JP3394237B2

JP3394237B2 - 荷電粒子ビーム露光方法及び装置

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Publication number: JP3394237B2
Application number: JP2000243202A
Authority: JP
Inventors: 浩司永田; 晴夫依田; 秀寿佐藤; 弘之高橋
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-08-10
Filing date: 2000-08-10
Publication date: 2003-04-07
Anticipated expiration: 2020-08-10
Also published as: US20020027198A1; EP1180784A3; JP2002057090A; DE60141796D1; EP1180784A2; EP1180784B1; US6759666B2

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子ビームを
制御し、試料上にＬＳＩ等のパターンを露光する荷電粒
子ビーム露光方法及び装置に関し、特に、複数の荷電粒
子ビームを用いた荷電粒子ビーム露光方法及びその装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子ビーム露光装置等、荷電粒子ビーム
を用いてＬＳＩパターンを試料上に露光する荷電粒子ビ
ーム露光装置において、装置の処理能力（スループッ
ト）を向上するために複数の荷電粒子ビームを用いる、
マルチビーム露光方式が提案されている。このマルチビ
ーム露光方式の従来技術例として、ブランキングアパー
チャアレイ方式が挙げられる（H. Yasuda, J. VAC. Dc
i. Technol., B 14(6), 1996）。これは、独立に印加電
圧の制御が可能なブランキング電極を有する複数の開口
群で形成されたブランキングアパーチャアレイを用い
て、単一電子源からの電子ビームを複数の電子ビームに
分割し、それぞれの電子ビームのオン、オフを前記独立
制御可能なブランキング電極で制御することで、複数の
電子ビームからなる電子ビーム群の形成するビーム形状
を任意に設定することが可能なものである。これによ
り、任意の形状の電子ビームを得ることができるため、
装置のスループットが向上される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術での課題
は、ブランキングアパーチャアレイにより分割された電
子ビームの寸法が、試料上で約100nm角と大きいこと、
また、単一荷電粒子ビームを分割する方式であるため、
得られる荷電粒子ビーム数が、数百〜千本程度と限ら
れ、これにより、露光すべきパターンの寸法制御に制限
を受け分解能不足を生じる問題があった。また、電子の
レジスト内での散乱、または試料面からの反射電子等に
より発生する露光量分布により近接した部分でのパター
ンの露光に誤差が生じる。これらについて補正するため
の近接効果補正に特別な処理工程が必要になる等の問題
があった。これらの問題は、露光パターンの微細化に伴
い、ますます顕在化する傾向にある。

【０００４】前記従来技術のブランキングアパーチャア
レイ方式では、このような問題を、次のようにして軽減
化している。先ず、寸法分解能が不足する問題に関して
は、分割して得られる電子ビーム寸法よりも細かい寸法
単位で、露光寸法を制御する方法が、特開平6-302506号
公報に開示されている。これは、ブランキングアパーチ
ャアレイの開口において、隣接する列に属する開口同士
の位置関係が、開口の寸法よりも細かい寸法単位でずれ
て並ぶ様に形成し、露光すべき寸法に応じて、そのパタ
ーンの端部を露光する開口を、前記各列から、ずれた位
置関係に有る開口を複数選択し、該開口から発生された
各電子ビームを重ねて照射することにより、前記パター
ン端部の露光量を制御することで、電子ビームの寸法よ
りも細かい寸法でパターン寸法を制御すると言うもので
ある。この方式では、開口を加工する上での、各開口間
の位置精度に高い加工精度が要求される。また、ずらし
量の分解能を上げてパターンの寸法制御分解能を細かく
するためには、加工精度に更に高いものが要求されると
共に、開口数の増大が要求される。更に、パターン寸法
により、パターン端部を露光する開口の選択が必要とな
るため、ブランキングアパーチャアレイの制御回路が複
雑化してしまう等の課題がある。

【０００５】また、近接効果補正は、特開平5-175108号
公報、特開平5-206016号公報、特開平6-53129号公報に
開示されているように、実際のパターンの露光工程に加
え、露光工程で発生した近接効果による露光量誤差を補
正する補正露光工程を行うというものである。この方法
は、露光工程が増えるためスループットの低下が避けら
れない。また、補正露光工程を必要としない方法として
は、特開平9-63926号公報に開示されているような、パ
ターンデータに、それによる露光誤差を補正する露光デ
ータを加えたデータを露光前に作成し、それにより１回
の露光工程で補正されたパターンを得ると言う方式があ
る。このような方式は、パターンデータ生成及びテスト
描画により条件を出す必要が有るため時間がかかり、装
置のトータルスループットが低下してしまう。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明では、上記従来技
術の課題を解決するために、特許請求の範囲の各請求項
に記載した荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム
露光装置を採用する。ビーム源は複数でも一つでも良
い。すなわち、複数の荷電粒子ビームにより形成される
荷電粒子ビーム群を試料に照射してＬＳＩパターンなど
を露光する荷電粒子ビーム露光方法において、所定のパ
ターンの所定の区画内に対し、複数の荷電粒子ビーム群
を構成する荷電粒子ビームで所定の露光強度を得るため
荷電粒子ビーム区画内に対し重ねて照射することにより
試料上の所望の点に、所望の電荷量を照射するように
し、これにより所望の露光寸法を得るようにした。

【０００７】また、複数の荷電粒子ビームの電流量に重
み付けをした階調を持たせた荷電粒子ビームを用い、所
望の電荷量を照射するようにしこれにより所望の露光寸
法を得るようにした。また、メッシュ内の寸法分解能で
決まるショット回数マップと、複数メッシュに跨るパタ
ーンの存在密度の概念を導入しそれに基づく露光量マッ
プを作成し、そのデータを荷電粒子ビーム側にデータと
して与えることにより近接効果補正に必要になる露光量
補正も可能となる高い階調を持たせられる様にした。

【０００８】これらにより、試料上に割り当てたメッシ
ュのサイズが大きな寸法を有していても、荷電粒子ビー
ムの照射電荷量を細かく制御することにより階調数を設
定することができ、高い寸法制御性が得られるため、荷
電粒子ビーム群を形成するビーム数を大幅に削減し、ビ
ーム源および制御装置の簡素化が図れる。また、近接効
果補正については照射するデータを補正することで特別
な工程を必要としないためスループットが向上する。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１、２は、本発明の実施形態例
による描画処理方法を説明するための図である。本発明
において、複数の荷電粒子ビーム群は、図１に示す直交
する行と列で定義されるマトリクス状に荷電粒子ビーム
1002が配置されたマトリクスビーム1001を形成してい
る。また、描画領域は、図２に示す直交する行と列で定
義されるメッシュ状に分割されている。該メッシュ1003
の寸法は、前記マトリクスビーム1001を構成する1つの
荷電粒子ビーム1004が、試料上へ縮小投影された時の寸
法に等しい。また、図に示すように、前記メッシュ1003
の寸法は、露光パターン1005の寸法分解能よりも大きく
設定されている。したがって、露光パターンの寸法は、
必ずしも前記メッシュ1003の寸法の倍数に等しくはなら
ない。

【００１０】次に、図1に示した様な、大きなビーム寸
法で、それよりも小さな寸法分解能を得る方法を図３、
図４〜８により説明する。図３は、横軸にビーム照射位
置(単位nm)、縦軸に露光量（任意単位）をとり、前記マ
トリクスビームを構成する各ビームによるビーム照射量
がガウス分布を有すると仮定し、図３に示す各ビームの
露光量分布2001と、その結果得られる全体露光量分布20
02を示したものである。最終的に得られる全体露光量分
布2002は、各ビームにより与えられるビーム照射量の積
分値となる。また、露光パターンサイズ2003は、前記全
体露光量分布2002が、感光剤の感度閾値2004を超えた領
域で決まる。従来の露光方法では、図３中のガウス分布
の露光量分布を有するビームを、所望の寸法分解能に等
しいかそれより細かい単位で位置決めして照射していく
ことで、所望の寸法が得られる様に全体露光量分布2002
を制御していた。

【００１１】これに対して本発明では、図３に示したよ
うに、ガウス分布の露光量分布2001を有するビームを用
いマトリックス状に複数ビームを配置し端部のビームの
強度を制御することによりパターンサイズを任意に選択
できる構成とした。

【００１２】図４〜８の各全体露光量分布3001,3002,30
03,3004,3005は、図２における直線X1-X2の場所の露光
量分布に、また、各ガウス分布は、前記メッシュの第1
行のa〜e列のそれぞれの露光量分布を示す。さらに、各
ビームの大きさおよびメッシュのピッチは20nmとしてい
る。各グラフは、第1行a列の露光量を10%から100%まで
変化させた場合のそれぞれの各ビームの露光量分布と全
体露光量分布を示している。感光剤の感度閾値をグラフ
縦軸の1．０とした場合、それぞれの状態におけるパタ
ーンエッジ位置は、図４〜８中の丸印の位置であり、露
光量の変化に対して5nm以下の分解能で変化する。以上
説明したように、各ビームの露光量を所望の寸法に応じ
て変化させることで、所望のパターン寸法制御が、パタ
ーン寸法分解能よりも大きなサイズまた大きな間隔で配
置されているビームにより可能である。

【００１３】本発明では、各メッシュへの露光量を、図
９と図１０に示すように各メッシュ内部に含まれるパタ
ーンの寸法(面積)とメッシュ寸法(面積)の比率を指標に
用いこの比率データに基づいて変化させる様にした。パ
ターンの寸法(面積)とメッシュ寸法(面積)の割合をどの
程度とするかを決め最小単位を決定する。この一連の作
業が階調化である。さらに、前記各メッシュへの露光量
は、露光するビームの電流量や照射時間を変化させるの
ではなく、前記マトリクスビームを試料上で列方向に偏
向制御し、同一列内にある異なるビームで同一メッシュ
内を重ねて露光するようにし、各メッシュへの重ね露光
回数を前記寸法比率データにより制御する方式とした。
これにより、各メッシュの露光量を重ね露光回数で制御
でき、各メッシュ毎に所望の露光量が得られる。例え
ば、列方向に同一の電流量を有するビームが100個並ん
でいる場合には、どれか一つビームがオンすると1％の
露光量制御され、比率33％の場合には、33個のビームが
オンしてそれが重ね露光(同じメッシュに33回露光する)
をすることで所望の露光量が得られる。

【００１４】図１１は、前記比率データに基づき各メッ
シュの露光量を示している。例えばメッシュ(2,a)では3
3％であり、これを重み付けされていない荷電粒子ビー
ムのショット数で表すと33回の重ね露光を行うこととな
る。ここでは、第一行のa列からe列のメッシュに関して
説明する。また、図１２のマトリクスビーム5001は、10
0行5列（a,b,c,d,e）の構成で、各ビームは全て等しい
電流量を有するものである。メッシュ第一行、a列に照
射するビーム（(1，a)と表す）は、階調数11と表記し、
その意味するところは、マトリクスビーム5001の、a列
にある1行から11行までのビームが順次重ねてメッシュ
(1,a)に対応した試料上の同一場所に偏向器で偏向して
照射される。メッシュ（1,b）に照射するビームは、重
ね回数６６回即ち１００を最大とする階調数では66とな
るので、マトリクスビーム5001の、b列にある1行から66
行までのビームが順次重ねて試料上の同一場所に偏向器
で偏向して照射される。メッシュ（1,c）に照射するビ
ームは、階調数66であるので、図１２のマトリクスビー
ム5001の、c列にある1行から66行までのビームが順次重
ねて試料上の同一場所に偏向器で偏向して照射される。
メッシュ（1,d）に照射するビームは、階調数66である
ので、マトリクスビーム5001の、d列にある1行から66行
までのビームが順次重ねてメッシュ（1,d）に対応した
試料上の同一場所に偏向器で偏向して照射される。図１
１のメッシュ（1,e）に照射するビームは、階調数22で
あるので、マトリクスビーム5001の、e列にある1行から
22行までのビームが順次重ねて試料上の同一場所に偏向
器で偏向して照射される。

【００１５】図１３は、前記比率データに基づき各メッ
シュの階調数に変換した結果であり、該結果に基づいて
具体的な露光方法を説明する図である。ここでも、第一
行のa列からe列のメッシュに関して説明する。この例の
場合、マトリクスビーム6001は、8行5列（a,b,c,d,e）
の構成で、各行毎に、ビームの電流量の重みが２のべき
乗に設定されている。したがって、本方式では、階調数
は最大256が可能である。図１３のメッシュ（1,a）に照
射するビームは、階調数11であるので、マトリクスビー
ム6001の、a列にあるビームの内、1行、2行および4行が
順次重ねてメッシュ（1,a）に対応した試料上の同一場
所に偏向器で偏向して照射される。これにより、メッシ
ュ（1,a）には2⁰+2¹+2³=1+2+8=11の露光量が与えられ
る。メッシュ（1,b）に照射するビームは、階調数66で
あるので、マトリクスビーム6001の、b列にあるビーム
の内、2行および7行が順次重ねてメッシュ（1,b）対応
した試料上の同一場所に偏向器で偏向して照射される。
これにより、図１３のメッシュ（1,b）には2+64=66の露
光量が与えられる。図１３のメッシュ（1,c）に照射す
るビームは、階調数66であるので、マトリクスビーム60
01の、c列にあるビームの内、2行および7行が順次重ね
てメッシュ（1,c）対応した試料上の同一場所に偏向器
で偏向して照射される。これにより、メッシュ（1,c）
には2+64=66の露光量が与えられる。図１３のメッシュ
（1,d）に照射するビームは、階調数66であるので、マ
トリクスビーム6001の、d列にあるビームの内、2行およ
び7行が順次重ねてメッシュ（1,d）対応した試料上の同
一場所に偏向器で偏向して照射される。これにより、メ
ッシュ（1,d）には2+64=66の露光量が与えられる。図１
３のメッシュ（1,e）に照射するビームは、階調数22で
あるので、マトリクスビーム6001の、e列にあるビーム
の内、2行、3行および5行が順次重ねてメッシュ（1,e）
対応した試料上の同一場所に偏向器で偏向して照射され
る。これにより、メッシュ（1,e）には2+4+16=22の露光
量が与えられる。本方式では、このように電流量に重み
付けした荷電粒子ビームを用いることによりマトリクス
ビームを構成するビーム数を単一電流量の荷電粒子ビー
ムに比べ大幅に削減できる。

【００１６】本方式の偏向制御を含めた描画動作を図１
５〜図１８により説明する。マトリクスビーム101から
出た各荷電粒子ビームは、レンズ103により任意の値で
縮小され、偏向器104により位置決めされて試料ステー
ジ105に搭載された試料106上に照射される。図１５、図
１６、図１７、図１８は、露光動作の各状態をを時系列
に並べたものである。また、マトリクスビームのうち12
2、123、124、125の4つにのみ注目して説明する。初め
に、図１５の状態では、前記比率データ126が、マトリ
クスビーム101に与えられる。このデータは、メッシュ1
07に対する重ね回数を表し、この時は４回が指定されて
いる。荷電粒子ビーム122は、経路102を経て試料106上
のメッシュ107に到達する。このときのメッシュ107の試
料上での座標108は(x1、Y1)、さらに照射された電荷量1
09はJ1である。

【００１７】次に、図１６の状態に移る。前記比率デー
タ127が、マトリクスビーム101に与えられる。このデー
タ(b)は、メッシュ111に対する重ね回数を表し、この時
は１回が指定されている。各荷電粒子ビームは、前記図
１５の状態と比較して、偏向器104により図面上で左側
に偏向されている。これにより、荷電粒子ビーム122
は、経路102を経て試料106上のメッシュ111に到達す
る。このときのメッシュ111の試料上での座標112は(x
2、Y2)、さらに照射された電荷量113はJ1である。ま
た、荷電粒子ビーム123は、経路110を経て試料106上の
メッシュ107に到達する。このときのメッシュ107の試料
上での座標108は(x1、Y1)となり、図１５の時点で荷電
粒子ビーム122が照射した点に重なる。従って、メッシ
ュ107には2回目の照射が行われ、電荷量109はJ1+J2とな
る。

【００１８】次に、図１７の状態に移る。比率データ12
8が、マトリクスビーム101に与えられる。このデータ
(c)は、メッシュ117に対する重ね回数を表し、この時は
2回が指定されている。各荷電粒子ビームは、前記図１
６の状態と比較して、偏向器104により図面上で左側に
偏向されている。各荷電粒子ビームは、前記(b)の状態
と比較して、偏向器104により図面上で左側に偏向され
ている。これにより、荷電粒子ビーム122は、経路102を
経て試料106上のメッシュ117に到達する。このときのメ
ッシュ117の試料上での座標115は(x3、Y3)、さらに照射
された電荷量116はJ1である。また、荷電粒子ビーム124
は、経路114を経て試料106上のメッシュ107に到達す
る。このときメッシュ107の試料上での座標108は(x1、Y
1)となり、図１５の時点で荷電粒子ビーム122が照射し
た点、また図１６の時点で荷電粒子ビーム123が照射し
た点に重なる。従って、メッシュ107には3回目の照射が
行われ、電荷量109はJ1+J2+J3になる。メッシュ111に関
しては、重ね回数が１回と指定されているので照射は行
われない。したがって、荷電粒子ビーム123は発生され
ない。

【００１９】次に、図１８の状態に移る。比率データ12
9が、マトリクスビーム101に与えられる。このデータ
(d)は、メッシュ118に対する重ね回数を表し、この時は
1回が指定されている。各荷電粒子ビームは、前記図１
７の状態と比較して、偏向器104により図面上で左側に
偏向されている。これにより、荷電粒子ビーム122は、
経路102を経て試料106上のメッシュ118に到達する。こ
のときのメッシュ118の試料上での座標120は(x4、Y4)、
さらに照射された電荷量121はJ1である。また、荷電粒
子ビーム123は、経路110を経て試料106上のメッシュ117
に到達する。このときのメッシュ117の試料上での座標1
15は(x3、Y3)となり、図１７の時点で面積を有する荷電
粒子ビーム122が照射した点に重なる。従って、メッシ
ュ117には2回目の照射が行われ、電荷量116はJ1+J2にな
る。荷電粒子ビーム125は、経路119を経て試料106上の
メッシュ107に到達する。このときのメッシュ107の試料
上での座標108は(x1、Y1)となり、図１５の時点で荷電
粒子ビーム122が照射した点、図１６の時点で荷電粒子
ビーム123が照射した点、更に図１７の時点で荷電粒子
ビーム124が照射した点に重なる。従って、メッシュ107
には4回目の照射が行われ、電荷量109はJ1+J2+J3+J4に
なる。また、メッシュ111には、指定の1回の照射が(b)
で完了しているのでビーム124は発生しない。

【００２０】以上で、メッシュ107には4回、メッシュ11
1には1回、メッシュ117には2回、メッシュ118には1回の
重ね露光が完了する。以上説明したように、図１２の等
しい荷電粒子ビーム5001に対し図１４の如く荷電粒子ビ
ームに電流の重みを付けた6001を用いると荷電粒子ビー
ムの数を少なくすることができることが判明した。マト
リクスビームを構成する複数の荷電粒子ビームの夫々の
生成と非生成を制御し、生成される荷電粒子ビーム群を
偏向制御し、前記荷電粒子ビーム群を構成する異なる荷
電粒子ビームを試料上の同一点に重ねて照射することに
より試料上の所望のメッシュに、所望の電荷量を照射す
ることが可能になり、また、各メッシュ毎の露光量に階
調を持たせることが可能になる。これにより寸法の制御
が行える。

【００２１】（第一の実施例）図２０は、寸法分解能を
考慮した回数データマップである。図２１は、複数メッ
シュにまたがる近接効果を考慮した露光量データマップ
である。これらのマップに従い露光量の補正を通常の露
光と同時に行うことを可能とするために、図１４で説明
したマトリクスビームに対し副マトリックスビームの個
数を回数データの最大数分設ける。図１９や図２２又は
図２３の副マトリクスビーム（8001,8002,8003,8004,80
05,8006,8007,8008,8009）がそれに当たる。

【００２２】図２０に示したパターンは、前記比率デー
タに基づき各メッシュの階調数に変換した結果である。
この場合、階調数の最大値を９にした。本階調数とは別
に、複数のメッシュにわたって定義される露光量データ
が得られる。これは、前記複数メッシュにわたる領域内
にどれだけのパターンが存在するかにより決定されるパ
ターンの存在密度を、前記複数メッシュにわたる領域内
毎に求め、前記複数メッシュにわたる領域単位で、高い
パターン存在密度の場合は露光量を少なく、低いパター
ン存在密度の場合は露光量を大きくするように照射電流
量を一定にするよう制御するものである。より具体的に
は、近接した領域にパターンが存在する割合により荷電
粒子ビームの電荷量を制御する近接効果補正にあって、
図２１に示す如く点線で示すように複数のメッシュに跨
って割り付けられた領域毎にパターン存在密度に基づく
ショット数を算出したマップを作成する。たとえば、孤
立パターンのように周囲にパターンが存在しない場合は
照射する電荷量を多くし、周りにパターンがある時には
電荷量を少なくして補正し電荷量に対する感光材料の感
応の平均化をはかり寸法精度を得る。

【００２３】このように高精度な寸法制御性と近接効果
補正を考慮した描画をするためには、図２０に示すパタ
ーン寸法に応じたショット数による寸法制御と、複数の
メッシュに跨る露光量の微少露光制御の両方を行わなけ
ればならない。さらに、高いスループットを維持するた
めには、前記寸法制御と前記微少露光制御の両方が同時
に行われなければならない。このため、図２９に示す如
く微少露光制御用データである露光量データと寸法制御
用データである回数データとに分けて複数の副マトリッ
クスに転送し荷電粒子ビーム源を制御して露光する方式
をとっている。図１９に寸法制御用データである回数デ
ータの最大値９が転送された場合の副マトリックスを示
した。この副マトリックスの列方向は２⁰〜２⁷と重み付
けされて配列されている図を示しているが一部省略して
いる。(図２２，２３も同様)マトリクスビーム構成で
は、前記寸法制御と前記微少露光制御の両方を同時に行
うことが可能である。図２２，２３によりこれを説明す
る。

【００２４】図２２は、図２０に示した荷電粒子ビーム
をショットする回数データマップの第5行を露光する場
合を示している。回数データマップに対し、複数のメッ
シュに跨がり近接効果を考慮した露光量データマップ図
２１では同じ場所の(５,a)での値が65を示している。こ
れらのマップの値に基づいて図１９に示す副マトリック
ス状の荷電粒子ビーム源を駆動し試料に照射させるため
の手続きを図２９を用いて以下に説明する。回数データ
マップの最大値が9とした。メッシュ(5,a)は、回数(階
調数)4回、露光量データ65である。即ち副マトリックス
の数は9個となるが図２９ではその内の3個に接続する回
路構成を示す。この回数データマップの値と露光量デー
タマップの値とを記憶し、例えばＴ１時刻を開始点とす
ると、露光量データは２進数の重みに応じた遅延量だけ
第１のシフトレジスタで遅延する。時刻Ｔ２では露光量
データマップ(6,a)のデータが第１レジスタに入力され
る。このように順次記憶部(14005〜14007)から読み出し
第１シフトレジスタに時刻Ｔ８まで順次入力する。時刻
Ｔ９では時刻Ｔ１に第１のシフトレジスタに入力したデ
ータが第２のシフトレジスタに入力されると同時に第１
のシフトレジスタには露光量データマップ(14,a)の値が
入力される。このように時刻Ｔ１７では第３シフトレジ
スタに時刻Ｔ１時の第１のシフトレジスタに入力したデ
ータが入力される。

【００２５】以上の動作から理解出来るように第２,３,
４のレジスタは時刻が異なっても第１のレジスタと同一
の動作をする。この同一の動作の回数を決めるのが回数
データマップで指示された量である。回数データは記憶
部(14008〜14010)から送出する。送出された回数データ
例えば4回で有れば1の数が4個出力される如く２進数を
１進数に変換する変換回路(14012)を経由し、データを
遅延する第１の遅延回路(14017)に入力される。ａ列の
最下位ビットにより第１シフトレジスタａ列の出力を制
御している。同様にａ列の２ビットは第２シフトレジス
タのａ列の出力を制御する。b列の最下位ビットにより
第１シフトレジスタb列の出力を制御している。同様にb
列の２ビットは第２シフトレジスタのb列の出力を制御
する。例えばＴ１時刻に第１遅延回路(14017)に入力し
たデータがａ列が４〔1111〕、b列が９〔111111111〕、
c列が９〔111111111〕、d列が6〔111111〕、e列が6〔11
1111〕であれば、したがって、図２０，２１のマップ
(5,a)には、4つの副マトリクスビーム8001,8002,8003,8
004が、それぞれ65の露光量で順次重ねて露光する。回
数データマップ(5,b)は、露光量65で9回重ねて露光され
る。したがって、メッシュ(5,b)には、9つの副マトリク
スビーム8001から8009が、それぞれ65の露光量で順次重
ねて露光する。メッシュ(5,c)は、階調数9、微少露光補
正係数65である。したがって、回数データマップ(5,c)
には、9つの副マトリクスビーム8001から8009が、それ
ぞれ65の露光量で順次重ねて露光する。回数データマッ
プ(5,d)は、副マトリクスビーム8001から8006が、それ
ぞれ65の露光量で順次重ねて露光する。メッシュ(5,e)
は副マトリクスビーム8001から8006が、それぞれ83の露
光量で順次重ねて露光する。

【００２６】図２３は、図２０に示したパターンの第1
行を露光する場合を示している。回数データマップ(1,
a)から(1,d)は、回数データ0であるため露光されない。
回数データマップ(1,e)は、回数データ6、露光量データ
122である。したがって、回数データマップ(1,e)には、
6つの副マトリクスビーム8001から8006が、それぞれ122
の露光量で順次重ねて露光する。

【００２７】（第二の実施例）図２４〜２７は、図１
３、１４にて説明した構成のマトリクスビームを例にし
て、そのデータと露光が時系列にどのように処理される
かを示す図である。この方式は、試料上に露光すべきパ
ターンをメッシュ単位で露光量を分割し、その各メッシ
ュ毎の露光量データを２進数のＮビットに変換し記憶し
た後、その２進数のＮビットを重み付けに合わせて制御
クロックでＮ回シフトさせ、Ｎ行のマトリックスビーム
を駆動するものである。

【００２８】より具体的には、時刻Ｔ１にメッシュの第
１行目の該当する部分の各メッシュの露光量データを２
進数に変換する。例えばa列については、最下位ビット
はシフトすることなくマトリックスビームの(1,a)に転
送されメッシュ上の(1,a)に照射される。２ビット目は
制御クロックで１クロック遅延された後即ち時刻Ｔ２後
にマトリックスビームの(2,a)に転送されメッシュ上の
(1,a)に照射される。同様に３ビット目は、制御クロッ
クで２クロック遅延された後即ち時刻Ｔ３後にマトリッ
クスビームの(3,a)に転送されメッシュ上の(1,a)に照射
される。また、ｂ列については、ａ列と同様に最下位ビ
ットはシフトすることなくマトリックスビームの(1,b)
に転送されメッシュ上の(1,b)に照射される。２ビット
目は制御クロックで１クロック遅延された後即ち時刻Ｔ
２後にマトリックスビームの(2,ｂ)に転送されメッシュ
上の(1,b)に照射される。同様に３ビット目は、制御ク
ロックで２クロック遅延された後即ち時刻Ｔ３後にマト
リックスビームの(3,b)に転送されメッシュ上の(1,b)に
照射される。時刻Ｔ２で第２行目の露光量が記憶部から
取り出され、最下位ビットはシフトすることなくマトリ
ックスビームの(1,a)に転送されメッシュ上の(２,a)に
照射される。２ビット目は制御クロックで１クロック遅
延された後即ち時刻Ｔ３後にマトリックスビームの(2,
a)に転送されメッシュ上の(2,a)に照射される。同様に
３ビット目は、制御クロックで２クロック遅延された後
即ち時刻Ｔ４後にマトリックスビームの(3,a)に転送さ
れメッシュ上の(2,a)に照射される。このように試料上
のパターン全てに対し予めメッシュを割り当てその露光
量を決定し時間遅延を利用して露光が完成する方式であ
る。

【００２９】時刻Ｔ１（露光開始時刻）では、図中丸印
が付された第一行目のデータが与えられる。このデータ
は、2進数に変換される。そしてこのデータの内、２の
零乗の重みを持つビットのデータがマトリクスビームの
各列の第一行目に与えられる。時刻Ｔ１は、露光開始時
刻であるので、他の行には零が設定される。本例の場
合、時刻T1にはマトリクスビームの(1,a)のみがＯＮに
なる。このビームは、試料上のメッシュの(1,a)に照射
される。

【００３０】時刻Ｔ２では、前記データに加え、図中四
角印が付された第二行目のデータが与えられる。このデ
ータも、2進数に変換される。そしてこれらのデータの
内、丸印のデータの２の１乗の重みを持つビットのデー
タがマトリクスビームの各列の第二行目に与えられる。
また、四角印のデータの２の零乗の重みを持つビットの
データがマトリクスビームの各列の第一行目に与えられ
る。他の行には零が設定される。本例の場合、時刻Ｔ２
にはマトリクスビーム各列の第一行および第二行が全て
ＯＮになる。第一行のビームは、試料上のメッシュの第
二行に照射される。また、第二行のビームは、試料上の
メッシュの第一行に照射される。

【００３１】時刻Ｔ３では、前記データに加え、図中三
角印が付された第三行目のデータが与えられる。このデ
ータも、2進数に変換される。そしてこれらのデータの
内、丸印のデータの２の２乗の重みを持つビットのデー
タがマトリクスビームの各列の第三行目に与えられる。
また、四角印のデータの２の１乗の重みを持つビットの
データがマトリクスビームの各列の第二行目に与えられ
る。さらに、三角印のデータの２の零乗の重みを持つビ
ットのデータがマトリクスビームの各列の第一行目に与
えられる。他の行には零が設定される。本例の場合、時
刻Ｔ３にはマトリクスビーム各列の第一行の全て、第二
行のb、c、d列、および(3,e)がＯＮになる。そして、第
一行のビームは、試料上のメッシュの第三行に、第二行
のビームは、試料上のメッシュの第二行に、さらに、第
三行のビームは、試料上のメッシュの第一行に照射され
る。以降、この動作を繰り返す。また、マトリクスビー
ムが図１９に示した構成である場合は、上記動作を副マ
トリクス毎に繰り返す。

【００３２】（第三の実施例）図２８は、図１３，１４
にて説明した構成のマトリクスビーム図１４(1〜8,a〜
e)を例にして、それを制御する制御部の構成を示す図で
ある。マトリクスビームは、8行５列構成になってい
る。各ショットデータは、ビームの列毎に設けられたシ
ョットデータテーブルメモリ（13004から13008）予め格
納されている。ショットデータをショットデータテーブ
ルメモリから読み出すタイミングは、偏向制御クロック
13002で決まる。またアドレスは、偏向制御クロック130
02をアドレスカウンタ13003で計数して決まる。読み出
されたデータは、8bitの2進数に変換される。変換され
たデータは、ビット毎に設けられたシフトレジスタ1301
0に、前記偏向制御クロック13002に同期して取り込まれ
る構成になっている。このクロックＣ１の計数毎に偏向
器の偏向を試料上のメッシュ単位毎に偏向する構成とな
っている。

【００３３】時刻Ｔ１に前記偏向制御クロックＣ１が発
生すると、これによりアドレスカウンの出力値が決定さ
れ、ショットデータテーブルメモリの読み出しアドレス
ＡＤ１が決定する。そして、このアドレスＡＤ１に格納
されているショットデータＤＴ１が読み出され、2進化
部で変換され、各シフトレジスタに送られる。各シフト
レジスタでは、それぞれのデータを接続されている次の
シフトレジスタに転送するとともに送られてきたデータ
を取り込む。そして、ＤＴ１の２の０乗の重みのビット
のデータがマトリクスビーム13011(図１４の(1,a)に対
応)に与えられ、そのデータに応じてビームのＯＮ(黒四
角■)、ＯＦＦ(白四角□)が制御される。

【００３４】次に、時刻Ｔ２になると、クロック前記偏
向制御クロックＣ１が発生する。これによりアドレスＡ
Ｄ２が決定され、ＡＤ２に格納されているデータＤＴ２
が読み出され、2進化されてシフトレジスタに送られる。
各シフトレジスタでは、それぞれのデータを接続されて
いる次のシフトレジスタに転送するとともに送られてき
たデータを取り込む。これにより、時刻Ｔ２では、ＤＴ
２の２の０乗の重みのビットのデータがマトリクスビー
ムを構成するビームに与えられ、ビームのＯＮ、ＯＦＦ
が制御される。また、ＤＴ１の２の１乗の重みのビット
のデータがマトリクスビームを構成するビームに与えら
れ、ビームのＯＮ、ＯＦＦが制御される。

【００３５】次に、時刻Ｔ３になると、クロック前記偏
向制御クロックＣ３が発生する。これによりアドレスＡ
Ｄ３が決定され、ＡＤ３に格納されているデータＤＴ３
が読み出され、2進化されてシフトレジスタに送られる。
各シフトレジスタでは、それぞれのデータを接続されて
いる次のシフトレジスタに転送するとともに送られてき
たデータを取り込む。これにより、時刻Ｔ３では、ＤＴ
３の２の０乗の重みのビットのデータがマトリクスビー
ムを構成するビームに与えられ、ビームのＯＮ、ＯＦＦ
が制御される。また、ＤＴ２の２の１乗の重みのビット
のデータがマトリクスビームを構成するビームに与えら
れ、ビームのＯＮ、ＯＦＦが制御される。また、ＤＴ１
の２の２乗の重みのビットのデータがマトリクスビーム
を構成するビームに与えられ、ビームのＯＮ、ＯＦＦが
制御される。以下、上記動作が繰り返される。

【００３６】（第四の実施例）図２９は、マトリクスビ
ームが、副マトリクス構造を有する場合の制御部構成の
例である。副マトリクスの数は図１で示す1004の面積
(寸法)に対し最小寸法分解能を決めることにより決定さ
れる。例えば図２９では電子源の寸法が18nmであって、
最小寸法分解能を6nmに設定すれば副マトリックスの数
は3、即ち1回のショット当たり６nmを描画することとな
る。図２９ではそれぞれの副マトリクスは、8行3列構成
になっている。この場合、マトリクスビームを制御する
データは2種類あり、例えば一つは寸法制御に伴うショ
ット回数データであり、もう一つは複数メッシュに跨る
近接効果即ち露光量の均等化を図るための微少露光量デ
ータである。微少露光量データはショットデータテーブ
ルメモリ（１）（1405,1406,1407）に格納されている。
また、寸法制御に伴うショット回数データは、ショット
データテーブルメモリ（２）（1408,1409,1410）に格納
されている。それぞれのショットデータテーブルメモリ
のアドレスは、偏向制御部1401の動作に同期した偏向制
御クロック14002をアドレスカウンタ14003,14004で計数
したものを用いている。14013,14016,14017は、シフト
レジスタである。マトリクスビームを構成するビーム14
015(図１４の(1,a)に対応)は、シフトレジスタからのデ
ータに基づきＯＮ、ＯＦＦ制御される。

【００３７】一方、ショット回数データ側はショットデ
ータテーブルメモリ（２）（1408,1409,1410）から２進
化１０進の変換回路を経由しシフトレジスタに接続され
たビームをon/off制御する。例えば、ショット回数を2
回に設定したとすると２進化１０進の変換回路の出力に
1が2つ立つこととなり、副マトリックス１と２が動作状
態であって副マトリックス３は非動作状態となる。この
接続方式により最小寸法分解能による重ね回数とショッ
ト1回当たりの補正露光量とが掛け合わされて露光する
こととなる。

【００３８】次に、各電子ビームに異なる電流量を持た
せる方法について説明する。以下に説明する方法は、上
で説明した各実施例に共通に利用できる。図３０、図３
１は、マトリクスビームがフィールドエミッション型電
子源、MIM電子源等の電子源により構成されている場合
において、これらの各電子ビームに異なる電流量を持た
せる方法を説明する図である。前記電子源は、電子源に
与えるバイアス状態で電流値が制御可能である。フィー
ルドエミッション型電子源の場合には、図３０に示す電
子源チップ1501と引き出し電極1502の間に接続された電
源1503を変化させる。また、MIM電子源の場合は、絶縁
膜1601をはさむ電極1602、1603の間に接続された電源16
04を変化させる。以上示したように、本実施例のように
バイアス状態を各電子源毎に個別に設定することで、各
荷電粒子ビームの照射電荷量が、全て等しい場合、夫々
が異なる値を持つ場合、一定の比率で重み付けされてい
る場合など、どのような形態でもとれるようになる。

【００３９】図３２、図３３は、マトリクスビームがMI
M電子源等の電子源により構成されている場合におい
て、これらの各電子ビームに異なる電流量を持たせる方
法を説明する図である。MIM電子源は、電子源の電子放
出部分1701の面積を制御することで電流値の制御が可能
である。図３２の場合は、電子放出面積を変えること
で、電流量の制御を行う場合であり、放出面積を大きく
形成したり、小さく形成することで、電流量の大小を決
めている。また、図３３の場合は、一定の大きさの電子
放出部分の集積個数で制御している例であり、効果は図
３２の場合と同様である。以上示したように、本実施例
のように電子放出面積を各電子源毎に個別に設定するこ
とで、各荷電粒子ビームの照射電荷量が、全て等しい場
合、夫々が異なる値を持つ場合、一定の比率で重み付け
されている場合など、どのような形態でもとれるように
なる。

【００４０】面電子源の大きさが寸法分解能に対応する
構成では莫大な面電子源の数が必要となり配線数や回路
数も膨大となり実現性の無い構成となってしまう。これ
に対し、本発明は一つの面電子源の大きさより小さい寸
法を描画する点に特徴を有する。面電子源のビーム電流
量を制御し面電子源の大きさ以下の寸法精度まで得るた
めの現実に実現する回路構成を提供するものである。実
施例の回路構成から判るように、記憶部のメモリ、遅延
回路のシフトレジスタが基本構成と成っているため面電
子源と組み合わせたＩＣ回路に適した回路構成を取って
いることにも特徴を有するものである。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の荷電粒子
ビーム露光方法及び装置によれば、マスクを用いること
なく複数の回路パターンに対し自由自在に試料上に描画
することが可能となる。試料上に割り当てたメッシュの
サイズが大きな寸法を有していても、荷電粒子ビームの
照射電荷量を細かく制御することにより階調数を設定す
ることができため、パターン寸法の制御分解能において
高い分解能を得ることが可能である。この方式は試料パ
ターンと１対１の面電子源を配置してデータを転送する
方式で発生する膨大な面電子源の数とデータ転送の際の
転送速度の問題を解決するとともにＩＣ化に適した回路
で面電子源と一体化して構成が可能である。マトリクス
ビームを構成するビーム数を大幅に削減できため(荷電
粒子ビーム源を少なくできる)、マトリクスビーム制御
回路の簡素化、実装規模の縮小化などが可能である。ま
た、荷電粒子ビームをショットする回数データマップ
と、複数のメッシュに跨がる近接効果を考慮した露光量
データマップを高速に作成することが可能となり、ま
た、これらを同時制御する構成であるため露光のスルー
プットが向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】マトリクスビームの構成を説明する図。

【図２】メッシュの構成を説明する図。

【図３】照射量と寸法の関係を説明する図。

【図４】端部の照射量を変化させた例を説明する図。

【図５】端部の照射量を変化させた例を説明する図。

【図６】端部の照射量を変化させた例を説明する図。

【図７】端部の照射量を変化させた例を説明する図。

【図８】端部の照射量を変化させた例を説明する図。

【図９】比率データの例を説明する図。

【図１０】回数データの例を説明する図。

【図１１】回数データの例を説明する図。

【図１２】マトリクスビームの照射パターンの例を説明
する図。

【図１３】回数データの例を説明する図。

【図１４】マトリクスビームの照射パターンの例を説明
する図。

【図１５】露光手順を説明する図。

【図１６】露光手順を説明する図。

【図１７】露光手順を説明する図。

【図１８】露光手順を説明する図。

【図１９】副マトリクス構成を有するマトリクスビーム
の構成を説明する図。

【図２０】回数データの例を説明する図。

【図２１】露光量データの例を説明する図。

【図２２】マトリクスビームの照射パターンの例を説明
する図。

【図２３】マトリクスビームの照射パターンの例を説明
する図。

【図２４】回数データの例を説明する図。

【図２５】マトリクスビームへのデータ設定手順を説明
する図。

【図２６】マトリクスビームへのデータ設定手順を説明
する図。

【図２７】マトリクスビームへのデータ設定手順を説明
する図。

【図２８】マトリクスビーム制御部の構成を説明する
図。

【図２９】副マトリクス構成を有するマトリクスビーム
制御部の構成を説明する図。

【図３０】バイアス条件により電流量を変える方式を説
明する図。

【図３１】バイアス条件により電流量を変える方式を説
明する図。

【図３２】放出面積大きさで電流量を変える方式を説明
する図。

【図３３】放出面積大きさで電流量を変える方式を説明
する図。

【符号の説明】

1001…マトリクスビーム、1002…荷電粒子ビーム源、10
03…メッシュ、1004…荷電粒子ビーム源、1005…単位メ
ッシュ、2001…単位照射量、2002…全体照射量、2003…
寸法、2004…閾値、2005…ビーム間隔、3001〜3005…全
照射量、5001…マトリクスビーム、6001…マトリクスビ
ーム、8001〜8009…副マトリクスビーム、13001…偏向
制御部、13002…偏向制御クロック、13003…アドレスカ
ウンタ、13004〜13007…ショットデータテーブルメモ
リ、13009…変換回路部、13010…シフトレジスタ、1301
1…荷電粒子ビーム源、14001…偏向制御部、14002…偏
向制御クロック、14005〜14010…ショットデータテーブ
ルメモリ、14011…変換回路部、14012…変換回路部、14
013…シフトレジスタ、14014…演算回路部、14015…荷
電粒子ビーム源、14016,14017…シフトレジスタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高橋弘之東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献特開2000−12438（ＪＰ，Ａ) 特開平５−267135（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−269446（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 504 G03F 7/20 521 H01J 37/147 H01J 37/305

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】試料に照射する列方向に電流量が異なり
行成分と列成分から成るマトリックス状に配置した複数
の荷電粒子ビームを用い、試料に所定パターンを露光す
るための露光データを有し、前記複数の荷電粒子ビーム
を制御するため前記露光データを所定パターンの線幅に
合わせ前記マトリックス状の複数の荷電粒子ビームにお
ける列方向の各ビームのオンオフ状態を設定するデータ
に変換する制御データ生成工程と、前記制御データを前
記マトリックス状の複数の荷電粒子ビームを制御する制
御部に転送する工程と、前記マトリックス状の列方向に
配置された複数の荷電粒子ビームが同一時刻に前記制御
部のシフトレジスタに転送されている複数のデータによ
り試料上の異なる位置に照射され、また異なる時刻に前
記制御部のシフトレジスタに転送されている一のデータ
により試料上の同一位置に照射される如く前記複数の荷
電粒子ビームを偏向する偏向工程と、を有することを特
徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項２】前記電流量が異なる複数の荷電粒子ビー
ムとして２のべき乗の重み付けされていることを特徴と
する請求項１記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項３】電流量が異なる複数の荷電粒子ビームを
列と行からなるマトリックス状に配置した荷電粒子源を
用い、試料に所定パターンを露光するため予め前記荷電
粒子源を駆動する列毎のデータに分離する工程と、前記
列の露光量を重み付けした階調データに変換する工程
と、前記変換されたデータを記憶する工程と、前記記憶
部からのデータを前記荷電粒子源の駆動部に転送する転
送工程と、前記転送されたデータに従って前記荷電粒子
源が作動し試料上の所定の領域に荷電粒子ビームを照射
する照射工程と、を具備したことを特徴とする荷電粒子
ビーム露光方法。
【請求項４】前記転送工程として、制御クロックを有
し前記制御クロックで重み付けした階調データをシフト
レジスタにより遅延する遅延工程を含むことを特徴とす
る請求項３記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項５】前記照射工程として、前記制御クロック
に合わせ前記荷電粒子源からの荷電粒子ビームを偏向す
る偏向工程を付加したことを特徴とする請求項３記載の
荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項６】電流量が異なる複数の荷電粒子ビームを
用い、試料に所定パターンを露光するための露光データ
を有し、前記電流量が異なる複数の荷電粒子ビームを制
御するため前記露光データを寸法分解能に基づく回数デ
ータと微少露光制御用の露光量データとの２系統に分離
する工程と、前記分離された回数データと露光量データ
を記憶部に記憶する工程と、前記露光量データを前記回
数データの回数分荷電粒子ビームをオンする如く前記露
光量データと前記回数データとを演算する演算工程と、
前記演算工程により生成されたデータによって制御され
た複数の荷電粒子ビームを試料に照射する照射工程と、
を具備したことを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項７】前記記憶工程後に分離された露光量デー
タを２進化し重み付け量に合わせた遅延により電流量が
異なる各荷電粒子ビームのオンオフを設定するシフトレ
ジスタに転送する転送工程を有することを特徴とする請
求項６記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項８】電流量が異なる行成分と列成分とを有す
るマトリックス状の複数の荷電粒子ビームを用い、試料
に所定パターンを露光するための露光データを有し、前
記所定パターンをメッシュに分割する工程と、前記露光
データを前記メッシュ毎の回数データとパターン密度を
考慮して電流量が異なる複数の荷電粒子ビームの行成分
と列成分のオンオフを設定する露光量データに分離し行
成分と列成分から成るマップを形成する形成工程と、前
記マップの回数データと露光量データを記憶部に記憶す
る工程と、前記露光量データを前記回数データの回数分
荷電粒子ビームをオンする如く前記露光量データと前記
回数データとを演算する演算工程と、前記演算工程によ
り生成されたデータを複数の荷電粒子ビームに与え試料
に照射する照射工程と、を具備したことを特徴とする荷
電粒子ビーム露光方法。
【請求項９】試料に照射する列方向に電流量が異なり
行成分と列成分から成るマトリックス状に配置した複数
の荷電粒子ビーム源と、試料に所定パターンを露光する
ための露光データを有し、前記複数の荷電粒子ビームを
制御するため前記露光データを所定パターンの線幅に合
わせ前記マトリックス状の複数の荷電粒子ビームにおけ
る列方向の各ビームのオンオフ状態を設定するデータに
変換する変換部と、前記変換部で変換されたデータを記
憶する記憶部と、前記記憶部からの２進化されたデータ
を重み付け量に合わせ遅延量を設定するシフトレジスタ
と、前記シフトレジスタの出力で前記荷電粒子ビーム源
を制御する制御部と、前記マトリックス状の列方向に配
置された複数の荷電粒子ビームが同一時刻に前記制御部
のシフトレジスタに転送されている複数のデータにより
試料上の異なる位置に照射され、また異なる時刻に前記
制御部のシフトレジスタに転送されている一のデータに
より試料上の同一位置に照射される如く前記複数の荷電
粒子ビームを偏向する偏向器と、を有することを特徴と
する荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項１０】列方向に電流量が異なるマトリックス
状の複数の荷電粒子ビーム源と、試料に所定パターンを
露光するための露光データを有し、前記電流量が異なる
複数の荷電粒子ビーム源を制御する制御部と、前記露光
データを寸法分解能に基づく回数データと微少露光制御
用の露光量データとの２系統に分離し、前記分離された
回数データと露光量データを記憶する記憶部と、前記記
憶部からの露光量データの重み付け量に合わせた遅延量
により電流量が異なる前記荷電粒子ビームのオンオフを
設定する第１のシフトレジスタと、前記マトリックス状
の列方向に配置された複数の荷電粒子ビームが同一時刻
に前記制御部の第１のシフトレジスタに転送されている
複数のデータにより試料上の異なる位置に照射され、ま
た異なる時刻に前記制御部の第１のシフトレジスタに転
送されている一のデータにより試料上の同一位置に照射
される如く前記複数の荷電粒子ビームを偏向する偏向器
と、前記第１のシフトレジスタの遅延量によって設定さ
れる露光量データを前記記憶部からの回数データ分だけ
重複して露光させるための第２のシフトレジスタと、を
有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項１１】前記第１のシフトレジスタに前記露光
量データと前記回数データとを演算する演算部を有する
ことを特徴とする請求項１０記載の荷電粒子ビーム露光
装置。
【請求項１２】前記マトリックス状電子源の電流放出
面積が行方向に同一で列方向に異なっている如く配置さ
れた複数の荷電粒子ビーム源であることを特徴とする請
求項１０記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項１３】前記露光量データは２進数化され、該
２進数化された値の２のべき乗の各重みの出力と、前記
２のべき乗の比率の重みを有する前記マトリックス状の
複数の荷電粒子ビームの２のべき乗の重みが合うように
接続されていることを特徴とする請求項９又は１０のい
ずれか記載の荷電粒子ビーム露光装置。