JP3365663B2 - Semiconductor manufacturing apparatus and cooling gas introduction / exhaust method using the apparatus - Google Patents
Semiconductor manufacturing apparatus and cooling gas introduction / exhaust method using the apparatusInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置及び該装
置を用いた冷却ガス導入排気方法に関し、より詳細には
電極に固定された試料を冷却しながらプラズマ処理等を
行うことができる半導体製造装置及び該装置を用いた冷
却ガス導入排気方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a cooling gas introducing / exhausting method using the apparatus, and more particularly to semiconductor manufacturing capable of performing plasma processing while cooling a sample fixed to an electrode. The present invention relates to an apparatus and a cooling gas introducing / exhausting method using the apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体製造過程の薄膜形成工程や
ドライエッチング工程等で使用される半導体製造装置に
おいては、処理中の試料がプラズマ等の照射を受けるこ
とにより高温に加熱される。しかし該試料が高温になる
と、該試料が破損したり、良好な処理ができなかったり
するという問題が発生する。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing apparatus used in a thin film forming process or a dry etching process in a semiconductor manufacturing process, a sample being processed is heated to a high temperature by being irradiated with plasma or the like. However, when the temperature of the sample becomes high, there arises a problem that the sample is damaged or good processing cannot be performed.
【０００３】このような問題に対処するため、高い熱伝
導率を有する金属を用いて形成された試料台に冷却機構
が埋設された半導体製造装置が広く用いられており、こ
のような構成の半導体製造装置では、試料の冷却は主と
して前記試料台からの熱伝導により行われる。しかしな
がら、前記試料が前記試料台上に載置されるだけでは前
記試料と前記試料台との密着性が悪く、良好な前記試料
の温度制御を行うことは困難であった。In order to cope with such a problem, a semiconductor manufacturing apparatus in which a cooling mechanism is embedded in a sample stage made of a metal having a high thermal conductivity is widely used, and a semiconductor having such a structure is used. In the manufacturing apparatus, the sample is cooled mainly by heat conduction from the sample table. However, only by mounting the sample on the sample table, the adhesion between the sample and the sample table was poor, and it was difficult to perform good temperature control of the sample.
【０００４】そこで近年、試料台と試料との密着性を良
好にするためのリング状の押え板や爪状の押え治具等、
あるいは静電力の吸着作用を利用する静電チャック等の
試料固定機構と、冷却ガスにより前記試料を冷却するた
めの冷却ガス導入排気機構とを備えた半導体製造装置が
開発されている。Therefore, in recent years, a ring-shaped presser plate, a claw-shaped presser jig, etc. for improving the adhesion between the sample table and the sample,
Alternatively, a semiconductor manufacturing apparatus has been developed which is provided with a sample fixing mechanism such as an electrostatic chuck that utilizes the adsorption action of electrostatic force, and a cooling gas introducing / exhausting mechanism for cooling the sample with a cooling gas.
【０００５】図５は従来の押え板及び冷却ガス導入排気
機構を備えた半導体製造装置を示した模式的断面図であ
る。図中１１は処理室を示しており、処理室１１の上方
には上部電極１２がセラミックシールド２０によって支
持されている。上部電極１２の上方には中央部にプロセ
スガス供給路１６が形成されたシ−ルプレ−ト１５が配
設されており、プロセスガス供給路１６にはガス供給源
（図示せず）が接続されている。また、シ−ルプレ−ト
１５と上部電極１２との間にはバッフル板２１が介装さ
れており、このバッフル板２１に形成された開口部２１
ａ及び上部電極１２に形成された開口部１２ａから処理
室１１にプロセスガスが拡散されて供給されるようにな
っている。また、セラミックシールド２０には試料Ｓを
試料台１４に固定するための押え板１９が取り付けられ
ている。FIG. 5 is a schematic sectional view showing a semiconductor manufacturing apparatus having a conventional holding plate and a cooling gas introducing / exhausting mechanism. Reference numeral 11 in the drawing denotes a processing chamber, and the upper electrode 12 is supported above the processing chamber 11 by a ceramic shield 20. A seal plate 15 having a process gas supply passage 16 formed in the center is disposed above the upper electrode 12, and a gas supply source (not shown) is connected to the process gas supply passage 16. ing. Further, a baffle plate 21 is interposed between the seal plate 15 and the upper electrode 12, and an opening 21 formed in the baffle plate 21.
The process gas is diffused and supplied to the processing chamber 11 through the opening 12a formed in the a and the upper electrode 12. A holding plate 19 for fixing the sample S to the sample base 14 is attached to the ceramic shield 20.
【０００６】また、上部電極１２に対向して処理室１１
の下部には所定の距離を保って下部電極１３が配設さ
れ、下部電極１３は高い熱伝導率を有する金属を用いて
形成されており、下部電極１３の周囲は下部電極１３以
外の電気的グランドがのぞかないように絶縁層１３ａで
覆われている。また、下部電極１３内には冷媒室１８が
形成され、下部電極１３下部には冷媒室１８に冷媒を供
給するための冷媒供給路１８ａと、冷媒室１８から冷媒
を排出するための冷媒排出路１８ｂとが接続されてい
る。また、下部電極１３にはヘリウムガス等の冷却ガス
を導入・排気するための冷却ガス導入排気路２４と、冷
却ガス導入排気路２４から導入された冷却ガスを試料Ｓ
裏面に供給するための複数個の供給口２４ａとが形成さ
れており、これら下部電極１３、絶縁層１３ａ及び冷却
ガス導入排気路２４を含んで試料台１４が構成されてお
り、この下部電極１３上面には試料Ｓが載置されるよう
になっている。Further, the processing chamber 11 is opposed to the upper electrode 12.
A lower electrode 13 is disposed under a predetermined distance with a lower electrode 13 formed of a metal having a high thermal conductivity, and the lower electrode 13 is surrounded by an electrical component other than the lower electrode 13. It is covered with an insulating layer 13a so as not to look into the ground. A coolant chamber 18 is formed in the lower electrode 13, and a coolant supply passage 18 a for supplying the coolant to the coolant chamber 18 and a coolant discharge passage for discharging the coolant from the coolant chamber 18 are formed in the lower portion of the lower electrode 13. 18b is connected. A cooling gas introduction exhaust passage 24 for introducing and exhausting a cooling gas such as helium gas to the lower electrode 13 and a cooling gas introduced from the cooling gas introduction exhaust passage 24 are supplied to the sample S.
A plurality of supply ports 24 a for supplying to the back surface are formed, and the sample stage 14 is configured to include the lower electrode 13, the insulating layer 13 a and the cooling gas introduction / exhaust passage 24. The sample S is placed on the upper surface.
【０００７】また、試料台１４の下方であって冷却ガス
導入排気路２４の一端には導入配管３５及び排気配管３
６が接続されており、導入配管３５には上流側から順に
手動バルブ３５ａ、レギュレータ３７、圧力制御ユニッ
ト３８及びコントロールバルブ３５ｃが介装され、これ
ら冷却ガス導入排気路２４、導入配管３５、手動バルブ
３５ａ、コントロールバルブ３５ｃ、レギュレータ３７
及び圧力制御ユニット３８により冷却ガス導入経路４３
が構成されている。また排気配管３６には排気バルブ３
６ａが介装されており、これら冷却ガス導入排気路２
４、排気配管３６及び排気バルブ３６ａにより冷却ガス
排気経路４４が構成されている。また、コントロールバ
ルブ３５ｃには電磁制御装置４０が、排気バルブ３６ａ
には電磁制御装置４１がそれぞれ接続されており、これ
ら電磁制御装置４０、４１によりコントロールバルブ３
５ｃ及び排気バルブ３６ａが同期して開閉するようにな
っている。Further, below the sample table 14 and at one end of the cooling gas introducing / exhausting passage 24, an introducing pipe 35 and an exhaust pipe 3 are provided.
6, a manual valve 35a, a regulator 37, a pressure control unit 38 and a control valve 35c are provided in this order from the upstream side of the introduction pipe 35, and these cooling gas introduction / exhaust passage 24, introduction pipe 35, and manual valve are provided. 35a, control valve 35c, regulator 37
And the cooling gas introduction path 43 by the pressure control unit 38.
Is configured. In addition, the exhaust valve 3 is installed in the exhaust pipe 36.
6a is interposed, and these cooling gas introduction / exhaust passages 2 are provided.
4, the exhaust pipe 36 and the exhaust valve 36a form a cooling gas exhaust path 44. The control valve 35c has an electromagnetic control device 40 and an exhaust valve 36a.
An electromagnetic control device 41 is connected to the control valve 3 and the electromagnetic control device 40, 41, respectively.
5c and the exhaust valve 36a are opened and closed in synchronization.
【０００８】また、試料台１４外周下方には排気路１７
が形成されている。また下部電極１３と試料Ｓとの間に
は隔膜真空計２３が接続され、導入配管３５には隔膜真
空計２９が接続されており、膜真空計２３、２９は圧力
制御ユニット３８に電気的に接続されている。また、上
部電極１２及び下部電極１３には高周波電源２２が接続
されており、高周波電源２２とアースとの切り換えが可
能に構成されている。An exhaust passage 17 is provided below the outer periphery of the sample table 14.
Are formed. Further, a diaphragm vacuum gauge 23 is connected between the lower electrode 13 and the sample S, and a diaphragm vacuum gauge 29 is connected to the introduction pipe 35. The membrane vacuum gauges 23 and 29 are electrically connected to the pressure control unit 38. It is connected. A high frequency power source 22 is connected to the upper electrode 12 and the lower electrode 13, and the high frequency power source 22 and the ground can be switched.
【０００９】このような構成の半導体製造装置を用いて
冷却ガスの導入・排気を行うには、まず、コントロール
バルブ３５ｃ及び排気バルブ３６ａを閉状態で、試料Ｓ
を下部電極１３上に載置した後、セラミックシールド２
０を降下させ、押え板１９により試料Ｓを押圧固定す
る。この後、コントロールバルブ３５ｃの上流側の冷却
ガス圧力をレギュレータ３７により例えば１ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 に設定するとともに、冷却ガスの流量が例えば２〜
３ｓｃｃｍになるように圧力制御ユニット３８により調
整する。次に、コントロールバルブ３５ｃ及び排気バル
ブ３６ａを開状態にすると、導入配管３５から導入され
た冷却ガスが冷却ガス導入排気路２４を通り、供給口２
４ａから試料Ｓ裏面に供給される。In order to introduce / exhaust the cooling gas using the semiconductor manufacturing apparatus having such a structure, first, the control valve 35c and the exhaust valve 36a are closed, and the sample S is closed.
After placing on the lower electrode 13, the ceramic shield 2
0 is lowered, and the sample S is pressed and fixed by the holding plate 19. Then, the cooling gas pressure on the upstream side of the control valve 35c is adjusted by the regulator 37 to, for example, 1 kgf / c.
m 2 and the flow rate of the cooling gas is, for example, 2 to
The pressure control unit 38 adjusts the pressure to 3 sccm. Next, when the control valve 35c and the exhaust valve 36a are opened, the cooling gas introduced from the introduction pipe 35 passes through the cooling gas introduction / exhaust passage 24 and the supply port 2
It is supplied to the back surface of the sample S from 4a.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
製造装置においては、処理中、手動バルブ３５ａは開状
態のままとなっており、常時、５〜６ｋｇｆ／ｃｍ2 の
ガス圧で冷却ガスが冷却ガス導入経路４３内に送られて
いる。そして、試料Ｓ交換中においてはコントロールバ
ルブ３５ｃは閉状態におかれ、この間にコントロールバ
ルブ３５ｃよりも上流側の導入配管３５内には高い圧力
で冷却ガスが充満する。そして、この状態からコントロ
ールバルブ３５ｃを開くと、充満していた前記冷却ガス
が下部電極１３と試料Ｓとの間に一気に流れ込み、オー
バーシュートが発生する。これに起因して下部電極１３
内に圧力波が伝り、試料Ｓを均一に冷却することができ
ないという課題があった。In the conventional semiconductor manufacturing apparatus described above, the manual valve 35a remains open during the processing, and the cooling gas is always kept at a gas pressure of 5 to 6 kgf / cm 2. It is sent to the cooling gas introduction path 43. During the exchange of the sample S, the control valve 35c is kept closed, and the cooling gas is filled with high pressure in the introduction pipe 35 on the upstream side of the control valve 35c during this period. Then, when the control valve 35c is opened from this state, the filled cooling gas flows between the lower electrode 13 and the sample S at once, and an overshoot occurs. Due to this, the lower electrode 13
There is a problem that the pressure wave is transmitted inside and the sample S cannot be cooled uniformly.
【００１１】また、冷却ガス導入排気路２４に一旦流入
した冷却ガスは排気バルブ３６ａから一気に排気され、
特に圧力制御ユニット３８による設定ガス圧が低い場合
には、ガス圧を設定値に安定させるまでに時間がかか
り、早期に試料Ｓを冷却することができないという課題
があった。Further, the cooling gas once flowing into the cooling gas introduction / exhaust passage 24 is exhausted at once through the exhaust valve 36a,
In particular, when the gas pressure set by the pressure control unit 38 is low, it takes time to stabilize the gas pressure at the set value, and the sample S cannot be cooled early.
【００１２】したがって、試料Ｓの歩留りが低く、また
処理効率が悪いという課題があった。Therefore, there are problems that the yield of the sample S is low and the processing efficiency is poor.
【００１３】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであって、冷却ガス導入初期におけるオーバーシュー
トを緩和すると共に設定ガス圧が低い場合でも冷却ガス
圧を短時間で設定値に安定させ、試料Ｓを均一に冷却す
ることができる半導体製造装置及び該装置を用いた冷却
ガス導入排気方法を提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above problems, and alleviates the overshoot at the initial stage of introducing the cooling gas and stabilizes the cooling gas pressure at the set value in a short time even when the set gas pressure is low. It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of uniformly cooling a sample S and a cooling gas introducing / exhausting method using the apparatus.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る半導体製造装置（１）は、電極に固定し
た試料を裏面から冷却するための冷却ガス導入経路及び
排気経路を備えた半導体製造装置において、前記冷却ガ
ス導入経路を構成する圧力制御ユニットの上流側にプラ
イマリーバルブが、下流側にコントロールバルブが配設
され、前記プライマリーバルブの上流側にレギュレータ
が配設され、前記冷却ガス排気経路を構成するスロー排
気バルブが排気配管途中に介装されていることを特徴と
している。また本発明に係る半導体製造装置（２）は、
上記半導体製造装置（１）において、前記冷却ガス排気
経路を構成するオリフィスが前記排気配管途中に介装さ
れていることを特徴としている。 In order to achieve the above object, a semiconductor manufacturing apparatus (1) according to the present invention comprises a cooling gas introduction path and an exhaust path for cooling a sample fixed to an electrode from the back surface. In a semiconductor manufacturing apparatus, a primary valve is provided upstream of a pressure control unit that constitutes the cooling gas introduction path, a control valve is provided downstream, and a regulator is provided upstream of the primary valve.
Is provided, and the slow exhaust gas that constitutes the cooling gas exhaust path is disposed.
The feature is that the air valve is provided in the middle of the exhaust pipe. The semiconductor manufacturing apparatus (2) according to the present invention is
In the above semiconductor manufacturing apparatus (1), the cooling gas exhaust
The orifice that constitutes the passage is installed in the middle of the exhaust pipe.
It is characterized by being.
【００１５】また本発明に係る半導体製造装置（１）又
は（２）を用いた冷却ガス導入排気方法（１）は、前記
半導体製造装置を用いた冷却ガス導入排気方法におい
て、冷却ガスの導入時、まず、前記プライマリーバル
ブ、前記コントロールバルブ及び前記スロー排気バルブ
を閉状態で前記プライマリーバルブの上流側圧力を所定
値に設定し、その後前記プライマリーバルブ、前記コン
トロールバルブ及び前記スロー排気バルブを開状態にす
るとともに前記圧力制御ユニットにより所定圧力に設定
して冷却ガスを導入することを特徴としている。また本
発明に係る半導体製造装置（１）又は（２）を用いた冷
却ガス導入排気方法（２）は、前記半導体製造装置を用
いた冷却ガス導入排気方法において、冷却ガスを導入す
るにあたって、予め、前記プライマリバルブを閉状態で
前記プライマリーバルブの上流側圧力を所定値に設定し
ておくことを特徴としている。 A semiconductor manufacturing apparatus (1) according to the present invention or
In the cooling gas introduction / exhaust method (1) using (2) , in the cooling gas introduction / exhaust method using the semiconductor manufacturing apparatus, when the cooling gas is introduced, first, the primary valve, the control valve, and the slow exhaust gas are introduced. With the valve closed, the upstream pressure of the primary valve is set to a predetermined value, and then the primary valve, the control valve and the slow exhaust valve are opened, and the pressure control unit sets a predetermined pressure to cool. It is characterized by introducing gas. Book again
Cooling using the semiconductor manufacturing apparatus (1) or (2) according to the invention
Exhaust gas introduction / exhaust method (2) uses the semiconductor manufacturing apparatus.
The cooling gas introduction / exhaust method
Before closing the primary valve,
Set the upstream pressure of the primary valve to a specified value
The feature is that
【００１６】[0016]
【作用】上記した構成の半導体製造装置（１）によれ
ば、冷却ガス導入経路を構成する圧力制御ユニットの上
流側にプライマリーバルブが、下流側にコントロールバ
ルブが配設され、前記プライマリーバルブの上流側にレ
ギュレータが配設され、冷却ガス排気経路を構成するス
ロー排気バルブが排気配管途中に介装されているので、
冷却ガスにより試料を裏面から冷却する際、前記プライ
マリーバルブ、前記コントロールバルブ及び前記スロー
排気バルブを同期させて開閉することにより、また、前
記冷却ガスを導入するにあたって、予め、前記プライマ
リーバルブを閉状態で、前記プライマリーの上流側圧力
を所定値に設定しておくことにより、前記冷却ガス導入
経路へのガス導入が徐々に行われ、導入初期におけるオ
ーバーシュートが緩和される。また、前記冷却ガス排気
経路からの排気が徐々に行われ、ガス圧が短時間で所定
値に安定し、前記試料が均一に冷却される。したがっ
て、このような装置を用いて前記試料の処理を行うこと
により、該試料の歩留りが高まり、また処理効率が向上
する。また、上記した構成の半導体製造装置（２）によ
れば、前記冷却ガス排気経路を構成するオリフィスが前
記排気配管途中に介装されているので、前記冷却ガス排
気経路からの排気がより適切に行われる。 According to the semiconductor manufacturing device having the above configuration (1), a primary valve upstream of the pressure control unit which constitutes a cooling gas introduction path, the control valve is disposed downstream, upstream of the primary valve On the side
Is installed in the cooling gas exhaust path .
Since the low exhaust valve is installed in the middle of the exhaust pipe,
When the sample is cooled from the back surface by the cooling gas, by opening and closing the primary valve, the control valve and the slow exhaust valve in synchronization ,
Before introducing the cooling gas, the primer
With the Lee valve closed, the upstream pressure of the primary
Is set to a predetermined value, the gas is gradually introduced into the cooling gas introduction path, and the overshoot at the initial stage of introduction is alleviated. Further, the cooling gas exhaust path is gradually exhausted, the gas pressure is stabilized at a predetermined value in a short time, and the sample is uniformly cooled. Therefore, by processing the sample using such an apparatus, the yield of the sample is increased and the processing efficiency is improved. Further, according to the semiconductor manufacturing apparatus (2) having the above configuration
In this case, the orifice that constitutes the cooling gas exhaust path is
Since it is installed in the middle of the exhaust pipe,
Exhaust from the air passage is performed more appropriately.
【００１７】また、上記した半導体製造装置を用いた冷
却ガス導入排気方法（１）によれば、冷却ガスの導入
時、まず、前記プライマリーバルブ、前記コントロール
バルブ及び前記スロー排気バルブを閉状態で前記プライ
マリーバルブの上流側圧力を所定値に設定しておくの
で、前記プライマリーバルブによって冷却ガスの流れが
阻止され、前記コントロールバルブより上流側に高圧の
冷却ガスが充満することはない。その後、前記プライマ
リーバルブ、前記コントロールバルブ及び前記スロー排
気バルブを開状態にするとともに前記圧力制御ユニット
により所定圧力に設定して冷却ガスを導入するので、冷
却ガスが徐々に導入されることとなり、導入初期におけ
るオーバーシュートが緩和される。また、冷却ガスの排
気が前記スロー排気バルブ（もしくは該スロー排気バル
ブ及び前記オリフィス）を通して徐々に行われ、前記圧
力制御ユニットによる設定ガス圧が低くてもガス圧が短
時間で設定値に安定し、前記試料が均一に冷却される。
また、上記した半導体製造装置を用いた冷却ガス導入排
気方法（２）によれば、冷却ガスを導入するにあたっ
て、予め、前記プライマリーバルブを閉状態で前記プラ
イマリーバルブの上流側圧力を所定値に設定しておくの
で、前記プライマリーバルブによって冷却ガスの流れが
阻止され、前記コントロールバルブより上流側に高圧の
冷却ガスが充満することはない。 According to the cooling gas introduction / exhaust method (1) using the semiconductor manufacturing apparatus described above, when the cooling gas is introduced, first, the primary valve, the control valve, and the slow exhaust valve are closed. Since the pressure on the upstream side of the primary valve is set to a predetermined value, the flow of the cooling gas is blocked by the primary valve, and the upstream side of the control valve is not filled with the high-pressure cooling gas. After that, the primary valve, the control valve, and the slow exhaust valve are opened, and the pressure control unit sets a predetermined pressure to introduce the cooling gas, so that the cooling gas is gradually introduced. Initial overshoot is mitigated. Also, the cooling gas is exhausted by the slow exhaust valve (or the slow exhaust valve ).
The gas pressure is stabilized at the set value in a short time even if the gas pressure set by the pressure control unit is low, and the sample is uniformly cooled.
In addition, cooling gas introduction / exhaust using the semiconductor manufacturing equipment described above
According to the Qi method (2), the cooling gas is introduced.
In advance with the primary valve closed.
Set the upstream pressure of the emergency valve to a specified value.
Then, the flow of cooling gas is controlled by the primary valve.
Blocked, high pressure upstream of the control valve
It does not fill with cooling gas.
【００１８】[0018]
【実施例及び比較例】以下、本発明に係る半導体製造装
置および該装置を用いた冷却ガス導入排気方法の実施例
及び比較例を図面に基づいて説明する。なお、実施例に
係る半導体製造装置の構成は図５に示した従来の半導体
製造装置の構成と略同様であるため、ここでは同じ部分
の説明は省略し、従来のものと相違する箇所についての
みその構成を説明する。また、従来例と同一の構成部品
には同一の符合を付すこととする。図１は実施例に係る
平行平板型の半導体製造装置を示した模式的断面図であ
り、図中１０は半導体製造装置を示しており、図中１４
は試料台を示している。試料台１４の下方であって冷却
ガス導入排気路２４の一端にはＳＵＳ３０４を用いて形
成された内径が４．５ｍｍの導入配管２５及び排気配管
２６が接続されている。この導入配管２５には上流側か
ら順に手動バルブ２５ａ、レギュレータ２７、プライマ
リーバルブ２５ｂ、圧力制御ユニット２８及びコントロ
ールバルブ２５ｃが介装されており、これら冷却ガス導
入排気路２４、導入配管２５、手動バルブ２５ａ、プラ
イマリーバルブ２５ｂ、コントロールバルブ２５ｃ、レ
ギュレータ２７及び圧力制御ユニット２８により冷却ガ
ス導入経路３３が構成されている。また、排気配管２６
の途中は分岐しており、一方には排気バルブ２６ａが介
装され、他方にはスロー排気バルブ２６ｂ及びオリフィ
ス２６ｃが介装されており、これら冷却ガス導入排気路
２４、排気配管２６、排気バルブ２６ａ、スロー排気バ
ルブ２６ｂ及びオリフィス２６ｃにより冷却ガス排気経
路３４が構成されている。またコントロールバルブ２５
ｃには電磁制御装置３０が、プライマリーバルブ２５ｂ
及びスロー排気バルブ２６ｂには電磁制御装置３１が、
排気バルブ２６ａには電磁制御装置３２がそれぞれ接続
され、これら電磁制御装置３０、３１、３２によりプラ
イマリーバルブ２５ｂ、コントロールバルブ２５ｃ及び
スロー排気バルブ２６ｂが同期して開閉するとともに、
これらの各バルブ２５ｂ、２５ｃ、２６ｂとは逆に排気
バルブ２６ａが開閉するように制御される。また隔膜真
空計２３、２９は圧力制御ユニット２８に電気的に接続
されている。EXAMPLES AND COMPARATIVE EXAMPLES Examples and comparative examples of a semiconductor manufacturing apparatus and a cooling gas introducing / exhausting method using the apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Since the structure of the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment is substantially the same as the structure of the conventional semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 5, the description of the same parts will be omitted here, and only the points different from the conventional one will be omitted. The configuration will be described. Further, the same components as those of the conventional example are designated by the same reference numerals. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a parallel plate type semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment, and 10 in the drawing shows the semiconductor manufacturing apparatus, and 14 in the drawing.
Indicates the sample table. Below the sample table 14 and at one end of the cooling gas introduction / exhaust passage 24, an introduction pipe 25 and an exhaust pipe 26 formed by using SUS304 and having an inner diameter of 4.5 mm are connected. A manual valve 25a, a regulator 27, a primary valve 25b, a pressure control unit 28 and a control valve 25c are provided in this introducing pipe 25 in this order from the upstream side, and these cooling gas introducing / exhausting passage 24, introducing pipe 25 and manual valve are provided. A cooling gas introduction path 33 is configured by 25a, the primary valve 25b, the control valve 25c, the regulator 27, and the pressure control unit 28. In addition, the exhaust pipe 26
Of the cooling gas introduction exhaust passage 24, the exhaust pipe 26, the exhaust valve 26a, the exhaust valve 26a is provided on one side, and the slow exhaust valve 26b and the orifice 26c are provided on the other side. The cooling gas exhaust path 34 is constituted by 26a, the slow exhaust valve 26b, and the orifice 26c. Control valve 25
The electromagnetic control device 30 is connected to the primary valve 25b.
And the electromagnetic control device 31 is attached to the slow exhaust valve 26b,
An electromagnetic control device 32 is connected to the exhaust valve 26a, and the electromagnetic control devices 30, 31, 32 open and close the primary valve 25b, the control valve 25c, and the slow exhaust valve 26b in synchronization with each other.
The exhaust valve 26a is controlled so as to open and close as opposed to the valves 25b, 25c and 26b. The diaphragm vacuum gauges 23 and 29 are electrically connected to the pressure control unit 28.
【００１９】以下に、このような構成の半導体製造装置
１０を用いた冷却ガス導入排気方法を、処理及び試料Ｓ
の交換を６０秒間のサイクルで繰り返す場合を例に挙げ
て説明する。冷却ガスの導入時、まず、図２に示したよ
うにプライマリーバルブ２５ｂ、コントロールバルブ２
５ｃ及びスロー排気バルブ２６ｂを閉状態、かつ排気バ
ルブ２６ａを開状態にしておき、試料Ｓを下部電極１３
上に載置する。この後、セラミックシールド２０を降下
させ、押え板１９により試料Ｓを押圧固定する。次に、
プライマリーバルブ２５ｂよりも上流側の冷却ガス圧力
をレギュレータ２７により所定値に設定し、冷却ガスの
流量が所定値になるように圧力制御ユニット２８のガス
圧を設定する。この後、プライマリーバルブ２５ｂ、コ
ントロールバルブ２５ｃ及びスロー排気バルブ２６ｂを
開状態にするとともに排気バルブ２６ａを閉状態にし、
所定流量の冷却ガスをプライマリーバルブ２５ｂより下
流側の冷却ガス導入経路３３を通過させ、供給口２４ａ
から試料Ｓ裏面に供給する。さらに冷却ガスは冷却ガス
導入排気路２４から排気配管２６を通り、オリフィス２
６ｃにより絞られつつ排気される。約６０秒間の処理終
了後、図２に示したようにプライマリーバルブ２５ｂ、
コントロールバルブ２５ｃ及びスロー排気バルブ２６ｂ
を閉状態にするとともに排気バルブ２６ａを開状態に
し、冷却ガスを一気に排気する。約６０秒間で試料Ｓを
交換し、再び上記した方法により冷却ガスの導入・排気
を行う。The cooling gas introducing / exhausting method using the semiconductor manufacturing apparatus 10 having such a structure will be described below as a process and a sample S.
An example will be described in which the replacement is repeated in a cycle of 60 seconds. When introducing the cooling gas, first, as shown in FIG. 2, the primary valve 25b and the control valve 2
5c and the slow exhaust valve 26b are closed and the exhaust valve 26a is opened, and the sample S is placed on the lower electrode 13
Place on top. After that, the ceramic shield 20 is lowered, and the sample S is pressed and fixed by the holding plate 19. next,
The pressure of the cooling gas upstream of the primary valve 25b is set to a predetermined value by the regulator 27, and the gas pressure of the pressure control unit 28 is set so that the flow rate of the cooling gas becomes the predetermined value. After that, the primary valve 25b, the control valve 25c and the slow exhaust valve 26b are opened and the exhaust valve 26a is closed,
A predetermined flow rate of cooling gas is passed through the cooling gas introduction path 33 on the downstream side of the primary valve 25b, and the supply port 24a
From the sample S to the back surface. Further, the cooling gas passes from the cooling gas introduction exhaust passage 24 through the exhaust pipe 26 to the orifice 2
It is exhausted while being throttled by 6c. After the processing for about 60 seconds, as shown in FIG. 2, the primary valve 25b,
Control valve 25c and slow exhaust valve 26b
Is closed and the exhaust valve 26a is opened to exhaust the cooling gas all at once. The sample S is exchanged for about 60 seconds, and the cooling gas is introduced and exhausted again by the above method.
【００２０】以下に実施例に係る半導体製造装置１０
と、比較例として図５に示した従来の半導体製造装置と
を用い、圧力制御ユニット２８の設定圧力を１０Ｔｏｒ
ｒ、１２Ｔｏｒｒ、１４Ｔｏｒｒと変化させて冷却ガス
の導入・排気を行い、下部電極１３内でのガス圧の変化
を調べた結果について説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は
その結果を示しており、ガス圧の測定は隔膜真空計２３
を用いて行った。The semiconductor manufacturing apparatus 10 according to the embodiment will be described below.
And the conventional semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 5 as a comparative example, the set pressure of the pressure control unit 28 is set to 10 Torr.
The result of investigating the change of gas pressure in the lower electrode 13 by introducing and exhausting the cooling gas while changing the pressure to r, 12 Torr, and 14 Torr will be described. 3 (a) to 3 (c) show the results, and the gas pressure is measured by the diaphragm vacuum gauge 23.
Was performed using.
【００２１】図３（ａ）〜（ｃ）から明らかなように実
施例の場合は、ガス圧が設定値になるまでの時間は１０
Ｔｏｒｒで約１０秒、１２Ｔｏｒｒで約１３秒、１４Ｔ
ｏｒｒで約１５秒となっており、またいずれの場合にも
オーバーシュートが発生していない。これに対して比較
例の場合は、ガス圧が設定値になるまでの時間は１０Ｔ
ｏｒｒで約２３秒、１２Ｔｏｒｒで約２６秒、１４Ｔｏ
ｒｒで約３０秒と長くなっており、またいずれの場合に
もオーバーシュートが発生している。このように実施例
に係る半導体製造装置１０を用いた冷却ガス導入排気方
法では、プライマリーバルブ２５ｂ、コントロールバル
ブ２５ｃ及びスロー排気バルブ２６ｂを同時に開状態に
することにより、コントロールバルブ２５ｃよりも下流
側の冷却ガス導入経路３３には圧力制御ユニット２８に
より所定圧力に設定された冷却ガスが流れ、冷却ガス導
入初期におけるオーバーシュートを緩和することができ
た。また、冷却ガスがオリフィス２６ｃで絞られながら
徐々に排気されるので、冷却ガス圧が設定値に安定する
までの所要時間を大幅に短縮することができた。As is apparent from FIGS. 3 (a) to 3 (c), in the case of the embodiment, the time until the gas pressure reaches the set value is 10
About 10 seconds at Torr, about 13 seconds at 12 Torr, 14T
It is about 15 seconds at orr, and overshoot does not occur in any case. On the other hand, in the case of the comparative example, the time until the gas pressure reaches the set value is 10T.
About 23 seconds at orr, about 26 seconds at 12 Torr, 14 Tor
rr is as long as about 30 seconds, and overshoot occurs in any case. As described above, in the cooling gas introduction / exhaust method using the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to the embodiment, the primary valve 25b, the control valve 25c, and the slow exhaust valve 26b are opened at the same time, so that the downstream side of the control valve 25c is controlled. The cooling gas, which was set to a predetermined pressure by the pressure control unit 28, flowed through the cooling gas introduction path 33, and the overshoot at the initial stage of the cooling gas introduction could be alleviated. Further, since the cooling gas is gradually exhausted while being throttled by the orifice 26c, the time required for the cooling gas pressure to stabilize at the set value can be significantly shortened.
【００２２】以下に、実施例に係る半導体製造装置１０
と、比較例として図５に示した従来の半導体製造装置と
を用いた冷却ガス導入排気を行い、試料Ｓ表面における
温度を測定し、温度分布の均一性を調べた結果について
説明する。冷却ガスとして、Ｈｅ（９０ｓｃｃｍ）、Ｓ
Ｆ6 （５６ｓｃｃｍ）及びＣＨＦ3 （１４ｓｃｃｍ）の
混合ガスを用い、高周波電源２２に２５０Ｗを印加し、
処理室１１の圧力を４２５ｍＴｏｒｒに、冷却ガスの圧
力を１０Ｔｏｒｒに、上部電極１２及び下部電極１３の
温度を２０℃にそれぞれ設定した。結果を図４（ａ）、
（ｂ）に示す。また、上記実験結果からΔＴ＝最高温度
−最低温度を算出した結果を表１に示す。The semiconductor manufacturing apparatus 10 according to the embodiment will be described below.
And, as a comparative example, a cooling gas introduction / exhaust using the conventional semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 5 was performed, the temperature on the surface of the sample S was measured, and the result of examining the uniformity of the temperature distribution will be described. As a cooling gas, He (90 sccm), S
Using a mixed gas of F 6 (56 sccm) and CHF 3 (14 sccm), 250 W was applied to the high frequency power source 22,
The pressure of the processing chamber 11 was set to 425 mTorr, the pressure of the cooling gas was set to 10 Torr, and the temperatures of the upper electrode 12 and the lower electrode 13 were set to 20 ° C., respectively. The result is shown in FIG.
It shows in (b). Table 1 shows the results of calculating ΔT = maximum temperature-minimum temperature from the above experimental results.
【００２３】[0023]
【表１】 [Table 1]
【００２４】図４（ａ）、（ｂ）及び表１から明らかな
ように実施例の場合は、試料Ｓ全体が約４３℃であり、
またΔＴ＜５℃となっており、試料Ｓ表面における温度
分布の均一性を良好にすることができた。これに対して
比較例の場合は、試料Ｓの周囲が約６０℃でＡ中心部が
約４３℃であり、またΔＴ＞２０℃となっており、試料
Ｓ表面における温度分布の均一性が悪かった。このよう
に、実施例に係る半導体製造装置１０を用いた冷却ガス
導入排気方法では、試料Ｓを均一に冷却することができ
た。As is apparent from FIGS. 4 (a) and 4 (b) and Table 1, in the case of the embodiment, the sample S as a whole has a temperature of about 43.degree.
Further, ΔT <5 ° C., and the uniformity of the temperature distribution on the surface of the sample S could be improved. On the other hand, in the case of the comparative example, the temperature around the sample S is about 60 ° C., the central portion of A is about 43 ° C., and ΔT> 20 ° C., and the uniformity of the temperature distribution on the surface of the sample S is poor. It was As described above, in the cooling gas introduction / exhaust method using the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to the example, the sample S could be cooled uniformly.
【００２５】表２は、実施例に係る半導体製造装置１０
と、比較例として図５に示した従来の半導体製造装置と
を用いた冷却ガス導入排気を行いながら試料Ｓのエッチ
ング処理を６０秒間行い、試料Ｓの歩留りを調べた結果
を示したものである。試料Ｓの歩留りは、１カセット
（２５枚）におけるオーバーシュート、温度むら及びレ
ジスト焼けを調べ、これら全ての点について問題の無か
ったものを良品として（良品数／全体数）×１００の式
により求めた。Table 2 shows the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to the embodiment.
6 shows the result of examining the yield of the sample S by performing the etching treatment of the sample S for 60 seconds while cooling gas introduction and exhaust using the conventional semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 5 as a comparative example. . The yield of the sample S is obtained by examining overshoot, temperature unevenness, and resist burning in one cassette (25 sheets), and a product having no problem in all of these points is determined as a non-defective product (the number of non-defective products / total number) × 100. It was
【００２６】[0026]
【表２】 [Table 2]
【００２７】表２から明らかなように実施例に係る半導
体製造装置１０を用いた場合は、試料Ｓの歩留りが約９
６％と良好であったのに対し、比較例に係る半導体製造
装置を用いた場合は、試料Ｓの歩留りが約８０％と悪か
った。このように、実施例に係る半導体製造装置１０を
用いた冷却ガス導入排気方法では、試料Ｓを均一に冷却
することにより、試料Ｓの歩留りを大幅に高めることが
できた。As is clear from Table 2, when the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to the embodiment is used, the yield of the sample S is about 9
While 6% was good, when the semiconductor manufacturing apparatus according to the comparative example was used, the yield of Sample S was about 80%, which was poor. As described above, in the cooling gas introduction / exhaust method using the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to the example, the yield of the sample S could be significantly increased by uniformly cooling the sample S.
【００２８】以上説明したように実施例に係る半導体製
造装置１０にあっては、冷却ガス導入初期におけるオー
バーシュートを緩和する共に設定ガス圧が低い場合でも
冷却ガス圧を短時間で設定値に安定させ、試料Ｓを均一
に冷却することができる。したがって、このような半導
体製造装置１０を用いて試料Ｓの処理を行うことによ
り、試料Ｓの歩留りを高めることができるとともに、処
理効率を上げることができる。As described above, in the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to the embodiment, the overshoot at the initial stage of introducing the cooling gas is alleviated and the cooling gas pressure is stabilized at the set value in a short time even when the set gas pressure is low. Then, the sample S can be cooled uniformly. Therefore, by processing the sample S using such a semiconductor manufacturing apparatus 10, the yield of the sample S can be increased and the processing efficiency can be increased.
【００２９】さらに冷却ガスを排気する際、排気バルブ
２６ａから一気に排気することにより、半導体製造装置
１０の稼働率を維持することができる。Further, when the cooling gas is exhausted, it is possible to maintain the operating rate of the semiconductor manufacturing apparatus 10 by exhausting it all at once through the exhaust valve 26a.
【００３０】また、実施例に係る半導体製造装置１０を
用いた冷却ガス導入排気方法にあっては、冷却ガスの導
入時、まず、プライマリーバルブ２５ｂ、コントロール
バルブ２５ｃ及びスロー排気バルブ２６ｂを閉状態でプ
ライマリーバルブ２５ｂの上流側圧力を所定値に設定し
ておくので、高圧の冷却ガスがコントロールバルブ２５
ｃより上流側に充満しない。その後、プライマリーバル
ブ２５ｂ、コントロールバルブ２５ｃ及びスロー排気バ
ルブ２６ｂを開状態にするとともに圧力制御ユニット２
８により所定圧力に設定して冷却ガスを導入するので、
冷却ガス導入初期におけるオーバーシュートを緩和する
ことができると共に、設定ガス圧が低くても冷却ガス圧
を短時間で所定値に安定させ、試料Ｓを均一に冷却する
ことができる。Further, in the cooling gas introduction / exhaust method using the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to the embodiment, first, the primary valve 25b, the control valve 25c and the slow exhaust valve 26b are closed when the cooling gas is introduced. Since the upstream side pressure of the primary valve 25b is set to a predetermined value, the high pressure cooling gas is controlled by the control valve 25.
Do not fill upstream from c. After that, the primary valve 25b, the control valve 25c, and the slow exhaust valve 26b are opened, and the pressure control unit 2
Since the cooling gas is introduced by setting the predetermined pressure by 8,
It is possible to reduce the overshoot at the initial stage of introducing the cooling gas, stabilize the cooling gas pressure to a predetermined value in a short time even if the set gas pressure is low, and uniformly cool the sample S.
【００３１】なお上記実施例では、半導体製造装置１０
が平行平板型のプラズマ処理装置である場合について説
明したが、別の実施例では半導体製造装置がその他のマ
イクロ波プラズマ処理装置やケミカルドライエッチング
装置等である場合においても同様に本発明を適用するこ
とができる。In the above embodiment, the semiconductor manufacturing apparatus 10
Is a parallel plate type plasma processing apparatus, but in another embodiment, the present invention is similarly applied to the case where the semiconductor manufacturing apparatus is another microwave plasma processing apparatus or a chemical dry etching apparatus. be able to.
【００３２】また上記実施例では、中央が分岐した排気
配管２６に排気バルブ２６ａ、スロー排気バルブ２６ｂ
及びオリフィス２６ｃが介装されている場合について説
明したが、別の実施例では、中央が分岐しない排気配管
にスロー排気バルブ２６ａ及びオリフィス２６が介装さ
れている場合においても同様に本発明を適用することが
でき、この場合は装置の構造を簡単にすることができ
る。Further, in the above embodiment, the exhaust valve 26a and the slow exhaust valve 26b are connected to the exhaust pipe 26 whose center is branched.
Although the case where the orifice 26c and the orifice 26c are provided has been described, in another embodiment, the present invention is similarly applied to the case where the slow exhaust valve 26a and the orifice 26 are provided in the exhaust pipe whose center does not branch. In this case, the structure of the device can be simplified.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る半導体
製造装置においては、電極に固定した試料を裏面から冷
却するための冷却ガス導入経路及び排気経路を備えた半
導体製造装置において、前記冷却ガス導入経路を構成す
る圧力制御ユニットの上流側にプライマリーバルブが、
下流側にコントロールバルブが配設され、前記冷却ガス
排気経路を構成するスロー排気バルブ及びオリフィスが
排気配管途中に介装されているので、冷却ガスにより前
記試料を裏面から冷却する際、冷却ガス導入初期におけ
るオーバーシュートを緩和することができるとともに、
設定ガス圧が低くても冷却ガス圧を短時間で設定値に安
定させ、前記試料を均一に冷却することができる。した
がって、このような半導体製造装置を用いて前記試料の
処理を行うことにより、該試料の歩留りを高めることが
できるとともに、処理効率を上げることができる。As described above in detail, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, in the semiconductor manufacturing apparatus provided with the cooling gas introduction path and the exhaust path for cooling the sample fixed to the electrode from the back surface, There is a primary valve on the upstream side of the pressure control unit that constitutes the gas introduction path,
A control valve is provided on the downstream side, and a slow exhaust valve and an orifice that constitute the cooling gas exhaust path are provided in the middle of the exhaust pipe. In addition to being able to mitigate overshoot in the initial stage,
Even if the set gas pressure is low, the cooling gas pressure can be stabilized at the set value in a short time, and the sample can be cooled uniformly. Therefore, by processing the sample using such a semiconductor manufacturing apparatus, the yield of the sample can be increased and the processing efficiency can be increased.
【００３４】また本発明に係る半導体製造装置を用いた
冷却ガス導入排気方法においては、前記半導体製造装置
を用いた冷却ガス導入排気方法において、冷却ガスの導
入時、まず、前記プライマリーバルブ、前記コントロー
ルバルブ及び前記スロー排気バルブを閉状態で前記プラ
イマリーバルブの上流側圧力を所定値に設定し、その後
該プライマリーバルブ、前記コントロールバルブ及び前
記スロー排気バルブを開状態にするとともに前記圧力制
御ユニットにより所定圧力に設定して冷却ガスを導入す
るので、冷却ガスを徐々に導入することにより冷却ガス
導入初期におけるオーバーシュートを緩和することがで
きるとともに、冷却ガスを徐々に排気することにより設
定ガス圧が低い場合でも冷却ガス圧を短時間で設定値に
安定させ、試料を均一に冷却することができる。In the cooling gas introducing / exhausting method using the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, in the cooling gas introducing / exhausting method using the semiconductor manufacturing apparatus, when the cooling gas is introduced, first, the primary valve and the control The upstream side pressure of the primary valve is set to a predetermined value with the valve and the slow exhaust valve closed, and then the primary valve, the control valve and the slow exhaust valve are opened and the predetermined pressure is set by the pressure control unit. Since the cooling gas is introduced by setting to, the overshoot at the initial stage of the cooling gas introduction can be mitigated by gradually introducing the cooling gas, and the set gas pressure is low by gradually exhausting the cooling gas. However, the cooling gas pressure is stabilized at the set value in a short time, and the sample is It can be cooled to scratch.
【図１】本発明に係る半導体製造装置の実施例を示した
模式的断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
【図２】（ａ）〜（ｃ）は実施例に係る半導体製造装置
における主要各バルブの開閉状態を示したグラフであ
る。2A to 2C are graphs showing open / closed states of main valves in the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment.
【図３】（ａ）〜（ｃ）は実施例に係る半導体製造装置
と比較例に係る従来の半導体製造装置とを用い、圧力制
御ユニットの設定圧力を１０Ｔｏｒｒ、１２Ｔｏｒｒ、
１４Ｔｏｒｒと変化させて冷却ガスの導入・排気を行
い、下部電極内でのガス圧の変化を調べた結果を示した
グラフである。3 (a) to 3 (c) are diagrams illustrating a semiconductor manufacturing apparatus according to an example and a conventional semiconductor manufacturing apparatus according to a comparative example, and setting pressures of a pressure control unit are 10 Torr, 12 Torr, and FIG.
It is the graph which showed the result of having investigated the change of the gas pressure in a lower electrode, when introducing and exhausting cooling gas by changing it to 14 Torr.
【図４】（ａ）、（ｂ）は実施例に係る半導体製造装置
と比較例に係る半導体製造装置とにおいて、試料表面に
おける温度分布の均一性を調べた結果を示したグラフで
ある。4A and 4B are graphs showing the results of examining the uniformity of the temperature distribution on the sample surface in the semiconductor manufacturing apparatus according to the example and the semiconductor manufacturing apparatus according to the comparative example.
【図５】従来の半導体製造装置を示した模式的断面図で
ある。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
１０ 半導体製造装置 ２５ｂ プライマリーバルブ ２５ｃ コントロールバルブ ２６ 排気配管 ２６ｂ スロー排気バルブ ２６ｃ オリフィス ２８ 圧力制御ユニット ３３ 冷却ガス導入経路 ３４ 冷却ガス排気経路 10 Semiconductor manufacturing equipment 25b primary valve 25c control valve 26 Exhaust pipe 26b slow exhaust valve 26c orifice 28 Pressure control unit 33 Cooling gas introduction route 34 Cooling gas exhaust path
Claims (4)
ための冷却ガス導入経路及び排気経路を備えた半導体製
造装置において、前記冷却ガス導入経路を構成する圧力
制御ユニットの上流側にプライマリーバルブが、下流側
にコントロールバルブが配設され、前記プライマリーバ
ルブの上流側にレギュレータが配設され、前記冷却ガス
排気経路を構成するスロー排気バルブが排気配管途中に
介装されていることを特徴とする半導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus having a cooling gas introduction path and an exhaust path for cooling a sample fixed to an electrode from the back surface, wherein a primary valve is provided upstream of a pressure control unit constituting the cooling gas introduction path. , A control valve is provided on the downstream side, and the primary valve is
A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that a regulator is disposed on the upstream side of the valve, and a slow exhaust valve that constitutes the cooling gas exhaust path is interposed in the exhaust pipe.
ィスが前記排気配管途中に介装されていることを特徴とIs installed in the middle of the exhaust pipe.
する請求項１記載の半導体製造装置。The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1.
装置を用いた冷却ガス導入排気方法において、冷却ガス
の導入時、まず、前記プライマリーバルブ、前記コント
ロールバルブ及び前記スロー排気バルブを閉状態で前記
プライマリーバルブの上流側圧力を所定値に設定し、そ
の後前記プライマリーバルブ、前記コントロールバルブ
及び前記スロー排気バルブを開状態にするとともに前記
圧力制御ユニットにより所定圧力に設定して冷却ガスを
導入することを特徴とする冷却ガス導入排気方法。 3. The cooling gas introducing / exhausting method using the semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1 or 2 , when the cooling gas is introduced, first, the primary valve, the control valve and the slow exhaust valve are closed. The upstream pressure of the primary valve is set to a predetermined value, and then the primary valve, the control valve and the slow exhaust valve are opened, and the pressure control unit sets a predetermined pressure to introduce a cooling gas. A method of introducing and exhausting a cooling gas, which is characterized in that
装置を用いた冷却ガス導入排気方法において、冷却ガスIn the method of introducing and exhausting cooling gas using a device, the cooling gas
を導入するにあたって、予め、前記プライマリバルブをBefore introducing the
閉状態で前記プライマリーバルブの上流側圧力を所定値In the closed state, set the upstream pressure of the primary valve to a specified value.
に設定しておくことを特徴とする冷却ガス導入排気方Cooling gas introduction / exhaust method characterized by setting to
法。Law.
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|---|---|---|---|
| JP31785393A JP3365663B2 (en) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | Semiconductor manufacturing apparatus and cooling gas introduction / exhaust method using the apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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| JPH07176486A JPH07176486A (en) | 1995-07-14 |
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