JP3406702B2 - 電子部品を樹脂封止する方法 - Google Patents
電子部品を樹脂封止する方法Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品を樹脂封止する
方法に関し、詳しくは、特定の硬化性を有する付加反応
硬化型シリコーン組成物を１００〜２００℃に加熱し
て、比較的気泡が少なく、かつ、外観が良好であるシリ
コーン硬化物により電子部品を生産性良く樹脂封止する
方法に関する。
方法に関し、詳しくは、特定の硬化性を有する付加反応
硬化型シリコーン組成物を１００〜２００℃に加熱し
て、比較的気泡が少なく、かつ、外観が良好であるシリ
コーン硬化物により電子部品を生産性良く樹脂封止する
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】セラミック、ガラス−
エポキシ樹脂等の電気回路基板上に登載された半導体素
子、コンデンサー、電気抵抗器等の電子部品は、防湿性
および電気絶縁性を向上し、さらに、外部からの機械的
応力から該電子部品を保護するために、シリコーン硬化
物により樹脂封止される。電子部品をシリコーン硬化物
により樹脂封止するため、一般に、一分子中に少なくと
も２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサ
ン、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原
子を有するオルガノポリシロキサンおよび白金もしくは
白金系化合物からなる付加反応硬化型シリコーン組成物
（特開平４−２３９５６３号公報参照）が用いられてい
る。
エポキシ樹脂等の電気回路基板上に登載された半導体素
子、コンデンサー、電気抵抗器等の電子部品は、防湿性
および電気絶縁性を向上し、さらに、外部からの機械的
応力から該電子部品を保護するために、シリコーン硬化
物により樹脂封止される。電子部品をシリコーン硬化物
により樹脂封止するため、一般に、一分子中に少なくと
も２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサ
ン、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原
子を有するオルガノポリシロキサンおよび白金もしくは
白金系化合物からなる付加反応硬化型シリコーン組成物
（特開平４−２３９５６３号公報参照）が用いられてい
る。
【０００３】しかし、付加反応硬化型シリコーン組成物
を１００〜２００℃に加熱して電子部品を樹脂封止する
際、該電子部品の形状が複雑であったり、該電子部品を
搭載した電気回路基板の表面に凹凸や隙間が多くある場
合には、該組成物の硬化途上で該組成物と該電子部品と
の界面に生じた気泡により、シリコーン硬化物中に気泡
が多く残存したり、該硬化物の表面に該気泡の痕跡が残
るなどして、電子部品の外観を著しく損なうという問題
があった。
を１００〜２００℃に加熱して電子部品を樹脂封止する
際、該電子部品の形状が複雑であったり、該電子部品を
搭載した電気回路基板の表面に凹凸や隙間が多くある場
合には、該組成物の硬化途上で該組成物と該電子部品と
の界面に生じた気泡により、シリコーン硬化物中に気泡
が多く残存したり、該硬化物の表面に該気泡の痕跡が残
るなどして、電子部品の外観を著しく損なうという問題
があった。
【０００４】上記の問題を解決する方法としては、例え
ば、付加反応硬化型シリコーン組成物を電子部品上に塗
布した後、十分な時間放置する方法、低温で加熱する方
法、減圧下で脱泡する方法が挙げられるが、該電子部品
の形状が複雑であったり、該電子部品を搭載した電気回
路基板の表面に凹凸や隙間が多くある場合には効果が十
分でなく、また、シリコーン硬化物により電子部品を生
産性良く樹脂封止できないという問題があった。
ば、付加反応硬化型シリコーン組成物を電子部品上に塗
布した後、十分な時間放置する方法、低温で加熱する方
法、減圧下で脱泡する方法が挙げられるが、該電子部品
の形状が複雑であったり、該電子部品を搭載した電気回
路基板の表面に凹凸や隙間が多くある場合には効果が十
分でなく、また、シリコーン硬化物により電子部品を生
産性良く樹脂封止できないという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記の
課題を解決するため鋭意検討した結果、本発明に到達し
た。すなわち、本発明の目的は、特定の硬化性を有する
付加反応硬化型シリコーン組成物を１００〜２００℃に
加熱して、比較的気泡が少なく、かつ、外観が良好であ
るシリコーン硬化物により電子部品を生産性良く樹脂封
止する方法を提供することにある。
課題を解決するため鋭意検討した結果、本発明に到達し
た。すなわち、本発明の目的は、特定の硬化性を有する
付加反応硬化型シリコーン組成物を１００〜２００℃に
加熱して、比較的気泡が少なく、かつ、外観が良好であ
るシリコーン硬化物により電子部品を生産性良く樹脂封
止する方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段およびその作用】本発明
は、２５℃における調製直後から２４時間後の粘度の変
化率が２０％以下であり、かつ、加硫試験機により求め
られる、１２０℃における誘導時間が２００秒以下であ
り、さらに好ましくは、加硫温度Ｔ(℃)における誘導時
間(ｔ1)および９０％加硫度となる時間(ｔ2)が式：
は、２５℃における調製直後から２４時間後の粘度の変
化率が２０％以下であり、かつ、加硫試験機により求め
られる、１２０℃における誘導時間が２００秒以下であ
り、さらに好ましくは、加硫温度Ｔ(℃)における誘導時
間(ｔ1)および９０％加硫度となる時間(ｔ2)が式：
【式２】
（但し、Ｔは１００〜２００℃の範囲内である。）を満
たす付加反応硬化型シリコーン組成物を１００〜２００
℃に加熱して電子部品を樹脂封止する方法に関する。以
下、本発明の方法について詳細に説明する。
たす付加反応硬化型シリコーン組成物を１００〜２００
℃に加熱して電子部品を樹脂封止する方法に関する。以
下、本発明の方法について詳細に説明する。
【０００７】本発明の方法は、付加反応硬化型シリコー
ン組成物を１００〜２００℃に加熱して電子部品を樹脂
封止する方法に関するが、該電子部品は特に限定され
ず、例えば、セラミック、ガラス、ポリフェニレンスル
フィド、ガラス−エポキシ樹脂等の電気回路基板上に登
載された、半導体素子、コンデンサー、電気抵抗器、ダ
イオード等の電子部品が挙げられる。本発明の方法は、
電子部品の形状が複雑であったり、該電子部品を搭載し
た電気回路基板の表面に凹凸や隙間が多くある場合に特
に有効である。
ン組成物を１００〜２００℃に加熱して電子部品を樹脂
封止する方法に関するが、該電子部品は特に限定され
ず、例えば、セラミック、ガラス、ポリフェニレンスル
フィド、ガラス−エポキシ樹脂等の電気回路基板上に登
載された、半導体素子、コンデンサー、電気抵抗器、ダ
イオード等の電子部品が挙げられる。本発明の方法は、
電子部品の形状が複雑であったり、該電子部品を搭載し
た電気回路基板の表面に凹凸や隙間が多くある場合に特
に有効である。
【０００８】本発明の方法において、付加反応硬化型シ
リコーン組成物の組成は特に限定されず、例えば、一分
子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノ
ポリシロキサン、一分子中に少なくとも２個のケイ素原
子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンおよび
白金もしくは白金系化合物からなり（特開平４−２３９
５６３号公報参照）、その他任意の成分として、例え
ば、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジ
メチル−１−ヘキシン−３−オール、フェニルブチノー
ル、３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，５−ジ
メチル−３−ヘキセン−１−イン、１，３，５，７−テ
トラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテト
ラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，
３，５，７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサ
ン、ベンゾトリアゾール等の硬化抑制剤；ヒュームドシ
リカ、沈降性シリカ微粉末、溶融シリカ微粉末、石英粉
末、けいそう土、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタ
ン、酸化亜鉛、カーボンブラック、酸化鉄、ガラスビー
ズ、ガラス繊維等の無機質充填剤、およびこれらの無機
質充填剤をオルガノアルコキシシラン、オルガノクロロ
シラン、オルガノシラザン、オルガノポリシロキサンに
より表面処理してなる無機質充填剤；耐熱添加剤；接着
付与剤；顔料が挙げられる。本発明の方法において、上
記の付加反応硬化型シリコーン組成物を加熱して得られ
るシリコーン硬化物の形状は特に限定されず、例えば、
ゲル状、ゴム状、レジン状である。本発明の方法におい
て、上記の付加反応硬化型シリコーン組成物は、２５℃
における調製直後から２４時間後の粘度の変化率が２０
％以下であることが必要である。これは、２５℃におけ
る調製直後から２４時間後の粘度の変化率が２０％をこ
える付加反応硬化型シリコーン組成物により電子部品を
樹脂封止する場合には、該組成物の使用可能時間（ポッ
トライフ）が短いため、該組成物を電子部品上に塗布す
る作業性が悪く、本発明の目的を達成できないためであ
る。この調製直後とは、一分子中に少なくとも２個のア
ルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、一分子中
に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオ
ルガノポリシロキサンおよび白金もしくは白金系化合物
を均一に混合した直後の状態であり、一液型の付加反応
硬化型シリコーン組成物においては、該組成物を調製し
た直後の状態であり、二液型以上の付加反応硬化型シリ
コーン組成物においては、各成分を均一に混合した直後
の状態である。
リコーン組成物の組成は特に限定されず、例えば、一分
子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノ
ポリシロキサン、一分子中に少なくとも２個のケイ素原
子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンおよび
白金もしくは白金系化合物からなり（特開平４−２３９
５６３号公報参照）、その他任意の成分として、例え
ば、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジ
メチル−１−ヘキシン−３−オール、フェニルブチノー
ル、３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，５−ジ
メチル−３−ヘキセン−１−イン、１，３，５，７−テ
トラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテト
ラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，
３，５，７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサ
ン、ベンゾトリアゾール等の硬化抑制剤；ヒュームドシ
リカ、沈降性シリカ微粉末、溶融シリカ微粉末、石英粉
末、けいそう土、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタ
ン、酸化亜鉛、カーボンブラック、酸化鉄、ガラスビー
ズ、ガラス繊維等の無機質充填剤、およびこれらの無機
質充填剤をオルガノアルコキシシラン、オルガノクロロ
シラン、オルガノシラザン、オルガノポリシロキサンに
より表面処理してなる無機質充填剤；耐熱添加剤；接着
付与剤；顔料が挙げられる。本発明の方法において、上
記の付加反応硬化型シリコーン組成物を加熱して得られ
るシリコーン硬化物の形状は特に限定されず、例えば、
ゲル状、ゴム状、レジン状である。本発明の方法におい
て、上記の付加反応硬化型シリコーン組成物は、２５℃
における調製直後から２４時間後の粘度の変化率が２０
％以下であることが必要である。これは、２５℃におけ
る調製直後から２４時間後の粘度の変化率が２０％をこ
える付加反応硬化型シリコーン組成物により電子部品を
樹脂封止する場合には、該組成物の使用可能時間（ポッ
トライフ）が短いため、該組成物を電子部品上に塗布す
る作業性が悪く、本発明の目的を達成できないためであ
る。この調製直後とは、一分子中に少なくとも２個のア
ルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、一分子中
に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオ
ルガノポリシロキサンおよび白金もしくは白金系化合物
を均一に混合した直後の状態であり、一液型の付加反応
硬化型シリコーン組成物においては、該組成物を調製し
た直後の状態であり、二液型以上の付加反応硬化型シリ
コーン組成物においては、各成分を均一に混合した直後
の状態である。
【０００９】また、本発明の方法において、上記の付加
反応硬化型シリコーン組成物は、加硫試験機により求め
られる、１２０℃における誘導時間が２００秒以下であ
ることが必要である。これは、付加反応硬化型シリコー
ン組成物の使用可能時間が長くなればなるほど、該組成
物を電子部品上に塗布する作業性が良好であるが、１０
０〜２００℃に加熱した場合の硬化時間が長くなり、該
組成物の硬化途上で該組成物と電子部品との界面に生じ
た気泡により、シリコーン硬化物中に気泡が多く残存し
たり、該硬化物の表面に気泡の痕跡が残るなどして、電
子部品の外観を著しく損なうからである。ここで、付加
反応硬化型シリコーン組成物の誘導時間とは、加硫試験
機により一定の温度で該組成物に微少な一定振幅の振動
変形または応力を与えることにより、発生した応力また
は変形の時間的変化を加熱初期から該組成物が完全に硬
化するまで測定することにより、その応力または変形が
生じはじめた時間である。この誘導時間を求めるための
加硫試験機としては、例えば、バルカメーター、レオメ
ーター、ビスキュロメータ、キュラストメータが挙げら
れる。
反応硬化型シリコーン組成物は、加硫試験機により求め
られる、１２０℃における誘導時間が２００秒以下であ
ることが必要である。これは、付加反応硬化型シリコー
ン組成物の使用可能時間が長くなればなるほど、該組成
物を電子部品上に塗布する作業性が良好であるが、１０
０〜２００℃に加熱した場合の硬化時間が長くなり、該
組成物の硬化途上で該組成物と電子部品との界面に生じ
た気泡により、シリコーン硬化物中に気泡が多く残存し
たり、該硬化物の表面に気泡の痕跡が残るなどして、電
子部品の外観を著しく損なうからである。ここで、付加
反応硬化型シリコーン組成物の誘導時間とは、加硫試験
機により一定の温度で該組成物に微少な一定振幅の振動
変形または応力を与えることにより、発生した応力また
は変形の時間的変化を加熱初期から該組成物が完全に硬
化するまで測定することにより、その応力または変形が
生じはじめた時間である。この誘導時間を求めるための
加硫試験機としては、例えば、バルカメーター、レオメ
ーター、ビスキュロメータ、キュラストメータが挙げら
れる。
【００１０】また、本発明の方法において、上記の付加
反応硬化型シリコーン組成物は、加硫試験機により求め
られる、加硫温度Ｔ(℃)における誘導時間(ｔ1)および
９０％加硫度となる時間(ｔ2)が式：
反応硬化型シリコーン組成物は、加硫試験機により求め
られる、加硫温度Ｔ(℃)における誘導時間(ｔ1)および
９０％加硫度となる時間(ｔ2)が式：
【式３】
（但し、Ｔは１００〜２００℃の範囲内である。）を満
たすことが好ましい。ここで、付加反応硬化型シリコー
ン組成物の誘導時間(ｔ1)とは、加硫試験機により一定
の温度［Ｔ(℃)］で該組成物に微少な一定振幅の振動変
形または応力を与えることにより、発生した応力または
変形の時間的変化を加熱初期から該組成物が完全に硬化
するまで測定し、その応力または変形が生じはじめた時
間であり、９０％加硫度となる時間(ｔ2)は、該組成物
が完全に硬化した際に発生した応力または変形を１００
％加硫度とした場合に相対的に求められる時間である。
加硫試験機により求められる、加硫温度Ｔ(℃)における
誘導時間(ｔ1)および９０％加硫度となる時間(ｔ2)が上
式を満たさない付加反応硬化型シリコーン組成物を１０
０〜２００℃に加熱して電子部品を樹脂封止すると、該
組成物の硬化途上で該組成物と電子部品との界面に気泡
が生じやすくなったり、得られたシリコーン硬化物中に
気泡が残存するようになるためである。
たすことが好ましい。ここで、付加反応硬化型シリコー
ン組成物の誘導時間(ｔ1)とは、加硫試験機により一定
の温度［Ｔ(℃)］で該組成物に微少な一定振幅の振動変
形または応力を与えることにより、発生した応力または
変形の時間的変化を加熱初期から該組成物が完全に硬化
するまで測定し、その応力または変形が生じはじめた時
間であり、９０％加硫度となる時間(ｔ2)は、該組成物
が完全に硬化した際に発生した応力または変形を１００
％加硫度とした場合に相対的に求められる時間である。
加硫試験機により求められる、加硫温度Ｔ(℃)における
誘導時間(ｔ1)および９０％加硫度となる時間(ｔ2)が上
式を満たさない付加反応硬化型シリコーン組成物を１０
０〜２００℃に加熱して電子部品を樹脂封止すると、該
組成物の硬化途上で該組成物と電子部品との界面に気泡
が生じやすくなったり、得られたシリコーン硬化物中に
気泡が残存するようになるためである。
【００１１】本発明の方法において、上記の付加反応硬
化型シリコーン組成物を電子部品上に塗布する方法は特
に限定されず、例えば、ディスペンサーによる塗布、ス
プレーによる塗布が挙げられる。本発明の方法におい
て、上記の付加反応硬化型シリコーン組成物を電子部品
に塗布した後、該組成物を１００〜２００℃に加熱する
ことにより硬化させることができる。付加反応硬化型シ
リコーン組成物を１００〜２００℃に加熱する方法は特
に限定されず、例えば、熱風循環式オーブン、赤外線照
射装置が挙げられる。本発明の方法において、上記の付
加反応硬化型シリコーン組成物を加熱する際の雰囲気は
特に限定されず、例えば、空気中ないしは不活性ガス中
が挙げられる。
化型シリコーン組成物を電子部品上に塗布する方法は特
に限定されず、例えば、ディスペンサーによる塗布、ス
プレーによる塗布が挙げられる。本発明の方法におい
て、上記の付加反応硬化型シリコーン組成物を電子部品
に塗布した後、該組成物を１００〜２００℃に加熱する
ことにより硬化させることができる。付加反応硬化型シ
リコーン組成物を１００〜２００℃に加熱する方法は特
に限定されず、例えば、熱風循環式オーブン、赤外線照
射装置が挙げられる。本発明の方法において、上記の付
加反応硬化型シリコーン組成物を加熱する際の雰囲気は
特に限定されず、例えば、空気中ないしは不活性ガス中
が挙げられる。
【００１２】本発明の方法によると、電子部品の形状が
複雑であったり、該電子部品を搭載した電気回路基板の
表面に凹凸や隙間が多くある場合においても、比較的気
泡が少なく、かつ、外観が良好であるシリコーン硬化物
により電子部品を生産性良く樹脂封止することができる
ので、特に、複雑に表面実装してなる電気回路基板上の
電子部品を樹脂封止する方法や電気回路基板上のフリッ
プチップ型半導体装置を樹脂封止する方法として好まし
い。
複雑であったり、該電子部品を搭載した電気回路基板の
表面に凹凸や隙間が多くある場合においても、比較的気
泡が少なく、かつ、外観が良好であるシリコーン硬化物
により電子部品を生産性良く樹脂封止することができる
ので、特に、複雑に表面実装してなる電気回路基板上の
電子部品を樹脂封止する方法や電気回路基板上のフリッ
プチップ型半導体装置を樹脂封止する方法として好まし
い。
【００１３】
【実施例】本発明の電子部品を樹脂封止する方法につい
て実施例により詳細に説明する。なお、実施例中、粘度
は２５℃において測定した値である。２５℃における調
製直後から２４時間後までの付加反応硬化型シリコーン
組成物の粘度は回転粘度計により測定した。また、付加
反応硬化型シリコーン組成物の誘導時間および９０％加
硫度になる時間は、加硫試験機（株式会社オリエンテッ
ク製；ＪＳＲキュラストメータIII型）により求めた。
また、シリコーン硬化物中の気泡の有無は光学顕微鏡に
より観察した。
て実施例により詳細に説明する。なお、実施例中、粘度
は２５℃において測定した値である。２５℃における調
製直後から２４時間後までの付加反応硬化型シリコーン
組成物の粘度は回転粘度計により測定した。また、付加
反応硬化型シリコーン組成物の誘導時間および９０％加
硫度になる時間は、加硫試験機（株式会社オリエンテッ
ク製；ＪＳＲキュラストメータIII型）により求めた。
また、シリコーン硬化物中の気泡の有無は光学顕微鏡に
より観察した。
【００１４】図１は本発明の実施例で用いた電子部品Ａ
の断面図である。この電子部品Ａは、セラミック製の電
気回路基板１の表面に電気回路が形成され、該基板の外
周辺に該電気回路の外部端子である外部リード２が設け
られ、該電気回路上に半導体素子３が導電性バンプ４に
より電気的に接続されている。そして、半導体素子３を
樹脂封止するため、電気回路基板１上の該半導体素子３
の外周部に枠材５が形成されている。
の断面図である。この電子部品Ａは、セラミック製の電
気回路基板１の表面に電気回路が形成され、該基板の外
周辺に該電気回路の外部端子である外部リード２が設け
られ、該電気回路上に半導体素子３が導電性バンプ４に
より電気的に接続されている。そして、半導体素子３を
樹脂封止するため、電気回路基板１上の該半導体素子３
の外周部に枠材５が形成されている。
【００１５】図２は本発明の実施例で用いた電子部品Ｂ
の断面図である。この電子部品Ｂは、ガラス−エポキシ
樹脂製の電気回路基板１の表面に電気回路が形成され、
該基板外周辺に該電気回路の外部端子である外部リード
２が設けられ、該電気回路基板上に半導体素子３が接着
剤７により固定され、該半導体素子３と該電気回路とを
ボンディングワイヤ８により電気的に接続されている。
そして、半導体素子３を樹脂封止するため、電気回路基
板１上の該半導体素子３の外周部に枠材５が形成されて
いる。
の断面図である。この電子部品Ｂは、ガラス−エポキシ
樹脂製の電気回路基板１の表面に電気回路が形成され、
該基板外周辺に該電気回路の外部端子である外部リード
２が設けられ、該電気回路基板上に半導体素子３が接着
剤７により固定され、該半導体素子３と該電気回路とを
ボンディングワイヤ８により電気的に接続されている。
そして、半導体素子３を樹脂封止するため、電気回路基
板１上の該半導体素子３の外周部に枠材５が形成されて
いる。
【００１６】［実施例１］
次の特性を有する透明な付加反応硬化型シリコーン組成
物をディスペンサーにより電子部品Ａ上に塗布した後、
これを１５０℃の熱風循環式オーブン中で３０分間加熱
して、ゴム状のシリコーン硬化物により樹脂封止した電
子部品を１０個作製した。次いで、これらの電子部品を
観察することにより、シリコーン硬化物中の気泡の平均
値を求めた。 ○付加反応硬化型シリコーン組成物の特性： 調製直後の粘度(２５℃) ：１，５００センチポイズ 調製直後から２４時間後の粘度(２５℃) ：１，５５０センチポイズ （調製直後から２４時間後の粘度の変化率は３．３％である。） 加硫試験機による誘導時間(１２０℃) ：１００秒 ９０％加硫度になる時間(１２０℃) ：１６０秒
物をディスペンサーにより電子部品Ａ上に塗布した後、
これを１５０℃の熱風循環式オーブン中で３０分間加熱
して、ゴム状のシリコーン硬化物により樹脂封止した電
子部品を１０個作製した。次いで、これらの電子部品を
観察することにより、シリコーン硬化物中の気泡の平均
値を求めた。 ○付加反応硬化型シリコーン組成物の特性： 調製直後の粘度(２５℃) ：１，５００センチポイズ 調製直後から２４時間後の粘度(２５℃) ：１，５５０センチポイズ （調製直後から２４時間後の粘度の変化率は３．３％である。） 加硫試験機による誘導時間(１２０℃) ：１００秒 ９０％加硫度になる時間(１２０℃) ：１６０秒
【００１７】［実施例２］
実施例１で用いた付加反応硬化型シリコーン組成物をデ
ィスペンサーにより電子部品Ｂ上に塗布した後、これを
１５０℃の熱風循環式オーブン中で３０分間加熱して、
ゴム状のシリコーン硬化物により樹脂封止した電子部品
を１０個作製した。次いで、これらの樹脂封止した電子
部品を観察することにより、シリコーン硬化物中の気泡
の平均値を求めた。
ィスペンサーにより電子部品Ｂ上に塗布した後、これを
１５０℃の熱風循環式オーブン中で３０分間加熱して、
ゴム状のシリコーン硬化物により樹脂封止した電子部品
を１０個作製した。次いで、これらの樹脂封止した電子
部品を観察することにより、シリコーン硬化物中の気泡
の平均値を求めた。
【００１８】［比較例１］実施例１において、付加反応
硬化型シリコーン組成物をディスペンサーにより電子部
品Ａ上に塗布した後、これを９０℃の熱風循環式オーブ
ン中で１時間加熱した以外は実施例１と同様にして、ゴ
ム状のシリコーン硬化物により樹脂封止した電子部品を
１０個作製した。次いで、これらの電子部品を観察する
ことにより、シリコーン硬化物中の気泡の平均値を求め
た。
硬化型シリコーン組成物をディスペンサーにより電子部
品Ａ上に塗布した後、これを９０℃の熱風循環式オーブ
ン中で１時間加熱した以外は実施例１と同様にして、ゴ
ム状のシリコーン硬化物により樹脂封止した電子部品を
１０個作製した。次いで、これらの電子部品を観察する
ことにより、シリコーン硬化物中の気泡の平均値を求め
た。
【００１９】［比較例２］次の特性を有する透明な付加
反応硬化型シリコーン組成物をディスペンサーにより電
子部品Ａ上に塗布した後、これを１５０℃の熱風循環式
オーブン中で３０分間加熱して、ゴム状のシリコーン硬
化物ににより樹脂封止した電子部品を１０個作製した。
次いで、これらの電子部品を観察することにより、シリ
コーン硬化物中の気泡の平均値を求めた。 ○付加反応硬化型シリコーン組成物の特性： 調製直後の粘度(２５℃) ：１，５００センチポイズ 調製直後から２４時間後の粘度(２５℃) ：１，５２０センチポイズ （調製直後から２４時間後の粘度の変化率は１．３％である。） 加硫試験機による誘導時間(１２０℃) ：２２０秒 ９０％加硫度になる時間(１２０℃) ：５５０秒
反応硬化型シリコーン組成物をディスペンサーにより電
子部品Ａ上に塗布した後、これを１５０℃の熱風循環式
オーブン中で３０分間加熱して、ゴム状のシリコーン硬
化物ににより樹脂封止した電子部品を１０個作製した。
次いで、これらの電子部品を観察することにより、シリ
コーン硬化物中の気泡の平均値を求めた。 ○付加反応硬化型シリコーン組成物の特性： 調製直後の粘度(２５℃) ：１，５００センチポイズ 調製直後から２４時間後の粘度(２５℃) ：１，５２０センチポイズ （調製直後から２４時間後の粘度の変化率は１．３％である。） 加硫試験機による誘導時間(１２０℃) ：２２０秒 ９０％加硫度になる時間(１２０℃) ：５５０秒
【００２０】［比較例３］次の特性を有する透明な付加
反応硬化型シリコーン組成物をディスペンサーにより電
子部品Ａ上に塗布した後、これを１５０℃の熱風循環式
オーブン中で３０分間加熱して、ゴム状のシリコーン硬
化物により樹脂封止した電子部品を１０個作製した。次
いで、これらの電子部品を観察することにより、シリコ
ーン硬化物中の気泡の平均値を求めた。 ○付加反応硬化型シリコーン組成物の特性： 調製直後の粘度(２５℃) ：３，５００センチポイズ 調製直後から２４時間後の粘度(２５℃) ：４，５００センチポイズ （調製直後から２４時間後の粘度の変化率は２８．６％である。） 加硫試験機による誘導時間(１２０℃) ：２２０秒 ９０％加硫度になる時間(１２０℃) ：５４０秒
反応硬化型シリコーン組成物をディスペンサーにより電
子部品Ａ上に塗布した後、これを１５０℃の熱風循環式
オーブン中で３０分間加熱して、ゴム状のシリコーン硬
化物により樹脂封止した電子部品を１０個作製した。次
いで、これらの電子部品を観察することにより、シリコ
ーン硬化物中の気泡の平均値を求めた。 ○付加反応硬化型シリコーン組成物の特性： 調製直後の粘度(２５℃) ：３，５００センチポイズ 調製直後から２４時間後の粘度(２５℃) ：４，５００センチポイズ （調製直後から２４時間後の粘度の変化率は２８．６％である。） 加硫試験機による誘導時間(１２０℃) ：２２０秒 ９０％加硫度になる時間(１２０℃) ：５４０秒
【００２１】
【表１】
【００２２】
【発明の効果】本発明の電子部品を樹脂封止する方法
は、特定の硬化性を有する付加反応硬化型シリコーン組
成物を１００〜２００℃に加熱することにより、比較的
気泡が少なく、かつ、外観が良好であるシリコーン硬化
物により電子部品を生産性良く樹脂封止できるという特
徴を有する。
は、特定の硬化性を有する付加反応硬化型シリコーン組
成物を１００〜２００℃に加熱することにより、比較的
気泡が少なく、かつ、外観が良好であるシリコーン硬化
物により電子部品を生産性良く樹脂封止できるという特
徴を有する。
【図１】図１は実施例で用いた電子部品Ａの断面図であ
る。
る。
【図２】図２は実施例で用いた電子部品Ｂの断面図であ
る。
る。
１ 電気回路基板
２ 外部リード
３ 半導体素子
４ 導電性バンプ
５ 枠材
６ シリコーン硬化物
７ 接着剤
８ ボンディングワイヤ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 石川 孝恵
千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダ
ウコーニング・シリコーン株式会社 研
究開発本部内
(72)発明者 峰 勝利
千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダ
ウコーニング・シリコーン株式会社 研
究開発本部内
(56)参考文献 特開 平４−91448（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−226753（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−239563（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−219239（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/56
C08L 83/04
H01L 23/29
H01L 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】２５℃における調製直後から２４時間後の
粘度の変化率が２０％以下であり、かつ、加硫試験機に
より求められる、１２０℃における誘導時間が２００秒
以下である付加反応硬化型シリコーン組成物を１００〜
２００℃に加熱して電子部品を樹脂封止する方法。 - 【請求項２】２５℃における調製直後から２４時間後の
粘度の変化率が２０％以下であり、加硫試験機により求
められる、１２０℃における誘導時間が２００秒以下で
あり、かつ、加硫温度Ｔ(℃)における誘導時間(ｔ1)お
よび９０％加硫度となる時間(ｔ2)が式： 【式１】 （但し、Ｔは１００〜２００℃の範囲内である。）を満
たす付加反応硬化型シリコーン組成物を１００〜２００
℃に加熱して電子部品を樹脂封止する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22256994A JP3406702B2 (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 電子部品を樹脂封止する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22256994A JP3406702B2 (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 電子部品を樹脂封止する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864622A JPH0864622A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3406702B2 true JP3406702B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=16784524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22256994A Expired - Fee Related JP3406702B2 (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 電子部品を樹脂封止する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3406702B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4766222B2 (ja) * | 2003-03-12 | 2011-09-07 | 信越化学工業株式会社 | 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置 |
| JP6138629B2 (ja) * | 2013-08-23 | 2017-05-31 | 国立大学法人 東京大学 | 電気機器の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP22256994A patent/JP3406702B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0864622A (ja) | 1996-03-08 |
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