JP3445902B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3445902B2 JP3445902B2 JP18733096A JP18733096A JP3445902B2 JP 3445902 B2 JP3445902 B2 JP 3445902B2 JP 18733096 A JP18733096 A JP 18733096A JP 18733096 A JP18733096 A JP 18733096A JP 3445902 B2 JP3445902 B2 JP 3445902B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- insulating thin
- cyclic hydrocarbon
- semiconductor substrate
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に設
けられた配線上に、耐湿性があり、かつ比誘電率が３．
０以下で、しかも平坦性に優れた絶縁薄膜を有する半導
体装置およびその製造方法に関する。
けられた配線上に、耐湿性があり、かつ比誘電率が３．
０以下で、しかも平坦性に優れた絶縁薄膜を有する半導
体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置においては、半導体
基板上に素子および金属配線を形成した後に、表面保護
膜または層間絶縁膜としてＳｉＯ2等の絶縁薄膜が形成
される。かかる絶縁薄膜は、半導体装置の特性にも影響
し、低誘電率で、耐湿性があり、平坦性に優れているこ
とが好ましい。即ち、半導体基板上の金属配線の伝達遅
延時間τは、該金属配線上に設けられた絶縁薄膜の誘電
率に比例し、特に、高集積化された半導体装置では、か
かる誘電率が伝達遅延時間τに与える影響が大きくなる
ため絶縁薄膜の低誘電率化が不可欠となる。また、上記
絶縁薄膜は、回路や金属配線の保護膜としても機能する
ため、耐湿性の高い膜であることも必要である。更に
は、上記絶縁薄膜は、層間絶縁薄膜としても使用される
ため、平坦性に優れた膜であることも必要となる。
基板上に素子および金属配線を形成した後に、表面保護
膜または層間絶縁膜としてＳｉＯ2等の絶縁薄膜が形成
される。かかる絶縁薄膜は、半導体装置の特性にも影響
し、低誘電率で、耐湿性があり、平坦性に優れているこ
とが好ましい。即ち、半導体基板上の金属配線の伝達遅
延時間τは、該金属配線上に設けられた絶縁薄膜の誘電
率に比例し、特に、高集積化された半導体装置では、か
かる誘電率が伝達遅延時間τに与える影響が大きくなる
ため絶縁薄膜の低誘電率化が不可欠となる。また、上記
絶縁薄膜は、回路や金属配線の保護膜としても機能する
ため、耐湿性の高い膜であることも必要である。更に
は、上記絶縁薄膜は、層間絶縁薄膜としても使用される
ため、平坦性に優れた膜であることも必要となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来は、絶縁薄膜の低
誘電率化のために、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）
を原料としたプラズマＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2絶縁
薄膜中に、絶縁薄膜の誘電率を下げるＦを添加し、絶縁
薄膜の低誘電率化を図っていたが、Ｆの添加量の増加
は、ＳｉＯ2絶縁薄膜の耐湿性の低下を招くため、現実
にはＦの添加量は一定の制限を受け、結果として絶縁薄
膜の比誘電率は３．７程度とするのが限界であり、高集
積化半導体装置で必要とされる３．０以下の比誘電率を
得ることは困難であった。
誘電率化のために、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）
を原料としたプラズマＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2絶縁
薄膜中に、絶縁薄膜の誘電率を下げるＦを添加し、絶縁
薄膜の低誘電率化を図っていたが、Ｆの添加量の増加
は、ＳｉＯ2絶縁薄膜の耐湿性の低下を招くため、現実
にはＦの添加量は一定の制限を受け、結果として絶縁薄
膜の比誘電率は３．７程度とするのが限界であり、高集
積化半導体装置で必要とされる３．０以下の比誘電率を
得ることは困難であった。
【０００４】また、半導体装置の高集積化に伴い、半導
体基板上の金属配線の配線間隔が狭くなり、ＴＥＯＳよ
り形成したＳｉＯ2絶縁薄膜のみでは、狭い金属配線間
を平坦に埋めることが困難なため、図３に示すように、
ＴＥＯＳより形成したＳｉＯ2膜４（図３（ｂ））上
に、段差被覆性、平坦性に優れたＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏ
ｎ−Ｇｒａｓｓ）５を形成（図３（ｃ））し、更にＳｉ
Ｏ2膜６を積層形成（図３（ｄ））するサンドイッチ法
のような複合プロセスが用いられてきたが、かかるサン
ドイッチ法は、工程が複雑であり、絶縁薄膜の形成に時
間がかかるとともに、ＳＯＧ５は、耐熱性が低く、４０
０℃以上の高温プロセスではクラックが発生するという
欠点を有していた。
体基板上の金属配線の配線間隔が狭くなり、ＴＥＯＳよ
り形成したＳｉＯ2絶縁薄膜のみでは、狭い金属配線間
を平坦に埋めることが困難なため、図３に示すように、
ＴＥＯＳより形成したＳｉＯ2膜４（図３（ｂ））上
に、段差被覆性、平坦性に優れたＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏ
ｎ−Ｇｒａｓｓ）５を形成（図３（ｃ））し、更にＳｉ
Ｏ2膜６を積層形成（図３（ｄ））するサンドイッチ法
のような複合プロセスが用いられてきたが、かかるサン
ドイッチ法は、工程が複雑であり、絶縁薄膜の形成に時
間がかかるとともに、ＳＯＧ５は、耐熱性が低く、４０
０℃以上の高温プロセスではクラックが発生するという
欠点を有していた。
【０００５】そこで本発明は、耐湿性があり、かつ比誘
電率が３．０以下で、平坦性に優れた絶縁薄膜を有する
半導体装置およびその製造方法を提供することを目的と
する。
電率が３．０以下で、平坦性に優れた絶縁薄膜を有する
半導体装置およびその製造方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで発明者らは鋭意研
究の結果、半導体基板上の金属配線上に配置される絶縁
薄膜を、Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素、特にそのポリマー
より形成することにより上記目的を達成できることを見
出し、本発明を完成した。
究の結果、半導体基板上の金属配線上に配置される絶縁
薄膜を、Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素、特にそのポリマー
より形成することにより上記目的を達成できることを見
出し、本発明を完成した。
【０００７】即ち、本発明は、半導体基板上に設けられ
た金属配線を被覆するように形成された絶縁薄膜を含む
半導体装置であって、上記絶縁薄膜が、Ｆ、Ｎを含む環
状炭化水素より形成され、その比誘電率が３．０以下で
あることを特徴とする半導体装置である。かかる環状炭
化水素より絶縁薄膜を形成することにより、絶縁薄膜の
耐湿性を維持しつつ、比誘電率を３．０以下とすること
が可能となり、該絶縁薄膜により覆われる金属配線の伝
達遅延時間τを小さくしつつ、耐湿性、平坦性に優れた
絶縁薄膜を得ることができるからである。
た金属配線を被覆するように形成された絶縁薄膜を含む
半導体装置であって、上記絶縁薄膜が、Ｆ、Ｎを含む環
状炭化水素より形成され、その比誘電率が３．０以下で
あることを特徴とする半導体装置である。かかる環状炭
化水素より絶縁薄膜を形成することにより、絶縁薄膜の
耐湿性を維持しつつ、比誘電率を３．０以下とすること
が可能となり、該絶縁薄膜により覆われる金属配線の伝
達遅延時間τを小さくしつつ、耐湿性、平坦性に優れた
絶縁薄膜を得ることができるからである。
【０００８】上記環状炭化水素は、更に、ポリマー構造
を有することが好ましい。環状炭化水素が、ポリマー構
造を有することにより、環状炭化水素の流動性が向上
し、より段差被覆性、平坦性に優れた絶縁薄膜を得るこ
とができるからである。
を有することが好ましい。環状炭化水素が、ポリマー構
造を有することにより、環状炭化水素の流動性が向上
し、より段差被覆性、平坦性に優れた絶縁薄膜を得るこ
とができるからである。
【０００９】また、本発明は、半導体基板上に金属配線
を設けた半導体基板を配置した反応室に、低級炭化水
素、低級フッ化炭素、窒素の各反応ガスを導入する工程
と、プラズマＣＶＤ法により、上記反応ガスを反応させ
て、Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素からなる絶縁薄膜を、上
記半導体基板上に堆積する工程とを含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法でもある。
を設けた半導体基板を配置した反応室に、低級炭化水
素、低級フッ化炭素、窒素の各反応ガスを導入する工程
と、プラズマＣＶＤ法により、上記反応ガスを反応させ
て、Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素からなる絶縁薄膜を、上
記半導体基板上に堆積する工程とを含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法でもある。
【００１０】上記半導体装置の製造方法は、更に、上記
反応ガスを重合させて、Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素ポリ
マーからなる絶縁薄膜を、上記半導体基板上に堆積する
工程とを含むことが好ましい。かかる環状炭化水素の重
合工程を含むことにより、より平坦性に優れた絶縁薄膜
が得られるからである。
反応ガスを重合させて、Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素ポリ
マーからなる絶縁薄膜を、上記半導体基板上に堆積する
工程とを含むことが好ましい。かかる環状炭化水素の重
合工程を含むことにより、より平坦性に優れた絶縁薄膜
が得られるからである。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の一の実施の形態
にかかる、半導体装置の製造工程の一部である絶縁薄膜
の形成工程を、図２に、本発明の実施に使用される反応
室の該略図を示す。本実施の形態では、図２に示す反応
室１１内の導電性支持台１２上に、半導体基板１３が設
置される。該半導体基板１３は、基板上にＡｌ配線のよ
うな金属配線１が設けられ、表面段差を有している。ま
た、支持台１２には、半導体基板１３を加熱するための
ヒータ１４、および支持台１２に高周波を印加するため
の高周波電源１６が設けられており、スイッチ１５によ
り両者の切替ができるようになっている。反応ガスは、
ガス導入口１７から反応室１１内に導入され、排気口１
８を経て、真空ポンプ（図示せず）により排気される。
また、反応室１１の周囲には、コイル１９が設けられて
おり、高周波電源２０によりコイル１９に高周波を印加
し、反応室１１内にプラズマを発生させ、上記反応ガス
を反応させて、図１（ａ）に示すようなＦ、Ｎを含む環
状炭化水素を形成することができる。
にかかる、半導体装置の製造工程の一部である絶縁薄膜
の形成工程を、図２に、本発明の実施に使用される反応
室の該略図を示す。本実施の形態では、図２に示す反応
室１１内の導電性支持台１２上に、半導体基板１３が設
置される。該半導体基板１３は、基板上にＡｌ配線のよ
うな金属配線１が設けられ、表面段差を有している。ま
た、支持台１２には、半導体基板１３を加熱するための
ヒータ１４、および支持台１２に高周波を印加するため
の高周波電源１６が設けられており、スイッチ１５によ
り両者の切替ができるようになっている。反応ガスは、
ガス導入口１７から反応室１１内に導入され、排気口１
８を経て、真空ポンプ（図示せず）により排気される。
また、反応室１１の周囲には、コイル１９が設けられて
おり、高周波電源２０によりコイル１９に高周波を印加
し、反応室１１内にプラズマを発生させ、上記反応ガス
を反応させて、図１（ａ）に示すようなＦ、Ｎを含む環
状炭化水素を形成することができる。
【００１２】表１に、上記反応室１１内でのプラズマ反
応条件として好ましい、反応ガス、高周波出力、真空度
の組み合わせを示す。
応条件として好ましい、反応ガス、高周波出力、真空度
の組み合わせを示す。
【表１】
ここに、上記反応ガスは、低級炭化水素、低級フッ化炭
素、窒素から構成されるが、このうち、低級炭化水素
は、炭素が１〜１０の炭化水素、低級フッ化炭素は、フ
ッ素が１〜２０のフッ化炭素であることが好ましい。ま
た、これらの反応ガスの一方または双方に代わって、炭
素、水素、フッ素からなる反応ガスを用いることも可能
である。また、窒素の導入は、Ｎ2ガス以外に、ＮＨ3、
Ｎ2Ｏ等の形態で導入することも可能である。また、本
実施の形態で形成された環状炭化水素に含まれるＣ、
Ｈ、Ｆ、Ｎは、Ｃ：Ｈ：Ｆ：Ｎ＝２０：１０：３０：１
０であることが好ましいため、反応室１１に導入される
反応ガスの各流量の割合も、これに合わせて調整するこ
とが好ましい。上記高周波出力は、安定したプラズマ反
応を得るために、１００〜２０００Ｗ程度が好ましい。
上記反応室１１の真空度は、表１に示すように １．０
〜１００Ｔｏｒｒの範囲であることが好ましいが、特
に、１０Ｔｏｒｒ以下の低真空に維持することにより、
Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素２１の、重合が起こり易くな
り、環状炭化水素ポリマー２２を形成することが可能と
なる（図１（ｂ））。即ち、反応室１１の真空度をコン
トロールすることにより、上記環状炭化水素２１を重合
させ、環状炭化水素のポリマー２２を形成することが可
能となる。尚、上記反応ガスの反応には、プラズマ反応
以外に、熱分解反応等を用いることも可能である。ま
た、スイッチ１５を用いて、支持台１２に高周波電源１
６を接続し、高周波電圧を印加することにより、また
は、支持台１２をヒータ１４で加熱することにより、絶
縁薄膜２３の成膜速度を１．５〜３倍程度に速くするこ
とができる。
素、窒素から構成されるが、このうち、低級炭化水素
は、炭素が１〜１０の炭化水素、低級フッ化炭素は、フ
ッ素が１〜２０のフッ化炭素であることが好ましい。ま
た、これらの反応ガスの一方または双方に代わって、炭
素、水素、フッ素からなる反応ガスを用いることも可能
である。また、窒素の導入は、Ｎ2ガス以外に、ＮＨ3、
Ｎ2Ｏ等の形態で導入することも可能である。また、本
実施の形態で形成された環状炭化水素に含まれるＣ、
Ｈ、Ｆ、Ｎは、Ｃ：Ｈ：Ｆ：Ｎ＝２０：１０：３０：１
０であることが好ましいため、反応室１１に導入される
反応ガスの各流量の割合も、これに合わせて調整するこ
とが好ましい。上記高周波出力は、安定したプラズマ反
応を得るために、１００〜２０００Ｗ程度が好ましい。
上記反応室１１の真空度は、表１に示すように １．０
〜１００Ｔｏｒｒの範囲であることが好ましいが、特
に、１０Ｔｏｒｒ以下の低真空に維持することにより、
Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素２１の、重合が起こり易くな
り、環状炭化水素ポリマー２２を形成することが可能と
なる（図１（ｂ））。即ち、反応室１１の真空度をコン
トロールすることにより、上記環状炭化水素２１を重合
させ、環状炭化水素のポリマー２２を形成することが可
能となる。尚、上記反応ガスの反応には、プラズマ反応
以外に、熱分解反応等を用いることも可能である。ま
た、スイッチ１５を用いて、支持台１２に高周波電源１
６を接続し、高周波電圧を印加することにより、また
は、支持台１２をヒータ１４で加熱することにより、絶
縁薄膜２３の成膜速度を１．５〜３倍程度に速くするこ
とができる。
【００１３】本発明の実施の形態にかかるＦ、Ｎを含む
環状炭化水素２１またはそのポリマー２２からなる絶縁
薄膜２３は、良好な耐湿性を維持でき、なおかつ比誘電
率が３．０以下となるため、かかる絶縁薄膜２３を用い
ることにより、絶縁薄膜２３の耐湿性の低下を起こさ
ず、金属配線１の伝達遅延時間τを改善することが可能
となる。また、上記Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素２１は、
流動性に優れるため、これにより形成した絶縁薄膜２３
は、良好な段差被覆性、平坦性を有することができる。
特に、上記環状炭化水素がポリマー２２を形成すること
により、更に環状炭化水素の流動性が向上し、より平坦
性の良い絶縁薄膜２３を得ることができる。また、本実
施の形態では、従来例のように絶縁薄膜２３がＳＯＧ５
を含まないため、４００℃以上の温度プロセスを行って
も絶縁薄膜２３にクラックが発生せず、更に、絶縁薄膜
２３中に、耐熱性向上に寄与するＮ、およびその環状構
造が含まれるため、上記絶縁薄膜２３は、良好な耐熱性
を有することができる。更に、本実施の形態では、従来
のサンドイッチ法のような複合プロセスを用いずに、段
差被覆性が良く、平坦性に優れた絶縁薄膜２３の形成が
可能となる。
環状炭化水素２１またはそのポリマー２２からなる絶縁
薄膜２３は、良好な耐湿性を維持でき、なおかつ比誘電
率が３．０以下となるため、かかる絶縁薄膜２３を用い
ることにより、絶縁薄膜２３の耐湿性の低下を起こさ
ず、金属配線１の伝達遅延時間τを改善することが可能
となる。また、上記Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素２１は、
流動性に優れるため、これにより形成した絶縁薄膜２３
は、良好な段差被覆性、平坦性を有することができる。
特に、上記環状炭化水素がポリマー２２を形成すること
により、更に環状炭化水素の流動性が向上し、より平坦
性の良い絶縁薄膜２３を得ることができる。また、本実
施の形態では、従来例のように絶縁薄膜２３がＳＯＧ５
を含まないため、４００℃以上の温度プロセスを行って
も絶縁薄膜２３にクラックが発生せず、更に、絶縁薄膜
２３中に、耐熱性向上に寄与するＮ、およびその環状構
造が含まれるため、上記絶縁薄膜２３は、良好な耐熱性
を有することができる。更に、本実施の形態では、従来
のサンドイッチ法のような複合プロセスを用いずに、段
差被覆性が良く、平坦性に優れた絶縁薄膜２３の形成が
可能となる。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明で
は、金属配線を設けた半導体基板上に形成される絶縁薄
膜を、Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素、特に、そのポリマー
を用いて形成することにより、良好な耐湿性を維持しつ
つ、かつ比誘電率が３．０以下で、耐熱性に優れた絶縁
薄膜の形成が可能となる。これにより、絶縁薄膜の耐湿
性の低下を招くことなく該絶縁薄膜に覆われた金属配線
の伝達遅延時間τを小さくすることができる、半導体装
置の特性の向上を図ることが可能となる。
は、金属配線を設けた半導体基板上に形成される絶縁薄
膜を、Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素、特に、そのポリマー
を用いて形成することにより、良好な耐湿性を維持しつ
つ、かつ比誘電率が３．０以下で、耐熱性に優れた絶縁
薄膜の形成が可能となる。これにより、絶縁薄膜の耐湿
性の低下を招くことなく該絶縁薄膜に覆われた金属配線
の伝達遅延時間τを小さくすることができる、半導体装
置の特性の向上を図ることが可能となる。
【００１５】また、上記絶縁薄膜、特に、環状炭化水素
のポリマーを用いて形成した絶縁薄膜は、流動性に優れ
るため、従来のサンドイッチ法のような複合プロセスを
用いることなく半導体基板上に段差被覆性、平坦性の良
好な絶縁薄膜を形成することができ、半導体装置の製造
工程の簡略化、低コスト化が可能となる。
のポリマーを用いて形成した絶縁薄膜は、流動性に優れ
るため、従来のサンドイッチ法のような複合プロセスを
用いることなく半導体基板上に段差被覆性、平坦性の良
好な絶縁薄膜を形成することができ、半導体装置の製造
工程の簡略化、低コスト化が可能となる。
【図１】 本発明の実施の形態にかかるＦ、Ｎを含む環
状炭化水素、または環状炭化水素のポリマーを絶縁薄膜
に用いた半導体装置の製造工程の一部である。
状炭化水素、または環状炭化水素のポリマーを絶縁薄膜
に用いた半導体装置の製造工程の一部である。
【図２】 本発明の実施の形態に使用する反応室の該略
図である。
図である。
【図３】 従来のサンドイッチ法を用いて絶縁薄膜を形
成した半導体装置の製造工程の一部である。
成した半導体装置の製造工程の一部である。
１ 金属配線（段差）、４ ＳｉＯ2膜、５ ＳＯＧ、
６ ＳｉＯ2膜、１１反応室、１２ 導電性支持台、１
３ 半導体基板、１４ ヒータ、１５ スイッチ、１６
高周波電源、１７ ガス導入口、１８ 排気口、１９
コイル、２０高周波電源、２１ Ｆ、Ｎを含む環状炭
化水素、２２ Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素ポリマー、２
３ 絶縁薄膜。
６ ＳｉＯ2膜、１１反応室、１２ 導電性支持台、１
３ 半導体基板、１４ ヒータ、１５ スイッチ、１６
高周波電源、１７ ガス導入口、１８ 排気口、１９
コイル、２０高周波電源、２１ Ｆ、Ｎを含む環状炭
化水素、２２ Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素ポリマー、２
３ 絶縁薄膜。
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/312
H01L 21/314
H01L 21/316
H01L 21/318
Claims (2)
- 【請求項１】 真空度が１．０〜１００Ｔｏｒｒである
反応室に半導体基板上に金属配線を設けた半導体基板を
配置して、該反応室に、低級炭化水素、低級フッ化炭
素、窒素の各反応ガスを導入する工程と、 プラズマＣＶＤ法により、上記反応ガスを反応させて、
Ｆ、Ｎを含む環状炭化水素、又はＦ、Ｎを含む環状炭化
水素ポリマーからなる絶縁薄膜を、上記半導体基板上に
堆積する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２】 上記反応室の真空度が、１０〜１００Ｔ
ｏｒｒであることを特徴とする請求項１に記載の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18733096A JP3445902B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18733096A JP3445902B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032196A JPH1032196A (ja) | 1998-02-03 |
| JP3445902B2 true JP3445902B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=16204120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18733096A Expired - Fee Related JP3445902B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3445902B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3189781B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2001-07-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6168364B1 (en) | 1999-04-19 | 2001-01-02 | Tdk Corporation | Vacuum clean box, clean transfer method and apparatus therefor |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP18733096A patent/JP3445902B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1032196A (ja) | 1998-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6497963B1 (en) | Hydrogenated oxidized silicon carbon material | |
| US5215787A (en) | Method of forming silicon oxide film containing fluorine | |
| US6077574A (en) | Plasma CVD process for forming a fluorine-doped SiO2 dielectric film | |
| JP3463416B2 (ja) | 絶縁膜の製造方法および半導体装置 | |
| EP1207217A1 (en) | Method of forming an interlayer insulating film | |
| US5610105A (en) | Densification in an intermetal dielectric film | |
| JPH11251308A (ja) | 低誘電率フッ素化アモルファス炭素誘電体およびその形成方法 | |
| US6953984B2 (en) | Hydrogenated oxidized silicon carbon material | |
| JP4743470B2 (ja) | 半導体基板上にＣｕ層と接触する膜を形成するための方法 | |
| JP2789587B2 (ja) | 絶縁薄膜の製造方法 | |
| US6645883B2 (en) | Film forming method, semiconductor device and manufacturing method of the same | |
| JPH10199881A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20110130584A1 (en) | Insulating film material, method of film formation using insulating film material, and insulating film | |
| JP3445902B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004200203A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4314650B2 (ja) | 半導体装置の層間絶縁膜の形成方法 | |
| KR101635120B1 (ko) | 절연막 재료, 이 절연막 재료를 이용한 성막 방법 및 절연막 | |
| JP3396791B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JP3508321B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JP2830604B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08203891A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06333846A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3211290B2 (ja) | 半導体装置の形成方法 | |
| JP2002289609A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH07201779A (ja) | 電極配線およびその形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |