JP3685306B2 - ２波長半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents

２波長半導体レーザ素子及びその製造方法 Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、波長、発光点、ビーム形状、出射パワー、縦モード等の異なる特性を有する２つのレーザ光を印加電圧の方向を切り替えることによって選択出射可能な半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザ素子は、ＣＤやＤＶＤプレーヤなどの光情報記録機器に広く採用されている。そしてこの光ピックアップに用いられる半導体レーザ素子は、光情報記録機器の情報記録密度等の違いによって異なっている。例えばＣＤプレーヤでは波長780nmの赤外半導体レーザ素子が、ＤＶＤプレーヤでは波長650nmの赤色半導体レーザ素子が、また単位面積当たりの情報記録容量を上げた改良型ＤＶＤのＨＤ−ＤＶＤプレーヤでは波長410nmの青色半導体レーザ素子が使用されている。
【０００３】
図１に示すように、光ピックアップに用いられている従来のリッジ型半導体レーザ素子は、例えば、基板101の上にｎ型半導体層102、ｎ型半導体クラッド層103、活性層104、ｐ型半導体クラッド層105、ｐ型半導体コンタクト層106を順次積層して、さらにｐ型電極107及びｎ型電極108をｐ型半導体コンタクト層106及びｎ型半導体層102上にそれぞれ形成した多層構造体からなっていた。該多層構造において、各層の材料及び厚さ等を適宜選択することで発振するレーザ波長等の発光特性を変化させることができる。例えば、半導体層にAlGaAs系の材料を選択すれば780nm近傍の赤外域の波長で、AlGaInP系であれば650nm近傍の波長で、GaN系であれば400nm近傍の波長で発振するのである。
【０００４】
ところで、上記したような半導体レーザは、あらかじめ決められた単一の波長においてのみ発振するものである。そこで、例えば、ＣＤ及びＤＶＤディスクのいずれであっても再生動作可能なコンパチブルプレーヤにおいては、以下のような再生機構が採用されてきた。すなわち、１）光ディスクの種類に対応した半導体レーザ素子を有するピックアップを複数個、プレーヤ内部に具備し、これによって再生動作を行う、２）波長の異なる半導体レーザ素子を１つのピックアップパッケージ内に複数個並べて載置し、光ディスク毎に発光させるレーザ素子を切り替えて再生動作を行う、といった方法である。
【０００５】
しかしながら、１）の方法では、ピックアップごとに駆動機構を設ける必要があるため、装置が大型化し、また製造コストが上昇してしまうといった問題があった。また、２）の方法では、ピックアップの１つのレンズに複数のレーザ素子からの光を結合させるためにレーザ素子の発光スポットの間隔を非常に狭く調整しなければならない。これには基板上に各レーザ素子を正確に位置決めする非常に煩雑な製造工程を含み、やはり製造コストを上昇させる原因となっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、基板上に単一の波長を発する半導体レーザ素子を複数個並べて載置するのではなく、単一の素子でありながら複数の波長のレーザ光を発することができる半導体レーザ素子が望まれた。また、波長だけでなく、発光点、ビーム形状、出射パワー、縦モード等の異なるレーザ発光特性の光を単一の素子で得ることができる半導体レーザ素子が望まれた。そこで本発明は、上述のような異なる発光特性の２つのレーザ光を発生することができる半導体レーザ素子及びその製造方法を与えることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体レーザ素子は、少なくともｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層の順に積層された多層構造体と、ｐ側電極及びｎ側電極と、を有するリッジ型構造を有する第１及び第２レーザ部を含む半導体レーザ素子であって、前記第１レーザ部のｐ側電極及びｎ側電極がそれぞれ前記第２レーザ部のｎ側電極及びｐ側電極と接続層を介して電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００８】
さらに、本発明によるレーザ半導体素子の製造方法であって、レーザアセンブリを形成するステップは、基板上に少なくともｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層を積層した多層構造体を形成するステップと、前記多層構造体の頂部から一部を除去して前記ｎ型半導体層を露出するようにストライプ状のリッジを形成するステップと、前記リッジの頂部及び谷部にそれぞれ第１及び第２電極を形成してレーザアセンブリを形成するステップと、からなり、前記レーザアセンブリを形成するステップを繰り返して第１及び第２の２つのレーザアセンブリを用意し、前記第１レーザアセンブリの前記第１及び前記第２電極を前記第２レーザアセンブリのそれぞれ前記第２及び前記第１電極にその間に融着材を介して対向させて位置合わせをするステップと、前記第１及び第２のレーザアセンブリを密着せしめ、前記融着材を溶解させて第１及び第２のレーザアセンブリを融着せしめるステップと、前記第１及び第２のレーザアセンブリから前記基板のうち少なくとも絶縁性の基板を除去するステップと、前記第１及び第２のレーザアセンブリの前記ｎ型半導体層の底部に電極を形成するステップと、からなることを特徴とする
【０００９】
【発明の実施の形態】
図２に示すように、本発明による半導体レーザ素子は、第１レーザ部と第２レーザ部とからなる。
第１レーザ部は、リッジ構造を有する窒化ガリウム（GaN）系レーザであって、ｎ型GaN層11上に、ｎ型AlGaNクラッド層12、活性層13、ｐ型AlGaNクラッド層14、ｐ型GaNコンタクト層15が順次積層された多層構造体からなる。リッジ頂部のコンタクト層15及びリッジ谷部のｎ型GaN層11の一部にそれぞれ窓51、52を形成して、それ以外の多層構造体の頂部をシリカ（SiO2）の如き絶縁層16が覆っている。さらに、窓51を介してニッケル（Ni）電極層31がコンタクト層15上に、また、窓52を介してチタン-金（Ti/Au）電極層32がｎ型GaN層11上に配されている。
【００１０】
第２レーザ部は、リッジ構造を有するアルミニウム-ガリウム-ヒ素（AlGaAs）系レーザであって、ｎ型GaAs基板21上に、ｎ型AlGaAsクラッド層22、活性層23、ｐ型AlGaAsクラッド層24、ｐ型GaAsコンタクト層25が順次積層された多層構造体からなる。リッジ谷部のｎ型GaAs基板21及びリッジ頂部のｐ型GaAsコンタクト層25の一部にそれぞれ窓53、54を形成して、それ以外の多層構造体の頂部をSiO2の如き絶縁層16が覆っている。さらに、窓53を介して金−ゲルマニウム（Au-Ge）合金電極層33、窓54を介してクロム（Cr）電極層34がそれぞれｎ型GaAs基板21及びｐ型GaAsコンタクト層25上に配されている。
【００１１】
そして、第１レーザ部のｐ側電極及びｎ側電極がそれぞれ前記第２レーザ部のｎ側電極及びｐ側電極と電気的に接続されている。かかる接続は、各電極間に接続層を挿入することによって素子の機械強度を保つことが出来て好ましい。第１レーザ部のNi電極層31と第２レーザ部のAu-Ge合金電極層33は、金−錫（Au-Sn）合金層35によって接続されている。また、第１レーザ部のTi/Au電極層32と第２レーザ部のCr電極層34は、Au-Sn合金層35によって接続されている。
【００１２】
さらに、第１レーザ部のｎ型GaN層11において絶縁層16の配された面と反対側の面には、Ti/Au電極60が配されている。この電極はチタン-アルミニウム（Ti/Al）を材料としてもよい。同様に第２レーザ部のｎ型GaAs基板21において絶縁層16の配された面と反対側の面には、Au-Ge電極61が配されている。
以上の如き構成によって、図３の等価回路に示すように、第１レーザ部及び第２レーザ部は、それぞれＤ1及びＤ2のダイオードを形成している。そして、この２つのダイオードは、互いの極性を逆向きにして結合した回路を構成している。故に、Ｉ1方向に電流が流れるときは第１レーザ部が発光し、逆に矢印Ｉ2方向に電流が流れるときは第２レーザ部が発光するのである。
【００１３】
また、図４に示すように、第１レーザ部と第２レーザ部の間、例えば接続層に半導体-金属接合によるショットキーバリヤをレーザの動作方向と順方向になるように形成して、ｐｎダイオードと比べて順方向電圧の小さいショットキーダイオードＤschottを含ませた構成であってもよい。この場合、半導体レーザＤ2の動作時に半導体レーザＤ1の逆耐圧が補償できて好ましいのである。ショットキーダイオードは、第１及び第２レーザ部を接続する２つの接続層のどちらか一方、若しくは双方に形成することが出来る。
【００１４】
図５に示すように、本発明による他の半導体レーザは、ショットキーダイオードが半導体レーザ部に形成された半導体レーザ素子である。
第１レーザ部は、リッジ構造を有する窒化ガリウム（GaN）系レーザであって、ｎ型GaN層11上に、ｎ型AlGaNクラッド層12、ｎ型AlGaNガイド層17、活性層13、ｐ型AlGaNガイド層18、ｐ型AlGaNクラッド層14、ｐ型GaNコンタクト層15が順次積層された多層構造体からなる。リッジ頂部のコンタクト層15及びリッジ谷部のｎ型GaN層11の一部にそれぞれ窓51、52を形成して、それ以外の多層構造体の頂部をシリカ（SiO2）の如き絶縁層16が覆っている。さらに、窓51を介してニッケル／金（Ni/Au）電極層36がｐ型GaNコンタクト層15上に、また、窓52を介してTi/Au電極層32がｎ型GaN層11上に配されている。
【００１５】
第２レーザ部は、リッジ構造を有するアルミニウム-ガリウム-ヒ素（AlGaAs）系レーザであって、ｎ型GaAs基板21上に、ｎ型AlGaAsクラッド層22、ｎ型AlGaAsガイド層26、活性層23、ｐ型AlGaAsガイド層27、ｐ型AlGaAsクラッド層24、ｐ型GaAsコンタクト層25が順次積層された多層構造体からなる。ｐ型GaAsコンタクト層25には、ｐ型不純物が1019〜10201/cc程度の濃度で添加されている。また、コンタクト層25は、レーザ共振器形成方向（図５の紙面の法線方向）と平行方向にストライプ状のリッジを形成しており、該リッジの両側部にはｎ型AlGaAs電流狭窄層28が配されている。ここでリッジは、ｐ型AlGaAsクラッド層24をその一部に含んでいても良い。さらに、リッジ谷部のｎ型GaAs基板の一部に窓53を形成して、リッジ頂部のｐ型GaAsコンタクト層25及びｎ型AlGaAs電流狭窄層28の一部の上にも窓54を形成し、またそれ以外の多層構造体の頂部を絶縁層16が覆っている。そして、窓53を介して、Au-Ge合金電極層33がｎ型GaAs基板21上に配されている。また、窓54を介して、ｐ型GaAsコンタクト層25上にCr電極層34、Pt中間層37が配されている。さらに、Cr電極層34及びPt中間層37を電流狭窄層28上に封止するようにしてAu-Ge合金層33aが配されている。さらに、Au-Ge合金層33aは、電流狭窄層28上に封止されるようにして絶縁層16aが配されている。そして、Pd電極層38が、電流狭窄層28の一部に接し且つ絶縁層16aを覆って、窓54を埋めるようにして配されている。
【００１６】
そして、第１レーザ部のNi/Au電極層36と、第２レーザ部のAu-Ge合金電極層33がAu-Sn合金層35によって接続されている。また、第１レーザ部のTi/Au電極層32と、第２レーザ部のPd電極層38がAu-Sn合金層35によって接続されている。
さらに、第１レーザ部のｎ型GaN層11において、絶縁層16が配された面と反対側の面にTi/Al若しくはTi/Auからなる電極60が配されている。同様に第２レーザ部のｎ型GaAs基板21において絶縁層16の配された面と反対側の面にはAu-Ge電極61が配されている。
【００１７】
かかる構成において、図４の等価回路に示すように、ダイオードＤ2を形成する第２レーザ部の逆耐圧をダイオードＤschottによって補償することができるのである。図４の矢印Ｉ2方向に電流が流れるように電圧が付加されたときを図６に示す。Au-Sn合金層35、Pd電極層38を介して、電流狭窄層28に電流が流れる。ここで、Pd電極層38は、ｎ型AlGaAs電流狭窄層28とショットキーダイオードＤschottを形成するが、順方向のバイアスであって、電流は、矢印71の方向に流れるのである。さらに、Au-Ge層33aとｎ型AlGaAs電流狭窄層28は、オーミック接触であって、故に電流は、矢印72の方向に流れる。さらに、上述したようにｐ型GaAsコンタクト層25には、Ｐ型不純物がドーピングされていて、金属的な電気状態を有しているため、Cr電極層34とｐ型GaAsコンタクト層25は、オーミック接触を形成し、電流は、矢印73の方向に流れる。以上のようにして、第２レーザ部に電流が流れるのである。
【００１８】
一方、図４の矢印Ｉ1方向に電流が流れるように電圧が付加されたときは、第１レーザ部に電流が流れる。つまり、上述したPd電極層38とｎ型AlGaAs電流狭窄層28からなるショットキーダイオードに逆方向のバイアス電流となるため、これを遮断する。かかる構成によって、例えば、GaN系の第１レーザ部を動作させるために負荷される３（理論限界値）〜６Ｖといった、GaAs系の第２レーザ部の保償逆耐電圧を越える電圧の負荷から第２レーザ部を保護できるのである。上述の如きショットキーダイオードを形成する構造は、第１レーザ部上に適宜、形成してもよい。
【００１９】
本発明による半導体レーザ素子は、第１及び第２レーザ部の組み合わせが、GaN系レーザとGaAs系レーザの組に限定されるものではない。例えば、AlInGaP系レーザ、GaAs系レーザ、GaN系レーザ、InP系レーザ等から選択される２つのレーザであってもよい。また、同一の材料系からなるレーザ素子を組み合わせても良い。この場合、印加電圧の方向を変えることでレーザの発光位置をシフトできて好ましい。すなわち、材料系や特性の異なるレーザを適宜、選択して組み合わせることにより、波長、発光点、ビーム形状、出射パワー、縦モード等の異なるレーザ光を印加電圧の方向を変えることで得ることが出来るのである。
【００２０】
次に、以下に本発明による窒化物半導体レーザ素子の製造方法について詳述する。
図７に示すように、第１及び第２レーザ部の多層構造体を構成する第１多層構造体１及び第２多層構造体２は、有機金属気相成長法（MOCVD法）によって、それぞれ別個に作製される。
【００２１】
第１多層構造体１は、MOCVD反応炉内にサファイア基板10を載置し、該炉内に原料ガスを順次導入して、ｎ型GaN層11、ｎ型AlGaNクラッド層12、活性層13、ｐ型AlGaNクラッド層14、ｐ型GaNコンタクト層15を順に積層して得られる。
一方、第２多層構造体２は、ｎ型GaAs基板21上に、ｎ型AlGaAsクラッド層22、活性層23、ｐ型AlGaAsクラッド層24、ｐ型GaAsコンタクト層25を順に積層して得られる。
【００２２】
図８及び図９に示すように、第１及び第２多層構造体１、２の成膜面をストライプ状にマスキングして、第１多層構造体にはRIE（反応性イオンエッチング）、第２多層構造体には化学エッチングを行ってリッジを形成する。マスキングされていない部分がエッチングされて、最後にマスキングを除去するとリッジとなるのである。このときリッジの長手方向、すなわち矢印方向３及び３’がレーザの共振器を構成する方向であって、第１多層構造体１においては矢印方向３がｎ型GaN層11の結晶の＜11-00＞または＜11-20＞方向となるように、第２多層構造体２においては矢印方向３’が、GaAs結晶の＜110＞方向となるようにリッジを形成する。後述するように、第１及び第２多層構造体１、２は、互いに対向させて組み合わせたときに密着できるように、リッジの高さは第１及び第２多層構造体１、２ともに等しく、また第１多層構造体１のリッジの幅は、第２多層構造体２のリッジ間の幅に、逆に第２多層構造体２のリッジの幅は、第１多層構造体１のリッジ間の幅となるようにする。
【００２３】
さらに、第１多層構造体１のリッジの頂部1a及びリッジとリッジの間の谷部1b、第２多層構造体２のリッジの頂部2a及び谷部2bの一部をリッジの延在する方向にストライプ状のマスキングを施して、SiO2をそれぞれその上から成膜して絶縁層16を形成する。最後にマスキングを除去して、第１多層構造体１のリッジの頂部1a及び谷部1bに、ｐ型GaNコンタクト層15及びｎ型GaN層11がそれぞれ裸出する窓51及び52を形成する。また同様に第２多層構造体２のリッジの頂部2a及び谷部2bに、ｐ型GaAsコンタクト層25及びｎ型GaAs基板21が裸出する窓部53及び54をそれぞれ形成する。
【００２４】
第１多層構造体１の上には、さらに窓51を介してｐ型GaNコンタクト層15上にNi電極層31／Au中間層35a／Au-Sn合金層35を順に積層する。また、窓52を介してｎ型GaN層11上にTi/Au電極層32／Au中間層35a／Au-Sn合金層35を順に積層する。第２多層構造体２の上には、窓53を介してｎ型GaAs基板21上にAu-Ge合金層33／Au中間層35aを、また、窓54を介してｐ型AlGaAs層25上にCr電極層34／Au中間層35aをこの順に積層する。この第２多層構造体２は、345℃で５分間のアニールを行って、Au-Ge合金電極層33／ｎ型GaAs基板21のアロイングを行ってオーミック性を改善する。
【００２５】
以上のようにして調製した第１及び第２多層構造体１、２を、互いに成膜面に形成された窓51と53及び52と54とが対向するようにつきあわせて、すなわち第１多層構造体１のリッジの頂部1aと第２多層構造体２のリッジの谷部2bが、また第１多層構造体１のリッジの谷部1bと第２多層構造体２のリッジの頂部2aが対向するように組み合わせてジグ（図示せず）にてこれを圧着する。かかる場合において、第１及び第２多層構造体１、２にリッジの作製と同時にマーカ４及び４'をあらかじめエッチングによって設けておいて、これをつきあわせて位置決めを行うと精度良く圧着が出来て好ましい。
【００２６】
図10に示すように、ジグに第１及び第２多層構造体１、２を挟んで圧着したまま、窒素雰囲気若しくは窒素＋水素（5〜10％）雰囲気中でAu-Sn合金の共晶温度である278℃以上に加熱すると、Au中間層35aは、Au-Sn合金層35に取り込まれて第１及び第２多層構造体１、２を融着せしめられる。
次に、第１多層構造体１からラッピング装置で導電性を有しないサファイア基板10を削り取る。ここで、サファイア基板10の除去は、上下両面が鏡面のサファイア基板10を用いることにより、サファイア基板10の半導体層を積層された面と反対側の面から200〜300nmの波長を有するレーザ光を当てる。該波長のレーザ光に対して、サファイアは透明であるが、GaNはこれを強く吸収するため、GaN／サファイア界面はレーザ光を吸収して発熱し、GaNは金属Gaと窒素に分解する。金属Gaの融点は室温程度であるため、基板を40℃程度に加熱すると金属Gaが溶解してサファイア基板10が剥がれるのである。こうして得られたサファイア基板10を取り除いた面を仕上げ研磨して、この上にチタン／金（チタン／アルミであってもよい）電極60を蒸着する。
【００２７】
また、導電性を有する第２多層構造体２のｎ型GaAs基板21は、導電性の観点からその厚さを薄くすることが好ましいが、一方で強度の低下をも考慮して、ラッピング装置で、その厚さを100μm程度になるまで研磨する。砥粒はアルミナ、シリコンカーバイト等が好ましい。研磨後、その表面を酸で少量だけエッチングして加工ダメージ層を除去し、この上にAu-Ge合金からなる電極61を蒸着する。電極のオーミック性改善のために300℃程度の温度で加熱処理を行う。この加熱処理の温度は、第１及び第２多層構造体１、２の融着の劣化が生じない程度の温度で行う。
【００２８】
図11に示すように、得られた第１及び第２多層構造体１、２の融着体、すなわちレーザウェハから半導体レーザチップ81を小割りする。第２多層構造体２の側を上にして、リッジの長手方向と平行に延在する端部にレーザ共振器の長さに相当するピッチでダイヤモンドのポイントでスクライブ82を入れる。スクライブ82を基点にGaAs結晶及びGaN結晶の劈開を利用してバー状体83を得る。劈開面にはパッシベーション膜（兼反射コート）を施す。さらに、バー状体83にチップ毎にスクライブ84を入れて劈開してチップ81を得る。
【００２９】
以上のようにして得られた素子において、GaN及びGaAsの熱伝導率はそれぞれ1.3W/cmKと0.46W/cmKであるので、第１レーザ部側をマウント側にしてダイボンディングして放熱して用いることが好ましい。
【００３０】
【発明の効果】
本発明によれば、波長、発光点、ビーム形状、出射パワー、縦モード等の異なる発光特性を有する２つのレーザ光を印加電圧の方向を切り替えることで選択出射可能な半導体レーザ素子を安価且つ容易に提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の半導体レーザ素子の構造例を示す断面図である。
【図２】 本発明による半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。
【図３】 図２の半導体レーザ素子の等価回路図である。
【図４】 本発明による他の半導体レーザ素子の等価回路図である。
【図５】 本発明による半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。
【図６】 図５の半導体レーザ素子の第１及び第２レーザ部の接続部分の構造を示す拡大断面図である。
【図７】 リッジ形成前の第１及び第２多層構造体の断面図である。
【図８】 リッジ形成後の第１及び第２多層構造体の斜視図である。
【図９】 電極形成後の第１及び第２多層構造体の断面図である。
【図１０】 レーザウェハの構造を示す断面図である。
【図１１】 レーザウェハからレーザ素子を得る小割りの工程の斜視図である。
【主要部分の符号の説明】
１ 第１多層構造体
２ 第２多層構造体
10 サファイア基板
11 ｎ型GaN層
12 ｎ型AlGaNクラッド層
13、23、104 活性層
14 ｐ型AlGaNクラッド層
15 ｐ型GaNコンタクト層
16 絶縁層
17 ｎ型AlGaNガイド層
18 ｐ型AlGaNガイド層
22 ｎ型AlGaAsクラッド層
24 ｐ型AlGaAsクラッド層
25 ｐ型GaAsコンタクト層
26 ｎ型AlGaAsガイド層
31 ニッケル電極層
32 チタン-金電極層
33 金-ゲルマニウム合金電極層
34 クロム電極層
35 金-錫合金層
36 金中間層
37 白金中間層
38 パラジウム電極層
51、52、53、54 窓
60、61 電極
101 基板
102 ｎ型半導体層
103 ｎ型半導体クラッド層
105 ｐ型半導体クラッド層
106 ｐ型半導体コンタクト層
107 ｐ型電極
108 ｎ型電極

Claims (9)

  1. 少なくともｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層の順に積層された多層構造体と、ｐ側電極及びｎ側電極と、を有するリッジ型構造を有する第１及び第２レーザ部を含む半導体レーザ素子であって、前記第１レーザ部のｐ側電極及びｎ側電極がそれぞれ前記第２レーザ部のｎ側電極及びｐ側電極と接続層を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
  2. 前記第１及び第２レーザ部は、絶縁層を間に挟み対向して配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
  3. 前記接続層の少なくとも一方が、ショットキーバリヤを有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体レーザ素子。
  4. 前記第１及び第２レーザ部の少なくとも一方は、前記ｐ側電極と前記ｐ型半導体層との間にショットキーバリヤを有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体レーザ素子。
  5. 前記第１及び第２レーザ部の少なくとも一方は、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体を積層させた半導体レーザであることを特徴とする請求項１乃至４記載のうちの１つの半導体レーザ。
  6. 基板上に少なくともｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層を積層した多層構造体を形成するステップと、前記多層構造体の頂部から一部を除去して前記ｎ型半導体層を露出するようにストライプ状のリッジを形成するステップと、前記リッジの頂部及び谷部にそれぞれ第１及び第２電極を形成するステップと、からなるレーザアセンブリを形成するステップと、
    前記レーザアセンブリを形成するステップを繰り返して第１及び第２の２つのレーザアセンブリを用意するステップと、
    前記第１レーザアセンブリの前記第１電極及び前記第２電極を融着材を間に介して前記第２レーザアセンブリのそれぞれ前記第２電極及び前記第１電極に対向させて位置合わせをするステップと、
    前記第１及び第２のレーザアセンブリを密着せしめ、前記融着材を溶解させて第１及び第２のレーザアセンブリを融着せしめるステップと、
    前記第１及び第２のレーザアセンブリから前記基板のうち少なくとも絶縁性の基板を除去するステップと、
    前記第１及び第２のレーザアセンブリの前記ｎ型半導体層の底部に電極を形成するステップと、からなることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
  7. 前記位置合わせをするステップは、前記第１レーザアセンブリの前記第１電極若しくは前記第２レーザアセンブリの前記第２電極の少なくともいずれか一方の上に融着材料を供給するステップと、前記第１レーザアセンブリの前記第２電極若しくは前記第２レーザアセンブリの前記第１電極の少なくともいずれか一方の上に融着材料を供給するステップと、を含むことを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ素子の製造方法。
  8. 前記第１及び第２レーザアセンブリの少なくとも一方は窒化ガリウム系レーザであることを特徴とする請求項７記載の半導体レーザ素子の製造方法。
  9. 前記基板は、サファイアからなり、前記基板を除去するステップは、前記基板の底部から２００〜３００ｎｍの波長を有するレーザ光を照射するステップであることを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ素子の製造方法。
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