JP3373006B2 - 水素分離膜の製造法 - Google Patents
水素分離膜の製造法Info
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Landscapes
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水素分離膜の製造法に
関する。更に詳しくは、水素選択透過性膜を形成させた
多孔質セラミックス膜よりなる水素分離膜の製造法に関
する。
関する。更に詳しくは、水素選択透過性膜を形成させた
多孔質セラミックス膜よりなる水素分離膜の製造法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】水素の超高純度精製用膜として、Pd-Ag
合金膜が知られており(Sep．Sci．Technol．第22巻第87
3〜887頁、1987年)、既に実用化もされている。このよ
うな水素分離用Pd系合金膜は、従来合金単独で中空状に
作られており、従って、それの強度上の制約から、外径
が1.6mmのもので最小膜厚が約80μm程度が限界であり、
水素透過速度は膜厚に逆比例するため、水素透過速度が
遅いという問題がみられた。
合金膜が知られており(Sep．Sci．Technol．第22巻第87
3〜887頁、1987年)、既に実用化もされている。このよ
うな水素分離用Pd系合金膜は、従来合金単独で中空状に
作られており、従って、それの強度上の制約から、外径
が1.6mmのもので最小膜厚が約80μm程度が限界であり、
水素透過速度は膜厚に逆比例するため、水素透過速度が
遅いという問題がみられた。
【０００３】その対策として、多孔質アルミナチューブ
表面に、化学メッキ法でPd系合金膜を形成させる方法が
提案されているが(J．Memb．Sci．第56巻第303、315
頁、1991年)、膜厚については4.5〜6.4μmと改善されて
はいるものの未だ厚く、しかも膜形成プロセスが複雑
で、工程が多いという難点がみられる。更に、水素雰囲
気下で加熱・冷却のサイクルをくり返すと、水素脆性に
より膜が劣化するという問題がみられ、これは水素分離
膜として使用する上で、絶対に見逃すことのできない問
題である。
表面に、化学メッキ法でPd系合金膜を形成させる方法が
提案されているが(J．Memb．Sci．第56巻第303、315
頁、1991年)、膜厚については4.5〜6.4μmと改善されて
はいるものの未だ厚く、しかも膜形成プロセスが複雑
で、工程が多いという難点がみられる。更に、水素雰囲
気下で加熱・冷却のサイクルをくり返すと、水素脆性に
より膜が劣化するという問題がみられ、これは水素分離
膜として使用する上で、絶対に見逃すことのできない問
題である。
【０００４】そこで、Pd-Ag合金膜を水素選択透過性膜
とする水素分離膜であって、このPd系合金膜を薄膜とし
て形成させることにより、水素透過速度を高めたもの、
具体的には、多孔質セラミックス中空糸外表面上に、Pd
(NO3)2-AgNO3混合物水溶液の噴霧熱分解物たるPd-Ag合
金薄膜を堆積させて製造される水素分離膜が、本発明者
の一部らによって提案されており、そこでは膜厚約2μm
で500℃におけるH2/N2分離係数24、水素透過係数8×10
-7モル/m2・s・PaのPd-Ag合金薄膜が形成されている(化
学工学会第25回秋季大会研究発表講演要旨集第1分冊第7
頁、1992年)。
とする水素分離膜であって、このPd系合金膜を薄膜とし
て形成させることにより、水素透過速度を高めたもの、
具体的には、多孔質セラミックス中空糸外表面上に、Pd
(NO3)2-AgNO3混合物水溶液の噴霧熱分解物たるPd-Ag合
金薄膜を堆積させて製造される水素分離膜が、本発明者
の一部らによって提案されており、そこでは膜厚約2μm
で500℃におけるH2/N2分離係数24、水素透過係数8×10
-7モル/m2・s・PaのPd-Ag合金薄膜が形成されている(化
学工学会第25回秋季大会研究発表講演要旨集第1分冊第7
頁、1992年)。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Pd薄
膜またはPd合金薄膜よりなる水素選択透過性膜を多孔質
セラミックス膜の細孔内に形成させることにより薄膜化
を図り、これにより水素透過性を更に改善させた水素分
離膜の製造法を提供することにある。
膜またはPd合金薄膜よりなる水素選択透過性膜を多孔質
セラミックス膜の細孔内に形成させることにより薄膜化
を図り、これにより水素透過性を更に改善させた水素分
離膜の製造法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明により、細孔内に
Pd薄膜またはPd合金薄膜を形成させた多孔質セラミック
ス膜よりなる水素分離膜が、多孔質セラミックス膜の両
側に圧力差を設け、気化させたPd膜源またはPd合金膜源
を多孔質セラミックス膜の細孔内に吸引しながら、細孔
内でPd膜化またはPd合金膜化させることにより製造され
る。
Pd薄膜またはPd合金薄膜を形成させた多孔質セラミック
ス膜よりなる水素分離膜が、多孔質セラミックス膜の両
側に圧力差を設け、気化させたPd膜源またはPd合金膜源
を多孔質セラミックス膜の細孔内に吸引しながら、細孔
内でPd膜化またはPd合金膜化させることにより製造され
る。
【０００７】支持体として用いられる多孔質セラミック
ス膜としては、一般に平均細孔率が約20〜60%、好まし
くは約40〜60%であって、平均細孔径が約5〜5000nm、好
ましくは約50〜500nmの精密ロ過性能を有する、α-アル
ミナ、シリカ、ジルコニア等のセラミックスあるいはこ
れらの複合物または混合物から形成された多孔質膜など
が用いられる。膜の形状は、一般に中空糸膜であること
が好ましいが、この他にフィルム状乃至シート状のもの
なども用いられる。
ス膜としては、一般に平均細孔率が約20〜60%、好まし
くは約40〜60%であって、平均細孔径が約5〜5000nm、好
ましくは約50〜500nmの精密ロ過性能を有する、α-アル
ミナ、シリカ、ジルコニア等のセラミックスあるいはこ
れらの複合物または混合物から形成された多孔質膜など
が用いられる。膜の形状は、一般に中空糸膜であること
が好ましいが、この他にフィルム状乃至シート状のもの
なども用いられる。
【０００８】また、多孔質セラミックス膜は、その表面
にゾル・ゲル法によるγ-アルミナ薄膜を形成させて用
いることができる。ゾル・ゲル法によるγ-アルミナ薄
膜の形成は、アルミニウムイソプロポキシドを加水分解
後、酸で解こうすることにより調製したベーマイトゾル
を用い、これを多孔質セラミックス膜にディップコーテ
ィング(引上げ速度0.5〜2.0mm/秒)することによりベー
マイトゲル膜を形成させ、これを室温下で一夜乾燥させ
た後、約400〜800℃で約5〜10時間焼成する操作を、１
回以上、一般には複数回くり返すことにより行われる。
にゾル・ゲル法によるγ-アルミナ薄膜を形成させて用
いることができる。ゾル・ゲル法によるγ-アルミナ薄
膜の形成は、アルミニウムイソプロポキシドを加水分解
後、酸で解こうすることにより調製したベーマイトゾル
を用い、これを多孔質セラミックス膜にディップコーテ
ィング(引上げ速度0.5〜2.0mm/秒)することによりベー
マイトゲル膜を形成させ、これを室温下で一夜乾燥させ
た後、約400〜800℃で約5〜10時間焼成する操作を、１
回以上、一般には複数回くり返すことにより行われる。
【０００９】このような多孔質セラミックス膜の細孔内
へのPd薄膜またはPd合金薄膜の形成は、膜の両側に圧力
差を設け、気化させたPd膜源またはPd合金膜源を多孔質
セラミックス膜の細孔内に吸引しながら、細孔内でPd膜
化またはPd合金膜化させることにより行われる。
へのPd薄膜またはPd合金薄膜の形成は、膜の両側に圧力
差を設け、気化させたPd膜源またはPd合金膜源を多孔質
セラミックス膜の細孔内に吸引しながら、細孔内でPd膜
化またはPd合金膜化させることにより行われる。
【００１０】Pd膜源としては、一般に酢酸パラジウム、
塩化パラジウム、硝酸パラジウム等の金属塩が用いら
れ、これを熱分解させてPd薄膜を形成させるCVD法(化学
蒸着法)が適用される。Pd膜源としては熱分解によりPd
を生成するものであれば、金属塩以外のものも用いるこ
とができる。更に、Ag、Au、Pt、Rh、Ru、Ir等と合金化
してもよく、その場合にはそれらの金属源として、金属
塩等の内熱分解でそれぞれの金属を生成するものが使用
される。その際、Pd源と熱分解温度の近いものを用いる
ことが好ましい。
塩化パラジウム、硝酸パラジウム等の金属塩が用いら
れ、これを熱分解させてPd薄膜を形成させるCVD法(化学
蒸着法)が適用される。Pd膜源としては熱分解によりPd
を生成するものであれば、金属塩以外のものも用いるこ
とができる。更に、Ag、Au、Pt、Rh、Ru、Ir等と合金化
してもよく、その場合にはそれらの金属源として、金属
塩等の内熱分解でそれぞれの金属を生成するものが使用
される。その際、Pd源と熱分解温度の近いものを用いる
ことが好ましい。
【００１１】このCVD法を多孔質セラミックス中空糸膜
について適用する場合には、図１に示されるような装置
を用いて行われる。
について適用する場合には、図１に示されるような装置
を用いて行われる。
【００１２】反応器１底部の細径部にOリング２によっ
て多孔質セラミックス中空糸膜３を固定し、その上端部
をガラス(例えば、Na2O-B2O3-SiO2系ガラス)で封止４す
る。中空糸膜３内のガスは、中空糸膜の開口端５より、
ロータリポンプ６で連続的に排気される。また、反応器
１内のガスは、ロータリポンプ７により排気される。こ
れら反応器１および中空糸膜３の出口の圧力は、ピラニ
ゲージ８および９によってそれぞれ測定され、排気量は
石けん膜流量計で測定する。
て多孔質セラミックス中空糸膜３を固定し、その上端部
をガラス(例えば、Na2O-B2O3-SiO2系ガラス)で封止４す
る。中空糸膜３内のガスは、中空糸膜の開口端５より、
ロータリポンプ６で連続的に排気される。また、反応器
１内のガスは、ロータリポンプ７により排気される。こ
れら反応器１および中空糸膜３の出口の圧力は、ピラニ
ゲージ８および９によってそれぞれ測定され、排気量は
石けん膜流量計で測定する。
【００１３】反応器１内には、アルゴンガス導入管10に
より、流量制御器11を通して、アルゴンガスが供給さ
れ、例えばPd膜源として酢酸パラジウムを用い、また多
孔質セラミックス膜として平均細孔径約150nm、平均細
孔率約40%の多孔質α-アルミナ中空糸膜を用いた場合、
その圧力は約20〜2000Pa、好ましくは約150〜200Paに保
たれる。一方、中空糸膜３内の圧力は約1〜100Pa、好ま
しくは約6〜9Paに保たれ、例えばアルゴンガスの供給量
が6ml/分(STP)の場合、排気量は約0.2〜0.3ml/分(STP)
である。なお、圧力および圧力差は、Pd膜源またはPd合
金膜源の特性や多孔質セラミックス膜の特性によって異
なり、一概には特定できないが、一般には約10〜2000Pa
程度の範囲内の適当な値が選ばれる。反応器１は、温度
制御器付きの電気炉12により外部から加熱され、その温
度はアルメル・クロメル熱電対13によって検出される。
より、流量制御器11を通して、アルゴンガスが供給さ
れ、例えばPd膜源として酢酸パラジウムを用い、また多
孔質セラミックス膜として平均細孔径約150nm、平均細
孔率約40%の多孔質α-アルミナ中空糸膜を用いた場合、
その圧力は約20〜2000Pa、好ましくは約150〜200Paに保
たれる。一方、中空糸膜３内の圧力は約1〜100Pa、好ま
しくは約6〜9Paに保たれ、例えばアルゴンガスの供給量
が6ml/分(STP)の場合、排気量は約0.2〜0.3ml/分(STP)
である。なお、圧力および圧力差は、Pd膜源またはPd合
金膜源の特性や多孔質セラミックス膜の特性によって異
なり、一概には特定できないが、一般には約10〜2000Pa
程度の範囲内の適当な値が選ばれる。反応器１は、温度
制御器付きの電気炉12により外部から加熱され、その温
度はアルメル・クロメル熱電対13によって検出される。
【００１４】Pd膜源物質またはPd合金膜源物質14は、反
応器１の本体底部15に置かれ、上記のような排気条件下
で、約300〜500℃に加熱される。このような反応温度に
約1〜3時間程度保持すると、熱分解で生じたPdまたはPd
合金は多孔質セラミックス中空糸膜３の外表面側の細孔
内に担持され、そこにPd薄膜またはPd合金薄膜を形成さ
せる。
応器１の本体底部15に置かれ、上記のような排気条件下
で、約300〜500℃に加熱される。このような反応温度に
約1〜3時間程度保持すると、熱分解で生じたPdまたはPd
合金は多孔質セラミックス中空糸膜３の外表面側の細孔
内に担持され、そこにPd薄膜またはPd合金薄膜を形成さ
せる。
【００１５】
【発明の効果】本発明により、細孔内にPd薄膜またはPd
合金薄膜よりなる水素選択透過性膜を形成させた多孔質
セラミックス膜よりなる水素分離膜の製造法が提供され
る。ここで多孔質セラミックス膜の細孔内に形成された
Pd薄膜またはPd合金薄膜は、ピンホールがなく、水素選
択透過性および水素透過速度の点でもすぐれ、しかも水
素分離膜にしばしばみられる水素脆化の問題を生じさせ
ない。
合金薄膜よりなる水素選択透過性膜を形成させた多孔質
セラミックス膜よりなる水素分離膜の製造法が提供され
る。ここで多孔質セラミックス膜の細孔内に形成された
Pd薄膜またはPd合金薄膜は、ピンホールがなく、水素選
択透過性および水素透過速度の点でもすぐれ、しかも水
素分離膜にしばしばみられる水素脆化の問題を生じさせ
ない。
【００１６】
【実施例】次に、実施例について本発明を説明する。
【００１７】実施例１
多孔質セラミックス膜として多孔質α-アルミナ中空糸
膜(外径2.6mm、内径2.0mm、平均細孔径150nm、平均細孔
率40%)を、またPd膜源物質として酢酸パラジウム20mgを
それぞれ用い、長さ250mm、内径28mmのパイレックス管
を反応器とする図１に示される装置を用い、CVD法を行
った。
膜(外径2.6mm、内径2.0mm、平均細孔径150nm、平均細孔
率40%)を、またPd膜源物質として酢酸パラジウム20mgを
それぞれ用い、長さ250mm、内径28mmのパイレックス管
を反応器とする図１に示される装置を用い、CVD法を行
った。
【００１８】まず、反応器をロータリポンプで排気しな
がら、6ml/分(STP)の供給量のアルゴンガスを流し、多
孔質α-アルミナ中空糸膜内をロータリポンプで、0.2〜
0.3ml/分(STP)の排気量で排気することにより、反応器
内を約150〜200Paの圧力に、また多孔質α-アルミナ中
空糸膜内を約6〜9Paの圧力にそれぞれ制御する。
がら、6ml/分(STP)の供給量のアルゴンガスを流し、多
孔質α-アルミナ中空糸膜内をロータリポンプで、0.2〜
0.3ml/分(STP)の排気量で排気することにより、反応器
内を約150〜200Paの圧力に、また多孔質α-アルミナ中
空糸膜内を約6〜9Paの圧力にそれぞれ制御する。
【００１９】そして、昇温速度13℃/分で400℃迄昇温さ
せ、酢酸パラジウムを熱分解させて2時間の製膜を行っ
たところ、ピンホールのない緻密なPd薄膜が中空糸膜外
表面の細孔内に形成された。ピンホールの有無は、透過
部温度300℃で水素透過速度の圧力依存性を調べ、図２
のグラフに示したように、水素透過速度が膜両側の水素
分圧差によらず一定であることから、ピンホールフリー
であると判断された。
せ、酢酸パラジウムを熱分解させて2時間の製膜を行っ
たところ、ピンホールのない緻密なPd薄膜が中空糸膜外
表面の細孔内に形成された。ピンホールの有無は、透過
部温度300℃で水素透過速度の圧力依存性を調べ、図２
のグラフに示したように、水素透過速度が膜両側の水素
分圧差によらず一定であることから、ピンホールフリー
であると判断された。
【００２０】また、このPd薄膜形成中空糸膜の透過性能
を、種々温度を変えて水素ガス透過係数として測定する
と、図３のグラフに示されるような結果が得られた。
を、種々温度を変えて水素ガス透過係数として測定する
と、図３のグラフに示されるような結果が得られた。
【００２１】更に、Pd系薄膜は、水素透過に伴う水素の
吸収と吐き出しとがくり返される過程で脆化すること前
述の如くであるので、100℃⇔300℃の昇・降温をくり返
して水素透過速度を測定したが、図４のグラフに示され
るように、水素脆化の問題は生じていなかった。
吸収と吐き出しとがくり返される過程で脆化すること前
述の如くであるので、100℃⇔300℃の昇・降温をくり返
して水素透過速度を測定したが、図４のグラフに示され
るように、水素脆化の問題は生じていなかった。
【００２２】実施例２
実施例１において、製膜温度を500℃、昇温速度を17℃/
分に変更して製膜したところ、ピンホールのない緻密な
Pd薄膜が、中空糸膜外表面側の細孔内に形成された。
分に変更して製膜したところ、ピンホールのない緻密な
Pd薄膜が、中空糸膜外表面側の細孔内に形成された。
【００２３】このPd薄膜形成中空糸膜の水素ガス透過係
数の透過温度依存性は、図５のグラフに示される。この
場合の水素ガス透過係数は、製膜温度400℃の場合より
も低下していた。
数の透過温度依存性は、図５のグラフに示される。この
場合の水素ガス透過係数は、製膜温度400℃の場合より
も低下していた。
【００２４】実施例３
実施例１において、製膜温度を300℃、昇温速度を10℃/
分に変更して製膜したところ、ピンホールのない緻密な
Pd薄膜が、中空糸膜外表面の細孔内に形成された。
分に変更して製膜したところ、ピンホールのない緻密な
Pd薄膜が、中空糸膜外表面の細孔内に形成された。
【００２５】このPd薄膜形成中空糸膜の水素ガス透過係
数の透過温度依存性は、図６のグラフに示される。この
場合の水素ガス透過係数は、製膜温度400℃の場合より
も大きくなっていた。
数の透過温度依存性は、図６のグラフに示される。この
場合の水素ガス透過係数は、製膜温度400℃の場合より
も大きくなっていた。
【００２６】また、得られたPd薄膜形成多孔質α-アル
ミナ中空糸膜のPd薄膜の膜表面SEM写真から、多孔質α-
アルミナ中空糸膜の外表面の細孔が、Pdによって隙間な
く埋められていることが確認された(図８〜10および図1
1〜12参照)。更に、Pd薄膜の膜断面のSEM-EDX分析結果
から、Pdは多孔質α-アルミナ中空糸膜の表面細孔内に
確実に入っていることも確認された(図13〜15参照)。
ミナ中空糸膜のPd薄膜の膜表面SEM写真から、多孔質α-
アルミナ中空糸膜の外表面の細孔が、Pdによって隙間な
く埋められていることが確認された(図８〜10および図1
1〜12参照)。更に、Pd薄膜の膜断面のSEM-EDX分析結果
から、Pdは多孔質α-アルミナ中空糸膜の表面細孔内に
確実に入っていることも確認された(図13〜15参照)。
【００２７】実施例４
実施例３において、多孔質α-アルミナ中空糸膜の外表
面側に、ゾル・ゲル法によるγ-アルミナ薄膜(平均膜厚
5μm、平均細孔径5nm)を形成させたものを用いて製膜し
たところ、ピンホールのない緻密なPd薄膜が、中空糸膜
外表面側の細孔内に形成された。
面側に、ゾル・ゲル法によるγ-アルミナ薄膜(平均膜厚
5μm、平均細孔径5nm)を形成させたものを用いて製膜し
たところ、ピンホールのない緻密なPd薄膜が、中空糸膜
外表面側の細孔内に形成された。
【００２８】このPd薄膜形成中空糸膜の水素ガス透過係
数の透過温度依存性は、図７のグラフに示される。ここ
で、２種類の○で示されたものは、それぞれ水素ガスの
透過係数を示しており、また２種類の△で示されたもの
は、それぞれ窒素ガスの透過係数を示している。
数の透過温度依存性は、図７のグラフに示される。ここ
で、２種類の○で示されたものは、それぞれ水素ガスの
透過係数を示しており、また２種類の△で示されたもの
は、それぞれ窒素ガスの透過係数を示している。
【００２９】なお、ガス透過試験は、中空糸膜の中央部
(長さ約10mm)以外の部分をすべて封着ガラスで封止し、
この中央部の外側に水素ガスまたは窒素ガスを流通させ
た後、Pd薄膜を透過したガス成分をアルゴンガスに同伴
させて、TCD-ガスクロマトグラフィーで分析することに
より行われた。
(長さ約10mm)以外の部分をすべて封着ガラスで封止し、
この中央部の外側に水素ガスまたは窒素ガスを流通させ
た後、Pd薄膜を透過したガス成分をアルゴンガスに同伴
させて、TCD-ガスクロマトグラフィーで分析することに
より行われた。
【図１】本発明方法に用いられるCVD装置の概要図であ
る。
る。
【図２】実施例１で得られた水素分離膜の水素ガス透過
係数の膜両面水素分圧差依存性を示すグラフである。
係数の膜両面水素分圧差依存性を示すグラフである。
【図３】実施例１で得られた水素分離膜の水素ガス透過
係数の透過温度依存性を示すグラフである。
係数の透過温度依存性を示すグラフである。
【図４】実施例１で得られた水素分離膜の水素脆化特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図５】実施例２で得られた水素分離膜の水素ガス透過
係数の透過温度依存性を示すグラフである。
係数の透過温度依存性を示すグラフである。
【図６】実施例３で得られた水素分離膜の水素ガス透過
係数の透過温度依存性を示すグラフである。
係数の透過温度依存性を示すグラフである。
【図７】実施例４で得られた水素分離膜の水素ガス透過
係数の透過温度依存性を示すグラフである。
係数の透過温度依存性を示すグラフである。
【図８】実施例３で得られたPd薄膜形成多孔質α-アル
ミナ中空糸膜のPd薄膜の膜表面SEM写真である。
ミナ中空糸膜のPd薄膜の膜表面SEM写真である。
【図９】実施例３で得られたPd薄膜形成多孔質α-アル
ミナ中空糸膜のPd薄膜の膜断面SEM写真である。
ミナ中空糸膜のPd薄膜の膜断面SEM写真である。
【図10】実施例３で得られたPd薄膜形成多孔質α-アル
ミナ中空糸膜のPd薄膜面SEM写真である。
ミナ中空糸膜のPd薄膜面SEM写真である。
【図11】実施例３で用いられた多孔質α-アルミナ中空
糸膜の膜表面SEM写真である。
糸膜の膜表面SEM写真である。
【図12】実施例３で用いられた多孔質α-アルミナ中空
糸膜の膜断面SEM写真である。
糸膜の膜断面SEM写真である。
【図13】実施例３で得られたPd薄膜形成多孔質α-アル
ミナ中空糸膜のPd薄膜の断面二次電子像写真である。
ミナ中空糸膜のPd薄膜の断面二次電子像写真である。
【図14】実施例３で得られたPd薄膜形成多孔質α-アル
ミナ中空糸膜のPd薄膜のPd線分析プロファイル写真であ
る。
ミナ中空糸膜のPd薄膜のPd線分析プロファイル写真であ
る。
【図15】実施例３で得られたPd薄膜形成多孔質α-アル
ミナ中空糸膜のPd薄膜のAl線分析プロファイル写真であ
る。
ミナ中空糸膜のPd薄膜のAl線分析プロファイル写真であ
る。
１ 反応器
３ 多孔質セラミックス中空糸膜
６，７ ロータリポンプ
１０ アルゴンガス導入管
１２ 電気炉
１４ Pd膜源物質
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 諸岡 成治
福岡県福岡市東区美和台３−29−２
(72)発明者 草壁 克己
福岡県福岡市東区箱崎６−10−１ 九州
大学工学部内
(72)発明者 前田 英明
福岡県福岡市東区箱崎６−10−１ 九州
大学工学部内
(56)参考文献 特開 昭62−121616（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−349926（ＪＰ，Ａ)
特開 昭50−55965（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−277472（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B01D 67/00 - 71/82 510
B01D 53/22
Claims (2)
- 【請求項１】 多孔質セラミックス膜の両側に圧力差を
設け、気化させたPd膜源またはPd合金膜源を多孔質セラ
ミックス膜の細孔内に吸引しながら、細孔内でPd膜化ま
たはPd合金膜化させることを特徴とする水素分離膜の製
造法。 - 【請求項２】 多孔質セラミックス膜として、多孔質α
-アルミナ膜またはその表面にゾル・ゲル法によるγ-ア
ルミナ薄膜を形成させたものが用いられる請求項１記載
の水素分離膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25500493A JP3373006B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 水素分離膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25500493A JP3373006B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 水素分離膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07136477A JPH07136477A (ja) | 1995-05-30 |
| JP3373006B2 true JP3373006B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=17272868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25500493A Expired - Fee Related JP3373006B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 水素分離膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3373006B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008102509A1 (ja) | 2007-02-19 | 2008-08-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 水素精製方法、水素分離膜、及び水素精製装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5294229B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2013-09-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 化学気相析出法を用いた水素透過膜製造装置 |
| JP6089814B2 (ja) * | 2013-03-12 | 2017-03-08 | 東京瓦斯株式会社 | 水素分離方法 |
| JP6384831B2 (ja) * | 2014-09-19 | 2018-09-05 | 東京瓦斯株式会社 | 水素分離装置および水素分離方法 |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP25500493A patent/JP3373006B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008102509A1 (ja) | 2007-02-19 | 2008-08-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 水素精製方法、水素分離膜、及び水素精製装置 |
| JP5229503B2 (ja) * | 2007-02-19 | 2013-07-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 水素精製方法、水素分離膜、及び水素精製装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07136477A (ja) | 1995-05-30 |
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