JP4080593B2 - 光センサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、多段式の電子冷却部を有する光センサに関する。
【0002】
【従来の技術】
例えばCCDイメージセンサ等では、受光部として例えばフォトダイオード等の光センサが多数並設されており、この光センサに対しては、当該光センサを冷却する電子冷却部が設けられている。この電子冷却部としては、ペルチェ素子を多段に積層して強制空冷するものが知られている。
【0003】
このペルチェ素子を多段に積層した電子冷却部では、放熱効率を向上すべく、放熱側には、光センサに近い吸熱側のペルチェ素子より高出力の(より消費電流が大きい)ペルチェ素子を配置する必要がある。このため、吸熱側と放熱側とでは、出力特性〔I(電流)−V(電圧)特性〕の異なるペルチェ素子が配置されることになる。
【0004】
このように出力特性の異なるペルチェ素子を積層した場合に、個々のペルチェ素子の特性を最大限に引き出すには、各々のペルチェ素子を最適動作点、すなわち消費電力に対するペルチェ素子の冷却能力が最大となる点で動作させる必要がある。
【0005】
このため、従来では、各々独立した電源により、各々のペルチェ素子を最適動作点で駆動していた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記各ペルチェ素子を各々独立した電源で駆動する場合には、上述のように、各々のペルチェ素子を最適動作点で駆動し得るため、冷却効率は優れているが、電源がペルチェ素子の個数分必要となるため、装置が大型化するといった問題がある。
【0007】
一方、1個の共通電源で各ペルチェ素子を駆動する場合には、何れか一つのペルチェ素子しか最適動作点で動作できないといった問題がある。
【0008】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、小型化及び冷却効率の向上を図ることができる光センサを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の光センサは、電子冷却部を有する光センサであって、光センサの近傍に配置された温度センサと、温度センサの出力に基づいて、放熱フィン上に固定された電子冷却部に駆動電流を供給し、且つ、放熱フィン上に載置された温度制御用回路基板に設けられる電流制御部と、を備え、電子冷却部は、放熱側の第1のペルチェ素子と、第1のペルチェ素子より消費電流が小さい吸熱側の1個以上の第2のペルチェ素子とを積層した多段構造で構成され、ペルチェ素子は電気的に直列接続されると共に電流制御部からの駆動電流により駆動され、第2のペルチェ素子には、温度制御用回路基板に設けられたバイパス回路が並列接続され、第1のペルチェ素子は、電流制御部からの駆動電流により当該第1のペルチェ素子の最適動作点で駆動され、第2のペルチェ素子は、電流制御部からの駆動電流がバイパス回路により分流されて当該第2のペルチェ素子の最適動作点で駆動されることを特徴としている。
【0010】
このような本発明に係る光センサによれば、放熱側の第1のペルチェ素子と、この第1のペルチェ素子より消費電流が小さい吸熱側の1個以上の第2のペルチェ素子とが直列接続されると共に、第2のペルチェ素子には、当該第2のペルチェ素子に対する電流を分流するバイパス回路が並列接続され、電流制御部からの駆動電流により、第1のペルチェ素子が最適動作点(消費電力に対するペルチェ素子の冷却能力が最大となる点)で駆動され、この駆動電流は、第2のペルチェ素子が最適動作点で駆動するようにバイパス回路に分流されて、第2のペルチェ素子も最適動作点で駆動されるため、冷却効率の向上が図られる。また、第1及び第2のペルチェ素子が積層されると共に全ペルチェ素子が1個の共通電源(電流制御部)により駆動されるため、小型化が図られる。また、ペルチェ素子同士が直列接続されるため、並列接続に比して、回路が簡素化されると共により小型化が図られる。さらにまた、各ペルチェ素子の特性偏差分を補正する電流制限抵抗等が用いられていないため、冷却効率の低下が防止され、冷却効率の向上がより図られる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、各図において、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【0012】
図1は、本発明の実施形態に係る光センサを備えた光検出器ヘッドを示す斜視図、図2は、光検出器ヘッドの分解斜視図であり、本実施形態の光検出器ヘッドは、例えばCCDイメージセンサ用のものである。
【0013】
この光検出器ヘッドでは、読取対象物に対する受光用の入射窓1aが上部に開口されたCCDパッケージ1内に、読取対象物を撮像するためのCCD素子2が配置されている。このCCD素子2は、例えばフォトダイオード等の光センサPD(図3参照)を多数並設したものを受光部として備えている。このCCD素子2のピン2aは、CCDパッケージ1の側部から突出し、コネクタ3を介して、CCD素子2を駆動するCCD駆動用回路基板4に接続されている。
【0014】
また、CCDパッケージ1内の上記CCD素子2の近傍には、当該CCD素子2の温度を検出する温度センサとして例えばサーミスタRtが配置されている。このサーミスタRtは、例えばCCD素子2が設けられる基板上に配置されていても良い。
【0015】
さらに、上記CCDパッケージ1内の下部には、電子冷却部Pe(図3参照)が配置されている。この電子冷却部Peは、下段の第1のペルチェ素子Pe1と、この第1のペルチェ素子Pe1に重ねて固定された上段の第2のペルチェ素子Pe2と、から成る2段式であり、上段の第2のペルチェ素子Pe2上に上記CCD素子2が固定され、下段の第1のペルチェ素子Pe1が、CCDパッケージ1の下板を構成する薄板状のCCD支持板1b上に固定される。CCD素子2に当接する第2のペルチェ素子Pe2は吸熱側のペルチェ素子を構成し、一方、第1のペルチェ素子Pe1は放熱側のペルチェ素子を構成する。この放熱側の第1のペルチェ素子Pe1としては、放熱効率を向上すべく、吸熱側の第2のペルチェ素子Pe2に比して、より高出力の(より消費電流が大きい)ペルチェ素子が用いられている。すなわち、I−V特性が異なるペルチェ素子が各々用いられている。
【0016】
上記CCDパッケージ1は、図1及び図2に示すように、その下部に設けられた上記CCD支持板1bを介して複数のビス5により、放熱フィン6上に固定された放熱ブロック13上に固定されるか、放熱フィン6上に直接固定される。
【0017】
この放熱フィン6上には、四隅に上方に突出する支持体7aを有すると共に上記電子冷却部Peを制御する回路(詳しくは後述)が形成された温度制御用回路基板7が載置されている。この温度制御用回路基板7は、その中央に開口された開口部7bを上記放熱ブロック13に緩挿することで水平方向の位置決めがなされている。この温度制御用回路基板7の支持体7a上には、上記CCD駆動用回路基板4が載置され、温度制御用回路基板7に対してCCD駆動用回路基板4が支持体7aの高さ分離間した状態にされており、この状態で、複数のビス9が、支持体7aに形成された雌螺子に各々螺合されて、温度制御用回路基板7に対してCCD駆動用回路基板4が固定されている。
【0018】
また、上記放熱フィン6は、その下部が放熱ファン8上に固定されており、上記CCD素子2を構成する光センサPDの熱が、電子冷却部Pe、放熱フィン6及び放熱ファン8を介して外部に放熱されるように構成されている。
【0019】
図3は、光センサPD(CCD素子2)を冷却する電子冷却部Peの制御回路図であり、この制御回路は、一部(図3において点線で囲まれたCCDパッケージ1及びパワートランジスタTr1,Tr2)を除いて、前述した温度制御用回路基板7上に形成されているものである。
【0020】
この制御回路では、上記第1のペルチェ素子Pe1と第2のペルチェ素子Pe2とが直列に接続されていると共に、第1のペルチェ素子Pe1に直列接続される電流制御部Aと、第2のペルチェ素子Pe2に並列接続されるバイパス回路Bと、を備えている。
【0021】
電流制御部Aは、Vcc電源、このVcc電源とサーミスタRtとの間に接続された抵抗R1、第1の基準電圧Vref、演算増幅器U1,U2及び電流制御部A側のパワートランジスタTr1等を備え、サーミスタRtの出力に基づいて、第1のペルチェ素子Pe1に対して当該第1のペルチェ素子Pe1の駆動電流として最も効率的な駆動電流I1を供給するように構成される。
【0022】
すなわち、演算増幅器U1の一方の入力端子には、サーミスタRtと抵抗R1の接続点が接続され、他方の入力端子には、第1の基準電圧Vrefが接続される。また、演算増幅器U2の一方の入力端子には、演算増幅器U1の出力端子が接続され、他方の入力端子には、パワートランジスタTr1のエミッタが接続される。また、パワートランジスタTr1のベースには、演算増幅器U2の出力端子が接続され、コレクタには、Vcc電源が接続される。さらに、パワートランジスタTr1のエミッタと演算増幅器U2の他方の端子との接続点には、第1のペルチェ素子Pe1の入力端子が接続される。
【0023】
一方、バイパス回路Bは、第2の基準電圧Vbias、演算増幅器U3及びバイパス回路B側のパワートランジスタTr2等を備え、第2のペルチェ素子Pe2に対して当該第2のペルチェ素子Pe2の駆動電流として最も効率的な駆動電流I2を供給すべく上記駆動電流I1のうちの余分な電流I3を分流するように構成される。
【0024】
すなわち、Vcc電源が供給される演算増幅器U3の一方の入力端子には、第2の基準電圧Vbiasが接続され、他方の入力端子には、当該演算増幅器U3の出力が接続される。また、パワートランジスタTr2のベースには、演算増幅器U2の出力端子が接続され、エミッタには、第1のペルチェ素子Pe1と第2のペルチェ素子Pe2との直列接続点が接続され、コレクタには、第2のペルチェ素子Pe2の出力端子とグランド電源との接続点が接続される。
【0025】
なお、電流制御部A側のパワートランジスタTr1、バイパス回路B側のパワートランジスタTr2は、図1及び図2に示すように、例えばシリコンラバー等より成る熱伝導体10a,10bを介して、例えばアルミ等より成る放熱板11a,11bに各々固定されており、これらの放熱板11a,11bは、上記放熱フィン6の側部に各々例えばテフロン等を介して電気的に絶縁されて固定されている。このように上記温度制御用回路基板7に対して外付けにされたこれらのパワートランジスタTr1,Tr2は、当該温度制御用回路基板7に対して各々のリード線12a,12bを介して接続されている。
【0026】
このように構成された回路では、電流制御部AにサーミスタRtからの温度情報電圧が入力されると、電流制御部Aにより第1のペルチェ素子Pe1には駆動電流I1が流されて、当該第1のペルチェ素子Pe1は最適動作点、すなわち消費電力に対する第1のペルチェ素子Pe1の冷却能力が最大となる点で駆動される。
【0027】
この時、バイパス回路Bには、上記駆動電流I1のうちの第2のペルチェ素子Pe2に対する余分な電流I3が分流され、第2のペルチェ素子Pe2には駆動電流I2が流されて、当該第2のペルチェ素子Pe2は最適動作点、すなわち消費電力に対する第2のペルチェ素子Pe2の冷却能力が最大となる点で駆動される。
【0028】
このように、本実施形態においては、放熱側の第1のペルチェ素子Pe1と、この第1のペルチェ素子Pe1より消費電流が小さい吸熱側の第2のペルチェ素子Pe2とが直列接続されると共に、第2のペルチェ素子Pe2には、当該第2のペルチェ素子Pe2に対する電流を分流するバイパス回路Bが並列接続され、電流制御部Aからの駆動電流I1により、第1のペルチェ素子Pe1が最適動作点で駆動され、この駆動電流I1は、第2のペルチェ素子Pe2が最適動作点で駆動するようにバイパス回路Bに分流されて、第2のペルチェ素子Pe2も最適動作点で駆動される。これにより、冷却効率の向上が図られるようになっている。また、第1及び第2のペルチェ素子Pe1,Pe2が積層される、すなわち電子冷却部Peが積層タイプであると共に両ペルチェ素子Pe1,Pe2が1個の共通電源Vcc(電流制御部A)により駆動されるため、小型化が図られるようになっている。
【0029】
また、本実施形態においては、以下の効果を得ることもできる。すなわち、制御回路を構成するパワートランジスタTr1,Tr2が、温度制御用回路基板7外に配置された各々異なる放熱板11a,11bに取り付けられているため、各パワートランジスタTr1,Tr2で発生した熱が効率的に外部に放熱されることになり、光センサPDに対する冷却効率の向上が一層図られるようになっている。
【0030】
また、Vcc電源を、電流制御部A側のパワートランジスタTr1が飽和しない限度の電圧まで下げるように設定すれば、全体の消費電力を抑えることも可能である。
【0031】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であるというのはいうまでもなく、例えば、上記実施形態においては、ペルチェ素子Pe1,Pe2を2段に積層した場合の例が述べられているが、3段以上に積層した場合にも同様に適用できる。この場合には、全てのペルチェ素子を直列に接続すると共に、第1のペルチェ素子以外の全てのペルチェ素子に、各ペルチェ素子を最適動作点で動作させ得るバイパス回路を各々並列に接続すれば良い。
【0032】
また、上記実施形態においては、CCDイメージセンサのフォトダイオードを冷却する例が述べられているが、これに限定されるものではなく、要は、特性の異なるペルチェ素子を多段に積層して光センサを冷却する場合全てに適用することができる。
【0033】
なお、特開平9−219475号公報には、ペルチェ素子に電流制限用抵抗を直列に接続した電子冷却素子回路を複数個並列に接続すると共に、当該電子冷却素子回路と並列に電流制御部を接続し、この電流制御部によりバイパス回路を構成することで、ペルチェ素子に流れる電流を制御すると共に、各ペルチェ素子の特性偏差分を電流制限抵抗により補正する電子冷却素子の給電回路が開示されているが、この回路では、小型化及び冷却効率を向上すべく、特性の異なるペルチェ素子を多段に積層して各ペルチェ素子を最適動作点で動作させるという思想及び構成は全く開示されておらず、本発明とは全く異なるものである。また、この公報に記載の回路では、電流制限抵抗を用いているため、当該抵抗で電力が消費されるだけではなく抵抗自体が熱源となって冷却効率が低下すると共に、ペルチェ素子を並列に接続しているため、回路が複雑化するといった問題があるが、本発明では、前述のように、これらの問題点は解消されている。
【0034】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明による光センサは、放熱側の第1のペルチェ素子と、この第1のペルチェ素子より消費電流が小さい吸熱側の1個以上の第2のペルチェ素子とを直列接続すると共に、第2のペルチェ素子に対して、当該第2のペルチェ素子に対する電流を分流するバイパス回路を並列接続して、電流制御部からの駆動電流により、第1のペルチェ素子を最適動作点で駆動し、この駆動電流を、第2のペルチェ素子が最適動作点で駆動するようにバイパス回路に分流して、第2のペルチェ素子も最適動作点で駆動するように構成しているため、冷却効率の向上を図ることが可能となる。また、第1及び第2のペルチェ素子を積層すると共に全ペルチェ素子を1個の共通電源(電流制御部)により駆動するように構成しているため、小型化を図ることが可能となる。また、ペルチェ素子同士を直列接続する構成のため、並列接続に比して、回路を簡素化し得ると共により小型化を図ることが可能となる。さらにまた、各ペルチェ素子の特性偏差分を補正する電流制限抵抗等を用いる構成(特開平9−219475号公報に記載のもの)を採用していないため、冷却効率の低下を防止でき、冷却効率の向上をより図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る光センサを備えた光検出器ヘッドを示す斜視図である。
【図2】光検出器ヘッドの分解斜視図である。
【図3】光センサを冷却する電子冷却部の制御回路図である。
【符号の説明】
A…電流制御部、B…バイパス回路、I1…駆動電流、I3…余分な電流、PD…光センサ、Pe…電子冷却部、Pe1…第1のペルチェ素子、Pe2…第2のペルチェ素子、Rt…温度センサ。
Claims (1)
- 電子冷却部を有する光センサであって、
前記光センサの近傍に配置された温度センサと、
前記温度センサの出力に基づいて、放熱フィン上に固定された前記電子冷却部に駆動電流を供給し、且つ、前記放熱フィン上に載置された温度制御用回路基板に設けられる電流制御部と、を備え、
前記電子冷却部は、放熱側の第1のペルチェ素子と、前記第1のペルチェ素子より消費電流が小さい吸熱側の1個以上の第2のペルチェ素子とを積層した多段構造で構成され、
前記ペルチェ素子は電気的に直列接続されると共に前記電流制御部からの駆動電流により駆動され、
前記第2のペルチェ素子には、前記温度制御用回路基板に設けられたバイパス回路が並列接続され、
前記第1のペルチェ素子は、前記電流制御部からの駆動電流により当該第1のペルチェ素子の最適動作点で駆動され、
前記第2のペルチェ素子は、前記電流制御部からの駆動電流が前記バイパス回路により分流されて当該第2のペルチェ素子の最適動作点で駆動されることを特徴とする光センサ。
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