JP3447625B2 - マイクロマシンセンサおよび該センサの製造方法 - Google Patents

マイクロマシンセンサおよび該センサの製造方法

Info

Publication number
JP3447625B2
JP3447625B2 JP22774699A JP22774699A JP3447625B2 JP 3447625 B2 JP3447625 B2 JP 3447625B2 JP 22774699 A JP22774699 A JP 22774699A JP 22774699 A JP22774699 A JP 22774699A JP 3447625 B2 JP3447625 B2 JP 3447625B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
etching
sensor
sacrificial layer
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP22774699A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000065665A (ja
Inventor
アイグナー ローベルト
ベーヴァー トーマス
ティメ ハンス−イェルク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JP2000065665A publication Critical patent/JP2000065665A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3447625B2 publication Critical patent/JP3447625B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
    • B81C1/00182—Arrangements of deformable or non-deformable structures, e.g. membrane and cavity for use in a transducer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
    • B06B1/0688—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction with foil-type piezoelectric elements, e.g. PVDF
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; ELECTRIC HEARING AIDS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ上に集積さ
れた電子回路が設けられており、中空室と膜と対向電極
と換気用開口部を有しており、該換気用開口部により前
記中空室の容積体が周囲と連通するように構成されてい
る、半導体基板上のマイクロマシンセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】圧力センサやマイクロフォンなど特定の
用途のために、たとえば圧力差や圧力変動あるいは音響
振動を測定できるような著しく小型化されたセンサが望
まれている。
【０００３】アメリカ合衆国特許 5,146,435 には、音
響関連で適用するためのマイクロマシンセンサについて
記載されている。そこで述べられているセンサは、可動
の膜とシリコンウェハから成る支持構造体とによって構
成されている。この場合、ウェブ状ウェハの上方に対向
電極が配置されており、この電極はウェハ平面を越えて
突出していて、膜と対向電極との間に中空室を形成して
いる。対向電極はその上面に換気用開口部を有してお
り、これは中空室の空気を入れ換える目的で周囲と連通
している。また、可動膜の下方では、音響信号が膜に達
するようシリコンウェハが除去されている。マイクロマ
シンセンサないしはマイクロメカニカルセンサの動作の
基本原理は中空室の容積変化に基づくものであり、その
ような変化によって膜と対向電極から成るコンデンサの
容量変化が生じる。容量を測定するために、ウェハの上
面に電気的な接点が設けられている。この場合、ウェハ
上には測定エレクトロニクスは設けられていない。
【０００４】ドイツ連邦共和国特許出願 196 48 424.3
には、圧力測定と音響測定に利用可能なマイクロマシン
センサについて記載されている。このセンサはＳＯＩ
（Silicon Oxide Isolator）基板上に形成されていて、
多結晶シリコンから成る膜を有しており、この膜はスペ
ーサ層を介して基板台座上に配置されている。スペーサ
層と多結晶膜によって中空室が形成されており、その
際、膜の反対側において基板の領域に対向電極が設けら
れている。したがって対向電極は膜の下方に配置されて
いる。また、膜はチップ表面の方向に配置されている。
さらに、空気を入れ換えるために換気用開口部が設けら
れていて、これは基板下面の方向に配向されている。多
結晶膜は残りの平面とともに、平坦ではないチップ面を
成している。
【０００５】マイクロマシンセンサのための既述の構造
の欠点は、センサを簡単に製造できないことである。基
板面に対し間隔をあけて膜の面が配置されることから、
製造中の半製品のセンサのトポロジーは、その上に簡単
に半導体回路を取り付けるには不適当である。それゆえ
僅かな回数のプロセスステップで回路を完成させるのは
不可能である。
【０００６】さらに既存の装置構成の欠点は、膜が多結
晶シリコンから成ることである。多結晶シリコンは機械
的強度の点で満足のいく特性をもっておらず、そのこと
でたとえば製造時にどうしても問題が生じてしまう。し
たがって、脆いセンサ面の損傷を避けるために、半製品
のセンサエレメントを非常に慎重に取り扱わなければな
らない。さらに、表面方向に配向された膜を有する公知
のマイクロマシンセンサであると、その製造時に欠点が
生じることになる。つまりたとえば組み立てあるいはウ
ェハの鋸引きにあたり、製品品質が損なわれてしまうお
それがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の課
題は、これまで述べてきた公知のセンサの欠点をもたな
いマイクロマシンセンサを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によればこの課題
は、換気用開口部はウェハ表面の方向に配向されてお
り、対向電極はチップ面全体にわたる層平面の構成部分
であり、該層平面上に半導体電子回路がそれ自体周知の
半導体技術によって取り付けられることにより解決され
る。従属請求項２，３ならびに５〜１１には有利な実施
形態が示されている。さらに請求項４には、マイクロマ
シンセンサの製造方法が記載されている。次に、図面を
参照しながら実施例に基づき本発明について詳しく説明
する。
【０００９】
【実施例】図１によるマイクロマシンセンサの製造は以
下のようにして行われる。すなわち、まずはじめにＳＯ
Ｉ基板上に有利にはシリコン酸化物から成る犠牲層を被
着し、ついでエピタキシャル層４を成長させる。層４の
厚さは層３の厚さよりもかなり厚く、その結果、このス
テップのあとには平坦な面５が生じることになる。場合
によっては、滑らかさを向上させるためこの面を研磨す
る必要がある。一般にエピタキシャル層４はウェハ２の
領域において単結晶で成長し、犠牲層の材料の領域には
多結晶シリコンが生じる。エピタキシャル層４の品質を
高めるため、たとえば多結晶シリコンから成るシード層
を犠牲層３に被着させるのが有利である。これに続いて
通常、犠牲層１２まで延びるダクトが生じるよう、溝７
がエピタキシャル層４にエッチングされる。有利にはこ
れらのダクトはシリコン酸化物で充填される。その次
に、１つの実施形態による構造として、慣用のやり方で
電子回路を薄膜技術によって取り付けることができる。
この場合、たとえばそれ自体周知のＣＭＯＳ，Ｂｉ−Ｃ
ＭＯＳまたはバイポーラプロセスを用いることができ
る。その後、基板の背面を無電解でたとえばＫＯＨまた
はＴＭＡＨによりエッチングして、開口部８を形成す
る。背面をエッチングした後またはする前の別のエッチ
ングステップにおいて、ダクトおよび犠牲層における酸
化物が除去される。これにより、ダクト７を介して周囲
と連通している中空室１２が生じる。したがってダクト
７は、有利には対向電極１４を貫通することになる。背
面のエッチングにより生じる膜１３は、たとえば音波の
作用で励起されて振動する程度に薄く構成されている。
膜の厚さは０．２μｍ〜１μｍであるとよい。膜１３が
支持部分の側方領域でいっそう薄くなるように構成する
ことも可能であり、そのようにすれば音響振幅がかなり
小さくてもすでに膜を振動させることができるようにな
る。また、膜の全長は１００μｍ〜２０００μｍの範囲
にあるとよい。背面のエッチングは好適には無電解で実
施され、たとえばＫＯＨエッチングにより実施される。
【００１０】図２に示されているマイクロマシンセンサ
を製造するためには、上述の方法とは異なる製造過程を
辿ることになる。図１によるマイクロマシンセンサの製
造方法によれば背面をエッチングする際、エッチングプ
ロセスはシリコン酸化物層９によりストップされる。Ｓ
ＯＩウェハを用いた場合、この層は使用されるウェハ材
料により自ずと得られる。図２によるセンサの製造は、
ＳＯＩ基板を使用せずに行われる。まずはじめに基板に
対し、層３および４を成長させる前に適切なドーピング
を施し、この場合、たとえばｐ形ウェハであればｎ形ド
ーピングとすることができる。ドーピング領域１０は有
利には空間的に局限されている。そしてこのドーピング
領域は、背面における開口部８のエッチングにあたりエ
ッチストップとして用いられる。有利には、背面のエッ
チングのために２つの方法が適用される： ａ）領域１０を、適切な材料たとえばホウ素によって高
濃度でドーピングし、たとえば１０19ｃｍ-3よりも高い
ドーピング濃度でドーピングする。ウェハとしてｎ形ウ
ェハまたはｐ形ウェハを用いる。開口部のエッチング
は、ＥＤＰ（ｔｏｘｉｃ），ＫＯＨによってたとえば高
濃縮状態で行うか、またはＴＭＡＨによって行う。
【００１１】ｂ）領域１０を、低濃度のｐ形またはｎ形
のドーピングにより、たとえば１０15ｃｍ-3よりも低い
ドーピング濃度で形成する。ウェハとして高濃度でｐ形
またはｎ形ドーピングされたウェハを用い、これはたと
えば１０18ｃｍ-3よりも高い濃度をもつ。開口部のエッ
チングは、電気化学的にＨＦまたはＫＯＨにより行う。
【００１２】なお、犠牲層３の除去はウェットエッチン
グで行うとよい。
【００１３】本発明は、圧力センサたとえば相対圧力セ
ンサおよびマイクロフォンを製造するための本発明によ
るセンサの使用法にも関する。マイクロフォンに組み込
まれるセンサの場合、膜をチップ面下側の方向に配置す
ると有利である。
【００１４】本発明による装置構成の重要な利点は、膜
を単結晶材料によって構成できることである。これによ
り、多結晶材料から成る膜に比べて機械的安定性が高ま
る。さらに、従来技術により公知のマイクロマシンセン
サの製造方法とは異なり、本発明による製造方法はきわ
めて簡単に実施可能である。実例として、たとえばドイ
ツ連邦共和国特許出願 196 48 424.3 に記載されている
ような中間層の形成を省くことができる。
【００１５】しかも本発明による方法によれば、平坦な
チップ面の利点が得られる。たとえば、センサ構造の製
造後または製造中にセンサチップ上に回路を作る際、平
坦なチップ面であることからプロセスステップが簡単に
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＳＯＩ基板上に製造された本発明によるマイク
ロマシンセンサを示す図である。
【図２】慣用のシリコン基板上に製造された本発明によ
るマイクロマシンセンサを示す図である。
【符号の説明】
２ 基板 ３ 犠牲層 ４ エピタキシャル層 ５ 平坦な層 ７ ダクト ８ センサ開口部 ９ シリコン酸化物層 １１ 電子回路 １４ 対向電極 １５ ウェハ表面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハンス−イェルク ティメ ドイツ連邦共和国 オットブルン プッ ツブルナー シュトラーセ 90 (56)参考文献 特開 平４−143628（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−138434（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−99326（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−181332（ＪＰ，Ａ) 国際公開98／023934（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01L 9/12 H01L 41/09

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マイクロマシンセンサの製造方法におい
    て、 ａ）半導体基板（２）の上の基板表面領域に犠牲層
    （３）を形成するステップと、 ｂ）半導体材料をエピタキシャル成長させて、該犠牲層
    （３）の領域の上に広がる平坦な層（５）を形成し、該
    平坦な層（５）を前記犠牲層（３）の領域では多結晶で
    成長させるステップと、 ｃ）該平坦な層（５）を滑らかにするステップと、 ｄ）開口部（７）をエッチングにより形成し、該開口部
    （７）を適切な材料で充填するステップと、 ｅ）前記平坦な層（５）の上に半導体電子回路（１１）
    を取り付けるステップと、 ｆ） 該開口部（７）内の充填材料と前記犠牲層（３）を
    除去し、前記半導体基板（２）の背面をエッチングして
    センサ開口部（８）を形成するステップ、 を有することを特徴とする、マイクロマシンセンサの製
    造方法。
  2. 【請求項２】 前記半導体基板（２）を酸化物中間層
    （９）をもつウェハとし、該酸化物中間層を背面のエッ
    チングにあたりエッチストップとしてはたらかせる、請
    求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 背面のエッチングにおけるエッチストッ
    プを前記半導体基板（２）の適切なドーピングにより形
    成する、請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記ステップａ）の後で、犠牲層（３）
    の上にシード層を被着させ、該シード層を、前記ステッ
    プｂ）で形成される平坦な層（５）の成長にあたり成長
    条件を向上させるために用いる、請求項１から３のいず
    れか１項記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記背面のエッチングを、エッチストッ
    プに使用される層に依存して無電解でまたは電気化学的
    にウェットエッチングする、請求項１から４のいずれか
    １項記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記犠牲層（３）と前記開口部（７）内
    に存在する充填材料はシリコン酸化物である、請求項１
    から５のいずれか１項記載の方法。
JP22774699A 1998-08-11 1999-08-11 マイクロマシンセンサおよび該センサの製造方法 Expired - Fee Related JP3447625B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19836341 1998-08-11
DE19836341.9 1998-08-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000065665A JP2000065665A (ja) 2000-03-03
JP3447625B2 true JP3447625B2 (ja) 2003-09-16

Family

ID=7877180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22774699A Expired - Fee Related JP3447625B2 (ja) 1998-08-11 1999-08-11 マイクロマシンセンサおよび該センサの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6357299B1 (ja)
EP (1) EP0979992B1 (ja)
JP (1) JP3447625B2 (ja)
DE (1) DE59907268D1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001326367A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Denso Corp センサおよびその製造方法
JP2002131161A (ja) * 2000-10-27 2002-05-09 Denso Corp 半導体圧力センサ
GB0107404D0 (en) 2001-03-23 2001-05-16 Koninkl Philips Electronics Nv Display substrate and display device
DE10160830A1 (de) * 2001-12-11 2003-06-26 Infineon Technologies Ag Mikromechanische Sensoren und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10231727A1 (de) * 2002-07-13 2004-01-22 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Drucksensorvorrichtung und entsprechende Messanordnung
US20070065968A1 (en) * 2003-05-26 2007-03-22 Kit-Wai Kok Fabrication of silicon microphone
JP4569322B2 (ja) * 2005-03-02 2010-10-27 株式会社デンソー 可動センサ素子
US7449356B2 (en) * 2005-04-25 2008-11-11 Analog Devices, Inc. Process of forming a microphone using support member
JP4952164B2 (ja) * 2006-09-20 2012-06-13 株式会社デンソー 流量計測素子、質量流量計
DE102007026445A1 (de) * 2007-06-06 2008-12-11 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements
DE102009000416A1 (de) 2009-01-27 2010-07-29 Robert Bosch Gmbh Mikromechanischer Drucksensor mit vertikaler Membranaufhängung
US8703517B2 (en) * 2010-10-29 2014-04-22 Denso Corporation Method of Manufacturing a Semiconductor Device Including Removing a Reformed Layer
US20120211805A1 (en) 2011-02-22 2012-08-23 Bernhard Winkler Cavity structures for mems devices
DE102012206531B4 (de) 2012-04-17 2015-09-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats
CN103011057A (zh) * 2012-12-03 2013-04-03 东南大学 一种微电子机械系统电容式气压传感器的制备方法
US9136136B2 (en) 2013-09-19 2015-09-15 Infineon Technologies Dresden Gmbh Method and structure for creating cavities with extreme aspect ratios
CN106744651A (zh) * 2017-01-11 2017-05-31 河海大学常州校区 一种电容式微电子气压传感器及其制备方法
CN112334867B (zh) 2018-05-24 2025-11-11 纽约州立大学研究基金会 电容传感器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60138434A (ja) * 1983-12-27 1985-07-23 Fuji Electric Co Ltd 半導体形静電容量式圧力センサの製造方法
US5146435A (en) 1989-12-04 1992-09-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Acoustic transducer
US5677560A (en) * 1990-05-29 1997-10-14 Fraunhofer Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Micromechanical component and process for the fabrication thereof
DE4318466B4 (de) * 1993-06-03 2004-12-09 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Sensors
DE19648424C1 (de) * 1996-11-22 1998-06-25 Siemens Ag Mikromechanischer Sensor
JP3657079B2 (ja) 1997-03-19 2005-06-08 富士通株式会社 エンハンスメント型トランジスタ回路のバイアス回路を有する集積回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000065665A (ja) 2000-03-03
DE59907268D1 (de) 2003-11-13
US6357299B1 (en) 2002-03-19
EP0979992A1 (de) 2000-02-16
EP0979992B1 (de) 2003-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7545012B2 (en) Capacitive micromachined ultrasound transducer fabricated with epitaxial silicon membrane
Kronast et al. Single-chip condenser microphone using porous silicon as sacrificial layer for the air gap
US7329933B2 (en) Silicon microphone with softly constrained diaphragm
US6743654B2 (en) Method of fabricating pressure sensor monolithically integrated
US8426934B2 (en) Micro-electro-mechanical system device and method for making same
US9266716B2 (en) MEMS acoustic transducer with silicon nitride backplate and silicon sacrificial layer
CN101107879B (zh) 无背极板的硅传声器
TWI404671B (zh) 微機電元件
US7386136B2 (en) Sound detecting mechanism
JPH09503344A (ja) マイクロメカニカルデバイス及びその製造方法
JP2000065665A (ja) マイクロマシンセンサおよび該センサの製造方法
JPH0116030B2 (ja)
JP5130225B2 (ja) 音響的な信号を受信および／または発生させるためのマイクロマシニング構造体、マイクロマシニング構造体を製造するための方法、およびマイクロマシニング構造体の使用法
EP2473830A1 (en) A mems stress concentrating structure for mems sensors
JP2009538238A (ja) マイクロマシン構成素子及びその製法
JPH08510094A (ja) 集積マイクロメカニカルセンサデバイス及びその製造方法
US10648879B2 (en) Capacitive pressure sensor
US20230002219A1 (en) Membrane Support for Dual Backplate Transducers
US8569850B2 (en) Ultra low pressure sensor
JP2002522248A (ja) マイクロメカニックセンサ及びそれを製作する方法
JP2006108491A (ja) 静電容量型センサ及びその製造方法
JP2008517523A (ja) シリコンマイクロホン
US11546711B2 (en) Process of fabricating lateral mode capacitive microphone
KR20020016117A (ko) Ｍｅｍｓ 공정을 이용한 마이크로폰 제작방법
JPH01136378A (ja) 圧力変換装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030528

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080704

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080704

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090704

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100704

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100704

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704

Year of fee payment: 9

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704

Year of fee payment: 9

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130704

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130704

Year of fee payment: 10

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees