JP3285167B2 - 階調マスク - Google Patents
階調マスクInfo
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透過率が段階的に変化
する階調マスクに関し、特に、カラーフィルター製造に
用いられる階調マスクに関する。
する階調マスクに関し、特に、カラーフィルター製造に
用いられる階調マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、カラー液晶表示装置等のカラーフ
ィルターの製造方法として、透過率が段階的に変化する
階調マスクを用いて露光回数を減らし、歩留りを向上さ
せる方法が提案されている（特開平５−１１１０６
号）。
ィルターの製造方法として、透過率が段階的に変化する
階調マスクを用いて露光回数を減らし、歩留りを向上さ
せる方法が提案されている（特開平５−１１１０６
号）。
【０００３】この方法の概略を図３の工程図を参照にし
て説明する。図３の方法は、予め基板上にフィルター着
色画素間の色の滲みを防止するブラックマトリックスを
設けておく例であるが、同図（ａ）に示したように、ガ
ラス基板１の表面にＩＴＯ等の透明導電膜２を設け、そ
の上にブラックマトリックス３をリソグラフィー技術等
を用いて形成し、その上にフォトレジスト膜４を形成す
る。次いで、同図（ｂ）に示すように、作製するカラー
フィルターの着色画素の寸法配置に対応して透過率が異
なる階調マスク５を、ブラックマトリックス３に整列さ
せて上記基板１に密着又は近接させ、階調マスク５側か
ら均一な露光光６を照射して、フォトレジスト膜４を露
光する。階調マスク５は、例えば、作製するカラーフィ
ルターの赤色の画素に対応する部分ａの透過率は０％で
あり、緑色の画素に対応する部分ｂの透過率は１０％で
あり、青色に対応する部分ｃの透過率は１００％のもの
である。このような階調マスク５を介して一様露光する
と、部分ａに対応するレジスト部分は何ら露光されず、
部分ｂに対応するレジスト部分は幾分露光され、部分ｃ
に対応するレジスト部分は充分に露光される。したがっ
て、フォトレジスト膜４には着色画素位置に応じて露光
量が異なることになる。このようなフォトレジスト膜４
を、同図（ｃ）に示すように、例えば露光量の最も少な
い部分のみを除去する濃度の現像液を用いて現像する
と、階調マスク５の部分ａに対応するレジスト部分のみ
が除去され、その部分の透明導電膜２が露出する。この
状態で、同図（ｄ）に示すように、透明導電膜２に電圧
を印加して電気泳動によりレジスト開口部分の透明導電
膜２露出部に赤色電着膜Ｒを成膜する。次いで、同図
（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜４の中間の露光
量部分を除去する濃度の現像液を用いて、階調マスク５
の部分ｂに対応するレジスト部分のみを除去し、同図
（ｆ）に示すように、透明導電膜２に電圧を印加して電
気泳動によりレジスト開口部分で透明導電膜２露出部に
緑色電着膜Ｇを成膜する。同図（ｇ）、（ｈ）におい
て、同様にして、階調マスク５の部分ｃに対応する部分
のブラックマトリックス３がない部分に青色電着膜Ｂを
成膜することにより、同図（ｈ）に示したようなカラー
フィルターが完成する。なお、透過率の階調を４段階に
して、ブラックマトリックス３も同様に製造することも
可能である。
て説明する。図３の方法は、予め基板上にフィルター着
色画素間の色の滲みを防止するブラックマトリックスを
設けておく例であるが、同図（ａ）に示したように、ガ
ラス基板１の表面にＩＴＯ等の透明導電膜２を設け、そ
の上にブラックマトリックス３をリソグラフィー技術等
を用いて形成し、その上にフォトレジスト膜４を形成す
る。次いで、同図（ｂ）に示すように、作製するカラー
フィルターの着色画素の寸法配置に対応して透過率が異
なる階調マスク５を、ブラックマトリックス３に整列さ
せて上記基板１に密着又は近接させ、階調マスク５側か
ら均一な露光光６を照射して、フォトレジスト膜４を露
光する。階調マスク５は、例えば、作製するカラーフィ
ルターの赤色の画素に対応する部分ａの透過率は０％で
あり、緑色の画素に対応する部分ｂの透過率は１０％で
あり、青色に対応する部分ｃの透過率は１００％のもの
である。このような階調マスク５を介して一様露光する
と、部分ａに対応するレジスト部分は何ら露光されず、
部分ｂに対応するレジスト部分は幾分露光され、部分ｃ
に対応するレジスト部分は充分に露光される。したがっ
て、フォトレジスト膜４には着色画素位置に応じて露光
量が異なることになる。このようなフォトレジスト膜４
を、同図（ｃ）に示すように、例えば露光量の最も少な
い部分のみを除去する濃度の現像液を用いて現像する
と、階調マスク５の部分ａに対応するレジスト部分のみ
が除去され、その部分の透明導電膜２が露出する。この
状態で、同図（ｄ）に示すように、透明導電膜２に電圧
を印加して電気泳動によりレジスト開口部分の透明導電
膜２露出部に赤色電着膜Ｒを成膜する。次いで、同図
（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜４の中間の露光
量部分を除去する濃度の現像液を用いて、階調マスク５
の部分ｂに対応するレジスト部分のみを除去し、同図
（ｆ）に示すように、透明導電膜２に電圧を印加して電
気泳動によりレジスト開口部分で透明導電膜２露出部に
緑色電着膜Ｇを成膜する。同図（ｇ）、（ｈ）におい
て、同様にして、階調マスク５の部分ｃに対応する部分
のブラックマトリックス３がない部分に青色電着膜Ｂを
成膜することにより、同図（ｈ）に示したようなカラー
フィルターが完成する。なお、透過率の階調を４段階に
して、ブラックマトリックス３も同様に製造することも
可能である。
【０００４】従来、このような段階的な中間の透過率を
有する階調マスクを作製するには、例えば真空蒸着法が
用いられるが、上記のようなカラーフィルター作製用の
階調マスクは各領域が５０μｍ程度以下の寸法を有する
場合もあるので、このような微細で正確な形状寸法を有
するものを効率よく、安価に作製することは容易ではな
かった。
有する階調マスクを作製するには、例えば真空蒸着法が
用いられるが、上記のようなカラーフィルター作製用の
階調マスクは各領域が５０μｍ程度以下の寸法を有する
場合もあるので、このような微細で正確な形状寸法を有
するものを効率よく、安価に作製することは容易ではな
かった。
【０００５】また、従来の透過率の低いクロム膜では、
元々膜厚が薄いため、エッチングによるグレートーンの
透過率制御（クロム膜厚制御）が難しかった。
元々膜厚が薄いため、エッチングによるグレートーンの
透過率制御（クロム膜厚制御）が難しかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような従
来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的
は、正確に、効率的に、かつ、安価に製造することがで
きる透過率が段階的に変化する階調マスクを提供するこ
とである。
来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的
は、正確に、効率的に、かつ、安価に製造することがで
きる透過率が段階的に変化する階調マスクを提供するこ
とである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の階調マスクは、透過率が実質的に０％と１００％を
含む３段階以上に空間的に段階的に変化する階調マスク
において、少なくとも透過率が実質的に０％の領域が、
０％と１００％以外の所定の透過率を有し、位相差が実
質的に使用波長の半波長又はその奇数倍になる半透明膜
を透明基板上に微細な繰り返しパターン状に設けてなる
ものであり、透過率が０％と１００％以外の１つの中間
の値の領域が、前記半透明膜を透明基板上全面に設けて
なるものであることを特徴とするものである。
明の階調マスクは、透過率が実質的に０％と１００％を
含む３段階以上に空間的に段階的に変化する階調マスク
において、少なくとも透過率が実質的に０％の領域が、
０％と１００％以外の所定の透過率を有し、位相差が実
質的に使用波長の半波長又はその奇数倍になる半透明膜
を透明基板上に微細な繰り返しパターン状に設けてなる
ものであり、透過率が０％と１００％以外の１つの中間
の値の領域が、前記半透明膜を透明基板上全面に設けて
なるものであることを特徴とするものである。
【０００８】この場合、微細な繰り返しパターンの繰り
返しピッチが２μｍ以下であることが望ましい。
返しピッチが２μｍ以下であることが望ましい。
【０００９】
【００１０】また、半透明膜をクロム化合物から構成す
ることができる。
ることができる。
【００１１】なお、この階調マスクは、複数の着色画素
からなるカラーフィルター製造用に用いるのに適してい
る。
からなるカラーフィルター製造用に用いるのに適してい
る。
【００１２】
【作用】本発明においては、少なくとも透過率が実質的
に０％の領域が、０％と１００％以外の所定の透過率を
有し、位相差が実質的に使用波長の半波長又はその奇数
倍になる半透明膜を透明基板上に微細な繰り返しパター
ン状に設けてなるものであり、透過率が０％と１００％
以外の１つの中間の値の領域が、前記半透明膜を透明基
板上全面に設けてなるものであるので、各透過率領域が
微細であっても、この半透明膜を成膜し、リソグラフィ
ー技術等を利用してこの膜をパターニングするだけで、
正確に、効率的に、かつ、安価に製造することができ、
特に、複数の着色画素からなるカラーフィルター製造用
に適したものとなる。
に０％の領域が、０％と１００％以外の所定の透過率を
有し、位相差が実質的に使用波長の半波長又はその奇数
倍になる半透明膜を透明基板上に微細な繰り返しパター
ン状に設けてなるものであり、透過率が０％と１００％
以外の１つの中間の値の領域が、前記半透明膜を透明基
板上全面に設けてなるものであるので、各透過率領域が
微細であっても、この半透明膜を成膜し、リソグラフィ
ー技術等を利用してこの膜をパターニングするだけで、
正確に、効率的に、かつ、安価に製造することができ、
特に、複数の着色画素からなるカラーフィルター製造用
に適したものとなる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の階調マスクを実施例に基づい
て説明する。本発明の階調マスクの基本原理は、半透明
で、しかもその膜が光の位相をシフトさせる作用を有す
る膜を用いて、透過率が実質的に０％の部分と中間の透
過率の部分を形成することにより、空間的に透過率が段
階的に変化する階調マスクを構成することにある。この
ような、半透明で光の位相シフト作用を有する膜の材料
としては、例えば、ＣｒＯx 、ＣｒＮx 、ＣｒＯ
x Ｎy 、ＣｒＯx Ｎy Ｃz 等のクロム化合物を用いるこ
とができる。
て説明する。本発明の階調マスクの基本原理は、半透明
で、しかもその膜が光の位相をシフトさせる作用を有す
る膜を用いて、透過率が実質的に０％の部分と中間の透
過率の部分を形成することにより、空間的に透過率が段
階的に変化する階調マスクを構成することにある。この
ような、半透明で光の位相シフト作用を有する膜の材料
としては、例えば、ＣｒＯx 、ＣｒＮx 、ＣｒＯ
x Ｎy 、ＣｒＯx Ｎy Ｃz 等のクロム化合物を用いるこ
とができる。
【００１４】図１は、本発明に基づく階調マスクの１実
施例の断面図（ａ）と平面図（ｂ）であり、透明基板１
１上の領域ｂ上には全面に半透明膜１２が設けられ、領
域ｃ上にはこのような半透明膜１２は配置されていな
い。そして、領域ａ上には、例えば市松模様状に半透明
膜１２が設けられており、その繰り返しピッチをｐとす
る。
施例の断面図（ａ）と平面図（ｂ）であり、透明基板１
１上の領域ｂ上には全面に半透明膜１２が設けられ、領
域ｃ上にはこのような半透明膜１２は配置されていな
い。そして、領域ａ上には、例えば市松模様状に半透明
膜１２が設けられており、その繰り返しピッチをｐとす
る。
【００１５】半透明膜１２は、厚さｄで使用波長λでの
屈折率ｎの半透明材料からなり、その膜厚ｄと屈折率ｎ
は、Ｎを１又は奇数として、下記の式（１）を満足する
ように設けられている。
屈折率ｎの半透明材料からなり、その膜厚ｄと屈折率ｎ
は、Ｎを１又は奇数として、下記の式（１）を満足する
ように設けられている。
【００１６】 （π−π／３）×Ｎ≦２π・ｄ（ｎ−１）／λ≦（π＋π／３）×Ｎ ・・・（１） すなわち、半透明膜１２を設けた部分と設けない部分の
位相差がほぼ半波長又はその奇数倍になるようになって
いる。
位相差がほぼ半波長又はその奇数倍になるようになって
いる。
【００１７】また、半透明膜１２の透過率は、その厚さ
ｄにおいて、０％と１００％の間の中間の値、例えば１
０％に設定されている。
ｄにおいて、０％と１００％の間の中間の値、例えば１
０％に設定されている。
【００１８】このように、半透明膜１２は位相差がほぼ
１８０°又はその奇数倍になっており、しかも、透過率
が所定の値になっている。この両者を同時に所定の値に
するには、例えばＣｒＯx 、ＣｒＮx 、ＣｒＯx Ｎy 、
ＣｒＯx Ｎy Ｃz 等のクロム化合物の場合、膜１２を構
成する材料の組成、組織、構造を変えることにより可能
となる。
１８０°又はその奇数倍になっており、しかも、透過率
が所定の値になっている。この両者を同時に所定の値に
するには、例えばＣｒＯx 、ＣｒＮx 、ＣｒＯx Ｎy 、
ＣｒＯx Ｎy Ｃz 等のクロム化合物の場合、膜１２を構
成する材料の組成、組織、構造を変えることにより可能
となる。
【００１９】さらに、領域ａにおける半透明膜１２を設
ける繰り返しピッチｐは２μｍ以下に設定されている。
ける繰り返しピッチｐは２μｍ以下に設定されている。
【００２０】本発明の階調マスクは以上のような構成で
あるので、領域ｂは全面に半透明膜１２が設けられてい
るので、透過率は０％と１００％の間の中間の値、例え
ば１０％であり、領域ｃは半透明膜１２は配置されてい
ないので、透過率はほぼ１００％である。これに対し
て、領域ａは２μｍ以下の繰り返しピッチｐで市松模様
状に半透明膜１２が設けられているので、透過率はほぼ
０％になる。
あるので、領域ｂは全面に半透明膜１２が設けられてい
るので、透過率は０％と１００％の間の中間の値、例え
ば１０％であり、領域ｃは半透明膜１２は配置されてい
ないので、透過率はほぼ１００％である。これに対し
て、領域ａは２μｍ以下の繰り返しピッチｐで市松模様
状に半透明膜１２が設けられているので、透過率はほぼ
０％になる。
【００２１】この領域ａにおいて、透過率がほぼ０％に
なるのは、半透明膜１２が配置された位置を通過した光
と、半透明膜１２の配置がない位置を通過した光との位
相差がほぼ１８０°又はその奇数倍になるので、両領域
を通過し、エッジで回折された光が投影面又は像面で実
質的に重なり合い、干渉により相互に打ち消し合うため
である。この繰り返しピッチｐがほぼ２μｍ以下であれ
ば、上記のような現象が起きる。
なるのは、半透明膜１２が配置された位置を通過した光
と、半透明膜１２の配置がない位置を通過した光との位
相差がほぼ１８０°又はその奇数倍になるので、両領域
を通過し、エッジで回折された光が投影面又は像面で実
質的に重なり合い、干渉により相互に打ち消し合うため
である。この繰り返しピッチｐがほぼ２μｍ以下であれ
ば、上記のような現象が起きる。
【００２２】領域ａの半透明膜１２の配置形態として
は、図１（ｂ）に示したような市松模様状である必要は
なく、図２（ａ）、（ｂ）に例示したような繰り返し模
様状に配置してもよい。
は、図１（ｂ）に示したような市松模様状である必要は
なく、図２（ａ）、（ｂ）に例示したような繰り返し模
様状に配置してもよい。
【００２３】また、以上においては、半透明膜１２を繰
り返し周期ｐで周期的に配置することにより、透過率が
ほぼ０％の領域ａを構成できることを説明したが、半透
明膜１２を配置する部分と配置しない部分の面積比を変
えることにより、位相差１８０°で干渉し合う光の振幅
比を１以外の値にし、０％と１００％の間の中間の例え
ば８０％の透過率の領域を構成することもできる。した
がって、透過率が実質的に０％と１００％を含む４段階
以上のものも構成することができる。
り返し周期ｐで周期的に配置することにより、透過率が
ほぼ０％の領域ａを構成できることを説明したが、半透
明膜１２を配置する部分と配置しない部分の面積比を変
えることにより、位相差１８０°で干渉し合う光の振幅
比を１以外の値にし、０％と１００％の間の中間の例え
ば８０％の透過率の領域を構成することもできる。した
がって、透過率が実質的に０％と１００％を含む４段階
以上のものも構成することができる。
【００２４】このような階調マスクを作製するには、リ
ソグラフィーの技術を利用することができる。その一例
を説明すると、膜厚ｄが前記式（１）を満足し、透過率
が所定の値になる材料、例えばＣｒＯx 、ＣｒＮx 、Ｃ
ｒＯx Ｎy 、ＣｒＯx Ｎy Ｃz 等のクロム化合物を選
び、その膜をその膜厚ｄで透明基板１１上に成膜し、そ
の上に電子線レジスト又はフォトレジストを成膜し、こ
のレジスト膜上の透過率を１００％にする領域ｃ及び透
過率を０％にする領域ａに、電子線、レーザー光又はそ
の他の光による所定パターンの露光を行い、レジスト膜
を現像して露光部分を溶解し、そのレジストパターンを
マスクとして露出したクロム化合物の膜部分をドライエ
ッチング又はウエットエッチングにより除去し、残った
レジストを剥離することにより、図１に示したような階
調マスクを作製することができる。
ソグラフィーの技術を利用することができる。その一例
を説明すると、膜厚ｄが前記式（１）を満足し、透過率
が所定の値になる材料、例えばＣｒＯx 、ＣｒＮx 、Ｃ
ｒＯx Ｎy 、ＣｒＯx Ｎy Ｃz 等のクロム化合物を選
び、その膜をその膜厚ｄで透明基板１１上に成膜し、そ
の上に電子線レジスト又はフォトレジストを成膜し、こ
のレジスト膜上の透過率を１００％にする領域ｃ及び透
過率を０％にする領域ａに、電子線、レーザー光又はそ
の他の光による所定パターンの露光を行い、レジスト膜
を現像して露光部分を溶解し、そのレジストパターンを
マスクとして露出したクロム化合物の膜部分をドライエ
ッチング又はウエットエッチングにより除去し、残った
レジストを剥離することにより、図１に示したような階
調マスクを作製することができる。
【００２５】このようなリソグラフィー技術を利用した
製造方法によれば、階調マスクの各透過率領域をリソグ
ラフィーの技術によりパターニング及びエッチングして
作製するので、液晶表示装置用のカラーフィルターの着
色画素に対応して各領域の寸法が極めて微細であって
も、図３に示したようなカラーフィルター製造に用いる
階調マスクを正確に、効率的に、かつ、安価に製造する
ことができる。
製造方法によれば、階調マスクの各透過率領域をリソグ
ラフィーの技術によりパターニング及びエッチングして
作製するので、液晶表示装置用のカラーフィルターの着
色画素に対応して各領域の寸法が極めて微細であって
も、図３に示したようなカラーフィルター製造に用いる
階調マスクを正確に、効率的に、かつ、安価に製造する
ことができる。
【００２６】以上、本発明の階調マスクを実施例に基づ
いて説明してきたが、本発明はこれら実施例に限定され
ず、種々の変形が可能である。また、本発明による階調
マスクは、図３のカラーフィルターの製造用のみなら
ず、他の用途に用いることもできる。
いて説明してきたが、本発明はこれら実施例に限定され
ず、種々の変形が可能である。また、本発明による階調
マスクは、図３のカラーフィルターの製造用のみなら
ず、他の用途に用いることもできる。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の階調によると、少なくとも透過率が実質的に０％の領
域が、０％と１００％以外の所定の透過率を有し、位相
差が実質的に使用波長の半波長又はその奇数倍になる半
透明膜を透明基板上に微細な繰り返しパターン状に設け
てなるものであり、透過率が０％と１００％以外の１つ
の中間の値の領域が、前記半透明膜を透明基板上全面に
設けてなるものであるので、各透過率領域が微細であっ
ても、この半透明膜を成膜し、リソグラフィー技術等を
利用してこの膜をパターニングするだけで、正確に、効
率的に、かつ、安価に製造することができ、特に、複数
の着色画素からなるカラーフィルター製造用に適したも
のとなる。
の階調によると、少なくとも透過率が実質的に０％の領
域が、０％と１００％以外の所定の透過率を有し、位相
差が実質的に使用波長の半波長又はその奇数倍になる半
透明膜を透明基板上に微細な繰り返しパターン状に設け
てなるものであり、透過率が０％と１００％以外の１つ
の中間の値の領域が、前記半透明膜を透明基板上全面に
設けてなるものであるので、各透過率領域が微細であっ
ても、この半透明膜を成膜し、リソグラフィー技術等を
利用してこの膜をパターニングするだけで、正確に、効
率的に、かつ、安価に製造することができ、特に、複数
の着色画素からなるカラーフィルター製造用に適したも
のとなる。
【図１】本発明に基づく階調マスクの１実施例の断面図
（ａ）と平面図（ｂ）である。
（ａ）と平面図（ｂ）である。
【図２】透過率０％領域の半透明膜の配置形態の別の例
を示す図である。
を示す図である。
【図３】階調マスクを用いたカラーフィルター製造方法
の概略の工程を示す図である。
の概略の工程を示す図である。
１１…透明基板 １２…半透明膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 5/20 101 G03F 1/08
Claims (4)
- 【請求項１】 透過率が実質的に０％と１００％を含む
３段階以上に空間的に段階的に変化する階調マスクにお
いて、少なくとも透過率が実質的に０％の領域が、０％
と１００％以外の所定の透過率を有し、位相差が実質的
に使用波長の半波長又はその奇数倍になる半透明膜を透
明基板上に微細な繰り返しパターン状に設けてなるもの
であり、透過率が０％と１００％以外の１つの中間の値
の領域が、前記半透明膜を透明基板上全面に設けてなる
ものであることを特徴とする階調マスク。 - 【請求項２】 前記微細な繰り返しパターンの繰り返し
ピッチが２μｍ以下であることを特徴とする請求項１記
載の階調マスク。 - 【請求項３】 前記半透明膜がクロム化合物からなるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の階調マスク。 - 【請求項４】 複数の着色画素からなるカラーフィルタ
ー製造用に用いられることを特徴とする１から３の何れ
か１項記載の階調マスク。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19596393A JP3285167B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 階調マスク |
| KR1019940019327A KR0186067B1 (ko) | 1993-08-06 | 1994-08-05 | 계조 마스크 및 그의 제조방법 |
| US08/675,372 US5725975A (en) | 1993-08-06 | 1996-07-02 | Gradation mask and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19596393A JP3285167B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 階調マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0749411A JPH0749411A (ja) | 1995-02-21 |
| JP3285167B2 true JP3285167B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=16349903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19596393A Expired - Lifetime JP3285167B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 階調マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3285167B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4542648B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2010-09-15 | コニカミノルタセンシング株式会社 | 測光機器の受光装置 |
| CN1997878A (zh) * | 2003-07-18 | 2007-07-11 | Uclt有限责任公司 | 在光掩膜中修正临界尺寸偏差的方法 |
| JP5200439B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2013-06-05 | 大日本印刷株式会社 | カラーフィルタの製造方法 |
| JP5228390B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2013-07-03 | 大日本印刷株式会社 | 階調マスク |
| JP5673718B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2015-02-18 | 大日本印刷株式会社 | 階調マスク |
| JP5037052B2 (ja) * | 2006-07-27 | 2012-09-26 | 株式会社クラレ | 印刷方法並びにこれを用いたカラーフィルターおよび階調マスクの製造方法 |
| JP2008032941A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Kuraray Co Ltd | 階調マスクおよびその製造方法 |
| KR20080110148A (ko) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | 주식회사 엘지화학 | 액정표시소자용 포토마스크 및 이를 이용한 컬러필터의제조방법 |
| TWI422961B (zh) * | 2007-07-19 | 2014-01-11 | Ｈｏｙａ股份有限公司 | 光罩及其製造方法、圖案轉印方法、以及顯示裝置之製造方法 |
| JP2009237419A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 |
| JP2010175697A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Toppan Printing Co Ltd | 濃度分布マスク |
| JP6370755B2 (ja) | 2015-09-11 | 2018-08-08 | 東芝メモリ株式会社 | マスク及びパターン形成方法 |
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