JP3645207B2 - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP3645207B2 JP3645207B2 JP2001313286A JP2001313286A JP3645207B2 JP 3645207 B2 JP3645207 B2 JP 3645207B2 JP 2001313286 A JP2001313286 A JP 2001313286A JP 2001313286 A JP2001313286 A JP 2001313286A JP 3645207 B2 JP3645207 B2 JP 3645207B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting element
- wavelength
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
- H10W72/07554—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は発光素子を樹脂モールドで包囲してなる発光ダイオード(以下LEDという)に係り、特に一種類の発光素子で多種類の発光ができ、さらに高輝度な波長変換発光ダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、LEDは図1に示すような構造を有している。1は1mm角以下に切断された例えばGaAlAs、GaP等よりなる発光素子、2はメタルステム、3はメタルポスト、4は発光素子を包囲する樹脂モールドである。発光素子1の裏面電極はメタルステム2に銀ペースト等で接着され電気的に接続されており、発光素子1の表面電極は他端子であるメタルポスト3から伸ばされた金線によりその表面でワイヤボンドされ、さらに発光素子1は透明な樹脂モールド4でモールドされている。
【0003】
通常、樹脂モールド4は、発光素子の発光を空気中に効率よく放出する目的で、屈折率が高く、かつ透明度の高い樹脂が選択されるが、他に、その発光素子の発光色を変換する目的で、あるいは色を補正する目的で、その樹脂モールド4の中に着色剤として無機顔料、または有機顔料が混入される場合がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来、樹脂モールドに着色剤を添加して波長を変換するという技術はほとんど実用化されておらず、着色剤により色補正する技術がわずかに使われているのみである。なぜなら、樹脂モールドに、波長を変換できるはどの非発光物質である着色剤を添加すると、LEDそのもの自体の輝度が大きく低下してしまうからである。
【0005】
ところで、現在、LEDとして実用化されているのは、赤外、赤、黄色、緑色発光のLEDであり、青色または紫外のLEDは未だ実用化されていない。青色、紫外発光の発光素子はII−VI族のZnSe、IV−IV族のSiC、III−V族のGaN等の半導体材料を用いて研究が進められ 最近、その中でも一般式がGaxAl1−xN(但しXは0≦X≦1である。)で表される窒化ガリウム系化合物半導体が、常温で、比較的優れた発光を示すことが発表され注目されている。また、窒化ガリウム系化合物半導体を用いて、初めてpn接合を実現したLEDが発表されている(応用物理、60巻、2号、p163〜p166、1991)。それによるとpn接合の窒化ガリウム系化合物半導体を有するLEDの発光波長は、主として430nm付近にあり、さらに370nm付近の紫外域にも発光ピークを有している。その波長は上記半導体材料の中で最も短い波長である。しかし、そのLEDは発光波長が示すように紫色に近い発光色を有しているため視感度が悪いという欠点がある。
【0006】
本発明はこのような事情を鑑みなされたもので、その目的とするところは、発光素子を有するLEDの視感度を良くし、またその輝度を向上させることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の発光ダイオードは、断面が凹状のメタル上に配置されると共に、n型及びp型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体である発光素子と、この発光素子を包囲する断面が凸レンズ状の樹脂と、発光素子を包囲する前記凸レンズ状の樹脂中にあって、青色を発光する発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出して発光ダイオードの視感度を良くする蛍光染料を有する。
【0008】
本発明の発光ダイオードは、420〜440nm付近の波長によって励起される蛍光染料を使用することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
図2は本発明のLEDの構造を示す一実施例である。11はサファイア基板の上にGaAlNがn型およびp型に積層されてなる青色発光素子、2および3は図1と同じくメタルステム、メタルポスト、4は発光素子を包囲する樹脂モールドである。発光素子11の裏面はサファイアの絶縁基板であり裏面から電極を取り出せないため、GaAlN層のn電極をメタルステム2と電気的に接続するため、GaAlN層をエッチングしてn型層の表面を露出させてオーミック電極を付け、金線によって電気的に接続する手法が取られている。また他の電極は図1と同様にメタルポスト3から伸ばした金線によりp型層の表面でワイヤボンドされている。さらに樹脂モールド4には420〜440nm付近の波長によって励起されて480nmに発光ピークを有する波長を発光する蛍光染料5が添加されている。
【0010】
【発明の効果】
本発明の発光ダイオードの蛍光染料は、発光素子から励起される短波長の光で励起されて、励起波長よりも長波長光を発光する。逆に長波長の光によって励起されて短波長の光を発光する蛍光顔料もあるが、それはエネルギー効率が非常に悪く微弱にしか発光しない。前記したように窒化ガリウム系化合物半導体はLEDに使用される半導体材料中で最も短波長側にその発光ピークを有するものである。そのためそれを発光素子の材料として使用した場合、その発光素子を包囲する樹脂モールドに蛍光染料を添加することにより、最も好適にそれら蛍光物質を励起することができる。したがって、青色LEDの色補正はいうにおよばず、蛍光染料の種類によって数々の波長の光を変換することができる。さらに、本発明の発光ダイオードは、短波長の光を長波長に変えるので、エネルギー効率がよく、添加する蛍光染料が微量で済み、輝度の低下の点からも非常に好都合である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の一LEDの構造を示す模式断面図。
【図2】 本発明のLEDの一実施例の構造を示す模式断面図。
【符号の説明】
11・・・発光素子 2・・・メタルステム
3・・・メタルポスト 4・・・樹脂モールド
5・・・蛍光染料
【発明の属する技術分野】
本発明は発光素子を樹脂モールドで包囲してなる発光ダイオード(以下LEDという)に係り、特に一種類の発光素子で多種類の発光ができ、さらに高輝度な波長変換発光ダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、LEDは図1に示すような構造を有している。1は1mm角以下に切断された例えばGaAlAs、GaP等よりなる発光素子、2はメタルステム、3はメタルポスト、4は発光素子を包囲する樹脂モールドである。発光素子1の裏面電極はメタルステム2に銀ペースト等で接着され電気的に接続されており、発光素子1の表面電極は他端子であるメタルポスト3から伸ばされた金線によりその表面でワイヤボンドされ、さらに発光素子1は透明な樹脂モールド4でモールドされている。
【0003】
通常、樹脂モールド4は、発光素子の発光を空気中に効率よく放出する目的で、屈折率が高く、かつ透明度の高い樹脂が選択されるが、他に、その発光素子の発光色を変換する目的で、あるいは色を補正する目的で、その樹脂モールド4の中に着色剤として無機顔料、または有機顔料が混入される場合がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来、樹脂モールドに着色剤を添加して波長を変換するという技術はほとんど実用化されておらず、着色剤により色補正する技術がわずかに使われているのみである。なぜなら、樹脂モールドに、波長を変換できるはどの非発光物質である着色剤を添加すると、LEDそのもの自体の輝度が大きく低下してしまうからである。
【0005】
ところで、現在、LEDとして実用化されているのは、赤外、赤、黄色、緑色発光のLEDであり、青色または紫外のLEDは未だ実用化されていない。青色、紫外発光の発光素子はII−VI族のZnSe、IV−IV族のSiC、III−V族のGaN等の半導体材料を用いて研究が進められ 最近、その中でも一般式がGaxAl1−xN(但しXは0≦X≦1である。)で表される窒化ガリウム系化合物半導体が、常温で、比較的優れた発光を示すことが発表され注目されている。また、窒化ガリウム系化合物半導体を用いて、初めてpn接合を実現したLEDが発表されている(応用物理、60巻、2号、p163〜p166、1991)。それによるとpn接合の窒化ガリウム系化合物半導体を有するLEDの発光波長は、主として430nm付近にあり、さらに370nm付近の紫外域にも発光ピークを有している。その波長は上記半導体材料の中で最も短い波長である。しかし、そのLEDは発光波長が示すように紫色に近い発光色を有しているため視感度が悪いという欠点がある。
【0006】
本発明はこのような事情を鑑みなされたもので、その目的とするところは、発光素子を有するLEDの視感度を良くし、またその輝度を向上させることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の発光ダイオードは、断面が凹状のメタル上に配置されると共に、n型及びp型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体である発光素子と、この発光素子を包囲する断面が凸レンズ状の樹脂と、発光素子を包囲する前記凸レンズ状の樹脂中にあって、青色を発光する発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出して発光ダイオードの視感度を良くする蛍光染料を有する。
【0008】
本発明の発光ダイオードは、420〜440nm付近の波長によって励起される蛍光染料を使用することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
図2は本発明のLEDの構造を示す一実施例である。11はサファイア基板の上にGaAlNがn型およびp型に積層されてなる青色発光素子、2および3は図1と同じくメタルステム、メタルポスト、4は発光素子を包囲する樹脂モールドである。発光素子11の裏面はサファイアの絶縁基板であり裏面から電極を取り出せないため、GaAlN層のn電極をメタルステム2と電気的に接続するため、GaAlN層をエッチングしてn型層の表面を露出させてオーミック電極を付け、金線によって電気的に接続する手法が取られている。また他の電極は図1と同様にメタルポスト3から伸ばした金線によりp型層の表面でワイヤボンドされている。さらに樹脂モールド4には420〜440nm付近の波長によって励起されて480nmに発光ピークを有する波長を発光する蛍光染料5が添加されている。
【0010】
【発明の効果】
本発明の発光ダイオードの蛍光染料は、発光素子から励起される短波長の光で励起されて、励起波長よりも長波長光を発光する。逆に長波長の光によって励起されて短波長の光を発光する蛍光顔料もあるが、それはエネルギー効率が非常に悪く微弱にしか発光しない。前記したように窒化ガリウム系化合物半導体はLEDに使用される半導体材料中で最も短波長側にその発光ピークを有するものである。そのためそれを発光素子の材料として使用した場合、その発光素子を包囲する樹脂モールドに蛍光染料を添加することにより、最も好適にそれら蛍光物質を励起することができる。したがって、青色LEDの色補正はいうにおよばず、蛍光染料の種類によって数々の波長の光を変換することができる。さらに、本発明の発光ダイオードは、短波長の光を長波長に変えるので、エネルギー効率がよく、添加する蛍光染料が微量で済み、輝度の低下の点からも非常に好都合である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の一LEDの構造を示す模式断面図。
【図2】 本発明のLEDの一実施例の構造を示す模式断面図。
【符号の説明】
11・・・発光素子 2・・・メタルステム
3・・・メタルポスト 4・・・樹脂モールド
5・・・蛍光染料
Claims (1)
- 断面が凹状のメタルに配置されると共に、n型及びp型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体である発光素子と、この発光素子を包囲する断面が凸レンズ状樹脂モールドと、この発光素子を包囲する凸レンズ状樹脂モールド中にあって、青色を発光する発光素子からの第1の可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の第2の可視光を出して発光ダイオードの視感度を良くする蛍光染料を有することを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001313286A JP3645207B2 (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001313286A JP3645207B2 (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | 発光ダイオード |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37712898A Division JP3366586B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 発光ダイオード |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003067318A Division JP2003234513A (ja) | 2003-02-04 | 2003-02-04 | 蛍光染料又は蛍光顔料が添加された波長変換発光ダイオード用樹脂 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158378A JP2002158378A (ja) | 2002-05-31 |
| JP3645207B2 true JP3645207B2 (ja) | 2005-05-11 |
Family
ID=19131788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001313286A Expired - Fee Related JP3645207B2 (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3645207B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
| EP1540747B1 (en) | 2002-09-19 | 2012-01-25 | Cree, Inc. | Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor |
| US20050104072A1 (en) | 2003-08-14 | 2005-05-19 | Slater David B.Jr. | Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed |
| US7183587B2 (en) | 2003-09-09 | 2007-02-27 | Cree, Inc. | Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices |
| US7029935B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
| US20060097385A1 (en) | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Negley Gerald H | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same |
| US7322732B2 (en) | 2004-12-23 | 2008-01-29 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
| US7304694B2 (en) | 2005-01-12 | 2007-12-04 | Cree, Inc. | Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays |
| JP3995011B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2007-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
| CN101351891B (zh) | 2005-12-22 | 2014-11-19 | 科锐公司 | 照明装置 |
| US8441179B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-05-14 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
| JP2009524247A (ja) | 2006-01-20 | 2009-06-25 | クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド | ルミファー膜を空間的に分離することにより固体光発光素子におけるスペクトル内容をシフトすること |
| US8033692B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-10-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
| US8593040B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-11-26 | Ge Lighting Solutions Llc | LED lamp with surface area enhancing fins |
| US8466611B2 (en) | 2009-12-14 | 2013-06-18 | Cree, Inc. | Lighting device with shaped remote phosphor |
| US8772817B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-07-08 | Cree, Inc. | Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias |
| US9500355B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-11-22 | GE Lighting Solutions, LLC | Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device |
-
2001
- 2001-09-03 JP JP2001313286A patent/JP3645207B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002158378A (ja) | 2002-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2900928B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH05152609A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP3366586B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| US7414271B2 (en) | Thin film led | |
| JP4101468B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| US9281454B2 (en) | Thin film light emitting diode | |
| US7279350B2 (en) | White-light emitting devices and methods for manufacturing the same | |
| JP4174858B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2002158378A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2000286458A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2011249411A (ja) | 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置 | |
| JP3724498B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JP3724490B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH10190066A (ja) | 発光ダイオード及びそれを用いたled表示装置 | |
| JP2003234513A (ja) | 蛍光染料又は蛍光顔料が添加された波長変換発光ダイオード用樹脂 | |
| JP3808892B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JP3920296B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JP3995011B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JP4109297B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JP3729047B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| KR20040020240A (ko) | 발광다이오드 램프 및 그 제조방법 | |
| JP2003124530A (ja) | 発光ダイオード及びそれを用いたled表示装置 | |
| JP2007184655A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2004158874A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2001119075A5 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041227 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050202 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |