JP3449537B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、横方向電界方式の
アクテイブマトリクス型の液晶表示装置に関し、特に、
表示面への加重によって生じる表示不良が抜重後も長時
間視認される加重痕と呼ばれる不良の低減に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、例えば特開平８- ２５４７１２号
公報で開示されているように、アクティブマトリクス型
の液晶表示装置において、液晶に印加する電界の方向を
基板に対して平行な方向とする横方向電界方式が、主に
超広視野角を得る手法として用いられている。この方式
を採用すると、視角方向を変化させた際のコントラスト
の変化、階調レベルの反転がほとんど無くなることが明
らかにされている( 参考文献：M.Oh-e, 他,Asia Displa
y'95,pp.577-580)。図１０は、従来の一般的な横方向電
界方式の液晶表示装置の画素部を示す平面図である。図
において、２は絶縁性基板上に形成された複数本の走査
信号線であるゲート配線で、複数本の映像信号線である
ソース配線１２と互いに交差している。４は保持容量共
通配線、６はゲート配線２及びソース配線１２の各交点
に設けられた薄膜トランジスタの半導体膜、９は保持容
量共通配線４上にゲート絶縁膜を介して設けられた保持
容量電極、１０は薄膜トランジスタに接続され、ソース
配線１２と平行に設けられた複数本の電極よりなる櫛状
の画素電極、１１は画素電極１０の複数本の電極と平行
且つ交互に配置された複数本の電極よりなる櫛状の対向
電極、１４はドレイン電極、１６はコンタクトホールを
それぞれ示している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような横方向電界
方式の液晶表示装置において、表示面への加重により、
加重箇所の周囲に液晶の配向異常による表示不良が発生
し、抜重後もその表示不良が長時間視認される加重痕と
呼ばれる現象が発生するという問題がある。加重痕の発
生原理を図１１〜図１４を用いて説明する。図１１は液
晶への電圧印加なしの状態、図１２は液晶への電圧印加
有の状態、図１３は液晶への電圧印加有で且つ加重有の
状態、図１４は液晶への電圧印加有で且つ抜重後の状態
での液晶分子の配列を示している。液晶への電圧印加な
しの状態では、図１１に示すように液晶はラビング等の
液晶配向方法により決められた配向方向に並んでおり、
液晶に電圧が印加されると液晶は電界の方向に配列す
る。このとき図１２に示すように画素電極１０端部や対
向電極１１端部では電界の方向が変化するため、液晶が
逆回転する領域が生じ、正回転する領域との境界に配向
不良領域２２が生じる。電圧印加状態でかつ定圧状態で
はこの配向不良領域は電極端部付近にしか生じないた
め、ほとんど視認されない。しかし、電圧印加状態にお
いて表示面に加重があると、図１３に示すように画素電
極１０端部の配向不良領域２２と対向電極１１端部の配
向不良領域２２が広がる現象が生じ、配向不良領域２２
が視認されてしまう。この配向不良領域２２は、抜重後
は大部分が初期状態に戻るが、一部では図１４に示すよ
うに長時間残存し視認され、表示品位を著しく低下させ
る。

【０００４】また、図１１〜図１４では、液晶の配向方
向がソース配線１２に対し反時計周りの場合について示
したが、液晶の配向方向がソース配線１２に対して時計
周りの場合について図１５〜図１７に示す。図１５は液
晶への電圧印加有の状態、図１６は液晶への電圧印加有
でかつ加重有の状態、図１７は液晶への電圧印加有で且
つ抜重後の状態での液晶分子の配列を示している。この
ように、ソース配線１２に対し液晶の配向方向が時計周
りの場合の配向異常領域２２の発生箇所は、反時計周り
の場合の発生箇所とソース配線１２に対し線対称とな
る。上記のような加重痕を低減する方法としては、ラビ
ング角度を大きくする手法が一般に知られている。しか
しながら、横方向電界方式ではコントラストが高い視野
角方向はラビング角方向すなわち液晶の配向方向及びそ
れと直角となる方向であるため、ラビング角を大きくす
ると表示装置の上下左右方向の視野角特性が低下すると
いう問題がある。また、ラビング角度の増加に伴い駆動
電圧が大きくなるため、低電圧駆動が困難になるという
問題も生じる。

【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、表示面への加重により生じる表
示不良が抜重後も長時間視認される加重痕と呼ばれる不
良を低減し、広視野角で良好な表示特性を有し、且つ製
造が簡易で低コストな横方向電界方式の液晶表示装置を
得ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明による液晶表示
装置は、対向配置された一対の基板と、上記基板間に挟
持された液晶層と、上記一方の基板に形成され互いに交
差する複数本の走査信号線及び複数本の映像信号線と、
上記走査信号線及び上記映像信号線の交点に対応して設
けられた薄膜トランジスタと、上記薄膜トランジスタに
接続された複数本の電極よりなる画素電極と、上記画素
電極の複数本の電極に沿って延びる複数本の電極よりな
る対向電極とを備え、上記画素電極及び対向電極間に電
圧を印加し基板面にほぼ平行な電界を上記液晶層に印加
する液晶表示装置において、上記画素電極の複数本の電
極のうちの少なくとも１つの電極の少なくとも上記薄膜
トランジスタから離れた側の画素電極先端部と、上記対
向電極の複数本の電極のうちの少なくとも１つの電極の
少なくとも上記薄膜トランジスタに近い側の対向電極先
端部は、基板面とほぼ平行な方向の間隙を介して他方の
電極と対向しており、これらの画素電極先端部と対向電
極先端部にそれぞれ屈曲部を設け、これらの屈曲部はそ
れぞれその根本部に続いて形成されており、またそれぞ
れの屈曲部と根本部との屈曲点を原点としその根本部の
延長線をＹ軸として想定したＸＹ平面に関して、上記屈
曲部と上記液晶層の配向方向線が異なる象限に位置して
いることを特徴とするものである。

【０００７】また、この発明による液晶表示装置は、上
記画素電極先端部に対応する上記対向電極の少なくとも
１つの電極に上記画素電極先端部に設けられた屈曲部と
ほぼ平行な屈曲部を形成し、また上記対向電極先端部に
対応する上記画素電極の少なくとも１つの電極に上記対
応電極先端部に設けられた屈曲部とほぼ平行な屈曲部を
形成したことを特徴とするものである。

【０００８】また、この発明による液晶表示装置は、上
記根本部の延長線と上記屈曲部との角度は、０°より大
きく、９０°より小さいことを特徴とするものである。
さらにまた、この発明による液晶表示装置は、 上記根
本部の延長線と上記屈曲部との角度は、５°より大き
く、４５°より小さいことを特徴とするものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】実施の形態１ 以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明す
る。図１は、本発明の実施の形態１における横方向電界
方式の液晶表示装置の画素部を示す平面図、図２は図１
に示す液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。図
において、１はガラス基板等の絶縁性基板、２は絶縁性
基板１上に形成されたＣｒ等の金属よりなる複数本の走
査信号線であるゲート配線で、複数本の映像信号線であ
るソース配線１２と互いに交差している。３はＣｒ等の
金属よりなるゲート電極、４はＣｒ等の金属よりなる保
持容量共通配線、５はゲート配線２及び保持容量共通配
線４を覆うように形成された窒化シリコン等よりなるゲ
ート絶縁膜、６はゲート配線２及びソース配線１２の各
交点に設けられた薄膜トランジスタを構成するノンドー
プ非晶質シリコン等よりなる半導体膜、７は半導体膜６
に接続して形成され且つその膜の一部である能動態領域
の上部をエッチング等で取り除いた領域８を有するＰ等
の不純物をＳｉ等の半導体膜にドープしたコンタクト
膜、９は保持容量共通配線４上にゲート絶縁膜５を介し
て設けられた保持容量電極、１０は薄膜トランジスタに
接続され、ソース配線１２と平行に設けられた複数本の
電極よりなる櫛状の画素電極で、Ｃｒ等の金属またはＩ
ＴＯ(Indium Tin oxide) 等の透明性導電膜等より形成
されている。１１は画素電極１０の複数本の電極と平行
且つ交互に配置された複数本の電極よりなる櫛状の対向
電極、１０ａ、１１ａは画素電極１０及び対向電極１１
の先端部にそれぞれ設けられたソース配線１２に対する
液晶の配向方向と反対の方向に屈曲した屈曲部、１３は
コンタクト膜７に接するように形成されソース配線１２
に接続されたソース電極、１４はコンタクト膜７に接す
るように形成されたドレイン電極、１５はデバイス全体
を覆うように窒化Ｓｉ膜等で形成された層間絶縁膜、１
６はコンタクトホール、１７はゲート配線２と同一の材
料を用い絶縁性基板１上に形成された第一の配線、１８
はソース配線１２と同一の材料を用い絶縁性基板１上に
形成された第二の配線、１９はコンタクトホールを介し
第一の配線１７と第二の配線１８を接続する画素電極１
０と同一の材料よりなる第三の配線、２１は変換部をそ
れぞれ示している。

【００１０】本実施の形態における液晶表示装置は、一
定の距離を隔て対向配置された一対の基板間に液晶層が
挟持され、一方の基板上にソース配線１２と平行に設け
られた複数本の電極よりなる櫛状の画素電極１０と、画
素電極１０の複数本の電極と平行且つ交互に配置された
複数本の電極よりなる櫛状の対向電極１１を備え、画素
電極１０及び対向電極１１間に電圧を印加し基板面にほ
ぼ平行な電界を液晶層に印加する横方向電界方式の液晶
表示装置であり、画素電極１０の薄膜トランジスタから
離れた側の画素電極先端部と対向電極１１の薄膜トラン
ジスタに近い側の対向電極先端部は、基板面とほぼ平行
な方向に他方の電極に間隙を介して対向しており、この
画素電極先端部と対向電極先端部にそれぞれ、屈曲部１
０ａ、１１ａを設けたものである。この屈曲部１０ａ、
１１ａは、画素電極１０、対向電極１１の電極のソース
配線１２と平行な根本部に続いて形成される。液晶層の
配向方向線は図１に示す通り、上記根本部の延長方向線
に関して、その反時計方向側に角度θ１だけ傾いて配置
されている。屈曲部１０ａ、１１ａは、根本部の延長線
に関して、上記液晶の配向方向線と反対側に、すなわ
ち、その時計方向側に角度θｅだけ傾いて位置してい
る。結果として、それぞれの屈曲部１１ａ、１１ａと根
本部１０ｃ、１１ｃとの屈曲点を原点としその根本部１
０ｃ、１１ｃの延長線をＹ軸として想定したＸＹ平面に
関して、屈曲部と液晶の配向方向線とが異なる象限に位
置している。

【００１１】本実施の形態における液晶表示装置のプロ
セスフローを図２に従って説明する。まず、図２（ａ）
に示すように、絶縁性基板１上にＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等やそれらを主
成分とする合金、またはＩＴＯ等の透光性を有する導電
膜、またはそれらの多層膜等をスパッタ法や蒸着法等に
より成膜し、写真製版・加工によりゲート配線２、ゲー
ト電極３、保持容量共通配線４及び変換部２１における
第一の配線１７等を形成する。次に、図２（ｂ）に示す
ように、窒化シリコン等よりなるゲート絶縁膜５を形成
し、さらに非晶質Ｓｉ、多結晶poly‐Ｓｉ等よりなる半
導体膜６、ｎ型のＴＦＴの場合はＰ等の不純物を高濃度
にドーピングしたｎ+ 非晶質Ｓｉ、ｎ+ 多結晶poly‐Ｓ
ｉ等よりなるコンタクト膜７を、連続的に例えばプラズ
マＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ法で成膜する。次い
で、コンタクト膜７と半導体膜６を島状に加工する。

【００１２】次に、図２（ｃ）に示すように、Ｃｒ、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等
やそれらを主成分とする合金、またはＩＴＯ等の透光性
を有する導電膜、またはそれらの多層膜等をスパッタ法
や蒸着法で成膜後、写真製版と微細加工技術によりソー
ス配線１２、ソース電極１３、ドレイン電極１４、保持
容量電極９及び第二の配線１８等を形成する。さらに、
ソース電極１３及びドレイン電極１４あるいはそれらを
形成したホトレジストをマスクとしてコンタクト膜７を
エッチングし、チャネル領域から取り除く。次いで、図
２（ｄ）に示すように、窒化シリコンや酸化シリコン、
無機絶縁膜または有機樹脂等からなる層間絶縁膜１５を
成膜し、写真製版とそれに続くエッチングによりコンタ
クトホール１６を形成する。最後に、図２（ｅ）に示す
ように、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ａｇ等やそれらを主成分とする合金、または
ＩＴＯ等の透光性を有する導電膜、またはそれらの多層
膜等を成膜後、パターニングすることで画素電極１０、
対向電極１１及び第三の配線１９を形成する。この時、
図１に示すように、画素電極１０及び対向電極１１の先
端部に、ソース配線１２に対する液晶の配向方向と反対
の方向に屈曲した屈曲部１０ａ、１１ａを設ける。な
お、屈曲部１０ａ、１１ａの角度θe は、０゜＜θe ＜
９０゜で効果を得ることは可能であるが、５°＜θe ＜
４５゜で設計すれば製造上のバラツキ等により電極先端
形状が変化しても、０゜＜θe ＜９０゜を越えたり、他
方の電極とのショートを抑えることができる。図１にお
いて、θ1 は液晶分子の配列方向とソース配線１２のな
す角度である。

【００１３】以上の工程により、本実施の形態における
横方向電界方式の液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板を
作製することができる。さらに、このＴＦＴ基板と対向
基板の間に液晶を挟持し、シール材にて接合する。この
ときラビング、光配向等の方法により液晶分子をθ1 の
角度で配向させる。なお、液晶を配向させる方法は、既
知のどのような方法を用いてもよい。さらに、ゲート配
線２、ソース配線１２、保持容量共通配線４にそれぞれ
ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路、保持容量共通配
線用電源を接続することにより液晶表示装置を作製す
る。なお、本実施の形態では、画素電極１０及び対向電
極１１の両方の先端部に、ソース配線１２に対する液晶
の配向方向と反対の方向に屈曲した屈曲部１０ａ、１１
ａを設けたが、これは加重痕による液晶の配向異常領域
の消失は屈曲部より生じるので、画素電極１０先端及び
対向電極１１先端の両端に屈曲部を設ける方が消失時間
の短縮ができるためである。一方屈曲部では平行部と電
界の向きが異なるため全白表示時に透過率が減少する場
合がある。この場合画素電極１０及び対向電極１１のい
ずれか一方の先端部に設けることもできる。また、図３
に示すように、液晶分子の配向方向θl'が図１に示すθ
l とソース配線１２に対して反対となった場合、屈曲部
１０ａ、１１ａの角度θe'もθe と反対方向にし、１゜
＜θe'＜９０゜であればよい。さらに、図４に示すよう
に、対向電極１１には、画素電極１０先端に設けられた
屈曲部１０ａと隣り合う位置に、屈曲部１０ａと同方向
に同じ角度で突出した突起部１１ｂを設けても良い。同
様に、画素電極１０には、対向電極１１先端に設けられ
た屈曲部１１ａと隣り合う位置に、屈曲部１１ａと同方
向に同じ角度で突出した突起部１０ｂを設けても良い。

【００１４】本実施の形態によれば、画素電極１０及び
対向電極１１先端部の電界の向きを液晶が回転すべき方
向に制御できるため、加重により逆回転方向に回転して
いた液晶を速やかに正回転方向に戻すことが可能とな
る。このため表示面への加重により生じる表示不良が抜
重後も長時間視認される加重痕と呼ばれる不良を速やか
に減少でき、表示品位が向上する。また、表示面への加
重防止のための保護板設置が不要になるため、液晶表示
装置の製造コストの低減が図られる。なお、本実施の形
態では、画素電極１０と対向電極１１がいずれも最上層
に形成された構造について述べたが、画素電極１０及び
対向電極１１上にＳｉＮあるいはＳｉＯ2等の絶縁膜が
形成される場合や、画素電極１０と対向電極１１が絶縁
膜を介して別層に設置されている場合においても同様の
効果が得られる。

【００１５】実施の形態２．図５は、本発明の実施の形
態２における液晶表示装置の画素部を示す平面図であ
る。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、
説明を省略する。本実施の形態では、上記実施の形態１
と同様に、画素電極１０及び対向電極１１の先端部に、
ソース配線１２に対する液晶の配向方向と反対の方向に
屈曲した屈曲部１０ａ、１１ａを設け、さらに、画素電
極１０及び対向電極１１の櫛状の複数本の電極の凹部
を、隣り合う対向電極１１または画素電極１０の先端に
設けられた屈曲部１１ａ、１０ａと平行に屈曲させたも
のである。すなわち、凹部の角度θe2も、屈曲部１０
ａ、１１ａの角度θe と同様に０゜＜θe2＜９０゜で効
果を得ることは可能であるが、５°＜θe 2 ＜４５゜で
設計すれば製造上のバラツキ等により電極先端形状が変
化しても、０゜＜θe 2 ＜９０゜を越えたり、他方の電
極とのショートを抑えることができる。図５では、画素
電極１０先端の屈曲部１０ａ及びこれに対向する対向電
極１１の凹部、対向電極１１先端部の屈曲部１１ａ及び
これに対向する画素電極１０の凹部の全てを１゜＜θe
＜９０゜、１゜＜θe2＜９０゜とした場合を示してい
る。図において、θ1 は液晶分子の配列方向とソース配
線１２のなす角度である。なお、θ1 の方向がソース配
線１２方向に対して図５に示す方向と反対になった場
合、θe 、θe2の方向も反対向きにすればよい。本実施
の形態における液晶表示装置のその他の構成、製造方法
については、上記実施の形態１と同様であるので説明を
省略する。本実施の形態においても、上記実施の形態１
と同様に、表示品位の向上及び製造コストの低減等の効
果が得られる。

【００１６】実施の形態３．図６は、本発明の実施の形
態３における液晶表示装置の画素部を示す平面図であ
る。図において、２０は画素電極１０及び対向電極１１
の先端部に絶縁膜を介して設けられた、Ｃｒ等の金属ま
たはＩＴＯ等の透光性を有する導電膜よりなる導体であ
る。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、
説明を省略する。本実施の形態における液晶表示装置の
プロセスフローは、上記実施の形態１と同様であるの
で、説明を省略する（図２参照）。ただし、導体２０
は、画素電極１０及び対向電極１１と絶縁膜を介して設
置すればよいので、ゲート配線２あるいはソース配線１
２と同時に形成する。あるいはゲート配線２またはソー
ス配線１２の材料が非透明性材料の場合、導体２０をゲ
ート配線２あるいはソース配線１２の形成の前後にＩＴ
Ｏ等の透光性を有する導電膜により形成してもよい。こ
のとき、導体２０と画素電極１０( または対向電極１
１) のなす角θe 3 が、０゜＜θe 3 ＜９０゜で効果を
得ることは可能であるが、５°＜θe 3 ＜４５゜で設計
すれば製造上のバラツキ等により電極先端形状が変化し
ても、０゜＜θe 3＜９０゜を越えたり、他方の電極と
のショートを抑えることができる。

【００１７】また、導体２０の形状は、図７に示すよう
な三角形としてもよい。すなわち、導体２０は、少なく
とも一辺がソース配線１２に対する液晶の配向方向と反
対の方向に傾斜しているパターン形状であればよい。ま
た、液晶の配向方向がソース配線１２方向に対し図６ま
たは図７と反対の場合には、θe3の方向も反対向きに１
°＜θe3＜９０゜とすればよい。本実施の形態において
も、上記実施の形態１及び２と同様に、表示品位の向
上、製造コストの低減等の効果が得られる。また、導体
２０をＩＴＯ等の透光性を有する導電膜で形成した場合
は開口率の低下を生じない。

【００１８】実施の形態４．図８は、本発明の実施の形
態４における液晶表示装置の画素部を示す平面図であ
る。図において、１６ａは、画素電極１０先端に設けら
れた導体２０と画素電極１０を電気的に接続するコンタ
クトホール、１６ｂは対向電極１１先端に設けられた導
体２０と対向電極１１を電気的に接続するコンタトホー
ルである。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を
付し、説明を省略する。本実施の形態では、上記実施の
形態３で示した導体２０を、コンタクトホール１６ａ、
１６ｂを介して画素電極１０の先端部及び対向電極１１
の先端部と接続するようにしたものである。この点以外
の構成及びプロセスフローは上記実施の形態３と同様で
あるので、説明を省略する。本実施の形態においても、
上記実施の形態１〜実施の形態３と同様に、表示品位の
向上、製造コストの低減等の効果が得られる。また、導
体２０をＩＴＯ等の透光性を有する導電膜で形成した場
合は開口率の低下を生じない。

【００１９】実施の形態５．図９は、本発明の実施の形
態５における液晶表示装置の画素部を示す平面図であ
る。図において、１６ｃは、対向電極１１の凹部に設け
られた導体２０と対向電極１１を電気的に接続するコン
タクトホール、１６ｄは画素電極１０の凹部に設けられ
た導体２０と対向電極１０を電気的に接続するコンタク
トホールである。なお、図中、同一、相当部分には同一
符号を付し、説明を省略する。本実施の形態では、上記
実施の形態３で示した導体２０を、コンタクトホール１
６ｃ、１６ｄを介して対向電極１１及び画素電極１０の
凹部と接続するようにしたものである。この点以外の構
成及びプロセスフローは上記実施の形態３と同様である
ので、説明を省略する。本実施の形態においても、上記
実施の形態１〜実施の形態４と同様に、表示品位の向
上、製造コストの低減等の効果が得られる。また、導体
２０をＩＴＯ等の透光性を有する導電膜で形成した場合
は開口率の低下を生じない。

【００２０】なお、上記実施の形態１〜実施の形態５で
述べた効果は、横方向電界方式の液晶表示装置であれ
ば、ＴＦＴ構造、駆動方式、表示装置の大小、画素数、
液晶の種類を問わず同様の効果を得ることができる。

【００２１】以上のように、本発明によれば、画素電極
先端部及び対向電極先端部の電界の向きを液晶分子が回
転すべき方向に制御することができ、加重により逆回転
方向に回転していた液晶分子を速やかに正回転方向に戻
すことが可能となったため、表示面への荷重により生じ
る表示不良が抜重後も長時間視認される加重痕と呼ばれ
る不良を速やかに減少でき表示品位が向上する。さら
に、表示面への加重防止のための保護板設置が不要にな
るため、液晶表示装置の製造コストの低減が図られる効
果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１における液晶表示装置
の画素部を示す平面図である。

【図２】 本発明の実施の形態１における液晶表示装置
の製造方法を示す断面図である。

【図３】 本発明の実施の形態１における他の液晶表示
装置の画素部を示す平面図である。

【図４】 本発明の実施の形態１における他の液晶表示
装置の画素部を示す平面図である。

【図５】 本発明の実施の形態２における液晶表示装置
の画素部を示す平面図である。

【図６】 本発明の実施の形態３における液晶表示装置
の画素部を示す平面図である。

【図７】 本発明の実施の形態３における他の液晶表示
装置の画素部を示す平面図である。

【図８】 本発明の実施の形態４における液晶表示装置
の画素部を示す平面図である。

【図９】 本発明の実施の形態５における液晶表示装置
の画素部を示す平面図である。

【図１０】 従来の一般的な横方向電界方式の液晶表示
装置の画素部を示す平面図である。

【図１１】 従来の液晶表示装置の問題点である加重痕
の発生原理を説明する図である。

【図１２】 従来の液晶表示装置の問題点である加重痕
の発生原理を説明する図である。

【図１３】 従来の液晶表示装置の問題点である加重痕
の発生原理を説明する図である。

【図１４】 従来の液晶表示装置の問題点である加重痕
の発生原理を説明する図である。

【図１５】 従来の液晶表示装置の問題点である加重痕
の発生原理を説明する図である。

【図１６】 従来の液晶表示装置の問題点である加重痕
の発生原理を説明する図である。

【図１７】 従来の液晶表示装置の問題点である加重痕
の発生原理を説明する図である。

【符号の説明】

１ 絶縁性基板、２ ゲート配線、３ ゲート電極、４
保持容量共通配線、５ ゲート絶縁膜、６ 半導体
膜、７ コンタクト膜、９ 保持容量電極、１０ 画素
電極、１０ａ 屈曲部、１０ｂ 突起部、１１ 対向電
極、１１ａ 屈曲部、１１ｂ 突起部、１２ ソース配
線、１３ ソース電極、１４ ドレイン電極、１５ 層
間絶縁膜、１６、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ コ
ンタクトホール、１７ 第一の配線、１８ 第二の配
線、１９ 第三の配線、２０ 導体、２１ 変換部、２
２ 配向異常領域。

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向配置された一対の基板と、上記基板
   間に挟持された液晶層と、上記一方の基板に形成され互
   いに交差する複数本の走査信号線及び複数本の映像信号
   線と、上記走査信号線及び上記映像信号線の交点に対応
   して設けられた薄膜トランジスタと、上記薄膜トランジ
   スタに接続された複数本の電極よりなる画素電極と、上
   記画素電極の複数本の電極に沿って延びる複数本の電極
   よりなる対向電極とを備え、上記画素電極及び対向電極
   間に電圧を印加し基板面にほぼ平行な電界を上記液晶層
   に印加する液晶表示装置において、上記画素電極の複数
   本の電極のうちの少なくとも１つの電極の少なくとも上
   記薄膜トランジスタから離れた側の画素電極先端部と、
   上記対向電極の複数本の電極のうちの少なくとも１つの
   電極の少なくとも上記薄膜トランジスタに近い側の対向
   電極先端部は、基板面とほぼ平行な方向の間隙を介して
   他方の電極と対向しており、これらの画素電極先端部と
   対向電極先端部にそれぞれ屈曲部を設け、これらの屈曲
   部はそれぞれその根本部に続いて形成されており、また
   それぞれの屈曲部と根本部との屈曲点を原点としその根
   本部の延長線をＹ軸として想定したＸＹ平面に関して、
   上記屈曲部と上記液晶層の配向方向線が異なる象限に位
   置していることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 上記画素電極先端部に対応する上記対向
   電極の少なくとも１つの電極に上記画素電極先端部に設
   けられた屈曲部とほぼ平行な屈曲部を形成し、また上記
   対向電極先端部に対応する上記画素電極の少なくとも１
   つの電極に上記対応電極先端部に設けられた屈曲部とほ
   ぼ平行な屈曲部を形成したことを特徴とする請求項１記
   載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 上記根本部の延長線と上記屈曲部との角
   度は、０°より大きく、９０°より小さいことを特徴と
   する請求項１または２記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 上記根本部の延長線と上記屈曲部との角
   度は、５°より大きく、４５°より小さいことを特徴と
   する請求項１または２記載の液晶表示装置。