JP3679989B2 - チップキャリアフィルムおよびその製造方法ならびにこのチップキャリアフィルムを使用した液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ベースフィルムの表面の絶縁膜の硬化収縮率と該フィルムの裏面の絶縁膜の硬化収縮率が異なるチップキャリアフィルムおよびその製造方法ならびにこのチップキャリアフィルムを使用した液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示パネルおよび回路基板の接続には、ドライバＩＣ搭載のフィルムを介して両者を繋ぐＴＣＰ（Tape Carrier Package）マウント方式が広く使用されている（たとえば、特開平７−１６９７９３号公報）。以下、特開平７−１６９７９３号公報を参酌して、ＴＣＰの構成の概略を説明する。図５にＴＣＰの平面図を、図６に図５のＡ−Ａ線拡大断面図を示す。ポリイミド製ベースフィルム２０に設けられたデバイス孔２１において、ドライバＩＣ２２はフィルム２０上の回路パターン（銅箔に錫メッキ）２３とバンプ接続される。回路パターン２３は、接着層２４を介してベースフィルム２０に形成され、この回路パターン２３の表面は、ソルダーレジスト２５によって覆われて保護されている。また、ドライバＩＣ２２の周囲には高信頼性樹脂（封止材）２６および補強樹脂２７が設けられている。なお、回路パターン２３は、接続端子パッド２８、２９およびそれらに繋がるインナーリード３０、３１を有している。
【０００３】
しかし、前記ＴＣＰにおいては、つぎのような課題があった。
（１）ファインピッチ（４０μｍピッチ相当）化
液晶表示パネルの高精細化が進むことによって、４０μｍピッチ相当のファインピッチ化の実現という高度な実装技術が望まれている。ここで、フィルムに形成された銅配線のファインピッチ化は、その厚さに密接に関係しており、具体的には、従来の銅配線の厚さ（１７〜３５μｍ）を１０μｍ程度まで薄膜化する必要があると考えられている。しかし一方、銅配線の厚さを薄くすると、図６中のバンプ接続部Ｂの銅配線が折れ曲がるという別の問題が顕在化し、ＴＣＰマウント方式によって微細ピッチは難しいと考えられている。
【０００４】
（２）製造コストの低減
液晶表示装置の狭額縁化の要求により、チップを搭載したフィルムは、これを折り曲げた状態で液晶表示装置内に収納される。ところが、ＴＣＰチップの製造プロセスの制約上、これに使われるフィルムの厚さ（７０μｍ程度）を薄くすることは困難なため、フィルムの折り曲げ部に特殊な加工を施すことを要し、このことが製造コストを上昇させていた。具体的には、折り曲げ部にスリットを設けたのち、折り曲げ部に補強樹脂を塗布する工程が必要である。
【０００５】
そこで、以上の課題を達成するために、ＴＣＰマウント方式に代えて、フィルムのデバイス孔をなくして、フィルムにドライバＩＣを表面実装させるＣＯＦ（chip on film）マウント方式が注目されている。そして、このＣＯＦにおいては、ベースフィルムの薄膜化（３５〜４０μｍ）も可能と考えられている。
【０００６】
図７は、ドライバＩＣを搭載した従来のＣＯＦの断面図である。ベースフィルム２０（ポリイミド）表面には、ドライバＩＣ２２に電気的に接続される回路パターン２３（銅箔表面に錫メッキ）が形成され、これをソルダーレジスト２５によって絶縁保護している。このソルダーレジスト２５を覆わない回路パターン２３の部位で、バンプ３２によりドライバＩＣ２２と回路パターン２３は接続されている。なお、バンプ接続部には封止材としての樹脂２６が施されている。このように、ＣＯＦ技術の特徴は、デバイス孔を用いることなくベースフィルム２０にドライバＩＣ２２を表面実装している点にある。
【０００７】
なお、特開平４−２１５４４８号公報には、チップキャリアのベースフィルムにデバイス孔を設けることなく、半導体チップが直接搭載できるＣＯＦマウント方式の基本概念が述べられている（第７欄第６〜１１行参照）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、既存のＣＯＦを使用する場合、つぎのような問題があることが判明した。１５インチ液晶表示パネルに接続されるＣＯＦの個数は、十数個もあり、ＣＯＦを液晶表示パネルにマウントする作業は高速自動装置で行なわれている。どころが、ベースフィルムの厚さを薄くしたため（３５〜４０μｍ）、フィルムが曲げられ易くなる。このことが、フィルムの搬送作業を極めて煩雑なものにしてしまい、製造上、大いに支障をきたすことがわかった。
【０００９】
より具体的には、高速自動装置を使用する場合、ベースフィルムの一方端を装置のアームで保持した状態で、該フィルムの他方端を液晶表示パネルにマウントすることが必要であるため、ドライバＩＣチップの自重によって剛性の低いベースフィルムは垂れてしまって、このことが液晶表示パネルに上手くマウントできないという事態に陥りやすい。
【００１０】
本発明は、前記のような問題を解決するためになされたもので、第１の目的は、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフィルムを提供するものである。
【００１１】
第２の目的は、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止でき、マウントを支障なく行ない得るとともに、端子接続の信頼性を向上できるチップキャリアフィルムを提供するものである。
【００１２】
第３の目的は、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフィルムの製造方法を提供するものである。
【００１３】
第４の目的は、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフィルムを使用した液晶表示装置を提供するものである。
【００１４】
なお、ＬＳＩを搭載したＴＣＰフィルム基材の反りの問題について、インナーリードを覆うソルダーレジストと同じ材質（エポキシ系樹脂）の樹脂をフィルム基材の裏面に塗布することにより解消できることが前記特開平７−１６９７９３号公報に開示されている（たとえば、公報６欄[００２８]参照）。しかし、この公報によれば、ソルダーレジストの材質と裏面樹脂の材質は同じエポキシ系樹脂であるため、硬化収縮率の相違点に基づきフィルム両面に形成された膜の特性を異ならせるという本願発明の技術的思想とまったく異なるものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明のチップキャリアフィルムは、ベースフィルムの表面に形成された金属配線、半導体チップ接続パッド部および端子接続パッド部を除き前記金属配線を覆う第１の絶縁膜、前記金属配線の前記半導体チップ接続パッド部に接続され前記ベースフィルムに搭載された半導体チップ、および前記ベースフィルムの裏面に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備えることを特徴とする。
【００１６】
なお、ここで、絶縁膜の硬化収縮率とは、絶縁膜が架橋剤によって硬化する際の体積の減少率をいう。
【００１７】
前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高いのが好ましい。
【００１８】
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜が熱硬化性樹脂からなるのが好ましい。
【００１９】
前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂であるのが好ましい。
【００２０】
前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂であるのが好ましい。
【００２１】
前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂であるのが好ましい。
【００２２】
前記ベースフィルムの厚さが３５〜４０μｍであるのが好ましい。
【００２３】
また本発明のチップキャリアフィルムは、ベースフィルムの表面の両端に設けられた端子接続パット部、前記両端の端子接続パッド部で挟まれた半導体チップキャリア領域、前記ベースフィルムの表面の半導体チップキャリア領域内に形成された第１の絶縁膜、前記ベースフィルムの裏面の前記半導体チップキャリア領域内に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備えることを特徴とする。
【００２４】
前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高いのが好ましい。
【００２５】
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜が熱硬化性樹脂からなるのが好ましい。
【００２６】
前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂であるのが好ましい。
【００２７】
前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂であるのが好ましい。
【００２８】
前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂であるのが好ましい。
【００２９】
また本発明のチップキャリアフィルムの製造方法は、ベースフィルムの表面に形成した金属膜をエッチングして金属配線を形成したのち、該金属配線を覆うように第１の絶縁膜を塗布し、ついで前記金属配線と接続させるために半導体チップを前記ベースフィルムに搭載させ、ついで前記ベースフィルムの裏面に、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を塗布し、つぎに第１および第２の絶縁膜を硬化させることを特徴とする。
【００３０】
前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高い硬化収縮率を有する前記第２の絶縁膜を塗布したのち、これらの絶縁膜を硬化させるのが好ましい。
【００３１】
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を加熱によって硬化させるのが好ましい。
【００３２】
さらに本発明の液晶表示装置は、ベースフィルムの表面に形成された金属配線、半導体チップ接続パッド部および端子接続パッド部を除き前記金属配線を覆う第１の絶縁膜、前記金属配線の前記半導体チップ接続パッド部に接続され前記ベースフィルムに搭載された半導体チップ、前記金属配線の前記端子接続パッド部に接続された回路基板および液晶表示パネル、前記ベースフィルムの裏面に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備えることを特徴とする。
【００３３】
前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高いのが好ましい。
【００３４】
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜が熱硬化性樹脂からなるのが好ましい。
【００３５】
前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂であるのが好ましい。
【００３６】
前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂であるのが好ましい。
【００３７】
前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂であるのが好ましい。
【００３８】
前記端子接続パッド部が前記ベースフィルムの両端に設けられており、該端子接続パッド部の一方端は前記回路基板に接続され、端子接続パッド部の他方端は前記液晶表示パネルに接続されているのが好ましい。
【００３９】
前記ベースフィルムの厚さが３５〜４０μｍであるのが好ましい。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて、本発明のチップキャリアフィルムおよびその製造方法ならびにこのチップキャリアフィルムを使用した液晶表示装置を説明する。
【００４１】
図１はＣＯＦ（chip on film）を介して回路基板と液晶表示パネルを接続した液晶表示装置の斜視図である。図２は図１におけるＣＯＦの拡大平面図である。図３は図２のＩ−Ｉ線断面図である。
【００４２】
図１におけるゲートバス回路基板１およびソースバス回路基板２は、パソコン本体のコントローラからＲＧＢデータやクロックの信号を受け取る。これらの回路基板１、２は、ＡＣＦ(Anisotoropic Conductive Film：異方性導電膜)または半田によって、ドライバＩＣ４を搭載したＣＯＦ３の金属配線１２の入力側端子の接続パッド部１３に接続されている。また液晶表示パネル５は、ＡＣＦによってＣＯＦ３の金属配線１２の出力側端子接続パッド部に接続される。図２に示すように、金属配線１２の端子接続パッド部８、９は、ＣＯＦ３の両端に配置されている。これらの端子接続パッド部８、９を挟んだ半導体チップキャリア領域内６において、ドライバＩＣ４が金属配線１２のＩＣ接続パッド部１３でバンプ接続されている。このようにして、図１に示された液晶表示装置７が得られる。なお、ドライバＩＣ４の周囲には封止樹脂１８が設けられている。
【００４３】
図３を用いてＣＯＦの構成およびその製法をより詳しく説明する。
【００４４】
ポリイミド製ベースフィルム１１の表面に反応性イオン、中性イオン、電子または光子のいずれかを照射して、この表面を粗面化する。ついで、このフィルムに銅箔を設けて、この銅箔に無電解メッキ法で錫メッキしたのち、銅箔と錫メッキの２層金属膜をエッチングすることで金属配線１２を形成する。
【００４５】
つぎに、金属配線１２のうちインナーリード１０を絶縁保護するため、端子接続パッド部８、９およびＩＣ接続パッド部１３を除く金属配線１２をほぼ完全に覆うようソルダーレジスト１４（図１および図２において斜線で図示している）を硬化後の厚さで約２５μｍ程度となるよに、スクリーン印刷法で形成している。このため、端子接続パッド部８、９、および半導体ＩＣ接続パッド部１３の金属配線１２は、ソルダーレジスト１４に覆われることなく露出している。そして、ドライバＩＣ４は、ＩＣ接続パッド部１３でバンプによって金属配線１２と接続され、ベースフィルム１１上に表面実装されている。さらに、ドライバＩＣ４と金属配線１２の接続を保護し、両者の熱膨張率の差異に起因する熱応力を緩和する目的で、封止樹脂１８がドライバＩＣ４の周囲に設けられている。
【００４６】
本実施の形態の特徴は、ベースフィルム１１の裏面（ソルダーレジスト１４の形成された面と反対面）に、ソルダーレジスト１４よりも熱硬化収縮率の高い熱裏面樹脂１５（図３においてドットで図示している）を、硬化後の厚さで約２５μｍ程度となるように、スクリーン印刷法で形成していることにある。
【００４７】
なお、ここで、前記回路基板１、２や液晶表示パネル５の外部回路と接続される端子接続パッド部８、９を平坦に保つことは、端子部の接続信頼性を図る上で極めて重要である。このため、裏面樹脂１５は、接続端子パット部８、９を覆わないように、端子接続パッド部８、９で挟まれたチップキャリア領域１７内であってベースフィルム１１の裏面に形成する必要がある。また、ソルダーレジスト１４も、同様にチップキャリア領域１７内に形成する必要がある。
【００４８】
仮に裏面樹脂１５がなければ、フィルム裏面一端を自動搬送のアームで保持すると、ベースフィルム１１の厚さが３５〜４０μｍと薄膜であるため、ドライバＩＣ４の自重でベースフィルム１１は垂れてしまう。この現象を回避するため、ベースフィルム１１のソルダーレジスト１４よりも熱硬化収縮率の高い裏面樹脂１５を塗布して硬化させる。こうすると、ソルダーレジスト１４の熱硬化収縮よりも裏面樹脂１５の熱硬化収縮が打ち勝って、ベースフィルム１１を裏面からみて凹状に反らせることができる。したがって、裏面樹脂１５の熱硬化収縮に起因するベースフィルム１１の反りと、搬送時のドライバＩＣ自重によるベースフィルム１１の垂れが打ち消しあって、ＣＯＦ３を水平に保って、液晶表示パネル５にスムーズにＣＯＦ３をマウントできる。
【００４９】
以下、樹脂の収縮によってベースフィルムを反らすメカニズムを説明する。
【００５０】
図４の（ａ）は熱硬化性樹脂を塗布したベースフィルムにおける樹脂硬化前の状態を示す断面図であり、図４の（ｂ）は熱硬化性樹脂を塗布したベースフィルムにおける樹脂硬化後の状態を示す断面図である。
【００５１】
加熱を加えて架橋剤を反応させて、図４の（ａ）の熱硬化性樹脂１７を熱硬化させると、この硬化過程で樹脂は体積収縮する。すなわち、図４の（ｂ）に示すように、ベースフィルム１６との界面を除いて熱硬化性樹脂１７全体が所定の熱硬化収縮率に基づいて熱収縮する。ところが、熱硬化性樹脂１７とベースフィルム１６の界面については、熱硬化性樹脂１７はベースフィルム１６に密着して自由に収縮できずに、熱硬化性樹脂１７の硬化収縮に基づくベースフィルム１６と熱硬化性樹脂１７とのあいだにせん断応力Ｘが生じる。
【００５２】
このせん断応力Ｘが、樹脂１７の上面側から見てベースフィルム１６を凹状に曲げ、ベースフィルム１６を反らせようとする作用を生じさせる。
【００５３】
【実施例】
アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系およびウレタン系の４種類の熱硬化性樹脂を使って、ベースフィルムの反り観察実験を行なった。以下の実験結果（実験例１〜３）からつぎの（１）〜（３）の知見を得た。
【００５４】
（１）ベースフィルムの表面のソルダーレジストにウレタン系樹脂を使用する場合、裏面樹脂には、ウレタン系樹脂よりも収縮率の高いポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂を使用できることがわかった。
（２）ベースフィルムの表面のソルダーレジストにポリイミド系樹脂を使用する場合、裏面樹脂には、ポリイミド系樹脂よりも収縮率の高いエポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂を使用できることがわかった。
（３）ベースフィルムの表面のソルダーレジストにエポキシ系樹脂を使用する場合、裏面樹脂には、エポキシ系樹脂よりも収縮率の高いアクリル系樹脂を使用できることがわかった。
【００５５】
実施例１
実験条件
▲１▼ベースフィルムはポリイミド樹脂（厚さ３８μｍ）である。
▲２▼ベースフィルムの裏面の樹脂材質はアクリル系樹脂である。
アクリル系樹脂の熱硬化収縮率は０．０４〜０．０５×１０-3／℃である。
▲３▼ベースフィルム表面の樹脂材質はエポキシ系樹脂である。
【００５６】
エポキシ系樹脂の熱硬化収縮率は０．０２〜０．０３×１０-3／℃である。
【００５７】
実験結果
ベースフィルムの両面に塗布した樹脂を熱硬化させ、これの状態を観察した。ベースフィルムは、その裏面からみて凹状に曲げられた。
【００５８】
実施例２
実験条件
▲１▼ベースフィルムはポリイミド樹脂（厚さ３８μｍ）である。
▲２▼ベースフィルム裏面の樹脂材質はエポキシ系樹脂である。
エポキシ系樹脂の熱硬化収縮率は０．０２〜０．０３である。
▲３▼ベースフィルム表面の樹脂材質はポリイミド系樹脂である。
【００５９】
ポリイミド系樹脂の熱硬化収縮率はエポキシ系樹脂の熱硬化収縮率より小である。
【００６０】
実験結果
ベースフィルムの両面に塗布した樹脂を熱硬化させ、これの状態を観察した。ベースフィルムは、その裏面からみて凹状に曲げられた。
【００６１】
実施例３
実験条件
▲１▼ベースフィルムはポリイミド樹脂（厚さ３８μｍ）である。
▲２▼ベースフィルム裏面の樹脂材質はポリイミド系樹脂である。
▲３▼ベースフィルム表面の樹脂材質はウレタン系樹脂である。
ウレタン系樹脂の熱硬化収縮率はポリイミド系樹脂の熱硬化収縮率より小である。
【００６２】
実験結果
ベースフィルムの両面に塗布した樹脂を熱硬化させ、これの状態を観察した。ベースフィルムは、その裏面からみて凹状に曲げられた。
【００６３】
なお、本実施の形態では、熱硬化型樹脂を例に説明したが、本発明においては、これに限定されるものではなく、たとえばＵＶ硬化型樹脂を用いても同様の効果が得られる。
【００６４】
【発明の効果】
請求項１〜７にかかわる発明によれば、ベースフィルム表面の絶縁膜の硬化収縮率とその裏面の絶縁膜の硬化収縮率を異ならせることによって、ベースフィルムを反らせることができる。このため、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフィルムが得られる。
【００６５】
請求項８〜１３にかかわる発明によれば、ベースフィルム表面の半導体チップ領域内に第１の絶縁膜を形成し、それの裏面の半導体チップ領域内に第２の絶縁膜を形成し、第１および第２の絶縁膜の硬化収縮率を異ならせたため、ベースフィルムを反らすことができる。このため、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止してマウントを支障なく行ない得るとともに、端子接続パッドの平坦性を確保でき接続の信頼性が向上できるチップキャリアフィルムが得られる。
【００６６】
請求項１４〜１６にかかわる発明によれば、ベースフィルム表面の絶縁膜の硬化収縮率とその裏面の絶縁膜の硬化収縮率を異ならせることによって、ベースフィルムを反らせることができる。このため、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフィルムの製造方法が得られる。
【００６７】
請求項１７〜２４にかかわる発明によれば、ベースフィルム表面の絶縁膜の硬化収縮率とその裏面の絶縁膜の硬化収縮率を異ならせることによって、ベースフィルムを反らせることができる。このため、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、液晶表示パネルに支障なくマウントできる液晶表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本実施の形態で説明するＣＯＦの平面図である。
【図３】本実施の形態で説明するＣＯＦの断面図である。
【図４】図４の（ａ）は熱硬化性樹脂を塗布したベースフィルムにおける樹脂硬化前の状態を示す断面図であり、図４の（ｂ）は熱硬化性樹脂を塗布したベースフィルムにおける樹脂硬化後の状態を示す断面図である。
【図５】従来の技術として説明するＴＣＰの平面図である。
【図６】従来の技術として説明するＴＣＰのＡ−Ａ線拡大断面図である。
【図７】従来のＣＯＦの断面図である。
【符号の説明】
１ ゲートバス回路基板
２ ソースバス回路基板
３ ＣＯＦ
４ ドライバＩＣ
５ 液晶表示パネル
６ 半導体チップキャリア領域
７ 液晶表示装置
８、９ 端子接続パッド部
１０ インナーリード
１１、１６ ベースフィルム
１２ 金属配線
１３ ＩＣ接続パッド部
１４ ソルダーレジスト
１５ 裏面樹脂
１７ 熱硬化性樹脂
１８ 封止樹脂
【発明の属する技術分野】
本発明は、ベースフィルムの表面の絶縁膜の硬化収縮率と該フィルムの裏面の絶縁膜の硬化収縮率が異なるチップキャリアフィルムおよびその製造方法ならびにこのチップキャリアフィルムを使用した液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示パネルおよび回路基板の接続には、ドライバＩＣ搭載のフィルムを介して両者を繋ぐＴＣＰ（Tape Carrier Package）マウント方式が広く使用されている（たとえば、特開平７−１６９７９３号公報）。以下、特開平７−１６９７９３号公報を参酌して、ＴＣＰの構成の概略を説明する。図５にＴＣＰの平面図を、図６に図５のＡ−Ａ線拡大断面図を示す。ポリイミド製ベースフィルム２０に設けられたデバイス孔２１において、ドライバＩＣ２２はフィルム２０上の回路パターン（銅箔に錫メッキ）２３とバンプ接続される。回路パターン２３は、接着層２４を介してベースフィルム２０に形成され、この回路パターン２３の表面は、ソルダーレジスト２５によって覆われて保護されている。また、ドライバＩＣ２２の周囲には高信頼性樹脂（封止材）２６および補強樹脂２７が設けられている。なお、回路パターン２３は、接続端子パッド２８、２９およびそれらに繋がるインナーリード３０、３１を有している。
【０００３】
しかし、前記ＴＣＰにおいては、つぎのような課題があった。
（１）ファインピッチ（４０μｍピッチ相当）化
液晶表示パネルの高精細化が進むことによって、４０μｍピッチ相当のファインピッチ化の実現という高度な実装技術が望まれている。ここで、フィルムに形成された銅配線のファインピッチ化は、その厚さに密接に関係しており、具体的には、従来の銅配線の厚さ（１７〜３５μｍ）を１０μｍ程度まで薄膜化する必要があると考えられている。しかし一方、銅配線の厚さを薄くすると、図６中のバンプ接続部Ｂの銅配線が折れ曲がるという別の問題が顕在化し、ＴＣＰマウント方式によって微細ピッチは難しいと考えられている。
【０００４】
（２）製造コストの低減
液晶表示装置の狭額縁化の要求により、チップを搭載したフィルムは、これを折り曲げた状態で液晶表示装置内に収納される。ところが、ＴＣＰチップの製造プロセスの制約上、これに使われるフィルムの厚さ（７０μｍ程度）を薄くすることは困難なため、フィルムの折り曲げ部に特殊な加工を施すことを要し、このことが製造コストを上昇させていた。具体的には、折り曲げ部にスリットを設けたのち、折り曲げ部に補強樹脂を塗布する工程が必要である。
【０００５】
そこで、以上の課題を達成するために、ＴＣＰマウント方式に代えて、フィルムのデバイス孔をなくして、フィルムにドライバＩＣを表面実装させるＣＯＦ（chip on film）マウント方式が注目されている。そして、このＣＯＦにおいては、ベースフィルムの薄膜化（３５〜４０μｍ）も可能と考えられている。
【０００６】
図７は、ドライバＩＣを搭載した従来のＣＯＦの断面図である。ベースフィルム２０（ポリイミド）表面には、ドライバＩＣ２２に電気的に接続される回路パターン２３（銅箔表面に錫メッキ）が形成され、これをソルダーレジスト２５によって絶縁保護している。このソルダーレジスト２５を覆わない回路パターン２３の部位で、バンプ３２によりドライバＩＣ２２と回路パターン２３は接続されている。なお、バンプ接続部には封止材としての樹脂２６が施されている。このように、ＣＯＦ技術の特徴は、デバイス孔を用いることなくベースフィルム２０にドライバＩＣ２２を表面実装している点にある。
【０００７】
なお、特開平４−２１５４４８号公報には、チップキャリアのベースフィルムにデバイス孔を設けることなく、半導体チップが直接搭載できるＣＯＦマウント方式の基本概念が述べられている（第７欄第６〜１１行参照）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、既存のＣＯＦを使用する場合、つぎのような問題があることが判明した。１５インチ液晶表示パネルに接続されるＣＯＦの個数は、十数個もあり、ＣＯＦを液晶表示パネルにマウントする作業は高速自動装置で行なわれている。どころが、ベースフィルムの厚さを薄くしたため（３５〜４０μｍ）、フィルムが曲げられ易くなる。このことが、フィルムの搬送作業を極めて煩雑なものにしてしまい、製造上、大いに支障をきたすことがわかった。
【０００９】
より具体的には、高速自動装置を使用する場合、ベースフィルムの一方端を装置のアームで保持した状態で、該フィルムの他方端を液晶表示パネルにマウントすることが必要であるため、ドライバＩＣチップの自重によって剛性の低いベースフィルムは垂れてしまって、このことが液晶表示パネルに上手くマウントできないという事態に陥りやすい。
【００１０】
本発明は、前記のような問題を解決するためになされたもので、第１の目的は、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフィルムを提供するものである。
【００１１】
第２の目的は、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止でき、マウントを支障なく行ない得るとともに、端子接続の信頼性を向上できるチップキャリアフィルムを提供するものである。
【００１２】
第３の目的は、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフィルムの製造方法を提供するものである。
【００１３】
第４の目的は、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフィルムを使用した液晶表示装置を提供するものである。
【００１４】
なお、ＬＳＩを搭載したＴＣＰフィルム基材の反りの問題について、インナーリードを覆うソルダーレジストと同じ材質（エポキシ系樹脂）の樹脂をフィルム基材の裏面に塗布することにより解消できることが前記特開平７−１６９７９３号公報に開示されている（たとえば、公報６欄[００２８]参照）。しかし、この公報によれば、ソルダーレジストの材質と裏面樹脂の材質は同じエポキシ系樹脂であるため、硬化収縮率の相違点に基づきフィルム両面に形成された膜の特性を異ならせるという本願発明の技術的思想とまったく異なるものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明のチップキャリアフィルムは、ベースフィルムの表面に形成された金属配線、半導体チップ接続パッド部および端子接続パッド部を除き前記金属配線を覆う第１の絶縁膜、前記金属配線の前記半導体チップ接続パッド部に接続され前記ベースフィルムに搭載された半導体チップ、および前記ベースフィルムの裏面に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備えることを特徴とする。
【００１６】
なお、ここで、絶縁膜の硬化収縮率とは、絶縁膜が架橋剤によって硬化する際の体積の減少率をいう。
【００１７】
前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高いのが好ましい。
【００１８】
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜が熱硬化性樹脂からなるのが好ましい。
【００１９】
前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂であるのが好ましい。
【００２０】
前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂であるのが好ましい。
【００２１】
前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂であるのが好ましい。
【００２２】
前記ベースフィルムの厚さが３５〜４０μｍであるのが好ましい。
【００２３】
また本発明のチップキャリアフィルムは、ベースフィルムの表面の両端に設けられた端子接続パット部、前記両端の端子接続パッド部で挟まれた半導体チップキャリア領域、前記ベースフィルムの表面の半導体チップキャリア領域内に形成された第１の絶縁膜、前記ベースフィルムの裏面の前記半導体チップキャリア領域内に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備えることを特徴とする。
【００２４】
前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高いのが好ましい。
【００２５】
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜が熱硬化性樹脂からなるのが好ましい。
【００２６】
前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂であるのが好ましい。
【００２７】
前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂であるのが好ましい。
【００２８】
前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂であるのが好ましい。
【００２９】
また本発明のチップキャリアフィルムの製造方法は、ベースフィルムの表面に形成した金属膜をエッチングして金属配線を形成したのち、該金属配線を覆うように第１の絶縁膜を塗布し、ついで前記金属配線と接続させるために半導体チップを前記ベースフィルムに搭載させ、ついで前記ベースフィルムの裏面に、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を塗布し、つぎに第１および第２の絶縁膜を硬化させることを特徴とする。
【００３０】
前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高い硬化収縮率を有する前記第２の絶縁膜を塗布したのち、これらの絶縁膜を硬化させるのが好ましい。
【００３１】
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を加熱によって硬化させるのが好ましい。
【００３２】
さらに本発明の液晶表示装置は、ベースフィルムの表面に形成された金属配線、半導体チップ接続パッド部および端子接続パッド部を除き前記金属配線を覆う第１の絶縁膜、前記金属配線の前記半導体チップ接続パッド部に接続され前記ベースフィルムに搭載された半導体チップ、前記金属配線の前記端子接続パッド部に接続された回路基板および液晶表示パネル、前記ベースフィルムの裏面に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備えることを特徴とする。
【００３３】
前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高いのが好ましい。
【００３４】
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜が熱硬化性樹脂からなるのが好ましい。
【００３５】
前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂であるのが好ましい。
【００３６】
前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂であるのが好ましい。
【００３７】
前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂であるのが好ましい。
【００３８】
前記端子接続パッド部が前記ベースフィルムの両端に設けられており、該端子接続パッド部の一方端は前記回路基板に接続され、端子接続パッド部の他方端は前記液晶表示パネルに接続されているのが好ましい。
【００３９】
前記ベースフィルムの厚さが３５〜４０μｍであるのが好ましい。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて、本発明のチップキャリアフィルムおよびその製造方法ならびにこのチップキャリアフィルムを使用した液晶表示装置を説明する。
【００４１】
図１はＣＯＦ（chip on film）を介して回路基板と液晶表示パネルを接続した液晶表示装置の斜視図である。図２は図１におけるＣＯＦの拡大平面図である。図３は図２のＩ−Ｉ線断面図である。
【００４２】
図１におけるゲートバス回路基板１およびソースバス回路基板２は、パソコン本体のコントローラからＲＧＢデータやクロックの信号を受け取る。これらの回路基板１、２は、ＡＣＦ(Anisotoropic Conductive Film：異方性導電膜)または半田によって、ドライバＩＣ４を搭載したＣＯＦ３の金属配線１２の入力側端子の接続パッド部１３に接続されている。また液晶表示パネル５は、ＡＣＦによってＣＯＦ３の金属配線１２の出力側端子接続パッド部に接続される。図２に示すように、金属配線１２の端子接続パッド部８、９は、ＣＯＦ３の両端に配置されている。これらの端子接続パッド部８、９を挟んだ半導体チップキャリア領域内６において、ドライバＩＣ４が金属配線１２のＩＣ接続パッド部１３でバンプ接続されている。このようにして、図１に示された液晶表示装置７が得られる。なお、ドライバＩＣ４の周囲には封止樹脂１８が設けられている。
【００４３】
図３を用いてＣＯＦの構成およびその製法をより詳しく説明する。
【００４４】
ポリイミド製ベースフィルム１１の表面に反応性イオン、中性イオン、電子または光子のいずれかを照射して、この表面を粗面化する。ついで、このフィルムに銅箔を設けて、この銅箔に無電解メッキ法で錫メッキしたのち、銅箔と錫メッキの２層金属膜をエッチングすることで金属配線１２を形成する。
【００４５】
つぎに、金属配線１２のうちインナーリード１０を絶縁保護するため、端子接続パッド部８、９およびＩＣ接続パッド部１３を除く金属配線１２をほぼ完全に覆うようソルダーレジスト１４（図１および図２において斜線で図示している）を硬化後の厚さで約２５μｍ程度となるよに、スクリーン印刷法で形成している。このため、端子接続パッド部８、９、および半導体ＩＣ接続パッド部１３の金属配線１２は、ソルダーレジスト１４に覆われることなく露出している。そして、ドライバＩＣ４は、ＩＣ接続パッド部１３でバンプによって金属配線１２と接続され、ベースフィルム１１上に表面実装されている。さらに、ドライバＩＣ４と金属配線１２の接続を保護し、両者の熱膨張率の差異に起因する熱応力を緩和する目的で、封止樹脂１８がドライバＩＣ４の周囲に設けられている。
【００４６】
本実施の形態の特徴は、ベースフィルム１１の裏面（ソルダーレジスト１４の形成された面と反対面）に、ソルダーレジスト１４よりも熱硬化収縮率の高い熱裏面樹脂１５（図３においてドットで図示している）を、硬化後の厚さで約２５μｍ程度となるように、スクリーン印刷法で形成していることにある。
【００４７】
なお、ここで、前記回路基板１、２や液晶表示パネル５の外部回路と接続される端子接続パッド部８、９を平坦に保つことは、端子部の接続信頼性を図る上で極めて重要である。このため、裏面樹脂１５は、接続端子パット部８、９を覆わないように、端子接続パッド部８、９で挟まれたチップキャリア領域１７内であってベースフィルム１１の裏面に形成する必要がある。また、ソルダーレジスト１４も、同様にチップキャリア領域１７内に形成する必要がある。
【００４８】
仮に裏面樹脂１５がなければ、フィルム裏面一端を自動搬送のアームで保持すると、ベースフィルム１１の厚さが３５〜４０μｍと薄膜であるため、ドライバＩＣ４の自重でベースフィルム１１は垂れてしまう。この現象を回避するため、ベースフィルム１１のソルダーレジスト１４よりも熱硬化収縮率の高い裏面樹脂１５を塗布して硬化させる。こうすると、ソルダーレジスト１４の熱硬化収縮よりも裏面樹脂１５の熱硬化収縮が打ち勝って、ベースフィルム１１を裏面からみて凹状に反らせることができる。したがって、裏面樹脂１５の熱硬化収縮に起因するベースフィルム１１の反りと、搬送時のドライバＩＣ自重によるベースフィルム１１の垂れが打ち消しあって、ＣＯＦ３を水平に保って、液晶表示パネル５にスムーズにＣＯＦ３をマウントできる。
【００４９】
以下、樹脂の収縮によってベースフィルムを反らすメカニズムを説明する。
【００５０】
図４の（ａ）は熱硬化性樹脂を塗布したベースフィルムにおける樹脂硬化前の状態を示す断面図であり、図４の（ｂ）は熱硬化性樹脂を塗布したベースフィルムにおける樹脂硬化後の状態を示す断面図である。
【００５１】
加熱を加えて架橋剤を反応させて、図４の（ａ）の熱硬化性樹脂１７を熱硬化させると、この硬化過程で樹脂は体積収縮する。すなわち、図４の（ｂ）に示すように、ベースフィルム１６との界面を除いて熱硬化性樹脂１７全体が所定の熱硬化収縮率に基づいて熱収縮する。ところが、熱硬化性樹脂１７とベースフィルム１６の界面については、熱硬化性樹脂１７はベースフィルム１６に密着して自由に収縮できずに、熱硬化性樹脂１７の硬化収縮に基づくベースフィルム１６と熱硬化性樹脂１７とのあいだにせん断応力Ｘが生じる。
【００５２】
このせん断応力Ｘが、樹脂１７の上面側から見てベースフィルム１６を凹状に曲げ、ベースフィルム１６を反らせようとする作用を生じさせる。
【００５３】
【実施例】
アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系およびウレタン系の４種類の熱硬化性樹脂を使って、ベースフィルムの反り観察実験を行なった。以下の実験結果（実験例１〜３）からつぎの（１）〜（３）の知見を得た。
【００５４】
（１）ベースフィルムの表面のソルダーレジストにウレタン系樹脂を使用する場合、裏面樹脂には、ウレタン系樹脂よりも収縮率の高いポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂を使用できることがわかった。
（２）ベースフィルムの表面のソルダーレジストにポリイミド系樹脂を使用する場合、裏面樹脂には、ポリイミド系樹脂よりも収縮率の高いエポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂を使用できることがわかった。
（３）ベースフィルムの表面のソルダーレジストにエポキシ系樹脂を使用する場合、裏面樹脂には、エポキシ系樹脂よりも収縮率の高いアクリル系樹脂を使用できることがわかった。
【００５５】
実施例１
実験条件
▲１▼ベースフィルムはポリイミド樹脂（厚さ３８μｍ）である。
▲２▼ベースフィルムの裏面の樹脂材質はアクリル系樹脂である。
アクリル系樹脂の熱硬化収縮率は０．０４〜０．０５×１０-3／℃である。
▲３▼ベースフィルム表面の樹脂材質はエポキシ系樹脂である。
【００５６】
エポキシ系樹脂の熱硬化収縮率は０．０２〜０．０３×１０-3／℃である。
【００５７】
実験結果
ベースフィルムの両面に塗布した樹脂を熱硬化させ、これの状態を観察した。ベースフィルムは、その裏面からみて凹状に曲げられた。
【００５８】
実施例２
実験条件
▲１▼ベースフィルムはポリイミド樹脂（厚さ３８μｍ）である。
▲２▼ベースフィルム裏面の樹脂材質はエポキシ系樹脂である。
エポキシ系樹脂の熱硬化収縮率は０．０２〜０．０３である。
▲３▼ベースフィルム表面の樹脂材質はポリイミド系樹脂である。
【００５９】
ポリイミド系樹脂の熱硬化収縮率はエポキシ系樹脂の熱硬化収縮率より小である。
【００６０】
実験結果
ベースフィルムの両面に塗布した樹脂を熱硬化させ、これの状態を観察した。ベースフィルムは、その裏面からみて凹状に曲げられた。
【００６１】
実施例３
実験条件
▲１▼ベースフィルムはポリイミド樹脂（厚さ３８μｍ）である。
▲２▼ベースフィルム裏面の樹脂材質はポリイミド系樹脂である。
▲３▼ベースフィルム表面の樹脂材質はウレタン系樹脂である。
ウレタン系樹脂の熱硬化収縮率はポリイミド系樹脂の熱硬化収縮率より小である。
【００６２】
実験結果
ベースフィルムの両面に塗布した樹脂を熱硬化させ、これの状態を観察した。ベースフィルムは、その裏面からみて凹状に曲げられた。
【００６３】
なお、本実施の形態では、熱硬化型樹脂を例に説明したが、本発明においては、これに限定されるものではなく、たとえばＵＶ硬化型樹脂を用いても同様の効果が得られる。
【００６４】
【発明の効果】
請求項１〜７にかかわる発明によれば、ベースフィルム表面の絶縁膜の硬化収縮率とその裏面の絶縁膜の硬化収縮率を異ならせることによって、ベースフィルムを反らせることができる。このため、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフィルムが得られる。
【００６５】
請求項８〜１３にかかわる発明によれば、ベースフィルム表面の半導体チップ領域内に第１の絶縁膜を形成し、それの裏面の半導体チップ領域内に第２の絶縁膜を形成し、第１および第２の絶縁膜の硬化収縮率を異ならせたため、ベースフィルムを反らすことができる。このため、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止してマウントを支障なく行ない得るとともに、端子接続パッドの平坦性を確保でき接続の信頼性が向上できるチップキャリアフィルムが得られる。
【００６６】
請求項１４〜１６にかかわる発明によれば、ベースフィルム表面の絶縁膜の硬化収縮率とその裏面の絶縁膜の硬化収縮率を異ならせることによって、ベースフィルムを反らせることができる。このため、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフィルムの製造方法が得られる。
【００６７】
請求項１７〜２４にかかわる発明によれば、ベースフィルム表面の絶縁膜の硬化収縮率とその裏面の絶縁膜の硬化収縮率を異ならせることによって、ベースフィルムを反らせることができる。このため、搬送装置によってベースフィルムを保持する際に半導体チップの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、液晶表示パネルに支障なくマウントできる液晶表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本実施の形態で説明するＣＯＦの平面図である。
【図３】本実施の形態で説明するＣＯＦの断面図である。
【図４】図４の（ａ）は熱硬化性樹脂を塗布したベースフィルムにおける樹脂硬化前の状態を示す断面図であり、図４の（ｂ）は熱硬化性樹脂を塗布したベースフィルムにおける樹脂硬化後の状態を示す断面図である。
【図５】従来の技術として説明するＴＣＰの平面図である。
【図６】従来の技術として説明するＴＣＰのＡ−Ａ線拡大断面図である。
【図７】従来のＣＯＦの断面図である。
【符号の説明】
１ ゲートバス回路基板
２ ソースバス回路基板
３ ＣＯＦ
４ ドライバＩＣ
５ 液晶表示パネル
６ 半導体チップキャリア領域
７ 液晶表示装置
８、９ 端子接続パッド部
１０ インナーリード
１１、１６ ベースフィルム
１２ 金属配線
１３ ＩＣ接続パッド部
１４ ソルダーレジスト
１５ 裏面樹脂
１７ 熱硬化性樹脂
１８ 封止樹脂
Claims (24)
- ベースフィルムの表面に形成された金属配線、半導体チップ接続パッド部および端子接続パッド部を除き前記金属配線を覆う第１の絶縁膜、前記金属配線の前記半導体チップ接続パッド部に接続され前記ベースフィルムに搭載された半導体チップ、および前記ベースフィルムの裏面に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備えることを特徴とするチップキャリアフィルム。
- 前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高い請求項１記載のチップキャリアフィルム。
- 前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜が熱硬化性樹脂からなる請求項１または２記載のチップキャリアフィルム。
- 前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂である請求項１、２または３記載のチップキャリアフィルム。
- 前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂である請求項１、２または３記載のチップキャリアフィルム。
- 前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂である請求項１、２または３記載のチップキャリアフィルム。
- 前記ベースフィルムの厚さが３５〜４０μｍである請求項１、２、３、４、５または６記載のチップキャリアフィルム。
- ベースフィルムの表面の両端に設けられた端子接続パット部、前記両端の端子接続パッド部で挟まれた半導体チップキャリア領域、前記ベースフィルムの表面の半導体チップキャリア領域内に形成された第１の絶縁膜、前記ベースフィルムの裏面の前記半導体チップキャリア領域内に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備えることを特徴とするチップキャリアフィルム。
- 前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高い請求項８記載のチップキャリアフィルム。
- 前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜が熱硬化性樹脂からなる請求項８または９記載のチップキャリアフィルム。
- 前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂である請求項８、９または１０記載のチップキャリアフィルム。
- 前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂である請求項８、９または１０記載のチップキャリアフィルム。
- 前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂である請求項８、９または１０記載のチップキャリアフィルム。
- ベースフィルムの表面に形成した金属膜をエッチングして金属配線を形成したのち、該金属配線を覆うように第１の絶縁膜を塗布し、ついで前記金属配線と接続させるために半導体チップを前記ベースフィルムに搭載し、ついで前記ベースフィルムの裏面に、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率と硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を塗布し、つぎに第１および第２の絶縁膜を硬化させることを特徴とするチップキャリアフィルムの製造方法。
- 前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高い硬化収縮率を有する前記第２の絶縁膜を塗布したのち、第１および第２の絶縁膜を硬化させる請求項１４記載のチップキャリアフィルムの製造方法。
- 前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を加熱によって硬化させる請求項１４または１５記載のチップキャリアフィルムの製造方法。
- ベースフィルムの表面に形成された金属配線、半導体チップ接続パッド部および端子接続パッド部を除き前記金属配線を覆う第１の絶縁膜、前記金属配線の前記半導体チップ接続パッド部に接続され前記ベースフィルムに搭載された半導体チップ、前記金属配線の前記端子接続パッド部に接続された回路基板および液晶表示パネル、前記ベースフィルムの裏面に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備えることを特徴とする液晶表示装置。
- 前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高い請求項１７記載の液晶表示装置。
- 前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜が熱硬化性樹脂からなる請求項１７または１８記載の液晶表示装置。
- 前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂である請求項１７、１８または１９記載の液晶表示装置。
- 前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂である請求項１７、１８または１９記載の液晶表示装置。
- 前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂である請求項１７、１８、１９記載の液晶表示装置。
- 前記端子接続パッド部が前記ベースフィルムの両端に設けられており、該端子接続パッド部の一方端は前記回路基板に接続され、端子接続パッド部の他方端は前記液晶表示パネルに接続されている請求項１７、１８、１９、２０、２１または２２記載の液晶表示装置。
- 前記ベースフィルムの厚さが３５〜４０μｍである請求項１７、１８、１９、２０、２１、２２または２３記載の液晶表示装置。
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