JP3725103B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、車載などの移動体に搭載されるパワーモジュール等の半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来からIGBT、ダイオード、GTO、トランジスタなどのパワー半導体素子を絶縁樹脂により封止したパワー半導体モジュールが知られている。
図6は、従来の半導体モジュールを示す斜視図である。
図6において、1は半導体チップを充填して固めた封止樹脂、2は半導体モジュールの電源接続用端子、3は半導体モジュールの出力端子、4及び5は半導体モジュールを固定するためのネジ貫通穴であり、ネジ貫通穴4は周辺部に、ネジ貫通穴5は中央部に配置されている。
図7は、図6の半導体モジュールを示す断面図である。
図7において、6は半導体モジュールを構成する半導体チップ(半導体素子)、7は半導体チップ6が搭載されたヒートスプレッダである。
従来の半導体モジュールは、図6、図7に示されるように、ネジ貫通穴4、5にネジを通すことにより、半導体モジュールの下に配置されるヒートシンク(図示せず)に固定されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
従来のような、ネジによる半導体モジュールの直接締め付け方法では、ネジの近傍にのみ締め付け力が作用し、半導体モジュールを均一に押さえられないという問題がある。
また、締め付け力が、封止樹脂1に直接集中荷重として印加されるため、封止樹脂1が破壊したり、封止樹脂1のリラクセーションにより締め付け力が低下し、その結果、半導体モジュールとヒートシンクの間の熱抵抗が大きくなるため、半導体チップ6の温度上昇が大きくなり、半導体チップ6が破壊するなどの問題があった。
また、半導体モジュール1個に対し、複数個のネジを使用するため、組立工数、部品工数が多く、その結果コストの上昇を招いていた。
【0004】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、半導体モジュールを任意の荷重で固定し、半導体モジュールとヒートシンク間の熱抵抗を低く安定させ、さらに低コスト化、組み立ての容易化を図る半導体装置を得ることを目的にしている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この発明に係わる半導体装置においては、半導体素子が樹脂封止され、中央部にネジ貫通穴が設けられた半導体モジュール、この半導体モジュールの片側に半導体モジュールをほぼ被うように配置され、ペントルーフ型の断面形状を有する板状バネを備え、半導体モジュールは、板状バネ側から板状バネを介して挿入されたネジにより、半導体モジュールの板状バネ側と反対側に配置されたヒートシンクに固定されているものである。
【0006】
また、それぞれ半導体素子が樹脂封止され、中央部にネジ貫通穴が設けられると共に、同一平面上に並置された複数の半導体モジュール、この複数の半導体モジュールの片側に複数の半導体モジュールをほぼ被うように配置され、ペントルーフ型の断面形状を有する板状バネを備え、複数の半導体モジュールは、板状バネ側から板状バネを介して挿入されたネジにより、半導体モジュールの板状バネ側と反対側に配置されたヒートシンクに固定されているものである。
【0007】
さらに、板状バネには、補強梁が配置されているものである。
また、板状バネには、リブが設けられているものである。
【0008】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
以下、この発明に関する実施の形態1を図に基いて説明する。
図1は、この発明の実施の形態1による半導体モジュールを示す展開斜視図である。
図2は、図1の半導体モジュールの組立て斜視図である。
図1、図2において、8はヒートシンク、9はヒートシンク8の上に配置され、半導体チップが樹脂封止された半導体モジュールで、中央部にネジ貫通穴が設けられている。10は半導体モジュール9の上に配置されたペントルーフ型断面形状の板状のバネ(板状バネ)、11はバネ10を介して半導体モジュール9をヒートシンク8に締め付け固定するネジである。
【0009】
このように構成された半導体装置では、ヒートシンク8の上に半導体モジュール9を敷設し、その上にペントルーフ型断面形状のバネ10を重ね、ネジ11により締め付け半導体モジュール9とヒートシンク8を固定する。このときネジ11の締め付け力が、バネ10のたわみによって分散され、バネ10が全圧縮するころには半導体モジュール9に均一な荷重を印加することができる。これは、バネ11の断面形状をペントルーフ型としたことによる効果である。
また、バネ10の設計を変更すれば、荷重を敢えて不均一にすることも可能である。ネジ11近傍を強くしたり、ネジ11から離れた外縁部付近を強くしたりなど、任意の荷重設定を行うことも可能である。
【0010】
実施の形態1によれば、板状のバネを介して、ネジにより、半導体モジュールとヒートシンクを固定するので、任意の荷重設定で、半導体モジュールとヒートシンクを固定することができる。
【0011】
実施の形態2.
次に、実施の形態2について、図3をもとに説明する。
図3は、この発明の実施の形態2による半導体モジュールを示す展開斜視図である。
図3において、9、11は図1におけるものと同一のものである。12は複数個の半導体モジュール9にまたがるように配置されたバネである。
半導体モジュール9は、同一平面上に複数個並置されて使用されることが多く、各々の半導体モジュール9に個別のバネを敷設することは、組立て工数、部品点数共に増え、経済的ではない。そこで複数個の半導体モジュール9を1つのバネ12で押さえるようにしたものである。
【0012】
実施の形態2によれば、複数個が並置された半導体モジュールの上にバネをおき、ネジを締め込むことにより、半導体モジュールとヒートシンクとの固定が完了するため、部品点数も少なく、工程も簡単で経済的である。
【0013】
実施の形態3.
次に、実施の形態3について、図4を用いて説明する。
図4は、この発明の実施の形態3による半導体モジュールを示す展開斜視図である。
図4において、9、11、12は図3におけるものと同一のものである。13はバネ12とは別体の補強梁である。
バネ12形状の設計次第で、ネジ締め付け部から離れた位置では、半導体モジュール9を押さえる力が不足する場合がある。これは複数のネジ11を結ぶラインの曲げ剛性、即ち断面係数が不足しているためであるから、これを向上させれば、より均一な荷重で半導体モジュール9を押さえることが可能となる。このため、図4の補強梁13を併用することで、バネ12をより均一に半導体モジュール9に押し付けることができる。
【0014】
実施の形態3によれば、補強梁をバネと併用することにより、より均一に半導体モジュールにバネを押し付けることができる。
【0015】
実施の形態4.
次に、実施の形態4について、図5を用いて説明する。
図5は、この発明の実施の形態4による半導体モジュールのバネを示す斜視図である。
図5において、14はリブ補強を付加したリブ補強バネである。15はリブ補強バネ14に付加されたリブである。
図4のバネ12に補強梁13を付加してより均一な押さえ力とする代わりに、図5では、リブ補強バネ14のように、バネにリブ15を付加した構造とすることで、バネ単体での曲げ剛性を向上させ、バネをより均一に半導体モジュール9に押し付けることができるようにしている。
【0016】
実施の形態4によれば、バネにリブを設けることにより、実施の形態3と同様の効果を得ることができる。
【0017】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
半導体素子が樹脂封止され、中央部にネジ貫通穴が設けられた半導体モジュール、この半導体モジュールの片側に半導体モジュールをほぼ被うように配置され、ペントルーフ型の断面形状を有する板状バネを備え、半導体モジュールは、板状バネ側から板状バネを介して挿入されたネジにより、半導体モジュールの板状バネ側と反対側に配置されたヒートシンクに固定されているので、板状バネを介してネジにより、半導体モジュールを均一にヒートシンクに押し付けて固定することができる。
【0018】
また、それぞれ半導体素子が樹脂封止され、中央部にネジ貫通穴が設けられると共に、同一平面上に並置された複数の半導体モジュール、この複数の半導体モジュールの片側に複数の半導体モジュールをほぼ被うように配置され、ペントルーフ型の断面形状を有する板状バネを備え、複数の半導体モジュールは、板状バネ側から板状バネを介して挿入されたネジにより、半導体モジュールの板状バネ側と反対側に配置されたヒートシンクに固定されているので、複数個が並置された半導体モジュールの片側に板状バネを配置し、板状バネを介してネジにより、半導体モジュールを均一にヒートシンクに押し付けて固定することができると共に、複数の半導体モジュールでも、固定作業を簡単にすることができる。
【0020】
さらに、板状バネには、補強梁が配置されているので、より均一に半導体モジュールに板状バネを押し付けることができる。
また、板状バネには、リブが設けられているので、より均一に半導体モジュールに板状バネを押し付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による半導体モジュールを示す展開斜視図である。
【図2】 図1の半導体モジュールの組立て斜視図である。
【図3】 この発明の実施の形態2による半導体モジュールを示す展開斜視図である。
【図4】 この発明の実施の形態3による半導体モジュールを示す展開斜視図である。
【図5】 この発明の実施の形態4による半導体モジュールのバネを示す斜視図である。
【図6】 従来の半導体モジュールを示す斜視図である。
【図7】 図6の半導体モジュールを示す断面図である。
【符号の説明】
1 封止樹脂、2 電源接続用端子、3 出力端子、4,5 ネジ貫通穴、
6 半導体チップ、7 ヒートスプレッダ、8 ヒートシンク、
9 半導体モジュール、10 バネ、11 ネジ、12 バネ、
13 補強梁、14 リブ補強バネ、15 リブ。

Claims (4)

  1. 半導体素子が樹脂封止され、中央部にネジ貫通穴が設けられた半導体モジュール、この半導体モジュールの片側に上記半導体モジュールをほぼ被うように配置され、ペントルーフ型の断面形状を有する板状バネを備え、上記半導体モジュールは、上記板状バネ側から上記板状バネを介して挿入されたネジにより、上記半導体モジュールの上記板状バネ側と反対側に配置されたヒートシンクに固定されていることを特徴とする半導体装置。
  2. それぞれ半導体素子が樹脂封止され、中央部にネジ貫通穴が設けられると共に、同一平面上に並置された複数の半導体モジュール、この複数の半導体モジュールの片側に上記複数の半導体モジュールをほぼ被うように配置され、ペントルーフ型の断面形状を有する板状バネを備え、上記複数の半導体モジュールは、上記板状バネ側から上記板状バネを介して挿入されたネジにより、上記半導体モジュールの上記板状バネ側と反対側に配置されたヒートシンクに固定されていることを特徴とする半導体装置。
  3. 上記板状バネには、補強梁が配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置。
  4. 上記板状バネには、リブが設けられていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置。
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