JP4139020B2 - ワイヤボンディング用キャピラリー - Google Patents
ワイヤボンディング用キャピラリー Download PDFInfo
- Publication number
- JP4139020B2 JP4139020B2 JP28683399A JP28683399A JP4139020B2 JP 4139020 B2 JP4139020 B2 JP 4139020B2 JP 28683399 A JP28683399 A JP 28683399A JP 28683399 A JP28683399 A JP 28683399A JP 4139020 B2 JP4139020 B2 JP 4139020B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capillary
- mol
- thermal expansion
- coefficient
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子の電極とパッケージの電極パッド、または半導体素子の電極パッド同士を金等から成るワイヤでボンディングする際に用いるワイヤボンディング用キャピラリーに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、IC,LSI等の半導体素子をパッケージ内に収容した半導体デバイスにおいて、半導体素子の電極とパッケージ内の電極パッド間、半導体素子の電極間の導通接続は、ボンディングワイヤにより行なっている。そして、ワイヤボンディングを行なう際に、微細な径の金線等からなるワイヤを引き回して導くために、キャピラリー(細管)を使用している。
【0003】
このキャピラリーの材質としては、セラミック,金属,プラスチック,ガラス等の種々のものが試作されてきたが、現在は大部分セラミック製となっている。それは、セラミックは加工精度が高いため、キャピラリーの内径および外径の公差を0.1μm以下と高精度に加工することができ、またセラミックは摩擦係数が小さいためワイヤのキャピラリー内への挿入、キャピラリーからの送出が容易であり、さらに剛性が高く熱膨張係数が低いことから外部応力や温度変化に対して安定であり、耐蝕性にも優れているといった理由による。
【0004】
このようなキャピラリー用のセラミックとしては、近年、アルミナ(Al2O3)セラミック,ジルコニア(ZrO)セラミックが用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、セラミックは金属に比べて一般に熱膨張率が小さいとはいえ、アルミナセラミックやジルコニアセラミックの10〜40℃での熱膨張率はそれぞれ5×10−6/℃,10×10−6/℃であり、近時のサブミクロンオーダーの高い形状精度要求に対しては不十分であった。例えば、雰囲気の気温変化により膨張、収縮を起こして変形し、他の部材との接合不良や接続損失を生じるといった問題があった。
【0006】
一方、熱膨張率が小さいセラミック材料としては、従来コーディエライト(2MgO・2Al2O3・5SiO2)が知られているが、コーディエライトは焼成温度範囲がきわめて狭いことから緻密な焼結体が得難く、よってコーディエライトのような緻密でない材料からなるキャピラリーを用いた場合、強度不足からキャピラリー自体が破損したり、また表面の平滑性に劣るためワイヤを破断するという問題点があった。
【0007】
従って、本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり、その目的は、所定の小さい熱膨張率および高い密度を有する材料からなるキャピラリーとすることで、形状精度に優れ、他の部材との接続不良および接続損失の発生を防止し、またキャピラリー自体の破損やワイヤの破断を防ぐものとすることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明のワイヤボンディング用キャピラリーは、10〜40℃での熱膨張率が2×10−6/℃以下であり、かつ密度が2.3g/cm3以上であるMg,Al,Siの複合酸化物であって、該複合酸化物のモル比がxMgO・yAl2O3・zSiO2(但し、x=10〜40モル%、y=10〜40モル%、z=20〜80モル%、x+y+z=100モル%を満足する)で表されるとともに、主結晶相がコーディエライトであり、他の結晶相としてムライト,プロトエンスタタイト,クリノエンスタタイト,フォルステライト,クリストバライト,トリジマイトまたはサファリンが析出している誘電体磁器組成物から成ることを特徴とする。
【0009】
本発明は、上記構成により、従来のアルミナセラミック,ジルコニアセラミックよりも小さい熱膨張率を有し、緻密な誘電体磁器組成物からなるものとすることができ、その結果、雰囲気温度による熱変形が小さく緻密な材料からなることで、高精度の接合精度が得られ、接続不良および接続損失の発生が抑制でき、キャピラリー自体の破損およびワイヤの破断を防ぐことができる。
【0010】
また本発明のワイヤボンディング用キャピラリーにおいて、前記複合酸化物のモル比がxMgO・yAl2O3・zSiO2(但し、x=10〜40モル%、y=10〜40モル%、z=20〜80モル%、x+y+z=100モル%を満足する)で表されるとともに、主結晶相がコーディエライトであり、他の結晶相としてムライト,プロトエンスタタイト,クリノエンスタタイト,フォルステライト,クリストバライト,トリジマイトまたはサファリンが析出している誘電体磁器組成物から成ることを特徴とする。これにより、熱膨張率および緻密性の点でより優れたものとすることが可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明のワイヤボンディング用キャピラリーについて以下に説明する。図1,図2は本発明のワイヤボンディング用キャピラリーを模式的に示した断面図および斜視図であり、これらの図において、1はワイヤボンディング用キャピラリー(以下、キャピラリーという)、1aはキャピラリー1の中心軸方向に形成された、ワイヤを挿入および送出するための貫通孔、1bは貫通孔1aのワイヤ挿入側の端部に形成された、ワイヤの挿入を容易にするための円錐形部、1cはキャピラリー1のワイヤ送出側の外側面に形成された、ワイヤのガイド面であるテーパー部、1dはワイヤの送出側に形成された、ボンディングするワイヤの金属の容量と形状を制御する円錐形部、1eは円筒状の最大径部である。
【0012】
本発明のキャピラリー1は、図1に示すように、外形は円筒状の最大径部1eと、最大径部1eに連続する先端側の円錐状のテーパー部1cとから構成されているが、円筒状および円錐形状とする必要はなく、四角柱状および四角錘状等の多角柱状および多角錘状等とすることもできる。また、一般に、キャピラリー1全体の長さは10mm程度、最大径部1eの外径は0.8〜3mm程度、円錐状のテーパー部1cの最大径部1eの面に対する傾斜角は30°程度であり、貫通孔1aの直径は25〜40μm、円錐形部1bおよび円錐形部1dの傾斜角は60°程度、またワイヤの直径は25〜30μm程度である。
【0013】
本発明のキャピラリー1の材料である誘電体磁器組成物は、xMgO・yAl2O3・zSiO2(但し、x=10〜40モル%、y=10〜40モル%、z=20〜80モル%、x+y+z=100モル%を満足する)で表される複合酸化物を主成分とする。
【0014】
本発明のキャピラリー1用の誘電体磁器組成物の主成分の組成比を前記範囲に限定したのは、以下の理由による。即ち、MgOのモル%を示すxを10〜40モル%としたのは、10モル%未満では良好な焼結体が得られず密度が低下し、40モル%を超えると熱膨張率が大きくなる。特には、熱膨張率を1.5×10−6/℃以下にするという点で、xは15〜35モル%が望ましい。
【0015】
また、Al2O3のモル%を示すyを10〜40モル%としたのは、yが10モル%よりも小さい場合には良好な焼結体が得られず密度が低下し、40モル%を超えると熱膨張率が大きくなるからである。特に、熱膨張率を1.5×10−6/℃以下にするという点で、17〜35モル%が望ましい。
【0016】
SiO2のモル%を20〜80モル%としたのは、zが20モル%未満の場合には熱膨張率が大きくなり、80モル%を超えると良好な焼結体が得られず密度が低下する傾向にあるからである。特に、熱膨張率を1.5×10−6/℃以下にするという点で、30〜65モル%が望ましい。
【0017】
これらMgO,Al2O3,SiO2のモル%を各々示すx,y,zは、EPMA(Electron Probe Micro Analysis)法、XRD(X−ray Diffraction:X線回折)法等の分析方法で特定できる。
【0018】
本発明において、10〜40℃での熱膨張率を2×10−6/℃以下としたのは、2×10−6/℃を超えると、サブミクロンオーダーの高精度の接合精度が得られず、接続損失や接続不良を生じ易いからである。この熱膨張率は小さい法が望ましいが、特に10〜40℃での熱膨張率が1.5×10−6/℃以下であることが望ましい。
【0019】
また、本発明のキャピラリー1用の誘電体磁器組成物は、主結晶相がコーディエライト(3MgO・2Al2O3・5SiO2)であり、他の結晶相としてムライト(3Al2O3・2SiO2),プロトエンスタタイト{メタ珪酸マグネシウム(MgO・SiO2)を主成分とするステアタイトの一種},クリノエンスタタイト{メタ珪酸マグネシウム(MgO・SiO2)を主成分とするステアタイトの一種},フォルステタイト(2MgO・SiO2),クリストバライト{珪酸(SiO2)の一種},トリジマイト{珪酸(SiO2)の一種},サファリン(Mg,Alの珪酸塩の一種)等が析出しているが、組成によってその析出相が異なる。
【0020】
本発明のキャピラリー1用の誘電体磁器は、以下のようにして製造する。原料粉末として、例えば、MgCO3粉末,Al2O3粉末,SiO2粉末を用い、所定割合で秤量し、湿式混合した後乾燥し、この混合物を大気中において1100〜1300℃で仮焼した後、粉砕する。得られた粉末に適量のバインダを加えて成形し、この成形体を大気中1300〜1450℃で焼成することにより得られる。
【0021】
なお、本発明のキャピラリー1用の誘電体磁器組成物の主成分は、金属元素として、Mg,Al,Siからなり、10〜40℃での熱膨張率2×10−6/℃以下の特性を満足することを条件に、上記元素以外に粉砕ボールや原料粉末の不純物混入、焼結温度範囲の制御、機械的強度の向上を目的に、他の成分を含有してもよい。例えば、希土類元素化合物,Ba,Sr,Ca,Ni,Co,In,Ga,Zr,Ti,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Cu,Zn,B,Ge,Sn等の酸化物、または窒化珪素等の窒化物,炭化珪素等の炭化物などの非酸化物である。また、これらは単独または複数種含有されていてもよい。
【0022】
かくして、本発明は、従来のアルミナセラミック,ジルコニアセラミックよりも小さい熱膨張率を有し、緻密な誘電体磁器組成物からなるものとすることができ、その結果、雰囲気温度による熱変形が小さく緻密な材料からなることで、高精度の接合精度が得られ、接続不良および接続損失の発生が抑制でき、さらにキャピラリー1自体の破損およびワイヤの破断を防ぐことができるという作用効果を有する。
【0023】
本発明のキャピラリー1は、上述した如く鋭利な先端部を有した中空状の形状であるので、緻密で熱膨張率の小さい特性が求められるものであれば、他の用途にも応用できる。例えば、ピペットの先端部品,シリンジ,真空ピンセットの先端部品等の種々の用途に応用できる。
【0024】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何ら差し支えない。
【0025】
【実施例】
本発明の実施例について以下に説明する。
【0026】
(実施例)
図1,図2のキャピラリー1を以下のように構成した。原料粉末として、純度99重量%のMgCO3,純度99.7重量%のAl2O3,純度99.4重量%のSiO2粉末を用い、これらを焼結体と成した場合に表1の組成比となるように秤量し、15時間湿式混合した後、乾燥し、この混合物を大気中において1200℃,2時間仮焼した後粉砕した。なお、表1において、MgCO3はMgO換算したものであり、表1中の熱膨張率は10〜40℃でのものである。
【0027】
得られた粉末に適量の樹脂バインダを加えて造粒し、これを成形して最終製品としての焼結体が、全体の長さが10mm,円筒状の最大径部1eの外径が0.8mm,貫通孔1aの直径が30μm,円錐形部1bの傾斜角が60°,円錐形部1dの傾斜角が60°となるようにした。この成形体を1300〜1450℃で2時間焼結してキャピラリー1を作製した。
【0028】
【表1】
【0029】
表1によれば、本発明のキャピラリー1用の誘電体磁器組成物は、10〜40℃での熱膨張率が2×10−6/℃以下と小さく、また密度は2.3g/cm3以上と大きいものであり、他の部材との接続不良および接続損失の発生が抑制でき、キャピラリー1自体の破損およびワイヤの破断の発生が著しく減少した。
【0030】
【発明の効果】
本発明のワイヤボンディング用キャピラリーは、10〜40℃での熱膨張率が2×10−6/℃以下であり、かつ密度が2.3g/cm3以上であるMg,Al,Siの複合酸化物であって、該複合酸化物のモル比がxMgO・yAl2O3・zSiO2(但し、x=10〜40モル%、y=10〜40モル%、z=20〜80モル%、x+y+z=100モル%を満足する)で表されるとともに、主結晶相がコーディエライトであり、他の結晶相としてムライト,プロトエンスタタイト,クリノエンスタタイト,フォルステライト,クリストバライト,トリジマイトまたはサファリンが析出している誘電体磁器組成物から成ることにより、従来のアルミナセラミック,ジルコニアセラミックよりも小さい熱膨張率を有し、緻密な誘電体磁器組成物からなり、その結果、雰囲気温度による熱変形が小さく、高精度の接合精度が得られ、接続不良および接続損失の発生が抑制でき、キャピラリー自体の破損およびワイヤの破断を防ぐことができるという作用効果を有する。
【0031】
また、本発明のワイヤボンディング用キャピラリーは、複合酸化物のモル比がxMgO・yAl2O3・zSiO2(但し、x=10〜40モル%、y=10〜40モル%、z=20〜80モル%、x+y+z=100モル%を満足する)で表されるとともに、主結晶相がコーディエライトであり、他の結晶相としてムライト,プロトエンスタタイト,クリノエンスタタイト,フォルステライト,クリストバライト,トリジマイトまたはサファリンが析出している誘電体磁器組成物から成ることにより、熱膨張率および緻密性の点でより優れたものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のキャピラリーの断面図である。
【図2】 本発明のキャピラリーの斜視図である。
【符号の説明】
1:キャピラリー
1a:貫通孔
1b:円錐形部
1c:テーパー部
1d:円錐形部
1e:最大径部
Claims (1)
- 10〜40℃での熱膨張率が2×10−6/℃以下であり、かつ密度が2.3g/cm3以上であるMg,Al,Siの複合酸化物であって、該複合酸化物のモル比がxMgO・yAl2O3・zSiO2(但し、x=10〜40モル%、y=10〜40モル%、z=20〜80モル%、x+y+z=100モル%を満足する)で表されるとともに、主結晶相がコーディエライトであり、他の結晶相としてムライト,プロトエンスタタイト,クリノエンスタタイト,フォルステライト,クリストバライト,トリジマイトまたはサファリンが析出している誘電体磁器組成物から成ることを特徴とするワイヤボンディング用キャピラリー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28683399A JP4139020B2 (ja) | 1999-10-07 | 1999-10-07 | ワイヤボンディング用キャピラリー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28683399A JP4139020B2 (ja) | 1999-10-07 | 1999-10-07 | ワイヤボンディング用キャピラリー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110841A JP2001110841A (ja) | 2001-04-20 |
| JP4139020B2 true JP4139020B2 (ja) | 2008-08-27 |
Family
ID=17709637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28683399A Expired - Fee Related JP4139020B2 (ja) | 1999-10-07 | 1999-10-07 | ワイヤボンディング用キャピラリー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4139020B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9707734B2 (en) | 2011-03-18 | 2017-07-18 | Schaefer Kalk Gmbh & Co. Kg | Microstructured composite particles |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4573146B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2010-11-04 | Toto株式会社 | コーディエライト黒色系緻密焼結体及びその製造法 |
| JP5907369B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2016-04-26 | 日立化成株式会社 | 布線装置及びこれを用いたマルチワイヤ配線板の製造方法 |
| JP5890945B1 (ja) * | 2014-06-06 | 2016-03-22 | 日本碍子株式会社 | コージェライト焼結体、その製法、複合基板及び電子デバイス |
-
1999
- 1999-10-07 JP JP28683399A patent/JP4139020B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9707734B2 (en) | 2011-03-18 | 2017-07-18 | Schaefer Kalk Gmbh & Co. Kg | Microstructured composite particles |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001110841A (ja) | 2001-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5665657B2 (ja) | 低温焼成セラミック焼結体およびその製造方法、並びに配線基板 | |
| JP4648030B2 (ja) | イットリア焼結体、セラミックス部材、及び、イットリア焼結体の製造方法 | |
| JP4796354B2 (ja) | 静電チャック及びイットリア焼結体の製造方法 | |
| JPH0715101A (ja) | 酸化物セラミック回路基板及びその製造方法 | |
| JP4705991B2 (ja) | スパークプラグ用アルミナ基焼結体及びその製造方法、並びにスパークプラグ及びその製造方法 | |
| JP5057620B2 (ja) | 低温焼成セラミック焼結体、並びに配線基板 | |
| JP5667045B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板、窒化アルミニウム回路基板および半導体装置 | |
| US20080096758A1 (en) | Low-thermal expansion ceramics bonding body and manufacturing method of the same | |
| JP2001110841A (ja) | ワイヤボンディング用キャピラリー | |
| JP3566678B2 (ja) | ワイヤーボンディング用キャピラリー | |
| JP2821748B2 (ja) | 耐溶損性に優れたbn系常圧焼結セラミック | |
| JPH07120685B2 (ja) | セラミツク製ワイヤボンデイング用キヤピラリ− | |
| JP3309004B2 (ja) | ワイヤボンディング用キャピラリ | |
| JP2003100421A (ja) | セラミックヒーター | |
| JP4269910B2 (ja) | ボンディングキャピラリー | |
| JP2592223B2 (ja) | ボンディングキャピラリー用アルミナセラミックスおよびその製造方法 | |
| WO2023189338A1 (ja) | 配線基板 | |
| KR100717109B1 (ko) | 산화이트륨 소결체, 정전척 및 산화이트륨 소결체의 제조방법 | |
| JP2010098049A (ja) | 多層セラミック基板及びその製造方法 | |
| JP3827498B2 (ja) | ガラスセラミック焼結体、および配線基板 | |
| JP7804479B2 (ja) | 電極埋設部材、およびその製造方法 | |
| JP4450638B2 (ja) | 静電チャックの製造方法 | |
| JPH08201655A (ja) | 光ファイバコネクタ用部材 | |
| JP2000169216A (ja) | 基準器 | |
| JP2002231796A (ja) | 静電チャック |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040217 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040316 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040510 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050607 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050803 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050808 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20050909 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080606 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130613 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |