JP3643225B2

JP3643225B2 - 光半導体チップ

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Publication number: JP3643225B2
Application number: JP33272797A
Authority: JP
Inventors: 幸男尺田; 幸生松本; 俊次中田; 弘光阿部
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 1997-12-03
Filing date: 1997-12-03
Publication date: 2005-04-27
Anticipated expiration: 2017-12-03
Also published as: JPH11168236A

Description

【０００１】
【技術分野】
本願発明は、ＬＥＤ（発光ダイオード）チップやＬＤ（レーザダイオード）チップなどの光半導体チップに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＬＥＤチップの一般的な構造を、図１４に示す。この従来のＬＥＤチップは、基板９の片面に半導体積層部９０を形成したものであり、この半導体積層部９０は、ｎ型半導体層９０ａ、発光層９０ｂ、およびｐ型半導体層９０ｃから構成されている。これらの層はガリウムを含むIIIb−Ｖｂ属化合物半導体を結晶成長させたものであり、この結晶成長を効率良くかつ適切に行わせる必要から、上記基板９としては、たとえばガリウム砒素などの半導体基板が用いられている。また、上記ＬＥＤチップを製造するには、上記半導体基板となるウェハの表面の広い範囲に化合物半導体を結晶成長させてから、その後上記ウェハを切断し、複数のチップ片に分割していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のＬＥＤチップでは、次のような不具合があった。
【０００４】
すなわち、近年において、ＬＥＤチップの使用用途は未だ拡大の一途を辿っているのが実情であり、その使用用途如何では、ＬＥＤチップの薄型化が強く要請される場合がある。たとえば、全体が薄手のカード状に形成されるＩＣカードの内部にＬＥＤチップを組み込むような場合には、ＬＥＤチップ全体の厚みをできる限り小さくすることが望まれる。このような場合、ＬＥＤチップ全体の厚みをたとえば２００μｍ以下にすることが強く要請される場合がある。
【０００５】
ところが、従来のＬＥＤチップは、その半導体積層部９０の厚みｔ１はたとえば１０μｍ程度の極薄寸法であるのに対し、上記基板９の厚みｔ２は上記半導体積層部９０と比較すると桁はずれに大きな寸法となっていた。すなわち、上記基板９は、元々はウェハとして形成されていたものであるために、そのウェハとしてかなり薄めのウェハを用いた場合であっても、その厚みｔ２は２００μｍ〜３００μｍ以上の厚みとなっていた。このため、従来では、ＬＥＤチップの全体の厚みｔ３をたとえば２００μｍ程度以下にすることは事実上困難となっており、その薄型化を充分に図ることができなかった。その結果、従来では、たとえば薄手のＩＣカードの内部にＬＥＤチップを要領良く適切に組み込むことが難しくなるといった不具合を生じる場合があった。
【０００６】
また、このような不具合は、ＬＥＤチップに限らず、ＬＤチップなどの他の光半導体チップにおいても、同様に生じていた。
【０００７】
本願発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、光半導体チップ本来の機能を悪化させるようなことなく、光半導体チップの薄型化が図れるようにすることをその課題としている。
【０００８】
【発明の開示】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００９】
本願発明によれば、光半導体チップが提供される。この光半導体チップは、化合物半導体の結晶からなる半導体積層部を備えた光半導体チップであって、上記半導体積層部は、その結晶成長に用いられた基板とは異なる代替支持材に接着されており、かつ上記半導体積層部から上記基板が除去され、上記半導体積層部は発光ダイオードとして構成され、全体がＬＥＤチップとして形成されているとともに、上記代替支持材は、透光性を有するフィルムであることに特徴づけられる。
【００１２】
本願発明によって提供される光半導体チップは、化合物半導体の結晶成長に用いられた基板が半導体積層部から除去された構造であるために、結晶成長用の基板を備えていた従来の光半導体チップとは異なり、ウェハから形成される結晶成長用の基板の厚みに原因して、光半導体チップ全体の厚みが大きくなることは無い。一方、上記半導体積層部には、上記基板に代えて代替支持材が接着されているが、この代替支持材は、結晶成長用の基板とは異なり、ウェハなどから形成する必要はなく、たとえば薄手のフィルムを用いるなどして、上記基板よりもかなり薄い寸法にすることができる。したがって、本願発明では、光半導体チップ全体の厚みを、従来のものよりもかなり小さくすることができるという効果が得られる。本願発明によれば、光半導体チップの全体の厚みを、たとえば２００μｍ以下にすることが簡単に行えることとなり、薄手のＩＣカードの内部への組み込み使用など、全体の薄型化が強く要請される用途に最適なものとすることができる。
【００１３】
なお、本願発明では、半導体積層部に代替支持材を接着させているために、この代替支持材の存在によって半導体積層部を補強し、さらにはチップ全体の強度を高めることが可能となる。したがって、本願発明に係る光半導体チップを取り扱うときには、従来の光半導体チップと同様なかたちで取り扱うことができ、便利である。また、半導体積層部については、従来の光半導体チップの半導体積層部と同様な構造にすればよいから、光半導体チップとしての光学的な特性が損なわれるといった不具合もない。さらに、本願発明では、半導体積層部から発せられた光が代替支持材を透過して外部に放出することが可能となり、光半導体チップの両面から光を放出させることができる。すなわち、１つの光半導体チップで、２方向に光を放出させることができることとなる。したがって、光半導体チップの使用用途の一層の拡大が図れることとなる。
【００１４】
本願発明の好ましい実施の形態では、上記代替支持材は、可撓性を有している構成とすることができる。
【００１５】
このような構成によれば、光半導体チップの実装対象面がたとえば曲面状である場合に、代替支持材をその実装対象面に沿うように撓ませてから、光半導体チップの全体をその実装対象面に適切に面実装するといったことが可能となる。したがって、光半導体チップの実用範囲を拡大する上で有利となる。
【００１６】
本願発明の他の好ましい実施の形態では、上記代替支持材は、導電性を有している構成とすることができる。
【００１７】
このような構成によれば、上記代替支持材を光半導体チップの電極として役立たせることが可能となり、光半導体チップに電気接続を行う際に便宜が図れる。また、光半導体チップには通常２つの電極が設けられるが、その一方の電極についてはこれをわざわざ設ける必要がなくなり、光半導体チップの製造作業の簡易化も図れることとなる。
【００２０】
本願発明の他の好ましい実施の形態では、上記半導体積層部の上記代替支持材が接着されている面とは反対の面が、凹凸状の粗面とされている構成とすることができる。
【００２１】
このような構成によれば、半導体積層部から発せられる光が上記凹凸状の粗面を通過するときに散乱することとなる。したがって、この光の散乱効果によって、光半導体チップの輝度を高めることが可能となる。
【００２２】
本願発明の他の好ましい実施の形態では、上記半導体積層部の上記代替支持材が接着されている面とは反対の面の全面またはその一部には、透光性を有する電極が設けられている構成とすることができる。
【００２３】
このような構成によれば、上記電極を利用して光半導体チップへの電気接続が図れることは勿論のこと、上記電極は透光性を有しているために、この電極が形成されている半導体積層部の面から、外部へ向けて光を適切に放出させることもできる。
【００２４】
本願発明の他の好ましい実施の形態では、上記電極は、金の薄膜層である構成とすることができる。このような構成によれば、導電性が高く、またその表面に酸化などを生じ難いという金の特性により、この電極への電気配線接続をより適切に行うことが可能となる。なお、金は、本来的には不透明であるが、その厚みを十分に小さくすることによって、透明性をもたせることが可能である。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００３１】
図１は、本願発明に係る光半導体チップの具体例としてのＬＥＤチップの一例を示す断面図である。
【００３２】
同図に示すＬＥＤチップＡは、代替支持材１の片面上に、光反射層２、半導体積層部３、および電極４が順次積層して設けられた構造を有しており、上記半導体積層部３が発光ダイオードとして構成されている。このＬＥＤチップＡは、上記半導体積層部３を構成する化合物半導体を結晶成長させるのに用いられた後述の基板が上記半導体積層部３から除去された構造となっている。
【００３３】
上記代替支持材１は、たとえば厚みｔａが１０μｍ〜１００μｍ程度の薄肉の導電性フィルムであり、合成樹脂製フィルムに金属粒子などの導電性粒子を練り込むなどしてそのフィルム各所に導電性をもたせたものである。この代替支持材１は、可撓性を有している。
【００３４】
上記光反射層２は、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、あるいはその他の光沢を有する金属の薄膜層であり、後述するように、蒸着あるいはスパッタリングなどによって所定の金属を成膜して形成された部分である。この光反射層２の表面の光反射率は、上記代替支持材１の表面の光反射率も高い。
【００３５】
上記半導体積層部３は、従来既知の発光ダイオードと同様な構成である。この半導体積層部３は、ガリウムを含むIIIb−Ｖｂ属化合物半導体の単純結晶を利用したものであり、たとえば、拡散層としてのＧａＰ層３ｄ、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ層３ｃ、発光層３ｂ、およびｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層３ａが積層された構造となっている。上記発光層３ｂは、ＩｎＧａＡｌＰの層である。また、この半導体積層部３の最外層であるｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層３ａの表面３０の全面または略全面は、微小な凹凸を有する粗面とされている。この表面３０の凹凸高低差は、たとえば１μｍ以内とされている。
【００３６】
上記電極４は、たとえば金（Ａｕ）の薄膜層であり、上記ｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層３ａの表面の全面に金を蒸着あるいはスパッタリングなどによって成膜させた部分である。この金製の電極４は、その厚みがたとえば１００Å程度であり、透光性を有している。
【００３７】
上記ＬＥＤチップＡは、たとえば０．３ｍｍ角のチップ片として形成されている。また、上記光反射層２、半導体積層部３、および電極４のトータルの厚みｔｂは、５〜１０μｍ程度であり、代替支持材１をも含めた全体の厚みｔは、１１０μｍ程度以下の極薄の寸法とされている。
【００３８】
次に、上記ＬＥＤチップＡの製造方法について、図２ないし図８を参照しながら説明する。
【００３９】
まず、図２に示すように、ＧａＡｓ基板５の表面上に、複数の半導体層３ａ〜３ｄを結晶成長させて、発光ダイオードとなる半導体積層部３を作製する。この結晶成長は、たとえば有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によって行えばよく、この成長法よって発光ダイオードを構成する所定の化合物半導体の単結晶を効率良く成長させることができる。なお、上記ＧａＡｓ基板５は、ウェハとして形成されたものであって、その厚みは２００μｍ〜３００μｍ以上である。上記半導体積層部３は、このウェハの表面の全面に作製する。
【００４０】
次いで、図３に示すように、上記半導体積層部３の最上層のＧａＰ層３ｄの表面に、光沢を有する所定のＡｇやＣｒなどの金属を蒸着またはスパッタリングによって成膜し、光反射層２を作製する。その後は、図４に示すように、上記光反射層２の表面の全面に、代替支持材１’を接着させる。この代替支持材１’は、上記ウェハと同様なサイズまたはそれよりも大きなサイズに形成されたフィルムである。この代替支持材１’は、先に説明した代替支持材１となる部分であり、導電性および可撓性を有し、またその厚みは１０μｍ〜１００μｍ程度のものである。上記光反射層２に代替支持材１’を接着させる手段としては、接着剤を用いてもよいし、あるいは上記代替支持材１’を加熱して軟化させることにより粘着性をもたせ、熱圧着するといった手段を採用することもでき、本願発明ではいずれであってもよい。
【００４１】
上記代替支持材１’の接着作業後には、図５に示すように、結晶成長に用いられたＧａＡｓ基板５を半導体積層部３の片面から除去する。この作業は、たとえば上記ＧａＡｓ基板５をアンモニアと過酸化水素水とを混合したエッチング処理液に浸漬させるエッチング処理によって行うことができる。また、このようなエッチング処理に代えて、たとえば上記ＧａＡｓ基板５を機械的な手段によって研削して除去することも可能である。ただし、作業性および半導体積層部３の保護の観点からすれば、エッチッグ処理を行うことが好ましい。
【００４２】
上記ＧａＡｓ基板５を除去した後には、図６に示すように、半導体積層部３の最外層に位置するｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層３ａの表面３０を凹凸の粗面にする作業を行う。この作業は、塩酸系のエッチング処理液に上記ｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層３ａを浸漬させるエッチング処理によって行うことができる。その後は、図７に示すように、上記ｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層３ａの表面３０に、金製の電極４を形成する。この作業は、金を蒸着し、またはスパッタリングすることによって行うことができる。
【００４３】
上記一連の作業工程によれば、代替支持材１’の片面に、光反射層２、半導体積層部３、および電極４のそれぞれが元のＧａＡｓ基板５の面積と略同一の面積で一連に形成された中間品Ａ’が得られる。そこで、その後は、図８に示すように、その中間品Ａ’を複数のチップ片として分割するように切断すれば、先の図１に示したＬＥＤチップＡが多数個取りできることとなる。上記中間品の切断は、一般のウェハのダイシング工程と同様に、たとえばダイヤモンドカッタやレーザカッタを用いて行えばよい。このようにして製造されたＬＥＤチップＡは、代替支持材１に対する半導体積層部３の半導体の層３ａ〜３ｄの順序が、図２に示すＧａＡｓ基板５に対する積層順序とは逆になっている。
【００４４】
上記構成のＬＥＤチップＡは、全体の厚みｔが１１０μｍ以下であり、いわば薄膜状のＬＥＤチップとして構成されている。したがって、全体の厚みがたとえば０．７ｍｍ程度の薄手のＩＣカードの内部に対しても、このＬＥＤチップＡを比較的余裕をもったかたちに組み込みことが可能となり、大きな実装スペースを確保することが困難なスペースに組み込んで使用するのに大変便利となる。
【００４５】
また、上記ＬＥＤチップＡの代替支持材１は可撓性を有しているために、上記ＬＥＤチップＡの実装面がたとえば多少湾曲した曲面であっても、上記代替支持材１をその曲面に沿わせて撓ませることができ、確実に面実装することが可能となる。さらに、上記ＬＥＤチップＡは、半導体積層部３の片面に代替支持材１が接着された構造であるために、半導体積層部３が上記代替支持材１によって補強されることとなる。したがって、上記ＬＥＤチップＡを取り扱うときに、このＬＥＤチップＡの各部が安易に損傷するといったことも解消することができる。
【００４６】
図９は、上記ＬＥＤチップＡの実装構造の一例を示す要部断面図である。
【００４７】
同図に示す実装構造では、回路基板６の表面に形成された銅箔製などの端子部６０上に、ＬＥＤチップＡがボンディングされ、その代替支持材１が上記端子部６０と導通している。また、上記回路基板６の上面に設けられた起立部６１には、金属製のバネ板状の端子板６２の一端部が支持されており、この端子板６２の他端部は上記ＬＥＤチップＡの電極４の表面に接触し、その端子板６２の弾発力によってその接触状態が維持されるように構成されている。上記ＬＥＤチップＡや端子板６２は、たとえばエポキシ樹脂などの透明な封止樹脂６３によって覆われている。なお、上記端子部６０にＬＥＤチップＡをボンディングする手段としては、導電性接着剤を用いる手段、あるいは上記代替支持材１を加熱しながら加圧する熱圧着手段を用いることができる。
【００４８】
上記構造では、ＬＥＤチップＡの代替支持材１をそのまま電極として利用しているために、このＬＥＤチップＡに必要な２つの電極のうち、１つの電極についてはその作製を省略することができる。また、上記ＬＥＤチップＡには、端子板６２をその弾発力を利用して接触させているために、上記ＬＥＤチップＡにワイヤボンディングを行う場合と比較すると、次のような利点が得られる。すなわち、上記ＬＥＤチップＡの電極４にワイヤボンディング作業を行ったのでは、ワイヤボンダーのキャピラリがＬＥＤチップＡの上面をかなり大きな圧力で押しつけることとなる。これに対し、上記構造では、端子板６２を電極４に接触させているに過ぎないために、ＬＥＤチップＡが大きな圧力を受けないようにすることができ、ＬＥＤチップＡに機械的なダメージを生じさせないようにする点で有利となる。とくに、上記電極４は、電気接続性の良好な金製であるために、端子板６２との接触圧をさほど大きくしなくても、導電性の良好な電気接続が行えることとなる。また、ワイヤボンディングの場合には、ワイヤの一部がＬＥＤチップＡとの接合部分から一定寸法だけ上方に延びるかたちとなり、回路基板６の上方にワイヤが嵩張った構造となるが、上記構造では、端子板６２を略水平状に設定することによって、この端子板６２の高さをＬＥＤチップＡの高さと略同一高さに設定できる。したがって、ＬＥＤチップＡの実装部分およびそれに関連する電気接続部分の全体の厚みを小さくする上でも、有利となる。
【００４９】
さらに、上記構造では、ＬＥＤチップＡや端子板６２などの各部を、封止樹脂６３によって適切に保護することができるのに加え、この封止樹脂６３の存在によって端子板６２と電極４との位置関係を固定させて、それらの導通状態を適切に維持しておくこともできる。むろん、ＬＥＤチップＡや端子板６２の全体を樹脂封止する手段に代えて、電極４と端子板６２との接触部分のみを樹脂封止する手段を採用してもかまわない。
【００５０】
上記ＬＥＤチップＡを上記図９に示すように実装した状態において、電極４と代替支持材１との間に電流を流すと、半導体積層部３の発光層３ｂからその上下方向に向けて光が放出される。これらの光のうち、上向きの光は、そのまま透明の電極４および封止樹脂６３を透過して上方に進行する。これに対し、下向きの光は、光反射層２の表面に到達すると、高い反射率で上方へ向けて反射され、その後は電極４や封止樹脂６３を透過してやはり上方に進行する。したがって、発光層３ｂから放出された光が代替支持材１に吸収されることを解消し、ＬＥＤチップＡの上面からの放出光量を多くすることができる。また、半導体積層部３の内部の光がｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層３ａの粗面状の表面３０を通過するときには、その光は散乱状態となる。したがって、上記ＬＥＤチップＡの輝度をより高めることが可能となる。
【００５１】
図１０ないし図１３は、本願発明に係る光半導体チップの他の例をそれぞれ示し、図１０ないし図１２は断面図であり、図１３は斜視図である。なお、説明の便宜上、これらの図において、先の実施形態と同一部位は同一符号で示し、その説明は省略する。
【００５２】
図１０に示すＬＥＤチップＡａは、先の実施形態のＬＥＤチップＡとは異なり、透光性を有する電極４ａを半導体積層部３上に部分的に設けた構成である。このような構成のＬＥＤチップＡａは、蒸着またはスパッタリングによって金を上記半導体積層部３の表面に成膜させるときにその表面にマスキングを行い、この表面３０の所定部分にのみ金が成膜されるようにすればよい。上記ＬＥＤチップＡａにおいても、先の実施形態のＬＥＤチップＡと同様に、上記電極４ａの上面に上記端子板６２を接触させた図９に示す構造の電気接続を行うことができる。むろん、本願発明は、光半導体チップの電気接続構造の構成を一切問うものではない。したがって、上記電極４ａに金線などのワイヤボンディングを施してもなんらかまわない。
【００５３】
図１１に示すＬＥＤチップＡｂは、代替支持材１ａとして、表面に光沢を有する金属フィルムを用いている。このような構成によれば、先の２つのＬＥＤチップＡ，Ａａとは異なり、代替支持材１ａの表面に光反射層２をわざわざ設けることなく、半導体積層部３から発せられた光を上記代替支持材１ａの表面によって上方へ効率良く反射させることができることとなる。また、導電性を有する金属フィルムを用いれば、上記代替支持材１ａをそのまま半導体積層部３の電極として利用することもできる。
【００５４】
図１２に示すＬＥＤチップＡｃは、代替支持材１ｂとして、透明フィルムを用いている。このような構成によれば、半導体積層部３の発光層３ｂから発せられた光の一部をその上面から外部へ放出させることができるとともに、光の他の一部を代替支持材１ｂを透過させてその下面から外部へ放出させることも可能となり、ＬＥＤチップＡｃの上下両面から光を放出させることができる。
【００５５】
このように、本願発明では、代替支持材の具体的な材質などは限定されず、種々のものを用いることが可能である。代替支持材を合成樹脂製フィルムや金属製フィルムなどによって形成すれば、それらの材料コストを安価にでき、またその製造も容易となる利点が得られる。ただし、本願発明はこれに限定されない。本願発明では、たとえば半導体積層部３の片面に、金属などの材料を蒸着またはスパッタリングなどによって成膜固化させ、この成膜処理によって得られた膜状物質を代替支持材としてもよい。さらには、たとえば半導体積層部３の片面に樹脂などの液体状の材料を塗布した後に、この材料を硬化させることによって、フィルム状の部材を形成し、これを代替支持材としてもよい。
【００５６】
図１３に示す光半導体チップＡｄは、ＬＤチップとして構成されたものであり、代替支持材１ｃ上にレーザダイオードを構成する半導体積層部３Ａが接着された構造となっている。上記半導体積層部３Ａは、ｎ型半導体層３ｅ、活性層３ｆ、およびｐ型半導体層３ｇなどを有するものであり、それらの厚み方向に所定の電流を流すことによってレーザ発振が可能に構成されている。上記半導体積層部３Ａは、先に説明したＬＥＤチップの半導体積層部と同様に、化合物半導体を所定の基板上で結晶成長させることにより製造されるものであるが、このＬＤチップＡｄでは、やはりその結晶成長に利用された基板は除去されており、その代わりに、代替支持材１ｃを具備している。この代替支持材１ｃとしては、先に説明したＬＥＤチップの場合と同様に、種々の材質のものを用いることができる。また、半導体積層部３Ａの上面には、必要に応じて電極が形成される。
【００５７】
上記ＬＤチップＡｄにおいても、先のＬＥＤチップＡと同様に、結晶成長に利用された基板が除去され、それに代えて薄手の代替支持材１ｃが設けられていることにより、全体の厚みをかなり小さくすることができる。また、代替支持材１ｃの存在によって、ＬＤチップ全体の強度を高めておくことができ、その取り扱い時において各部が容易に損壊するといった不具合も無くすことが可能となる。
【００５８】
このように、本願発明に係る光半導体チップは、ＬＥＤチップとして構成するに限らず、ＬＤチップとして構成することもできる。要は、化合物半導体の結晶からなる半導体積層部を備えた光半導体チップであれば、その種類を問わず、本願発明を適用することが可能である。むろん、発光ダイオードやレーザダイオードなどを構成する半導体積層部の具体的な成分も限定されない。
【００５９】
また、本願発明に係る光半導体チップの製造方法の各作業工程も、上記した実施形態に限定されない。化合物半導体の結晶成長に用いる基板の種類は、その化合物半導体の具体的な成分内容に応じて適宜選択すればよく、ＧａＡｓ基板に代えて、ＧａＰ基板、ＧａＡｌＡｓ基板、もしくはＳｉ基板などの半導体基板を用いてもよい。また、たとえば青色ＬＥＤを製造する場合には、アルミナ基板（サファイヤ基板）を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る光半導体チップの具体例としてのＬＥＤチップを示す断面図である。
【図２】基板上に半導体積層部を作製する工程を示す要部断面図である。
【図３】半導体積層部上に光反射層を作製する工程を示す要部断面図である。
【図４】半導体積層部に光反射層を介して代替支持材を接着する工程を示す要部断面図である。
【図５】結晶成長に用いられた基板を削除する工程を示す要部断面図である。
【図６】半導体積層部の表面にエッチング処理を施した状態を示す要部断面図である。
【図７】半導体積層部の表面に電極を形成した状態を示す要部断面図である。
【図８】半導体積層部および代替支持材をチップ状に切断する工程を示す要部断面図である。
【図９】図１に示すＬＥＤチップの実装構造の一例を示す要部断面図である。
【図１０】本願発明に係る光半導体チップの他の例を示す断面図である。
【図１１】本願発明に係る光半導体チップの他の例を示す断面図である。
【図１２】本願発明に係る光半導体チップの他の例を示す断面図である。
【図１３】本願発明に係る光半導体チップの他の例を示す斜視図である。
【図１４】従来のＬＥＤチップの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１，１ａ〜１ｃ代替支持材
２光反射層
３半導体積層部（発光ダイオード）
３Ａ半導体積層部（レーザダイオード）
４，４ａ電極
５ＧａＡｓ基板
３０表面
Ａ，Ａａ〜ＡｃＬＥＤチップ（光半導体チップ）
ＡｄＬＤチップ（光半導体チップ）

Claims

化合物半導体の結晶からなる半導体積層部を備えた光半導体チップであって、
上記半導体積層部は、その結晶成長に用いられた基板とは異なる代替支持材に接着されており、かつ上記半導体積層部から上記基板が除去され、
上記半導体積層部は発光ダイオードとして構成され、全体がＬＥＤチップとして形成されているとともに、
上記代替支持材は、透光性を有するフィルムであることを特徴とする、光半導体チップ。
上記代替支持材は、可撓性を有している、請求項１に記載の光半導体チップ。
上記代替支持材は、導電性を有している、請求項１または２に記載の光半導体チップ。
上記半導体積層部の上記代替支持材が接着されている面とは反対の面が、凹凸状の粗面とされている、請求項１ないし３のいずれかに記載の光半導体チップ。
上記半導体積層部の上記代替支持材が接着されている面とは反対の面の全面またはその一部には、透光性を有する電極が設けられている、請求項１ないし４のいずれかに記載の光半導体チップ。
上記電極は、金の薄膜層である、請求項５に記載の光半導体チップ。