JP3473115B2 - 加速度センサ - Google Patents

加速度センサ

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JP3473115B2
JP3473115B2 JP17483394A JP17483394A JP3473115B2 JP 3473115 B2 JP3473115 B2 JP 3473115B2 JP 17483394 A JP17483394 A JP 17483394A JP 17483394 A JP17483394 A JP 17483394A JP 3473115 B2 JP3473115 B2 JP 3473115B2
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昌弥 田村
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば自動車等の運動
体の加速度を検出するのに用いて好適な加速度センサに
関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、車両等の加速度や回転方向を検
出するのに用いられる加速度センサには、電極間の静電
容量を利用して検出するものがあり、例えば特開平3−
94169号公報および特開昭62−232171号等
によって知られている。
【0003】しかし、これらの加速度センサは、固定部
と可動部との電極間の有効面積が小さくその離間寸法が
大きいために、検出感度が小さくなり高感度の加速度検
出を行うことができなかった。
【0004】一方、例えば特開平4−115165号公
報に記載の加速度センサ(以下、「他の従来技術」とい
う)では、固定電極および可動電極をくし状電極を用
い、電極間の有効面積を大きくして検出感度を向上させ
るようになっている。
【0005】そして、この他の従来技術による加速度セ
ンサは、一端がベースに固定され他端が水平方向に振動
可能な重りとなった片持梁を、該片持梁に一体形成され
た可動側のくし状電極部と、該可動側のくし状電極部と
非接触でかみ合わされた固定側のくし状電極部を有し、
前記ベースに固定された固定側くし状電極部とから構成
され、前記重りに加速度が加わったときに、可動側のく
し状電極部と固定側のくし状電極部との有効面積を変化
させ、この変化を静電容量として検出し、加速度に応じ
た検出信号を得るものである。
【0006】しかし、この他の従来技術では、シリコン
のエッチング加工技術を利用して各くし状電極部を形成
するときに、シリコンの一端面からのみエッチング処理
を施し、シリコンを貫通させ固定電極と可動電極とを分
離形成している。このときに各電極部間の離間寸法を小
さくすると、シリコンが貫通しにくく、シリコンの他側
面部位で各電極部が接触してしまうことがあり、各電極
部間の離間寸法を小さくすることができないという欠点
がある。
【0007】即ち、シリコンウェハの厚さは数百μmの
ものが通常使用され、この厚さをそのまま各電極部の厚
さ寸法とすると、先の理由により離間寸法を小さくする
ことが困難となる。一方、始めから厚さが数10μm程
度に形成されたシリコンウェハを用いることも考えられ
るが、この場合にはシリコンウェハの強度が弱く、運搬
時に破損してしまう。
【0008】そこで、上述した従来技術の問題を解決す
るために、本発明者達は先に図20ないし図30に示す
如き加速度センサおよびその製造方法を検討した(以
下、「先行技術」という)。
【0009】図中、1は加速度センサ、2は該加速度セ
ンサ1の基台をなす例えば強化ガラス(商品名パイレッ
クスガラス)等によって板状に形成された絶縁基板とし
てのガラス基板を示し、該ガラス基板2上には後述する
固定部5,5および可動部7が形成されている。また、
該ガラス基板2には図22に示すように、矩形状の凹部
3が形成され、該凹部3の四隅には左,右方向に延びる
4個の補助凹部3A,3A,…が形成されている。ま
た、該凹部3上に位置した可動部7の梁9,質量部10
および可動側くし状電極11はガラス基板2と離間し
て、矢示A方向に変位可能になっている。4,4,…は
電極パターンを示し、該各電極パターン4は固定部5と
可動部7からの信号を外部に導出するものである。
【0010】5,5は低抵抗(抵抗率ρ:0.01〜
0.02〔Ωcm〕)の単結晶シリコンによるシリコンウ
ェハ(図示せず)をエッチング加工することにより分離
形成された固定部を示し、該各固定部5は、前記ガラス
基板2の左,右に離間して該ガラス基板2に固着され、
かつ該各固定部5にはそれぞれ対向する内側面に複数
(例えば5枚)の薄板状の電極板6A,6A,…が突出
形成され、該各電極板6Aは固定電極としての固定側く
し状電極6を構成している。
【0011】7は低抵抗を有するシリコン板により形成
された可動部を示し、該可動部7は、前記ガラス基板2
の前,後に離間してガラス基板2に固着され、角柱状に
形成された支持部8,8と、該各支持部8に4個の梁
9,9,…を介して支持され、前記各固定部5の間に配
設された質量部10と、該質量部10から左,右方向に
それぞれ突出形成された複数(例えば5枚)の薄板状の
電極板11A,11A,…を有する可動側くし状電極1
1,11とから構成され、前記各梁9は質量部10を矢
示A方向に変位させるように薄板状に形成されている。
そして、前記各可動側くし状電極11の各電極板11A
は前記各固定側くし状電極6の各電極板6Aと微小隙間
を介して互いに対向するようになっている。
【0012】なお、前記可動部7の各支持部8は梁9の
伸長方向に向けて棒状に形成されているから、該各支持
部8の下側面8A,8A(図22,23参照)がガラス
基板2と接合する接合部となり、その面積は広い接合面
積となっている。
【0013】次に、図26ないし図30に先行技術によ
る加速度センサ1の製造方法について述べる。
【0014】まず、図26中で、21は低抵抗(抵抗率
ρ:0.01〜0.02〔Ωcm〕)を有する単結晶の
(110)シリコン板を示し、該シリコン板21は例え
ば直径7.5〜15.5(cm),厚さ300(μm)
程度の円板状のシリコンウェハとして形成されている。
そして、該シリコン板21の両側面には減圧CVD法に
よって窒化膜22,23を形成した後に、一側面に位置
した窒化膜22は、フォトリソ技術を用いて固定部5と
可動部7とを分離形成するための溝24となる部分をパ
ターニングして、前記溝24以外の部分をマスキングす
る。
【0015】次に、前記シリコン板21の一側面に固定
部5と可動部7と分離して形成するための溝24以外の
部分をマスキングした後に、第1のエッチング工程で
は、アルカリ水溶液でシリコン板21の一側面から異方
性エッチングを施し、図27のように所定深さの溝24
を形成する。
【0016】さらに、図28では、シリコン板21の両
面に形成された窒化膜22,23をRIE(リアクティ
ブイオンエッチング)又は、熱リン酸でエッチング除去
する。
【0017】一方、接合工程では、図29のように予め
凹部3と各電極パターン4を形成したガラス基板2とシ
リコン板21を陽極接合法により接合する。
【0018】さらに、図30に示す第2のエッチング工
程では、シリコン板21とガラス基板2との接合面の反
対側となるシリコン板21の他側面から、RIEまたは
湿式エッチングにより溝24が貫通するまでエッチング
を施し、固定部5と可動部7とを分離形成する。なお、
可動部7では支持部8,8のみがガラス基板2上に固着
され、梁9,9、質量部10および可動側くし状電極1
1は前記凹部3上に位置しているから、該質量部10等
はガラス基板2と離間し、質量部10は各梁9のばね力
により矢示A方向に変位可能な状態で支持されている。
【0019】このように構成される加速度センサ1は、
外部から矢示A方向に加速度が加わると、質量部10が
各支持部8に対し各梁9を介して変位し、可動側くし状
電極11の各電極板11Aが固定側くし状電極6の各電
極板6Aに対して近接または離間するので、このときの
離間寸法の変位を静電容量の変化として外部の図示しな
い信号処理回路に出力し、該信号処理回路ではこの静電
容量の変化に基づき前記加速度に応じた信号を出力す
る。
【0020】そして、この加速度センサ1では、可動側
くし状電極11と固定側くし状電極6の各電極板11
A,6A間で静電容量の変化として加速度を検出してお
り、該各電極板11A,6Aはそれぞれ電気的に並列接
続されているから、各電極板11A,6A間の静電容量
をそれぞれ加算した値となる静電容量として加速度を検
出でき、検出感度を高め、加速度の検出精度を向上させ
ることができる。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した先
行技術における加速度センサ1の製造方法にあっては、
シリコン板とガラス基板を接合するときには一般的に陽
極接合法を用いるようになっている。
【0022】ここで、この陽極接合法について説明する
と、図29に示すように、シリコン板21とガラス基板
2とを位置合わせした後に密着させ、約400℃の温度
中で電圧を約1000V印加するもので、このときガラ
ス基板2中のアルカリイオンがシリコン板21と接合す
る面の反対面に移動し、シリコン板21とガラス基板2
との境界面近傍には空間電荷層が形成される。そして、
この空間電荷層によりシリコン板21とガラス基板2と
の間で大きな静電引力が発生し、この結果強固な密着を
起して、シリコン板21とガラス基板2との境界面が化
学結合となり接合が完了するようになっている。
【0023】このように、陽極接合法においては、両方
の板(シリコン板21とガラス基板2)を400℃に加
熱した状態で接合するに際して、シリコンとガラスとは
熱膨張係数が異なっているから、室温に冷却された状態
では、シリコン板21内とガラス基板2内にそれぞれ内
部応力が発生する。
【0024】そして、例えば、シリコンとガラスの場合
(ガラスに商品名パイレックスガラス#7740を用
い、400℃で接合した場合)には、接合後にシリコン
側に引張り応力が発生する。即ち、上述の加速度センサ
1の場合には、支持部8はガラス基板2の左,右方向に
接合されているため、図21の矢示x,x,…のような
引張り応力(内部応力)が左,右方向に発生し、この引
張り応力は支持部8を介して梁9に作用する。そして、
該梁9では前後方向のばね定数を変化させ、質量部10
の動きを規制する。この結果、各梁9のばね定数が変化
することにより、質量部10に加わる加速度の検出感度
を大幅に低下させるという問題がある。
【0025】さらに、加速度センサ1の使用環境の温度
が変化すると、上述した理由によって各梁9のばね定数
が引張り応力によって変化するため、環境温度変化に対
しても検出感度が変動するという問題がある。
【0026】本発明は上述した従来技術による問題に鑑
みなされたもので、本発明は温度変化に対しても高精度
な加速度検出を行うことのできる加速度センサを提供す
ることを目的としている。
【0027】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明の加速度センサは、絶縁基板と、該絶縁
基板の表面陽極接合されたシリコン板をエッチング加
工することにより互いに分離して形成された固定部と可
動部とを備え、該固定部には固定電極を一体に形成し、
前記可動部は絶縁基板上に離間して固着された一対の
支持部と、該各支持部にそれぞれ連結され加速度の検出
方向と直交する方向に延びる梁と、該各梁を介して前記
各支持部間で連結され、加速度が作用したときに該加速
度に応じて検出方向に変位する質量部と、該質量部に形
成され前記固定部の固定電極との間で該質量部の変位方
向に微小隙間を介して対向するように設けられた可動電
極とから形成している。
【0028】そして、請求項1の発明が採用する構成の
特徴は、前記支持部は前記絶縁基板に接合され接合
部と、該接合部を挟んで前記梁の伸長方向の両側にそれ
ぞれ設けられ前記絶縁基板から離間した状態にある非接
合部とからなり、前記梁は絶縁基板から離間した状態
で前記支持部の各非接合部に連結される支持部端と、該
各支持部端の間に位置して前記質量部に連結される質量
部端とから構成し、前記質量部は、前記絶縁基板の表面
と平行な面に沿って前記検出方向に変位する構成とし
ことにある。
【0029】また、請求項2の発明では、前記絶縁基板
には前記支持部の非接合部、梁および質量部を該絶縁基
板から離間するための凹部を形成し、該凹部内には前記
各支持部の接合部が接合する接合用突出部を設けたこと
にある。
【0030】さらに、請求項3の発明では、前記支持部
の接合部は前記絶縁基板上で分離している一対の固着部
から形成したことにある。
【0031】さらにまた、請求項4の発明では、前記支
持部の接合部と非接合部との間には腕部を設けたことに
ある。
【0032】一方、請求項5の発明では、前記支持部の
接合部は前記絶縁基板上で分離している一対の固着部か
ら形成し、該各固着部には該固着部を前記非接合部と連
結するための腕部をそれぞれ設けたことにある。
【0033】
【作用】請求項1の発明のように、支持部を絶縁基板
と接合する接合部と、該接合部を挟んで梁の伸長方向の
両側にそれぞれ設けられ絶縁基板と離間した状態にある
非接合部とし、該各非接合部と梁の各支持部端とを連結
することにより、梁と支持部との連結部周辺を絶縁基板
から離間させることができる。そして、シリコン板と絶
縁材料との熱膨張係数の違いにより発生する引張り応力
を受ける部分を小さくし、各部材の熱膨張係数の違いに
よって発生する梁の伸長方向に沿った内部応力を小さく
でき、該梁のばね定数の変化を小さくすることができ
る。
【0034】また、請求項2の発明のように、前記支持
部の非接合部、梁および質量部を絶縁基板から離間する
ための凹部を該絶縁基板に形成し、該凹部内に前記各支
持部の接合部を接合する接合用突出部を設けることによ
り、この接合用突出部と支持部とが接合する部分が接合
部となり、他の部分が非接合部となって梁の支持部端が
連結される。そして、シリコン板と絶縁材料との熱膨張
係数の違いによる引張り応力の影響を受ける部分は接合
部となり、この接合部は支持部全体からみて小さくなっ
ているから、前記梁のばね定数の変動を小さくすること
ができる。
【0035】さらに、請求項3の発明のように、前記支
持部の接合部を、絶縁基板上で分離する一対の固着部に
よって形成したから、シリコン板と絶縁材料との熱膨張
係数の違いによる引張り応力の影響を受ける部分は一対
の固着部となり、この各固着部は支持部全体からみて小
さくなっているから、前記梁のばね定数の変動を小さく
することができる。
【0036】さらにまた、請求項4の発明のように、支
持部の接合部と非接合部との間には腕部を設けたから、
シリコン板と絶縁材料との熱膨張係数の違いによる引張
り応力の影響を受ける部分は腕部となり、この腕部は狭
くなって形成されているから、前記梁のばね定数の変動
を小さくすることができる。
【0037】一方、請求項5の発明のように、前記支持
部の接合部を、絶縁基板上で分離する一対の固着部によ
って形成すると共に、該各固着部に対し非接合部をそれ
ぞれ連結する一対の腕部とから構成したから、シリコン
板と絶縁材料との熱膨張係数の違いによる引張り応力の
影響を受ける部分は一対の腕部となり、この各腕部は小
さくなっているから、前記梁のばね定数の変動を小さく
することができる。
【0038】
【実施例】以下、本発明の実施例を図1ないし図19に
基づき説明する。なお、実施例では前述した先行技術と
同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略す
るものとする。
【0039】まず、図1ないし図4に本発明による第1
の実施例を示す。
【0040】図中、31は本実施例による加速度セン
サ、32は該加速度センサ31の基台をなす例えばガラ
ス材料によって板状に形成された絶縁基板としてのガラ
ス基板を示し、該ガラス基板32の表面には後述する固
定部35,35および可動部37が形成されている。
【0041】また、前記ガラス基板32は、図2に示す
ように、矩形状の凹部33が形成され、該凹部33の四
隅には左,右方向に延びる4個の補助凹部33A,33
A,…が形成されると共に、前,後方向両側にはガラス
基板32と同じ高さとなる接合用突出部33B,33B
が形成されている。なお、34,34,…は電極パター
ンを示し、該各電極パターン34は固定部35と可動部
37からの信号を外部に導出するものである。
【0042】35,35はガラス基板32の左,右方向
に形成された固定部を示し、該各固定部35は先行技術
による固定部5とほぼ同様に、それぞれ対向する内側面
には複数(例えば5枚)の薄板状の電極板36A,36
A,…からなる固定電極としての固定側くし状電極3
6,36が形成されている。
【0043】37は低抵抗を有するシリコン板により形
成された可動部を示し、該可動部37はガラス基板3
2の前,後方向に離間した支持部38,38と、該各支
持部38に一端が固着され加速度の検出方向(図1中の
矢示A方向)と直交する方向に延びる4個の梁39,3
9,…と、該各梁39の他側を介して支持され各固定部
35間に配設された質量部40と、該質量部40から
左,右方向にそれぞれ突出形成された複数(例えば5
枚)の薄板状の電極板41A,41A,…を有する可動
側くし状電極41,41とから構成されている。そし
て、質量部40は、ガラス基板32の表面と平行な面に
沿って矢示A方向に変位する。
【0044】ここで、前記各支持部38は梁39の伸長
方向に向けて延びた四角柱状に形成され、該支持部38
の中央部が接合部38Aとなり、その両端が該接合部3
8Aを挟んで梁39の伸長方向の両側にそれぞれ設けら
れた非接合部38B,38Bとなっている。また、接合
部38Aはガラス基板32の凹部33内に位置した接合
用突出部33Bに接合し、非接合部38B,38Bはガ
ラス基板32と離間した状態にある。
【0045】また、前記各梁39は、支持部38の各非
接合部38Bに連結される略L字状の支持部端39A,
39Aと、該各支持部端39A間に位置して前記質量部
40に連結される質量部端39B,39Bとからなり、
当該各梁39は凹部32上に位置するから、前記ガラス
基板32と離間した状態で保持されている。
【0046】このように構成される本実施例による加速
度センサ31では、質量部40に加わる矢示A方向の加
速度の検出動作においては、先行技術による加速度セン
サ1と同様に、加速度センサ31に矢示A方向の加速度
が加わると、各梁39が変形することにより質量部40
が矢示A方向(加速度の検出方向)に変位し、この変位
を各固定側くし状電極36と各可動側くし状電極41の
各電極板36A,41Aの離間寸法の変化による静電容
量の変化として検出し、加速度を検出するようになって
いる。
【0047】そして、本実施例では、各支持部38のガ
ラス基板32への接合は、ガラス基板32に設けた各接
合用突出部33Bと各支持部38の中央部(接合部38
A)とを陽極接合法によって接合しているから、各接合
部38Aによる接合面積の大きさは接合用突出部33B
の大きさとなり、支持部38全体に比べて接合面積は小
さくなる。一方、非接合部38B,38Bはガラス基板
32から浮き上がった状態となり、該各非接合部38B
の端部は自由端となっている。
【0048】また、当該加速度センサ31では、ガラス
とシリコンの熱膨張係数の違いによって引張り応力の影
響を受ける部分は各接合部38Aとなり、該各接合部3
8Aには、図1の矢示a,a,…のような引張り応力
(内部応力)が発生する。そして、接合部38Aにおけ
る内部応力は他の支持部38となる非接合部38B,3
8Bに伝わるが、接合部38Aの接合面積は支持部38
全体の面積に比べて小さくなっているため、接合部38
Aから支持部38に伝わる内部応力は小さいものとな
る。
【0049】この結果、接合部38Aに生じる内部応力
は支持部38の各非接合部38Bを介して梁39に伝わ
るものの、前述したように支持部38における内部応力
の影響は小さくなっているから、梁39の温度変化によ
るばね定数の変動を低減することができる。
【0050】そして、各梁39の温度変化によるばね定
数の変動を低減することにより、質量部40に加わる矢
示A方向の加速度を高精度に検出することができると共
に、加速度センサ31の使用環境の温度変化に対する検
出感度の変動も確実に低減することができる。
【0051】次に、図5ないし図9に本発明による第2
の実施例を示すに、本実施例の特徴は、前記第1の実施
例による各支持部38の接合部38Aを分離した一対の
固着部としたことにある。なお、前述した第1の実施例
と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略
するものとする。
【0052】図中、51は本実施例による加速度セン
サ、52は該加速度センサ51の基台をなす絶縁基板と
してのガラス基板を示し、該ガラス基板52上には前述
した固定部35,35と後述する可動部55が形成され
ている。
【0053】また、前記ガラス基板52は、図6に示す
ように、矩形状の凹部53が形成され、該凹部53の四
隅には左,右方向に延びる補助凹部53A,53A,…
が形成されると共に、前,後方向両側にはガラス基板5
2と同じ高さとなる接合用突出部53B,53Bが形成
されている。なお、54,54,…は電極パターンを示
し、該各電極パターン54は固定部35と可動部55か
らの信号を外部に導出するものである。また、該ガラス
基板52上の左,右方向には、それぞれ対向する固定側
くし状電極36,36を有する固定部35,35が形成
されている。
【0054】55は低抵抗を有するシリコン板により形
成された可動部を示し、該可動部55は前記ガラス基板
52の前,後方向に離間した支持部56,56と、該各
支持部56に一端が固着された4個の梁57,57,…
と、該各梁57の他側を介して支持され、前記各固定部
35間に配設された質量部58と、該質量部58から
左,右方向にそれぞれ突出形成された複数(例えば5
枚)の薄板状の電極板59A,59A,…を有する可動
側くし状電極59,59とから構成されている。
【0055】ここで、前記各支持部56は四角柱状に形
成され、該支持部56の中央部が接合部56Aとなり、
その両端がガラス基板52と離間した状態にある非接合
部56B,56Bとなって、前記接合部56Aはガラス
基板52の凹部53内に位置した接合用突出部53Bに
接合している。
【0056】また、56A1 ,56A1 ,…は前,後に
2個ずつで、合計4個の固着部を示し、該各固着部56
A1 は前記各支持部56の接合部56Aを2個ずつに分
離したもので、それぞれ対をなして接合部56Aを構成
している。
【0057】さらに、前記各梁57は、支持部56の各
非接合部56Bに連結される略L字状の支持部端57
A,57Aと、該各支持部端57A間に位置して前記質
量部58に連結される質量部端57B,57Bとからな
り、当該各梁57は凹部53上に位置しているから、前
記ガラス基板52と離間した状態で保持されている。
【0058】このように構成される本実施例による加速
度センサ51においても、該加速度センサ51に加わる
加速度の検出動作は前述した第1の実施例と差異はな
い。
【0059】さらに、本実施例による加速度センサ51
においても、第1の実施例による加速度センサ31と同
様の作用効果が得られるものである。
【0060】即ち、ガラスとシリコンの熱膨張係数の違
いによって可動部55に発生する引張り応力は、各接合
部56Aの固着部56A1 ,56A1 に作用して、該各
固着部56A1 には図5の矢示b,b,…のような引張
り応力(内部応力)が発生する。そして、各固着部56
A1 における内部応力は他の支持部56となる非接合部
56B,56Bに伝わるが、各固着部56A1 は支持部
56全体に比べて小さくなっているため、各固着部56
A1 (接合部56A)から支持部56に伝わる内部応力
は小さくなり、各梁57の温度変化によるばね定数の変
動を低減することができる。この結果、加速度の検出感
度を向上させることができる。
【0061】さらに、図10ないし図14に本発明によ
る第3の実施例を示すに、本実施例の特徴は、各支持部
の接合部と非接合部との間に幅の狭い腕部を形成したこ
とにある。なお、前述した第1の実施例と同一の構成要
素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとす
る。
【0062】図中、61は本実施例による加速度セン
サ、62は該加速度センサ61の基台をなす絶縁基板と
してのガラス基板を示し、該ガラス基板62上には前述
した固定部35,35と後述する可動部55が形成され
ている。
【0063】また、前記ガラス基板62は、図11に示
すように、矩形状の凹部63が形成され、該凹部63の
四隅には左,右方向に延びる補助凹部63A,63A,
…が形成されている。なお、64,64,…は電極パタ
ーンを示し、該各電極パターン64は固定部35と可動
部65からの信号を外部に導出するものである。さら
に、該ガラス基板62上の左,右方向には、それぞれ対
向する固定側くし状電極36,36を有する固定部3
5,35が形成されている。
【0064】65は低抵抗を有するシリコン板により形
成された可動部を示し、該可動部65は前記ガラス基板
62の前,後方向に離間した支持部66,66と、該各
支持部66に一端が固着された4個の梁67,67,…
と、該各梁67の他側を介して支持され、前記各固定部
35間に配設された質量部68と、該質量部68から
左,右方向にそれぞれ突出形成された複数(例えば5
枚)の薄板状の電極板69A,69A,…を有する可動
側くし状電極69,69とから構成されている。
【0065】ここで、前記各支持部66は四角柱状に形
成され、ガラス基板62に接合された接合部66Aと、
前記ガラス基板62と離間し、両端が梁67に連結され
た四角柱状の非接合部66Bと、該非接合部66Bと接
合部66Aとを中央部で連結する幅を狭くして形成され
た腕部66Cとから構成されている。また、前記接合部
66Aのみがガラス基板62に接合され、その他の非接
合部66Bおよび腕部66Cは凹部63上に位置し、前
記ガラス基板62から離間した状態で保持されている。
【0066】また、前記各梁67は、支持部66の各非
接合部66Bの両側に連結される略L字状の支持部端6
7A,67Aと、該各支持部端67A間に位置して前記
質量部68に連結される質量部端67B,67Bとから
なり、当該各梁67は凹部53上に位置するから、前記
ガラス基板62から離間した状態で各支持部66によっ
て保持されている。
【0067】このように構成される本実施例による加速
度センサ61においても、該加速度センサ61に加わる
加速度の検出動作においては、前述した第1の実施例と
差異はない。
【0068】さらに、本実施例による加速度センサ61
においても、第1の実施例と同様の作用効果が得られる
ものである。
【0069】即ち、ガラスとシリコンの熱膨張係数の違
いによって引張り応力の影響を受ける部分は各接合部6
6Aの腕部66C,66Cとなり、該各腕部66Cには
図10の矢示c,c,…のような引張り応力(内部応
力)が発生する。そして、各腕部66Cにおける内部応
力は他の支持部66となる非接合部66B,66Bに伝
わるが、各腕部66Cは支持部66全体に比べて小さく
なっているため、各腕部66C(接合部66A)から支
持部66に伝わる内部応力は小さくなり、各梁67の温
度変化によるばね定数の変動を低減することができる。
この結果、矢示A方向に加わる加速度の検出感度を向上
させることができる。
【0070】さらに、図15ないし図19に本発明によ
る第4の実施例を示すに、本実施例の特徴は、各支持部
の接合部を前記絶縁基板上で分離する一対の固着部から
形成し、該各固着部に非接合部を連結する一対の腕部と
から構成したことにある。なお、前述した第1の実施例
と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略
するものとする。
【0071】図中、71は本実施例による加速度セン
サ、72は該加速度センサ71の基台をなす絶縁基板と
してのガラス基板を示し、該ガラス基板72上には前述
した固定部35,35と後述する可動部75が形成され
ている。
【0072】また、前記ガラス基板72は、図16に示
すように、矩形状の凹部73が形成され、該凹部73の
四隅には左,右方向に延びる補助凹部73A,73A,
…が形成されている。なお、74,74,…は電極パタ
ーンを示し、該各電極パターン74は固定部35と可動
部75からの信号を外部に導出するものである。さら
に、該ガラス基板72上の左,右方向には、それぞれ対
向する固定側くし状電極36,36を有する固定部3
5,35が形成されている。
【0073】75は低抵抗を有するシリコン板により形
成された可動部を示し、該可動部75は前記ガラス基板
72の前,後方向に離間した支持部76,76と、該各
支持部76に一端が固着された4個の梁77,77,…
と、該各梁77の他側を介して支持され、前記各固定部
35間に配設された質量部78と、該質量部78から
左,右方向にそれぞれ突出形成された複数(例えば5
枚)の薄板状の電極板79A,79A,…を有する可動
側くし状電極79,79とから構成されている。
【0074】ここで、前記各支持部76は四角柱状に形
成され、ガラス基板72に接合され、それぞれ一対の固
着部76A1 ,76A1 からなる接合部76Aと、前記
ガラス基板72と離間し、両端が梁77に連結された四
角柱状の非接合部76Bと、該非接合部76Bの中央部
と接合部76A(各固着部76A1 )とを連結する腕部
76C,76Cとから構成されている。また、前記接合
部76A(各固着部76A1 )のみがガラス基板72に
接合され、その他の非接合部76Bおよび各腕部76C
は凹部73上に位置し、前記ガラス基板72から離間し
て保持されている。
【0075】また、前記各梁77は、支持部76の各非
接合部76Bの両側に連結される略L字状の支持部端7
7A,77Aと、該各支持部端77A間に位置して前記
質量部78に連結される質量部端77B,77Bとから
なり、当該各梁77は凹部53上に位置するから、前記
ガラス基板72から離間した状態で各支持部76によっ
て保持されている。
【0076】このように構成される本実施例による加速
度センサ71においても、該加速度センサ71に加わる
加速度の検出動作は前述した第1の実施例と差異はな
い。
【0077】さらに、本実施例による加速度センサ71
においても、前述した第1の実施例と同様の作用効果が
得られるものである。
【0078】即ち、ガラスとシリコンの熱膨張係数の違
いによって発生する引張り応力は、各接合部76Aの腕
部76C,76Cに作用して、該各腕部76Cには図1
0の矢示d,d,…のような引張り応力(内部応力)が
発生する。そして、各腕部76Cにおける内部応力は他
の支持部76となる非接合部76B,76Bに伝わる
が、各腕部76Cは支持部76全体に比べて小さくなっ
ているため、各腕部76C(接合部76A)から支持部
76に伝わる内部応力は小さくなり、各梁77の温度変
化によるばね定数の変動を低減することができる。この
結果、矢示A方向に加わる加速度の検出感度を向上させ
ることができる。
【0079】なお、前記各実施例では、絶縁基板にガラ
ス基板32,52,62,72を用いるものとして述べ
たが、これに替えて、高抵抗なシリコン基板、セラミッ
ク基板、絶縁樹脂基板等を用いてもよく、この場合でも
上述の各実施例の如く構成することによって、確実に加
速度の検出感度を向上させることができる。
【0080】
【発明の効果】以上詳述した如く、請求項1の本発明に
よる加速度センサでは、質量部を梁を介して支持する支
持部を、絶縁基板に接合され接合部と、該接合部を挟
んで梁の伸長方向の両側にそれぞれ設けられ絶縁基板か
ら離間した状態にある非接合部とから構成し、前記梁
を、絶縁基板から離間した状態で前記支持部の各非接合
部に連結される支持部端と、該各支持部端の間に位置し
て前記質量部に連結される質量部端とから構成したか
ら、梁と支持部との連結部周辺を絶縁基板から離間させ
ることができる。このため、シリコン板と絶縁材料との
熱膨張係数の違いによる引張り応力が発生する部分の面
積を小さくし、各部材の熱膨張係数の違いによって発生
する梁の伸長方向に沿った内部応力を小さくでき、該梁
のばね定数の変動を小さくすることができる。この結
果、絶縁基板の表面と平行な面に沿った加速度の検出感
度を向上することができる。
【0081】また、請求項2の発明のように、前記支持
部の非接合部、梁および質量部を絶縁基板から離間する
ための凹部を該絶縁基板に形成し、該凹部内に前記各支
持部の接合部が接合される接合用突出部を設けるように
したから、シリコン板と絶縁材料との熱膨張係数の違い
による引張り応力が発生する接合部の接合面積を小さく
し、各部材の熱膨張係数の違いによって発生する梁への
内部応力を小さくでき、該梁のばね定数の変動を小さく
することができる。この結果、当該加速度センサにおけ
る加速度の検出感度を向上することができる。
【0082】さらに、請求項3の発明のように、前記支
持部の接合部を、絶縁基板上で分離する一対の固着部に
よって形成したから、シリコン板と絶縁材料との熱膨張
係数の違いによる引張り応力の影響を受ける部分は一対
の固着部となり、この各固着部は支持部全体からみてそ
の面積は小さくなっているから、前記梁のばね定数の変
動を小さくすることができ、当該加速度センサの検出感
度を向上することができる。
【0083】さらにまた、請求項4の発明のように、支
持部の接合部と非接合部との間には幅の狭い腕部を設け
たから、シリコン板と絶縁材料との熱膨張係数の違いに
よる引張り応力の影響を受ける部分は腕部となり、この
腕部は狭くなって形成されているから、前記梁のばね定
数の変動を小さくすることができ、当該加速度センサの
検出感度を向上することができる。
【0084】一方、請求項5の発明のように、前記支持
部の接合部を、絶縁基板上で分離する一対の固着部によ
って形成すると共に、該各固着部に非接合部を連結する
一対の腕部とから構成したから、シリコン板と絶縁材料
との熱膨張係数の違いによる引張り応力の影響を受ける
部分は一対の腕部となり、この各腕部は小さくなってい
るから、前記梁のばね定数の変動を小さくすることがで
き、当該加速度センサの検出感度を向上することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例による加速度センサを上側からみ
た平面図である。
【図2】図1中の加速度センサのガラス基板を示す平面
図である。
【図3】図1中の矢示III −III 方向からみた縦断面図
である。
【図4】図1中の矢示IV−IV方向からみた縦断面図であ
る。
【図5】第2の実施例による加速度センサを上側からみ
た平面図である。
【図6】図5中の加速度センサのガラス基板を示す平面
図である。
【図7】図5中の矢示VII −VII 方向からみた縦断面図
である。
【図8】図5中の矢示VIII−VIII方向からみた縦断面図
である。
【図9】図5中の矢示IX−IX方向からみた縦断面図であ
る。
【図10】第3の実施例による加速度センサを上側から
みた平面図である。
【図11】図10中の加速度センサのガラス基板を示す
平面図である。
【図12】図10中の矢示XII −XII 方向からみた縦断
面図である。
【図13】図10中の矢示XIII−XIII方向からみた縦断
面図である。
【図14】図10中の矢示XIV −XIV 方向からみた縦断
面図である。
【図15】第4の実施例による加速度センサを上側から
みた平面図である。
【図16】図15中の加速度センサのガラス基板を示す
平面図である。
【図17】図15中の矢示XVII−XVII方向からみた縦断
面図である。
【図18】図15中の矢示XVIII −XVIII 方向からみた
縦断面図である。
【図19】図15中の矢示XIX −XIX 方向からみた縦断
面図である。
【図20】先行技術による加速度センサを示す斜視図で
ある。
【図21】図20の加速度センサを上側からみた平面図
である。
【図22】図20中の加速度センサのガラス基板を示す
平面図である。
【図23】図21中の矢示XXIII −XXIII 方向からみた
縦断面図である。
【図24】図21中の矢示XXIV−XXIV方向からみた縦断
面図である。
【図25】図21中の矢示XXV −XXV 方向からみた縦断
面図である。
【図26】先行技術によるシリコン板の両面への窒化膜
のマスキング処理を示す縦断面図である。
【図27】第1のエッチング処理によって固定部と可動
部を形成するための溝を形成した状態を示す縦断面図で
ある。
【図28】溝形成後にシリコン板の窒化膜を除去した状
態を示す縦断面図である。
【図29】シリコン板にガラス基板を陽極接合法により
接合した状態を示す縦断面図である。
【図30】第2のエッチング処理によって固定部と可動
部を分離形成した状態を示す縦断面図である。
【符号の説明】
31,51,61,71 加速度センサ 32,52,62,72 ガラス基板(絶縁基板) 33,53,63,73 凹部 33B,53B 接合用突出部 35 固定部 36 固定側くし状電極(固定電極) 37,55,65,75 可動部 38,56,66,76 支持部 38A,56A,66A,76A 接合部 38B,56B,66B,76B 非接合部 39,57,67,77 梁 39A,57A,67A,77A 支持部端 39B,57B,67B,77B 質量部端 40,58,68,78 質量部 41,59,69,79 可動側くし状電極(可動電
極) 56A1 ,76A1 固着部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−301575(JP,A) 特開 平7−131036(JP,A) 特開 平2−251178(JP,A) 特開 平1−301176(JP,A) 特開 平7−198746(JP,A) 特開 平7−122759(JP,A) 特開 昭62−190775(JP,A) 特表 平2−502756(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01P 15/125 H01L 29/84

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板と、該絶縁基板の表面陽極接
    合されたシリコン板をエッチング加工することにより互
    いに分離して形成された固定部と可動部とを備え 固定部には固定電極を一体に形成し 記可動部は絶縁基板上に離間して固着された一対の
    支持部と、該各支持部にそれぞれ連結され加速度の検出
    方向と直交する方向に延びる梁と、該各梁を介して前記
    各支持部間で連結され、加速度が作用したときに該加速
    度に応じて検出方向に変位する質量部と、該質量部に形
    成され前記固定部の固定電極との間で該質量部の変位方
    向に微小隙間を介して対向するように配置された可動電
    極とから形成してなる加速度センサであっ 記支持部は前記絶縁基板に接合され接合部と、
    接合部を挟んで前記梁の伸長方向の両側にそれぞれ設け
    られ前記絶縁基板から離間した状態にある非接合部とか
    らなり 記梁は、前記絶縁基板から離間した状態で前記支持部
    の各非接合部に連結される支持部端と、該各支持部端の
    間に位置して前記質量部に連結される質量部端とから構
    成し 前記質量部は、前記絶縁基板の表面と平行な面に沿って
    前記検出方向に変位する ことを特徴とする加速度セン
    サ。
  2. 【請求項2】 前記絶縁基板には前記支持部の非接合
    部、梁および質量部を該絶縁基板から離間するための凹
    部を形成し、該凹部内には前記各支持部の接合部が接合
    される接合用突出部を設けてなる請求項1記載の加速度
    センサ。
  3. 【請求項3】 前記支持部の接合部は前記絶縁基板上で
    分離している一対の固着部から形成してなる請求項1記
    載の加速度センサ。
  4. 【請求項4】 前記支持部の接合部と非接合部との間に
    は腕部を設けてなる請求項1記載の加速度センサ。
  5. 【請求項5】 前記支持部の接合部は前記絶縁基板上で
    分離している一対の固着部から形成し、該各固着部には
    該固着部を前記非接合部と連結するための腕部をそれぞ
    れ設けてなる請求項1記載の加速度センサ。
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