JP4064579B2 - 赤外線データ通信モジュールの製造方法 - Google Patents

赤外線データ通信モジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4064579B2
JP4064579B2 JP25666399A JP25666399A JP4064579B2 JP 4064579 B2 JP4064579 B2 JP 4064579B2 JP 25666399 A JP25666399 A JP 25666399A JP 25666399 A JP25666399 A JP 25666399A JP 4064579 B2 JP4064579 B2 JP 4064579B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
data communication
infrared data
communication module
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP25666399A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001085732A (ja
Inventor
友春 堀尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP25666399A priority Critical patent/JP4064579B2/ja
Priority to DE10043127A priority patent/DE10043127A1/de
Priority to US09/653,268 priority patent/US6625036B1/en
Publication of JP2001085732A publication Critical patent/JP2001085732A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4064579B2 publication Critical patent/JP4064579B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/0198Manufacture or treatment batch processes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Optical Communication System (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、携帯型情報機器、パーソナルコンピュータ、あるいはその周辺機器などに搭載されることにより、それらの装置機器間において赤外線データ通信を行うのに利用される赤外線データ通信モジュールの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の赤外線データ通信モジュールの製造方法の一例を、図13および図14に示す。この従来の製造方法は、長尺状または長矩形状の基板1eの片面上に、赤外線を発する発光素子2eと赤外線を感知する受光素子3eとを複数組並べて搭載した後に、これらを複数の樹脂パッケージ4eにより封止する工程を有している。この工程においては、発光素子2eと受光素子3eとを1組ずつ別個独立に樹脂封止するように、発光素子2eと受光素子3eとの組み合わせ数と同等数の樹脂パッケージ4eを基板1e上に形成していた。このような樹脂封止工程の後に、たとえば仮想線L1,L2に示す位置において基板1eを切断すると、複数の赤外線データ通信モジュールが得られることとなる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の製造方法においては、次のような不具合を生じていた。
【0004】
すなわち、従来においては、発光素子2eと受光素子3eとをそれらの組み合わせ数と同等数の樹脂パッケージ4eによってそれぞれ個別に封止しているために、樹脂パッケージ4eの総数が多くなる。したがって、従来においては、複数の樹脂パッケージ4eの相互間の隙間90の数も多くなり、基板1e上における無駄なスペースが大きくなる。その結果、一定のサイズの基板1eから製造される赤外線データ通信モジュールの取り数が少なく、赤外線データ通信モジュールの製造コストが高価となる不具合があった。
【0005】
一方、本願発明者は、上記不具合を解消する手段として、基板1e上に搭載された複数組の発光素子2eと受光素子3eとを含む一群の部品を、1つの樹脂パッケージによって一括して封止することを先に着想した。このような手段によれば、樹脂パッケージの数を最小数にし、従来において発生していた複数の樹脂パッケージの各間の無駄なスペース(隙間90)を無くすことが可能である。ところが、このような手段によれば、基板1eの片面の広い面積に対して樹脂パッケージが密着することとなる。このため、上記手段においては、基板1eの厚みが小さい場合、あるいは基板1eの材質が比較的軟質であるような場合には、基板1eに反り変形を生じ、最終的に得られる赤外線データ通信モジュールの各部に歪みを生じさせる虞れがあった。
【0006】
本願発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、品質の良好な赤外線データ通信モジュールを効率良く製造できるようにすることをその課題としている。
【0007】
【発明の開示】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【0008】
本願発明によって提供される赤外線データ通信モジュールの製造方法は、長手状をした基板を用い、この基板の片面上に、上記基板の短手方向に延びる長矩形状の個別エリアが上記基板の長手方向に複数並ぶ列を、上記基板の短手方向に並ぶように複数列設定するとともに、各個別エリアにそれぞれ各個別エリアの長手方向に離れて配置された発光素子と受光素子とを含む所定の電子部品を搭載し、上記電子部品を樹脂封止する封止工程を施し、上記基板を上記個別エリアごとに分割して上記発光素子と上記受光素子とが1組ずつの組み合わせとされた複数の赤外線データ通信モジュールを得る赤外線データ通信モジュールの製造方法であって、上記封止工程においては、上記個別エリアが上記基板の長手方向に複数並ぶ列のそれぞれに対して、上記基板の長手方向に隣接する2以上の個別エリアごとに分けて一括して樹脂封止することを特徴としている。
【0009】
本願発明においては、樹脂封止されて形成される樹脂パッケージの総数を発光素子および受光素子のそれぞれの組み合わせ数よりも少なくすることができる。したがって、基板上において無駄なスペースとなる複数の樹脂パッケージどうしの間の隙間の数を少なくし、そのトータルの面積を小さくすることができる。その結果、本願発明においては、従来と比較すると、同一サイズの基板から製造される赤外線データ通信モジュールの取り数を多くすることができ、赤外線データ通信モジュールの製造コストの低減化を図ることが可能となる。さらに、本願発明においては、基板の片面上の一群の部品を1つの樹脂パッケージで一括して封止する手段とは異なり、複数の樹脂パッケージの各間には適度な隙間が形成され、基板の片面には樹脂パッケージが密着していない領域が設けられる。したがって、基板の片面に樹脂パッケージを形成することに起因して基板に反り変形が生じることを適切に防止し、または抑制することもできる。その結果、各部に歪みが無い品質の良好な赤外線データ通信モジュールを製造することができる。
【0011】
また、基板がその長手方向および短手方向のいずれの方向においても反り変形を生じ難くすることができる。したがって、最終的に製造される赤外線データ通信モジュールの品質を一層高めることができる。
【0012】
本願発明の他の好ましい実施の形態においては、上記基板には、その短手方向に延びる複数のスリットが上記基板の長手方向に間隔を隔てて設けられており、かつ上記基板の片面のうち、上記複数のスリットの各間の領域に、上記個別エリアが形成されている。
【0013】
このような構成によれば、上記基板は、上記複数のスリットが設けられている箇所においてその長手方向に部分的に撓み変形し易くなる。したがって、基板の片面上のうち、2つのスリットの間の領域に搭載されている電子部品を樹脂封止したときに、仮にその領域において基板を反り変形させようとする応力が発生したとしても、その応力については、上記基板を上記スリットが設けられている箇所において部分的に変形させることにより吸収させることが可能となる。その結果、上記基板の長手方向のうち、上記樹脂封止された領域とはスリットを介して隔てた隣りの領域には、上記応力が直接大きな影響を及ぼさないようにすることができ、基板が反り変形することを一層確実に防止することが可能となる。
【0016】
本願発明のその他の特徴および利点については、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかになるであろう。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【0018】
図1〜図8は、本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの製造方法の一例を示している。赤外線データ通信モジュールを製造するには、まず図1に示すような基板1を用いる。この基板1は、たとえばガラスエポキシ樹脂製であり、一定方向に延びる帯状または長矩形状を有している。基板1には、その長手方向に一定の間隔を隔てて複数のスリット18が設けられている。これら複数のスリット18は、基板1の短手方向(幅方向)に延びた細幅状のものである。基板1の表面10aのうち、複数のスリット18の各間の一定領域は、後述する一群の部品を搭載するための部品搭載領域Sとされている。
【0019】
各部品搭載領域Sには、1つの赤外線データ通信モジュールを製造するのに必要とされる配線パターン(詳細な図示は省略)が形成されている複数の個別エリア19が設けられている。これら複数の個別エリア19は、それぞれ長矩形状であり、縦横となる基板1の長手方向および短手方向に適当な間隔で複数列に並んでいる。各個別エリア19には、図2によく表れているように、1組の(1つずつの)発光素子2、受光素子3およびLSIチップ6が搭載されている。発光素子2は、たとえば赤外線発光ダイオードからなる。受光素子3は、たとえば赤外線を感知可能なPINフォトダイオードからなる。LSIチップ6は、発光素子2および受光素子3による赤外線の送受信動作を制御するものである。1組の発光素子2、受光素子3およびLSIチップ6は、基板1の短手方向に1列に配列されている。
【0020】
各個別エリア19に設けられている配線パターンは、発光素子2、受光素子3およびLSIチップ6の各電極との電気的な導通を図るための複数のパッド部70や、発光素子2および受光素子3をLSIチップ6の電極に導通させるための導通部(図示略)を有している。また、上記配線パターンは、図3によく表れているように、基板1の短手方向に並んだ複数のスルーホール7も有している。これら複数のスルーホール7は、基板1の厚み方向に貫通しており、それらの各内周壁の導体部72は、基板1の裏面10bに形成された複数の端子71と繋がっている。このような構造により、発光素子2、受光素子3およびLSIチップ6の各電極は、複数のスルーホール7を介して複数の端子71と電気的に導通している。
【0021】
上記した所定の部品を搭載した基板1を準備した後には、上記部品を樹脂封止する。この作業は、図4によく表れているように、基板1の表面10aの各部品搭載領域Sに、互いに分離した複数の樹脂パッケージ4を形成して行う。各樹脂パッケージ4は、たとえば顔料を含んだエポキシ樹脂からなり、可視光に対しては透光性を有しない反面、赤外線については十分に良好な透光性を有するものである。各樹脂パッケージ4を形成する場合、基板1の長手方向においては、互いに隣り合う2つの個別エリア19上に搭載されている2組の(2つずつの)発光素子2、受光素子3およびLSIチップ6を一括して封止する。したがって、1つの部品搭載領域Sにおいて、発光素子2、受光素子3およびLSIチップ6の組み合わせが、基板1の長手方向において計8組設けられている場合には、その方向に計4つの樹脂パッケージ4が並んで形成されることとなる。また、それら計4つの樹脂パッケージ4の各間には,適当な幅の隙間92が計3箇所形成される。
【0022】
一方、基板1の幅方向においては、発光素子2、受光素子3およびLSIチップ6の1組分に相当する領域を1つの樹脂パッケージ4によって封止するように、複数の樹脂パッケージ4を形成する。この場合、それら複数の樹脂パッケージ4の間には、適当な幅の隙間93が形成される。
【0023】
上記した複数の樹脂パッケージ4の形成工程によれば、複数の樹脂パッケージを1つの個別エリア19ごとに独立させて形成する場合と比較すると、基板1の長手方向における隙間92の総数を少なくすることができる。このため、本実施形態においては、隙間92の総数が少なくなる分だけ基板1上の無駄なスペースを少なくし、基板1の長手方向における赤外線データ通信モジュールの取り数を増加させることが可能となる。また、基板1の長手方向および短手方向において、隙間92,93が適当数設けられていれば、基板1の表面10aに各樹脂パッケージ4が密着して設けられたことに起因して基板1がその長手方向や短手方向に大きく反り変形しないようにすることができる。
【0024】
上記した樹脂封止作業は、実際には、基板1の長手方向に設けられている複数の部品搭載領域Sのそれぞれに対して順次行う。その一方、本実施形態においては、それら複数の部品搭載領域Sどうしは、スリット18によって仕切られた構成となっており、スリット18が設けられている箇所において基板1が部分的に曲げ変形を生じ易くなっている。このため、1つの部品搭載領域Sに仮に基板1を曲げる力が発生したとしても、この力はスリット18が設けられいる領域の基板の曲げ変形によって吸収緩和される。したがって、1つの部品搭載領域Sに発生した基板に対する曲げ力が、その隣の部品搭載領域Sに直接大きく影響しないようにすることができ、各部品搭載領域Sにおいて基板1が反り変形することを一層確実に防止することができる。
【0025】
なお、各樹脂パッケージ4は、トランスファモールド法により成形することができ、たとえば次のような形態に形成する。すなわち、図5および図6によく表れているように、各樹脂パッケージ4は、基板1の表面10aから上方に起立した複数の側面40と、これら複数の側面40の上端42に繋がった天井面41とを有している。複数の側面40は、樹脂パッケージ4を成形するための金型に抜き勾配が設けられていることに起因してそれらのいずれもが傾斜面となっている。天井面41は、発光素子2および受光素子3の上方に位置しており、この天井面41には、その一部分を上向きの半球状に膨出させた一対のレンズ43a,43bが設けられている。これら一対のレンズ43a,43bは、発光素子2の発光特性および受光素子3の受光特性に指向性を付与するためのものである。なお、図5によく表れているように、各スルーホール7内には、樹脂パッケージ4の一部が進入していない。これは、たとえば各スルーホール7の開口部を適当なレジスト膜(図示略)によって塞ぐことにより達成することができる。
【0026】
上記樹脂封止作業を終了した後には、基板1および複数の樹脂パッケージ4をそれらの厚み方向に切断し、基板1や基板1上の搭載部品を複数の赤外線データ通信モジュールとして分割するための作業を行う。切断作業は、基板1の長手方向と短手方向とのそれぞれの方向において行う。基板1の長手方向においては、たとえば図7の仮想線La〜Ldで示す箇所を、駆動回転自在な円板状のブレード5を用いて切断する。仮想線La〜Ldは、いずれも樹脂パッケージ4の天井面41を通過しており、天井面41の幅方向両端部を通過する仮想線La,Ldは、側面40の上端42よりも適当な寸法Saだけ樹脂パッケージ4の幅方向内方寄りである。したがって、これらの仮想線La,Ldの位置において樹脂パッケージ4および基板1を切断すれば、各樹脂パッケージ4から傾斜した側面40が除去されることとなる。複数のスルーホール7は、仮想線La上に位置しており、基板1が切断されるときにそれら複数のスルーホール7は分割される。
【0027】
仮想線Lb,Lcは、各樹脂パッケージ4の幅方向の略中央部を通過している。これら仮想線Lb,Lcの位置を切断すれば、各樹脂パッケージ4によって封止された2組の発光素子2、受光素子3およびLSIチップ6が1組ずつの組み合わせに分断されることとなる。仮想線Lc上にも複数のスルーホール7が位置しており、これら複数のスルーホール7も基板1が切断されることによって分割される。なお、切断用のブレード5の厚みtを、仮想線Lb,Lcの幅と同一の寸法にしておけば、1回の切断作業により、2つの仮想線Lb,Lcの位置の切断を同時に行うことができ、切断作業工程数を少なくすることができる。
【0028】
基板1の短手方向においては、たとえば図8の仮想線Leの位置で樹脂パッケージ4および基板1を切断する。この切断作業は、たとえば図7に示した仮想線La,Ldの位置を切断する場合と同様に、樹脂パッケージ4から傾斜した側面40を除去するように、樹脂パッケージ4をその天井面41を通過する位置で切断する作業である。
【0029】
上述した一連の作業工程によれば、図9〜図11に示す構成の赤外線データ通信モジュールAが複数個製造されることとなる。この赤外線データ通信モジュールAは、矩形状に切断された基板1a上に、発光素子2、受光素子3およびLSIチップ6のそれぞれが1つずつ搭載され、かつこれらがその四方を切断された樹脂パッケージ4aによって封止された構造となっている。樹脂パッケージ4aからは、基板1aの表面から傾斜して起立していた複数の側面40がいずれも除去されている。樹脂パッケージ4aの複数の側面40aは、いずれも滑らかな平面状の切断面であり、基板1aの切断面11と面一となっている。したがって、赤外線データ通信モジュールAの複数の外面としては、切断面11と側面40aとが面一状に繋がった2つずつの平面8A,8Bがある。各平面8Aは、この赤外線データ通信モジュールAの長手方向に延びており、各平面8Bはそれと直交する面である。1つの平面8Aには、複数のスルーホール7が分割されることによって形成された複数の凹部7Aが設けられており、複数の端子71に繋がったそれらの導体部72が外部に露出した構造となっている。
【0030】
上記構成の赤外線データ通信モジュールAは、既述したとおり、基板1aの原型品とされていた基板1に大きな反り変形が生じないようにして製造されたものである。したがって、この赤外線データ通信モジュールAは、基板1a上に搭載されている発光素子2、受光素子3およびLSIチップ6のそれぞれのボンディング部分や、それらに繋がった金線などのワイヤのボンディング部分に大きな歪みなどが生じていないものとなり、その品質は良好である。
【0031】
赤外線データ通信モジュールAの使用態様としては、たとえば次の2通りの使用態様がある。第1の使用態様は、図9に示すように、赤外線データ通信モジュールAをその基板1aの裏面10bが下向きになるようにして、マザーボード9上に実装する態様である。この実装は、たとえばハンダリフローの手法を用いて行うことができ、基板1aの裏面10bの端子71をマザーボード9の端子94にハンダを介して接合すればよい。ハンダは、端子71のみならず、各凹部7Aの導体部72にも接触させることができる。したがって、マザーボード9に対する赤外線データ通信モジュールAの実装強度を十分なものにできる。この第1の使用態様においては、マザーボード9の表面に直交する方向(図面では上下方向)に赤外線の送受信を行うことができる。
【0032】
図12は、赤外線データ通信モジュールAの第2の使用態様を示している。この態様においては、赤外線データ通信モジュールAをその1つの平面8Aが下向きとなる姿勢とし、各凹部7Aの導体部72がマザーボード9上の端子94に対面するようにして実装される。平面8Aは、基板1aの厚みの幅と、樹脂パッケージ4aのレンズ43a,43bを除く部分の厚みの幅とを合計した幅広な面であるから、赤外線データ通信モジュールAをマザーボード9上において安定的に載置しておくことができる。したがって、ハンダリフローの手法を用いて赤外線データ通信モジュールAをマザーボード9に実装するのに都合がよいものとなる。なお、導体部72を端子94にハンダを用いて接合する際には、そのハンダを端子71に対しても接触させることができる。したがって、この場合においても赤外線データ通信モジュールAの実装強度を充分に高めることができる。
【0033】
本願発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。
【0034】
本願発明においては、発光素子2や受光素子3を樹脂封止する場合には、それらの2組を一括して封止するのに代えて、3組を一括して、あるいはそれ以上の組数を一括して封止してもかまわない。本願発明においては、1つの樹脂パッケージによって封止される発光素子および受光素子の組み合わせ数を増やすほど、複数の樹脂パッケージの相互間に形成される隙間の数を減らすことができ、赤外線データ通信モジュールの取り数を増加させることが可能である。ただし、上記隙間の数を少なくすると、基板に反り変形が発生し易くなる。したがって、赤外線データ通信モジュールの品質を高める観点からすれば、発光素子や受光素子を2組あるいは3組などの比較的少数組数ずつ樹脂パッケージによって一括封止することが望ましい。
【0035】
また、上記実施形態においては、樹脂パッケージ4の複数の側面40のすべてを除去するように樹脂パッケージ4を切断したために、最終的に製造された赤外線データ通信モジュールAの側面には傾斜面がなく、さらには赤外線データ通信モジュールAの全体の幅が小さくなり、その取り扱いが便利なものとなるが、やはり本願発明はこれに限定されない。本願発明においては、樹脂パッケージ4の複数の傾斜した側面40の全部または一部をそのまま残すように基板1を切断してもかまわない。たとえば、図8において、仮想線Leの位置で樹脂パッケージ4と基板1とを切断するのに代えて、仮想線Lgで示す位置において基板1のみを切断してもかまわない。要は、本願発明でいう分割工程は、基板上に搭載され、かつ樹脂封止がなされた一群の部品を、発光素子と受光素子とが1組ずつの組み合わせとされた複数の赤外線データ通信モジュールに分割する工程であればよい。
【0036】
その他、本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの製造方法の各作業工程は、種々に変更自在である。また同様に、本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの製造方法に用いられる基板の一例を示す斜視図である。
【図2】 図1のII−II断面図である。
【図3】 図1のIII−III断面図である。
【図4】 図1に示す基板上に樹脂パッケージを形成した状態を示す斜視図である。
【図5】 図4のV−V断面図である。
【図6】 図4のVI−VI断面図である。
【図7】 樹脂パッケージおよび基板の切断作業を示す要部断面図である。
【図8】 樹脂パッケージおよび基板の切断作業を示す要部断面図である。
【図9】 本願発明方法によって製造された赤外線データ通信モジュールの一例を示す断面図である。
【図10】 図9のX−X断面図である。
【図11】 図9の左側面図である。
【図12】 図9ないし図11に示す赤外線データ通信モジュールの一使用態様を示す要部断面図である。
【図13】 従来の赤外線データ通信モジュールの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図14】 図13のXIV−XIV断面図である。
【符号の説明】
A 赤外線データ通信モジュール
1 基板
1a 基板
2 発光素子
3 受光素子
4 樹脂パッケージ
4a 樹脂パッケージ
6 LSIチップ
40 側面
92,93 隙間

Claims (2)

  1. 長手状をした基板を用い、この基板の片面上に、上記基板の短手方向に延びる長矩形状の個別エリアが上記基板の長手方向に複数並ぶ列を、上記基板の短手方向に並ぶように複数列設定するとともに、各個別エリアにそれぞれ各個別エリアの長手方向に離れて配置された発光素子と受光素子とを含む所定の電子部品を搭載し、上記電子部品を樹脂封止する封止工程を施し、上記基板を上記個別エリアごとに分割して上記発光素子と上記受光素子とが1組ずつの組み合わせとされた複数の赤外線データ通信モジュールを得る赤外線データ通信モジュールの製造方法であって、
    上記封止工程においては、上記個別エリアが上記基板の長手方向に複数並ぶ列のそれぞれに対して、上記基板の長手方向に隣接する2以上の個別エリアごとに分けて一括して樹脂封止することを特徴とする、赤外線データ通信モジュールの製造方法。
  2. 記基板には、その短手方向に延びる複数のスリットが上記基板の長手方向に間隔を隔てて設けられており、かつ上記基板の片面のうち、上記複数のスリットの各間の領域に、上記個別エリアが形成されている、請求項1に記載の赤外線データ通信モジュールの製造方法。
JP25666399A 1999-08-31 1999-09-10 赤外線データ通信モジュールの製造方法 Expired - Fee Related JP4064579B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25666399A JP4064579B2 (ja) 1999-09-10 1999-09-10 赤外線データ通信モジュールの製造方法
DE10043127A DE10043127A1 (de) 1999-08-31 2000-08-31 Infrarot-Daten-Kommunikationsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
US09/653,268 US6625036B1 (en) 1999-08-31 2000-08-31 Infrared data communication module and method of making the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25666399A JP4064579B2 (ja) 1999-09-10 1999-09-10 赤外線データ通信モジュールの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001085732A JP2001085732A (ja) 2001-03-30
JP4064579B2 true JP4064579B2 (ja) 2008-03-19

Family

ID=17295750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25666399A Expired - Fee Related JP4064579B2 (ja) 1999-08-31 1999-09-10 赤外線データ通信モジュールの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4064579B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4841981B2 (ja) * 2006-03-20 2011-12-21 ローム株式会社 受光モジュールの製造方法
JP2008258414A (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Rohm Co Ltd 半導体パッケージ
JP6438363B2 (ja) * 2015-07-28 2018-12-12 株式会社東芝 光結合装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001085732A (ja) 2001-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6300685B1 (en) Semiconductor package
US10622289B2 (en) Stacked chip-on-board module with edge connector
KR100809696B1 (ko) 사이즈가 상이한 복수의 반도체 칩이 적층된 멀티 칩패키지 및 그 제조방법
US6670701B2 (en) Semiconductor module and electronic component
US8283767B1 (en) Dual laminate package structure with embedded elements
EP2005470B1 (en) Lead frame based, over-molded semiconductor package with integrated through hole technology (tht) heat spreader pin(s) and associated method of manufacturing
US7368810B2 (en) Invertible microfeature device packages
US20030001289A1 (en) Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2538107B2 (ja) 高密度半導体モジユ−ルの製造方法
US6319750B1 (en) Layout method for thin and fine ball grid array package substrate with plating bus
US8959759B2 (en) Method for assembling computer modules small in thickness
KR100568225B1 (ko) 리드 프레임 및 이를 적용한 반도체 패키지 제조방법
KR20080073739A (ko) 적층형 마이크로전자 패키지
CN101295696B (zh) 半导体封装结构及导线架
JP4064579B2 (ja) 赤外線データ通信モジュールの製造方法
US7041527B2 (en) Charge coupled device package
JP2004247464A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH10233471A (ja) 赤外線データ通信モジュール及びその製造方法
JP4064578B2 (ja) 赤外線データ通信モジュールの製造方法
KR100364419B1 (ko) 적층형 비엘피 패키지 및 제조방법
JP2007103681A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2001077406A (ja) 赤外線データ通信モジュールの製造方法
JP2002270760A (ja) 電子部品、そのアセンブリ及びその製造方法
KR20060079428A (ko) 칩 온 보드 패키지용 인쇄 회로 기판 및 이를 이용한 칩온 보드 패키지
US20110177629A1 (en) Chip Packaging with Metal Frame Pin Grid Array

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040317

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070903

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070918

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071225

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071227

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees