JP3313559B2 - 光トリガサイリスタ - Google Patents
光トリガサイリスタInfo
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/2804—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers
- G02B6/2808—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers using a mixing element which evenly distributes an input signal over a number of outputs
-
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光トリガサイリ
スタに関する。
スタに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０乃至図１４は従来の光トリガサイ
リスタ２００の製造工程を順に示す断面図である。図１
４において完成する光トリガサイリスタ２００は、例え
ば特開昭６０−２４１２６３号公報において開示されて
いる。
リスタ２００の製造工程を順に示す断面図である。図１
４において完成する光トリガサイリスタ２００は、例え
ば特開昭６０−２４１２６３号公報において開示されて
いる。
【０００３】半導体基体１において光トリガサイリスタ
２００の受光部２が表面に形成される。受光部２の近傍
の半導体基体１には、受光部２を露呈させるように定位
リング１０が載置される（図１０）。アノード電極４が
半導体基体１の裏面に設けられ、フランジ５ａに載置さ
れる。フランジ５ａには絶縁筒６が被せられ、絶縁筒６
には更にフランジ５ｂが被せられる。絶縁筒６には光透
過窓８及びライトガイド挿入口９が設けられている（図
１１）。
２００の受光部２が表面に形成される。受光部２の近傍
の半導体基体１には、受光部２を露呈させるように定位
リング１０が載置される（図１０）。アノード電極４が
半導体基体１の裏面に設けられ、フランジ５ａに載置さ
れる。フランジ５ａには絶縁筒６が被せられ、絶縁筒６
には更にフランジ５ｂが被せられる。絶縁筒６には光透
過窓８及びライトガイド挿入口９が設けられている（図
１１）。
【０００４】ライトガイド７の一端（光が入射する方の
端）がライトガイド挿入口９にはめ込まれる。そのはめ
込み作業においてはライトガイド７の他端（光が出射す
る方の端）は定位リング１０の方向には向けていない
（図１２）。そしてライトガイド７の一端がライトガイ
ド挿入口９にはめ込まれたのち、ライトガイド７の他端
を回転させて定位リング１０へはめ込む（図１３）。
端）がライトガイド挿入口９にはめ込まれる。そのはめ
込み作業においてはライトガイド７の他端（光が出射す
る方の端）は定位リング１０の方向には向けていない
（図１２）。そしてライトガイド７の一端がライトガイ
ド挿入口９にはめ込まれたのち、ライトガイド７の他端
を回転させて定位リング１０へはめ込む（図１３）。
【０００５】そしてカソード電極３が半導体基体１の表
面に設けられ、カソード電極３、アノード電極４、フラ
ンジ５ａ，５ｂ、及び絶縁筒６が半導体基体１の表面を
密閉する（図１４）。
面に設けられ、カソード電極３、アノード電極４、フラ
ンジ５ａ，５ｂ、及び絶縁筒６が半導体基体１の表面を
密閉する（図１４）。
【０００６】このようにして構成された光トリガサイリ
スタ２００においては、外部から照射される光信号が光
透過窓８及びライトガイド７を伝わって受光部２へ到達
する。そして半導体基体１の内部で光電流を生成し、点
弧が生じる。
スタ２００においては、外部から照射される光信号が光
透過窓８及びライトガイド７を伝わって受光部２へ到達
する。そして半導体基体１の内部で光電流を生成し、点
弧が生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光トリ
ガサイリスタ２００においては、単一のライトガイド７
が光透過窓８から受光部２へ光を伝搬し、光を導入方向
と受光する方向とはほぼ９０度の角度を為している。こ
のため以下のような問題点が生じていた。
ガサイリスタ２００においては、単一のライトガイド７
が光透過窓８から受光部２へ光を伝搬し、光を導入方向
と受光する方向とはほぼ９０度の角度を為している。こ
のため以下のような問題点が生じていた。
【０００８】ライトガイド７がシングルコア、即ちコア
部分１３が一つである構成を採る場合には、ライトガイ
ド７が屈曲しているために受光部２における光強度の分
布が不均一となる。その結果、光トリガサイリスタの初
期ターンオン特性がばらついてしまうという問題点があ
る。
部分１３が一つである構成を採る場合には、ライトガイ
ド７が屈曲しているために受光部２における光強度の分
布が不均一となる。その結果、光トリガサイリスタの初
期ターンオン特性がばらついてしまうという問題点があ
る。
【０００９】ライトガイド７がマルチコア、即ちコア部
分１３が複数存在する構成を採る場合には、マルチコア
のライトガイド７はこれに入射する光を、たとえ屈曲し
ていても再現性良く出射するという特徴を持っている。
従って、入射する光の光強度分布が均一であれば受光部
へ出射される光強度分布も均一となり、初期ターンオン
特性を悪化させることはない。
分１３が複数存在する構成を採る場合には、マルチコア
のライトガイド７はこれに入射する光を、たとえ屈曲し
ていても再現性良く出射するという特徴を持っている。
従って、入射する光の光強度分布が均一であれば受光部
へ出射される光強度分布も均一となり、初期ターンオン
特性を悪化させることはない。
【００１０】しかし、一般的に光源から光透過窓８まで
光信号を伝搬してくるのは光ファイバーであり、その光
出射面の径は受光部２の径よりもかなり小さい。その結
果、受光部２の一部領域だけが点弧してしまい、電流集
中により破壊に至り易いという問題がある。
光信号を伝搬してくるのは光ファイバーであり、その光
出射面の径は受光部２の径よりもかなり小さい。その結
果、受光部２の一部領域だけが点弧してしまい、電流集
中により破壊に至り易いという問題がある。
【００１１】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、光感度が高く、ターンオン特性の安定化
を図り、以てｄｉ／ｄｔ耐量の低下を回避する技術を提
供することを目的としている。
されたもので、光感度が高く、ターンオン特性の安定化
を図り、以てｄｉ／ｄｔ耐量の低下を回避する技術を提
供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明のうち請求項１
にかかるものは、サイリスタ動作のトリガとなる光を受
ける受光部と、前記光を前記受光部に伝達する出射面
と、入射面とを有するライトガイドとを備える光トリガ
サイリスタである。そして前記ライトガイドは前記入射
面を含み、ほぼ直線状の第１の部分と、前記出射面を含
み、屈曲した第２の部分とに区分される。ここで前記第
１の部分のコア数は第２の部分のコア数よりも小さく、
前記第１の部分の光ミキサー効果は前記第２の部分の光
ミキサー効果よりも高い。
にかかるものは、サイリスタ動作のトリガとなる光を受
ける受光部と、前記光を前記受光部に伝達する出射面
と、入射面とを有するライトガイドとを備える光トリガ
サイリスタである。そして前記ライトガイドは前記入射
面を含み、ほぼ直線状の第１の部分と、前記出射面を含
み、屈曲した第２の部分とに区分される。ここで前記第
１の部分のコア数は第２の部分のコア数よりも小さく、
前記第１の部分の光ミキサー効果は前記第２の部分の光
ミキサー効果よりも高い。
【００１３】
【００１４】この発明のうち請求項２にかかるものは、
請求項１記載の光トリガサイリスタであって、前記第１
の部分はシングルコア構成を呈し、前記第２の部分はマ
ルチコア構成を呈する。
請求項１記載の光トリガサイリスタであって、前記第１
の部分はシングルコア構成を呈し、前記第２の部分はマ
ルチコア構成を呈する。
【００１５】この発明のうち請求項３にかかるものは、
請求項２記載の光トリガサイリスタであって、前記第２
の部分のコアはほぼ六角形の断面を呈する。
請求項２記載の光トリガサイリスタであって、前記第２
の部分のコアはほぼ六角形の断面を呈する。
【００１６】この発明のうち請求項４にかかるものは、
請求項１記載の光トリガサイリスタであって、前記第１
の部分と第２の部分とは距離Ｄ３で分離される。そして
前記第１及び第２の部分の口径をそれぞれＤ１，Ｄ２と
し、前記第１及び第２の部分の開口数をそれぞれＡ１，
Ａ２とし、前記第１の部分と第２の部分とを分離する物
質の屈折率をｎとして、下式が成立する。
請求項１記載の光トリガサイリスタであって、前記第１
の部分と第２の部分とは距離Ｄ３で分離される。そして
前記第１及び第２の部分の口径をそれぞれＤ１，Ｄ２と
し、前記第１及び第２の部分の開口数をそれぞれＡ１，
Ａ２とし、前記第１の部分と第２の部分とを分離する物
質の屈折率をｎとして、下式が成立する。
【００１７】 Ｄ１＋２・Ｄ３・tan θ≦Ｄ２，θ＝ｓｉｎ-1（Ａ１／ｎ），Ａ１≦Ａ２ この発明のうち請求項５にかかるものは、請求項１記載
の光トリガサイリスタであって、前記第２の部分は前記
受光部に行くに従って細くなるテーパ形状を有する。
の光トリガサイリスタであって、前記第２の部分は前記
受光部に行くに従って細くなるテーパ形状を有する。
【００１８】この発明のうち請求項６にかかるものは、
請求項１記載の光トリガサイリスタであって、前記第１
の部分と第２の部分とは分離される。そして前記第１の
部分は前記受光部に行くに従って細くなるテーパ形状を
有し、前記第１の部分の前記受光部に近い側の端の口径
は、前記第２の部分の前記受光部から遠い側の端の口径
よりも小さい。
請求項１記載の光トリガサイリスタであって、前記第１
の部分と第２の部分とは分離される。そして前記第１の
部分は前記受光部に行くに従って細くなるテーパ形状を
有し、前記第１の部分の前記受光部に近い側の端の口径
は、前記第２の部分の前記受光部から遠い側の端の口径
よりも小さい。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１乃至図５はこの発明にかかる
光トリガサイリスタ１００の製造工程を順に示す断面図
である。図１０と同様に、半導体基体１において光トリ
ガサイリスタ１００の受光部２が表面に形成される。受
光部２の近傍の半導体基体１には、受光部２を露呈させ
るように定位リング１０が載置される（図１）。アノー
ド電極４が半導体基体１の裏面に設けられ、フランジ５
ａに載置される。フランジ５ａには絶縁筒６が被せら
れ、絶縁筒６には更にフランジ５ｂが被せられる。絶縁
筒６には光透過窓８及びライトガイド挿入口９が設けら
れている（図２）。
光トリガサイリスタ１００の製造工程を順に示す断面図
である。図１０と同様に、半導体基体１において光トリ
ガサイリスタ１００の受光部２が表面に形成される。受
光部２の近傍の半導体基体１には、受光部２を露呈させ
るように定位リング１０が載置される（図１）。アノー
ド電極４が半導体基体１の裏面に設けられ、フランジ５
ａに載置される。フランジ５ａには絶縁筒６が被せら
れ、絶縁筒６には更にフランジ５ｂが被せられる。絶縁
筒６には光透過窓８及びライトガイド挿入口９が設けら
れている（図２）。
【００２０】ほぼ９０度に屈曲した第２のライトガイド
１２がその光入射面で、第１のライトガイド１１がその
光出射面で、結合領域Ａにおいて互いに結合される。ラ
イトガイド挿入口９には第１のライトガイド１１の光入
射面側の端が挿入される。詳しくは後述するが、ライト
ガイド１１は光透過窓８に近い光入射面から、光透過窓
８から遠い光出射面までほぼ直線状の形状を呈してい
る。この際、第２のライトガイド１２の光出射面は定位
リング１０の方向には向けていない（図３）。
１２がその光入射面で、第１のライトガイド１１がその
光出射面で、結合領域Ａにおいて互いに結合される。ラ
イトガイド挿入口９には第１のライトガイド１１の光入
射面側の端が挿入される。詳しくは後述するが、ライト
ガイド１１は光透過窓８に近い光入射面から、光透過窓
８から遠い光出射面までほぼ直線状の形状を呈してい
る。この際、第２のライトガイド１２の光出射面は定位
リング１０の方向には向けていない（図３）。
【００２１】そして第２のライトガイド１２が第１のラ
イトガイド１１と結合されたのち、ライトガイド１２の
光出射面を回転させて定位リング１０へはめ込む（図
４）。
イトガイド１１と結合されたのち、ライトガイド１２の
光出射面を回転させて定位リング１０へはめ込む（図
４）。
【００２２】図６は結合部Ａ近傍を拡大した断面図であ
る。例えば金属からなる結合鞘１７を用いて第２のライ
トガイド１２の光入射面と、第１のライトガイド１１の
光出射面とが結合される。
る。例えば金属からなる結合鞘１７を用いて第２のライ
トガイド１２の光入射面と、第１のライトガイド１１の
光出射面とが結合される。
【００２３】第１及び第２のライトガイド１１，１２は
それぞれシングルコア、マルチコアの構成を採る。図７
及び図８はそれぞれ図４に示された切断線VII-VII，VII
I−VIIIにおける断面を示す。第１及び第２のライトガ
イド１１，１２はいずれもそのコア１３がクラッド１４
で囲まれており、第２のライトガイド１２はその外周が
被覆材１５で被われている。第２のライトガイド１２に
おけるコア１３の断面は六角形を呈しており、効率よく
多くのコア１３が含まれる（つまり充填率が高い）よう
にしている。
それぞれシングルコア、マルチコアの構成を採る。図７
及び図８はそれぞれ図４に示された切断線VII-VII，VII
I−VIIIにおける断面を示す。第１及び第２のライトガ
イド１１，１２はいずれもそのコア１３がクラッド１４
で囲まれており、第２のライトガイド１２はその外周が
被覆材１５で被われている。第２のライトガイド１２に
おけるコア１３の断面は六角形を呈しており、効率よく
多くのコア１３が含まれる（つまり充填率が高い）よう
にしている。
【００２４】図４で示された工程ののち、カソード電極
３が半導体基体１の表面に設けられ、カソード電極３、
アノード電極４、フランジ５ａ，５ｂ、及び絶縁筒６が
半導体基体１の表面を密閉する（図５）。
３が半導体基体１の表面に設けられ、カソード電極３、
アノード電極４、フランジ５ａ，５ｂ、及び絶縁筒６が
半導体基体１の表面を密閉する（図５）。
【００２５】以上の製造工程から明白なように、光トリ
ガサイリスタ１００の製造は、従来の光トリガサイリス
タ２００の製造と比較して、第２のライトガイド１２が
第１のライトガイド１１とを結合する工程を除いてほぼ
同一である。従って、特に製造の困難性を伴うというも
のではない。
ガサイリスタ１００の製造は、従来の光トリガサイリス
タ２００の製造と比較して、第２のライトガイド１２が
第１のライトガイド１１とを結合する工程を除いてほぼ
同一である。従って、特に製造の困難性を伴うというも
のではない。
【００２６】さて、光トリガサイリスタ１００において
は従来の光トリガサイリスタ２００とは異なり、光透過
窓８から受光部２まで伝搬する光は、直線状のシングル
コア構成を有する第１のライトガイド１１を伝搬し、次
いで屈曲部を有するマルチコア構成を有する第２のライ
トガイド１２を伝搬する。
は従来の光トリガサイリスタ２００とは異なり、光透過
窓８から受光部２まで伝搬する光は、直線状のシングル
コア構成を有する第１のライトガイド１１を伝搬し、次
いで屈曲部を有するマルチコア構成を有する第２のライ
トガイド１２を伝搬する。
【００２７】シングルコア構成においては光ミキサーと
しての機能が大きく、光透過窓８まで光信号を伝搬して
くる光ファイバー１６の光出射面の径が小さくても、第
１のライトガイド１１の光出射面においては、伝搬する
光の径は広がってくる。換言すれば、第１のライトガイ
ド１１は光の強度分布を均一にする作用を有している。
しての機能が大きく、光透過窓８まで光信号を伝搬して
くる光ファイバー１６の光出射面の径が小さくても、第
１のライトガイド１１の光出射面においては、伝搬する
光の径は広がってくる。換言すれば、第１のライトガイ
ド１１は光の強度分布を均一にする作用を有している。
【００２８】一方、マルチコア構成においては光ミキサ
ーとしての機能は小さい。一般に光ファイバーはその径
が小さい程、屈曲しても開口数は変化し難くなる。従っ
て、細いシングルコアを複数備えるマルチコア構成であ
れば、その全体が屈曲しても、入射する光の強度分布を
殆ど変化させることがない。換言すれば、第２のライト
ガイド１２は、第１のライトガイド１１によって均一に
された光の強度分布を損なうことなく、受光部２まで伝
搬する作用を有している。
ーとしての機能は小さい。一般に光ファイバーはその径
が小さい程、屈曲しても開口数は変化し難くなる。従っ
て、細いシングルコアを複数備えるマルチコア構成であ
れば、その全体が屈曲しても、入射する光の強度分布を
殆ど変化させることがない。換言すれば、第２のライト
ガイド１２は、第１のライトガイド１１によって均一に
された光の強度分布を損なうことなく、受光部２まで伝
搬する作用を有している。
【００２９】従って、たとえ光透過窓８まで光信号を伝
搬してくる光ファイバー１６の光出射面の径が小さくて
も、受光部２には均一性の良い光強度分布を与えること
ができる。その結果、受光部２に局部的に強い光が与え
られることがなく、光トリガサイリスタ１００の初期タ
ーンオン時での電流集中を回避し、以てｄｉ／ｄｔ耐量
の低下を抑制することが可能となる。
搬してくる光ファイバー１６の光出射面の径が小さくて
も、受光部２には均一性の良い光強度分布を与えること
ができる。その結果、受光部２に局部的に強い光が与え
られることがなく、光トリガサイリスタ１００の初期タ
ーンオン時での電流集中を回避し、以てｄｉ／ｄｔ耐量
の低下を抑制することが可能となる。
【００３０】第１のライトガイド１１の光入射面は広い
方が望ましい。光ファイバー１６との位置合わせが容易
になるためである。同様の理由により、第２のライトガ
イド１２の光入射面は第１の光出射面よりも広い方が望
ましい。一方、受光部２に均一な光を的確に伝搬するた
めには第２のライトガイド１２の光出射面は余り大きく
する事はできない。従って、第２のライトガイド１２
は、その光入射面よりも光出射面が狭くなるようなテー
パ形状を有していてもよい。同様にして、第１のライト
ガイド１１も、その光入射面よりも光出射面が狭くなる
ようなテーパ形状を有しても良い。
方が望ましい。光ファイバー１６との位置合わせが容易
になるためである。同様の理由により、第２のライトガ
イド１２の光入射面は第１の光出射面よりも広い方が望
ましい。一方、受光部２に均一な光を的確に伝搬するた
めには第２のライトガイド１２の光出射面は余り大きく
する事はできない。従って、第２のライトガイド１２
は、その光入射面よりも光出射面が狭くなるようなテー
パ形状を有していてもよい。同様にして、第１のライト
ガイド１１も、その光入射面よりも光出射面が狭くなる
ようなテーパ形状を有しても良い。
【００３１】但し、図６に示されるように、組立作業に
おいて両者の損傷を避けるため、第２のライトガイド１
２の光入射面と、第１のライトガイド１１の光出射面と
を密着させないようにする場合があり、この場合には以
下の条件を満たすことが望ましい。
おいて両者の損傷を避けるため、第２のライトガイド１
２の光入射面と、第１のライトガイド１１の光出射面と
を密着させないようにする場合があり、この場合には以
下の条件を満たすことが望ましい。
【００３２】図９は図６を更に拡大した断面図である。
それぞれ直径Ｄ１，Ｄ２を有する第１のライトガイド１
１の光出射面と、第２のライトガイド１２の光入射面と
が、距離Ｄ３だけ離れて対向している状態が示されてい
る。簡単のため、両者の中心軸が一致している場合を例
に採って説明すると、両者間の結合については以下の関
係が成立すれば、第１のライトガイド１１の光出射面か
ら与えられた光が全て第２のライトガイド１２を伝搬す
るので、望ましい。
それぞれ直径Ｄ１，Ｄ２を有する第１のライトガイド１
１の光出射面と、第２のライトガイド１２の光入射面と
が、距離Ｄ３だけ離れて対向している状態が示されてい
る。簡単のため、両者の中心軸が一致している場合を例
に採って説明すると、両者間の結合については以下の関
係が成立すれば、第１のライトガイド１１の光出射面か
ら与えられた光が全て第２のライトガイド１２を伝搬す
るので、望ましい。
【００３３】Ｄ１＋２・Ｄ３・tan θ≦Ｄ２，θ＝ｓｉ
ｎ-1（Ａ１／ｎ），Ａ１≦Ａ２ 但し、Ａ１，Ａ２はそれぞれ第１及び第２のライトガイ
ド１１，１２の開口数、ｎは第１及び第２のライトガイ
ド１１，１２が対抗する空間において存在する媒質の屈
折率である。
ｎ-1（Ａ１／ｎ），Ａ１≦Ａ２ 但し、Ａ１，Ａ２はそれぞれ第１及び第２のライトガイ
ド１１，１２の開口数、ｎは第１及び第２のライトガイ
ド１１，１２が対抗する空間において存在する媒質の屈
折率である。
【００３４】諸量Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ａ１，Ａ２，ｎを
制御することで、上式を満足させることができる。Ｄ１
≦Ｄ２であるので、第１のライトガイド１１の光出射面
と、第２のライトガイド１２の光入射面との位置合わせ
も容易に行うことができる。
制御することで、上式を満足させることができる。Ｄ１
≦Ｄ２であるので、第１のライトガイド１１の光出射面
と、第２のライトガイド１２の光入射面との位置合わせ
も容易に行うことができる。
【００３５】
【発明の効果】この発明のうち請求項１にかかる光トリ
ガサイリスタによれば、第１の部分のコア数が第２の部
分のコア数よりも小さく構成されることから、第１の部
分の光ミキサー効果が大きく、第２の部分の光ミキサー
効果が小さくなる。このため、第１の部分において入射
した光の径が小さいために光強度分布が不均一であって
も、これを伝搬することによって、均一性が高まる。一
方、第２の部分の光ミキサー効果は小さくなるので、こ
れが屈曲していても第１の部分において均一性が高めら
れた光強度分布が損なわれることなく、受光部に光が伝
搬される。
ガサイリスタによれば、第１の部分のコア数が第２の部
分のコア数よりも小さく構成されることから、第１の部
分の光ミキサー効果が大きく、第２の部分の光ミキサー
効果が小さくなる。このため、第１の部分において入射
した光の径が小さいために光強度分布が不均一であって
も、これを伝搬することによって、均一性が高まる。一
方、第２の部分の光ミキサー効果は小さくなるので、こ
れが屈曲していても第１の部分において均一性が高めら
れた光強度分布が損なわれることなく、受光部に光が伝
搬される。
【００３６】このため、受光部に局部的に強い光が与え
られることがなく、光トリガサイリスタの初期ターンオ
ン時での電流集中を回避し、以てｄｉ／ｄｔ耐量の低下
を抑制することが可能となる。
られることがなく、光トリガサイリスタの初期ターンオ
ン時での電流集中を回避し、以てｄｉ／ｄｔ耐量の低下
を抑制することが可能となる。
【００３７】
【００３８】この発明のうち請求項２にかかる光トリガ
サイリスタによれば、第１の部分の光ミキサー効果を簡
単な構造で効果的に得ることができる。
サイリスタによれば、第１の部分の光ミキサー効果を簡
単な構造で効果的に得ることができる。
【００３９】この発明のうち請求項３にかかる光トリガ
サイリスタによれば、充填率を高めたマルチコア構成を
得ることができる。
サイリスタによれば、充填率を高めたマルチコア構成を
得ることができる。
【００４０】この発明のうち請求項４にかかる光トリガ
サイリスタによれば、第１の部分と第２の部分との間の
光の伝搬のロスを抑制することができる。また、第１の
部分と第２の部分との位置合わせを容易に行うことがで
きる。
サイリスタによれば、第１の部分と第２の部分との間の
光の伝搬のロスを抑制することができる。また、第１の
部分と第２の部分との位置合わせを容易に行うことがで
きる。
【００４１】この発明のうち請求項５にかかる光トリガ
サイリスタによれば、受光部に均一な光を的確に伝搬す
ることができる。
サイリスタによれば、受光部に均一な光を的確に伝搬す
ることができる。
【００４２】この発明のうち請求項６にかかる光トリガ
サイリスタによれば、第１の部分と第２の部分との位置
合わせが容易であり、両者の間の光の伝搬のロスを抑制
することができる。
サイリスタによれば、第１の部分と第２の部分との位置
合わせが容易であり、両者の間の光の伝搬のロスを抑制
することができる。
【図１】 この発明の実施の形態にかかる光トリガサイ
リスタ１００の製造工程を順に示す断面図である。
リスタ１００の製造工程を順に示す断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態にかかる光トリガサイ
リスタ１００の製造工程を順に示す断面図である。
リスタ１００の製造工程を順に示す断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態にかかる光トリガサイ
リスタ１００の製造工程を順に示す断面図である。
リスタ１００の製造工程を順に示す断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態にかかる光トリガサイ
リスタ１００の製造工程を順に示す断面図である。
リスタ１００の製造工程を順に示す断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態にかかる光トリガサイ
リスタ１００の製造工程を順に示す断面図である。
リスタ１００の製造工程を順に示す断面図である。
【図６】 結合部Ａ近傍を拡大した断面図である。
【図７】 切断線VII−VIIにおける断面図である。
【図８】 切断線VIII−VIIIにおける断面図である。
【図９】 結合部Ａ近傍を拡大した断面図である。
【図１０】 従来の光トリガサイリスタ２００の製造工
程を順に示す断面図である。
程を順に示す断面図である。
【図１１】 従来の光トリガサイリスタ２００の製造工
程を順に示す断面図である。
程を順に示す断面図である。
【図１２】 従来の光トリガサイリスタ２００の製造工
程を順に示す断面図である。
程を順に示す断面図である。
【図１３】 従来の光トリガサイリスタ２００の製造工
程を順に示す断面図である。
程を順に示す断面図である。
【図１４】 従来の光トリガサイリスタ２００の製造工
程を順に示す断面図である。
程を順に示す断面図である。
２ 受光部、１１ 第１のライトガイド、１２ 第２の
ライトガイド、１３コア。
ライトガイド、１３コア。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/74 H01L 31/111
Claims (6)
- 【請求項１】 サイリスタ動作のトリガとなる光を受け
る受光部と、 前記光を前記受光部に伝達する出射面と、入射面とを有
するライトガイドとを備え、 前記ライトガイドは前記入射面を含み、ほぼ直線状の第
１の部分と、 前記出射面を含み、屈曲した第２の部分とに区分され、前記第１の部分のコア数は第２の部分のコア数よりも小
さく、 前記第１の部分の光ミキサー効果は前記第２の部
分の光ミキサー効果よりも高い光トリガサイリスタ。 - 【請求項２】 前記第１の部分はシングルコア構成を呈
し、前記第２の部分はマルチコア構成を呈する、請求項
１記載の光トリガサイリスタ。 - 【請求項３】 前記第２の部分のコアはほぼ六角形の断
面を呈する請求項２記載の光トリガサイリスタ。 - 【請求項４】 前記第１の部分と第２の部分とは距離Ｄ
３で分離され、前記第１及び第２の部分の口径をそれぞ
れＤ１，Ｄ２とし、前記第１及び第２の部分の開口数を
それぞれＡ１，Ａ２とし、前記第１の部分と第２の部分
とを分離する物質の屈折率をｎとして、 Ｄ１＋２・Ｄ３・tan θ≦Ｄ２，θ＝ｓｉｎ -1 （Ａ１／ｎ），Ａ１≦Ａ２ が成立する請求項１記載の光トリガサイリスタ。 - 【請求項５】 前記第２の部分は前記受光部に行くに従
って細くなるテーパ形状を有する、請求項１記載の光ト
リガサイリスタ。 - 【請求項６】 前記第１の部分と第２の部分とは分離さ
れ、 前記第１の部分は前記受光部に行くに従って細くなるテ
ーパ形状を有し、 前記第１の部分の前記受光部に近い側の端の口径は、前
記第２の部分の前記受光部から遠い側の端の口径よりも
小さい、請求項１記載の光トリガサイリスタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33212495A JP3313559B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 光トリガサイリスタ |
| US08/650,996 US5847416A (en) | 1995-12-20 | 1996-05-21 | Phototrigger thyristor |
| DE69618918T DE69618918T2 (de) | 1995-12-20 | 1996-08-21 | Mit Licht zündbarer Thyristor |
| EP96113394A EP0780711B1 (en) | 1995-12-20 | 1996-08-21 | Phototrigger thyristor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33212495A JP3313559B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 光トリガサイリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172161A JPH09172161A (ja) | 1997-06-30 |
| JP3313559B2 true JP3313559B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=18251425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33212495A Expired - Lifetime JP3313559B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 光トリガサイリスタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5847416A (ja) |
| EP (1) | EP0780711B1 (ja) |
| JP (1) | JP3313559B2 (ja) |
| DE (1) | DE69618918T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| EP3287064A1 (en) | 2015-04-23 | 2018-02-28 | Olympus Corporation | Endoscope system |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5788770A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Hitachi Ltd | Photo semiconductor device |
| JPS58154268A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
| JPS59154063A (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-03 | Hitachi Ltd | 光駆動型半導体装置 |
| JPS59159568A (ja) * | 1983-03-02 | 1984-09-10 | Hitachi Ltd | 光駆動型半導体装置 |
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| JPH0272310A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Hitachi Ltd | サイリスタの光点弧装置 |
-
1995
- 1995-12-20 JP JP33212495A patent/JP3313559B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-05-21 US US08/650,996 patent/US5847416A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-21 EP EP96113394A patent/EP0780711B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-21 DE DE69618918T patent/DE69618918T2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0780711A1 (en) | 1997-06-25 |
| EP0780711B1 (en) | 2002-01-30 |
| DE69618918D1 (de) | 2002-03-14 |
| DE69618918T2 (de) | 2002-09-19 |
| US5847416A (en) | 1998-12-08 |
| JPH09172161A (ja) | 1997-06-30 |
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