JP4256367B2 - 振動波検出装置 - Google Patents

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Description

この発明は、振動波検出装置に関し、特に、共振周波数が異なる複数の共振子を用いて、振動波の周波数帯域ごとの強度を電気的に検出する振動波検出装置に関する。
図8は従来の振動波検出装置の平面図である。この振動波検出装置は、特許第3348687号公報(特許文献1)に記載されたものである。図8において、センサ本体1は、半導体シリコン基板10上に形成されていて、ダイヤフラム2と、横断ビーム3と、終板4と、複数の共振ビーム5とを含む。ダイヤフラム2は入力音波を受けて振動するように薄い板状に形成されている。横断ビーム3はダイヤフラム2と終板4との間を結合するように形成されており、ダイヤフラム2側の幅が広く、そこから終板4側に向うに従って徐々に細くなり終板4端で最も細くなっている。
複数の共振ビーム5は、それぞれ特定の周波数に共振するように長さが調整されており、横断ビーム3から両側に延びるように片持ち支持されている。この振動波検出装置は、同じ共振周波数を有する共振ビーム5,5を1対ずつ備えたフィッシュボーン構造になっている。終板4はダイヤフラム2から横断ビーム3を介して伝達してきた入力音波による振動がダイヤフラム2側に戻らないように吸収するために設けられている。なお、ダイヤフラム2と、横断ビーム3と、終板4と、複数の共振ビーム5の下部は空間になっており、複数の共振ビーム5の周囲は開口されている。
入力音波による振動によりダイヤフラム2が垂直に振動し、その振動が横断ビーム3を水平方向に伝達し、複数の共振ビーム5のうち対応する振動子が垂直に振動する。共振ビーム5の長さまたは厚さを変えることにより、それぞれの共振周波数を所望の値に設定することができる。各共振ビーム5には、横断ビーム3側に図示しないピエゾ抵抗が配置されており、ピエゾ抵抗の抵抗値の変化を例えばホィートストンブリッジの出力として取り出すことができる。
特許第3348687号公報
図8に示した振動波検出装置において、共振ビーム5の周囲は一方側から他方側にかけて開口されており、ダイヤフラム2の下部は空間になっていて、ダイヤフラム2の表面と裏面とが空間的に分離されていない。このため、入力音波はダイヤフラム2の一方面に伝達されるのみならず他方面にも回り込む。この結果、ダイヤフラム2の一方面に加わる音圧と他方面に加わる音圧との差圧がとりにくくなるので入力効率が悪く、感度が低くなるという問題がある。特に、低周波音は波長が長く回折しやすいため、より感度が低くなってしまう。
そこで、この発明の目的は、入力効率を向上させて、感度を上げることができる振動波検出装置を提供することである。
この発明は、音波に応じて振動する板状の振動板と、振動板に結合され、それぞれが異なる特定の周波数に共振する複数の共振子と、振動板の一方面と他方面とを音響的に分離するための音響遮断部を備える。
音響遮断部により振動板の一方面に入力される音波が他方面に回り込むのを阻止することができる。
好ましくは、音響遮断部は、少なくとも振動板の他方面に接する空間を一方面に接する空間から遮断する遮断壁を含む。
一実施形態では、音響遮断部は、振動板と共振子の他方面に密閉された空室を形成する支持部材と、複数の共振子の一方面を覆うキャップとを含む。支持部材とキャップとにより、振動板の一方面と他方面とを音響的に分離できる。
キャップは、振動板と複数の共振子との境界部分に対向し、所定の空隙を有して音波の通過を阻止する音響遮断空隙部を含む。音響遮断部を設けることで振動板や複数の共振子の振動を阻害することがない。
また、キャップは、音波を振動板に入力するために開口された開口部を含む。開口部から音波を効率的に入力できる。キャップは、複数の共振子を覆い、内部に共振用キャビティが形成された封止部を含む。共振用キャビティを設けることで複数の共振子の振動を阻害することがない。
他の実施形態では、音響遮断部は、振動板の一方面から遮断された空室を他方面側に形成し、振動板と複数の共振子との境界部分に対向し、所定の空隙を有して音波の通過を阻止する音響遮断空隙部が形成された壁を含む。
この発明の他の局面は、音波に応じて振動する板状の振動板と、振動板に結合され、それぞれが異なる特定の周波数に共振する複数の共振子と、記振動板と複数の共振子とを覆い、振動板の一方面に、所定の空隙を介して対向して設けられる薄膜部を有する音響遮断部を備える。
この発明によれば、振動板と、振動板に結合され、それぞれが異なる特定の周波数に共振する複数の共振子とを含む振動波検出装置において、振動板の一方面と他方面とを音響遮断部で音響的に分離し、振動板の一方面に入力された音波が他方面に回り込むのを阻止するようにしたので、振動板の一方面に加わる音圧と、他方面に加わる音圧との差圧を大きくすることができ、振動波検出装置の入力効率を向上させて、感度を上げることができる。
図1はこの発明の一実施形態の振動波検出装置にキャップを被せた状態を示す外観斜視図であり、図2は図1に示した振動波検出装置をセラミックパッケージに収納した状態を示す断面図である。
図1および図2において、センサ本体1は図8に示したものとほぼ同様に構成されており、ダイヤフラム2と、図示しない横断ビームと、終板4と、複数の共振ビーム5とを含む。センサ本体1は周辺支持部11上に配置されており、センサ本体1上にはキャップ12が被せられている。センサ本体1と周辺支持部11とキャップ12は、図2に示すようにセラミックパッケージ21内に収納される。
周辺支持部11は、例えばシリコンまたはガラスなどにより、センサ本体1の下面の周囲を囲むように矩形形状に形成されており、内部に空室としての背室6を有している。背室6はダイヤフラム2および複数の共振ビーム5が垂直方向に振動するので、その振動を阻害することがないように空間を確保している。
キャップ12は、周辺支持部11とセラミックパッケージ21の底部とともに、センサ本体のダイヤフラム2の一方面(上面)と他方面(下面)とを音響的に分離する遮断壁を構成している。このようにダイヤフラム2の一方面と他方面とを音響的に分離することで、入力波がダイヤフラム2の一方面にのみ伝達され、他方面に回りこむのを阻止して、一方面に加わる音圧と他方面に加わる音圧との差圧を大きくできる。これにより、振動波検出装置の入力効率を向上させて、感度を上げることができる。
振動波検出装置のキャップ12は、例えばシリコンまたはガラスなどで矩形形状に形成されており、開口部13と封止部16とを有している。開口部13は、センサ本体1のダイヤフラム2が音波を集音し易くするために、開口側が広く、センサ本体1側が狭くなるように壁面14がテーパ状に形成されている。
開口部13の壁面14は、ダイヤフラム2の周囲を囲んでおり、そのうちの中央の下面は音響遮断空隙部15を形成している。音響遮断空隙部15は、ダイヤフラム2と共振ビーム5との境界部分に対向して形成されており、音波を通さない、例えば十数μm程度の狭い空隙である。音響遮断空隙部15を形成したのは、中央の壁面の下面を直接ダイヤフラム2や共振ビーム5に密接させてしまうと、ダイヤフラム2や共振ビーム5の振動を阻害することになるからである。
封止部16は複数の共振ビーム5の周囲の開口を封止するために形成されている。図2に示すように、封止部16には、共振ビーム5に対向して、例えば高さが50〜100μmほどにくり抜かれた共振用キャビティ17が形成されている。共振用キャビティ17は、複数の共振ビーム5が共振したときにキャップ12に触れることがないように空間を確保している。
また、共振用キャビティ17により、複数の共振ビーム5に直接音波が入力することがないので、共振ビーム5の感度が低下することもない。周辺支持部11およびキャップ12はそれぞれの周囲がシリコン基板の下面と上面とに接着剤31,32で接着されている。
セラミックパッケージ21は、底部22と、側壁23と、天板24とを含み、天板24には開口部25が形成されている。開口部25はキャップ12の開口部13を介してダイヤフラム2に音波が入力するように形成されている。図2ではキャップ12の開口部13に対応してセラミックパッケージ21の開口部25が形成されているが、これに限ることなく、キャップ21の共振用キャビティ17の上方の天板24の対応する位置に形成してもよい。
上述のごとく、この実施形態によれば、セラミックパッケージ21の開口部25からキャップ12の開口部13を介して入力された音波がダイヤフラム2の一方面にのみ入力される。ダイヤフラム2の他方面は、セラミックパッケージ21の底部22と周辺支持部11とキャップ12で囲まれており、ダイヤフラム2の一方面と音響的に分離されているため、入力された音波がダイヤフラム2の他方面側に回り込むことがない。これにより、差圧を大きくすることができ、感度を上げることができる。
なお、センサ本体1にキャップ12を被せても、ダイヤフラム2の上部には開口部13が形成されているため、ダイヤフラム2の振動を阻害することはない。また、封止部16の内部には共振用キャビティ17が形成されているので、複数の共振ビーム5の振動が阻害されることもない。
図3はこの発明の他の実施形態における振動波検出装置の断面図である。図2に示した実施形態では、センサ本体1上に音響遮断部の一部を構成するキャップ12を配置したのに対して、この実施形態ではキャップ12を設けることなく、センサ本体1の下部の背室6を区切る壁部26を配置したものである。すなわち、セラミックパッケージ21の底部22に周辺支持部11を配置し、背室6のダイヤフラム2の下面の空間と、共振ビーム5の下面の空間を仕切るために、壁部26が形成される。壁部26の上面とダイヤフラム2の下面との間には、図2に示した音響遮断空隙部15と同様の音響遮断空隙部27が形成されている。
セラミックパッケージ21の開口部25から入力された入力音波によりダイヤフラム2の一方面には入力音波の音圧が加わるが、他方面側の空間は周辺支持部11と壁部26と底部22とにより一方面側の空間と遮断されている。このため、入力音波が回り込むことがないので、ダイヤフラム2の他方面に音圧が加わらない。その結果、差圧を大きくすることができる。
図4はこの発明のさらに他の実施形態の振動波検出装置を示す図であり、(A)は平面図であり、(B)は(A)の線IVB−IVBに沿う断面図であり、(C)はセンサ本体の平面図である。
図4において、半導体基板10aをエッチングしてダイヤフラム2aと、横断ビーム3aと、複数の共振ビーム5aと、終止板4aとが一体的に形成される。半導体基板10aの下部には、背室6を囲む周辺支持部11が形成されている。また、半導体基板10a上には複数の電極パッド7が形成されている。各電極パッド7には、複数の共振ビームに対応して設けられているピエゾ抵抗素子が電気的に接続される。
図4(C)に示す複数の共振ビーム5aの周囲は一方側から他方側にかけて開口されており、ダイヤフラム2aの一方面と他方面に接する背室6は遮断されていない。このため、ダイヤフラム2aに伝わる音波が背室6側に回りこむのでダイヤフラム2aの他方面に音圧が加わってしまう。
そこで、図4(A),(B)に示すキャップ12が半導体基板10a上に配置される。キャップ12は、図1および図2に示したキャップ12と同じものが用いられ、封止部16を含み、テーパ状の壁面14を有する開口部13と、音響遮断空隙部15と、共振用キャビティ17とが形成されている。キャップ12は接着剤31により半導体基板10a上に固定される。このようにキャップ12が被せられた半導体基板10aは、図1に示したセラミックパッケージ21内に収納されるか、あるいは背室6の開口部が図示しない底板により封止される。
この実施形態によれば、キャップ12により半導体基板10aの複数の共振ビーム5の周りの開口部を塞ぎ、背室6の開口側も封止されているので、キャップ12の開口部13を介して、ダイヤフラム2aの一方面に音波が入力されても背室6側に音波が回り込むことがない。その結果、差圧を大きくすることができるので、振動波検出装置の感度を良好にすることができる。
図5は、この発明のさらに他の実施形態の振動波検出装置を示す図であり、(A)は平面図であり、(B)は(A)の線VB−VBに沿う断面図であり、(C)はセンサ本体の平面図である。
図5(B),(C)に示すセンサ本体10aは、図4(B),(C)に示したものと同じ物が用いられるが、キャップ41は図4(A),(B)に示したものと異なっている。すなわち図4(A)に示したキャップ12には開口部13が形成されていたが、この実施形態におけるキャップ41は、開口部13を有せず、複数の共振ビーム5の周囲の開口を塞ぐために封止部45のみを有している。
キャップ41の封止部45には、複数の共振ビーム5aに対応する部分に共振用キャビティ43が形成されている。キャップ41は、ダイヤフラム2aと共振ビーム5aとの境目付近上部に位置する壁部44を有しており、この壁部44の下面とダイヤフラム2aとの間に音響遮断空隙部42が形成されている。このようにキャップ41が被せられた半導体基板10aは、図1に示したセラミックパッケージ21内に収納されるか、あるいは背室6の開口部が図示しない底板により封止される。キャップ41の壁部44に対向する壁部45は下面と半導体基板10aとの間が接着剤31により固定される。
この実施形態においては、キャップ41に開口部が形成されていないので入力された音波は、直接ダイヤフラム2aの一方面に入力される。そして、ダイヤフラム2aの一方面に音波が入力されても、キャップ41により半導体基板10aの複数の共振ビーム5の周りの開口部を塞ぎ、背室6の開口側も封止しているので、背室6側に音波が回り込むことがない。その結果、差圧を大きくすることができるので、振動波検出装置の感度を良好にすることができる。
図6は、この発明のさらに他の実施形態の振動波検出装置を示す図であり、(A)は平面図であり、(B)は(A)の線VIB−VIBに沿う断面図であり、(C)はセンサ本体の平面図である。
この図6に示した実施形態は、キャップ12aの開口部13のダイヤフラム2a側の開口部に、薄膜部18を形成したものである。薄膜部18とダイヤフラム2aとの間には、例えば10μm以下の間隔で、カップリング空隙19が形成されている。その他の構成は図4に示したものと同じである。
この実施形態では、キャップ12aの開口部13に音波が入力されると、薄膜部18が振動し、その振動がカップリング空隙19を介してダイヤフラム2aの一方面に伝達される。複数の共振ビーム5aの周囲の開口部はキャップ12aの封止部16で封止されているので、ダイヤフラム2aの他方面には音波が伝達されることはない。このため、差圧を大きくすることができるので感度を良好にできる。
図7はこの発明の振動波検出装置で検出された周波数成分の信号を取り出す回路を示す回路図である。なお、図7では共振ビーム5は簡略化のために横断ビームから両側に4本の共振ビーム5が片持ち支持されているものとして示している。
各共振ビーム5の横断ビーム側の歪発生部分には、ポリシリコンからなるピエゾ抵抗Rが形成されている。これらのピエゾ抵抗Rを並列接続した並列回路が2組設けられている。それぞれの並列回路の一端は電圧V0の直流電源51と、電圧−V0の直流電源52に接続され、それぞれの他端は演算増幅器53,54の−入力端に接続されている。演算増幅器53,54の+入力端は接地されている。演算増幅器53,54の−入力端と出力端との間には帰還抵抗Rfが接続されている。
図7に示した回路では、直流電源51により一方側の共振ビーム5にバイアス電圧V0が印加されており、直流電源52により他方側の共振ビーム5にバイアス電圧−V0が印加されている。特定の共振ビーム5が共振すると、その歪によって対応するピエゾ抵抗Rの抵抗値が変化し、それらの変化の和が加算され、演算増幅器53,54により両並列回路の出力信号を加算することで2倍の出力を得ることができる。
なお、上述の実施形態では、共振ビーム5aを横断ビーム3aが延びる方向に沿って両側に片持ち支持するものについて、この発明を適用した場合について説明したが、横断ビーム3aの一方側にのみ共振ビーム5aを片持ち支持する振動波検出装置にこの発明を適用してもよい。
以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明したが、この発明は、図示した実施形態のものに限定されない。図示された実施形態に対して、この発明と同一の範囲内において、あるいは均等の範囲内において、種々の修正や変形を加えることが可能である。
この発明の振動波検出装置は、音波の周波数を検出する周波数検出装置に利用できる。
この発明の一実施形態の振動波検出装置にキャップを被せた状態を示す外観斜視図である。 図1に示した振動波検出装置をセラミックパッケージに収納した状態を示す断面図である。 この発明の他の実施形態における振動波検出装置の断面図である。 この発明のさらに他の実施形態の振動波検出装置を示す図である。 この発明のさらに他の実施形態の振動波検出装置を示す図である。 この発明のさらに他の実施形態の振動波検出装置を示す図である。 この発明の振動波検出装置で検出された周波数成分の信号を取り出す回路を示す回路図である。 従来の振動波検出装置の平面図である。
符号の説明
1 センサ本体、2,2a ダイヤフラム、3a 横断ビーム、4,4a 終板、5,5a 共振ビーム、6 背室、7電極パッド、10,10a 半導体基板、11 周辺支持部、12,12a,41 キャップ、13,25 開口部、14 壁面、15,27,42 音響遮断空隙部、16 封止部、17,43 共振用キャビティ、18 薄膜部、19 カップリング空隙、21 セラミックパッケージ、22 底部、23 側壁、24 上板、31,32 接着剤、26,44,45 壁部、51,52 直流電源、53,54 演算増幅器、R ピエゾ抵抗、Rf 帰還抵抗。

Claims (4)

  1. 外部の対象とする音波に応じて振動する板状の振動板と、前記振動板に結合され、それぞれが異なる特定の周波数に共振する複数の共振子とを含むセンサ本体と、
    前記センサ本体の一方面側に位置して前記センサ本体を支持し、前記センサ本体の振動板の他方面側と音響的に遮断され、前記センサ本体の一方面側に面する空室を有する支持部材と、
    前記センサ本体の他方面側に位置して積層され、前記センサ本体の複数の共振子の一方面と他方面とを音響的に分離し、前記センサ本体の振動板を露出させた状態で前記複数の共振子を覆う封止部と、前記封止部と前記複数の共振子との間に位置し、前記空室に連通する共振用キャビティと、前記振動板と前記複数の共振子との境界部分に対向して前記音波の通過を阻止する音響遮断空隙部とを含むキャップとを備える、振動波検出装置。
  2. 前記キャップは、前記音波を前記振動板に入力するために開口された開口部を含む、請求項に記載の振動波検出装置。
  3. 前記キャップは、さらに前記振動板を覆い、前記振動板の一方面に、所定の空隙を介して対向して設けられる薄膜部を有する、請求項1または2に記載の振動検出装置。
  4. 外部の対象とする音波に応じて振動する板状の振動板と、前記振動板に結合され、それぞれが異なる特定の周波数に共振する複数の共振子とを含むセンサ本体と、
    前記センサ本体が積層され、前記センサ本体の一方面側を支持する支持部材と
    その先端部が所定の空隙を有して前記一方面側における前記振動板と前記複数の共振子との境界部分に対向して前記音波の通過を阻止する音響遮断空隙部を含み、前記支持部材とともに前記振動板の一方面側に空室を形成する壁とを備える、振動波検出装置。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014108984B4 (de) 2014-06-26 2017-04-06 Tdk Corporation Wandlerelement
DE102014009476A1 (de) * 2014-06-30 2015-07-16 Mann + Hummel Gmbh Schalldruck-Erfassungsvorrichtung und elektrischer Schalldrucksensor
KR102207928B1 (ko) * 2014-08-13 2021-01-26 삼성전자주식회사 음향 센싱 소자 및 주파수 정보 획득 방법
KR102452948B1 (ko) 2017-07-18 2022-10-11 삼성전자주식회사 미소 기계식 공진기 및 이를 포함하는 공진기 시스템
KR102364853B1 (ko) 2017-07-18 2022-02-18 삼성전자주식회사 음향 센싱 소자의 신호 처리 방법과 음향 센싱 시스템
KR102335774B1 (ko) * 2017-09-01 2021-12-06 삼성전자주식회사 다중 공진기 어레이를 포함하는 소리 방향 탐지 센서
KR102395994B1 (ko) * 2017-12-27 2022-05-11 삼성전자주식회사 지향성 마이크로폰
EP3909261A4 (en) 2019-01-11 2022-10-12 Hemideina Pty Ltd ACOUSTIC DEVICES
CN110550598B (zh) * 2019-09-04 2022-09-30 中国科学院电子学研究所 谐振式差压传感器及其制备方法
JP7508060B2 (ja) * 2020-02-07 2024-07-01 多摩川精機株式会社 Aeセンサ用音片アレイ配列構造、その配列構成方法、およびaeセンサ
KR102827125B1 (ko) * 2020-09-17 2025-07-03 삼성전자주식회사 공진기 및 차동 증폭기를 포함하는 센서 인터페이스
CN112595408B (zh) * 2020-12-10 2021-07-23 四川度飞科技有限责任公司 动态共振传感装置
WO2023015477A1 (zh) 2021-08-11 2023-02-16 深圳市韶音科技有限公司 一种传声器
JP2024070385A (ja) * 2022-11-11 2024-05-23 セイコーエプソン株式会社 電子デバイスの製造方法および電子デバイス

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1806871A (en) * 1931-05-26 Search room u
DE3731196A1 (de) * 1987-09-17 1989-03-30 Messerschmitt Boelkow Blohm Frequenzselektiver schallwandler
JP3348687B2 (ja) * 1998-05-22 2002-11-20 住友金属工業株式会社 振動波検出方法及び装置
JP3344335B2 (ja) * 1998-10-28 2002-11-11 住友金属工業株式会社 音響センサ
JP3353728B2 (ja) * 1999-01-06 2002-12-03 住友金属工業株式会社 音響振動センサ
US7166910B2 (en) * 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
JP2003075284A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Daikin Ind Ltd 漏れ検査方法

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