
なって安定したツイスト配向が得られなくなるが、この
実施例では液晶分子のプレチルト角を６°以上、望まし
くは８°以上とすることにより、図７に示す様にｄ／ｐ
マージンを大きくすることができ、ツイスト角が２４０
°と大きくしてもｄ／ｐマージンは充分に大きくなって
安定した配向状態が得られる。このため、この実施例
は、液晶表示装置の印加電圧に対する輝度変化の急俊性
が向上し、応答速度が速くなり、１／４００デューティ
での高時分割駆動が可能で、しかもコントラストも高
い。また、表示画面全体に亘って均一で安定したツイス
ト配向が得られる。

【００１９】また、この実施例では、配向膜３、６の表
面エネルギの極性力成分γ_pを４０ｄｙｎ／ｃｍ以上と
大きくしたので、液晶材料８中の可動イオンが配向膜
３、６に吸着され易くなり、しかも液晶材料８の平均誘
電率

【外２】の値が６以下と小さいので、液晶材料８中に不
純物イオンが取り込まれ難くなり、液晶表示素子として
の動作の安定性および信頼性が高くなる。さらにこの実
施例の液晶材料８は、誘電率の垂直成分ε⊥の値が４よ
り小さい。この様に誘電率の垂直成分ε⊥の値が小さい
液晶材料８は、配向膜に吸着されたイオン性不純物を再
び液晶中に取込むことがないので、液晶材料中の可動イ
オンの量が減少し、液晶表示装置の長時間の動作に対す
る安定性及び信頼性が向上する。またさらに、液晶材料
８のε⊥の値が小さいと、ε‖−ε⊥で与えられる液晶
組成物の誘電異方性Δεの値を正にするための液晶組成
物のε‖の値を小さくすることができ、液晶組成物の平
均誘電率

【外１】も小さくなり、平均誘電率

【外１】が小さい液晶組成物は不純物イオンを取込み難
いので、液晶材料８中の可動イオンの量が減少し、その
結果信頼性が向上する。

【００２０】また、電気光学的特性から見た場合には、
平均誘電率

【外１】の値が小さい液晶材料８は、対向する電極２、
５とその間に介在する液晶材料８とによって形成される
各画素の等価的なコンデンサの容量が小さくなり、これ
らの電極２、５間にチャージされた電荷の充放電が速や
かに行なわれ、その結果表示画面に現われる残像現象を
低減することができる。また、各画素の容量が小さくな
るので、これらの各画素に信号を供給する駆動回路の駆
動能力を小さくすることができ駆動回路の構成が単純化
し、且つ小型になる。

【００２１】前述した液晶材料８中の可動イオンの量は
電圧保持率に対応している。電圧保持率は、図９に示す
ように、液晶材料８を挾んで対向する電極２、５間に、
ｔ₁（６０μｓ）時間だけ電圧Ｖを印加し、残りのｔ₂時
間開放状態にし、これを３０Ｈｚの周期で繰り返したと
き、電極間電圧νの実効値が変化する割合を表す値であ
り、図９中で基準電位Ｇと電極間電圧νを表す実線で囲
まれた面積を、基準電位Ｇと理想的な電圧波形を表す２
点鎖線で囲まれた面積で割った値である。図８に誘電率
の垂直成分ε⊥が異なる種々の液晶材料８を用いて電圧
保持率を測定した結果を示す。この図８から明らかなよ
うに、誘電率の垂直成分ε⊥の値が小さいほど電圧保持
率が高く、誘電率の垂直成分ε⊥の値が４より小さいと
き、電圧保持率が８０％を越えている。このため、電圧
保持率の値が８０％より大きい液晶材料８を用いること
によって、上述した様な動作の安定性および信頼性が極
めて良好な液晶表示装置を得ることができる。したがっ
て、この電圧保持率と誘電率の垂直成分ε⊥の値との関
係を液晶表示装置の信頼性の評値に適用することができ
る。即ち、液晶表示装置の動作の安定性および信頼性
を、液晶表示装置の電気的特性である電圧保持率を測定
するだけで容易に評価することができる。

【００２２】次に、この実施例の具体例について説明す
る。表１に示す物性を持つ液晶Ａを用いて、図１〜図４
に示された液晶表示装置を形成した実施例について、そ
の素子の構成と、液晶表示素子の法線方向から観察した
ときの測定温度が２５℃における電気−光学特性を表２
に示した。

【表１】

【表２】ここで、図１および図２に示す液晶表示装置は位相板１
２を用いないイエロモードの場合であり、偏光板１０の
偏光軸１０ａの角度Ａ、および偏光板９の偏光軸９ａの
角度Ｂは、それぞれ５０°、１００°である。図３およ
び図４に示す液晶表示装置は位相板１２を用いたＢ／Ｗ
モードの場合であり、位相板１２の位相差Ｒｅは６００
ｎｍ、偏光板１０の偏光軸１０ａの角度Ａ、偏光板９の
偏光軸９ａの角度Ｂ、及び位相板１２の光学軸１２ａの
角度ｃは、それぞれ４０°、１０５°、８０°である。
また、Ｖｔｈは、コントラストの最大値が得られる動作
電圧である。

【００２３】この表２から明らかな如く、実施例１、２
は、ツイスト角を２４０°、誘電率比Δε／ε⊥の値を
２以下とし、かつプレチルト角を８以上としたので、急
俊な輝度特性が得られ、応答時間が３２０ｍｓｅｃ、２
５０ｍｓｅｃと速く、１／４００デューティで駆動する
ことができる。また、実施例３、４は、実施例１、２の
条件以外に、表示色を補正するための位相板１２を備え
ているので、応答時間が速く、１／４００デューティで
駆動できるほか、特にコントラストが３６、２２と高
い。この場合、コントラストは弾性定数比Ｋ３３／Ｋ１
１が大きくなるに従って高くなる。すなわち、弾性定数
比Ｋ３３／Ｋ１１が1.75以下であると１０程度となり、
弾性定数比Ｋ３３／Ｋ１１が1.75以上であると６３程度
と極めて高くなる。したがって、コントラストを高くす
るには弾性定数比Ｋ３３／Ｋ１１の値が1.75以上である
ことが好ましい。さらに、実施例１〜４では、平均誘電
率

【外１】が６以下であると、不純物イオンを取り込み難
くなるので、液晶材料８に配向ムラが発生せず、動作が
安定する。

【００２４】このように、この実施例によれば、ツイス
ト角を２４０°、プレチルト角を６°以上、誘電率比Δ
ε／ε⊥の値を２以下、誘電率ε⊥の値を４より小さ
く、かつ平均誘電率

【外１】を６以下としたので、急俊な輝度特性が得ら
れ、応答速度が速く、１／４００デューティで駆動して
も高いコントラストが得られる。

【００２５】また、配向膜３、６として６°以上、望ま
しくは８°以上のプレチルト角を液晶分子に与える高チ
ルト配向膜材料で、かつ表面エネルギが４０ｄｙｎ／ｃ
ｍ以上と大きなものを用いたので、２４０°ツイスト配
向が安定して得られ、液晶材料８中の可動イオンを吸着
することができ、しかも液晶材料の平均誘電率

【外１】の値を６以下としたので、不純物イオンを液晶
材料８中に取り込み難く、配向ムラの発生を防ぐことが
でき、液晶表示素子の長時間駆動に対する動作の安定性
および信頼性が高くなる。

【００２６】さらに平均誘電率

【外１】を小さくしたので各画素の電気的容量が小さく
なって画像の残像現象を防止すると共に、駆動能力の小
さい駆動回路を用いることができる。

【００２７】

【発明の効果】以上述べたように、この発明は、液晶材
料のツイスト角を約２３０゜乃至２５０゜と大きくし、
ベント弾性定数Ｋ33とスプレイ弾性定数Ｋ11との比で表
される弾性定数比Ｋ33／Ｋ11の値を１．７５以上と大き
く、かつ誘電異方性Δεと液晶分子軸に直交する方向の
誘電率ε⊥との比である誘電率比Δε／ε⊥の値を２以
下と小さくし、さらに配向膜近傍の液晶分子のプレチル
ト角を６゜以上と大きくすることにより、液晶分子の均
一で安定したツイスト配向が得られ、また、これにより
急峻性なしきい値特性を得ることができ、高いコントラ
ストと優れた輝度変化の急峻性と高速応答が得られ、高
時分割駆動が可能となる。また、この発明によれば、誘
電異方性Δεと液晶分子軸に直交する方向の誘電率ε⊥
との比である誘電率比Δε／ε⊥の値を２以下と小さく
して、応答特性を良くし、また平均誘電率

【外１】の値を６以下とし、且つ誘電率ε⊥の値を４よ
り小さくしたので、液晶材料中の可動イオン量が減少
し、長時間動作させたときの動作の安定性および信頼性
を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の液晶表示装置の断面図。

【図２】図１に示す液晶表示装置の配向処理方向と上下
偏光板の偏光軸方向の配置を示す平面図。

【図３】この発明の他の液晶表示装置の断面図。

【図４】図３に示す液晶表示装置の配向処理方向、上下
偏光板の偏光軸方向、および位相板の光学軸方向の配置
を示す平面図。

【図５】弾性定数比Ｋ３３／Ｋ１１と誘電率比Δε／ε
⊥との比に対する急俊性の関係を示す図。

【図６】弾性定数比Ｋ３３／Ｋ１１と誘電率比Δε／ε
⊥との比に対するｄ／ｐマージンの上限値との関係を示
す図。

【図７】ツイスト角とｄ／ｐマージンの関係を示す図。

【図８】誘電率と電圧保持率の関係を示す図。

【図９】電圧保持率の定義を示す図。

【符号の説明】

１、４基板２、５電極３、６配向膜８液晶材料９、１０偏光板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/133 G02F 1/1337 G09F 9/35

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】対向配置された一対の基板と、この一対の
基板の対向する内面に形成され、互いに交差して対向す
る電極と、前記一対の基板に形成された配向膜間に介在
してツイスト配向され、正の誘電異方性を有する液晶材
料と、前記一対の基板を挟んで配置された一対の偏光板
とを備えた液晶表示装置において、前記液晶材料は、ベント弾性定数Ｋ33とスプレイ弾性定
数Ｋ11との比で表される弾性定数比Ｋ33／Ｋ11の値が
１．７５以上、誘電異方性Δεと液晶分子軸に直交する
方向の誘電率ε⊥との比である誘電率比Δε／ε⊥の値
が２以下の液晶からなり、前記配向膜近傍の液晶分子の
プレチルト角が６゜以上で、かつ前記一対の基板間で約
２３０゜乃至２５０゜の角度でツイスト配向されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】対向配置された一対の基板と、この一対の
基板の対向する内面に形成され、互いに交差して対向す
る電極と、前記一対の基板に形成された配向膜間に介在
してツイスト配向され、正の誘電異方性を有する液晶材
料と、前記一対の基板を挟んで配置された一対の偏光板
とを備えた液晶表示装置において、前記液晶材料は、誘
電異方性Δεと液晶分子軸に直交する方向の誘電率ε⊥
との比である誘電率比Δε／ε⊥の値が２以下で、この
誘電率ε⊥の値が４より小さく、かつ平均誘電率【外１】の値が６以下の液晶からなり、前記一対の基板
間で約２３０゜乃至２５０゜の角度でツイスト配向され
ていることを特徴とする液晶表示装置。