JP3473107B2 - Tm二重モード誘電体共振器装置 - Google Patents

Tm二重モード誘電体共振器装置

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JP3473107B2
JP3473107B2 JP11655294A JP11655294A JP3473107B2 JP 3473107 B2 JP3473107 B2 JP 3473107B2 JP 11655294 A JP11655294 A JP 11655294A JP 11655294 A JP11655294 A JP 11655294A JP 3473107 B2 JP3473107 B2 JP 3473107B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、2つの誘電体柱を交
差させた形状からなる複合誘電体柱を複数個配列してな
るTM二重モード誘電体共振器装置に関する。
【0002】
【従来の技術】周囲を外導体で囲んだ空間内に2つの誘
電体柱を交差させてなる複合誘電体柱を備えたTM二重
モード誘電体共振器を複数個用いた従来のTM二重モー
ド誘電体共振器装置の構成を図9に示す。同図において
10a,10b,10cはそれぞれ2つの誘電体柱を交
差させた形状からなる複合誘電体柱、13a,13b,
13cはこれらの複合誘電体柱とともに一体成形したキ
ャビティであり、その外面に外導体を形成している。各
複合誘電体柱10a,10b,10cには、誘電体柱の
交差部に、その交差方向に対して45°方向に対向する
2つの溝g,gをそれぞれ形成している。この溝によっ
て、2つの誘電体柱による偶モードと奇モードの共振周
波数に差を生じさせて、2つの誘電体柱による二段の共
振器を結合させている。複合誘電体柱10a,10b,
10cとキャビティ13a,13b,13cからなる3
つのユニットの間には複合誘電体柱のうち互いに平行な
2つの誘電体柱同士を選択的に磁界結合させる磁界結合
用窓を形成した仕切板14a,14cを配置している。
また配列した3つのユニットの両端の開口面には磁界結
合用の結合ループ(不図示)を配置している。これによ
り6段の共振器からなる帯域通過フィルタとして作用す
るTM二重モード誘電体共振器装置を構成している。
【0003】図7は図9に示した各TM二重モード誘電
体共振器における共振モードの説明図である。図7の
(A)を偶モード、(B)を奇モードの電界をそれぞれ
示すものとすれば、偶モードの共振周波数と奇モードの
共振周波数とは溝gの存在によって差が生じ、これによ
って誘電体柱11,12による2つの共振器間に結合が
生じる。
【0004】以上のように構成した図9に示したTM二
重モード誘電体共振器装置の帯域通過特性は図10に示
すようなものとなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図9に示した装置の等
価回路は図8のように表される。ここでR1,R2は図
9に示した複合誘電体柱10aによる2段の共振器、R
3,R4は同じく複合誘電体柱10bによる2段の共振
器、R5,R6は複合誘電体柱10cによる2段の共振
器である。上述したように、共振器R1−R2間、R3
−R4間、R5−R6間はそれぞれ2つの誘電体柱の交
差部に溝を設けたことによってそれぞれの結合してい
て、共振器R2−R3間、R4−R5間はそれぞれ上述
した仕切板に設けた磁界結合用窓を介して結合してい
る。例えば、複合誘電体柱10a,10bの鉛直方向の
誘電体柱同士が磁界結合し、複合誘電体柱10b,10
cの水平方向の誘電体柱同士が磁界結合する。ところ
が、このように仕切板に磁界結合用窓を形成していて
も、複合誘電体柱10a,10bの水平方向の誘電体柱
同士も弱く磁界結合し、複合誘電体柱10b,10cの
鉛直方向の誘電体柱同士も同じく弱く磁界結合する。そ
の結果、図8に示すように、1段目と4段目の共振器間
および3段目と6段目の共振器間にいわゆる「とび結
合」が生じることになる。
【0006】図9に示したように、従来のTM二重モー
ド誘電体共振器装置においては、2つの誘電体柱の交差
部に設ける溝の形成方向が各ユニットについてすべて同
一方向にしていたため、上述したとび結合は同位相で生
じてしまい、帯域通過フィルタとしての減衰特性を悪く
する原因となっていた。そのため、従来では、減衰特性
の悪化をなるべく抑えるために、仕切板に設ける磁界結
合用窓の水平方向または鉛直方向の選択性を高める工夫
をし、また所定の段間を結合させて減衰極を形成するた
めのいわゆる有極ケーブルを接続するなどしていた。と
ころが、このような有極ケーブルを用いると挿入損失特
性が劣化する問題もあった。
【0007】この発明の目的は、上述したとび結合によ
る減衰特性の悪化を防止して、減衰特性の優れた帯域通
過フィルタとして用いることのできるTM二重モード誘
電体共振器装置を提供することにある。
【0008】この発明の他の目的は、有極ケーブルを用
いることによる挿入損失特性の劣化を防止し、また有極
ケーブルを用いることによる作業性の低下をなくしたT
M二重モード誘電体共振器装置を提供することにある。
【0009】この発明のさらに他の目的は、とび結合に
よって通過帯域に近接する高域側、低域側またはその両
方に減衰極を形成した状態で、磁界結合用窓の磁界結合
方向の選択性の設定などによって、減衰特性を広範囲に
設定し得るTM二重モード誘電体共振器装置を提供する
ことにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
るTM二重モード誘電体共振器装置は、それぞれ2つの
誘電体柱を交差させた形状からなり、該2つの誘電体柱
の交差部に結合用溝を形成した複数の複合誘電体柱を、
周囲を外導体で囲んだ空間内に平行に配置するととも
に、隣接する複合誘電体柱のうち平行な2つの誘電体柱
同士を選択的に磁界結合させる磁界結合用窓を各複合誘
電体柱間に設けたTM二重モード誘電体共振器装置にお
いて、前記複数の複合誘電体柱のうち少なくとも1つの
複合誘電体柱に設けた前記結合用溝の形成方向を、他の
複合誘電体柱に設けた結合用溝の形成方向に交差させた
ことを特徴とする。
【0011】この発明の請求項2に係るTM二重モード
誘電体共振器装置は、請求項1記載のものにおいて、前
記複数の複合誘電体柱の結合用溝の形成方向が、該複数
の複合誘電体柱の配置順に交互に交差方向となる関係で
前記結合用溝を形成したことを特徴とする。
【0012】
【作用】この発明の請求項1に係るTM二重モード誘電
体共振器装置では、各複合誘電体柱を構成する2つの誘
電体柱がその交差部に形成された結合用溝の存在によっ
て結合し、隣接する複合誘電体柱のうち平行な2つの誘
電体柱同士が磁界結合用窓を介して磁界結合する。その
際、複数の複合誘電体柱の少なくとも1つの複合誘電体
柱に設けた結合用溝の形成方向が他の複合誘電体柱に設
けた結合用溝の形成方向とは交差しているため、この2
つの複合誘電体柱にそれぞれ生じる偶モードと奇モード
の共振モードが互いに逆の関係となる。そのためこの2
つの複合誘電体柱間に生じるとび結合は逆位相の関係と
なる。その結果、減衰極が生じる。この減衰極を通過帯
域に隣接する低域側または高域側に生じさせることによ
って帯域通過フィルタとしての減衰特性が向上すること
になる。
【0013】請求項2に係るTM二重モード誘電体共振
器装置では、複数の複合誘電体柱の結合用溝の形成方向
が、複数の複合誘電体柱の配置順に交互に交差方向とな
る関係であるため、隣接する複合誘電体柱間に生じると
び結合の位相がすべて逆位相となって、同位相でとび結
合が生じることによる減衰特性の悪化がなくなり、例え
ば通過帯域の高域側と低域側にそれぞれ近接する位置に
減衰極を設けることによって、高域と低域の何れの減衰
特性も改善したTM二重モード誘電体共振器装置が得ら
れる。
【0014】また、請求項1または2に係るTM二重モ
ード誘電体共振器装置では、逆位相でとび結合が生じる
2つの複合誘電体柱の間に設ける磁界結合用窓の磁界結
合方向の選択性を高めればとび結合が弱くなり、その磁
界結合方向の選択性を弱めればとび結合が強くなるた
め、磁界結合用窓の結合方向の選択性を適宜設定するこ
とによって、減衰特性を広範囲に亘って設定することも
可能となる。
【0015】
【実施例】この発明の第1の実施例であるTM二重モー
ド誘電体共振器装置の構成を図1〜図4に示す。
【0016】図1は、TM二重モード誘電体共振器装置
の一部である1ユニットの構成を示す分解斜視図であ
る。同図において10は水平方向と鉛直方向の2つの誘
電体柱を交差させた形状からなる複合誘電体柱、13は
複合誘電体柱10とともに一体成形したキャビティであ
り、その四側面15に外導体を形成している。また同図
において14は仕切板であり、その一方の面には長さ
L、幅dの複数のスリット状導体開口部17を除く領域
に外導体16を形成し、また4つの端面にも外導体16
を形成している。
【0017】図2は図1に示したユニットを3つ配列し
て構成した装置の平面図であり、(A)は金属カバー
(不図示)を取り外した状態における上面図、(B)は
同じく金属カバーを取り外した状態における正面図であ
る。同図において13a,13b,13cはそれぞれ図
1において13で示したキャビティであり、14a,1
4cは図1において14で示した仕切板である。キャビ
ティ13bの2つの開口部には仕切板を設けず、キャビ
ティ13a,13cのそれぞれの一方の開口部に仕切板
14a,14cを接合することによって、隣接する複合
誘電体柱間の磁界結合用窓を構成している。これらの3
つのユニットは金属ケース18に対し、キャビティのフ
ランジ部でねじ止めしていて、隣接するキャビティ間を
金属板19を介して半田付けなどにより接合している。
金属ケース18には同軸コネクタ20,21を取り付
け、同軸コネクタ20,21の中心導体と金属ケース1
8との間に22,23で示す結合ループをそれぞれ形成
している。この装置の等価回路は図8に示したものと同
一である。
【0018】図3は、図2に示したTM二重モード誘電
体共振器装置を構成する3つの複合誘電体柱の結合用溝
の形成方向を示す一部破断部分斜視図である。同図に示
すように、複合誘電体柱10aと10bに設けた結合用
溝gの形成方向は同一であるが、複合誘電体柱10cに
設けた溝gの形成方向は他の複合誘電体柱に設けた結合
用溝の形成方向とは90°異なる交差方向である。図2
に示したように、結合ループ22のループ面は水平面で
あるため、複合誘電体柱10aの水平方向の誘電体柱と
結合ループ22が結合し、複合誘電体柱10aの鉛直方
向の誘電体柱と複合誘電体柱10bの鉛直方向の誘電体
柱とが仕切板14aの磁界結合用窓を介して磁界結合す
る。また複合誘電体柱10b,10cの水平方向の誘電
体柱同士が仕切板14cの磁界結合用窓を介して磁界結
合する。そして複合誘電体柱10cの鉛直方向の誘電体
柱と結合ループ23とが磁界結合することになる。図3
に示すように、仕切板14aに設けた磁界結合用窓は水
平方向に延びる複数のスリット状の導体開口部であるた
め、複合誘電体柱10a,10bの主として鉛直方向の
誘電体柱同士が磁界結合するが、複合誘電体柱10a,
10bの水平方向の誘電体柱同士も僅かながら結合す
る。また、仕切板14cに設けた磁界結合用窓は鉛直方
向に延びる複数のスリット状の導体開口部であるため、
複合誘電体柱10b,10cの主として水平方向の誘電
体柱同士が磁界結合するが、複合誘電体柱10b,10
cの鉛直方向の誘電体柱同士も僅かながら結合する。複
合誘電体柱10aと10bに設けた結合用溝の形成方向
は同一方向であるため、図8に示した1段目と4段目と
の間のとび結合は同位相となり、また複合誘電体柱10
bと10cに設けた結合用溝の形成方向は90°の方向
で交差しているため、図8に示した3段目と6段目との
間のとび結合は逆位相となる。
【0019】図4は図3に示したTM二重モード誘電体
共振器装置の特性図である。このように通過帯域の高域
側と低域側に減衰極を有する帯域通過特性が得られる。
但し図4では、通過帯域のかなり低域側に減衰極を有す
るため、図中には低域側の減衰極は現れていない。
【0020】次に、第2の実施例に係るTM二重モード
誘電体共振器装置の構成を図5および図6に示す。図5
は、図3に対応させて示した、3つの複合誘電体柱の結
合用溝の形成方向を示す一部破断部分斜視図である。同
図に示すように、複合誘電体柱10bに設けた溝gの形
成方向はこれに隣接する他の複合誘電体柱10a,10
cに設けた結合用溝の形成方向とは90°異なる交差方
向である。従って図8に示した1段目と4段目との間の
とび結合は逆位相となり、また3段目と6段目との間の
とび結合も逆位相となる。
【0021】図6は図5に示したTM二重モード誘電体
共振器装置の特性図である。このように通過帯域に近接
する高域側と低域側に減衰極を有する帯域通過特性が得
られる。
【0022】なお、第1・第2の実施例では、磁界結合
用窓として複数のスリット状の導体非形成部を配列した
ものとしたが、磁界結合の結合方向の選択性を各スリッ
トの長さLおよび幅dによって定めることができる(図
1参照)。すなわちLを大きくする程主結合を強めるこ
とになり、dを大きくする程とび結合が強くなる。従っ
て、この磁界結合用窓の形状および寸法によって同位相
のとび結合または逆位相のとび結合の強さを設定して、
減衰特性を広範囲に亘って定めることができる。また、
第1・第2の実施例では、帯域通過フィルタとして作用
する1つの装置について示したが、本願発明は例えばデ
ュプレクサの送信フィルタ等のように、複合誘電体共振
器装置の一部に適用することも可能であることは言うま
でもない。
【0023】
【発明の効果】この発明の請求項1に係るTM二重モー
ド誘電体共振器装置によれば、結合用溝の形成方向が互
いに交差関係にある2つの複合誘電体柱間に逆位相のと
び結合が生じて減衰極が形成されるため、減衰特性に優
れた帯域通過フィルタとして作用するTM二重モード誘
電体共振器装置が得られる。
【0024】請求項2に係るTM二重モード誘電体共振
器装置によれば、隣接する複数の複合誘電体柱間でそれ
ぞれ逆位相のとび結合が生じるため、同位相のとび結合
による減衰特性の悪化がなくなり、例えば通過帯域の高
域側と低域側にそれぞれ近接する位置に減衰極を設ける
ことによって、高域と低域の何れの減衰特性も改善した
TM二重モード誘電体共振器装置が得られる。
【0025】また、請求項1または2に係るTM二重モ
ード誘電体共振器装置によれば、磁界結合用窓の結合方
向の選択性を適宜設定することによって、減衰特性を広
範囲に亘って設定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例に係るTM二重モード誘電体共振
器装置の一部である1ユニットの構成を示す分解斜視図
である。
【図2】第1の実施例に係るTM二重モード誘電体共振
器装置の構成を示す図であり、(A)は金属カバーを取
り外した状態における上面図、(B)は同じく金属カバ
ーを取り外した状態における正面図である。
【図3】第1の実施例に係るTM二重モード誘電体共振
器装置の各部の構成を示す一部破断部分分解斜視図であ
る。
【図4】第1の実施例に係るTM二重モード誘電体共振
器装置の周波数特性図である。
【図5】第2の実施例に係るTM二重モード誘電体共振
器装置の各部の構成を示す一部破断部分分解斜視図であ
る。
【図6】第2の実施例に係るTM二重モード誘電体共振
器装置の周波数特性図である。
【図7】TM二重モード誘電体共振器の共振モードの説
明図である。
【図8】3つのTM二重モード誘電体共振器を用いた6
段の共振器からなる装置の等価回路図である。
【図9】従来のTM二重モード誘電体共振器装置の各部
の構成を示す一部破断部分分解斜視図である。
【図10】図9に示すTM二重モード誘電体共振器装置
の周波数特性図である。
【符号の説明】
10−複合誘電体柱 11,12−誘電体柱 13−キャビティ 14−仕切板 15,16−外導体 17−スリット状の導体非形成部(磁界結合用窓) 18−金属ケース 19−金属板 20,21−同軸コネクタ 22,23−結合ループ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−339401(JP,A) 実開 平6−34303(JP,U) 実開 平4−131003(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 1/20 H01P 1/208 H01P 7/10

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 それぞれ2つの誘電体柱を交差させた形
    状からなり、該2つの誘電体柱の交差部に結合用溝を形
    成した複数の複合誘電体柱を、周囲を外導体で囲んだ空
    間内に平行に配置するとともに、隣接する複合誘電体柱
    のうち平行な2つの誘電体柱同士を選択的に磁界結合さ
    せる磁界結合用窓を各複合誘電体柱間に設けたTM二重
    モード誘電体共振器装置において、 前記複数の複合誘電体柱のうち少なくとも1つの複合誘
    電体柱に設けた前記結合用溝の形成方向を、他の複合誘
    電体柱に設けた結合用溝の形成方向に交差させたことを
    特徴とするTM二重モード誘電体共振器装置。
  2. 【請求項2】 前記複数の複合誘電体柱の結合用溝の形
    成方向が、該複数の複合誘電体柱の配置順に交互に交差
    方向となる関係で前記結合用溝を形成した請求項1記載
    のTM二重モード誘電体共振器装置。
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