JP4077643B2 - Ｉｉｉ族窒化物結晶成長装置およびｉｉｉ族窒化物結晶成長方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク用青紫色光源，紫外光源（ＬＤやＬＥＤ），電子写真用青紫色光源，III族窒化物電子デバイスなどに利用可能なIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、紫〜青〜緑色光源として用いられているＩｎＧａＡｌＮ系（III族窒化物）デバイスは、その殆どがサファイア基板あるいはＳｉＣ基板上に、ＭＯ−ＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）やＭＢＥ法（分子線結晶成長法）等を用いた結晶成長により作製されている。サファイアやＳｉＣを基板として用いる場合には、III族窒化物との熱膨張係数差や格子定数差が大きいことに起因する結晶欠陥が多くなる。このために、デバイス特性が悪く、例えば発光デバイスの寿命を長くすることが困難であったり、動作電力が大きくなったりするという問題がある。
【０００３】
更に、サファイア基板の場合には絶縁性であるために、従来の発光デバイスのように基板側からの電極取り出しが不可能であり、結晶成長したIII族窒化物半導体表面側からの電極取り出しが必要となる。その結果、デバイス面積が大きくなり、高コストにつながるという問題がある。また、サファイア基板上に作製したIII族窒化物半導体デバイスは、劈開によるチップ分離が困難であり、レーザダイオード（ＬＤ）で必要とされる共振器端面を劈開で得ることが容易ではない。このため、現在はドライエッチングによる共振器端面形成や、あるいはサファイア基板を１００μｍ以下の厚さまで研磨した後に、劈開に近い形での共振器端面形成を行っているが、この場合にも、従来のＬＤのような共振器端面とチップ分離を単一工程で容易に行うことが不可能であり、工程の複雑化ひいてはコスト高につながる。
【０００４】
これらの問題を解決するために、サファイア基板上にIII族窒化物半導体膜を選択横方向成長やその他の工夫を行うことで、結晶欠陥を低減させることが提案されている。この手法では、サファイア基板上にＧａＮ膜を選択横方向成長しない場合に比較して、結晶欠陥を低減させることが可能となるが、サファイア基板を用いることによる、絶縁性と劈開に関する前述の問題は依然として残っている。更には、工程が複雑化すること、及びサファイア基板とＧａＮ薄膜という異種材料の組み合わせに伴う基板の反りという問題が生じる。これらは高コスト化につながっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような問題を解決するためには、基板としては、基板上に結晶成長するIII族窒化物材料（ここでは、ＧａＮとする）と同一であるＧａＮ基板が最も適切である。そのため、気相成長，融液成長等によりバルクＧａＮの結晶成長の研究がなされている。しかし、未だ高品質で且つ実用的な大きさを有するＧａＮ基板は実現していない。
【０００６】
ＧａＮ基板を実現する一つの手法として、文献「Chemistry of Materials Vol.9 (1997) p.413-416」（以下、従来技術という）には、Ｎａをフラックスとして用いたＧａＮ結晶成長方法が提案されている。この方法は、アジ化ナトリウム（ＮａＮ3）と金属Ｇａを原料として、ステンレス製の反応容器（容器内寸法；内径＝７．５ｍｍ、長さ＝１００ｍｍ）に窒素雰囲気で封入し、その反応容器を６００〜８００℃の温度で２４〜１００時間保持することにより、ＧａＮ結晶を成長させるものである。
【０００７】
この従来技術の場合には、６００〜８００℃と比較的低温での結晶成長が可能であり、容器内圧力も高々１００ｋｇ／ｃｍ2程度と比較的圧力が低く、実用的な成長条件であることが特徴である。しかし、この従来技術の方法では、得られる結晶の大きさが１ｍｍに満たない程度に小さいという問題がある。
【０００８】
上述の従来技術の問題を解決するために、本願出願人は、III族原料および／またはＶ族原料を外部より反応容器内に供給する発明を数多く案出し、特許出願している。例えば、本願出願人による先願である特願２００１−３５５７２０には、外部からＧａを供給する方法が記載されている。すなわち、Ｇａの自重によってＧａを反応容器内に導入する方法が記載されている。
【０００９】
図１は先願である特願２００１−３５５７２０に記載されているIII族窒化物結晶成長装置の構成例を示す図である。図１を参照すると、反応容器１０１内には、アルカリ金属(例えば、Ｎａ)と少なくともIII族金属(例えば、Ｇａ)を含む物質との混合融液１０３を保持する混合融液保持容器１０２が設置されている。
【００１０】
なお、アルカリ金属(例えば、Ｎａ)は、外部から供給されても良いし、あるいは、最初から反応容器１０１内に存在していても良い。
【００１１】
また、反応容器１０１は、例えばステンレスで形成されている。また、混合融液保持容器１０２は、例えば、ＢＮ（窒化ホウ素）、あるいは、ＡｌＮ、あるいは、パイロリティックＢＮで形成されている。
【００１２】
また、図１のIII族窒化物結晶成長装置には、反応容器１０１内に少なくとも窒素を含む物質（例えば、窒素ガス，アンモニアガスまたはアジ化ナトリウム）を供給するための窒素供給管１０４が設けられている。なお、ここで言う窒素とは、窒素分子あるいは窒素を含む化合物から生成された窒素分子や原子状窒素、および窒素を含む原子団および分子団のことであり、以後、本願（明細書）において、窒素とは、このようなものであるとする。
【００１３】
また、窒素供給管１０４には、窒素ガスの圧力を調整するために圧力調整機構１０５が設けられている。なお、この圧力調整機構１０５は、圧力センサー及び圧力調整弁等から構成されている。
【００１４】
また、反応容器１０１には、III族窒化物（例えばＧａＮ）を結晶成長可能な温度に反応容器１０１内を制御するための第１の加熱装置１０６が設けられている。すなわち、第１の加熱装置１０６による温度制御機能によって、反応容器１０１内を結晶成長可能な温度に上げること、及び、結晶成長が停止する温度に下げること、及び、それらの温度に任意の時間保持することが可能となっている。
【００１５】
また、図１のIII族窒化物結晶成長装置には、少なくともIII族金属を含む物質１１０（以下、III族原料と称す）を反応容器１０１の外部から反応容器１０１に供給するために、反応容器１０１の外部には、III族原料１１０を収容する容器１０９が設けられている。具体的に、この容器１０９内には、反応容器１０１内で消費されるIII族金属分（例えば、ＧａとＮとからＧａＮを結晶成長させる場合のＧａ消費分）を補うことができる程度の量のIII族原料１１０（例えば、金属Ｇａ）が収容されている。
【００１６】
そして、この容器１０９と反応容器１０１とは、反応容器１０１内の圧力と少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９の圧力とが同一となるように、圧力調整管１１６によって連通しており、また、少なくともIII族金属を含む物質１１０を混合融液保持容器１０２内に送り込むために、供給管１０７により連通している。
【００１７】
ここで、反応容器１０１内の圧力と少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９の圧力とが同一であるということは、反応容器１０１内の気体の圧力とIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９内の気体の圧力とが、同一であるということである。
【００１８】
また、図１のIII族窒化物結晶成長装置では、少なくともIII族金属を含む物質１１０と混合融液保持容器１０２に保持されている混合融液１０３との相対的高さを制御する機構が設けられている。具体的に、少なくともIII族金属を含む物質１１０と混合融液保持容器１０２に保持されている混合融液１０３との相対的高さを制御する機構は、図１の例では、支柱１１３と、支柱１１３に支持され、容器１０９の高さを調整するための高さ調整ユニット１１２とにより構成されている。この機構によって、少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９は、少なくともIII族金属を含む物質１１０を反応容器１０１内部に自重で送り込むことが可能なように、混合融液保持容器１０２よりも高く位置決めされる。
【００１９】
このように、図１のIII族窒化物結晶成長装置は、反応容器１０１内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液１０３を形成し、該混合融液１０３と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるものであって、混合融液１０３が保持されている混合融液保持容器１０２とは別に、少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９が反応容器１０１外に設けられており、これら２つの容器１０１，１０９は、反応容器１０１内の圧力と少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９の圧力とが同一となるように、圧力調整管１１６によって連通しており、また、少なくともIII族金属を含む物質１１０を混合融液保持容器１０２内に送り込むために、供給管１０７によって連通しており、少なくともIII族金属を含む物質１１０と混合融液保持容器１０２に保持されている混合融液１０３との相対的高さを制御する機構（１１２，１１３）が設けられている。
【００２０】
なお、ここでいう連通とは、２つの容器１０１,１０９が物理的につながっていることであり、容器１０１，１０９内の気体の圧力が同一であり、かつ、少なくともIII族金属を含む物質１１０が輸送されるように、それぞれつながっていることを意味している。
【００２１】
また、図１のIII族窒化物結晶成長装置には、供給管１０７，容器１０９を加熱制御するための第２の加熱装置１１４が設けられている。この第２の加熱装置１１４によって、供給管１０７，容器１０９の温度を４０℃程度に設定することができ、この場合には、容器１０９から供給管１０７を通って反応容器１０１に送られるまでのIII族原料（少なくともIII族金属を含む物質）１１０を、後述のように、液体状態（例えば、液体の金属Ｇａ（ガリウム））に保持することができる。
【００２２】
図１のIII族窒化物結晶成長装置では、反応容器１０１内の温度および実効窒素分圧をIII族窒化物結晶が結晶成長する条件に設定することにより、III族窒化物の結晶成長を開始させることができる。
【００２３】
具体的に、反応容器１０１内の窒素圧力を５０気圧にし、反応容器１０１内の温度を結晶成長が開始する温度７５０℃まで昇温する。この成長条件を一定時間保持することで、III族窒化物結晶（例えば、ＧａＮ結晶）１１１が混合融液保持容器１０２内に成長する。
【００２４】
このときに、反応容器１０１外にある少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９の高さを高くすることで、少なくともIII族金属を含む物質１１０の自重により、反応容器１０１内に少なくともIII族金属を含む物質１１０を送り込むことができる。
【００２５】
このように、図１のIII族窒化物結晶成長装置では、III族窒化物結晶（例えば、ＧａＮ）１１１が結晶成長することにより消費した分のIII族金属（例えばＧａ）を補うためのIII族原料（例えば、Ｇａ）を、容器１０９内から供給管１０７を通して反応容器１０１内に液体状態で供給することができる。また、消費した分の窒素を補うための窒素を、窒素ガスの状態で窒素ガス供給管１０４を介して供給することができる。
【００２６】
このように、III族窒化物結晶の成長が開始して以降、III族原料（少なくともIII族金属を含む物質）１１０を反応容器１０１内に送り込むことで、継続的にIII族窒化物結晶を成長させることができる。
【００２７】
このようにして、III族原料を反応容器１０１内に安定して供給することで、III族窒化物結晶（例えば、ＧａＮ結晶）１１１を継続的に安定して成長させることができ、大きな寸法のIII族窒化物結晶（ＧａＮ結晶）を成長させることができる。
【００２８】
以上のように、図１のIII族窒化物結晶成長装置では、反応容器１０１内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液１０３を形成し、該混合融液１０３と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物１１１を結晶成長させる場合に、混合融液１０３が保持されている混合融液保持容器１０２とは別に、少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９が設けられており、反応容器１０１内の圧力と少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９の圧力とが同一であり、少なくともIII族金属を含む物質１１０の自重により、反応容器１０１外部から反応容器１０１内部に少なくともIII族金属を含む物質１１０を送り込むことで、III族窒化物の薄膜結晶成長用の基板となるIII族窒化物結晶が得られる。その結果、複雑な工程を必要とせず、低コストで高品質なIII族窒化物結晶、及び、それを用いたデバイスを実現することが可能となる。
【００２９】
さらに、１０００℃以下と成長温度が低く、１００気圧程度以下と圧力も低い条件下でIII族窒化物の結晶成長が可能となることから、超高圧，超高温に耐えうる高価な反応容器を用いる必要がない。その結果、低コストでのIII族窒化物結晶及びそれを用いたデバイスを実現することが可能となる。
【００３０】
さらに、図１のIII族窒化物結晶成長装置では、少なくともIII族金属を含む物質１１０を反応容器１０１内に継続的に送ることが可能となる。従って、反応容器１０１内で消費したＧａを追加し、III族窒化物結晶１１１を継続的に成長することが可能となり、所望の大きさのIII族窒化物結晶１１１を得ることができるとともに、混合融液１０３内のＧａ量比を一定にすることができ、その結果、欠陥密度の低い良質なIII族窒化物結晶１１１を成長させることが可能となる。
【００３１】
ところで、上述したような本願出願人による発明では、III族窒化物結晶を結晶成長させるのに所謂フラックス法を用いているので（すなわち、蒸気圧の高いアルカリ金属（例えば、ナトリウム（Ｎａ）を使用しているので）、III族窒化物の結晶成長中にアルカリ金属が蒸発し、低温部に凝集する。このため、例えば上述した特願２００１−３５５７２０においては、反応容器１０１外から反応容器１０１内へのIII族金属の供給口１１５にアルカリ金属が凝集し、そこでIII族金属とアルカリ金属との金属間化合物が形成されて、III族金属の供給口１１５が詰まってしまうことがある。
【００３２】
本発明は、フラックス法を用いて（すなわち、蒸気圧の高いアルカリ金属（例えば、ナトリウム（Ｎａ）を使用して）、III族窒化物結晶を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶成長方法において、反応容器外からIII族金属を含む物質を反応容器内へ供給する場合に、反応容器内へのIII族金属を含む物質の供給口におけるIII族金属とアルカリ金属との金属間化合物の形成（凝集）を防止し、III族窒化物結晶を安定して結晶成長させることの可能なIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶成長方法を提供することを目的としている。
【００３３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長装置であって、反応容器外から少なくともIII族金属を含む物質を反応容器内へ供給する供給手段を具備し、少なくともIII族金属を含む物質は、前記供給手段の供給口から反応容器内へ供給されるようになっており、混合融液からのアルカリ金属の蒸気が供給手段の供給口に存在しないようにするため、混合融液と前記供給手段の供給口との間に混合融液の温度よりも高い温度領域を設定可能になっていることを特徴としている。
【００３４】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載のIII族窒化物結晶成長装置において、混合融液の温度と前記供給手段の供給口の温度とが独立に制御可能になっていることを特徴としている。
【００３５】
また、請求項３記載の発明は、反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、少なくともIII族金属を含む物質を所定の供給口から反応容器内へ供給してIII族窒化物を結晶成長するときに、混合融液と前記所定の供給口との間に混合融液の温度よりも高い温度領域を設けることを特徴としている。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図２は本発明に係るIII族窒化物結晶成長装置の構成例を示す図である。図２を参照すると、このIII族窒化物結晶成長装置は、アルカリ金属（例えばナトリウム（Ｎａ））とIII族金属（例えばＧａ）を含む混合融液２４を保持し結晶成長を行なうための混合融液保持容器１２が、ステンレス製の閉じた形状の反応容器１１内に設けられている。ここで、混合融液保持容器１２の材質は例えばＢＮ（窒化ホウ素）である。
【００３７】
また、反応容器１１には、反応容器１１内に窒素原料となる窒素（Ｎ2）ガスとアルカリ金属の蒸発を抑制する為のアルゴン（Ａｒ）ガスを充満させ、かつ、反応容器１１内の窒素（Ｎ2）圧力とアルゴン（Ａｒ）ガス圧力を制御することを可能にするガス供給管１４が反応容器１１を貫通して装着されている。
【００３８】
ガス供給管１４は、窒素供給管１７と、アルゴン供給管２０とに分岐しており、それぞれ、バルブ１５，１８で分離することが可能となっている。また、それぞれの圧力を圧力制御装置１６，１９で調整することが可能となっている。
【００３９】
また、反応容器１１内の全圧力をモニターするための圧力計２２が設置されている。なお、不活性気体としてのアルゴンを混合するのは、アルカリ金属の蒸発を抑制しつつ、窒素ガスの圧力を独立して制御するためである。これにより、制御性の高い結晶成長が可能となる。また、混合融液保持容器１２は、反応容器１１から取り外すことができる。
【００４０】
また、反応容器１１は、バルブ２１の部分で結晶成長装置から取り外すことが可能であり、反応容器１１の部分のみをグローブボックスに入れて作業することができる。
【００４１】
また、図２のIII族窒化物結晶成長装置は、図１のIII族窒化物結晶成長装置と同様に、反応容器１１内に少なくともIII族金属を含む物質を供給するためのIII族金属供給装置３０と供給管３１とが設けられている。ここで、III族金属供給装置３０と供給管３１とは、反応容器１１外から少なくともIII族金属を含む物質を反応容器１１内へ供給する供給手段として機能するようになっている。また、図２において、供給管３１の先端部分は、少なくともIII族金属を含む物質の反応容器１１内への供給口３２として機能するようになっている。
【００４２】
このように、図２のIII族窒化物結晶成長装置は、反応容器１１内で、アルカリ金属（例えばＮａ）と少なくともIII族金属を含む物質（例えばＧａ）とが混合融液２４を形成し、該混合融液２４と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物（例えばＧａＮ）２５を結晶成長させるものであって、供給手段（３０，３１）を具備し、少なくともIII族金属を含む物質は、供給手段（３１）の供給口３２から反応容器１１内へ供給されるようになっている。
【００４３】
ところで、このような構成において、混合融液２４からのアルカリ金属の蒸気が供給手段（３１）の供給口３２に存在しないようにするため、本発明では、混合融液２４と供給手段（３１）の供給口３２との間に混合融液２４の温度よりも高い温度領域を設定可能になっている。
【００４４】
このため、図２のIII族窒化物結晶成長装置では、反応容器１１の外側には、複数種（図２の例では２つ）のヒーター４１，４２が設置されている。
【００４５】
また、この際、混合融液２４の温度と供給手段（３１）の供給口３２の温度とが独立に制御可能になっているのが良い。
【００４６】
以下に、図２の結晶成長装置を使用したＧａＮの結晶成長の仕方について説明する。まず、反応容器１１をバルブ２１の部分で結晶成長装置から分離し、Ａｒ雰囲気のグローブボックスに入れる。
【００４７】
次いで、ＢＮ製の混合融液保持容器１２に、III族金属原料としてＧａを入れ、アルカリ金属としてナトリウム（Ｎａ）を入れる。次いで、混合融液保持容器１２を反応容器１１内に設置する。次いで、反応容器１１を密閉し、バルブ２１を閉じ、混合融液保持容器１２の内部を外部雰囲気と遮断する。一連の作業は高純度のＡｒガス雰囲気のグローブボックス内で行うので、反応容器１１の内部はＡｒガスが充填されている。
【００４８】
次いで、反応容器１１をグローブボックスから出し、結晶成長装置に組み込む。すなわち、反応容器１１をヒーター４１，４２がある所定の位置に設置し、バルブ２１の部分で窒素とアルゴンのガス供給ライン１４に接続する。次いで、ヒーター４１，４２に通電し、混合融液保持容器１２を結晶成長温度まで昇温する。また、このとき、反応容器１１内の温度分布が図３のようになるように、ヒーター４１，４２を制御する。すなわち、混合融液２４と供給口３２との間に混合融液２４の温度よりも高い温度領域を設ける。
【００４９】
次いで、バルブ２１とバルブ１８を開け、Ａｒガス供給管２０からＡｒガスを入れ、圧力制御装置１９で圧力を調整して、反応容器１１内の全圧を３ＭＰａにしてバルブ１８を閉じる。次いで、窒素ガス供給管１７から窒素ガスを入れ、圧力制御装置１６で圧力を調整してバルブ１５を開け、反応容器１１内の全圧を５ＭＰａにする。すなわち、反応容器１１内の窒素の分圧は、２ＭＰａである。また、III族金属供給装置３０，供給管３１から少なくともIII族金属を含む物質を反応容器１１に供給する。この状態で２００時間保持した後、室温まで降温する。
【００５０】
このように、III族金属供給装置３０，供給管３１から少なくともIII族金属を含む物質を反応容器１１に供給するとき、混合融液２４からアルカリ金属（例えばＮａ）が蒸発し、アルカリ金属（例えばＮａ）が供給管３１の供給口３２のところに存在すると、III族金属（例えばＧａ）とアルカリ金属（例えばＮａ）との化合物が供給口３２のところに形成され、供給口３２が詰まってしまうことがある。
【００５１】
本発明では、図３に示すように、ヒーター４１，４２によって、混合融液２４と供給口３２との間に混合融液２４の温度よりも高い温度領域を設けることによって、アルカリ金属が供給口３２のところに存在するのを確実に防止することができる。
【００５２】
このように、本発明では、供給口３２のところにアルカリ金属が存在することを確実に防止できるので、III族金属（例えばＧａ）とアルカリ金属（例えばＮａ）との化合物が供給口３２のところに形成されて供給口３２が詰まってしまうことを確実に防止することができて、良質のIII族窒化物結晶を安定に成長させることができる。
【００５３】
実際に、図２，図３の装置を用いて、混合融液保持容器１２内に、数百μｍ前後の大きさの無色透明な立方晶ＧａＮの単結晶２５を結晶成長させることができた。
【００５４】
【発明の効果】
以上に説明したように、請求項１乃至請求項３記載の発明によれば、反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させる場合において、少なくともIII族金属を含む物質を所定の供給口から反応容器内へ供給してIII族窒化物を結晶成長するときに、混合融液と供給口との間に混合融液の温度よりも高い温度領域を設けるので、少なくともIII族金属を含む物質を供給口から反応容器内へ供給する場合に、供給口におけるIII族金属とアルカリ金属との金属間化合物の形成（凝集）を防止し、III族窒化物結晶を安定して結晶成長させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願の先願のIII族窒化物結晶成長装置の構成例を示す図である。
【図２】本発明に係るIII族窒化物結晶成長装置の構成例を示す図である。
【図３】温度分布の一例を示す図である。
【符号の説明】
１１ 反応容器
１２ 混合融液保持容器
１４ ガス供給管
１５，１８，２１ バルブ
１６，１９ 圧力制御装置
１７ 窒素供給管
２０ アルゴン供給管
２２ 圧力計
２４ 混合融液
２５ III族窒化物結晶
３０ III族金属供給装置
３１ 供給管
３２ 供給口
４１，４２ ヒーター
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク用青紫色光源，紫外光源（ＬＤやＬＥＤ），電子写真用青紫色光源，III族窒化物電子デバイスなどに利用可能なIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、紫〜青〜緑色光源として用いられているＩｎＧａＡｌＮ系（III族窒化物）デバイスは、その殆どがサファイア基板あるいはＳｉＣ基板上に、ＭＯ−ＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）やＭＢＥ法（分子線結晶成長法）等を用いた結晶成長により作製されている。サファイアやＳｉＣを基板として用いる場合には、III族窒化物との熱膨張係数差や格子定数差が大きいことに起因する結晶欠陥が多くなる。このために、デバイス特性が悪く、例えば発光デバイスの寿命を長くすることが困難であったり、動作電力が大きくなったりするという問題がある。
【０００３】
更に、サファイア基板の場合には絶縁性であるために、従来の発光デバイスのように基板側からの電極取り出しが不可能であり、結晶成長したIII族窒化物半導体表面側からの電極取り出しが必要となる。その結果、デバイス面積が大きくなり、高コストにつながるという問題がある。また、サファイア基板上に作製したIII族窒化物半導体デバイスは、劈開によるチップ分離が困難であり、レーザダイオード（ＬＤ）で必要とされる共振器端面を劈開で得ることが容易ではない。このため、現在はドライエッチングによる共振器端面形成や、あるいはサファイア基板を１００μｍ以下の厚さまで研磨した後に、劈開に近い形での共振器端面形成を行っているが、この場合にも、従来のＬＤのような共振器端面とチップ分離を単一工程で容易に行うことが不可能であり、工程の複雑化ひいてはコスト高につながる。
【０００４】
これらの問題を解決するために、サファイア基板上にIII族窒化物半導体膜を選択横方向成長やその他の工夫を行うことで、結晶欠陥を低減させることが提案されている。この手法では、サファイア基板上にＧａＮ膜を選択横方向成長しない場合に比較して、結晶欠陥を低減させることが可能となるが、サファイア基板を用いることによる、絶縁性と劈開に関する前述の問題は依然として残っている。更には、工程が複雑化すること、及びサファイア基板とＧａＮ薄膜という異種材料の組み合わせに伴う基板の反りという問題が生じる。これらは高コスト化につながっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような問題を解決するためには、基板としては、基板上に結晶成長するIII族窒化物材料（ここでは、ＧａＮとする）と同一であるＧａＮ基板が最も適切である。そのため、気相成長，融液成長等によりバルクＧａＮの結晶成長の研究がなされている。しかし、未だ高品質で且つ実用的な大きさを有するＧａＮ基板は実現していない。
【０００６】
ＧａＮ基板を実現する一つの手法として、文献「Chemistry of Materials Vol.9 (1997) p.413-416」（以下、従来技術という）には、Ｎａをフラックスとして用いたＧａＮ結晶成長方法が提案されている。この方法は、アジ化ナトリウム（ＮａＮ3）と金属Ｇａを原料として、ステンレス製の反応容器（容器内寸法；内径＝７．５ｍｍ、長さ＝１００ｍｍ）に窒素雰囲気で封入し、その反応容器を６００〜８００℃の温度で２４〜１００時間保持することにより、ＧａＮ結晶を成長させるものである。
【０００７】
この従来技術の場合には、６００〜８００℃と比較的低温での結晶成長が可能であり、容器内圧力も高々１００ｋｇ／ｃｍ2程度と比較的圧力が低く、実用的な成長条件であることが特徴である。しかし、この従来技術の方法では、得られる結晶の大きさが１ｍｍに満たない程度に小さいという問題がある。
【０００８】
上述の従来技術の問題を解決するために、本願出願人は、III族原料および／またはＶ族原料を外部より反応容器内に供給する発明を数多く案出し、特許出願している。例えば、本願出願人による先願である特願２００１−３５５７２０には、外部からＧａを供給する方法が記載されている。すなわち、Ｇａの自重によってＧａを反応容器内に導入する方法が記載されている。
【０００９】
図１は先願である特願２００１−３５５７２０に記載されているIII族窒化物結晶成長装置の構成例を示す図である。図１を参照すると、反応容器１０１内には、アルカリ金属(例えば、Ｎａ)と少なくともIII族金属(例えば、Ｇａ)を含む物質との混合融液１０３を保持する混合融液保持容器１０２が設置されている。
【００１０】
なお、アルカリ金属(例えば、Ｎａ)は、外部から供給されても良いし、あるいは、最初から反応容器１０１内に存在していても良い。
【００１１】
また、反応容器１０１は、例えばステンレスで形成されている。また、混合融液保持容器１０２は、例えば、ＢＮ（窒化ホウ素）、あるいは、ＡｌＮ、あるいは、パイロリティックＢＮで形成されている。
【００１２】
また、図１のIII族窒化物結晶成長装置には、反応容器１０１内に少なくとも窒素を含む物質（例えば、窒素ガス，アンモニアガスまたはアジ化ナトリウム）を供給するための窒素供給管１０４が設けられている。なお、ここで言う窒素とは、窒素分子あるいは窒素を含む化合物から生成された窒素分子や原子状窒素、および窒素を含む原子団および分子団のことであり、以後、本願（明細書）において、窒素とは、このようなものであるとする。
【００１３】
また、窒素供給管１０４には、窒素ガスの圧力を調整するために圧力調整機構１０５が設けられている。なお、この圧力調整機構１０５は、圧力センサー及び圧力調整弁等から構成されている。
【００１４】
また、反応容器１０１には、III族窒化物（例えばＧａＮ）を結晶成長可能な温度に反応容器１０１内を制御するための第１の加熱装置１０６が設けられている。すなわち、第１の加熱装置１０６による温度制御機能によって、反応容器１０１内を結晶成長可能な温度に上げること、及び、結晶成長が停止する温度に下げること、及び、それらの温度に任意の時間保持することが可能となっている。
【００１５】
また、図１のIII族窒化物結晶成長装置には、少なくともIII族金属を含む物質１１０（以下、III族原料と称す）を反応容器１０１の外部から反応容器１０１に供給するために、反応容器１０１の外部には、III族原料１１０を収容する容器１０９が設けられている。具体的に、この容器１０９内には、反応容器１０１内で消費されるIII族金属分（例えば、ＧａとＮとからＧａＮを結晶成長させる場合のＧａ消費分）を補うことができる程度の量のIII族原料１１０（例えば、金属Ｇａ）が収容されている。
【００１６】
そして、この容器１０９と反応容器１０１とは、反応容器１０１内の圧力と少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９の圧力とが同一となるように、圧力調整管１１６によって連通しており、また、少なくともIII族金属を含む物質１１０を混合融液保持容器１０２内に送り込むために、供給管１０７により連通している。
【００１７】
ここで、反応容器１０１内の圧力と少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９の圧力とが同一であるということは、反応容器１０１内の気体の圧力とIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９内の気体の圧力とが、同一であるということである。
【００１８】
また、図１のIII族窒化物結晶成長装置では、少なくともIII族金属を含む物質１１０と混合融液保持容器１０２に保持されている混合融液１０３との相対的高さを制御する機構が設けられている。具体的に、少なくともIII族金属を含む物質１１０と混合融液保持容器１０２に保持されている混合融液１０３との相対的高さを制御する機構は、図１の例では、支柱１１３と、支柱１１３に支持され、容器１０９の高さを調整するための高さ調整ユニット１１２とにより構成されている。この機構によって、少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９は、少なくともIII族金属を含む物質１１０を反応容器１０１内部に自重で送り込むことが可能なように、混合融液保持容器１０２よりも高く位置決めされる。
【００１９】
このように、図１のIII族窒化物結晶成長装置は、反応容器１０１内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液１０３を形成し、該混合融液１０３と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるものであって、混合融液１０３が保持されている混合融液保持容器１０２とは別に、少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９が反応容器１０１外に設けられており、これら２つの容器１０１，１０９は、反応容器１０１内の圧力と少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９の圧力とが同一となるように、圧力調整管１１６によって連通しており、また、少なくともIII族金属を含む物質１１０を混合融液保持容器１０２内に送り込むために、供給管１０７によって連通しており、少なくともIII族金属を含む物質１１０と混合融液保持容器１０２に保持されている混合融液１０３との相対的高さを制御する機構（１１２，１１３）が設けられている。
【００２０】
なお、ここでいう連通とは、２つの容器１０１,１０９が物理的につながっていることであり、容器１０１，１０９内の気体の圧力が同一であり、かつ、少なくともIII族金属を含む物質１１０が輸送されるように、それぞれつながっていることを意味している。
【００２１】
また、図１のIII族窒化物結晶成長装置には、供給管１０７，容器１０９を加熱制御するための第２の加熱装置１１４が設けられている。この第２の加熱装置１１４によって、供給管１０７，容器１０９の温度を４０℃程度に設定することができ、この場合には、容器１０９から供給管１０７を通って反応容器１０１に送られるまでのIII族原料（少なくともIII族金属を含む物質）１１０を、後述のように、液体状態（例えば、液体の金属Ｇａ（ガリウム））に保持することができる。
【００２２】
図１のIII族窒化物結晶成長装置では、反応容器１０１内の温度および実効窒素分圧をIII族窒化物結晶が結晶成長する条件に設定することにより、III族窒化物の結晶成長を開始させることができる。
【００２３】
具体的に、反応容器１０１内の窒素圧力を５０気圧にし、反応容器１０１内の温度を結晶成長が開始する温度７５０℃まで昇温する。この成長条件を一定時間保持することで、III族窒化物結晶（例えば、ＧａＮ結晶）１１１が混合融液保持容器１０２内に成長する。
【００２４】
このときに、反応容器１０１外にある少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９の高さを高くすることで、少なくともIII族金属を含む物質１１０の自重により、反応容器１０１内に少なくともIII族金属を含む物質１１０を送り込むことができる。
【００２５】
このように、図１のIII族窒化物結晶成長装置では、III族窒化物結晶（例えば、ＧａＮ）１１１が結晶成長することにより消費した分のIII族金属（例えばＧａ）を補うためのIII族原料（例えば、Ｇａ）を、容器１０９内から供給管１０７を通して反応容器１０１内に液体状態で供給することができる。また、消費した分の窒素を補うための窒素を、窒素ガスの状態で窒素ガス供給管１０４を介して供給することができる。
【００２６】
このように、III族窒化物結晶の成長が開始して以降、III族原料（少なくともIII族金属を含む物質）１１０を反応容器１０１内に送り込むことで、継続的にIII族窒化物結晶を成長させることができる。
【００２７】
このようにして、III族原料を反応容器１０１内に安定して供給することで、III族窒化物結晶（例えば、ＧａＮ結晶）１１１を継続的に安定して成長させることができ、大きな寸法のIII族窒化物結晶（ＧａＮ結晶）を成長させることができる。
【００２８】
以上のように、図１のIII族窒化物結晶成長装置では、反応容器１０１内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液１０３を形成し、該混合融液１０３と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物１１１を結晶成長させる場合に、混合融液１０３が保持されている混合融液保持容器１０２とは別に、少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９が設けられており、反応容器１０１内の圧力と少なくともIII族金属を含む物質１１０を収容している容器１０９の圧力とが同一であり、少なくともIII族金属を含む物質１１０の自重により、反応容器１０１外部から反応容器１０１内部に少なくともIII族金属を含む物質１１０を送り込むことで、III族窒化物の薄膜結晶成長用の基板となるIII族窒化物結晶が得られる。その結果、複雑な工程を必要とせず、低コストで高品質なIII族窒化物結晶、及び、それを用いたデバイスを実現することが可能となる。
【００２９】
さらに、１０００℃以下と成長温度が低く、１００気圧程度以下と圧力も低い条件下でIII族窒化物の結晶成長が可能となることから、超高圧，超高温に耐えうる高価な反応容器を用いる必要がない。その結果、低コストでのIII族窒化物結晶及びそれを用いたデバイスを実現することが可能となる。
【００３０】
さらに、図１のIII族窒化物結晶成長装置では、少なくともIII族金属を含む物質１１０を反応容器１０１内に継続的に送ることが可能となる。従って、反応容器１０１内で消費したＧａを追加し、III族窒化物結晶１１１を継続的に成長することが可能となり、所望の大きさのIII族窒化物結晶１１１を得ることができるとともに、混合融液１０３内のＧａ量比を一定にすることができ、その結果、欠陥密度の低い良質なIII族窒化物結晶１１１を成長させることが可能となる。
【００３１】
ところで、上述したような本願出願人による発明では、III族窒化物結晶を結晶成長させるのに所謂フラックス法を用いているので（すなわち、蒸気圧の高いアルカリ金属（例えば、ナトリウム（Ｎａ）を使用しているので）、III族窒化物の結晶成長中にアルカリ金属が蒸発し、低温部に凝集する。このため、例えば上述した特願２００１−３５５７２０においては、反応容器１０１外から反応容器１０１内へのIII族金属の供給口１１５にアルカリ金属が凝集し、そこでIII族金属とアルカリ金属との金属間化合物が形成されて、III族金属の供給口１１５が詰まってしまうことがある。
【００３２】
本発明は、フラックス法を用いて（すなわち、蒸気圧の高いアルカリ金属（例えば、ナトリウム（Ｎａ）を使用して）、III族窒化物結晶を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶成長方法において、反応容器外からIII族金属を含む物質を反応容器内へ供給する場合に、反応容器内へのIII族金属を含む物質の供給口におけるIII族金属とアルカリ金属との金属間化合物の形成（凝集）を防止し、III族窒化物結晶を安定して結晶成長させることの可能なIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶成長方法を提供することを目的としている。
【００３３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長装置であって、反応容器外から少なくともIII族金属を含む物質を反応容器内へ供給する供給手段を具備し、少なくともIII族金属を含む物質は、前記供給手段の供給口から反応容器内へ供給されるようになっており、混合融液からのアルカリ金属の蒸気が供給手段の供給口に存在しないようにするため、混合融液と前記供給手段の供給口との間に混合融液の温度よりも高い温度領域を設定可能になっていることを特徴としている。
【００３４】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載のIII族窒化物結晶成長装置において、混合融液の温度と前記供給手段の供給口の温度とが独立に制御可能になっていることを特徴としている。
【００３５】
また、請求項３記載の発明は、反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、少なくともIII族金属を含む物質を所定の供給口から反応容器内へ供給してIII族窒化物を結晶成長するときに、混合融液と前記所定の供給口との間に混合融液の温度よりも高い温度領域を設けることを特徴としている。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図２は本発明に係るIII族窒化物結晶成長装置の構成例を示す図である。図２を参照すると、このIII族窒化物結晶成長装置は、アルカリ金属（例えばナトリウム（Ｎａ））とIII族金属（例えばＧａ）を含む混合融液２４を保持し結晶成長を行なうための混合融液保持容器１２が、ステンレス製の閉じた形状の反応容器１１内に設けられている。ここで、混合融液保持容器１２の材質は例えばＢＮ（窒化ホウ素）である。
【００３７】
また、反応容器１１には、反応容器１１内に窒素原料となる窒素（Ｎ2）ガスとアルカリ金属の蒸発を抑制する為のアルゴン（Ａｒ）ガスを充満させ、かつ、反応容器１１内の窒素（Ｎ2）圧力とアルゴン（Ａｒ）ガス圧力を制御することを可能にするガス供給管１４が反応容器１１を貫通して装着されている。
【００３８】
ガス供給管１４は、窒素供給管１７と、アルゴン供給管２０とに分岐しており、それぞれ、バルブ１５，１８で分離することが可能となっている。また、それぞれの圧力を圧力制御装置１６，１９で調整することが可能となっている。
【００３９】
また、反応容器１１内の全圧力をモニターするための圧力計２２が設置されている。なお、不活性気体としてのアルゴンを混合するのは、アルカリ金属の蒸発を抑制しつつ、窒素ガスの圧力を独立して制御するためである。これにより、制御性の高い結晶成長が可能となる。また、混合融液保持容器１２は、反応容器１１から取り外すことができる。
【００４０】
また、反応容器１１は、バルブ２１の部分で結晶成長装置から取り外すことが可能であり、反応容器１１の部分のみをグローブボックスに入れて作業することができる。
【００４１】
また、図２のIII族窒化物結晶成長装置は、図１のIII族窒化物結晶成長装置と同様に、反応容器１１内に少なくともIII族金属を含む物質を供給するためのIII族金属供給装置３０と供給管３１とが設けられている。ここで、III族金属供給装置３０と供給管３１とは、反応容器１１外から少なくともIII族金属を含む物質を反応容器１１内へ供給する供給手段として機能するようになっている。また、図２において、供給管３１の先端部分は、少なくともIII族金属を含む物質の反応容器１１内への供給口３２として機能するようになっている。
【００４２】
このように、図２のIII族窒化物結晶成長装置は、反応容器１１内で、アルカリ金属（例えばＮａ）と少なくともIII族金属を含む物質（例えばＧａ）とが混合融液２４を形成し、該混合融液２４と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物（例えばＧａＮ）２５を結晶成長させるものであって、供給手段（３０，３１）を具備し、少なくともIII族金属を含む物質は、供給手段（３１）の供給口３２から反応容器１１内へ供給されるようになっている。
【００４３】
ところで、このような構成において、混合融液２４からのアルカリ金属の蒸気が供給手段（３１）の供給口３２に存在しないようにするため、本発明では、混合融液２４と供給手段（３１）の供給口３２との間に混合融液２４の温度よりも高い温度領域を設定可能になっている。
【００４４】
このため、図２のIII族窒化物結晶成長装置では、反応容器１１の外側には、複数種（図２の例では２つ）のヒーター４１，４２が設置されている。
【００４５】
また、この際、混合融液２４の温度と供給手段（３１）の供給口３２の温度とが独立に制御可能になっているのが良い。
【００４６】
以下に、図２の結晶成長装置を使用したＧａＮの結晶成長の仕方について説明する。まず、反応容器１１をバルブ２１の部分で結晶成長装置から分離し、Ａｒ雰囲気のグローブボックスに入れる。
【００４７】
次いで、ＢＮ製の混合融液保持容器１２に、III族金属原料としてＧａを入れ、アルカリ金属としてナトリウム（Ｎａ）を入れる。次いで、混合融液保持容器１２を反応容器１１内に設置する。次いで、反応容器１１を密閉し、バルブ２１を閉じ、混合融液保持容器１２の内部を外部雰囲気と遮断する。一連の作業は高純度のＡｒガス雰囲気のグローブボックス内で行うので、反応容器１１の内部はＡｒガスが充填されている。
【００４８】
次いで、反応容器１１をグローブボックスから出し、結晶成長装置に組み込む。すなわち、反応容器１１をヒーター４１，４２がある所定の位置に設置し、バルブ２１の部分で窒素とアルゴンのガス供給ライン１４に接続する。次いで、ヒーター４１，４２に通電し、混合融液保持容器１２を結晶成長温度まで昇温する。また、このとき、反応容器１１内の温度分布が図３のようになるように、ヒーター４１，４２を制御する。すなわち、混合融液２４と供給口３２との間に混合融液２４の温度よりも高い温度領域を設ける。
【００４９】
次いで、バルブ２１とバルブ１８を開け、Ａｒガス供給管２０からＡｒガスを入れ、圧力制御装置１９で圧力を調整して、反応容器１１内の全圧を３ＭＰａにしてバルブ１８を閉じる。次いで、窒素ガス供給管１７から窒素ガスを入れ、圧力制御装置１６で圧力を調整してバルブ１５を開け、反応容器１１内の全圧を５ＭＰａにする。すなわち、反応容器１１内の窒素の分圧は、２ＭＰａである。また、III族金属供給装置３０，供給管３１から少なくともIII族金属を含む物質を反応容器１１に供給する。この状態で２００時間保持した後、室温まで降温する。
【００５０】
このように、III族金属供給装置３０，供給管３１から少なくともIII族金属を含む物質を反応容器１１に供給するとき、混合融液２４からアルカリ金属（例えばＮａ）が蒸発し、アルカリ金属（例えばＮａ）が供給管３１の供給口３２のところに存在すると、III族金属（例えばＧａ）とアルカリ金属（例えばＮａ）との化合物が供給口３２のところに形成され、供給口３２が詰まってしまうことがある。
【００５１】
本発明では、図３に示すように、ヒーター４１，４２によって、混合融液２４と供給口３２との間に混合融液２４の温度よりも高い温度領域を設けることによって、アルカリ金属が供給口３２のところに存在するのを確実に防止することができる。
【００５２】
このように、本発明では、供給口３２のところにアルカリ金属が存在することを確実に防止できるので、III族金属（例えばＧａ）とアルカリ金属（例えばＮａ）との化合物が供給口３２のところに形成されて供給口３２が詰まってしまうことを確実に防止することができて、良質のIII族窒化物結晶を安定に成長させることができる。
【００５３】
実際に、図２，図３の装置を用いて、混合融液保持容器１２内に、数百μｍ前後の大きさの無色透明な立方晶ＧａＮの単結晶２５を結晶成長させることができた。
【００５４】
【発明の効果】
以上に説明したように、請求項１乃至請求項３記載の発明によれば、反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させる場合において、少なくともIII族金属を含む物質を所定の供給口から反応容器内へ供給してIII族窒化物を結晶成長するときに、混合融液と供給口との間に混合融液の温度よりも高い温度領域を設けるので、少なくともIII族金属を含む物質を供給口から反応容器内へ供給する場合に、供給口におけるIII族金属とアルカリ金属との金属間化合物の形成（凝集）を防止し、III族窒化物結晶を安定して結晶成長させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願の先願のIII族窒化物結晶成長装置の構成例を示す図である。
【図２】本発明に係るIII族窒化物結晶成長装置の構成例を示す図である。
【図３】温度分布の一例を示す図である。
【符号の説明】
１１ 反応容器
１２ 混合融液保持容器
１４ ガス供給管
１５，１８，２１ バルブ
１６，１９ 圧力制御装置
１７ 窒素供給管
２０ アルゴン供給管
２２ 圧力計
２４ 混合融液
２５ III族窒化物結晶
３０ III族金属供給装置
３１ 供給管
３２ 供給口
４１，４２ ヒーター
Claims (3)
- 反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長装置であって、反応容器外から少なくともIII族金属を含む物質を反応容器内へ供給する供給手段を具備し、少なくともIII族金属を含む物質は、前記供給手段の供給口から反応容器内へ供給されるようになっており、混合融液からのアルカリ金属の蒸気が供給手段の供給口に存在しないようにするため、混合融液と前記供給手段の供給口との間に混合融液の温度よりも高い温度領域を設定可能になっていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
- 請求項１記載のIII族窒化物結晶成長装置において、混合融液の温度と前記供給手段の供給口の温度とが独立に制御可能になっていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
- 反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、少なくともIII族金属を含む物質を所定の供給口から反応容器内へ供給してIII族窒化物を結晶成長するときに、混合融液と前記所定の供給口との間に混合融液の温度よりも高い温度領域を設けることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002090588A JP4077643B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | Ｉｉｉ族窒化物結晶成長装置およびｉｉｉ族窒化物結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002090588A JP4077643B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | Ｉｉｉ族窒化物結晶成長装置およびｉｉｉ族窒化物結晶成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003286099A JP2003286099A (ja) | 2003-10-07 |
| JP4077643B2 true JP4077643B2 (ja) | 2008-04-16 |
Family
ID=29235877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002090588A Expired - Fee Related JP4077643B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | Ｉｉｉ族窒化物結晶成長装置およびｉｉｉ族窒化物結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4077643B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4603498B2 (ja) | 2005-03-14 | 2010-12-22 | 株式会社リコー | Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法及び製造装置 |
| CA2608102C (en) | 2005-05-12 | 2011-03-15 | Seiji Sarayama | Method of producing group iii nitride crystal, apparatus for producing group iii nitride crystal, and group iii nitride crystal |
| JP4856934B2 (ja) | 2005-11-21 | 2012-01-18 | 株式会社リコー | ＧａＮ結晶 |
| US20070215034A1 (en) | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Hirokazu Iwata | Crystal preparing device, crystal preparing method, and crystal |
| JP4830976B2 (ja) | 2007-05-30 | 2011-12-07 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体製造装置 |
| JP5499888B2 (ja) * | 2010-05-10 | 2014-05-21 | 株式会社Ｉｈｉ | 窒化ガリウム結晶製造装置のガリウム供給方法及び装置 |
| JP5418402B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2014-02-19 | 株式会社Ｉｈｉ | 窒化ガリウム結晶製造装置のガリウム供給管閉塞防止方法及び装置 |
| JP5582028B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2014-09-03 | 株式会社Ｉｈｉ | 結晶成長装置 |
| CN105986313B (zh) * | 2015-01-31 | 2018-06-01 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种镓源自动补给及回收装置 |
-
2002
- 2002-03-28 JP JP2002090588A patent/JP4077643B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003286099A (ja) | 2003-10-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041203 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060201 |
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| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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| A977 | Report on retrieval |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208 Year of fee payment: 3 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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