JP3499406B2 - 光ディスク - Google Patents
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- JP3499406B2 JP3499406B2 JP22672197A JP22672197A JP3499406B2 JP 3499406 B2 JP3499406 B2 JP 3499406B2 JP 22672197 A JP22672197 A JP 22672197A JP 22672197 A JP22672197 A JP 22672197A JP 3499406 B2 JP3499406 B2 JP 3499406B2
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24073—Tracks
- G11B7/24076—Cross sectional shape in the radial direction of a disc, e.g. asymmetrical cross sectional shape
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/007—Arrangement of the information on the record carrier, e.g. form of tracks, actual track shape, e.g. wobbled, or cross-section, e.g. v-shaped; Sequential information structures, e.g. sectoring or header formats within a track
- G11B7/00718—Groove and land recording, i.e. user data recorded both in the grooves and on the lands
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- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
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- G11B7/24079—Width or depth
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームを照射し
て情報の記録再生を行う光ディスクに係り、特にグルー
ブ上およびランド上の両方で記録再生を行う光ディスク
に関する。
て情報の記録再生を行う光ディスクに係り、特にグルー
ブ上およびランド上の両方で記録再生を行う光ディスク
に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報の記録担体に光ビームを照射して情
報の記録再生を行う光ディスクは、大容量性、高速アク
セス性、媒体可搬性を兼ね備え、計算機用ファイル、音
声・画像ファイル、文書ファイル等、様々な記録システ
ムに利用されている。近年の動画像情報の増加、高精細
画像への要求の高まり等から、光ディスクの記録密度向
上に対する要求は強い。
報の記録再生を行う光ディスクは、大容量性、高速アク
セス性、媒体可搬性を兼ね備え、計算機用ファイル、音
声・画像ファイル、文書ファイル等、様々な記録システ
ムに利用されている。近年の動画像情報の増加、高精細
画像への要求の高まり等から、光ディスクの記録密度向
上に対する要求は強い。
【０００３】光ディスクの面記録密度を向上させる技術
の 1つとして、ランド／グルーブ（Ｌ／Ｇ）記録が提案
されている。記録可能型光ディスクにおいては、ディス
ク基板に予め光ビームのトラッキングガイド用の溝、い
わゆるグルーブが射出成形法等によって設けられてい
る。従来の記録可能形光ディスクでは、このグルーブ上
またはグルーブ間、すなわちランド上にのみデータマー
クの記録を行っていた。これは、グルーブ幅もしくはラ
ンド幅よりも光スポットの広がり幅（中心強度がｅ-2の
強度に低下する幅）が広いために、グルーブ部とランド
部の両方に記録を行うとクロストークが過大となって信
号品質を損ねるためである。
の 1つとして、ランド／グルーブ（Ｌ／Ｇ）記録が提案
されている。記録可能型光ディスクにおいては、ディス
ク基板に予め光ビームのトラッキングガイド用の溝、い
わゆるグルーブが射出成形法等によって設けられてい
る。従来の記録可能形光ディスクでは、このグルーブ上
またはグルーブ間、すなわちランド上にのみデータマー
クの記録を行っていた。これは、グルーブ幅もしくはラ
ンド幅よりも光スポットの広がり幅（中心強度がｅ-2の
強度に低下する幅）が広いために、グルーブ部とランド
部の両方に記録を行うとクロストークが過大となって信
号品質を損ねるためである。
【０００４】これに対して、記録層からの反射光の位相
も考慮して、グルーブの深さを調整すると光学干渉効果
によって、グルーブ部の再生時にはランド部からの信号
は無視し得る程度に小さくなり、またランド部の再生時
にはグルーブ部からの信号は無視し得る程度に小さくで
きることが明らかとなった。これにより、十分に小さい
クロストーク量でランド部およびグルーブ部の両方に記
録が可能になった。この記録方式をＬ／Ｇ記録と称す
る。
も考慮して、グルーブの深さを調整すると光学干渉効果
によって、グルーブ部の再生時にはランド部からの信号
は無視し得る程度に小さくなり、またランド部の再生時
にはグルーブ部からの信号は無視し得る程度に小さくで
きることが明らかとなった。これにより、十分に小さい
クロストーク量でランド部およびグルーブ部の両方に記
録が可能になった。この記録方式をＬ／Ｇ記録と称す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｌ／Ｇ記録においては、段差上への膜のステップカバレ
ージに対する配慮が不足していたため、記録層の位置に
おける実効的なランド幅とグルーブ幅とが一致せず、こ
れによりランド上の記録再生特性とグルーブ上の記録再
生特性とが不一致となって動作マージンを損ねるという
問題があった。
Ｌ／Ｇ記録においては、段差上への膜のステップカバレ
ージに対する配慮が不足していたため、記録層の位置に
おける実効的なランド幅とグルーブ幅とが一致せず、こ
れによりランド上の記録再生特性とグルーブ上の記録再
生特性とが不一致となって動作マージンを損ねるという
問題があった。
【０００６】このような問題は基板上に直接記録層が形
成されている光ディスク、例えばＷＯＲＭディスクの場
合には顕著ではないが、基板と記録層の間に光学干渉機
能や保護機能等を付与する透光性膜が設けられた書換え
可能形光ディスクでは極めて顕著であった。さらに、グ
ルーブ段差上へのステップカバレージの影響は、クロス
イレーズの抑制に効果的なディープグルーブにおいてよ
り顕著であり、クロストークおよびクロスイレーズが共
に少ないＬ／Ｇ記録を行い、かつランド特性とグルーブ
特性を一致させることは困難であった。
成されている光ディスク、例えばＷＯＲＭディスクの場
合には顕著ではないが、基板と記録層の間に光学干渉機
能や保護機能等を付与する透光性膜が設けられた書換え
可能形光ディスクでは極めて顕著であった。さらに、グ
ルーブ段差上へのステップカバレージの影響は、クロス
イレーズの抑制に効果的なディープグルーブにおいてよ
り顕著であり、クロストークおよびクロスイレーズが共
に少ないＬ／Ｇ記録を行い、かつランド特性とグルーブ
特性を一致させることは困難であった。
【０００７】一方、記録層の基板とは反対側の面の上部
に熱伝導率の高い金属反射膜を有する光ディスク、例え
ば光磁気ディスクや相変化光ディスクにおいては、ラン
ド部とグルーブ部の熱的非対称性に起因してランド部と
グルーブ部の熱応答特性が異なり、記録パワーマージン
を損ねるという問題がある。
に熱伝導率の高い金属反射膜を有する光ディスク、例え
ば光磁気ディスクや相変化光ディスクにおいては、ラン
ド部とグルーブ部の熱的非対称性に起因してランド部と
グルーブ部の熱応答特性が異なり、記録パワーマージン
を損ねるという問題がある。
【０００８】このランド部とグルーブ部の特性を合致さ
せる簡便な方法としては、光スポットがランド部を照射
しているのか、グルーブ部を照射しているのかを検出
し、予めリードインエリア等に記入済みのランド部およ
びグルーブ部への最適動作条件に従って記録再生を仕分
ける方法がある。しかしながら、この方式ではランド部
とグルーブ部の検知エラーがあると、ランド部とグルー
ブ部の非対称性がより顕著になってしまうために、検知
エラーを防止するための回路規模か過大になるという問
題があった。
せる簡便な方法としては、光スポットがランド部を照射
しているのか、グルーブ部を照射しているのかを検出
し、予めリードインエリア等に記入済みのランド部およ
びグルーブ部への最適動作条件に従って記録再生を仕分
ける方法がある。しかしながら、この方式ではランド部
とグルーブ部の検知エラーがあると、ランド部とグルー
ブ部の非対称性がより顕著になってしまうために、検知
エラーを防止するための回路規模か過大になるという問
題があった。
【０００９】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、特に光スポットがランド部を照射して
いるのか、グルーブ部を照射しているのかを検知するこ
となく、ランド上へのマーク列の記録条件および再生信
号品質とグルーブ上へのマーク列の記録条件および再生
信号品質を揃えることを可能にした光ディスクを提供す
ることを目的としている。
なされたもので、特に光スポットがランド部を照射して
いるのか、グルーブ部を照射しているのかを検知するこ
となく、ランド上へのマーク列の記録条件および再生信
号品質とグルーブ上へのマーク列の記録条件および再生
信号品質を揃えることを可能にした光ディスクを提供す
ることを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスクは、
請求項１に記載したように、主表面上に形成されたグル
ーブを有し、かつ前記グルーブ間にランドが設けられた
ディスク基板と、前記ディスク基板上に第１の透光性膜
を介して形成された記録層と、前記記録層上に第２の透
光性膜を介して形成され、かつ前記ディスク基板より熱
伝導率の高い反射層とを具備し、前記グルーブ上および
ランド上の前記記録層で記録再生を行う光ディスクにお
いて、前記ディスク基板の主表面上の前記ランドの幅を
ＷL、前記グルーブの幅をＷG、前記グルーブの側壁の平
均傾斜角をθ、前記ディスク基板の平坦面上における前
記第１の透光性膜の膜厚をＤuとしたとき、前記グルー
ブの側壁の平均傾斜角θが 50 °以上 90 °以下であると共
に、 Ｄu(1-cosθ)/2sinθ≦ＷG-ＷL≦3Ｄu(1-cosθ)/sinθ を満足することを特徴としている。
請求項１に記載したように、主表面上に形成されたグル
ーブを有し、かつ前記グルーブ間にランドが設けられた
ディスク基板と、前記ディスク基板上に第１の透光性膜
を介して形成された記録層と、前記記録層上に第２の透
光性膜を介して形成され、かつ前記ディスク基板より熱
伝導率の高い反射層とを具備し、前記グルーブ上および
ランド上の前記記録層で記録再生を行う光ディスクにお
いて、前記ディスク基板の主表面上の前記ランドの幅を
ＷL、前記グルーブの幅をＷG、前記グルーブの側壁の平
均傾斜角をθ、前記ディスク基板の平坦面上における前
記第１の透光性膜の膜厚をＤuとしたとき、前記グルー
ブの側壁の平均傾斜角θが 50 °以上 90 °以下であると共
に、 Ｄu(1-cosθ)/2sinθ≦ＷG-ＷL≦3Ｄu(1-cosθ)/sinθ を満足することを特徴としている。
【００１１】 本発明の光ディスクは、請求項２に記載
したように、前記グルーブの深さをＤg、前記ディスク
基板の屈折率をｎ、前記記録層に照射される光ビームの
波長をλとしたとき、Ｄg＞λ／4ｎを満足する場合に特
に効果的である。
したように、前記グルーブの深さをＤg、前記ディスク
基板の屈折率をｎ、前記記録層に照射される光ビームの
波長をλとしたとき、Ｄg＞λ／4ｎを満足する場合に特
に効果的である。
【００１２】光ディスクのグルーブとランドとの間の段
差部への透光性膜および記録層のステップカバレージを
考慮すると、ランドの幅ＷLとグルーブの幅ＷGをＤu(1-
cosθ)/2sinθ≦ＷG-ＷL≦4Ｄu(1-cosθ)/sinθの範囲
とすることで、ディスク基板の平坦面上ではなく、記録
層の位置におけるグルーブ部とランド部の対称性を高め
ることができる。従って、特に光スポットがランド部を
照射しているのか、グルーブ部を照射しているのかを検
知することなく、ランド部へのマーク列の記録条件およ
び再生信号品質とグルーブ部へのマーク列の記録条件お
よび再生信号品質を揃えることができ、良好な動作マー
ジンを得ることが可能となる。さらに、本発明の光ディ
スクは記録層上に第２の透光性膜を介して反射層（ディ
スク基板より熱伝導率の高い反射層）を設けており、ラ
ンド部とグルーブ部の横方向への熱流が非対称であるた
め、ランドの幅Ｗ L とグルーブの幅Ｗ G をＤ u (1-cosθ)/2
sinθ≦Ｗ G -Ｗ L ≦3Ｄ u (1-cosθ)/sinθの範囲としてい
る。これによって、ディスク基板より熱伝導率の高い反
射層を有する場合の記録消去パワーの対称性を高めるこ
とができる。
差部への透光性膜および記録層のステップカバレージを
考慮すると、ランドの幅ＷLとグルーブの幅ＷGをＤu(1-
cosθ)/2sinθ≦ＷG-ＷL≦4Ｄu(1-cosθ)/sinθの範囲
とすることで、ディスク基板の平坦面上ではなく、記録
層の位置におけるグルーブ部とランド部の対称性を高め
ることができる。従って、特に光スポットがランド部を
照射しているのか、グルーブ部を照射しているのかを検
知することなく、ランド部へのマーク列の記録条件およ
び再生信号品質とグルーブ部へのマーク列の記録条件お
よび再生信号品質を揃えることができ、良好な動作マー
ジンを得ることが可能となる。さらに、本発明の光ディ
スクは記録層上に第２の透光性膜を介して反射層（ディ
スク基板より熱伝導率の高い反射層）を設けており、ラ
ンド部とグルーブ部の横方向への熱流が非対称であるた
め、ランドの幅Ｗ L とグルーブの幅Ｗ G をＤ u (1-cosθ)/2
sinθ≦Ｗ G -Ｗ L ≦3Ｄ u (1-cosθ)/sinθの範囲としてい
る。これによって、ディスク基板より熱伝導率の高い反
射層を有する場合の記録消去パワーの対称性を高めるこ
とができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。
態について説明する。
【００１４】図１は本発明の光ディスクの一実施形態の
要部構造を概略的に示す断面図である。同図において、
１は樹脂基板等からなるディスク基板である。このディ
スク基板１の主表面１ａ側にはグルーブ２が形成されて
おり、これらグルーブ２間がランド３とされている。こ
れらグルーブ２およびランド３は、光ビームの入射方向
と垂直な平面内に少なくも平坦面を有しており、ランド
／グルーブの信号対称性からＶ字状断面を持たないこと
が好ましい。
要部構造を概略的に示す断面図である。同図において、
１は樹脂基板等からなるディスク基板である。このディ
スク基板１の主表面１ａ側にはグルーブ２が形成されて
おり、これらグルーブ２間がランド３とされている。こ
れらグルーブ２およびランド３は、光ビームの入射方向
と垂直な平面内に少なくも平坦面を有しており、ランド
／グルーブの信号対称性からＶ字状断面を持たないこと
が好ましい。
【００１５】グルーブ２およびランド３が設けられたデ
ィスク基板１の主表面１ａ上には、光学干渉機能や保護
機能等を付与する透光性膜４が設けられている。この透
光性膜４には、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、
Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ等が用いられる。
ィスク基板１の主表面１ａ上には、光学干渉機能や保護
機能等を付与する透光性膜４が設けられている。この透
光性膜４には、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、
Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ等が用いられる。
【００１６】上記したような透光性膜４上には記録層５
が設けられており、この記録層５はグルーブ２の平坦面
上およびランド３の平坦面上の両方で記録再生を行うこ
とが可能なように形成されている。ここで、本発明は光
ビームを照射して情報の記録再生を行う各種の光ディス
ク、例えば相変化光ディスクや光磁気ディスク、さらに
は透光性膜を有するＷＯＲＭディスク等に適用すること
ができるため、記録層５は光ディスクの種類に応じた材
料が使用される。例えば、相変化光ディスクでは記録層
５にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等が用
いられ、また光磁気ディスクでは種々の磁性材料が用い
られる。記録再生用の光ビームは、ディスク基板１側か
ら記録層５に照射される。
が設けられており、この記録層５はグルーブ２の平坦面
上およびランド３の平坦面上の両方で記録再生を行うこ
とが可能なように形成されている。ここで、本発明は光
ビームを照射して情報の記録再生を行う各種の光ディス
ク、例えば相変化光ディスクや光磁気ディスク、さらに
は透光性膜を有するＷＯＲＭディスク等に適用すること
ができるため、記録層５は光ディスクの種類に応じた材
料が使用される。例えば、相変化光ディスクでは記録層
５にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等が用
いられ、また光磁気ディスクでは種々の磁性材料が用い
られる。記録再生用の光ビームは、ディスク基板１側か
ら記録層５に照射される。
【００１７】なお、図１では図示を省略したが、記録層
５の上部には第２の透光性膜、さらには反射膜が設けら
れる。以下に詳述する参考例１、２では、記録層５上に
第２の透光性膜のみが設けられた構造を有する光ディス
クを作製した例について述べる。さらに、そのような光
ディスクの特性を評価した結果について述べる。
５の上部には第２の透光性膜、さらには反射膜が設けら
れる。以下に詳述する参考例１、２では、記録層５上に
第２の透光性膜のみが設けられた構造を有する光ディス
クを作製した例について述べる。さらに、そのような光
ディスクの特性を評価した結果について述べる。
【００１８】図１に示すこの実施形態の光ディスクにお
いて、ＷG はディスク基板１の主表面１ａ上におけるグ
ルーブ２の幅（平坦面の幅）、ＷL は同様にディスク基
板１の主表面１ａ上におけるランド３の幅（平坦面の
幅）、ＤG はグルーブ２の深さ、θはグルーブ２の側壁
の平均傾斜角、すなわちグルーブ２の平坦面とランド３
の平坦面との間の段差部の平均傾斜角、Ｄu はディスク
基板１と記録層５の間に設けられた第１の透光性膜４の
平坦面上における膜厚、Ｄs は第１の透光性膜４の段差
部上での膜厚である。
いて、ＷG はディスク基板１の主表面１ａ上におけるグ
ルーブ２の幅（平坦面の幅）、ＷL は同様にディスク基
板１の主表面１ａ上におけるランド３の幅（平坦面の
幅）、ＤG はグルーブ２の深さ、θはグルーブ２の側壁
の平均傾斜角、すなわちグルーブ２の平坦面とランド３
の平坦面との間の段差部の平均傾斜角、Ｄu はディスク
基板１と記録層５の間に設けられた第１の透光性膜４の
平坦面上における膜厚、Ｄs は第１の透光性膜４の段差
部上での膜厚である。
【００１９】そして、この実施形態の光ディスクは、記
録層５のグルーブ２上に相当する部分（グルーブ部）と
ランド３上に相当する部分（ランド部）の両方で記録再
生が行われる。このような光ディスクにおいて、まず以
下に示す(1)式および(2)式の条件を満足させた場合につ
いて検討する。
録層５のグルーブ２上に相当する部分（グルーブ部）と
ランド３上に相当する部分（ランド部）の両方で記録再
生が行われる。このような光ディスクにおいて、まず以
下に示す(1)式および(2)式の条件を満足させた場合につ
いて検討する。
【００２０】
θ＞50° …(1)
Ｄu (1-cosθ)/2sinθ≦ＷG - ＷL ≦ 4Ｄu (1-cosθ)/ sinθ …(2)
後述する評価結果で詳述するように、 (1)式の条件を満
足させることにより、基本的なノイズの増加を抑制する
ことができる。また、 (2)式の条件を満足させることに
よって、ディスク基板１の主表面１ａ上ではなく、記録
層５の位置におけるグルーブ部とランド部の対称性を高
めることができるため、ランド上の記録再生特性とグル
ーブ上の記録再生特性とが一致し、これにより良好な動
作マージンを得ることが可能となる。すなわち、特に光
スポットがランド部を照射しているのか、グルーブ部を
照射しているのかを検知することなく、ランド部へのマ
ーク列の記録条件および再生信号品質とグルーブ部への
マーク列の記録条件および再生信号品質を揃えることが
できる。
足させることにより、基本的なノイズの増加を抑制する
ことができる。また、 (2)式の条件を満足させることに
よって、ディスク基板１の主表面１ａ上ではなく、記録
層５の位置におけるグルーブ部とランド部の対称性を高
めることができるため、ランド上の記録再生特性とグル
ーブ上の記録再生特性とが一致し、これにより良好な動
作マージンを得ることが可能となる。すなわち、特に光
スポットがランド部を照射しているのか、グルーブ部を
照射しているのかを検知することなく、ランド部へのマ
ーク列の記録条件および再生信号品質とグルーブ部への
マーク列の記録条件および再生信号品質を揃えることが
できる。
【００２１】本発明の光ディスクは、必ずしもグルーブ
２の側壁が直線的でない場合にも適用することができ、
このような場合のθとしては平均的な角度を用いること
ができる。図１の断面形状において、グルーブ２の側壁
が曲面をなすときには、側壁の微小素片と平坦面のなす
角度を調べ、側壁全体にわたって角度の分布関数を調べ
てその平均値を求めてθとすればよい。
２の側壁が直線的でない場合にも適用することができ、
このような場合のθとしては平均的な角度を用いること
ができる。図１の断面形状において、グルーブ２の側壁
が曲面をなすときには、側壁の微小素片と平坦面のなす
角度を調べ、側壁全体にわたって角度の分布関数を調べ
てその平均値を求めてθとすればよい。
【００２２】上記構成の光ディスクは、例えば以下の手
順で作製することができる。ディスク基板１の作製は、
まずガラス原盤上にレジストをＤG に相当する厚さ分塗
布し、原盤露光機により所定のグルーブ幅およびランド
幅となるように露光した後、現像処理してレジスト上に
グルーブパターンを形成する。必要に応じてグルーブ以
外にアドレスピット等のパターンを露光現像しても構わ
ない。実施例１では後述の評価に用いる目的で、グルー
ブ２とランド３の識別が可能なようなピット列を配置し
た。
順で作製することができる。ディスク基板１の作製は、
まずガラス原盤上にレジストをＤG に相当する厚さ分塗
布し、原盤露光機により所定のグルーブ幅およびランド
幅となるように露光した後、現像処理してレジスト上に
グルーブパターンを形成する。必要に応じてグルーブ以
外にアドレスピット等のパターンを露光現像しても構わ
ない。実施例１では後述の評価に用いる目的で、グルー
ブ２とランド３の識別が可能なようなピット列を配置し
た。
【００２３】パターンが形成されたレジスト上に電極膜
をスパッタもしくは蒸着した後、電解メッキによりＮｉ
を電鋳してスタンパを作製する。スタンパを原盤から剥
離して射出成形機に装着し、ポリカーボネイト樹脂等の
透光性樹脂の射出を行うことにより、図１に示したディ
スク基板１が得られる。参考例１では、(1)式および(2)
式の効果を実証する目的で、上記した露光プロセスの条
件を変えることによって、ＷG、ＷL、ＤGおよびθを様
々に変えた光ディスクを作製した。ただし、同一のトラ
ック密度での評価を行う目的で、ＷG＋ＷL＋2ＤGcotθ
は1.2μmで一定とした。それぞれの数値は評価結果と共
に後述する。
をスパッタもしくは蒸着した後、電解メッキによりＮｉ
を電鋳してスタンパを作製する。スタンパを原盤から剥
離して射出成形機に装着し、ポリカーボネイト樹脂等の
透光性樹脂の射出を行うことにより、図１に示したディ
スク基板１が得られる。参考例１では、(1)式および(2)
式の効果を実証する目的で、上記した露光プロセスの条
件を変えることによって、ＷG、ＷL、ＤGおよびθを様
々に変えた光ディスクを作製した。ただし、同一のトラ
ック密度での評価を行う目的で、ＷG＋ＷL＋2ＤGcotθ
は1.2μmで一定とした。それぞれの数値は評価結果と共
に後述する。
【００２４】参考例１では、このようにして得たディス
ク基板をスパッタリング装置の基板ホルダに装着して相
変化媒体膜を形成した。具体的には、ディスク基板１上
に第１の透光性膜４として膜厚Ｄu(nm)のＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2膜を形成した後、記録層５として膜厚50nmのＧｅＳ
ｂＴｂ膜を積層し、さらにその上に第２の透光性膜とし
て膜厚100nmのＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を積層した。なお、第
１の透光性膜４の膜厚Ｄuは後述の評価データ中に明示
する。
ク基板をスパッタリング装置の基板ホルダに装着して相
変化媒体膜を形成した。具体的には、ディスク基板１上
に第１の透光性膜４として膜厚Ｄu(nm)のＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2膜を形成した後、記録層５として膜厚50nmのＧｅＳ
ｂＴｂ膜を積層し、さらにその上に第２の透光性膜とし
て膜厚100nmのＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を積層した。なお、第
１の透光性膜４の膜厚Ｄuは後述の評価データ中に明示
する。
【００２５】ここで、本発明はグルーブ段差上への膜の
ステップカバレージに着目したものであり、ステップカ
バレージはスパッタリング方法によっても影響を受け
る。そこで、この実施形態におけるスパッタリング方法
としては、ステップカバレージへの影響が大きいと見ら
れるスパッタリングターゲットと基板との位置関係が異
なるいくつかの方法を採用した。採用したスパッタリン
グ方法は、偏心自公転スパッタリング方法、静止対向ス
パッタリング方法、偏心自転スパッタリング方法であ
り、いずれも光ディスク媒体膜の製造に採用されている
方法である。
ステップカバレージに着目したものであり、ステップカ
バレージはスパッタリング方法によっても影響を受け
る。そこで、この実施形態におけるスパッタリング方法
としては、ステップカバレージへの影響が大きいと見ら
れるスパッタリングターゲットと基板との位置関係が異
なるいくつかの方法を採用した。採用したスパッタリン
グ方法は、偏心自公転スパッタリング方法、静止対向ス
パッタリング方法、偏心自転スパッタリング方法であ
り、いずれも光ディスク媒体膜の製造に採用されている
方法である。
【００２６】上記したスパッタリング方法のうち、偏心
自公転法とはターゲットの中心軸と基板の中心軸とがず
れており、基板がターゲットに対向する平面上で自公転
する方法を意味する。静止対向法は両軸が一致し、基板
を回転させることなく成膜する方法を意味する。偏心自
転法は両軸がずれており、基板がターゲットに対向する
平面内の斜めの位置で自転する方法を意味する。
自公転法とはターゲットの中心軸と基板の中心軸とがず
れており、基板がターゲットに対向する平面上で自公転
する方法を意味する。静止対向法は両軸が一致し、基板
を回転させることなく成膜する方法を意味する。偏心自
転法は両軸がずれており、基板がターゲットに対向する
平面内の斜めの位置で自転する方法を意味する。
【００２７】段差部へのステップカバレージは偏心自公
転法が最もよく、続いて偏心自転法、静止対向法と続
く。光ディスクの作製に先立って、各スパッタリング方
法でのカバレージを把握する目的で、傾斜角がほぼ90°
の段差を有する試験片上にＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を 150nm
形成し（図１のＤu に相当) 、断面ＴＥＭで付きまわり
を調べた。その結果、段差部の側壁上の膜厚（図１のＤ
s に相当）は、偏心自公転法ではほぼＤu に等しく、偏
心自転法では偏心量とターゲット−基板間隔にも依存す
るが、Ｄs はＤu の 80%から 25%程度で、静止対向法で
はＤs はＤu のほぼ 12.5%程度であった。静止対向スパ
ッタリング方法においては、コリメータを配置する等す
ればＤs をさらに薄くすることができるが、コリメータ
の設置は著しく生産能力を損なう。
転法が最もよく、続いて偏心自転法、静止対向法と続
く。光ディスクの作製に先立って、各スパッタリング方
法でのカバレージを把握する目的で、傾斜角がほぼ90°
の段差を有する試験片上にＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を 150nm
形成し（図１のＤu に相当) 、断面ＴＥＭで付きまわり
を調べた。その結果、段差部の側壁上の膜厚（図１のＤ
s に相当）は、偏心自公転法ではほぼＤu に等しく、偏
心自転法では偏心量とターゲット−基板間隔にも依存す
るが、Ｄs はＤu の 80%から 25%程度で、静止対向法で
はＤs はＤu のほぼ 12.5%程度であった。静止対向スパ
ッタリング方法においては、コリメータを配置する等す
ればＤs をさらに薄くすることができるが、コリメータ
の設置は著しく生産能力を損なう。
【００２８】上述した各スパッタリング方法を適用し、
ＷL、ＷG、ＤG、θ、Ｄuをパラメータに作製した各光デ
ィスクを以下の手順で評価した。この参考例１ではＤG
は70nmとクロストークキャンセルする最も浅い深さを選
択した。ディープグルーブについては後述する。Ｄuは5
0nm、100nm、150nmの3種類とし、ＷLとＷGはθの選び方
に応じてその範囲を変えた。ただし、前述したようにＷ
G＋ＷL＋2ＤGcotθは1.2μmで一定とし、また本発明の
基本的な考えに従ってＷG＞ＷLの範囲を選択した。θは
45°〜90°の範囲で変えた。表１に本発明に用いた各グ
ルーブパラメータの数値を記載する。
ＷL、ＷG、ＤG、θ、Ｄuをパラメータに作製した各光デ
ィスクを以下の手順で評価した。この参考例１ではＤG
は70nmとクロストークキャンセルする最も浅い深さを選
択した。ディープグルーブについては後述する。Ｄuは5
0nm、100nm、150nmの3種類とし、ＷLとＷGはθの選び方
に応じてその範囲を変えた。ただし、前述したようにＷ
G＋ＷL＋2ＤGcotθは1.2μmで一定とし、また本発明の
基本的な考えに従ってＷG＞ＷLの範囲を選択した。θは
45°〜90°の範囲で変えた。表１に本発明に用いた各グ
ルーブパラメータの数値を記載する。
【００２９】
【表１】
この参考例１においては、表１の範囲内でＷGおよびＷL
は100nm程度のインターバルで変化させた。これら各光
ディスクについて、ランド部とグルーブ部の信号対称性
を調べた。まず、最適記録パワーと消去パワーを、それ
ぞれの光ディスクのランド部とグルーブ部でＣＮＲ（信
号／ノイズ比）とオーバライト消去率がそれぞれ最大に
なるパワーを指標に調べた。この時点ではＣＮＲと消去
率の絶対値の比較は行っていない。参考例１は、図１に
おいて記録層５上に第１の透光性膜４と同一の熱定数の
第２の透光性膜のみを形成した形態であるため、記録・
消去パワーの最適値はθ、ＷL、ＷG、Ｄuにほとんどよ
らず、またランド部とグルーブ部間の差も少なかった。
は100nm程度のインターバルで変化させた。これら各光
ディスクについて、ランド部とグルーブ部の信号対称性
を調べた。まず、最適記録パワーと消去パワーを、それ
ぞれの光ディスクのランド部とグルーブ部でＣＮＲ（信
号／ノイズ比）とオーバライト消去率がそれぞれ最大に
なるパワーを指標に調べた。この時点ではＣＮＲと消去
率の絶対値の比較は行っていない。参考例１は、図１に
おいて記録層５上に第１の透光性膜４と同一の熱定数の
第２の透光性膜のみを形成した形態であるため、記録・
消去パワーの最適値はθ、ＷL、ＷG、Ｄuにほとんどよ
らず、またランド部とグルーブ部間の差も少なかった。
【００３０】次に、再生ＣＮＲとオーバライト消去率の
絶対値について、主にＣＮＲに着目してグルーブパラメ
ータ依存性とランド／グルーブ対称性を評価した。表１
に示した条件のうち、θが45°の光ディスクはＷL、
ＷG、Ｄuのいかんにかかわらずノイズレベルが非常に高
かった。これは、グルーブ２の側壁は光散乱要因である
ため、あまりにもθが小さい場合には散乱の影響が大き
くでてしまい、ノイズが増加するためと考えることがで
きる。θが55°の光ディスクでは、ノイズの異常な上昇
は見られなかった。従って、基本的なノイズを抑制する
上で、グルーブ２の側壁の傾斜角は50°以上とすること
が好ましい。θの上限は特に規定されるものではなく、
逆テーパ（θ＞90°）でもよいが、作製上の観点からθ
は90°以下とすることが好ましい。
絶対値について、主にＣＮＲに着目してグルーブパラメ
ータ依存性とランド／グルーブ対称性を評価した。表１
に示した条件のうち、θが45°の光ディスクはＷL、
ＷG、Ｄuのいかんにかかわらずノイズレベルが非常に高
かった。これは、グルーブ２の側壁は光散乱要因である
ため、あまりにもθが小さい場合には散乱の影響が大き
くでてしまい、ノイズが増加するためと考えることがで
きる。θが55°の光ディスクでは、ノイズの異常な上昇
は見られなかった。従って、基本的なノイズを抑制する
上で、グルーブ２の側壁の傾斜角は50°以上とすること
が好ましい。θの上限は特に規定されるものではなく、
逆テーパ（θ＞90°）でもよいが、作製上の観点からθ
は90°以下とすることが好ましい。
【００３１】さらに、θが50°以上の光ディスクを対象
として、ランド部とグルーブ部の信号対称性を評価し
た。具体的には、ランド部でのＣＮＲとグルーブ部での
ＣＮＲの差に着目して調べた。図２に各条件で作製した
光ディスクのランド部とグルーブ部のＣＮＲの差をプロ
ットした結果を示す。各プロット内部の数字は、グルー
ブ部のＣＮＲからランド部のＣＮＲを差し引いた値であ
る。図２のプロットにおいて、四角いマークは偏心自公
転法で成膜した光ディスクの結果であり、丸いマークは
偏心量とターゲット−基板間距離をいくつか変えて偏心
自転法で成膜した光ディスク、三角マークは静止対向法
で成膜した光ディスクの結果である。
として、ランド部とグルーブ部の信号対称性を評価し
た。具体的には、ランド部でのＣＮＲとグルーブ部での
ＣＮＲの差に着目して調べた。図２に各条件で作製した
光ディスクのランド部とグルーブ部のＣＮＲの差をプロ
ットした結果を示す。各プロット内部の数字は、グルー
ブ部のＣＮＲからランド部のＣＮＲを差し引いた値であ
る。図２のプロットにおいて、四角いマークは偏心自公
転法で成膜した光ディスクの結果であり、丸いマークは
偏心量とターゲット−基板間距離をいくつか変えて偏心
自転法で成膜した光ディスク、三角マークは静止対向法
で成膜した光ディスクの結果である。
【００３２】ＣＮＲ差の許容値は設計により異なるが、
± 1dBを判断基準にすると、本発明に基いて（ＷG - Ｗ
L ）の値をＤu (1-cosθ)/2sinθ≦ＷG - ＷL ≦ 4Ｄu
(1-cosθ)/ sinθの範囲（図２に斜線で示す）とした光
ディスクは、いずれもランド部とグルーブ部のＣＮＲの
差が± 1dB程度の差に保たれていることが分かる。これ
に対して、本発明の範囲を外れると急激に差が増大する
ことが明確になった。これは、本発明に従えば基板の位
置ではなく、記録層の位置におけるランド部とグルーブ
部の対称性を実現できるためである。
± 1dBを判断基準にすると、本発明に基いて（ＷG - Ｗ
L ）の値をＤu (1-cosθ)/2sinθ≦ＷG - ＷL ≦ 4Ｄu
(1-cosθ)/ sinθの範囲（図２に斜線で示す）とした光
ディスクは、いずれもランド部とグルーブ部のＣＮＲの
差が± 1dB程度の差に保たれていることが分かる。これ
に対して、本発明の範囲を外れると急激に差が増大する
ことが明確になった。これは、本発明に従えば基板の位
置ではなく、記録層の位置におけるランド部とグルーブ
部の対称性を実現できるためである。
【００３３】また、図２から明らかなように、本発明は
スパッタリング方法による段差への付きまわりの違いに
はほとんど依存せず、どのようなスパッタリング方法で
媒体膜を作製した場合でも普遍的に適用することができ
る。
スパッタリング方法による段差への付きまわりの違いに
はほとんど依存せず、どのようなスパッタリング方法で
媒体膜を作製した場合でも普遍的に適用することができ
る。
【００３４】上述した参考例１は、グルーブ２の深さＤ
Gをλ／6ｎ（ｎ：ディスク基板１の屈折率、λ：記録層
５に照射される光ビームの波長）程度の深さのクロスト
ークキャンセル条件では最も浅いグルーブ２を用いた例
である。これに対して、クロスイレーズを抑制するとい
う観点からは、グルーブ２の深さＤGはＤG＞λ／4ｎを
満足させることが好ましい。そこで、参考例２において
は、ＤGを140nmとしたグルーブ２、すなわちＤG＝λ／3
ｎのディープグルーブを用いて、前述した参考例１と同
様にＷL、ＷG、Ｄu、θを変化させて光ディスクを作製
すると共に、参考例１と同様にして評価した。なお、膜
の構成は参考例１と同様とし、反射膜のない構成とし
た。
Gをλ／6ｎ（ｎ：ディスク基板１の屈折率、λ：記録層
５に照射される光ビームの波長）程度の深さのクロスト
ークキャンセル条件では最も浅いグルーブ２を用いた例
である。これに対して、クロスイレーズを抑制するとい
う観点からは、グルーブ２の深さＤGはＤG＞λ／4ｎを
満足させることが好ましい。そこで、参考例２において
は、ＤGを140nmとしたグルーブ２、すなわちＤG＝λ／3
ｎのディープグルーブを用いて、前述した参考例１と同
様にＷL、ＷG、Ｄu、θを変化させて光ディスクを作製
すると共に、参考例１と同様にして評価した。なお、膜
の構成は参考例１と同様とし、反射膜のない構成とし
た。
【００３５】その結果、グルーブ段差ノイズの影響は浅
いグルーブの場合よりも顕著であり、θが55°程度でも
使用できないことはないものの、ＤG がλ/4ｎ以上のデ
ィープグルーブの場合には、θは60°以上とすることが
望ましいことが分かった。これは単純にグルーブを深く
すると、同じθに対して図１の断面図における段差部の
長さが長くなるためである。
いグルーブの場合よりも顕著であり、θが55°程度でも
使用できないことはないものの、ＤG がλ/4ｎ以上のデ
ィープグルーブの場合には、θは60°以上とすることが
望ましいことが分かった。これは単純にグルーブを深く
すると、同じθに対して図１の断面図における段差部の
長さが長くなるためである。
【００３６】次に、θが60°以上の範囲でランド部とグ
ルーブ部の信号対称性を評価した。その結果、本発明の
効果はディープグルーブにおいてさらに顕著であること
が判明した。図３にその結果を示す。なお、前述した参
考例１において、本発明は特にスパッタリング方法には
よらないことが判明したため、この参考例２では偏心自
公転スパッタリング方法を適用し、グルーブパラメータ
を変えて成膜評価した。図３と図２の比較から明らかな
ように、ディープグルーブでは浅いグルーブの場合より
も段差部に膜が多く形成されるため、記録層の位置での
実効トラック幅が非対称になり易いことに起因して、本
発明の条件範囲では浅いグルーブの場合以上にランド／
グルーブの対称性は良好であるが、本発明の条件範囲を
逸脱すると浅いグループの場合以上に急激に非対称性が
顕著になることが分かる。
ルーブ部の信号対称性を評価した。その結果、本発明の
効果はディープグルーブにおいてさらに顕著であること
が判明した。図３にその結果を示す。なお、前述した参
考例１において、本発明は特にスパッタリング方法には
よらないことが判明したため、この参考例２では偏心自
公転スパッタリング方法を適用し、グルーブパラメータ
を変えて成膜評価した。図３と図２の比較から明らかな
ように、ディープグルーブでは浅いグルーブの場合より
も段差部に膜が多く形成されるため、記録層の位置での
実効トラック幅が非対称になり易いことに起因して、本
発明の条件範囲では浅いグルーブの場合以上にランド／
グルーブの対称性は良好であるが、本発明の条件範囲を
逸脱すると浅いグループの場合以上に急激に非対称性が
顕著になることが分かる。
【００３７】このように、本発明の光ディスクによる効
果は、クロスイレーズの抑制に効果的なディープグルー
ブでより顕著に得られる。すなわち、本発明の光ディス
クによれば、クロストークおよびクロスイレーズが共に
少ないランド／グルーブ記録再生を実現した上で、ラン
ド特性とグルーブ特性とを一致させることができる。上
述した例は反射膜のない光ディスク、すなわち比較的ラ
ンド部とグルーブ部の熱応答特性が等しく、記録パワー
等はほぼ同一で動作可能な光ディスクの例である。現実
には、前述の第２の透光性膜上に反射膜を設ける形態が
多い。本発明の光ディスクはそのような反射膜を有する
ものであり、以下にその実施形態について述べる。
果は、クロスイレーズの抑制に効果的なディープグルー
ブでより顕著に得られる。すなわち、本発明の光ディス
クによれば、クロストークおよびクロスイレーズが共に
少ないランド／グルーブ記録再生を実現した上で、ラン
ド特性とグルーブ特性とを一致させることができる。上
述した例は反射膜のない光ディスク、すなわち比較的ラ
ンド部とグルーブ部の熱応答特性が等しく、記録パワー
等はほぼ同一で動作可能な光ディスクの例である。現実
には、前述の第２の透光性膜上に反射膜を設ける形態が
多い。本発明の光ディスクはそのような反射膜を有する
ものであり、以下にその実施形態について述べる。
【００３８】反射膜を有する光ディスクの具体的な構造
としては、図１に示した記録層５上に第２の透光性膜を
形成し、さらにその上に熱伝導率の高い反射膜、例えば
Ａｌ、Ａｌ−Ｍｏ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔｉ等のＡｌ基
合金、Ａｕ、Ｃｕ等からなる反射膜を形成した構造が挙
げられる。
としては、図１に示した記録層５上に第２の透光性膜を
形成し、さらにその上に熱伝導率の高い反射膜、例えば
Ａｌ、Ａｌ−Ｍｏ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔｉ等のＡｌ基
合金、Ａｕ、Ｃｕ等からなる反射膜を形成した構造が挙
げられる。
【００３９】この実施形態の具体例である実施例１で
は、反射膜を形成した光ディスクで本発明の効果を確認
した。形成した媒体膜の構成は以下の通りである。すな
わち、第１の透光性膜としてのＺｎＳ−ＳｉＯ2膜の膜
厚Ｄuは、前述した参考例１、２と同様に50nm、100nm、
150nmの3種類とし、それらの上に記録層として半透過性
の膜厚15nmのＧｅＳｂＴｅ膜を形成した後、第２の透光
性膜として膜厚20nmのＺｎＳ−ＳｉＯ2膜と反射膜とし
て膜厚100nmのＡｌＭｏ膜を順に形成した。ＷL、ＷGお
よびθは前述した参考例１、２と同様に変化させた。
は、反射膜を形成した光ディスクで本発明の効果を確認
した。形成した媒体膜の構成は以下の通りである。すな
わち、第１の透光性膜としてのＺｎＳ−ＳｉＯ2膜の膜
厚Ｄuは、前述した参考例１、２と同様に50nm、100nm、
150nmの3種類とし、それらの上に記録層として半透過性
の膜厚15nmのＧｅＳｂＴｅ膜を形成した後、第２の透光
性膜として膜厚20nmのＺｎＳ−ＳｉＯ2膜と反射膜とし
て膜厚100nmのＡｌＭｏ膜を順に形成した。ＷL、ＷGお
よびθは前述した参考例１、２と同様に変化させた。
【００４０】ここで、ランド部とグルーブ部の最適記録
パワーと最適消去パワーは、この実施例１のように、ラ
ンド部とグルーブ部とで横方向の熱流が非対称な場合に
は異なる。これはランド部の端部は熱伝導率の高い反射
膜に隣接しているのに対し、グルーブ部の端部は熱伝導
率の低い第１の透光性膜（例えば干渉膜）もしくはディ
スク基板に隣接しているためである。この記録パワーと
消去パワーの非対称性は、実効ランド幅が実効グルーブ
幅に対して狭い場合程顕著であり、さらにランド幅が狭
い程ランド部の記録消去最適パワーはグルーブ部の記録
消去パワーよりも大きくなる。
パワーと最適消去パワーは、この実施例１のように、ラ
ンド部とグルーブ部とで横方向の熱流が非対称な場合に
は異なる。これはランド部の端部は熱伝導率の高い反射
膜に隣接しているのに対し、グルーブ部の端部は熱伝導
率の低い第１の透光性膜（例えば干渉膜）もしくはディ
スク基板に隣接しているためである。この記録パワーと
消去パワーの非対称性は、実効ランド幅が実効グルーブ
幅に対して狭い場合程顕著であり、さらにランド幅が狭
い程ランド部の記録消去最適パワーはグルーブ部の記録
消去パワーよりも大きくなる。
【００４１】反射膜を形成した実施例３の光ディスクに
おいても、ランド部とグルーブ部で記録消去パワーを変
えることで図２や図３と同様の効果が得られたが、同一
の記録消去パワーで動作させる場合、（ＷG - ＷL ）／
Ｄu の値が大きな範囲では記録パワーのミスマッチに起
因する信号の非対称性が表れ、（ＷG - ＷL ）／Ｄuの
値の上限をより小さくすることが好ましいことが判明し
た。具体的な数値としては、（ＷG - ＷL ）の値が 3Ｄ
u (1-cosθ)/ sinθ以下である場合に、ランド部とグル
ーブ部のＣＮＲ差を再現性よく± 1dBの範囲とすること
ができた。
おいても、ランド部とグルーブ部で記録消去パワーを変
えることで図２や図３と同様の効果が得られたが、同一
の記録消去パワーで動作させる場合、（ＷG - ＷL ）／
Ｄu の値が大きな範囲では記録パワーのミスマッチに起
因する信号の非対称性が表れ、（ＷG - ＷL ）／Ｄuの
値の上限をより小さくすることが好ましいことが判明し
た。具体的な数値としては、（ＷG - ＷL ）の値が 3Ｄ
u (1-cosθ)/ sinθ以下である場合に、ランド部とグル
ーブ部のＣＮＲ差を再現性よく± 1dBの範囲とすること
ができた。
【００４２】すなわち、反射膜を有する光ディスクで
は、ランド部とグルーブ部を同一のパワーで動作しよう
とした場合、Ｄu(1-cosθ)/2sinθ≦ＷG-ＷL≦3Ｄu(1-c
osθ)/sinθの条件を満足させるものとする。
は、ランド部とグルーブ部を同一のパワーで動作しよう
とした場合、Ｄu(1-cosθ)/2sinθ≦ＷG-ＷL≦3Ｄu(1-c
osθ)/sinθの条件を満足させるものとする。
【００４３】なお、前述した実施形態およびその具体例
では、いずれも主として相変化光ディスクについて説明
したが、本発明は基本的にはグルーブを有するディスク
基板とその上部に有限の厚さの第１の透光性膜を介して
形成された記録層とその上部に第２の透光性膜を介して
形成された反射層とを有する光ディスク全般に適用する
ことができる。すなわち、本発明は相変化光ディスクの
ほかに、光磁気ディスクや透光性膜を有するＷＯＲＭデ
ィスク等に幅広く適用することができ、いずれにおいて
もランド／グルーブの信号対称性の改善に効果を示すも
のである。
では、いずれも主として相変化光ディスクについて説明
したが、本発明は基本的にはグルーブを有するディスク
基板とその上部に有限の厚さの第１の透光性膜を介して
形成された記録層とその上部に第２の透光性膜を介して
形成された反射層とを有する光ディスク全般に適用する
ことができる。すなわち、本発明は相変化光ディスクの
ほかに、光磁気ディスクや透光性膜を有するＷＯＲＭデ
ィスク等に幅広く適用することができ、いずれにおいて
もランド／グルーブの信号対称性の改善に効果を示すも
のである。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ディス
クによれば、ランド／グルーブ記録再生を実施する場合
に、ランド部とグルーブ部の信号対称性を向上させるこ
とができるため、動作マージンに優れたランド／グルー
ブ記録再生型光ディスクシステムを構築することが可能
となる。
クによれば、ランド／グルーブ記録再生を実施する場合
に、ランド部とグルーブ部の信号対称性を向上させるこ
とができるため、動作マージンに優れたランド／グルー
ブ記録再生型光ディスクシステムを構築することが可能
となる。
【図１】 本発明の光ディスクの一実施形態の要部構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】 参考例１による光ディスクのランド部とグル
ーブ部の信号対称性を評価した結果を示す図である。
ーブ部の信号対称性を評価した結果を示す図である。
【図３】 参考例２による光ディスクのランド部とグル
ーブ部の信号対称性を評価した結果を示す図である。
ーブ部の信号対称性を評価した結果を示す図である。
１……ディスク基板
２……グルーブ
３……ランド
４……透光性膜
５……記録層
Claims (3)
- 【請求項１】 主表面上に形成されたグルーブを有し、
かつ前記グルーブ間にランドが設けられたディスク基板
と、前記ディスク基板上に第１の透光性膜を介して形成
された記録層と、前記記録層上に第２の透光性膜を介し
て形成され、かつ前記ディスク基板より熱伝導率の高い
反射層とを具備し、前記グルーブ上およびランド上の前
記記録層で記録再生を行う光ディスクにおいて、 前記ディスク基板の主表面上の前記ランドの幅をＷL、
前記グルーブの幅をＷG、前記グルーブの側壁の平均傾
斜角をθ、前記ディスク基板の平坦面上における前記第
１の透光性膜の膜厚をＤuとしたとき、前記グルーブの
側壁の平均傾斜角θが 50 °以上 90 °以下であると共に、 Ｄu(1-cosθ)/2sinθ≦ＷG-ＷL≦3Ｄu(1-cosθ)/sinθ を満足することを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の光ディスクにおいて、 前記グルーブの深さをＤG、前記ディスク基板の屈折率
をｎ、前記記録層に照射される光ビームの波長をλとし
たとき、 ＤG＞λ／4ｎ を満足することを特徴とする光ディスク。 - 【請求項３】 請求項２記載の光ディスクにおいて、 前記グルーブの側壁の平均傾斜角θは60°以上であるこ
とを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22672197A JP3499406B2 (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 光ディスク |
| US09/138,341 US6154440A (en) | 1997-08-22 | 1998-08-21 | Optical disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22672197A JP3499406B2 (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1166627A JPH1166627A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3499406B2 true JP3499406B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=16849594
Family Applications (1)
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