JP3313357B2 - 電子デバイス用化合物 - Google Patents

電子デバイス用化合物

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、電子デバイスに用いられる共役
有機化合物に関し、さらに詳しくは、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）または電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を構
成するために用いられる縮合チオフェンオリゴマーまた
はポリマーに関する。
【０００２】共役オリゴマーまたはポリマーからなる有
機半導体は、基本的な光電子物理的特性と、フォトダイ
オード（参考文献１参照）、発光デバイス（ＬＥＤ）
（参考文献２参照）、および薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）（参考文献３参照）等への応用が可能であることか
ら現在研究対象として大きな関心を集めている。異なる
長さのオリゴマーまたはポリマーを形成するための共役
セグメントや、それらの種々の組み合わせを慎重に選択
することによって、前記分子半導体を高度に微調製でき
るようになり、その結果、非常に有益な特性が得られる
ようになる。
【０００３】ガルニエ（Garnier）およびその共同研究
者らは、四量体〜八量体の範囲のチオフェンのオリゴマ
ーについて検討し、機能性カードや可撓性フラットパネ
ル・ディスプレイの製造を実現可能なものとするＴＦＴ
のための活性物質として有望であると提唱している（参
考文献４〜６参照）。しかしながら、チオフェンオリゴ
マーの電界効果電荷移動度は、共役長によって増加し、
六量体以上では同等であることが判明した。また、共役
長が長くなるほど、長い範囲にわたって分子が配列する
ことが困難になるだけでなく、合成過程および精製の問
題も招くようになる。したがって、電界効果移動度およ
びオン／オフ比にも好ましくない影響を与えるようにな
る。
【０００４】可溶化位置規則性ポリ（３−ヘキシルチオ
フェン）は、上述の理由から、オン／オフ比は比較的低
いが（１０〜１０3）、ごく最近、高い移動度（１０-5
〜０．０４５ｃｍ2／Ｖｓ）が示された（参考文献７参
照）。したがって、有機ＴＦＴ材料への過去の研究の大
部分は、チオフェンの六量体（またはセキシチオフェン
（sexithiophene）、ａ−ヘキサチエニル、ａ−６Ｔ）
とそのアルキル化誘導体に集中している。結果として、
０．０３ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1の移動度と、１０6以上のオン／
オフ比を有するＴＦＴが得られている。セキシチオフェ
ン（sexithiophene）ＴＦＴの高移動度の方向は、基板
に対して平行であり、チオフェンオリゴマーの長軸に対
して垂直である。これは、電荷移動度を得るためには、
π積層が重要であることを示している。
【０００５】カツ（Katz）ら（参考文献８参照）は、最
近、他の有機ＴＦＴ材料としてビス（ベンゾジチオフェ
ン）について検討し、高移動度（０．０４ｃｍ2Ｖ-1ｓ
-1）を得ることに成功した。ベンゾ縮合チオフェンは、
その詳細な結晶構造は不明であるが、π共役単位が大幅
に重複することにより構成されるようである。市販のペ
ンタアセン、すなわち、より高度な縮合環状化合物は、
過去においては、チオフェンオリゴマーに比べると着目
されなかった。この理由は、移動度が０．００２（参考
文献９参照）または０．００９ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1（参考文
献１０、１１参照）と低いためであると思われる。
【０００６】分子光線成膜によって形成されたペンタセ
ンＴＦＴは、最近になって高移動度（０．０３ｃｍ2Ｖ
-1ｓ-1）を示した。純度の高い材料を使用して成長速度
を緩やかにすることにより、研究者は、ペンタセンＴＦ
Ｔの移動度を０．３〜０．７ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1という高さ
にまで引き揚げた（参考文献１２、１３参照）。高い移
動度は、π積層と昇華ペンタセン薄膜の巨視的な単結晶
性質に関連している（参考文献１４参照）。しかしなが
ら、有機材料の多くは、オン／オフ特性（１０2〜１
０5）が低く、閾値勾配が高いという不具合がある。
【０００７】本発明の目的は、従来技術の材料やデバイ
スに関連して発生する上述の問題を解決することにあ
る。したがって、本発明は少なくとも２つの部分からな
る化合物または錯体を提供する。各部分は、互いに直接
縮合した２以上のチオフェンからなる。この発明の文脈
において、用語「部分」は、単一のモノマー分子の異な
る部分、および二量体、オリゴマー、またはポリマーの
繰り返し単位にも及ぶことを意図する。
【０００８】本発明は、上述のような化合物を製造する
方法も提供する。この方法は、ある縮合チオフェン誘導
体を別の縮合チオフェン誘導体と結合させることからな
る。
【０００９】本発明はさらに、上述のような化合物を含
む電気、電子、または光電子要素部品またはデバイスを
提供する。
【００１０】以下に、添付図面を参照しながら本発明の
実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１１】本発明は、材料の薄い層を用いることによ
って、固体状態の不均一構造のデバイス、例えば、高い
性能を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造を可能
にする縮合チオフェンを基本とする有機半導体を用いる
ものである。有機半導体は、最大の分子間π重複が、超
分子構造において圧縮π積層体を形成するような縮合チ
オフェンを基本とするオリゴマーまたはポリマーからな
る。したがって、この種の有機半導体を活性材料として
用いることによって、高電界効果移動度と高オン／オフ
比が達成される。
【００１２】本発明は、高性能ＴＦＴまたはＦＥＴにお
いて用いられる高移動度およびオン／オフ比を有する有
機半導体を設計し合成する手段を提供する。オリゴマー
またはポリマーのための構造体ブロックとして、縮合チ
オフェン、典型的にはジチエノ［３、２−ｂ：２’、
３’−ｄ］チオフェンが用いられている。縮合チオフェ
ンは、平面共役セグメントを供給するだけでなく、硫黄
に富む供給源であり、これは、分子構造や分子配列を調
製する。０．０５ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1という高い電界効果移
動度と１０8以上の高いオン／オフ比が達成される。特
に、α、α’−ビス（ジチエノ［３、２−ｂ：２’、
３’−ｄ］チオフェン）単結晶のＸ線分析は、最初にπ
積層において互いに対向し合う平面同士の最小面間距離
が３．５６オングストロームであることを示す。このた
め、デバイスを製造する際に、この材料の巨視的単結晶
が実現できるのであれば、高移動度が達成されるであろ
う。
【００１３】本発明は、電子デバイス、特に薄膜トラン
ジスタにおいて活性材料として採用される新規性のある
縮合複素環環状化合物、それらのオリゴマーおよびポリ
マーと、それらの用法に関する。縮合複素環状（さらに
詳しくは、チオフェン）は、２個、３個、４個および５
個の縮合チオフェンからなる。好ましくは、３個の縮合
チオフェンからなる（図式１）。特に、縮合チオフェン
二量体５は、本発明の化合物を例示している。共役オリ
ゴマーまたはポリマーを溶液処理可能な形態とするため
に、可溶化側鎖を結合させることができ、または前駆体
材料を使用して溶液から膜の形成を引き起こすことがで
きる。
【００１４】可溶化官能基は、溶液処理能力やデバイス
の活性層における超分子の配列において有益な効果をも
たらす。これらの官能基は、不均一環上で種々の位置に
付加され、溶液処理可能な有機材料を提供する。溶液処
理可能性は、最終的に薄膜の形態を制御する際、重要な
役割を果たす。オリゴマーやポリマーの基質は、以下の
範疇の１つから選択することができる（図式１）。単量
体単位もまた、図式１に示される代表例から選択されて
もよい。
【００１５】
【化８】
【００１６】
【化９】
【００１７】
【化１０】
【００１８】
【化１１】
【００１９】
【化１２】
【００２０】図式１において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4
は、以下の中のいかなる組み合わせから選択されてもよ
い。すなわち、Ｈ、（ＣＨ2）nＣＨ3、Ｏ（ＣＨ2）nＣ
Ｈ3、Ｓ（ＣＨ3）nＣＨ3または分岐鎖誘導体アリール、
アルキルまたは複素環状置換体または他の可溶性側鎖ア
ルキル、アリールまたは複素環状置換体のうちのいかな
る組み合わせから選択されてもよい。Ｒ1は、また、Ｃ
ＯＯＨ、トリアゾール、テトラゾールまたはそれらの誘
導体であってもよい。
【００２１】好適なオリゴマーは、以下を含む。すなわ
ち、４（Ｒ1＝Ｃ8Ｈ17、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｈ）、５（Ｒ1
＝Ｃ6Ｈ13Ｓ−、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ）、５（Ｒ1＝Ｃ8Ｈ17、
Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ）、５（Ｒ1＝Ｃ10Ｈ21Ｓ−、Ｒ2＝Ｒ3＝
Ｈ）、５（Ｒ1＝Ｃ12Ｈ25、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ）、５（Ｒ1＝
Ｃ12Ｈ25Ｓ−、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ）、２（Ｒ１＝ＣＯＯＨ、
Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｈ）および２（Ｒ1＝ＣＯＯＨ、Ｒ2＝
Ｒ3＝Ｈ、Ｒ4＝Ｃ8Ｈ17）である。
【００２２】ポリマー単位は、構造６および図式２の繰
り返しを選択することによって選ばれる。
【００２３】
【化１３】
【００２４】
【化１４】
【００２５】
【化１５】
【００２６】
【化１６】
【００２７】
【化１７】
【００２８】
【化１８】
【００２９】図式２において、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、
以下のいかなる組み合わせから選択されてもよい。すな
わち、Ｈ、（ＣＨ2）nＣＨ3、Ｏ（ＣＨ2）nＣＨ3、Ｓ
（ＣＨ２）nＣＨ3または分岐鎖誘導体担持アリール、ア
ルキルまたは複素環状置換基または他の可溶性側鎖アル
キル、アリールまたは複素環状置換基のいかなる組み合
わせから選択されてもよい。Ｒ1は、ＣＯＯＨ、トリア
ゾール、テトラゾール、またはその誘導体とすることが
できる。
【００３０】好適には、ポリマー６は、繰り返し単位１
０（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝アルキル、Ｒ3＝Ｈ）と、１０（Ｒ1
＝Ｒ2＝アルキル、Ｒ3＝Ｈ）を担持する。
【００３１】輸送材料の樹脂状錯体における超分子配列
【００３２】クラフト（Kraft）らによる最近の研究
（参考文献２７参照）では、アリールカルボン酸とポリ
イミダゾール塩基との水素結合により得られる自己組織
化（self assembled）樹脂状体は、大きな平面状錯体を
形成することが示されている。図式３に示されるカルボ
ン酸２（Ｒ1＝ＣＯＯＨ、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｈ）とトリス
（４、５−ジヒドロイミダゾール−２−イル）ベンゼン
との錯体１２は、図式３（図９も参照）に示される錯体
を供与する。これは、シンクロトロンＸ線分析によって
明確となるように、かなりの配列を示している。このよ
うな配列は、それ自身、ＦＥＴ用の高い配列の薄膜を形
成するものであり、さらに、超分子配列は、高移動度ト
ランジスタ材料に適していることは明らかである。
【００３３】
【化１９】
【００３４】さらに、２（Ｒ1＝Ｃ8Ｈ17またはＣ6Ｈ13
Ｓ−、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ、Ｒ4＝ＣＯＯＨ）に基づいて、図
式３の錯体１２に類似している超分子組織化錯体が形成
される。特に実施例は、２（Ｒ1＝Ｃ8Ｈ17、Ｒ2＝Ｒ3＝
Ｈ、Ｒ4＝ＣＯＯＨ）と１、３、５−トリス（ジヒドロ
イミダゾール）から誘導された錯体１３である。これ
は、興味深いことにメソフェーズ挙動を示し、超分子配
列を制御することに貢献する。本発明において、超分子
配列を利用することによって、ＦＥＴにおける高移動度
を達成するために特別な処理と材料の配向を行うことが
できる。
【００３５】特に実施例において、α、α’−ビス（ジ
チエノ［３、２−ｂ：２’、３’−ｄ］チオフェン）
（ＢＤＴ）（５ （Ｒ1＝Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ））、２（Ｒ1＝
Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｈ）の「二量体」は合成されて、充分
にキャラクタリゼーション化される。縮合チオフェン化
合物である、ジチエノ［３、２−ｂ：２’、３’−ｄ］
チオフェン）（２ （Ｒ1＝Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ））は、出版
物に公開された、３−ブロモチオフェンを原料とするプ
ロトコルにしたがって合成された（参考文献１５参
照）。この「二量体化」は、酸化カップリング剤として
アセチルアセトン酸第２鉄を用い、ａ−リチウム化単量
体３のカップリング反応を介することにより行った（図
式４）。他のカップリング剤、例えば、ＣｕＣｌ2もま
た、カップリングをもたらした。ＢＤＴ（５ （Ｒ1＝
Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ））は、沸騰したトルエン内または高温の
ＤＭＦ内で再結晶化するには充分な可溶性を示し、ＴＨ
Ｆ（２ｇ／ｌ）内ではわずかに溶解した。これによっ
て、精製や１Ｈ−ＮＭＲによる同定が極めて簡便にな
る。この微結晶粉は、金のような光沢を持ち、２ヶ月に
及ぶ試験期間中に周囲条件において化学的変化を示すこ
ともない。種々のキャラクタリゼーション化、すなわ
ち、1Ｈ ＮＭＲ、ＵＶ、ＦＴＩＲ、微量分析および高
分解質量分光は、全て、５ （Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝Ｈ）
の構造に一致する。
【００３６】
【化２０】
【００３７】さらに精製するため、勾配昇華管（gradie
nt sublimation tube）中で、二量体ＢＤＴは、真空
（１０-4〜１０-5ｍｍＨｇ）下で２００１℃にて急速に
昇華された（参考文献１６参照）。最終的に得られるＢ
ＤＴのサンプルは、結晶サイズがより微細であるととも
に昇華前よりも明るい色を呈する。
【００３８】ＢＤＴは紫外線が照射されると、固体状態
においてはオレンジ色の蛍光、希釈溶液においては青色
の蛍光を発することが判明した。図２に、二量体の、紫
外線吸収および放射スペクトルを示す。希釈溶液（溶媒
としてはＣＨ3Ｃｌ3を使用した）中においては、吸収端
またはフォトルミネッセンス放射のピークから２．８ｅ
Ｖのπ−π*ギャップが観察された。また、固体薄膜放
射ピークから得られた固体薄膜中においては、２．３ｅ
Ｖのπ−π*ギャップが観察された。このようにして、
有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおけるＢＤＴ
の放射特性を利用することができる。
【００３９】ＢＤＴ薄膜のサイクリックボルタンメトリ
ー測定が、電子と正孔を前記膜に注入することができる
ことは明らかにされている。言い換えれば、ＢＤＴはｎ
型もしくはｐ型にドープされることが明らかとされた。
図３に、金が被覆されたガラス基板上のＢＤＴ膜に対
し、全面にスイープしたサイクリックボルタモグラム
（voltammogram）を示す。０→０．９→０V（対ＦＯ
Ｃ）の酸化スイープにおいて、黄色→茶色→黄色への認
識可能な色変化が観察され、この色変化はｐ型ドーピン
グ（または正孔注入）における電気化学的、かつ準可逆
的な過程を示した。これは、ラジカル陽イオンの生成と
関係があるものと考えられる（参考文献１７参照）。還
元スイープの間、類似した電気化学的な過程が見受けら
れたが、これは可逆的なｎ型ドーピング（または電子注
入）を示唆するものである。明確な色の変化は、前記還
元スイープの間には観察されなかった。酸化還元のピー
ク位置によれば、ＢＤＴの最高被占分子軌道（ＨＯＭ
Ｏ）および最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）の比は、−５．
６ｅＶ／−３．３ｅＶであると評価された。これは、電
気化学的測定により得られた２．３ｅＶのバンドギャッ
プが、電子分光学的測定から測定された固体状態におけ
るバンドギャップと良好に一致することを示すものであ
る。酸化電位が１．２Ｖを超える場合、２つの電子が注
入されるという特性が観察され、ＢＤＴの色が暗緑また
は黒に変化したことは、多分、２価の陽イオンの形成を
示すものであり、これは共役ポリマーにとって全く普遍
的なことである（参考文献１７、１８参照）。
【００４０】発明者は、トルエン中でＢＤＴの飽和溶液
を除冷することによってＢＤＴの単結晶を成長させた。
この単結晶は比較的小さいので、結晶学的な全データが
以下に詳細に述べるシンクロトロン放射源により収集さ
れた。ＢＤＴ結晶は、α−６Ｔおよびα−オクタチオフ
ェンに類似して単斜晶系であるが、Ｃ２／ｃ空間群を有
している。ＢＤＴは、最も大きな密度を有することが明
らかであって、これは分子におけるＳ／Ｃ比が高いこと
やその詰め込み構造が密（packed）であることによるも
のと考えられる。６Ｔおよびペンタセンのように、前記
ＢＤＴ分子は、完全に平坦な配列を有する（図４参
照）。
【００４１】 表１ ＢＤＴの結晶学的なデータ（１６０±２Ｋにおいて測定されたもの） 化学式 Ｃ16Ｈ6Ｓ6 分子量 ３０９．５７ 波長 ０．６８７９０Å 結晶 単斜晶 空間群 Ｃ２／ｃ 単位胞次元 ａ＝３３．６８９（２）Å、α＝９０゜ ｂ＝３．８８３４（２）Å、β＝１０１．０９３２（２）゜ ｃ＝１１．１０５５（５）Å、γ＝９０゜ 体積 １４２５．７５（１３）Å3 Ｚ ４ 濃度（計算値） １．８２０Ｍｇ／ｃｍ3 吸収係数 ０．９４８ｍｍ-1 Ｆ（０００） ７９２ 結晶サイズ ０．０７×０．０２×０．０２ｍｍ データ収集Ｑ範囲 ３．５８〜２６．８９゜ 指数範囲 −４２＜ｈ＜３４、−４＜ｋ＜５、−１４＜１＜１３ 収集された反射 １２７２ 独立反射 ８１３（Ｒｉｎｔ＝０．０４２９） 吸収補正 サダブス 精製方法 Ｆ2の最小二乗法（full-matrix least-squares） データ／制限／パラメータ ８１３／０／１００ Ｆ２への良好な適合性 １．０４３ 最終的なＲ表示［Ｉ＞２ｓ（Ｉ）］Ｒ１＝０．０７８，ｗＲ２＝０．１２６５ Ｒ表示（全データ） Ｒ１＝０．０５５６，ｗＲ２＝０．１３１４ ピークと正孔での大きな差異 ０．４４および−０．４９０ｅÅ-3
【００４２】 表２ ＢＤＴの結合長［Å］、および結合角度［゜］ Ｓ（１）−Ｃ（４）１．７３８（４） Ｓ（１）−Ｃ（Ｓ）１．７３９（４） Ｓ（２）−Ｃ（１）１．７２４（４） Ｓ（２）−Ｃ（２）１．７２６（４） Ｃ（９）−Ｃ（７）１．３７７（６） Ｃ（９）−Ｃ（５）１．４１０（５） Ｃ（９）−Ｈ．（９）０．９５ Ｃ（６）−Ｃ（１）１．３５６（６） Ｃ（６）−Ｃ（４）１．４２８（６） Ｃ（６）−Ｈ（６） ０．９５ Ｃ（５）−Ｃ（３）１．３９２（６） Ｃ（４）−Ｃ（２） １．３７８（６） Ｃ（３）−Ｃ（２）１．４２６（５） Ｃ（３）−Ｓ（３） １．７２４（４） Ｃ（１）−Ｈ（１）０．９５ Ｓ（３）−Ｃ（７） １．７５０（４） Ｃ（７）−Ｃ（７）＊ １．４４５（７） Ｃ（４）−Ｓ（１）−Ｃ（５）９０．０（２） Ｃ（１）−Ｓ（２）−Ｃ（２）９０．７（２） Ｃ（７）−Ｃ（９）−Ｃ（５）１１２．０（３） Ｃ（７）−Ｃ（９）−Ｈ（９）１２４．０（２） Ｃ（５）−Ｃ（９）−Ｈ（９）１２４．０（２） Ｃ（１）−Ｃ（６）−Ｃ（４）１１０．３（４） Ｃ（１）−Ｃ（６）−Ｈ（６）１２４．９ Ｃ（４）−Ｃ（６）−Ｈ（６）１２４．９（２） Ｃ（３）−Ｃ（５）−Ｃ（９）１１３．７（４） Ｃ（３０）−Ｃ（５）−Ｓ（１） １１２．９（３） Ｃ（９）−Ｃ（５）−Ｓ（１）１３３．４（３） Ｃ（２）−Ｃ（４）−Ｃ（６）１１３．８（４） Ｃ（２）−Ｃ（４）−Ｓ（１）１１３．３（３） Ｃ（６）−Ｃ（４）−Ｓ（１）１３２．９（３） Ｃ（５）−Ｃ（３）−Ｃ（２）１１１．７（３） Ｃ（５）−Ｃ（３）−Ｃ（３）１１１．１（３） Ｃ（２）−Ｃ（３）−Ｓ（３）１３７．２（３） Ｃ（４）−Ｃ（２）−Ｃ（３）１１２．０（４） Ｃ（４）−Ｃ（２）−Ｃ（２）１１１．１（３） Ｃ（３）−Ｃ（２）−Ｓ（２）１３６．９（３） Ｃ（６）−Ｃ（１）−Ｓ（２）１１４．２（５） Ｃ（６）−Ｃ（１）−Ｈ（１）１２２．９（２） Ｓ（２）−Ｃ（１）−Ｈ（１）１２２．９（２） Ｃ（３）−Ｓ（３）−Ｃ（７）９１．４（２） Ｃ（９）−Ｃ（７）−Ｃ（７）＊ １２８．４（５） Ｃ（９）−Ｃ（７）−Ｓ（３）１１１．９（３） Ｃ（７）−＊Ｃ（７）−Ｓ（３）１１９．７（４） ＊相応する原子を発生するのに用いられた対称のトランスフォーメーション：−
ｘ＋１／２，−ｙ＋１／２，−ｚ＋１
【００４３】それぞれの結晶単位胞において、６Ｔおよ
びペンタセンとは異なる様式で詰め込まれた（packin
g）４つの分子を有する。驚くべきことに、ヘリングボ
ーン充填方式に代えて、ペンタセン（ヘリングボーン角
度：５４゜）または６Ｔ（ヘリングボーン角度：６６
゜）よりも平坦化されるようにＢＤＴ分子が組みこまれ
ている（図５参照）。ＢＤＴ分子は、実際、２つの隣接
する積層面間の所定角度で互いに対向するように積層し
て組み込まれる。このように独特に組み込む駆動力は、
進歩した縮合チオフェン系および硫黄原子の自己認識に
よるものであると考えられる。
【００４４】３つの物質の２つの分子間の最小の距離を
比較すると、ＢＤＴはπ（Ａ）とπ（Ｂ）との距離が、
ペンタセンの３．７１Å、６Ｔの３．８２Åと比較して
最も短く（３．５６Å）、ＢＤＴが分子系の記録的な近
接構造を有するものであることがわかる。このπ（Ａ）
−π（Ｂ）積層の距離は、平行なπ系の相互作用をどの
ように強くし、どの程度近接させるかを決定づけるので
重要である。π積層の距離を短くするにつれて電荷の移
動度が高くなる。ＢＤＴ系において、このような最短の
距離は、２つの傾斜した（tilted）分子の硫黄原子間の
原子距離であり、これは３．３９Åである。本発明は、
有機薄膜が蒸気や溶解方法により処理することで成膜可
能かつ容易にオリゴマー、ポリマーおよび前駆物質を含
有するようになるという現象について研究したものであ
る。
【００４５】オプトエレクトロニクス的性質および電界
効果的な移動性
【００４６】共役有機半導体を基本とする薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）は、低価格の鍵となる要素部品、可撓性
プラスチック基板上における大面積の電子機器として検
討されている。ＴＦＴの応用に際し、２つの最も重要な
物質パラメータは、電界効果移動度（ＦFE）およびオン
／オフ比、すなわち、（ＴＦＴがオン状態での電流）／
（ＴＦＴがオフ状態での電流）の比である。有機薄膜と
ゲート誘電体の間の界面において高いキャリア移動度を
得るために、該膜の面において隣接する分子間で強い波
動関数が重なり合うように前記膜の結晶度を高めなけれ
ばならない。短鎖共役オリゴマーまたは分子半導体（α
−６Ｔ（参考文献７）、Ｃｕ−Ｐｃ（参考文献１９）、
Ｃ60（参考文献２０））が真空昇華により形成されれ
ば、最も容易に分子間配列をすることができる。発明者
らは、プロトタイプのオリゴチオフェンよりも立体配座
の自由度が小さい縮合環化合物においては（参考文献１
９参照）、分子内あるいは分子間で、さらに強いπ重な
り合いが形成されると考えた。しかしながら、規則度の
高い溶解から製造された共役ポリマーは、自己形成メカ
ニズムを用いることにより得られる（参考文献２０参
照）ということは言及に値するであろう。
【００４７】多くのメモリやディスプレイに応用するた
めには、移動度が高いことよりも１０を超える高いオン
／オフ比の方が重要である。すなわち、低い外部ドーピ
ングレベルが要求されている。大多数の有機ＴＦＴにお
いては、オン／オフ比は１０3〜１０5と比較的低い（参
考文献８、２０、２１参照）。オン／オフ比が１０8で
あることがペンタセンＴＦＴにおいても要求されている
ものの、ＯＮ状態、ＯＦＦ状態を切り替えるには、２０
０Ｖという電圧範囲は大きすぎる（参考文献１２参
照）。現在までに、入念に精製されたα−６Ｔでは、１
０6〜１０7のオン／オフ比を有する鋭いターンオン特性
が報告されている（参考文献２２参照）。
【００４８】本発明の縮合環化合物、ビス（ジチエノチ
オフェン）（ＢＤＴ）を有するＴＦＴは、例外的に、鋭
い閾値特性と高い１０8未満のオン／オフ比を有する。
電界効果移動度は、０．０２〜０．０５ｃｍ2／Ｖｓで
ある。ＴＦＴ基板は、２０００ÅのＳｉＯ2ゲート酸化
物および指状のＡｕからなるソース・ドレインコンタク
トを有する、高濃度にドープされたシリコンウエハであ
る。ＳｉＯ2の表面は、疎水性を付与するために、７０
℃にて３時間、ヘキサメチルジシラザン／クロロホルム
の溶液（１：２）を用いて処理されることにより成膜準
備が行われた。次に、１〜２×１０-6Ｔｏｒｒの気圧下
において、真空昇華によって１００〜２００ｎｍの膜厚
のＢＤＴ膜が成膜された。それぞれ、前記基板の温度を
室温と約１３０℃の間において変化させ、製膜速度をｒ
＝０．２〜１０Å／ｓの間で変化させた。最適なＴＦＴ
の特性は、基板温度Ｔが略１００℃、製膜速度ｒが略３
Å／ｓである際に得られた。このＴＦＴの特性について
は、ＨＰ４１４５Ｂパラメータ分析器により、乾燥窒素
雰囲気中で測定されたものである。
【００４９】図６に、１００℃にて成膜された典型的な
ＢＤＴＴＦＴの出力（ａ）および伝送（ｂ）特性を示
す。ＢＤＴは、その他の大半の共役有機物質と同様に、
ｐ型の半導体であって、半導体装置としては積層型にす
ることで動作するようになっている。チャネルをオフす
るのは、２〜６Ｖのような、ゲートの小さい逆バイアス
により充分であって（ＩOFF＝２〜３ｐＡ）、これは、
前記物質が僅かにｐ型にドープされているだけであるこ
とを示している。ゲート電圧範囲が４０Ｖのサンプルに
おいては、オン／オフ比は典型的には１０7であるが、
１０8に至るまでのオン／オフ比を有するサンプルもい
くつか得られている（図６参照）。このターンオン特性
は、鋭く、０．６Ｖ／デケードのＳ＝（ｄ（ｌｏｇＩｓ
ｄ）／ｄＶｇ）-1の小さな閾値勾配を伴う。これらが、
有機ＴＦＴに対して最良のオン／オフ特性であると信じ
られている。アモルファスシリコンＴＦＴにおけるター
ンオン特性と対比可能である（参考文献２３参照）。
【００５０】電荷キャリア移動度は、しかしながら、α
−Ｓｉの電荷キャリア移動度よりも桁違いに小さい。前
記移動度は、飽和レジームにおける伝送特性から、次の
式を用いて算出される（参考文献２４参照）。
【００５１】
【式１】
【００５２】この式において、絶縁キャパシタンスＣｉ
は１６．９ｎＦ／ｃｍ2である。実験的な特徴は、５Ｖ
＜｜Ｖg｜＜２０Ｖの範囲のみにおける上記二次方程式
であらわされ、ゲート電圧が高くなるほど飽和電流が小
さくなることが諒解される。上記二次方程式によれば、
最適な成膜条件下（基板温度が１００１℃、成膜速度が
１〜３Å／ｓ）においては、Ｆsat FE＝０．０２〜０．
０５ｃｍ2／Ｖｓが得られる。また、閾値電圧は小さ
く、｜ＶT｜＜５Ｖである。上昇する温度に対して、移
動度が顕著に依存するのが観察された。室温で形成され
たＴＦＴは、１００℃で形成されたときよりも、略１桁
低い移動度を示す。しかしながら、ＳｉＯ2上のＢＤＴ
の固着率が小さくなり、膜が非連続的になるために、１
００１℃を大幅に超えるような温度に上昇させることは
できない。１３０℃を超えると、基板上に膜が形成され
ないようになる。このような反応は、ベンゾジチオフェ
ンにおいて観察されるのと類似しており、高温度では粒
径が巨大化するためであると説明されている（参考文献
８参照）。
【００５３】図６に示されたＴＦＴ特性においては、非
理想的な箇所がある。Ｖds＝０に近づくと、出力特性は
非線型になり、特にゲート電圧が高くなるとそうであ
る。Ｖgが２０Ｖを超えると、飽和電流は少なくなり、
トランジスタを飽和駆動させるために、Ｖsdは｜Ｖg−
ＶT｜を大幅に上まわらなければならない。これらの非
理想的な特性は、少なくとも部分的には、オーミックソ
ース／ドレインコンタクトに関係しうる。以下に述べら
れるように、ＢＤＴは、高いバンドギャップを有する半
導体であり、金のような高い仕事関数を有する金属とで
さえもオーミック接触を形成しないであろう。
【００５４】１０8のオン／オフ比を得るために、蒸着
用のＢＤＴ物質は再結晶および真空熱勾配昇華により精
製される。膜成長後に、前記膜は約５分以内に窒素グロ
ーブボックスに転送され、ＦＥＴ特性が測定される。乾
燥窒素下に保存された場合、ＴＦＴの特性は数週間を超
えて安定であるが、空気中で操作された場合には早急な
劣化を招く。空気中でチャネルがターンオンされた場
合、操作の数分後にはＩsdが急速に増加するとともに、
光学顕微鏡では、金正孔注入ソース電極の周囲が粗くな
っていることが観察される。なお、これに反してドレイ
ン電極はそのままである。デクタック（Dektak）のプロ
ファイル解析（profilometry）によれば、金ソース電極
の膜厚は、所定の時間内（操作の２〜３時間後に最初の
１５０ｎｍから約４０ｎｍ）に減少されることが判明し
た。デクタックによれば、金は還元電位が高くまた不活
性であるにも関わらず、ＢＤＴと正孔を注入する金電極
との間における接触部位に、電気化学的反応および／ま
たはエレクトロマイグレーション（electromigration）
が発生するということが明確に示されている。この反応
は、水およびまたは酸素の存在下のみで起こり、また、
ＢＤＴ中の硫黄の存在にも関係しうる。このような接触
部位の不安定性は、異なるソース／ドレインの金属化ま
たは封止により解決されうるが、上記したような理由に
よって、空気中でのドーピングに対するＢＤＴの安定性
の研究がこれまで妨げられてきた。
【００５５】薄膜における分子配列は、ＴＦＴにおける
キャリア移送に重大であるので、Ｘ線回折（ＸＲＤ）に
より多結晶ＢＤＴ膜を分析した。図７は、ＳｉＯ2上に
約１００℃にて成膜された２５０ｎｍのＢＤＴにおける
６〜２θの回折パターンである。このような幾何学的配
列においては、基板の垂直に沿ったブラッグ（Bragg）
反射だけを測定することができる。観察される鋭い反射
パターンは、ＢＤＴが結晶構造を有することを証明する
ものであって、詳細に述べられてきたように、単結晶に
関するシンクロトロンＸＲＤにより決定されたものであ
る。よって、単位胞が空間群Ｃ２／ｃで単斜晶であると
いうことを説明するのに十分である。前記セルのパラメ
ータは、ａ＝３３．６８９Å、α＝９０゜、ｂ＝３．８
８３Å、β＝１０１．０９３゜、ｃ＝１１．１０６Å、
γ＝９０゜である。単結晶構造を用いることによって、
ＢＤＴの粉末回折パターンがシミュレーションされた。
このシミュレーションによれば、薄膜の実験的な回折パ
ターンは、（ｈ，０，０）面からの反射のみが観察され
る（図７の挿入図参照）。それらの位置および強度は、
実験パターンとよく一致する。これらの結果は、多結晶
膜における全ての粒子が、基板に平行である単位セルの
ｂｃ面に配列されていることを証明している。この配列
において、前記分子の長軸は、基板に隣接している。
【００５６】図８に、スペクトロシル（Spectrosil）ガ
ラス基板上に１００℃付近で形成されたＢＤＴ膜の分極
光学的吸収スペクトルを示す。この吸収は、３．７ｅ
Ｖ、４．７ｅＶにおける２つの主なピークによりキャラ
クタリゼーション化されている。このスペクトルは、前
記膜中での高度な構造秩序を確認する顕著な分極依存性
について示すものである。３．７ｅＶでの吸収は、２〜
３のＴＭ分極に関する要因によって一層強くなる。通
常、分子軸は基板の垂線近傍であるために、このピーク
は分子軸の長軸に沿って分極された遷移に対応するもの
でなければならない。ＴＭ分極においては、３．７ｅＶ
での主な吸収よりも低い電圧である、少なくとも約２．
６５ｅＶおよび２．９ｅＶである２つのより弱い遷移が
再現性よく観察された。吸収は２．４±０．２ｅＶにて
開始される。光の散乱を減少させるために、不活性な液
体テフロン溶液（Fluorinert ＦＣ−１０４、３ＭTM）
に浸漬させて、厚膜（図示せず）を測定することによっ
て吸収の開始電圧が決定された。その値は、２．２５ｅ
Ｖにてピークを示すＢＤＴ膜のフォトルミネッセンスの
スペクトルとよく一致している。
【００５７】前記ＢＤＴスペクトルは、オリゴチオフェ
ン ｎ−Ｔ（ｎ＝４，５，６，８）の分極した吸収スペ
クトルときわめて類似しており（参考文献２５参照）、
前記分子軸に沿って強いπ−π*ピークのエネルギが分
子縮合長の増加を伴って低いエネルギにシフトするとい
うこと（４Ｔ：Ｅmax＝３．８ｅＶ；５Ｔ：３．５５ｅ
Ｖ；６Ｔ：３．０ｅＶ）が示されている。ＢＤＴにおい
ては、３．７ｅＶで遷移が起こる。このことは、ＢＤＴ
分子の縮合長は４Ｔのように比較的短いことを示唆する
ものである。これは、ヒュッケル分子軌道（ＭＯ）演算
が最も高く占有された分子軌道（ＨＯＭＯ）と最も低く
占有された分子軌道（ＬＵＭＯ）ではＢＤＴが４Ｔに類
似するように見受けられる２つの縮合環単位それぞれに
おける硫黄原子中心上に唯一小さな電荷密度があるとい
う理由による。
【００５８】比較的短いＢＤＴ分子の縮合長により、前
記ＴＦＴのオン／オフ比が大きいことが説明される。高
いπ−π*エネルギギャップを有する短鎖分子は、合成
および成膜の間に、意図しない科学的ドーピングに対し
てより安定化する傾向がある。金属絶縁型半導体（ＭＩ
Ｓ）ダイオードにてキャパシタンス電圧を測定すること
により、ＢＤＴの外因的（extrinsic）なドーピングレ
ベルが１〜２×１０16ｃｍ-3のオーダーであると推測さ
れる。この小さな値は、チャネルをオフするのに必要と
されるゲートにおける逆方向電圧の大きさ（２〜６
Ｖ）、すなわち、２００ｎｍのＢＤＴ薄膜の空乏層とよ
く一致する。しかしながら、驚くべきことに、このよう
な短鎖分子により、０．０２〜０．０５ｃｍ2／Ｖｓの
ような比較的高い移動度をもつようになるものであり、
これは、α−６Ｔ（０．０１〜０．０３ｃｍ2／Ｖｓ）
において測定された移動度（参考文献１参照）および４
Ｔ（２〜５×１０-3ｃｍ2／Ｖｓ）において測定された
移動度（参考文献２５参照）よりも大きい。
【００５９】比較的高い移動度を持つ理由は、ＢＤＴの
結晶構造に関連づけられる。オリゴチオフェンにおける
と同様に、平面的な分子の長軸は基板上に起立してい
る。このため、分子の積層方向に沿う面内のキャリア移
送に好ましい。しかしながら、ＢＤＴ内の分子の詰め込
みと、オリゴチオフェン内の分子の詰め込みとのあいだ
には重要な違いが見られる。単結晶ＸＲＤの結果によれ
ば（前記参照）、最隣接の詰め込み、すなわち、ＢＤＴ
内の対向する面分子は、ヘリンボーン型ではない。π−
π積層方向に沿った分子平面は、互いに、厳密に平行の
位置にある。一方、すべてのオリゴチオフェンにおい
て、これらの分子平面は、ヘリンボーン角度（α−６Ｔ
でτ＝６６゜）をなす（参考文献２６参照）。ＢＤＴ内
の共平面積層は、近接する分子間で、より強力なπ−π
重なり合いをもたらす可能性がある。対向する面分子間
のＳ−ＳおよびＣ−Ｃ間の最短距離は、α−６Ｔにおけ
る４．１９Å、３．５６Åに比べると、ｂ＝３．３９Å
および３．５６Åである。結晶構造におけるこの重要な
差異は、共役長が短いにもかかわらず、比較的高いキャ
リア移動度を示唆している。
【００６０】ＢＤＴは、有機ＴＦＴにとって優れた材料
である。ＢＤＴは、例外的に、１０8までの高いオン／
オフ比を有し、α−Ｓｉ（アモルファスシリコン）ＴＦ
Ｔに比較してＳ＝０．６Ｖ／ディケード（decade）の副
閾値勾配による鋭いターンオン特性を有する。比較的高
い移動度（０．０２〜０．０５ｃｍ2／Ｖｓ）は、ＢＤ
Ｔ分子の共平面積層によって説明される。キャリア移動
度のさらなる向上は、ソース／ドレンコンタクトにおけ
るキャリア注入を改良することにより、また、構造体と
してジチエノチオフェンを用いてその共役長を延長する
ことにより達成される。
【００６１】実験の詳細
【００６２】ジチエノ［３、２−ｂ：２’、３’−ｄ］
チオフェン （２（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｈ））は、３
−ブロモチオフェンを原材料とし、公開された方法に従
って合成された（参考文献１５参照）。
【００６３】融点６６〜６８℃。
【００６４】1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2、２５０ＭＨ
ｚ）：δ７．３３（２Ｈ、ｄ、Ｊ５．２）、７．４１
（２Ｈ、ｄ、Ｊ５．２）13 Ｃ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2、１００ＭＨｚ）：δ１２
１．０、１２６．２、１３１．０、１４１．９
【００６５】ビス（ジチエノ［３、２−ｂ：２’、３’
−ｄ］チオフェン）（５（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ））
【００６６】−７８℃において、乾性テトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）（５ｍｌ）中の２（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ）
（２３０ｍｇ、１．１７ｍｍｏｌ）の溶液にブチルリチ
ウム（１．６Ｍ、１．１７ｍｍｏｌ）を緩やかに添加し
た。１時間撹拌した後、カニューレ管を介して有機リチ
ウム溶液をＴＨＦ（５ｍｌ）内のアセチルアセトン酸第
２鉄［Ｆｅ（acac）3］（４１３ｍｇ、１．１７ｍｍｏ
ｌ）の還流溶液に添加した。暗赤色の混合液を、アルゴ
ン雰囲気下で２時間還流し、その後、水（１００ｍｌ）
に注入することにより褐色の固体を得た。濾過した後、
その固体をそれぞれ稀ＨＣｌ（２％）、水、稀Ｎａ2Ｃ
Ｏ3（１０％）およびアセトンによって洗浄した。トル
エンから二度再結晶化することにより、金のような粉状
結晶の淡褐色粉が最終的に得られた（１３０ｍｇ、５７
％）。
【００６７】融点３１７１Ｃ（ＤＳＣ（示差熱分析）、
１０℃／ｍｉｎ、Ｎ2）1 Ｈ ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ8、２５０ＭＨｚ）：δ６．９
５（２Ｈ、ｄ、Ｊ５．２）、７．５１（２Ｈ、ｄ、Ｊ
５．２）、７．８５（２Ｈ，ｓ）； ＦＴＩＲ（ＫＢｒ） νmax／ｃｍ-1 ３０７０ｓ、１
６７０ｍ、１４６５ｍ、１４２７ｍ、１３６４ｓ、１１
８５ｍ、１０７２ｍ、８９７ｍ、７９６ｓ、６８８ｓ、
５９３ｓ； ＵＶλmax：３９２ｎｍ；
【００６８】実測値：Ｃ、４９．２％、Ｈ、１．５１
％、ＨＲＭＳ：３８９．８７９４（Ｍ+）、
【００６９】Ｃ16Ｈ6Ｓ6では、Ｃ、４９．２％、Ｈ、
１．５５％、Ｍ+３８９．８７９４である。
【００７０】Ｘ線データ収集および構造解析
【００７１】データは、Siemens SMART COD 回折計（N.
feeder 博士および W.clegg 博士からの無償提供）を用
いて、ドレスバレイ シンクロトロン（Daresbury Sync
hrotron）放射源のステーション８、９で収集された。
フレーム幅は０．３０であり、１フレームについて２秒
露光された。全てのデータは、１６０Ｋで収集した。合
計で１２７２になる収集された反射光のうち、８１３は
独立していた［Ｒ（ｉｎｔ）＝０．０４２９；（３．５
８≦ｑ≦２６．８９）］。
【００７２】この構造は、直接法（ＳＩＲ９２）によっ
て解析され、Ｆ2（ＳＨＥＬＸＬ９３）に関する最小２
乗法（full-matrix least-squares）によって精度を一
層向上させた。最終的な値は、Ｒｌ ［Ｉ＞２ｓ
（Ｉ）］＝０．０４７、ｗＲ２＝０．１２６５、Ｓ＝
１．１１２［ｗ＝１／［＼ｓ2（Ｆｏ2）＋（０．０９７
７Ｐ）2］］であった。なお、Ｐ＝（Ｆｏ2＋２Ｆｃ2）
／３である。
【００７３】最終的な差マップでの最大のピークは０．
４４５であり、窪み（hole）は−０．４９０ｅÅ-3であ
った。
【００７４】実施例
【００７５】
【化２１】
【００７６】２−（１−チオヘキシル）−ジチエノチオ
フェン ２（Ｒ1＝Ｃ6Ｈ13Ｓ−、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｈ）
の調製
【００７７】方法Ｎｇに従って行った（参考文献２８参
照）。ジチエノチオフェン ２（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝
Ｈ）（１．１７８ｇ、６．０ｍｍｏｌ）を乾性ＴＨＦ
（５ｃｍ3）中に溶解させ、−７８℃においてアルゴン
雰囲気下で撹拌した。この溶液を撹拌しながら、ｎ−ブ
チルリチウム（４ｃｍ3、１．５Ｍ、６．０ｍｍｏｌ）
を滴下することにより添加した。この添加の際、黄色の
懸濁物が形成された。この混合液は室温まで加温され
た。さらに室温で４５分間撹拌した後、この混合液を０
℃に冷却し、ジヘキシルジサルファイド（１．４１ｃｍ
3、ｄ＝０．９５、６．０ｍｍｏｌ）を滴下して添加し
た。この混合液を室温で一時間撹拌し、次に、冷却する
前に４５分間還流させ、水（２０ｃｍ3）に注入した。
この生成物をエーテル（３×５０ｃｍ3）で抽出し、水
酸化ナトリウム溶液（５０ｃｍ3、２％）および水で洗
浄し、乾燥（Ｎａ2ＳＯ4）および蒸発させることにより
濃緑色のオイルが得られた。これを真空充填されたカラ
ムクロマトグラフィ（２０×４．５ｃｍ シリカおよび
ヘキサンを使用）によって精製すると標題の化合物２
（Ｒ1＝Ｃ6Ｈ13Ｓ−、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｈ）（１．２０
２ｇ、６４％）が得られた。
【００７８】Ｒf（ヘキサン）：０．２８ δH：０．８９（３Ｈ、ｔ、Ｊ６．９）、１，２３〜
１．４８（６Ｈ、ｍ）、１．６６（２Ｈ、ペンテット、
Ｊ７．３）、２．８５（２Ｈ、ｔ、Ｊ７．３）、７．２
７（１Ｈ、ｄ、Ｊ５．３）、７．３３（１Ｈ、ｓ）、
７．３５（１Ｈ、ｄ、Ｊ５．３） δc：１４．０（ＣＨ3）、２２．６（アルキル）、２
８．１（アルキル）、２９．５（アルキル）、２９．５
（アルキル）、３１．４（アルキル）、３９．４（Ｓ−
ＣＨ2）、１２０．７（ＡｒＣＨ）、１２６．２（Ａｒ
ＣＨ）、１３１．０（ＡｒＣＨ）、１３３．４（Ａｒ
ｑ）、１３５．８（Ａｒ ｑ）、 １４０．３（Ａｒ
ｑ）および１４１．４（Ａｒ ｑ） ｍ／ｚ ３１４（Ｍ+＋２、１５％）、３１３（Ｍ+＝
１、１１）、３１２（Ｍ+、６５）、２３０（１８）、
２２９（２０）、２２８（１００）、２２７（６６）、
１９６（２２）、１８３（３４）、１５２（２４）、１
５１（１８）、６９（１９）、４３（５３）および４１
（５６）
【００７９】12Ｃ14 1Ｈ16 32Ｓ4のｍ／ｚの計算値は３１
２．００１３４８であり、一方、実測値は３１２．０１
３５００であった。
【００８０】ｕ ｍａｘ／ｃｍ-1（ＣＤＣｌ3）３０９
０ｗ、２５９８ｓ、２９３０ｓ、２８５８ｍ、２３５９
ｗ、２２４６ｗ、１４６６ｍ、１３６０ｓ、１１８９
ｗ、１１５３ｗ、１０８８ｍ、１００１ｗ、９６４ｗ、
８２９ｍおよび６０４ｍ。
【００８１】２，２’−ジチオヘキシル−ビスジチエノ
チオフェン（ＤＴＨ−ＢＤＴ）５（Ｒ1＝Ｃ6Ｈ13Ｓ−、
Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ）の調製
【００８２】２−（１−チオヘキシル−ジチエノチオフ
ェン ２（Ｒ1＝Ｃ6Ｈ13Ｓ、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｈ）（２
００ｍｇ、０．６４ｍｍｏｌ）を乾性ＴＨＦ（４ｃ
ｍ3）中に溶解させ、０℃において窒素雰囲気中で撹拌
した。撹拌中、ｎ−ブチルリチウム（０．４０ｃｍ3、
１．６Ｍ、０．６４ｍｍｏｌ）を滴下することにより添
加した。この添加の際に、この混合液は緑色に変化し、
室温で４０分間撹拌した際にもこの色を維持した。アセ
チルアセトン酸第２鉄（２２６ｍｇ、０．６４ｍｍｏ
ｌ）を乾性ＴＨＦ中に懸濁させ、窒素雰囲気中で還流し
た。シリンジを介してリチウム化ジチエノチオフェンを
添加し、１時間還流した。この間、混合物は、濃赤色
（dart red）になり、幾らかの沈殿物が観察された。こ
の混合物を冷却し、水（４０ｃｍ3）に注ぎ込み、固形
物を濾過し、２％のＨＣｌ水溶液（２×５０ｃｍ3）、
水（４０ｃｍ3）、Ｎａ2ＣＯ3水溶液、さらに、アセト
ン（３×３０ｃｍ3）によって洗浄した。暗褐色の濾滓
をトルエン中で再結晶することを試みた。懸濁物の色合
いが極めて濃い暗褐色であることから、溶解を判断する
ことが困難であるため、この試みを達成することは困難
であった。混合物を、徐々に冷却し後、固形物を濾過し
て除去することにより、より淡い褐色の濾滓が得られ
た。これをＴＨＦ中に溶解させ、濾過することにより残
余の固形物（Ｆｅ（acac）2と推定される）を除去し
た。このＴＨＦを蒸発させ、トルエンから再結晶させる
ことによって金色の固形物（６８ｍｇ、３４％）を生成
させると、これが標題の化合物であることが判明した。
【００８３】δH（４００ＭＨｚ、ＴＨＦ−ｄ８）：
０．９１（３Ｈ、ｔ、Ｊ７．０）、１．３０〜１．３８
（６Ｈ、ｍ）、１．４７（２Ｈ、ペンテット、Ｊ７．
３）、２．９２（２Ｈ、ｔ、Ｊ７．４）、７．４４（１
Ｈ、ｓ）、７．６０（１Ｈ、ｓ）ｍ／ｚ６２４（Ｍ-＋
２、１％）、６２２（Ｍ-、２）、５３７（１）、５０
６（２）、４２１（４）、２７７（７）、１９９（１
０）、１４９（１５）、１３５（１５）、１２１（１
７）、９１（６２）、８１（６５）、６９（１００）お
よび５５（４０）
【００８４】12Ｃ28 1Ｈ30 32Ｓ8のｍ／ｚの計算値は６２
２．０１１３１８であり、一方、実測値は６２２．０１
１３００であった。
【００８５】ｎmax／ｃｍ-1（ＫＢｒ）２９５４ｍ、２
９２４ｓ、２８５４ｍ、１４６６ｍ、１４２６ｍ、１３
６１ｓ、１１６１ｗ、１００１ｗ、９２４ｍ、７８８
ｓ、６８８ｍおよび５９４ｍ。
【００８６】Ｃ28Ｈ30Ｓ8は、Ｃを５３．９８、Ｈを
４．８５必要とするが、実測値は、Ｃが５２．６８、Ｈ
が４．２５、Ｆｅが０．２３であった。
【００８７】この化合物は、１．５×１０-5Ｔｏｒｒ／
１７５℃で昇華することが判明した。電界効果移動度は
およそ１０-3ｃｍ2Ｖ-1Ｓ-1であり、オン／オフ比はお
よそ１０6であった。
【００８８】ジチエノチオフェン−２−カルボン酸 ２
（Ｒ1＝ＣＯＯＨ、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｈ）の調製
【００８９】グロノウイッツ（Gronowitz）ら（参考文
献２８参照）の方法に従って行った。ジチエノチオフェ
ン ２（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｈ）（３６８ｍｇ、１．
８８ｍｍｏｌ）をシュレンクチューブ（Schlenk tube）
内で真空状態で加熱することによって乾燥した。窒素を
用いて置換した後、乾性ＴＨＦ（４ｃｍ3）を添加し、
得られた溶液を−７８℃で撹拌した。冷却された状態の
撹拌した溶液にｎ−ブチルリチウム（１．１７５ｃ
ｍ3、１．６０Ｍ、１．８８ｍｍｏｌ）を滴下すること
によって添加し、１０分間撹拌したところ、曇りがかっ
た緑色になったが、室温にまで加温すると透明な緑色に
なった。この溶液を室温でさらに４０分間撹拌させた
後、約−４０℃まで冷却した（リチウム化ジチエノチオ
フェンが沈殿するような冷却ではない）。
【００９０】急速な窒素の流れに対し、フラスコに少量
の二酸化炭素を加えた。このフラスコを窒素バブラー下
に封止し、−７８℃に冷却した。二酸化炭素と撹拌され
た混合物を覆うようにＴＨＦを添加した。シリンジを介
して冷却されたリチウム化ジチエノチオフェンを滴下す
ることによって添加したところ、激しい反応が観察さ
れ、黄色の懸濁物が生成した。添加を終了し、混合物を
室温まで温めている際に、この混合物は、黄白色（off
white）になった。さらに３０分間撹拌し、水（３０ｃ
ｍ3）を加えたところ、この混合物は、淡緑／褐色の溶
液になった。この溶液をエーテル（２×２０ｃｍ3）で
洗浄し、有機物を廃棄した。ＨＣｌ（１０ｃｍ3、５
Ｍ）を添加することによって水層を酸性にすると、細か
い黄色の固形物が沈殿した。３３％の酢酸中で再結晶化
させることを試みた。加熱することによって細かい不溶
性の懸濁物が残留した。細かい黄色／緑色の粉末である
標題の化合物（２８６ｍｇ、６１％）を生成させるため
に、これをさらに一夜の間放置した。
【００９１】δH７．３１、（１Ｈ、ｄ、Ｊ５．１）、
７．５６（２Ｈ、ｄ、Ｊ５．１）、７．９４（１Ｈ、
ｓ） ν ｍａｘ／ｃｍ-1（ＫＢｒ）３０９０ｍ、２８２３
ｍ、２５５９ｍ、１６５２ｓ、１５０４ｓ、１４７０
ｗ、１４２８ｓ、１３１１ｓ、１２６５ｍ、１１６４
ｍ、９２８ｓ、７５０ｓ、７１６ｓおよび６０２ｓ 融点２７６℃（昇華）、融点（参考文献２９参照）２７
５〜２７７℃。
【００９２】トリス９４，５−ジヒドロイミダゾール−
イル）ベンゼンとジチエノチオフェン−２−カルボン酸
との錯体の調製
【００９３】ジチエノチオフェン−２−カルボン酸 ２
（Ｒ1＝ＣＯＯＨ、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｈ）（２４０ｍｇ、
１ｍｍｏｌ）とトリス（４，５−ジヒドロイミダゾール
−２−イル）ベンゼン（９３ｍｇ、０／３３ｍｍｏｌ）
とを２０ｃｍ3のエタノールと１５０ｃｍ3のＣＨＣｌ3
との混合液内で還流させることによって溶解させた。こ
れにより得られた濁った溶液を加熱して目の細かい濾紙
で濾過した後に冷却し、一夜の間放置した。極めて細か
い沈殿が観察され、混合液の量は蒸発して４０ｃｍ3に
減少した。この混合液をさらに冷凍装置内で冷却する
と、極めて細かい沈殿がさらに観察され、溶液は蒸発に
よって２０ｃｍ3に減少した。この状態で、生成物は急
激に溶液から沈殿し、当初の量の溶液を加えて混合物を
還流させるまでは、再溶解しなかった。この混合液を乾
燥するまで蒸発させ、前記と同様の方法でエタノールお
よびクロロホルム内で再び溶解させた。この際、極めて
慎重に大気圧に近い圧力で５０℃で蒸発させることによ
り溶液を３０ｃｍ3にまで減少させると、少量の沈殿が
生成される。溶液を冷却した後、冷凍装置内に一夜の間
放置させると、大量の錯体１２が沈殿した状態で形成さ
れていた。これを濾過することによって以下の錯体を得
ることができた。１８９．１ｍｇ、５７％、融点２６５
℃（分解）。
【００９４】δH（ＣＤ3ＯＤ、５００ＭＨｚ）７．３
８、（３Ｈ、ｄ、Ｊ５．１）、７．５９（３Ｈ、ｄ、
Ｊ．５．１）、７．８４（３Ｈ、ｓ）および８．４８
（３Ｈ、ｓ）、νmax／ｃｍ-1（ＫＢｒ）３０８６、２
９２４、２７０６、１５８２。
【００９５】錯体１３の調製
【００９６】２’−オクチルジチエノチオフェン−２−
カルボン酸（１３０ｍｇ、０．３６９ｍｍｏｌ）および
１，３，５−トリス（４，５−ジヒドロイミダゾール−
２−イル）ベンゼン（３４．７ｍｇ、０１２３ｍｏｌ）
を高温のエタノール（３０ｍｌ）／ジクロロメタン（２
０ｍｌ）内に溶解させ、これによって得られた黄色の溶
液を、加熱して濾過し、溶液から固形物が沈殿を開始す
るまで真空状態で約３５ｍｌに濃縮した。この溶液を、
再度加熱して還流させ、二日の間−２０℃になるように
維持した。吸引濾過することによって黄色の沈殿物を収
集し、エタノール（１０ｍｌ）で洗浄して６０℃／１０
-5ｍｂａｒで乾燥させた。１３の収量は、４２ｍｇ（２
５％）であった。想像していたように、オクチル置換基
（octyl substituent）によって化合物の融点が約１６
０〜１６５℃に引き下げられる。融解した際に、1Ｈ
ＮＭＲにおいて、粘度の比較的に小さなメソフェーズが
検出される。
【００９７】1Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3、
１．１ｍｇ／０．８ｍｌ）：δ＝０．８８（ｔ、Ｊ＝
７．０Ｈｚ、ＣＨ3）、１．２３〜１．４３（ｍ）、
１．７３（ｑｕｉ．、Ｊ＝７．４Ｈｚ、ＣＨ2）、２．
９０（ｔ、Ｊ＝７．４Ｈｚ、ＣＨ2）、４．２２（ｓ、
ＮＣＨ2）、６．９８および７．８０（ｓ、チオフェン
−ＣＨ）、１０．００（ｓ；Ｃ6Ｈ3）、１２．８（ｂ
ｒ．ｓ、ＮＨ） ＩＲ（ＫＢｒ）；νmax／ｃｍ-1 ３４２６（ｍ）、２
９２５（ｍ）、１５８２（ｓ）、１５００（ｍ）、１３
７２（ｓ）、１２８８（ｍ）、７７３（ｍ）、６９４
（ｍ）。
【００９８】Ｃ66Ｈ78Ｎ6Ｏ6Ｓ9）１３３９．９２）
は、計算値は、Ｃ５９．１６、Ｈ５．８７、Ｎ６．２７
であるが、実測値は、Ｃ５８．８９、Ｈ５．８２、Ｎ
６．３７であった。
【００９９】オクタノイル−ジチエノチオフェン ２
（Ｒ2＝ＣＯＣ7Ｈ15、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｈ）
【０１００】
【化２２】
【０１０１】ジチエノチオフェン ２ （Ｒ1＝Ｒ2＝Ｒ
3＝Ｒ4＝Ｈ）（７６５ｍｇ、３．９０ｍｍｏｌ）を乾性
ジクロロメタン（３５ｃｍ3）中で溶解し、この溶液に
ＡｌＣｌ3（７９０ｍｇ、５．９２ｍｍｏｌ）を一度に
添加する前に氷によって冷却し、黒い混合物を生成し
た。ジクロロメタン（２０ｃｍ3）中にオクタノイル塩
化物（１．００ｇ、６．０２ｍｍｏｌ）を含有する溶液
を２０分間滴下することによって添加し、混合液をさら
に３０分間室温に維持した。これに氷を加え、混合液を
稀塩酸（１００ｃｍ3）で酸性にした。さらにジクロロ
メタン（１００ｃｍ3）を添加し、層を分離させた。有
機層を水で洗浄し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させて濃縮し
た。カラムクロマトグラフィ（ヘキサン−３０％のジク
ロロメタン／ヘキサン）によって７９０ｍｇ（６３％）
の標題の化合物が得られた。分析用サンプルは、ジクロ
ロメタンとメタノールの混合物から再結晶化させること
によっても調製することが可能である。
【０１０２】Ｒ1０．３１（１：１ ジクロロメタン／
ヘキサン） 融点 １３０〜１３１℃
【０１０３】1Ｈ（２５０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）δ０．８
９（３Ｈ、ｔ、Ｊ６．５、ＣＨ2ＣＨ3）１．２５（８
Ｈ、ｂｒ ｓ、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2）、１．７８（２Ｈ、
ｍ、ＣＨ2ＣＨ2ＣＯ）、２．９３（２Ｈ、ｔ、Ｊ７．
５、ＣＨ2ＣＯ）、７．３２（１Ｈ、ｄ、Ｊ５．０、Ｄ
ｔ−Ｈ）、７．５２（１Ｈ、ｄ、Ｊ５．０、Ｄｔ−
Ｈ）、７．９１（１Ｈ、ｓ、Ｄｔ−Ｈ）、13Ｃ（１００
ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）δ１４．１、２２．６、２５．
０、２９．１、２９．３、３０．９、３１．７、３９．
０、１２０．９、１２５．５、１２９．０、１４１．
４、１４４．４、１４４．９、１９３．７ ν（ｃｍ-1、ＫＢｒ）６００、７０２、１１９１、１３
６４、１４６６、１４９３、１６４４、（Ｃ＝Ｏ）、２
９２５
【０１０４】Ｃ16Ｈ18Ｓ3Ｏは、計算値は、Ｃ５９．
６、Ｈ５．６であるが、実測値は、Ｃ５９．２、Ｈ５．
６であった。
【０１０５】α−オクチル−ジチエノチオフェン ２
（Ｒ1＝Ｃ8Ｈ17、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ）
【０１０６】無水ジエチルエーテル（６ｃｍ3）中に塩
化アルミニウム（８２ｍｇ、０．６１５ｍｍｏｌ）を溶
解させ、この溶液を、無水ジエチルエーテル（６ｃ
ｍ3）中にリチウムアルミニウム水素化物（１０３ｍ
ｇ、２．７１ｍｍｏｌ）を含有するとともに氷によって
冷却された混合液に徐々に添加した。乾性トルエン（７
ｃｍ3）中に２（Ｒ1＝ＣＯＣ7Ｈ15、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝
Ｈ）（８９ｍｇ、０．２７６ｍｍｏｌ）の溶液を添加
し、混合液を一時間撹拌した。ＴＣＬの分析（１：１
ジクロロメタン／ヘキサン）は、出発材料が完全に消滅
していることと、２箇所の新たなスポット（Ｒf＝０．
６９、０．２２）とを示した。これらのうちの低い方
は、介在するアルコールのためであると推定される。さ
らに、ＡｌＣｌ3（３９ｍｇ、０．２９ｍｍｏｌ）を添
加し、混合液をさらに一時間撹拌した。エチルアセテー
ト（２ｃｍ3）および稀塩酸（４ｃｍ3）を連続的に添加
することによって、得られた灰色の混合物を濾過した。
濾滓を追加のトルエンによってさらに洗浄すると、層が
分離した。有機層をＭｇＳＯ4上で乾燥し、真空下で濃
縮した。ヘキサンを溶離剤として用いたカラムクロマト
グラフィによって標記の化合物が６４ｍｇ（７５％）得
られた。標題の化合物はＲf０．３８（ヘキサン）であ
った。
【０１０７】ビス（オクチルジチエノチオフェン） ５
（Ｒ1＝Ｃ8Ｈ27、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ）
【０１０８】上述した方法に従った２（Ｒ1＝Ｃ9Ｈ17、
Ｒ2＝Ｒ3＝Ｈ）の二量体化によって４１％の収量で融点
１９５〜１９６℃の標題の化合物が得られた。1Ｈ Ｎ
ＭＲ（ｄ８−ＴＨＦ、４００ＭＨｚ）δ０．９１（６
Ｈ、ｔ、Ｊ７）、１．２６〜１．４９（２０Ｈ、ｍ）、
１．６７〜１．８１（４Ｈ、ｍ ＴＨＦの信号下）、
２．９６（４Ｈ、ｔ、Ｊ７）、７．１（２Ｈ、ｓ）およ
び７．５６（２Ｈ、ｓ）電界効果移動度は、およそ１０
-2ｃｍ2Ｖ-1Ｓ-1であった。
【０１０９】参考文献 １． Ｊ．Ｊ．Ｍ．ホールズ、Ｃ．Ａ．ウォルシュ、
Ｎ．Ｃ．グリーンハム、Ｅ．Ａ．マルセグリア、Ｒ．
Ｈ．フレンド、Ｓ．Ｃ．モラッティ、Ａ．Ｂ．ホーム
ズ、Ｎａｔｕｒｅ、１９９５、３７６、４９８−５００ ２． Ｎ．Ｃ．グリーンハム、Ｓ．Ｃ．モラッティ、
Ｄ．Ｄ．Ｃ．ブラッドレイ、Ｒ．Ｈ．フレンド、Ａ．
Ｂ．ホームズ、Ｎａｔｕｒｅ、１９９３、３６５、６２
８−６３０ ３． Ｆ．ガーニア、Ｒ．ハジュロウィ、Ａ．ヤサー、
Ｐ．スリバスタヴァ、Ｓｉｅｎｃｅ、１９９４、２６
５、１６８４−１６８６ ４． Ｇ．ホロウィッツ、Ｄ．フィチョウ、Ｘ．Ｚ．ペ
ング、Ｚ．Ｇ．ズー、Ｆ．ガーニア、Ｓｏｌｉｄ Ｓｔ
ａｔｅ Ｃｏｍｍｕｎ．、１９８９、７２、３８１ ５． Ｆ．ガーニア、Ｐｕｒｅ ＆ Ａｐｐｌ． Ｃｈ
ｅｍ．、１９９６、６８、１４５５−１４６２ ６． Ｈ．Ｅ．カッツ、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅ
ｍ．、１９９７、７、３６９−３７６ ７． Ｚ．バオ、Ａ．ドダバラパ、Ａ．Ｊ．ラヴィンガ
ー、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．、１９９６、
６９、４１０８−４１１０ ８． Ｊ．Ｇ．ラキンダナム、Ｈ．Ｅ．カッツ、Ａ．
Ｊ．ラヴィンガー、Ａ．ドダバラパ、Ａｄｖ． Ｍａｔ
ｅｒ．、１９９７、９、３６ ９． Ｇ．ホロウィッツ、Ｄ．フィチョウ、Ｘ．ペン
グ、Ｆ．ガーニア、Ｓｙｎｔｈ． Ｍｅｔ．、１９９
１、４１−４３、１１２７ １０． Ａ．Ｒ．ブラウン、Ａ．ポンプ、Ｄ．Ｍ．デリ
ュー、Ｄ．Ｂ．Ｍ．クラーセン、Ｅ．Ｅ．ハヴィンガ、
Ｐ．ハーウィグ、Ｋ．ミューレン、Ｊ． Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．、１９９６、７９、２１３６−２１３８ １１． Ａ．Ｒ．ブラウン、Ａ．ポンプ、Ｃ．Ｍ．ハル
ト、Ｄ．Ｍ．デュ リュー、Ｓｃｉｅｎｃｅ、１９９
５、２７０、９７２−９７４ １２． Ｄ．Ｊ．グンドラッハ、Ｙ．Ｙ．リン、Ｔ．
Ｎ．ジャクソン、Ｓ．Ｆ．ネルソン、Ｄ．Ｇ．シュロ
ム、Ｉｅｅｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅ
ｔｔ．、１９９７、１８、８７−８９ １３． Ｙ．Ｙ．リン、Ｄ．Ｊ．グンドラッハ、Ｔ．
Ｎ．ジャクソン、５４ｔｈＡｎｎｕａｌ Ｄｅｖｉｃｅ
Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｎｆｅｒａｎｃｅ Ｄｉｇｅ
ｓｔ、１９９６、８０ １４． Ｊ．Ｇ．ラキンダナム、Ｈ．Ｅ．カッツ、Ａ．
Ｊ．ラヴィンガー、Ａ．ドダバラパ、Ｃｈｅｍ． Ｍａ
ｔｅｒ．、１９９６、８、２５４２ １５． Ｆ．デュ ジョン、Ｍ．Ｊ．ジャンセン、Ｊ．
Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．、１９７１、３６、１６４５−
１６４８ １６． Ｆ．Ｒ．リプセット、Ｃａｎ． Ｊ． Ｐｈｙ
ｓ．、１９５７、３５、２８４ １７． Ｍ．ヘルビグ、Ｈ．−Ｈ．ホーホールド、Ｍａ
ｋｒｏｍｏＬ Ｃｈｅｍ．、１９９３、１９４、１６０
７−１６１８ １８． Ｒ．セルヴィニ、Ｘ．Ｃ．リー、Ｇ．Ｗ．Ｃ．
スペンサー、Ａ．Ｂ．ホームズ、Ｓ．Ｃ．モラッティ、
Ｒ．Ｈ フレンド、Ｓｙｎｔｈ． Ｍｅｔ．、１９９
７、８４、３５９−３６０ １９． Ｆ．ガミア、Ａ．ヤサー、Ｒ．ハジュロウィ、
Ｇ．ホロウィッツ、Ｆ．デロフェ、Ｂ．サーヴェット、
Ｓ．ライズ、Ｐ．アルノット、Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅ
ｍ． Ｓｏｃ．、１９９３、１１５、８７１６ ２０． Ｚ．バオ、Ａ．Ｊ．ラヴィンガー、Ａ．ドダバ
ラパ、ＡｐｐＩ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．、１９９
６、６９、３０６６−３０６８ ２１． Ｒ．Ｃ．ハドン、Ｔ．シーグリスト、Ｒ．Ｍ．
フレミング、Ｐ．Ｍ．ブリデンバウ、Ｒ．Ａ．ローディ
ース、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅｍ．、１９９５、
５、１７１９−１７２４ ２２． Ａ．ドダバラパ、Ｌ．トルシ、Ｈ．Ｅ．カッ
ツ、Ｓｃｉｅｎｃｅ、１９９５、２６８、２７０−２７
１ ２３． Ｃ．チェン、Ｊ．カニッキ、ＩＥＥＥ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ、１９９
６、１７、４３７ ２４． Ｍ．Ｓ．シャー、Ｍ．ハック、Ｊ．Ｇ．シャ
ウ、Ｊ． ＡｐｐＩ． Ｐｈｙｓ．、１９８９、６６、
３３７１ ２５． Ｒ．ハジュロウィ、Ｇ．ホロウィッツ、Ｆ．ガ
ーニア、Ａ．アルセブロウシェ、Ｌ．ライグレ、Ａ．エ
ルカスミ、Ｆ．デマンゼ、Ｆ．コウキ、Ａｄｖ． Ｍａ
ｔｅｒ．、１９９７、９、３８９ ２６． Ｆ．ガーニア、Ｇ．ホロウィッツ、Ｄ．フィチ
ョウ、Ａ．ヤサー、Ｓｙｎｔｈ． Ｍｅｔ、１９９６、
８１、１６３−１７１ ２７． Ａ．クラフト、Ｆ．オステロッド、Ｊ． Ｃｈ
ｅｍ． Ｓｏｃ． Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ． １、
１９９８、１０１９ ２８． Ｓ．Ｃ．エヌジー、Ｈ．Ｓ．Ｏ．チャン、Ｈ．
Ｈ．ファング、Ｒ．Ｓ．Ｈ．ソー、Ｊ． Ｃｈｅｍ．
Ｒｅｓ． （Ｍ）、１９９６、１２８２ ２９． Ｄ．Ｍ．タナー、Ｌ．ツァング、Ｍ．ヴィネス
ワレン、Ｐ．カンダナーキ、Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅ
ｍ．、１９９５、６０、４４８１ ［図面の簡単な説明］
【図１】頂部接触ＴＦＴ（ａ）と底部接触ＴＦＴ（ｂ）
の構成を示す図である。
【図２】ＢＤＴのＵＶ吸収スペトルと放射スペクトルで
ある。
【図３】０−＞０．９−＞０−＞−１．７＞０Ｖ（ＣＨ
3ＣＮ中のＥｔ4ＢＦ4、０．１Ｍ）から始まるＡｕ上の
ＢＤＴ膜のサイクリックボルタモグラムを示す。
【図４】番号を付されたＢＤＴ分子の正面図および側面
図である。
【図５】ＢＤＴ結晶における詰め合わせ構造（packin
g）を示す図である。
【図６】１００℃（チャネル長Ｌ＝２０Ｆｍ、チャネル
幅Ｗ＝１ｃｍ、ＢＤＴの厚さ＝２００ｎｍ）で形成され
たＢＤＴ ＴＦＴの出力（ａ）と転送特性（ｂ）を示す
図である。
【図７】１００℃で成膜されたＳｉＯ2上の２５０ｎｍ
ＢＤＴ薄膜のＣｕＫα放射により測定された０−２θの
回折パターンである。挿入部は、Ｃｅｒｉｕｓ2 Ｍｏｌ
ｅｃｕｌａｒ Ｓｉｍｕｌｔａｔｉｏｎｓ プログラム
を用いたパターンの理論計算値を示す。これは、ＢＤＴ
が単結晶構造であり、かつ粒子の好適な配向が基板平面
の単位胞のｂｃ平面であると仮定するものである。
【図８】ガラス基板上に１００℃で成膜された３００Å
のＢＤＴ膜の入射角６０゜における偏光光吸収（円）を
示す図である（挿入部参照）。実線で示されたスペクト
ルは、吸収の初期近傍におけるＴＭスペクトルを拡大し
た図である。
【図９】錯体１２のＸ線構造を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 モラッティ、ステファン、カール イギリス国、ケンブリッジ シービー３ ９ジェイエイチ オウルストーン ロ ード 28 (72)発明者 リー、シャオ−チャン アメリカ合衆国、マサチューセッツ州 02169 クインシー、ジャーマン アベ ニュー 26 アパートメント ２ (72)発明者 シリングハウス、ヘニング イギリス国、ケンブリッジ シービー３ ０エイチイー マジングリー ロード ユニバーシティ オブ ケンブリッジ カベンディッシュ ラボラトリー デ パートメント オブ フィジックス (72)発明者 クラフト、アルノ ドイツ国、デュッセルドルフ ディー− 40321 カール−ジャウセン ストラッ セ 170 (72)発明者 ムレー、マイケル、マーク アイルランド国、コーク ビショップス タウン、ザ ライズ 50 (56)参考文献 米国特許4639328（ＵＳ，Ａ) 米国特許4663001（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 61/12 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (30)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】以下の化学式（６） −［縮合チオフェン］m− （６） の繰り返し単位からなる化合物であって、 ｍは、２、３、４、あるいは４を越える整数であり、縮
    合チオフェンは、以下の化学式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、
    （ＩＶ）、（Ｖ）から選択される化学式を有する群を含
    むことを特徴とする化合物。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 （ただし、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立にＨ、
    −（ＣＨ2）nＣＨ3、−Ｏ（ＣＨ2）nＣＨ3、−Ｓ（ＣＨ
    2）nＣＨ3、可溶化側鎖、アルキル基、アリール基であ
    るか、あるいは、望ましくは、Ｒ1および／またはＲ
    2が、それらが結合する炭素原子と近接する炭素原子と
    で飽和または不飽和環状置換基を形成するものであり、
    Ｒ1はＣＯＯＨ、トリアゾール基、テトラゾール基また
    はそれらの誘導体であってもよく、かつｎ＝１または０
    〜４０であり、また、化学式（６）の繰り返し単位から
    なる化合物が化学式（ＩＩ）の群の縮合チオフェンから
    なりかつＲ1＝Ｒ2＝Ｈである場合、ｍは２、３または４
    である。）
  2. 【請求項２】請求項１記載の化合物において、前記化合
    物が以下の化学式（Ｉ）の１つ以上の単位を含むことを
    特徴とする化合物。 【化５】 （ただしＲ1およびＲ2は、請求項１で記載されたとお
    り。）
  3. 【請求項３】請求項１または２記載の化合物において、
    前記化合物がさらに一つ以上の非縮合チオフェン単位を
    含むことを特徴とする化合物。
  4. 【請求項４】請求項１記載の化合物において、前記化合
    物は、以下の化学式（ＶＩ）または（ＶＩＩ）を含むこ
    とを特徴とする化合物。 【化６】 【化７】
  5. 【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合
    物を製造する製造方法であって、前記方法は、１つの縮
    合チオフェン誘導体を別の縮合チオフェン誘導体と結合
    させることからなることを特徴とする製造方法。
  6. 【請求項６】請求項５記載の方法において、前記結合
    は、単一の縮合チオフェン誘導体自身の自己結合である
    ことを特徴とする製造方法。
  7. 【請求項７】請求項６記載の方法において、前記方法
    は、 （ａ）３−ハロチオフェン誘導体をＢｕＬｉ、次いで
    （ＰｈＳＯ2）2Ｓと接触させて、スルフィド架橋を有す
    るチオフェン化合物を形成する工程と、 （ｂ）形成された化合物をＢｕＬｉ、次いでＣｕＣｌ2
    と接触させて、縮合チオフェン化合物を形成する工程
    と、 （ｃ）形成された縮合チオフェン化合物をＢｕＬｉ、次
    いでＦｅ（ａｃａｃ）3またはＣｕＣｌ2と接触させて自
    己結合させる工程と、 からなることを特徴とする製造方法。
  8. 【請求項８】請求項７記載の方法において、前記３−ハ
    ロチオフェン誘導体は、３−クロロチオフェン、３−ブ
    ロモチオフェン、または３−ヨードチオフェン誘導体で
    あることを特徴とする製造方法。
  9. 【請求項９】請求項５〜８のいずれか１項に記載の方法
    において、前記結合させる工程の後に、形成された化合
    物が、再結晶法および／または真空熱勾配昇華法によっ
    て精製されることを特徴とする製造方法。
  10. 【請求項１０】請求項１〜４のいずれか１項に記載され
    る化合物を含む電気的、電子的、光電子的部品またはデ
    バイス。
  11. 【請求項１１】請求項１０記載の部品またはデバイスに
    おいて、前記部品またはデバイスは、光電子的部品また
    はデバイスであることを特徴とする部品またはデバイ
    ス。
  12. 【請求項１２】請求項１０または１１記載の部品または
    デバイスにおいて、前記部品またはデバイスは、発光ダ
    イオード（ＬＥＤ）のような発光デバイスまたは薄膜ト
    ランジスタ（ＴＦＴ）であることを特徴とする部品また
    はデバイス。
  13. 【請求項１３】請求項１２記載の部品またはデバイスに
    おいて、請求項１〜４のいずれか１項に記載される化合
    物を含む電荷移送／注入層を含むことを特徴とする部品
    またはデバイス。
  14. 【請求項１４】請求項１０〜１３のいずれか１項に記載
    の部品またはデバイスにおいて、前記部品またはデバイ
    スは、１０6以上であるオン／オフ電流比を有する薄膜
    トランジスタ（ＴＦＴ）部品またはデバイスであること
    を特徴とする部品またはデバイス。
  15. 【請求項１５】請求項１４記載の部品またはデバイスに
    おいて、前記部品またはデバイスは、１０8以上である
    オン／オフ電流比を有することを特徴とする部品または
    デバイス。
  16. 【請求項１６】請求項１０〜１５のいずれか１項に記載
    の部品またはデバイスにおいて、前記部品またはデバイ
    スは、０．０２ｃｍ2／Ｖｓ以上の電界効果移動度を有
    することを特徴とする部品またはデバイス。
  17. 【請求項１７】請求項１６記載の部品またはデバイスに
    おいて、前記部品またはデバイスは、０．０５ｃｍ2／
    Ｖｓ以上の電界効果移動度を有することを特徴とする部
    品またはデバイス。
  18. 【請求項１８】請求項１０〜１７のいずれか１項に記載
    の部品またはデバイスを製造する製造方法において、請
    求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物を基板上に成
    膜させることを特徴とする製造方法。
  19. 【請求項１９】請求項１８記載の方法において、前記成
    膜は、真空昇華法によってなされることを特徴とする製
    造方法。
  20. 【請求項２０】請求項１８記載の方法において、前記成
    膜は、溶液から行われることを特徴とする製造方法。
  21. 【請求項２１】請求項１８〜２０のいずれか１項に記載
    の方法において、前記成膜は、前駆物質からの成膜によ
    りなされることを特徴とする製造方法。
  22. 【請求項２２】請求項１８〜２１のいずれか１項に記載
    の方法において、前記基板は、ドープされたシリコンを
    含むことを特徴とする製造方法。
  23. 【請求項２３】請求項２２記載の方法において、前記基
    板は、さらにゲート絶縁物を含むことを特徴とする製造
    方法。
  24. 【請求項２４】請求項２２または２３記載の方法におい
    て、前記基板は、さらにソースコンタクトおよびドレイ
    ンコンタクトを含むことを特徴とする製造方法。
  25. 【請求項２５】請求項１２〜１７のいずれか１項に記載
    されるＬＥＤまたはＴＦＴの電気的、電子的、光電子的
    部品またはデバイスにおける使用。
  26. 【請求項２６】１０6以上のオン／オフ電流比を実現す
    るための電気的、電子的、光電子的部品またはデバイス
    における縮合チオフェン化合物の使用。
  27. 【請求項２７】０．０２ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷移送移
    動度を実現するための電気的、電子的、光電子的部品ま
    たはデバイスにおける縮合チオフェン化合物の使用。
  28. 【請求項２８】請求項２６または２７記載の使用におい
    て、前記縮合チオフェン化合物は請求項１〜４のいずれ
    か１項に記載される化合物であることを特徴とする使
    用。
  29. 【請求項２９】請求項２６〜２８のいずれか１項に記載
    の使用において、前記部品またはデバイスは、発光ダイ
    オード（ＬＥＤ）のような発光デバイスまたは薄膜トラ
    ンジスタ（ＴＦＴ）であることを特徴とする使用。
  30. 【請求項３０】請求項１に記載された化合物を構造中に
    含むことを特徴とする錯体。
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Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6265243B1 (en) * 1999-03-29 2001-07-24 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating organic circuits
WO2000079617A1 (en) * 1999-06-21 2000-12-28 Cambridge University Technical Services Limited Aligned polymers for an organic tft
JP3377494B2 (ja) 2000-03-13 2003-02-17 科学技術振興事業団 ポリチオフェンラダー化合物とその製造法
US6414164B1 (en) * 2000-07-12 2002-07-02 International Business Machines Corporation Synthesis of soluble derivatives of sexithiophene and their use as the semiconducting channels in thin-film filed-effect transistors
ATE357444T1 (de) * 2000-08-17 2007-04-15 Lumera Corp Design und synthese von nlo-materialien für electro-optische anwendungen, die von thiophen abgeleitet sind
US6750603B2 (en) * 2000-08-17 2004-06-15 Lumera Corporation Second order nonlinear optical chromophores and electro-optic devices therefrom
SG92833A1 (en) 2001-03-27 2002-11-19 Sumitomo Chemical Co Polymeric light emitting substance and polymer light emitting device using the same
GB0111423D0 (en) 2001-05-10 2001-07-04 Koninkl Philips Electronics Nv An electronic device including a thin film transistor
US6515144B2 (en) * 2001-05-22 2003-02-04 The Board Of Regents Of The University Of Nebraska Oligothiophenes and synthesis thereof
EP1275651B1 (en) * 2001-07-09 2005-08-31 MERCK PATENT GmbH Thienothiophene derivatives
EP1275650A3 (en) * 2001-07-09 2003-05-02 MERCK PATENT GmbH Thienthiophenes with polymerisable group
KR100911136B1 (ko) * 2001-07-09 2009-08-06 메르크 파텐트 게엠베하 반응성 티에노티오펜
ATE303389T1 (de) 2001-07-09 2005-09-15 Merck Patent Gmbh Thienothiophen-derivate
EP1275652A3 (en) * 2001-07-09 2003-05-02 MERCK PATENT GmbH Mono-, oligo- and polydithienopyridines and their use as charge transport materials
AU2002313480A1 (en) * 2001-07-09 2003-01-29 Merck Patent Gmbh Polymerisable charge transport compounds
ATE461237T1 (de) 2001-08-17 2010-04-15 Merck Patent Gmbh Konjugierte copolymere aus dithienothiophen und vinylen oder acetylen
EP1284276B1 (en) * 2001-08-17 2010-03-17 MERCK PATENT GmbH Conjugated copolymers of dithienothiophene with vinylene or acetylene
JP4928694B2 (ja) * 2001-09-18 2012-05-09 三菱重工業株式会社 薄膜多結晶の膜構造同定方法
SG124249A1 (en) 2001-12-07 2006-08-30 Sumitomo Chemical Co New polymer and polymer light-emitting device using the same
JP4736324B2 (ja) * 2002-04-22 2011-07-27 コニカミノルタホールディングス株式会社 半導体素子及びその製造方法
EP1357163B1 (en) * 2002-04-24 2006-05-31 MERCK PATENT GmbH Reactive mesogenic benzodithiophenes
US6803262B2 (en) * 2002-10-17 2004-10-12 Xerox Corporation Process using self-organizable polymer
EP1477504A1 (en) * 2003-05-16 2004-11-17 MERCK PATENT GmbH Mono-, oligo- and polymers comprising dithienotiophene and aryl groups
US7244809B2 (en) 2003-05-16 2007-07-17 Merck Patent Gmbh Mono-, oligo- and polymers comprising dithienothiophene and aryl groups
WO2005022660A1 (ja) * 2003-08-29 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 有機半導体膜、それを用いた電子デバイス、およびそれらの製造方法
KR100623229B1 (ko) * 2003-11-29 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
DE102004004863B4 (de) * 2004-01-30 2007-01-25 Infineon Technologies Ag Resistiv arbeitende Speicherzelle
CN102702486A (zh) * 2004-05-18 2012-10-03 默克专利股份有限公司 单体、低聚和聚噻吩并[3,2-b]噻吩
JP2006005036A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Sony Corp 有機化合物結晶及び電界効果型トランジスタ
KR101206202B1 (ko) * 2004-09-14 2012-11-29 코닝 인코포레이티드 융합 티오펜, 융합 티오펜의 제조방법 및 그 용도
US7893191B2 (en) 2007-02-28 2011-02-22 Corning Incorporated Fused thiophenes, methods for making fused thiophenes, and uses thereof
US7838623B2 (en) * 2004-09-14 2010-11-23 Corning Incorporated Fused thiophenes, methods for making fused thiophenes, and uses thereof
US7161726B2 (en) * 2004-11-05 2007-01-09 Lumera Corporation Linear optical modulators and method of linear optical modulation
US7321133B2 (en) * 2004-11-17 2008-01-22 Plextronics, Inc. Heteroatomic regioregular poly(3-substitutedthiophenes) as thin film conductors in diodes which are not light emitting or photovoltaic
EP2330108A1 (en) * 2005-01-19 2011-06-08 National University of Corporation Hiroshima University Method for the preparation of condensed polycyclic aromatic compounds
WO2006086480A2 (en) * 2005-02-10 2006-08-17 Plextronics, Inc. Hole injection/transport layer compositions and devices
JP2006232898A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Ricoh Co Ltd 導電性高分子材料、それを用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2006232986A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Mitsubishi Chemicals Corp 導電性高分子並びにそれを用いた有機電子デバイス及び電界効果トランジスタ
US7385221B1 (en) * 2005-03-08 2008-06-10 University Of Kentucky Research Foundation Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith
JP4581062B2 (ja) * 2006-10-20 2010-11-17 日本化薬株式会社 電界効果トランジスタ、半導体デバイス作製用インク、電界効果トランジスタの製造方法、および有機複素環化合物
KR101314998B1 (ko) * 2006-12-13 2013-10-04 삼성전자주식회사 헤테로아센 화합물, 이를 포함하는 유기 박막 및 당해 박막을 포함하는 전자 소자
KR20080101229A (ko) 2007-05-16 2008-11-21 삼성전자주식회사 액정성을 가지는 유기반도체 고분자, 이의 제조방법 및이를 이용한 유기박막트랜지스터
US8487114B2 (en) * 2008-03-31 2013-07-16 Corning Incorporated Fused thiophenes and methods for making and using same
GB2467293B (en) 2008-11-28 2013-07-10 Cambridge Display Tech Ltd Organic semiconductors
EP2379476A1 (en) * 2008-11-28 2011-10-26 The University of Melbourne Novel compounds, derivatives thereof and their use in heterojunction devices
US7919634B2 (en) * 2009-05-28 2011-04-05 Corning Incorporated Fused thiophenes, articles, and methods thereof
JP5600267B2 (ja) * 2009-05-28 2014-10-01 日本化薬株式会社 新規な化合物及びその利用
CN102549791B (zh) 2009-08-28 2015-01-07 新加坡科技研究局 双极性聚合物半导体材料及有机电子器件
EP2470584A4 (en) 2009-08-28 2014-01-22 Agency Science Tech & Res POLYMAL SEMICONDUCTORS AND DEVICES THEREFOR AND METHOD THEREFOR
US8389670B2 (en) * 2009-12-02 2013-03-05 Basf Se Dithienobenzo-thieno[3,2-B]thiophene-copolymer and its use as high performance solution processable semiconducting polymer
JP2011136921A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Jnc Corp 有機トランジスタ材料およびこれを用いた有機トランジスタ
US8278346B2 (en) 2010-08-06 2012-10-02 Corning Incorporated Di-tin fused thiophene compounds and polymers and methods of making
KR101099601B1 (ko) 2011-01-13 2011-12-29 한국화학연구원 디티에노티오펜 화합물이 도입된 전도성 고분자 및 그를 광전변환재료로 이용한 유기 태양전지
KR101860084B1 (ko) 2012-07-06 2018-05-23 삼성전자주식회사 유기 광전 재료, 상기 유기 광전 재료를 포함하는 유기 광전 소자 및 이미지 센서
KR102270175B1 (ko) * 2014-05-09 2021-06-25 삼성전자주식회사 광전자 재료, 유기 광전자 소자 및 이미지 센서

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4639328A (en) 1983-11-25 1987-01-27 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Thienothiophene derivatives
US4663001A (en) 1984-06-15 1987-05-05 Solvay & Cie. (Societe Anonyme) Electroconductive polymers derived from heterocycles polycyclic monomers and process for their manufacture

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5210217A (en) * 1987-10-29 1993-05-11 Miles Inc. Substituted bithiophenes and dithienylpyrroles
US5412105A (en) * 1992-06-29 1995-05-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thiophene-silole copolymer and its method of manufacture
DE4234230C2 (de) * 1992-10-10 2003-08-14 Covion Organic Semiconductors Substituierte Thieno[3,2-b]thiophene und ihre Verwendung
WO1995016681A1 (en) * 1993-12-14 1995-06-22 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Derivatized polythiophenes and devices comprising same
JP3132630B2 (ja) * 1994-08-25 2001-02-05 科学技術振興事業団 チオフェン誘導体の重合体とその製造法
US6166172A (en) * 1999-02-10 2000-12-26 Carnegie Mellon University Method of forming poly-(3-substituted) thiophenes
JP3362008B2 (ja) * 1999-02-23 2003-01-07 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US6130339A (en) * 1999-06-01 2000-10-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Electro-active monomers comprised of aniline-thiophene units
JP2001077366A (ja) * 1999-08-20 2001-03-23 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 薄膜トランジスタ、液晶表示装置、及び薄膜トランジスタの製造方法
JP2002050764A (ja) * 2000-08-02 2002-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ、アレイ基板、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4639328A (en) 1983-11-25 1987-01-27 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Thienothiophene derivatives
US4663001A (en) 1984-06-15 1987-05-05 Solvay & Cie. (Societe Anonyme) Electroconductive polymers derived from heterocycles polycyclic monomers and process for their manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
ATE254637T1 (de) 2003-12-15
DE69819923T2 (de) 2004-09-02
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DE69819923D1 (de) 2003-12-24
US6626566B2 (en) 2003-09-30
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EP1017735A1 (en) 2000-07-12
US6403809B1 (en) 2002-06-11

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