JP3339397B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3339397B2 JP3339397B2 JP00870898A JP870898A JP3339397B2 JP 3339397 B2 JP3339397 B2 JP 3339397B2 JP 00870898 A JP00870898 A JP 00870898A JP 870898 A JP870898 A JP 870898A JP 3339397 B2 JP3339397 B2 JP 3339397B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating substrate
- semiconductor chip
- semiconductor device
- package
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造方法に係り、詳しくは、中空状のパッケージを有する
半導体装置の製造方法に関する。
造方法に係り、詳しくは、中空状のパッケージを有する
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の代表として知られているメ
モリやマイクロプロセッサ等のＬＳＩ（大規模集積回
路）に用いられるパッケージの１つとして、樹脂等の絶
縁性材料から構成された中空状のものが知られている。
この中空状のパッケージは、半導体チップ上におけるボ
ンディングワイヤ等の配線、あるいは電極パッド等の信
号経路を中空内に配置することにより、寄生容量を低減
することができるので、特に高周波用半導体装置に適用
して効果的である。
モリやマイクロプロセッサ等のＬＳＩ（大規模集積回
路）に用いられるパッケージの１つとして、樹脂等の絶
縁性材料から構成された中空状のものが知られている。
この中空状のパッケージは、半導体チップ上におけるボ
ンディングワイヤ等の配線、あるいは電極パッド等の信
号経路を中空内に配置することにより、寄生容量を低減
することができるので、特に高周波用半導体装置に適用
して効果的である。
【０００３】図１８は、この種の半導体装置の一例を示
すもので、特開昭６２−４２４４０号公報に開示された
構造を示している。同公報記載の半導体装置は、ＩＣチ
ップ５１がダイスボンディングされたリードフレーム５
２の表裏面に中空状の一次封止樹脂シート５３が溶着さ
れ、その一次封止樹脂シート５３は二次封止樹脂５４に
よりモールドされている。ＩＣチップ５１の電極パッド
とリードフレーム５２のリード部との間にボンディング
された金属細線５５は、上記一次封止樹脂シート５３の
中空内に配置されている。
すもので、特開昭６２−４２４４０号公報に開示された
構造を示している。同公報記載の半導体装置は、ＩＣチ
ップ５１がダイスボンディングされたリードフレーム５
２の表裏面に中空状の一次封止樹脂シート５３が溶着さ
れ、その一次封止樹脂シート５３は二次封止樹脂５４に
よりモールドされている。ＩＣチップ５１の電極パッド
とリードフレーム５２のリード部との間にボンディング
された金属細線５５は、上記一次封止樹脂シート５３の
中空内に配置されている。
【０００４】しかしながら、特開昭６２−４２４４０号
公報に記載の半導体装置は、パッケージが一次封止樹脂
シート５３と二次封止樹脂５４との二重構造になってい
るので、構造が複雑なため、製造コストがアップすると
いう欠点がある。
公報に記載の半導体装置は、パッケージが一次封止樹脂
シート５３と二次封止樹脂５４との二重構造になってい
るので、構造が複雑なため、製造コストがアップすると
いう欠点がある。
【０００５】そこで、この欠点を解消する手段として、
特開平５−２９１３２２号公報に記載の半導体装置が提
供されている。この公報に記載の半導体装置は、図１９
に示すように、絶縁フィルム６１ｓに貼り付けたリード
パターン６１ｄからなるフィルムキャリア６１上に半導
体チップ６２がフィースダウンボンディングされ、半導
体チップ６２の表面（能動面）側に凹部６３を形成した
封止用樹脂シート６３ａが貼り付けられるとともに、そ
の裏面側には他の封止用樹脂シート６３ｂが貼り付けら
れている。半導体チップ６２の電極パッド６２ａは、封
止用樹脂シート６３ａの凹部６３による中空内に配置さ
れている。
特開平５−２９１３２２号公報に記載の半導体装置が提
供されている。この公報に記載の半導体装置は、図１９
に示すように、絶縁フィルム６１ｓに貼り付けたリード
パターン６１ｄからなるフィルムキャリア６１上に半導
体チップ６２がフィースダウンボンディングされ、半導
体チップ６２の表面（能動面）側に凹部６３を形成した
封止用樹脂シート６３ａが貼り付けられるとともに、そ
の裏面側には他の封止用樹脂シート６３ｂが貼り付けら
れている。半導体チップ６２の電極パッド６２ａは、封
止用樹脂シート６３ａの凹部６３による中空内に配置さ
れている。
【０００６】特開平５−２９１３２２号公報に記載の半
導体装置を製造するには、図２０に示すように、まず、
フィルムキャリア６１上にフィースダウンボンディング
され半導体チップ６２の表面側に、予め未硬化樹脂の半
導体チップ６２と対向する主面に選択的に光照射を行っ
て、一部分の樹脂のみを硬化させて凹部６３を形成した
封止用樹脂シート６３ａを配置するとともに、半導体チ
ップの裏面側に封止用樹脂シート６３ｂを配置する。次
に、封止用樹脂シート６３ａ及び６３ｂをそれぞれ、半
導体チップ６２の表面側及び裏面側に貼り付けた後、圧
縮成形処理を行うことにより、上記の半導体装置が製造
される。
導体装置を製造するには、図２０に示すように、まず、
フィルムキャリア６１上にフィースダウンボンディング
され半導体チップ６２の表面側に、予め未硬化樹脂の半
導体チップ６２と対向する主面に選択的に光照射を行っ
て、一部分の樹脂のみを硬化させて凹部６３を形成した
封止用樹脂シート６３ａを配置するとともに、半導体チ
ップの裏面側に封止用樹脂シート６３ｂを配置する。次
に、封止用樹脂シート６３ａ及び６３ｂをそれぞれ、半
導体チップ６２の表面側及び裏面側に貼り付けた後、圧
縮成形処理を行うことにより、上記の半導体装置が製造
される。
【０００７】ここで、上記封止用樹脂シート６３ａに部
分的に凹部６３を形成するには、上記の光照射の他に、
紫外線照射、赤外線照射及び熱風吹き付け等の部分架橋
手段が利用されている。
分的に凹部６３を形成するには、上記の光照射の他に、
紫外線照射、赤外線照射及び熱風吹き付け等の部分架橋
手段が利用されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
５−２９１３２２号公報に記載の従来技術では、半導体
チップが機械的強度に劣るリードパターンにフェースダ
ウンボンディングされ、また、半導体チップに外力が加
わり易い構造になっているので、接続信頼性が低い、と
いう問題がある。すなわち、図１９及び図２０から明ら
かなように、半導体チップ６３がボンディングされるリ
ードパターン６１ｄは絶縁フィルム６１ｓによって支持
されているだけなので、機械的強度の低下は避けられな
い。また、ボンディング部分には封止用樹脂シート６３
ａが接しているので、これによる外力がボンディング部
分に加わり易いため、接続強度に影響を受けるようにな
る。最悪の場合、これらが原因でボンディング部分が剥
離してしまう虞がある。
５−２９１３２２号公報に記載の従来技術では、半導体
チップが機械的強度に劣るリードパターンにフェースダ
ウンボンディングされ、また、半導体チップに外力が加
わり易い構造になっているので、接続信頼性が低い、と
いう問題がある。すなわち、図１９及び図２０から明ら
かなように、半導体チップ６３がボンディングされるリ
ードパターン６１ｄは絶縁フィルム６１ｓによって支持
されているだけなので、機械的強度の低下は避けられな
い。また、ボンディング部分には封止用樹脂シート６３
ａが接しているので、これによる外力がボンディング部
分に加わり易いため、接続強度に影響を受けるようにな
る。最悪の場合、これらが原因でボンディング部分が剥
離してしまう虞がある。
【０００９】また、微小サイズの半導体チップを用いる
半導体装置には適用困難である、という問題もある。す
なわち、特開平５−２９１３２２号公報に記載の従来技
術では封止用樹脂シート６３ａに凹部６３を形成する方
法として、光照射等の部分架橋手段を利用しているが、
このような方法は例えば上記公報に記載されているよう
な１０×１０mm程度の比較的大きなサイズの半導体チッ
プに適用する場合は問題がない。しかし、数mm程度例え
ば１×１mm程度、あるいはこれ以下の微小サイズの半導
体チップに適用しようとした場合には、上記の手段では
この半導体チップに対応した凹部の形成が精度的に厳し
くなるため、適用困難になる。
半導体装置には適用困難である、という問題もある。す
なわち、特開平５−２９１３２２号公報に記載の従来技
術では封止用樹脂シート６３ａに凹部６３を形成する方
法として、光照射等の部分架橋手段を利用しているが、
このような方法は例えば上記公報に記載されているよう
な１０×１０mm程度の比較的大きなサイズの半導体チッ
プに適用する場合は問題がない。しかし、数mm程度例え
ば１×１mm程度、あるいはこれ以下の微小サイズの半導
体チップに適用しようとした場合には、上記の手段では
この半導体チップに対応した凹部の形成が精度的に厳し
くなるため、適用困難になる。
【００１０】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、接続信頼性を向上させ、さらに、微小サイズの
半導体チップへの適用を可能にする半導体装置の製造方
法を提供することを目的としている。
もので、接続信頼性を向上させ、さらに、微小サイズの
半導体チップへの適用を可能にする半導体装置の製造方
法を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、半導体装置の製造方法に係
り、シート状の絶縁基板に複数の中空部を形成するパッ
ケージ基板形成工程と、一主面上に半導体チップの電極
パッドに対応した配線パターンを形成する絶縁基板形成
工程と、上記絶縁基板の配線パターンを含む領域をマス
クした状態で、上記パッケージ基板が熱圧着される位置
に粗面部を形成する粗面部形成工程と、上記絶縁基板の
上記一主面上に上記半導体チップを接続した後、上記中
空部が対応する半導体チップを封止するように、上記絶
縁基板の上記一主面上の粗面部に上記パッケージ基板を
熱圧着するパッケージ基板熱圧着工程と、記パッケージ
基板及び上記絶縁基板を、個々の半導体チップごとに分
離する基板分離工程とを含むことを特徴としている。
に、請求項１記載の発明は、半導体装置の製造方法に係
り、シート状の絶縁基板に複数の中空部を形成するパッ
ケージ基板形成工程と、一主面上に半導体チップの電極
パッドに対応した配線パターンを形成する絶縁基板形成
工程と、上記絶縁基板の配線パターンを含む領域をマス
クした状態で、上記パッケージ基板が熱圧着される位置
に粗面部を形成する粗面部形成工程と、上記絶縁基板の
上記一主面上に上記半導体チップを接続した後、上記中
空部が対応する半導体チップを封止するように、上記絶
縁基板の上記一主面上の粗面部に上記パッケージ基板を
熱圧着するパッケージ基板熱圧着工程と、記パッケージ
基板及び上記絶縁基板を、個々の半導体チップごとに分
離する基板分離工程とを含むことを特徴としている。
【００１２】また、請求項２記載の発明は、半導体装置
の製造方法に係り、一主面が凹凸状に形成され、その凹
部上に半導体チップの電極パッドに対応した配線パター
ンを形成する絶縁基板形成工程と、上記絶縁基板の配線
パターンを含む領域をマスクした状態で、パッケージ基
板が熱圧着される位置に粗面部を形成する粗面部形成工
程と、上記絶縁基板の一主面の凹部上に上記半導体チッ
プを接続した後、上記半導体チップを封止するように、
上記絶縁基板の一主面の凸部上の粗面部に樹脂性のシー
トからなるパッケージ基板を熱圧着するパッケージ基板
熱圧着工程と、上記パッケージ基板及び上記絶縁基板
を、個々の半導体チップごとに分離する基板分離工程と
を含むことを特徴としている。
の製造方法に係り、一主面が凹凸状に形成され、その凹
部上に半導体チップの電極パッドに対応した配線パター
ンを形成する絶縁基板形成工程と、上記絶縁基板の配線
パターンを含む領域をマスクした状態で、パッケージ基
板が熱圧着される位置に粗面部を形成する粗面部形成工
程と、上記絶縁基板の一主面の凹部上に上記半導体チッ
プを接続した後、上記半導体チップを封止するように、
上記絶縁基板の一主面の凸部上の粗面部に樹脂性のシー
トからなるパッケージ基板を熱圧着するパッケージ基板
熱圧着工程と、上記パッケージ基板及び上記絶縁基板
を、個々の半導体チップごとに分離する基板分離工程と
を含むことを特徴としている。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である半導体装置の製造
方法により製造された半導体装置の構成を示す図で、同
図（ａ）は同半導体装置の平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、図２は、同半導体装置の製
造方法を工程順に示す工程図、また、図３乃至図５は、
図２の同半導体装置の製造方法の一部の工程の置き換え
を示す工程図である。この例の半導体装置の製造方法に
より製造された半導体装置は、同図に示すように、プラ
スチック基板、セラミック基板等の絶縁基板１の一主面
上に配線パターン２が形成され、その一主面上に半導体
チップ３がフェースダウンボンディングされて構成され
ている。一例として、半導体チップ３は、略１×１ｍｍ
の微小サイズを有している。半導体チップ３は、具体的
には、その電極パッド４がはんだ、金等のボール状導体
５を通じて配線パターン２に接続されている。
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である半導体装置の製造
方法により製造された半導体装置の構成を示す図で、同
図（ａ）は同半導体装置の平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、図２は、同半導体装置の製
造方法を工程順に示す工程図、また、図３乃至図５は、
図２の同半導体装置の製造方法の一部の工程の置き換え
を示す工程図である。この例の半導体装置の製造方法に
より製造された半導体装置は、同図に示すように、プラ
スチック基板、セラミック基板等の絶縁基板１の一主面
上に配線パターン２が形成され、その一主面上に半導体
チップ３がフェースダウンボンディングされて構成され
ている。一例として、半導体チップ３は、略１×１ｍｍ
の微小サイズを有している。半導体チップ３は、具体的
には、その電極パッド４がはんだ、金等のボール状導体
５を通じて配線パターン２に接続されている。
【００２４】絶縁基板１の一主面上には、半導体チップ
３を封止するように、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等
の熱硬化性樹脂等からなる、例えば平面形状が方形の中
空状のパッケージ６が、半導体チップ３の接続位置から
略５０μｍ離れた位置に固着されている。パッケージ６
を固着する手段としては、熱圧着法を挙げることができ
る。
３を封止するように、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等
の熱硬化性樹脂等からなる、例えば平面形状が方形の中
空状のパッケージ６が、半導体チップ３の接続位置から
略５０μｍ離れた位置に固着されている。パッケージ６
を固着する手段としては、熱圧着法を挙げることができ
る。
【００２５】絶縁基板１の一主面上の上記パッケージ６
が固着される位置には、パッケージ６が密着性良く固着
されるための粗面部７が形成されている。粗面部７を形
成する手段としては、研磨剤による表面加工法を挙げる
ことができる。また、絶縁基板１の一主面上の配線パタ
ーン２は、パッケージ６の外部まで延長するように形成
されていて、外部端子として使用されるようになってい
る。
が固着される位置には、パッケージ６が密着性良く固着
されるための粗面部７が形成されている。粗面部７を形
成する手段としては、研磨剤による表面加工法を挙げる
ことができる。また、絶縁基板１の一主面上の配線パタ
ーン２は、パッケージ６の外部まで延長するように形成
されていて、外部端子として使用されるようになってい
る。
【００２６】次に、図２を参照して、この例の半導体装
置の製造方法について工程順に説明する。まず、同図
（ａ）に示すように、例えばエポキシ樹脂の一種である
クレゾールノボラックタイプの熱硬化性樹脂からなる、
略０．５mmの厚さの樹脂シートを用いて、上型８と下型
９との間にセットする。次に、略１７５℃に加熱しなが
ら、矢印方向に真空吸引して平面形状が方形の複数の中
空部６ａを形成することにより、パッケージ基板６ｂを
形成する。このような真空吸引成形法によれば、中空部
６ａを高精度で形成するのが容易なので、微小サイズの
半導体チップに適用できる中空状のパッケージの形成が
可能となる。
置の製造方法について工程順に説明する。まず、同図
（ａ）に示すように、例えばエポキシ樹脂の一種である
クレゾールノボラックタイプの熱硬化性樹脂からなる、
略０．５mmの厚さの樹脂シートを用いて、上型８と下型
９との間にセットする。次に、略１７５℃に加熱しなが
ら、矢印方向に真空吸引して平面形状が方形の複数の中
空部６ａを形成することにより、パッケージ基板６ｂを
形成する。このような真空吸引成形法によれば、中空部
６ａを高精度で形成するのが容易なので、微小サイズの
半導体チップに適用できる中空状のパッケージの形成が
可能となる。
【００２７】あるいは、真空吸引成形法に代えて、図３
に示したような、プレス成形法によってパッケージ基板
６ｂを形成することもできる。同図において、上記の樹
脂シートは、予め下型９ａ上にセットされた状態で、上
型８ａによりプレスされることにより、複数の中空部６
ａを有するパッケージ基板６ｂが形成される。このプレ
ス成形方法によっても、中空部６ａを高精度で形成する
ことができる。
に示したような、プレス成形法によってパッケージ基板
６ｂを形成することもできる。同図において、上記の樹
脂シートは、予め下型９ａ上にセットされた状態で、上
型８ａによりプレスされることにより、複数の中空部６
ａを有するパッケージ基板６ｂが形成される。このプレ
ス成形方法によっても、中空部６ａを高精度で形成する
ことができる。
【００２８】次に、同図（ｂ）に示すように、プラスチ
ック基板、セラミック基板等からなる略０．１〜０．２
mmの厚さの絶縁基板１の一主面上に、スクリーン印刷法
等により配線パターン２を形成する。次に、絶縁基板１
の一主面上の配線パターン２を含む領域を、樹脂等のマ
スク１０で覆った状態で、パッケージ基板６ｂが固着さ
れる位置に、そのパッケージ基板６ｂを密着性良く固着
するための粗面部７を形成する。粗面部７は、特殊加工
を施して形成し、例えばノズル１１から、アルミナ（♯
３２０、最大粒径９８μｍ、平均粒径４０μｍ、最小粒
径２７μｍ）と水との混合液（体積濃度１７±１％）か
らなる研磨剤１２を、マスク１０で覆われていない絶縁
基板１の一主面に噴射して形成する。これにより、表面
粗さＲmax３〜４μｍの粗面部７が形成される。
ック基板、セラミック基板等からなる略０．１〜０．２
mmの厚さの絶縁基板１の一主面上に、スクリーン印刷法
等により配線パターン２を形成する。次に、絶縁基板１
の一主面上の配線パターン２を含む領域を、樹脂等のマ
スク１０で覆った状態で、パッケージ基板６ｂが固着さ
れる位置に、そのパッケージ基板６ｂを密着性良く固着
するための粗面部７を形成する。粗面部７は、特殊加工
を施して形成し、例えばノズル１１から、アルミナ（♯
３２０、最大粒径９８μｍ、平均粒径４０μｍ、最小粒
径２７μｍ）と水との混合液（体積濃度１７±１％）か
らなる研磨剤１２を、マスク１０で覆われていない絶縁
基板１の一主面に噴射して形成する。これにより、表面
粗さＲmax３〜４μｍの粗面部７が形成される。
【００２９】あるいは、パッケージ基板６ｂを密着性良
く固着するためには、粗面部７に代えて、接着剤を利用
することもできる。この場合、１つの方法として、図４
に示すように、絶縁基板１の一主面の固着位置にニード
ル１３から部分的に接着剤１４を塗布するようにする。
他の方法として、図５に示すように、まず、同図（ａ）
に示すように、絶縁基板１の一主面の固着位置以外を樹
脂等のマスク１０ａで覆った後、同図（ｂ）に示すよう
に、スクリーン印刷法等で固定位置に接着剤１４ａを塗
布するようにする。いずれの方法による接着剤１４、１
４ａによっても、上記の粗面部７と同様の役割を担わせ
ることができる。
く固着するためには、粗面部７に代えて、接着剤を利用
することもできる。この場合、１つの方法として、図４
に示すように、絶縁基板１の一主面の固着位置にニード
ル１３から部分的に接着剤１４を塗布するようにする。
他の方法として、図５に示すように、まず、同図（ａ）
に示すように、絶縁基板１の一主面の固着位置以外を樹
脂等のマスク１０ａで覆った後、同図（ｂ）に示すよう
に、スクリーン印刷法等で固定位置に接着剤１４ａを塗
布するようにする。いずれの方法による接着剤１４、１
４ａによっても、上記の粗面部７と同様の役割を担わせ
ることができる。
【００３０】次に、同図（ｃ）に示すように、絶縁基板
１の一主面上に、略０．３５×０．３５×０．１６mmの
微小サイズの半導体チップ３をフェースダウンボンディ
ングする。このフェースダウンボンディングは、半導体
チップ３の電極パッド４をはんだ、金等のボール状導体
５を通じて配線パターン２に接続する。
１の一主面上に、略０．３５×０．３５×０．１６mmの
微小サイズの半導体チップ３をフェースダウンボンディ
ングする。このフェースダウンボンディングは、半導体
チップ３の電極パッド４をはんだ、金等のボール状導体
５を通じて配線パターン２に接続する。
【００３１】次に、同図（ｄ）に示すように、パッケー
ジ基板６ｂを中空部６ａが半導体チップ３を封止するよ
うに、その基部６ｅを絶縁基板１の粗面部７に熱圧着法
により固着する。この熱圧着法は、温度略１７５℃、圧
力７０〜１２０g／ｃｍ2、硬化時間１５〜２５秒の条件
で行う。このパッケージ基板６ｂの固着は、その固着位
置が半導体チップ３の接続位置から略５０μｍ離れた位
置に固着させるようにする。
ジ基板６ｂを中空部６ａが半導体チップ３を封止するよ
うに、その基部６ｅを絶縁基板１の粗面部７に熱圧着法
により固着する。この熱圧着法は、温度略１７５℃、圧
力７０〜１２０g／ｃｍ2、硬化時間１５〜２５秒の条件
で行う。このパッケージ基板６ｂの固着は、その固着位
置が半導体チップ３の接続位置から略５０μｍ離れた位
置に固着させるようにする。
【００３２】次に、同図（ｅ）に示すように、パッケー
ジ基板６ｂ及び絶縁基板１を、ダイシングブレードを用
いて個々の半導体チップ３ごとに切断分離することによ
り、図１に示したような半導体装置が製造される。
ジ基板６ｂ及び絶縁基板１を、ダイシングブレードを用
いて個々の半導体チップ３ごとに切断分離することによ
り、図１に示したような半導体装置が製造される。
【００３３】このように、この実施例の構成によれば、
半導体チップ３が機械的強度に優れた絶縁基板１の一主
面上に接続され、また、中空状のパッケージ６が半導体
チップ３を封止するように、半導体チップ３の接続位置
から離れた位置の絶縁基板１の一主面上に固着されてい
るので、パッケージ６による外力が半導体チップ３に加
わらないため、半導体装置の接続信頼性を向上させるこ
とができる。また、パッケージ６の中空部６ａを高精度
で形成することができるので、微小サイズの半導体チッ
プ３への適用が可能となる。さらに、絶縁基板１の一主
面上の中空状のパッケージ６を固着する位置には、粗面
部７が形成されているので、パッケージ６を密着性良く
固着することができる。また、中空状のパッケージ６
は、絶縁基板１の一主面上のみに設けられているので、
パッケージ６の材料費が少なくなるので、生産性を向上
させることができる。
半導体チップ３が機械的強度に優れた絶縁基板１の一主
面上に接続され、また、中空状のパッケージ６が半導体
チップ３を封止するように、半導体チップ３の接続位置
から離れた位置の絶縁基板１の一主面上に固着されてい
るので、パッケージ６による外力が半導体チップ３に加
わらないため、半導体装置の接続信頼性を向上させるこ
とができる。また、パッケージ６の中空部６ａを高精度
で形成することができるので、微小サイズの半導体チッ
プ３への適用が可能となる。さらに、絶縁基板１の一主
面上の中空状のパッケージ６を固着する位置には、粗面
部７が形成されているので、パッケージ６を密着性良く
固着することができる。また、中空状のパッケージ６
は、絶縁基板１の一主面上のみに設けられているので、
パッケージ６の材料費が少なくなるので、生産性を向上
させることができる。
【００３４】◇第１参考例 図６は、この発明の第１参考例である半導体装置の構成
を概略示す断面図である。この第１参考例の半導体装置
の構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異なるとこ
ろは、半導体チップ３が絶縁基板１の一主面上にフェー
スアップボンディングされている点である。すなわち、
半導体チップ３は接着剤によって絶縁基板１の一主面上
に接続され、その電極パッド４は金線、アルミニウム線
等のボンディングワイヤ１５を通じて、絶縁基板１の配
線パターン２に接続されている。なお、上記以外の点で
は、上述の第１実施例と略同様であるので、図６におい
て、図１の構成部分と同一の各部には、同一の符号を付
してその説明を省略する。
を概略示す断面図である。この第１参考例の半導体装置
の構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異なるとこ
ろは、半導体チップ３が絶縁基板１の一主面上にフェー
スアップボンディングされている点である。すなわち、
半導体チップ３は接着剤によって絶縁基板１の一主面上
に接続され、その電極パッド４は金線、アルミニウム線
等のボンディングワイヤ１５を通じて、絶縁基板１の配
線パターン２に接続されている。なお、上記以外の点で
は、上述の第１実施例と略同様であるので、図６におい
て、図１の構成部分と同一の各部には、同一の符号を付
してその説明を省略する。
【００３５】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたと略同様の効果を得ることがで
きる。加えて、上述の第１実施例の場合に比べて、ボン
ディングワイヤ１５が半導体チップ３の周囲に配置され
ているので、ボンディングワイヤ１５がパッケージ６に
触れて外力を受ける可能性がより大きくなるが、パッケ
ージ６の中空部６ａを高精度で形成できるため、そのよ
うな可能性を解消することができる。
１実施例において述べたと略同様の効果を得ることがで
きる。加えて、上述の第１実施例の場合に比べて、ボン
ディングワイヤ１５が半導体チップ３の周囲に配置され
ているので、ボンディングワイヤ１５がパッケージ６に
触れて外力を受ける可能性がより大きくなるが、パッケ
ージ６の中空部６ａを高精度で形成できるため、そのよ
うな可能性を解消することができる。
【００３６】◇第２参考例 図７は、この発明の第２参考例である半導体装置の構成
を概略示す断面図である。この第２参考例の半導体装置
の構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異なるとこ
ろは、絶縁基板１の一主面上の配線パターン２がパッケ
ージ４の外部に延長されておらずに、絶縁基板１の他主
面上に形成された配線パターン２ａに接続されている点
である。すなわち、絶縁基板１の一主面上の配線パター
ン２は、絶縁基板１に形成されたスルーホール配線１６
を通じて、他主面上の配線パターン２ａに接続されてい
る。そして、その配線パターン２ａには外部端子として
働く、はんだ、金等のボール状外部端子１７に接続され
ている。いわゆる、ＢＧＡ（Ball Grid Array）端子構
造になっている。
を概略示す断面図である。この第２参考例の半導体装置
の構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異なるとこ
ろは、絶縁基板１の一主面上の配線パターン２がパッケ
ージ４の外部に延長されておらずに、絶縁基板１の他主
面上に形成された配線パターン２ａに接続されている点
である。すなわち、絶縁基板１の一主面上の配線パター
ン２は、絶縁基板１に形成されたスルーホール配線１６
を通じて、他主面上の配線パターン２ａに接続されてい
る。そして、その配線パターン２ａには外部端子として
働く、はんだ、金等のボール状外部端子１７に接続され
ている。いわゆる、ＢＧＡ（Ball Grid Array）端子構
造になっている。
【００３７】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたと略同様の効果を得ることがで
きる。加えて、上述の第１実施例の場合に比べて、外部
端子として働くボール状の外部端子１７がパッケージ６
の外部でなく、絶縁基板１の他主面上に配置されている
ので、部品としてプリント基板に実装する場合に、実装
面積が節約することができる。
１実施例において述べたと略同様の効果を得ることがで
きる。加えて、上述の第１実施例の場合に比べて、外部
端子として働くボール状の外部端子１７がパッケージ６
の外部でなく、絶縁基板１の他主面上に配置されている
ので、部品としてプリント基板に実装する場合に、実装
面積が節約することができる。
【００３８】◇第３参考例 図８は、この発明の第３参考例である半導体装置の構成
を概略示す断面図である。この第３参考例の構成が、上
述の第２参考例のそれと大きく異なるところは、絶縁基
板１の他主面上の配線パターン２ａに、ピン状の外部端
子１８を接続するようにした点である。いわゆる、ＰＧ
Ａ（Pinl Grid Array）端子構造になっている。このよ
うに、この例の構成によっても、第２参考例において述
べたと略同様の効果を得ることができる。
を概略示す断面図である。この第３参考例の構成が、上
述の第２参考例のそれと大きく異なるところは、絶縁基
板１の他主面上の配線パターン２ａに、ピン状の外部端
子１８を接続するようにした点である。いわゆる、ＰＧ
Ａ（Pinl Grid Array）端子構造になっている。このよ
うに、この例の構成によっても、第２参考例において述
べたと略同様の効果を得ることができる。
【００３９】◇第４参考例 図９は、この発明の第４参考例である半導体装置の構成
を概略示す断面図である。この第４参考例の構成が、上
述の第２参考例のそれと大きく異なるところは、半導体
チップ３が絶縁基板１の一主面上にフェースアップボン
ディングされている点である。
を概略示す断面図である。この第４参考例の構成が、上
述の第２参考例のそれと大きく異なるところは、半導体
チップ３が絶縁基板１の一主面上にフェースアップボン
ディングされている点である。
【００４０】このように、この例の構成によっても、第
２参考例において述べたと略同様の効果を得ることがで
きる。加えて、上述の第２参考例の場合に比べて、ボン
ディングワイヤ１５が半導体チップ３の周囲に配置され
ているので、ボンディングワイヤ１５がパッケージ６に
触れて外力を受ける可能性がより大きくなるが、パッケ
ージ６の中空部６ａを高精度で形成できるため、そのよ
うな可能性を解消することができる。
２参考例において述べたと略同様の効果を得ることがで
きる。加えて、上述の第２参考例の場合に比べて、ボン
ディングワイヤ１５が半導体チップ３の周囲に配置され
ているので、ボンディングワイヤ１５がパッケージ６に
触れて外力を受ける可能性がより大きくなるが、パッケ
ージ６の中空部６ａを高精度で形成できるため、そのよ
うな可能性を解消することができる。
【００４１】◇第５参考例 図１０は、この発明の第５参考例である半導体装置の構
成を概略示す断面図である。この第５参考例の構成が、
上述の第３参考例のそれと大きく異なるところは、半導
体チップ３が絶縁基板１の一主面上にフェースアップボ
ンディングされている点である。
成を概略示す断面図である。この第５参考例の構成が、
上述の第３参考例のそれと大きく異なるところは、半導
体チップ３が絶縁基板１の一主面上にフェースアップボ
ンディングされている点である。
【００４２】このように、この例の構成によっても、第
３参考例において述べたと略同様の効果を得ることがで
きる。加えて、上述の第３参考例の場合に比べて、ボン
ディングワイヤ１５が半導体チップ３の周囲に配置され
ているので、ボンディングワイヤ１５がパッケージ６に
触れて外力を受ける可能性がより大きくなるが、パッケ
ージ６の中空部６ａを高精度で形成できるため、そのよ
うな可能性を解消することができる。
３参考例において述べたと略同様の効果を得ることがで
きる。加えて、上述の第３参考例の場合に比べて、ボン
ディングワイヤ１５が半導体チップ３の周囲に配置され
ているので、ボンディングワイヤ１５がパッケージ６に
触れて外力を受ける可能性がより大きくなるが、パッケ
ージ６の中空部６ａを高精度で形成できるため、そのよ
うな可能性を解消することができる。
【００４３】◇第２実施例 図１１は、この発明の第２実施例である半導体装置の製
造方法により製造された半導体装置の構成を示す図で、
同図（ａ）は同半導体装置の平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、また、図１２は、同半導体
装置の製造方法を工程順に示す工程図である。この例の
半導体装置の製造方法により製造された半導体装置は、
同図に示すように、プラスチック基板、セラミック基板
等の絶縁基板２１の一主面が、凹部２１ａ及び凸部２１
ｂを有する凹凸状に形成されている。そして、絶縁基板
２１の一主面の凹部２１ａ上には配線パターン２２が形
成され、その凹部２１ａ上に半導体チップ２３がフェー
スダウンボンディングされている。一例として、半導体
チップ２３は、略１×１ｍｍの微小サイズを有してい
る。半導体チップ２３は、具体的にはその電極パッド２
４がはんだ、金等のボール状導体２５を通じて配線パタ
ーン２２に接続されている。
造方法により製造された半導体装置の構成を示す図で、
同図（ａ）は同半導体装置の平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、また、図１２は、同半導体
装置の製造方法を工程順に示す工程図である。この例の
半導体装置の製造方法により製造された半導体装置は、
同図に示すように、プラスチック基板、セラミック基板
等の絶縁基板２１の一主面が、凹部２１ａ及び凸部２１
ｂを有する凹凸状に形成されている。そして、絶縁基板
２１の一主面の凹部２１ａ上には配線パターン２２が形
成され、その凹部２１ａ上に半導体チップ２３がフェー
スダウンボンディングされている。一例として、半導体
チップ２３は、略１×１ｍｍの微小サイズを有してい
る。半導体チップ２３は、具体的にはその電極パッド２
４がはんだ、金等のボール状導体２５を通じて配線パタ
ーン２２に接続されている。
【００４４】絶縁基板２１の一主面の凸部２１ｂ上に
は、第１実施例における粗面部７に相当した粗面部（図
示せず）が形成されていて、この粗面部に半導体チップ
２３を封止するように、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂
等の熱硬化性樹脂等からなる例えば平面形状が方形の樹
脂シート２６が熱圧着法等で固着されている。そして、
絶縁基板２１の凸部２１ｂとシート２６とによって、中
空状のパッケージ２７が構成されている。絶縁基板２１
の一主面の凹部２１ａ上の配線パターン２２は、パッケ
ージ２７の外部まで延長するように形成されていて、外
部端子として使用されるようになっている。
は、第１実施例における粗面部７に相当した粗面部（図
示せず）が形成されていて、この粗面部に半導体チップ
２３を封止するように、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂
等の熱硬化性樹脂等からなる例えば平面形状が方形の樹
脂シート２６が熱圧着法等で固着されている。そして、
絶縁基板２１の凸部２１ｂとシート２６とによって、中
空状のパッケージ２７が構成されている。絶縁基板２１
の一主面の凹部２１ａ上の配線パターン２２は、パッケ
ージ２７の外部まで延長するように形成されていて、外
部端子として使用されるようになっている。
【００４５】次に、図１２を参照して、この例の半導体
装置の製造方法について工程順に説明する。まず、同図
（ａ）に示すように、プラスチック基板、セラミック基
板等からなり、一主面が凹部２１ａ及び凸部２１ｂを有
する凹凸状に形成され、その凹部２１ａ上に配線パター
ン２２が形成された絶縁基板２１を用意する。この場
合、第１実施例と同様に、絶縁基板２１の一主面上の配
線パターン２２を含む領域を、樹脂等のマスクで覆った
状態で、樹脂シート２６が固着される位置である凸部２
１ｂ表面に粗面部（図示せず）を形成する。凹部２１ａ
は略０．１〜０．２mmの厚さに、凸部２１ｂは略０．２
〜０．３mmの厚さに形成される。そのような絶縁基板２
１の形成は、周知のセラミック基板形成技術を利用する
ことにより、容易に形成できるのでその詳細な説明は省
略する。また、セラミック基板形成技術によって凹部２
１ａを高精度で形成することができる。
装置の製造方法について工程順に説明する。まず、同図
（ａ）に示すように、プラスチック基板、セラミック基
板等からなり、一主面が凹部２１ａ及び凸部２１ｂを有
する凹凸状に形成され、その凹部２１ａ上に配線パター
ン２２が形成された絶縁基板２１を用意する。この場
合、第１実施例と同様に、絶縁基板２１の一主面上の配
線パターン２２を含む領域を、樹脂等のマスクで覆った
状態で、樹脂シート２６が固着される位置である凸部２
１ｂ表面に粗面部（図示せず）を形成する。凹部２１ａ
は略０．１〜０．２mmの厚さに、凸部２１ｂは略０．２
〜０．３mmの厚さに形成される。そのような絶縁基板２
１の形成は、周知のセラミック基板形成技術を利用する
ことにより、容易に形成できるのでその詳細な説明は省
略する。また、セラミック基板形成技術によって凹部２
１ａを高精度で形成することができる。
【００４６】次に、同図（ｂ）に示すように、絶縁基板
２１の一主面の凹部２１ａ上に、略０．３５×０．３５
×０．１６mmの微小サイズの半導体チップ２３をフェー
スダウンボンディングする。このフェースダウンボンデ
ィングは、半導体チップ２３の電極パッド２４をはん
だ、金等のボール状導体２５を通じて配線パターン２２
に接続する。
２１の一主面の凹部２１ａ上に、略０．３５×０．３５
×０．１６mmの微小サイズの半導体チップ２３をフェー
スダウンボンディングする。このフェースダウンボンデ
ィングは、半導体チップ２３の電極パッド２４をはん
だ、金等のボール状導体２５を通じて配線パターン２２
に接続する。
【００４７】次に、同図（ｃ）に示すように、例えばエ
ポキシ樹脂の一種であるクレゾールノボラックタイプの
熱硬化性樹脂からなる、略０．５mmの厚さの樹脂シート
２６を用いて、半導体チップ２３を封止するように、絶
縁基板２１の一主面の凸部２１ｂ上に熱圧着法等により
に固着する。これにより、絶縁基板２１の凹部２１ａと
樹脂シート２６とによって、中空状のパッケージ２７が
構成される。次に、同図（ｄ）に示すように、絶縁基板
２１及び樹脂シート２６を、ダイシングブレードを用い
て個々の半導体チップ２３ごとに分離することにより、
図１１に示したような半導体装置が製造される。
ポキシ樹脂の一種であるクレゾールノボラックタイプの
熱硬化性樹脂からなる、略０．５mmの厚さの樹脂シート
２６を用いて、半導体チップ２３を封止するように、絶
縁基板２１の一主面の凸部２１ｂ上に熱圧着法等により
に固着する。これにより、絶縁基板２１の凹部２１ａと
樹脂シート２６とによって、中空状のパッケージ２７が
構成される。次に、同図（ｄ）に示すように、絶縁基板
２１及び樹脂シート２６を、ダイシングブレードを用い
て個々の半導体チップ２３ごとに分離することにより、
図１１に示したような半導体装置が製造される。
【００４８】このように、この第２実施例の構成によれ
ば、半導体チップ２４が機械的強度に優れた絶縁基板２
１の一主面の凹部２１ａ上に接続され、また、樹脂シー
ト２６を半導体チップ２３を封止するようにその凸部２
１ｂ上に固着して、凸部２１ｂと樹脂シート２６とによ
って、中空状のパッケージ２７を構成するようにしたの
で、中空状のパッケージ２７が、半導体チップ２３の接
続位置から離れた位置の絶縁基板２１の一主面上に形成
されているので、パッケージ２７による外力が半導体チ
ップ２３に加わらないため、半導体装置の接続信頼性を
向上させることができる。
ば、半導体チップ２４が機械的強度に優れた絶縁基板２
１の一主面の凹部２１ａ上に接続され、また、樹脂シー
ト２６を半導体チップ２３を封止するようにその凸部２
１ｂ上に固着して、凸部２１ｂと樹脂シート２６とによ
って、中空状のパッケージ２７を構成するようにしたの
で、中空状のパッケージ２７が、半導体チップ２３の接
続位置から離れた位置の絶縁基板２１の一主面上に形成
されているので、パッケージ２７による外力が半導体チ
ップ２３に加わらないため、半導体装置の接続信頼性を
向上させることができる。
【００４９】また、パッケージ２７の中空部となる凹部
２１ａを高精度で形成することができるので、微小サイ
ズの半導体チップ２３への適用が可能となる。また、中
空状のパッケージ２７は絶縁基板２１の一主面上のみに
設けられているので、パッケージ２７の材料費が少なく
なるので、生産性を向上させることができる。
２１ａを高精度で形成することができるので、微小サイ
ズの半導体チップ２３への適用が可能となる。また、中
空状のパッケージ２７は絶縁基板２１の一主面上のみに
設けられているので、パッケージ２７の材料費が少なく
なるので、生産性を向上させることができる。
【００５０】◇第６参考例 図１３は、この発明の第６参考例である半導体装置の構
成を概略示す断面図である。この第６参考例の半導体装
置の構成が、上述の第２実施例のそれと大きく異なると
ころは、半導体チップ２３が絶縁基板２１の一主面の凹
部２１ａ上にフェースアップボンディングされている点
である。すなわち、半導体チップ２３は接着剤によって
絶縁基板２１の一主面の凹部２１ａ上に接続され、その
電極パッド２４は金線、アルミニウム線等のボンディン
グワイヤ２８を通じて、絶縁基板２１の配線パターン２
２に接続されている。
成を概略示す断面図である。この第６参考例の半導体装
置の構成が、上述の第２実施例のそれと大きく異なると
ころは、半導体チップ２３が絶縁基板２１の一主面の凹
部２１ａ上にフェースアップボンディングされている点
である。すなわち、半導体チップ２３は接着剤によって
絶縁基板２１の一主面の凹部２１ａ上に接続され、その
電極パッド２４は金線、アルミニウム線等のボンディン
グワイヤ２８を通じて、絶縁基板２１の配線パターン２
２に接続されている。
【００５１】このように、この例の構成によっても、第
２実施例において述べたと略同様の効果を得ることがで
きる。加えて、上述の第２実施例の場合に比べて、ボン
ディングワイヤ２８が半導体チップ２３の周囲に配置さ
れているので、ボンディングワイヤ２８がパッケージ２
７に触れて外力を受ける可能性がより大きくなるが、パ
ッケージ２７の中空部となる凹部２１ａを高精度で形成
できるため、そのような可能性を解消することができ
る。
２実施例において述べたと略同様の効果を得ることがで
きる。加えて、上述の第２実施例の場合に比べて、ボン
ディングワイヤ２８が半導体チップ２３の周囲に配置さ
れているので、ボンディングワイヤ２８がパッケージ２
７に触れて外力を受ける可能性がより大きくなるが、パ
ッケージ２７の中空部となる凹部２１ａを高精度で形成
できるため、そのような可能性を解消することができ
る。
【００５２】◇第７参考例 図１４は、この発明の第７参考例である半導体装置の構
成を概略示す断面図である。この第７参考例の半導体装
置の構成が、上述の第２実施例のそれと大きく異なると
ころは、絶縁基板２１の一主面の凹部２１ａ上の配線パ
ターン２２がパッケージ２７の外部に延長されておらず
に、絶縁基板２１の他主面上に形成された配線パターン
２２ａに接続されている点である。すなわち、絶縁基板
２１の一主面の凹部２１ａ上の配線パターン２２は、絶
縁基板２１の凹部２１ａに形成されたスルーホール配線
２９を通じて、他主面上の配線パターン２２ａに接続さ
れている。そして、その配線パターン２２ａには外部端
子として働く、はんだ、金等のボール状の外部端子３０
に接続されている。いわゆる、ＢＧＡ端子構造になって
いる。
成を概略示す断面図である。この第７参考例の半導体装
置の構成が、上述の第２実施例のそれと大きく異なると
ころは、絶縁基板２１の一主面の凹部２１ａ上の配線パ
ターン２２がパッケージ２７の外部に延長されておらず
に、絶縁基板２１の他主面上に形成された配線パターン
２２ａに接続されている点である。すなわち、絶縁基板
２１の一主面の凹部２１ａ上の配線パターン２２は、絶
縁基板２１の凹部２１ａに形成されたスルーホール配線
２９を通じて、他主面上の配線パターン２２ａに接続さ
れている。そして、その配線パターン２２ａには外部端
子として働く、はんだ、金等のボール状の外部端子３０
に接続されている。いわゆる、ＢＧＡ端子構造になって
いる。
【００５３】このように、この例の構成によっても、第
２実施例において述べたと略同様の効果を得ることがで
きる。加えて、上述の第２実施例の場合に比べて、外部
端子として働くボール状の外部端子３０がパッケージ２
７の外部でなく、絶縁基板２１の他主面上に配置されて
いるので、部品としてプリント基板に実装する場合に、
実装面積が節約することができる。
２実施例において述べたと略同様の効果を得ることがで
きる。加えて、上述の第２実施例の場合に比べて、外部
端子として働くボール状の外部端子３０がパッケージ２
７の外部でなく、絶縁基板２１の他主面上に配置されて
いるので、部品としてプリント基板に実装する場合に、
実装面積が節約することができる。
【００５４】◇第８参考例 図１５は、この発明の第８参考例である半導体装置の構
成を概略示す断面図である。この第８参考例の半導体装
置の構成が、上述の第７参考のそれと大きく異なるとこ
ろは、絶縁基板２１の他主面上の配線パターン２２ａ
に、ピン状の外部端子３１を接続するようにした点であ
る。いわゆる、ＰＧＡ端子構造になっている。このよう
に、この例の構成によっても、第７参考例において述べ
たと略同様の効果を得ることができる。
成を概略示す断面図である。この第８参考例の半導体装
置の構成が、上述の第７参考のそれと大きく異なるとこ
ろは、絶縁基板２１の他主面上の配線パターン２２ａ
に、ピン状の外部端子３１を接続するようにした点であ
る。いわゆる、ＰＧＡ端子構造になっている。このよう
に、この例の構成によっても、第７参考例において述べ
たと略同様の効果を得ることができる。
【００５５】◇第９参考例 図１６は、この発明の第９参考例である半導体装置の構
成を概略示す断面図である。この第９参考例の半導体装
置の構成が、上述の第７参考例のそれと大きく異なると
ころは、半導体チップ２３が絶縁基板２１の一主面の凹
部２１ａ上にフェースアップボンディングされている点
である。このように、この例の構成によっても、第７参
考例において述べたと略同様の効果を得ることができ
る。
成を概略示す断面図である。この第９参考例の半導体装
置の構成が、上述の第７参考例のそれと大きく異なると
ころは、半導体チップ２３が絶縁基板２１の一主面の凹
部２１ａ上にフェースアップボンディングされている点
である。このように、この例の構成によっても、第７参
考例において述べたと略同様の効果を得ることができ
る。
【００５６】◇第１０参考例 図１７は、この発明の第１０参考例である半導体装置の
構成を概略示す断面図である。この第１０参考例の半導
体装置の構成が、上述の第９参考例のそれと大きく異な
るところは、絶縁基板２１の他主面上の配線パターン２
２ａに、ピン状の外部端子３２を接続するようにした点
である。いわゆる、ＰＧＡ端子構造になっている。この
ように、この例の構成によっても、第９参考例において
述べたと略同様の効果を得ることができる。
構成を概略示す断面図である。この第１０参考例の半導
体装置の構成が、上述の第９参考例のそれと大きく異な
るところは、絶縁基板２１の他主面上の配線パターン２
２ａに、ピン状の外部端子３２を接続するようにした点
である。いわゆる、ＰＧＡ端子構造になっている。この
ように、この例の構成によっても、第９参考例において
述べたと略同様の効果を得ることができる。
【００５７】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、配線基
板１、２１に形成する配線パターン２、２ａ、２２、２
２ａの数や、ボール状の外部端子、ピン状の外部端子の
数等は、任意に増減できる。また、中空状のパッケージ
６、２７の平面形状は、方形に限らずに、円形、多角形
等に変更することができる。
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、配線基
板１、２１に形成する配線パターン２、２ａ、２２、２
２ａの数や、ボール状の外部端子、ピン状の外部端子の
数等は、任意に増減できる。また、中空状のパッケージ
６、２７の平面形状は、方形に限らずに、円形、多角形
等に変更することができる。
【００５８】また、パッケージ基板６ｂ、６ｄ、樹脂シ
ート２６等を絶縁基板１、２１の一主面上に固着する手
段としては、熱圧着法に限らずに、超音波併用熱圧着法
を利用することができる。また、絶縁基板１のパッケー
ジ６の固着位置に、接着剤１４、１４ａを塗布した場合
には、光照射を利用して接着剤１４、１４ａを硬化処理
してパッケージ６を固着することもできる。
ート２６等を絶縁基板１、２１の一主面上に固着する手
段としては、熱圧着法に限らずに、超音波併用熱圧着法
を利用することができる。また、絶縁基板１のパッケー
ジ６の固着位置に、接着剤１４、１４ａを塗布した場合
には、光照射を利用して接着剤１４、１４ａを硬化処理
してパッケージ６を固着することもできる。
【００５９】また、半導体チップ３、２３のサイズ、絶
縁基板１、２１の厚さ、パッケージ基板６ｂ、６ｄ、樹
脂シート２６の厚さ等の値、特殊加工処理の条件、熱圧
着法の条件などは、必要に応じて変更することが可能で
ある。
縁基板１、２１の厚さ、パッケージ基板６ｂ、６ｄ、樹
脂シート２６の厚さ等の値、特殊加工処理の条件、熱圧
着法の条件などは、必要に応じて変更することが可能で
ある。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の構成に
よれば、半導体チップが機械的強度に優れた絶縁基板の
一主面上に接続され、また、中空状のパッケージが半導
体チップを封止するように、半導体チップの接続位置か
ら離れた位置の絶縁基板の一主面上に固着されているの
で、パッケージによる外力が半導体チップに加わらない
ため、半導体装置の接続信頼性を向上させることができ
る。また、パッケージの中空部を高精度で形成すること
ができるので、微小サイズの半導体チップへの適用が可
能となる。また、絶縁基板の一主面上の中空状のパッケ
ージを固着する位置には、特殊処理が施されているの
で、パッケージを密着性良く固着できる。また、中空状
のパッケージは絶縁基板の一主面上のみに設けられてい
るので、パッケージの材料費が嵩ばらず、それゆえ、生
産性の向上を図ることができる。
よれば、半導体チップが機械的強度に優れた絶縁基板の
一主面上に接続され、また、中空状のパッケージが半導
体チップを封止するように、半導体チップの接続位置か
ら離れた位置の絶縁基板の一主面上に固着されているの
で、パッケージによる外力が半導体チップに加わらない
ため、半導体装置の接続信頼性を向上させることができ
る。また、パッケージの中空部を高精度で形成すること
ができるので、微小サイズの半導体チップへの適用が可
能となる。また、絶縁基板の一主面上の中空状のパッケ
ージを固着する位置には、特殊処理が施されているの
で、パッケージを密着性良く固着できる。また、中空状
のパッケージは絶縁基板の一主面上のみに設けられてい
るので、パッケージの材料費が嵩ばらず、それゆえ、生
産性の向上を図ることができる。
【図１】この発明の第１実施例である半導体装置の製造
方法により製造された半導体装置の構成を示す図で、同
図（ａ）は同半導体装置の平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図ある。
方法により製造された半導体装置の構成を示す図で、同
図（ａ）は同半導体装置の平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図ある。
【図２】同半導体装置の製造方法を工程順に示す工程図
である。
である。
【図３】同半導体装置の製造方法の一部の工程の置き換
えを示す工程図である。
えを示す工程図である。
【図４】同半導体装置の製造方法の一部の工程の置き換
えを示す工程図である。
えを示す工程図である。
【図５】同半導体装置の製造方法の一部の工程の置き換
えを示す工程図である。
えを示す工程図である。
【図６】この発明の第１参考例である半導体装置の構成
を示す断面図ある。
を示す断面図ある。
【図７】この発明の第２参考例である半導体装置の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】この発明の第３参考例である半導体装置の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】この発明の第４参考例である半導体装置の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１０】この発明の第５参考例である半導体装置の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図１１】この発明の第２実施例である半導体装置の製
造方法により製造された半導体装置の構成を示す図で、
同図（ａ）は同半導体装置の平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図ある。
造方法により製造された半導体装置の構成を示す図で、
同図（ａ）は同半導体装置の平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図ある。
【図１２】同半導体装置の製造方法を工程順に示す工程
図である。
図である。
【図１３】この発明の第６参考例である半導体装置の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図１４】この発明の第７参考例である半導体装置の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図１５】この発明の第８参考例である半導体装置の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図１６】この発明の第９参考例である半導体装置の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図１７】この発明の第１０参考例である半導体装置の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図１８】従来における半導体装置の構成を示す断面図
である。
である。
【図１９】従来における別の半導体装置の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２０】同半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
る。
７ 粗面部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−153059（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−134956（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−42440（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−128948（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−224251（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−116852（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−101538（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/02 - 23/10 H01L 23/28
Claims (2)
- 【請求項１】 シート状の絶縁基板に複数の中空部を形
成するパッケージ基板形成工程と、 一主面上に半導体チップの電極パッドに対応した配線パ
ターンを形成する絶縁基板形成工程と、 前記絶縁基板の配線パターンを含む領域をマスクした状
態で、前記パッケージ基板が熱圧着される位置に粗面部
を形成する粗面部形成工程と、 前記絶縁基板の前記一主面上に前記半導体チップを接続
した後、前記中空部が対応する半導体チップを封止する
ように、前記絶縁基板の前記一主面上の粗面部に前記パ
ッケージ基板を熱圧着するパッケージ基板熱圧着工程
と、 前記パッケージ基板及び前記絶縁基板を、個々の半導体
チップごとに分離する基板分離工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 一主面が凹凸状に形成され、その凹部上
に半導体チップの電極パッドに対応した配線パターンを
形成する絶縁基板形成工程と、 前記絶縁基板の配線パターンを含む領域をマスクした状
態で、パッケージ基板が熱圧着される位置に粗面部を形
成する粗面部形成工程と、 前記絶縁基板の一主面の凹部上に前記半導体チップを接
続した後、前記半導体チップを封止するように、前記絶
縁基板の一主面の凸部上の粗面部に樹脂性のシートから
なるパッケージ基板を熱圧着するパッケージ基板熱圧着
工程と、 前記パッケージ基板及び前記絶縁基板を、個々の半導体
チップごとに分離する基板分離工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00870898A JP3339397B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00870898A JP3339397B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214549A JPH11214549A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3339397B2 true JP3339397B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=11700449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00870898A Expired - Fee Related JP3339397B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3339397B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4565728B2 (ja) * | 2000-10-10 | 2010-10-20 | 三洋電機株式会社 | 中空気密パッケージ型の半導体装置 |
| JP4565727B2 (ja) * | 2000-10-10 | 2010-10-20 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009065205A (ja) * | 2003-10-30 | 2009-03-26 | Kyocera Corp | 電子装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-01-20 JP JP00870898A patent/JP3339397B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11214549A (ja) | 1999-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100294719B1 (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 및 그 제조방법, 리드프레임 | |
| US8178955B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2978861B2 (ja) | モールドｂｇａ型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4476381B2 (ja) | 半導体チップパッケージ及びその製造方法 | |
| KR100510556B1 (ko) | 초박형 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| TW200414471A (en) | Semiconductor device and manufacturing method for the same | |
| JP2003234359A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0794553A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH1050878A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2002270717A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08306738A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US7964493B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2005142466A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3339397B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4035949B2 (ja) | 配線基板及びそれを用いた半導体装置、ならびにその製造方法 | |
| JP3899755B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08236665A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| CN100470781C (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| JPH08236560A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JP2003051511A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100456815B1 (ko) | 반도체 패키지 및 이것의 반도체 칩 부착방법 | |
| JP3397045B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US20030205793A1 (en) | Wire-bonded chip on board package | |
| JP2000228457A (ja) | 半導体装置、その製造方法及びテープキャリア | |
| JP3745106B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070816 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 8 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110816 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120816 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120816 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130816 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |