JP4350960B2 - ４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体、それよりなるホスト材料およびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規な４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体、それよりなるホスト材料およびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、青色の色素に対応するホスト材料は、ゲストの青色蛍光の波長が４４０〜４５０ｎｍと短波長側に存在するため、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリノラト）−４−フェニルフェノキシアルミニウム錯体（ＢＡｌｑ_２）や４−（２，２−ジフェニルビニル）−１−〔４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル〕ベンゼン（ＤＰＶＢｉ）など限られたものしかないため、新しい青色用ホスト材料の開発が求められていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、今日一般に用いられているエレクトロルミネッセンス素子の青色色素に対するホスト材料の豊富化を計るため、緑色から青色にわたるいろいろの色素用ホスト材料として有用な新しい化合物を開発する点にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１は、下記一般式（１）
【化２】

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^２８およびＲ^４８〜Ｒ^５７は、水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基およびアリーロキシカルボニル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、また前記Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^８とＲ^９、Ｒ^９とＲ^１０、Ｒ^１１とＲ^１２、Ｒ^１２とＲ^１３、Ｒ^１３とＲ^１４、Ｒ^１４とＲ^１５、Ｒ^１６とＲ^１７、Ｒ^１７とＲ^１８、Ｒ^１８とＲ^１９、Ｒ^１９とＲ^２０、Ｒ^２１とＲ^２２、Ｒ^２３とＲ^２４、Ｒ^２５とＲ^２６、Ｒ^２７とＲ^２８、Ｒ^４８とＲ^４９、Ｒ^４９とＲ^５０、Ｒ^５０とＲ^５１、Ｒ^５１とＲ^５２、Ｒ^５３とＲ^５４、Ｒ^５４とＲ^５５、Ｒ^５５とＲ^５６、Ｒ^５６とＲ^５７はそれぞれ独立的に３〜８員の炭素環を形成してもよく、またＲ^５２とＲ^５７が１つの結合手であってもよいし、Ｒ^５２とＲ^５７が一体になって５〜８員の炭素環を形成することができ、これらの３〜８員の炭素環には、置換基として水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールアミノ基、アラルキル基、ハロゲン、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基およびアリーロキシカルボニル基よりなる群から選ばれた基をもつことができる。）
で示される４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体に関する。
本発明の第２は、請求項１記載の４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体を含有することを特徴とするホスト材料に関する。
本発明の第３は、請求項１記載の４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体を含有する層を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関する。
【０００５】
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアルキル基はとくに制限はないが、通常炭素数１〜２０の直鎖または分岐アルキル基、とくに好ましくは炭素数１〜６の直鎖または分岐アルキル基である。
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアルコキシ基は、酸素原子に前記アルキル基が結合した形のものである。
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアルキルアミノ基は、アミノ基の水素の１部またはすべてが前記アルキル基で置換したタイプのものである。
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアリール基は、ベンゼン環が１個のもの（フェニル基）または２〜８個が一体化した多環のもの（たとえばナフチル基、アンスラニル基）あるいはこれに必要に応じて、水酸基、前記アルキル基、アルコキシル基、アルキルアミノ基、アミノ基、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基などを置換基として有するものであってもよい。
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアラルキル基は、そのアリール部分が前記アリール基と同様であることができ、アルキレン部分は直鎖または分岐のアルキレンであればよく、通常炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜６のものである。
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアルコキシカルボニル基は、そのアルキル部分が前記アルキル基と同様であることができる。
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアリーロキシカルボニル基は、そのアリール部分は前記アリール基と同様であることができる。
前記３〜８員の炭素環は、脂肪族であってもよいが、好ましくは芳香族系のものであり、３〜８員環のなかでも５員環または６員環が好ましい。なお、Ｒ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ については水素が最も好ましいが、それについで好ましいものとしてはジメチルアミノ基があげられる。Ｒ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ のうち水素以外の基があることが比較的好ましい位置としてはＲ ^１ 〜Ｒ ^２０ である。
【０００６】
本発明の化合物は、下記の方法により製造することができる。すなわち、下記一般式（２）
【化３】

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^２８は、水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基およびアリーロキシカルボニル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、また前記Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^８とＲ^９、Ｒ^９とＲ^１０、Ｒ^１１とＲ^１２、Ｒ^１２とＲ^１３、Ｒ^１３とＲ^１４、Ｒ^１４とＲ^１５、Ｒ^１６とＲ^１７、Ｒ^１７とＲ^１８、Ｒ^１８とＲ^１９、Ｒ^１９とＲ^２０、Ｒ^２１とＲ^２２、Ｒ^２３とＲ^２４、Ｒ^２５とＲ^２６、Ｒ^２７とＲ^２８はそれぞれ独立的に３〜８員の炭素環を形成してもよく、Ｘはハロゲンである。）
で示される４，４″−ジハロゲノ−２′，３′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体と一般式（３）
【化４】

（式中、Ｒ^４８〜Ｒ^５７は、水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールアミノ基、アラルキル基、ハロゲン、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基およびアリーロキシカルボニル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、また前記Ｒ^４８とＲ^４９、Ｒ^４９とＲ^５０、Ｒ^５０とＲ^５１、Ｒ^５１とＲ^５２、Ｒ^５３とＲ^５４、Ｒ^５４とＲ^５５、Ｒ^５５とＲ^５６、Ｒ^５６とＲ^５７はそれぞれ独立的に３〜８員の炭素環を形成してもよく、またＲ^５２とＲ^５７が１つの結合手であってもよいし、Ｒ^５２とＲ^５７が一体になって５〜８員の炭素環を形成することができる。）
で示されるＮ，Ｎ′−ジアリールアミンとを反応させることにより、本発明の４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体を製造することができる。
【０００７】
また、本発明化合物の具体例としては、
４，４″−ジ−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｐ−トルイル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｍ−トルイル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｏ−トルイル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｍ−キリシル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｏ−キリシル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｏ−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｍ−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｏ−ジクロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｍ−ジクロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｏ−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｍ−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（１−アントラニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−アントラニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（９−アントラニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（１−フェナントレニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−フルオレニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（９−フルオレニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−ピリジル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−キノリル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（９−アクリジニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−チオフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−フラニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
などが挙げられる。
【０００８】
前記一般式（２）で示される４，４″−ジハロゲノ−２′，３′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体の具体例としては、
４，４″−ジ−クロロ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−ブロモ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−ヨード−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
３，３″−ジメチル−４，４″−ジ−クロロ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル
３，３″−ジメチル−４，４″−ジ−ブロモ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル
３，３″−ジメチル−４，４″−ジ−ヨード−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル
などが挙げられる。
【０００９】
前記一般式（３）で示されるＮ，Ｎ−ジアリールアミンの具体例としては、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｐ−トルイル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｍ−トルイル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｏ−トルイル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｍ−キシリル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｏ−キシリル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｍ−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｏ−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｏ−ジクロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｍ−ジクロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｏ−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｍ−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（１−アントラニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−アントラニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（９−アントラニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（１−フェナントレニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−フルオレニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（９−フェナントレニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（１−フルオレニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−フルオレニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（９−フルオレニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−ピリジル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−キノリル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（９−アクリジニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−チオフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−フラニル）−Ｎ−フェニルアミン、などが挙げられる。
【００１０】
本発明化合物の製造方法に用いる反応触媒としては、一般にトリアルキルホスフィンと有機パラジウムを組み合わせて使用するが、とくにトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンと酢酸パラジウムの組み合わせが好ましい。また、反応溶媒は反応成分に対して不活性な溶剤であればとくに制限はないが、通常トルエンやキシレンのような芳香族炭化水素を使用することができる。反応温度については、室温から還流温度までの範囲が使用できるが、反応時間を考慮した場合は還流温度で反応させることが好ましい。
【００１１】
本発明の化合物を用いて、有機ＥＬ素子を作る場合には、通常、種々のゲスト色素に対して本発明化合物をホスト材料として使用する点に特徴があることになるから、この特徴点以外については格別の制限はない。
本発明においてゲスト色素として好ましく使用できるものとしては、ジスチリルアミン誘導体（ＢＣｚＶＢｉ：青）、テトラフェニルブタジエン（青）、ペリレン（青）、９，１０−ジフェニルアントラセン（青）、アゾメチン亜塩錯体（青）などがある。
【００１２】
したがって、ＥＬ素子の構造についても特別の制限はないが、ゲスト色素としてＢＣｚＶＢｉをホスト材料として参考例１で得られた４，４″−ジ−（９−アンスリル）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＤＡＴＴ）を用いた場合の好ましい素子構成の例３つを下記に示す。
【００１３】
陽極／α−ＮＰＤ／ＢＣｚＶＢｉ ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（発光層）／ＤＡＴＴ（電子輸送層）／ＬｉＦ（電子注入層）／陰極
陽極／α−ＮＰＤ／ＢＣｚＶＢｉ ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（発光層）／Ａｌｑ_３（電子輸送層）／ＬｉＦ（電子注入層）／陰極
陽極／α−ＮＰＤ／ＢＣｚＶＢｉ ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（発光層）／ＢＣＰ（電子輸送層）／ＬｉＦ（電子注入層）／陰極
【００１４】
【実施例】
以下に、実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
【００１５】
合成例１
１，３−ビス（ｐ−ブロモフェニル）−２−プロパノン〔１，３−ｂｉｓ（ｐ−ｂｒｏｍｏｐｈｅｎｙｌ）−２−ｐｒｏｐａｎｏｎｅ〕（ＢＢＰＰ）の合成
【化５】

ｐ−ブロモフェニル酢酸、酸化マグネシウムを丸底フラスコに入れ、マントルヒーターを用い、減圧下（１０〜１２ｍｍＨｇ）、２４０℃で４０分間加熱し、水を除去した。その後、さらにゆっくり昇温し、減圧下（２〜３ｍｍＨｇ）、３３５℃で３０分加熱した。反応終了後、クロロホルムで抽出し、エタノールで再結晶を行い無色の板状結晶を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲ、ＩＲにより行った。
【００１６】
合成例２
２，５−ビス（ｐ−ブロモフェニル）−３，４−ジフェニルシクロペンタジエノン〔２，５−ｂｉｓ（ｐ−ｂｒｏｍｏｐｈｅｎｙｌ）−３，４−ｄｉｐｈｅｎｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｏｎｅ〕（ＢＢ−４ＰＫ）の合成
【化６】

ＢＢＰＰ、ベンジル、エタノールを三口フラスコに入れ、７５℃ウォーターバス中で撹拌し、溶解させた。系が均一になったところで、ＫＯＨの２０％エチルアルコール溶液をゆっくり滴下した。その後、１５分間還流し、濾別により回収した。精製は、カラムクロマトグラフィー法（展開溶媒；クロロホルム）を行い、黒色の粉末状固体を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲ、ＩＲにより行った。
【００１７】
参考例１
（１）４，４″−ジブロモ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＤＴＴ）の合成
【化７】

ＢＢ−４ＰＫ、ジフェニルアセチレン、ベンゾフェノンを試験管に入れ、ガスバーナーで加熱、溶解させた。さらに加熱していき、溶液の色が褪せてきたところで加熱を止めて室温にて１０分間放置した。その後、ジフェニルエーテルを少量加え、沸騰するまで再び加熱した。反応終了後、濾過により回収した。精製は、ジフェニルエーテル（融点２８℃、沸点２５９℃）で再結晶を行い、無色の板状結晶を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲ、ＩＲ、元素分析により行った。
【００１８】
（２）２−（９−アンスリル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロン（ＤＯＢ−Ａｎｔｈ）の合成
【化８】

９−ブロモアンスラセン（Ｂｒ−Ａｎｔｈ）を窒素雰囲気下、精製ＴＨＦに撹拌、溶解させた。次に、−７８℃アイスバス中で冷却し、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．５６Ｍ）をゆっくりと滴下し０℃で３０分間撹拌した。その後、再び−７８℃に冷却し、３０分間撹拌したあと２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロン（ＤＯＢ）を加え、室温までゆっくり昇温し２４時間反応させた。反応終了後、ジエチルエーテルで抽出し、抽出液を飽和食塩水により洗浄した。精製は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法（展開溶媒；トルエン）とメチルアルコールによる再結晶を行い、白色の結晶を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲ（図１）、ＩＲ（図２）、ＭＡＳＳ（図３）により行った。
【００１９】
（３）４，４″−ジ−（９−アンスリル）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル〔４，４″−Ｄｉ−（９−ａｎｔｈｒｙｌ）−３′，４′，５′，６′−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌ−ｐ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ〕（ＤＡＴＴ）の合成
【化９】

ＤＴＴ、炭酸カリウム、Ｐｄ（Ｏ）〔（ＰＰｈ_３）_４〕を窒素雰囲気下室温で、ＴＨＦに撹拌、分散させた。次に、７０℃オイルバスで加熱、撹拌し、２０分後ＴＨＦに溶解させたＤＯＢ−Ａｎｔｈを加え、次に脱イオン水を加えた。その後、約２４時間反応させた。反応の進行はＴｈｉｎ Ｌａｙｅｒ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ（ＴＬＣ）（薄層クロマトグラフ）により撹拌しながら行った。精製は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法（展開溶媒；ｎ−ヘキサン：トルエン＝１：１）を４回行い、淡黄色の粉末を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲ（図４）（図５）、ＩＲ（図６）、元素分析（Ｃ：９４．４８％、Ｈ：５．２３％、Ｎ：０．０２％）により行った。
【００２０】
参考例２
ゲスト色素としてジスチリルアミン誘導体（ＢＣｚＶＢｉ：青）を用いたＥＬ素子
図７（素子Ａ）、図８〔電子輸送層（ＥＴＬ）としてトリス（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム（錯体）（Ａｌｑ_３）を用いた場合の素子をＢとし、電子輸送層（ＥＴＬ）としてＢＣＰを用いた場合の素子をＣとした〕に示す３つの素子、Ａ、Ｂ、Ｃを作った。
図７の素子Ａは、ＩＴＯガラス電極の上にホール輸送層（ＨＴＬ）としてホール輸送材料のα−ＮＰＤを５００Å真空蒸着を行い、発光層（ＥＭＬ）としてＤＡＴＴを７ｗｔ％共蒸着したＢＣｚＶＢｉを２００Åの膜厚で積層し、ついで電子輸送層（ＥＬＴ）としてＤＡＴＴを３００Åの厚みで蒸着し、さらに電子注入層としてフッ化リチウムを５Åの厚みで蒸着し、最後に背面電極としてＡｌ金属を１０００Åの厚みで蒸着することにより作成したものである。
すなわち、素子Ａの構成は下記のとおりである。
〔ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（５００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（２００Å）／ＤＡＴＴ（３００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）〕
図８の素子ＢまたはＣは、ＩＴＯガラス電極の上にホール輸送層（ＨＴＬ）としてホール輸送材料のα−ＮＰＤを４００Å真空蒸着を行い、発光層（ＥＭＬ）としてＤＡＴＴを７ｗｔ％共蒸着をしたＢＣｚＶＢｉを４００Åの膜厚で積層し、ついで電子輸送層（ＥＴＬ）としてＡｌｑ_３あるいはＢＣＰを２００Åの厚みで蒸着し、さらに電子注入層としてフッ化リチウムを５Åの厚みで蒸着し、最後に背面電極としてＡｌ金属を１０００Åの厚みで蒸着することにより作成したものである。
すなわち、素子ＢおよびＣの構成は下記のとおりである。
素子Ｂ〔ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）〕
素子Ｃ〔ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（４００Å）／ＢＣＰ（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）〕
なお、Ａｌｑ_３、ＢＣＰ、ＢＣｚＶＢｉは下記式で示される。
【化１０】

【００２１】
前記ＤＡＴＴ、ＢＣＰおよびＢＣｚＶＢｉの電気化学的性質は下記表のとおりである。
【表１】

【００２２】
前記素子Ａ、Ｂ、ＣのＥＬスペクトルを図９に示す。これにより発光層の膜厚と電子輸送層の膜厚の変化が色と輝度にどのような影響を与えているかがわかる。参考として、ＢＣｚＶＢｉ溶液（ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ、１．０×１０^−５ｍｏｌ／Ｌ）の励起・蛍光スペクトルおよびＤＡＴＴ溶液（ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ、１．０×１０^−５ｍｏｌ／Ｌ）、薄膜の蛍光スペクトルを図１０に示す。図１０中、ＢＣｚＶＢｉ Ｅｘ．は励起スペクトルであり、ＢＣｚＶＢｉ Ｅｍ．、ＤＡＴＴ ｓｏｌ．、ＤＡＴＴ ｆｉｌｍはいずれも蛍光スペクトルである。
素子Ａ、Ｂ、Ｃのもつ輝度−電圧、電流密度−電圧、輝度−電流密度、視感効率−電圧、電流効率−電圧特性を図１１〜１５に示す。
図中、素子Ａは黒丸、素子Ｂは白丸、素子Ｃは灰色丸で示す。
【００２３】
比較例１
素子構造が〔ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＤＡＴＴ（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）〕であるノンドープ素子（イ）を比較例とし、素子Ａ、Ｂ、Ｃと同様の特性を測定し、図１１〜１５に◇印により表示した。
【００２４】
素子Ａ、Ｂ、Ｃおよび前記比較例素子（イ）のＥＬ特性を下記表に示す。
【表２】

【００２５】
素子Ａ、Ｂ、Ｃから得られたＥＬ素子スペクトルは、いずれも４５０ｎｍにサブピーク、４７０ｎｍに主ピークを有するＢＣｚＶＢｉに由来する青色発光が観測された。素子Ａについては、電子輸送層にＤＡＴＴを用いているため、発光開始電圧が９Ｖと他の素子に比べて高いけれども、高電圧（１５Ｖ以上）をかけても素子が破壊されることなく、安定である。素子Ｂ、Ｃとノンドープ素子（イ）（比較例）を比較すると、ＣＩＥ色度座標において色純度が改善され、素子特性においても素子Ｂ、Ｃの方が最高輝度、最大電流効率、最大外部量子効率においていずれも３倍以上高い値を示した。
比較例１のノンドープ素子において、無放射失活過程で緩和していた再結合エネルギーが、ＢＣｚＶＢｉをドープすることにより蛍光として得ることができたためであると考えられる。
素子Ｃでは、電子輸送層をＡｌｑ_３から電子輸送性ホールブロック層として知られているＢＣＰに置き換えた素子を作製した。この素子は、ＤＡＴＴ層で生成した励起子をブロックする、またはＤＡＴＴ層にホールを閉じ込め、さらなる特性かつ色純度の向上をねらい作製した。しかし、作製した素子の特性は素子Ｂに比べ最高輝度、最大外部量子効率等は同等の値を示すものの、駆動電圧が高くなってしまった。これは、ＢＣＰに比べＡｌｑ_３の方が陰極からの電子の注入が容易であるためと考えられる。
これまでＤＡＴＴをホスト材料として素子作製してきたが、これら結果より、素子Ｂが最も優れた特性を示した。このため、さらなる特性の向上を目指し発光層の膜圧、ＢＣｚＶＢｉのドープ濃度の最適化を行った。
【００２６】
参考例３
前記特性向上のためにテストした素子（３種）の構造を図１６に示す。
１番目（素子Ｄ）は発光層の膜厚４００Å、ドープされた層の膜厚２００Å
２番目（素子Ｅ）は発光層の膜厚３００Å、ドープされた層の膜厚３００Å
３番目（素子Ｂと同一）は発光層の膜厚２００Å、ドープされた層の膜厚４００Åとした。
素子Ｄ：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（２００Å）／Ａｌｑ_３（４００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝
素子Ｅ：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（３００Å）／Ａｌｑ_３（３００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝
素子Ｂ：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝
素子Ｄ、ＥおよびＢのＥＬスペクトルを図１７に示し、輝度−電圧、電流密度−電圧、輝度−電流密度、視感効率−電圧、電流効率−電圧特性を図１８〜２２に示す。下記表にこれら特性をまとめたものを示す。
図中、白丸は素子Ｄ、黒丸は素子Ｅ、灰色の丸は素子Ｂを示す。
【表３】

【００２７】
素子ＤとＥの特性を素子Ｂ｛ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄＤＡＴＴ（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝と対比しながら、図１８〜２２および前記表３に示した。図中、素子Ｂは灰色丸で示す。
【００２８】
素子Ｄから得られたＥＬスペクトルは、４７０ｎｍに主ピークを有し、５００ｎｍ付近に大きな肩を持つ水色発光が観測された。これは、発光層（ＤＡＴＴを７ｗｔ％ドープしたＢＣｚＶＢｉ層）が２００Åと薄くなることにより、発光領域がＡｌｑ_３層にまで広がり、発光したためであると考えられる。素子Ｅから得られたＥＬスペクトルは、４５０ｎｍにサブピーク、４７０ｎｍに主ピークを有するＢＣｚＶＢｉに由来する青色発光が観測された。素子特性は、発光領域がＡｌｑ_３層まで広がった素子Ｄは素子Ｂに比べて下回るものであった。しかし、素子Ｅでは最高輝度で約４０％、最大外部量子効率においては約１５％ほど高い値を示した。これは、キャリアバランスの向上に起因するものと考えられる。この結果より、発光層の最適膜厚は３００Åであることが判る。
【００２９】
参考例４
最適のドープ濃度を求めて、図２３に示す構造の素子を作った。
ドープ濃度３ｗｔ％の素子を素子Ｆ
ドープ濃度７ｗｔ％の素子を素子Ｅ（前記素子Ｅと同一）
ドープ濃度１０ｗｔ％の素子を素子Ｇ
とした。
素子ＦとＧから得られたＥＬスペクトルを図２４に示し、輝度−電圧、電流密度−電圧、輝度−電流密度、視感効率−電圧、電流効率−電圧特性を図２５〜２９に示す。下記表にこれら特性をまとめたものを示す。
【００３０】
【表４】

【００３１】
素子Ｆ、Ｇから得られたＥＬスペクトルは、いずれも４５０ｎｍにサブピーク、４７０ｎｍに主ピークを有するＢＣｚＶＢｉに由来する青色系発光が観測された。素子特性は、素子Ｆ、Ｇ両者とも素子Ｅを下回るものであった。素子Ｇでは、４５０ｎｍのサブピークが小さくなり、ややブロードになっていることから濃度消光が起きていると考えられる。この結果よりＤＡＴＴにおけるＢＣｚＶＢｉの最適ドープ濃度は７ｗｔ％であることがわかった。
つぎに、この最適化したＢＣｚＶＢｉドープ型素子：素子Ｅにおいて、青色ホスト材料として知られているＤＰＶＢｉと比較する。
【００３２】
比較例２
青色ホスト材料として公知の下記式、
【化１１】

で示される４−（２，２−ジフェニルビニル）−１−〔４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル〕ベンゼン（ＤＰＶＢｉ）５．６重量％（最適量）を用いて共蒸着した厚さ３００ÅのＢＣｚＶＢｉ層よりなる発光層をもつ図３０に示す有機ＥＬ素子（ロ）｛ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔５．６ｗｔ％ＤＰＶＢｉドープ〕（３００Å）／Ａｌｑ_３（３００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝を作成した。
【００３３】
前記有機ＥＬ素子（ロ）と本発明の有機ＥＬ素子Ｅ｛ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％ＤＡＴＴドープ〕（３００Å）／Ａｌｑ_３（３００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝を対比し、ＤＡＴＴとＤＰＶＢｉの電気特性を調べた結果を下記表に示す。
【００３４】
【表５】

【００３５】
素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれのＥＬスペクトルを図３１に、輝度−電圧特性を図３２に、電流密度−電圧特性を図３３に、輝度−電流密度特性を図３４に、発光効率−電圧特性を図３５に電流効率−電圧特性を図３６に示す。
【００３６】
さらに、素子Ｅと素子（ロ）のＥＬ特性を下記表に示す。
【表６】

【００３７】
これらのデータからみると、素子Ｅの方が素子（ロ）より発光効率−電圧特性、電流効率−電圧特性、最大外部量子効率の点で優れており、とくに最大外部量子効率で３０％以上優れていることが分る。これはＤＰＶＢｉのガラス転移温度が６３．６℃と低く、高電圧下において安定な膜状態を維持できないためと考えられる。
【００３８】
参考例化合物の１つであるＤＡＴＴは、従来公知のホスト材料であるＤＰＶＢｉに充分対抗できる材料であり、ホスト材料としての選択範囲を拡大することができた。図３７には、ＢＣｚＶＢｉの励起、蛍光スペクトルおよびＤＰＶＢｉ溶液のＰＬスペクトル、ＤＡＴＴ溶液のＰＬスペクトルを示す。ＢＣｚＶＢｉが発光するメカニズムは、ホストのＤＰＶＢｉあるいはＤＡＴＴがそれぞれ特有の励起波長によって蛍光を発し、その蛍光がＢＣｚＶＢｉの励起光となってＢＣｚＶＢｉが蛍光スペクトルを発する。したがってホスト材料の蛍光スペクトルの位置とゲスト材料の励起スペクトルの位置の重なりが大きい方がエネルギー移動量が大きくなり、ホスト材料とゲスト材料の組み合わせが良いということになる。この点から図３７の注目点は、ＢＣｚＶＢｉの励起スペクトル曲線とＤＡＴＴ溶液の蛍光スペクトルの重なり具合ということになる。図３８には、ＤＡＴＴフィルム（λｅｘ＝３９４ｎｍ，λｅｍ＝４４８ｎｍ）とＤＡＴＴをドープしたＢＣｚＶＢｉフィルム（λｅｘ＝３９４ｎｍ，λｅｍ＝４７４ｎｍ）のＰＬスペクトルを示し、図３９にはＤＰＶＢｉフィルム（λｅｘ＝３４８ｎｍ，λｅｍ＝４６１ｎｍ）とＤＰＶＢｉをドープしたＢＣｚＶＢｉフィルム（λｅｘ＝３４８ｎｍ，λｅｍ＝４７４ｎｍ）のＰＬスペクトルを示す、これにより素子Ｅも素子（ロ）も共にエネルギー移動が主な発光機構であることが分る。以上の点を総合すると本発明のＤＡＴＴは、熱安定性に優れ、長寿命青色発光素子の形成材料として有用であるこ。とくにＤＡＴＴはＤＰＶＢｉと比較すると、ＢＣｚＶＢｉドープ型素子において約３５％もの高効率化を達成でき、青色ホスト材料として有用であることが分る。
【００３９】
実施例１｛４，４″−Ｎ，Ｎ′−ジカルバゾール−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル〔４，４″−Ｎ，Ｎ′−Ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｅ−３′，４′，５′，６′−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｅ−ｐ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌｅ（ＣｚＴＴ）〕｝の合成
【化１２】

４，４″−ジブロモ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル〔４，４″−Ｄｉｂｒｏｍｏ−３′，４′，５′，６′−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｅ−ｐ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌｅ（ＤＴＴ）〕、カルバゾール（Ｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ＮａＯ^ｔＢｕを窒素気流下室温で、トルエンに撹拌、分散させた。次にトルエン溶解させたＰｄ（ＯＡｃ）_２、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）_３を加え、１３０℃２４時間反応させた。各成分の使用割合は下記表７に示す。反応の進行はＴＬＣにより確認しながら行った。反応終了後、飽和食塩水により洗浄しクロロホルムにより抽出した。精製は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法（展開溶媒；クロロホルム）、昇華精製（高温部：３７０℃、低温部：１２０℃、窒素流量：５０［ｃｃ／ｍｉｎ］）を行い、無色の針状結晶を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図４０）、ＩＲスペクトル（図４１）、Ｍａｓｓスペクトル（図４２）により行った。
【００４０】
【表７】

ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^−１）：３５００，３４００（Ｎ−Ｈ，ｄｉｓａｐｐｅａｒｅｄ），３０５６，１５９６，１５１９（ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ），１２３２（Ｃ−Ｎ）
^１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ）：δ（ｐｐｍ）＝７．０５〜７．２０（２８Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ），７．３１〜７．３１，７．４３〜７．５０，８．１７〜８．２２（１６Ｈ，ｃａｒｂａｚｏｌｅｕｎｉｔ）
【００４１】
実施例２〔ジフェニルアミン含有 ヘキサフェニルベンゼン誘導体（ＴＡＴＴ）の合成〕
【化１３】

４，４″−ジブロモ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル〔４，４″−Ｄｉｂｒｏｍｏ−３′，４′，５′，６′−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｅ−ｐ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌｅ（ＤＴＴ）〕、ジフェニルアミン〔Ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ（ＤＡＭ）〕、ＮａＯ^ｔＢｕを窒素気流下室温で、トルエンに撹拌、分散させた。次にトルエン溶解させたＰｄ（ＯＡｃ）_２、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）_３を加え、１３０℃２４時間反応させた。各成分の使用割合は下記表８に示す。反応の進行はＴＬＣにより確認しながら行った。反応終了後、飽和食塩水により洗浄しクロロホルムにより抽出した。精製は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法（展開溶媒；クロロホルム）、白色の粉末を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図４３）、ＩＲスペクトル（図４４）、Ｍａｓｓスペクトル（図４５）により行った。
【００４２】
【表８】

ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^−１）：３５００，３４００（Ｎ−Ｈ，ｄｉｓａｐｐｅａｒｅｄ），３０５８，１５８９，１４９２（ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ），１２７６（Ｃ−Ｎ）
^１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ）：δ（ｐｐｍ）＝６．５８〜６．７２，６．８０〜６．８６，６．８８〜７．００，７．１２〜７．２０（６Ｈ，６Ｈ，２８Ｈ，８Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ），
【００４３】
参考例５〔ゲスト色素としてクマリン５４５Ｔ（Ｃ５４５Ｔ：緑）を用いた素子の作成〕
図４６〜４８に作成した素子Ｊ、Ｋ、Ｌの素子構造を示す。また、ＤＡＴＴおよびＣ５４５Ｔの電気化学特性を表９に示す。
【００４４】
【表９】

【００４５】
素子Ｊ：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（５００Å）／Ｃ５４５Ｔ〔１ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（２００Å）／ＤＡＴＴ（３００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝
素子Ｋ：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／Ｃ５４５Ｔ〔１ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝
素子Ｌ：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／Ｃ５４５Ｔ〔１ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ Ａｌｑ_３（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝
比較として、
ノンドープ素子（ハ）：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＤＡＴＴ（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝より得られたＥＬスペクトルを図４９に示す。参考としてＣ５４５Ｔ溶液（クロロホルム １．０×１０^−５［ｍｏｌ／Ｌ］）の励起・蛍光スペクトルおよびＤＡＴＴ溶液（クロロホルム １．０×１０^−５［ｍｏｌ／Ｌ］）、薄膜の蛍光スペクトルを図５０に示す。輝度−電圧、電流密度−電圧、輝度−電流密度、視感効率−電圧、電流効率−電圧特性を図５１〜５５に示す。表１０にこれら特性をまとめたものを示す。
図中、素子Ｌは黒丸、素子Ｊは白丸、素子Ｋは灰色丸、ノンドープ素子（ハ）は◇印で示す。
【００４６】
【表１０】

【００４７】
素子Ｊ、Ｋより得られたＥＬスペクトル（図４９）は、それぞれ５００ｎｍ、５２０ｎｍにピークを有するＣ５４５Ｔに由来する緑色発光が観測された。素子Ｊ、Ｋから得られたＥＬスペクトルは４５０ｎｍ付近に肩を有していた。これは、ホスト材料であるＤＡＴＴからの発光ではないかと推測される。Ｃ５４５Ｔドープ型素子の発光機構がエネルギー移動型と仮定すると、ホストからのエネルギー移動がゲストであるＣ５４５Ｔに十分起こらず、ホスト材料の発光も観測されたと考えられる。また素子Ｋとノンドープ素子（ハ）を比較すると、素子Ｋの方が最大外部量子効率において約２倍近い値を示した。これは、ノンドープ素子（ハ）において、無放射失活過程で緩和していた再結合エネルギーが、Ｃ５４５Ｔをドープすることにより蛍光として得ることができたためと考えられる。ここでは、素子Ｋとノンドープ素子（ハ）において発光色の違いにより、輝度、視感効率などの考察は行わない。
また、素子Ｋに比べ素子Ｌの方が視感効率、最大外部量子効率において約３倍以上高い値を示した。これはＤＡＴＴよりＡｌｑ_３の方がキャリア輸送性に優れ、かつＣ５４５Ｔにエネルギー移動しやすいためであると考えられる。
【００４８】
【発明の効果】
（１）本発明により緑色から青色にわたるいろいろの色素用ホスト材料として有用な新規化合物を提供することができた。
（２）本発明化合物は、しばしば用いられている青色色素を色どりよく発光させるとともに、耐熱性がよく、３５０℃を越える温度でも分解することがなく、安定であるため、すぐれたエレクトロルミネッセンス素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ２−（９−アンスリル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロン（ＤＯＢ−Ａｎｔｈ）の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す
【図２】 ２−（９−アンスリル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロン（ＤＯＢ−Ａｎｔｈ）のＩＲスペクトルを示す
【図３】 ２−（９−アンスリル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロン（ＤＯＢ−Ａｎｔｈ）のＭＡＳＳスペクトルを示す
【図４】 ４，４″−ジ−（９−アンスリル）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＤＡＴＴ）の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す
【図５】 図４の部分拡大図である。
【図６】 ４，４″−ジ−（９−アンスリル）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＤＡＴＴ）のＩＲスペクトルを示す
【図７】 参考例２で用いたエレクトロルミネッセンス素子Ａの積層構造を示す。なお、図中、ＥＬＴは電子輸送層、ＥＭＬは電子移動層、ＨＴＬはホール輸送層を示す。
【図８】 参考例２で用いたエレクトロルミネッセンス素子Ｂの積層構造を示す。なお、図中、ＥＬＴは電子輸送層、ＥＭＬは電子移動層、ＨＴＬはホール輸送層を示す。
【図９】 素子Ａ、Ｂ、Ｃの各エレクロトロルミネッセンススペクトルを示す。
【図１０】 参考例１で得られた４，４″−ジ−（９−アンスリル）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＤＡＴＴ）の溶液とフィルムおよびゲスト色素のジスチリルアミン誘導体（ＢＣｚＶＢｉ：青色色素）の溶液に関する励起・蛍光スペクトルを示す。
【図１１】 前記素子Ａ、Ｂ、Ｃおよび比較例の素子（イ）のそれぞれの輝度−電圧特性を示すグラフである。
【図１２】 前記素子Ａ、Ｂ、Ｃおよび比較例の素子（イ）のそれぞれの電流密度−電圧特性を示すグラフである。
【図１３】 前記素子Ａ、Ｂ、Ｃおよび比較例の素子（イ）のそれぞれの輝度−電流密度特性を示すグラフである。
【図１４】 前記素子Ａ、Ｂ、Ｃおよび比較例の素子（イ）のそれぞれの視感効率−電圧特性を示すグラフである。
【図１５】 前記素子Ａ、Ｂ、Ｃおよび比較例の素子（イ）のそれぞれの電流効率−電圧特性を示すグラフである。
【図１６】 参考例３に用いたエレクトロルミネッセンス素子の積層構造を示す。なお、図中、ＥＬＴは電子輸送層、ＥＭＬは電子移動層、ＨＴＬはホール輸送層を示す。
【図１７】 エレクトロルミネッセンス素子Ｂ、Ｄ、ＥそれぞれのＥＬスペクトルを示す。
【図１８】 エレクトロルミネッセンス素子Ｂ、Ｄ、Ｅそれぞれの輝度−電圧特性を示す。
【図１９】 エレクトロルミネッセンス素子Ｂ、Ｄ、Ｅそれぞれの電流密度−電圧特性を示す。
【図２０】 エレクトロルミネッセンス素子Ｂ、Ｄ、Ｅそれぞれの輝度−電流密度特性を示す。
【図２１】 エレクトロルミネッセンス素子Ｂ、Ｄ、Ｅそれぞれの視感効率−電圧特性を示す。
【図２２】 エレクトロルミネッセンス素子Ｂ、Ｄ、Ｅそれぞれの電流効率−電圧特性を示す。
【図２３】 参考例４のエレクトロルミネッセンス素子の積層構造を示す。なお、図中、ＥＬＴは電子輸送層、ＥＭＬは電子移動層、ＨＴＬはホール輸送層を示す。
【図２４】 エレクトロルミネッセンス素子Ｅ、Ｆ、Ｇおよび本発明のＤＡＴＴをドープしなかった素子のそれぞれのＥＬスペクトルを示す。
【図２５】 エレクトロルミネッセンス素子Ｅ、Ｆ、Ｇのそれぞれの輝度−電圧特性を示す。
【図２６】 エレクトロルミネッセンス素子Ｅ、Ｆ、Ｇのそれぞれの電流密度−電圧特性を示す。
【図２７】 エレクトロルミネッセンス素子Ｅ、Ｆ、Ｇのそれぞれの輝度−電流密度特性を示す。
【図２８】 エレクトロルミネッセンス素子Ｅ、Ｆ、Ｇのそれぞれの視感効率−電圧特性を示す。
【図２９】 エレクトロルミネッセンス素子Ｅ、Ｆ、Ｇのそれぞれの電流効率−電圧特性を示す。
【図３０】 比較例２の有機ＥＬ素子（ロ）の構成を示す。
【図３１】 素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれのＥＬスペクトルを示す。
【図３２】 素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれの輝度−電圧特性を示すグラフである。
【図３３】 素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれの電流密度−電圧特性を示すグラフである。
【図３４】 素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれの輝度−電流密度特性を示すグラフである。
【図３５】 素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれの発光効率−電圧特性を示すグラフである。
【図３６】 素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれの電流効率−電圧特性を示すグラフである。
【図３７】 ＢＣｚＶＢｉの励起、蛍光スペクトルおよびＤＰＶＢｉ溶液のＰＬスペクトル、ＤＡＴＴ溶液のＰＬスペクトルを示す。
【図３８】 ＤＡＴＴフィルムとＤＡＴＴをドープしたＢＣｚＶＢｉフィルムのＰＬスペクトルを示す。
【図３９】 ＤＰＶＢｉフィルムとＤＰＶＢｉをドープしたＢＣｚＶＢｉフィルムのＰＬスペクトルを示す。
【図４０】 ４，４″−Ｎ−Ｎ′−ジ−カルバゾール−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＣｚＴＴ）の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４１】 ４，４″−Ｎ−Ｎ′−ジ−カルバゾール−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＣｚＴＴ）のＩＲスペクトルを示す。
【図４２】 ４，４″−Ｎ−Ｎ′−ジ−カルバゾール−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＣｚＴＴ）のＭＡＳＳスペクトルを示す。
【図４３】 ジフェニルアミン含有ヘキサフェニルベンゼン誘導体（ＴＡＴＴ）の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４４】 ジフェニルアミン含有ヘキサフェニルベンゼン誘導体（ＴＡＴＴ）のＩＲスペクトルを示す。
【図４５】 ジフェニルアミン含有ヘキサフェニルベンゼン誘導体（ＴＡＴＴ）のＭＡＳＳスペクトルを示す。
【図４６】 素子Ｊの積層構造を示す断面図である。
【図４７】 素子Ｋの積層構造を示す断面図である。
【図４８】 素子Ｌの積層構造を示す断面図である。
【図４９】 素子Ｊ、Ｋ、Ｌおよびドープをしていない素子（ハ）の規格化強度および波長との関係を示すグラフである。
【図５０】 ゲスト色素クマリン５４５Ｔの励起スペクトル（Ｅｘ）と蛍光スペクトル（Ｅｍ）および４，４″−ジ−９−アンスリル−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＤＡＴＴ）の溶液とフィルムのＰＬスペクトルを示す。
【図５１】 前記素子Ｊ、Ｋ、Ｌおよびドープしていない素子（ハ）のそれぞれの輝度−電圧特性を示すグラフである。
【図５２】 前記素子Ｊ、Ｋ、Ｌおよびドープしていない素子（ハ）のそれぞれの電流密度−電圧特性を示すグラフである。
【図５３】 前記素子Ｊ、Ｋ、Ｌおよびドープしていない素子（ハ）のそれぞれの輝度−電流密度特性を示すグラフである。
【図５４】 前記素子Ｊ、Ｋ、Ｌおよびドープしていない素子（ハ）のそれぞれの視感効率−電圧特性を示すグラフである。
【図５５】 前記素子Ｊ、Ｋ、Ｌおよびドープしていない素子（ハ）のそれぞれの電流効率−電圧特性を示すグラフである。

Claims (3)

1. 下記一般式（１）
   

   

   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^２８およびＲ^４８〜Ｒ^５７は、水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基およびアリーロキシカルボニル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、また前記Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^８とＲ^９、Ｒ^９とＲ^１０、Ｒ^１１とＲ^１２、Ｒ^１２とＲ^１３、Ｒ^１３とＲ^１４、Ｒ^１４とＲ^１５、Ｒ^１６とＲ^１７、Ｒ^１７とＲ^１８、Ｒ^１８とＲ^１９、Ｒ^１９とＲ^２０、Ｒ^２１とＲ^２２、Ｒ^２３とＲ^２４、Ｒ^２５とＲ^２６、Ｒ^２７とＲ^２８、Ｒ^４８とＲ^４９、Ｒ^４９とＲ^５０、Ｒ^５０とＲ^５１、Ｒ^５１とＲ^５２、Ｒ^５３とＲ^５４、Ｒ^５４とＲ^５５、Ｒ^５５とＲ^５６、Ｒ^５６とＲ^５７はそれぞれ独立的に３〜８員の炭素環を形成してもよく、またＲ^５２とＲ^５７が１つの結合手であってもよいし、Ｒ^５２とＲ^５７が一体になって５〜８員の炭素環を形成することができ、これらの３〜８員の炭素環には、置換基として水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールアミノ基、アラルキル基、ハロゲン、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基およびアリーロキシカルボニル基よりなる群から選ばれた基をもつことができる。）
   で示される４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体。
2. 請求項１記載の４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体を含有することを特徴とするホスト材料。
3. 請求項１記載の４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体を含有する層を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子。

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