JP4354681B2 - 通信用半導体集積回路 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無線通信システムを構成する通信用半導体集積回路における受信信号と所定の周波数の発振信号とを合成して周波数変換を行なうダイレクトダウンコンバージョン方式のミキサの出力を次段の増幅回路へ伝達する配線に適用して有効な技術に関し、特に複数バンドの信号を送受信可能な無線通信システムに用いられて送受信信号を変復調する機能を有する通信用半導体集積回路に利用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
携帯電話機のような無線通信システムにおいては、受信信号や送信信号と合成される所定の周波数の発振信号を発生するためVCO(電圧制御発振器)が用いられている。従来提案されている携帯電話機には、例えば880〜915MHz帯のGSM(Global System for Mobile Communication)と1710〜1785MHz帯のDCS(Digital Cellular System)のような2つの周波数帯の信号を扱えるデュアルバンド方式の携帯電話機がある。
【0003】
さらに、近年においては、GSMやDCSの他に例えば1850〜1915MHz帯のPCS(Personal Communication System)の信号を扱えるトリプルバンド方式の携帯電話機に対する要求がある。また、携帯電話機は今後さらに多くのバンドに対応できるものが要求されることが考えられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このような複数のバンドに対応できる携帯電話機に使用される高周波ICには、部品点数の低減という観点からダイレクトコンバージョン方式が有効である。一方、携帯電話機では、所望の周波数帯の受信信号を分波するため周波数特性が急峻なSAW(表面弾性波)フィルタが用いられている。しかしながら、SAWフィルタは通過帯域が狭いとともに既存のSAWフィルタは通過帯域を変更させるような仕組みを備えていないため、複数のバンドに対応できる携帯電話機では各バンド毎に帯域の異なる複数のSAWフィルタが設けられる。また、これに応じてダイレクトコンバージョン方式の高周波ICでは、受信信号と局部発振信号とをミキシングして周波数変換するミキサが各バンド毎に設けられる。
【0005】
これに対し、ミキサで周波数変換された信号を増幅する後段の利得制御アンプやノイズを除去するロウパスフィルタのような回路は複数のバンドに共通の回路として設けられることが多い。ミキサで周波数変換された後の信号は周波数がある範囲に限られているとともに、高周波ICは同時に複数のバンドの信号を扱うことはないので、回路を共通化することで回路の占有面積を減らし高周波ICのチップサイズを小さくすることができるためである。
【0006】
図2は本発明者等が検討したダイレクトダウンコンバージョン方式のトリプルバンド対応の受信系回路の例を示す。図において、120a,120b,120cは受信信号から不要波を除去しGSMの周波数帯の信号とDCSの周波数帯の信号とPCSの周波数帯の信号をそれぞれ通過するSAWフィルタ、210a,210b,210cはSAWフィルタを通過した受信信号を増幅するロウノイズアンプ、MIX1a,MIX1b,MIX2a,MIX2b,MIX3a,MIX3bは各受信信号と高周波VCOからの局部発振信号φRF1,φRF2とを合成して周波数変換を行なうと共にI,Q信号として復調するミキサ、220A,220Bは復調された信号を所望のレベルまで増幅する利得制御アンプとロウパスフィルタとからなる高利得増幅部である。φRF1とφRF2は互いに位相が90°ずれた信号である。
【0007】
また、この受信系回路では、ミキサMIX1a〜MIX3bのI信号とQ信号の各正相側出力端子同士および負相側出力端子同士がそれぞれ共通に接続され、正相と負相の出力端子間には外付けの容量C1,C2が、またミキサMIX1a〜MIX3bの各共通出力ノードと接地点GNDとの間には抵抗R1〜R4が接続されている。これらの素子は、ミキサMIX1a〜MIX3bの出力に含まれるミキシング前の受信信号と局部発振信号の周波数成分を除去してそれらの周波数差に等しい信号成分のみ抽出するロウパスフィルタを構成している。
【0008】
ここで、図2を参照すると分かるように、バンド数に応じてミキサを設けそれらの出力同士をワイヤード結合して後段の高利得増幅部220へ伝達するように構成した場合、各信号を伝達する信号線L1,L2,L3,L4の長さはミキサが1組でよいシングルバンド方式に比べて長くなる。
【0009】
本発明者等は、トリプルバンド方式の携帯電話機を構成する変復調用の高周波ICを開発すべく設計とシミュレーションを繰返し行なった結果、トリプルバンド方式の高周波ICではミキサの後段の利得制御アンプにDCオフセットが発生することを見出した。これは、シングルバンド方式の高周波ICでは問題になっていなかった課題である。
【0010】
この発明は上記のような新規な課題に基づいてなされたもので、その目的とするところは、複数バンドの信号の送受信が可能な携帯電話機のような無線通信システムを構成する通信用半導体集積回路(高周波IC)において、受信信号を復調もしくはダウンコンバートするミキサの次段のアンプのDCオフセットを減少させることができる信号伝達配線技術を提供することにある。
【0011】
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添附図面から明らかになるであろう。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、トリプルバンド方式の高周波ICでミキサの後段の利得制御アンプにDCオフセットが発生する原因を長期に亘って鋭意追求した。その結果、ミキサMIX1a〜MIX3bの出力をワイヤード結合する配線からなる信号線L1,L2,L3,L4が図2のように互いに並走して配設され、その並走区間が長くなると、信号線間の相互誘導あるいは寄生容量により生じるクロストークによって後段の利得制御アンプにDCオフセットが発生することを発見した。
【0013】
その理由は、受信信号に含まれる妨害波がミキサの出力信号配線間の相互誘導やクロストークで次段のアンプに供給される信号に影響を与え、DCレベルをずらすことにある。より具体的には、図8(A)のように位相が180°異なる信号の配線が隣接する場合にはDC成分は波形の中心電位に一致するが、図8(B)のように隣接する配線の信号の位相が180°からずれるとDC成分が波形の中心電位からずれるため、後段の利得制御アンプにDCオフセットが発生すると考えられる。ここで、隣接する配線の信号の位相が90°ずれているときにDC成分が最も大きくなる。
【0014】
一方、受信信号に含まれる妨害波は、図7(A)に示されているように、希望波▲1▼に対して妨害波▲2▼のレベルが極端に大きくなる場合がある。例えば希望波の受信レベルが−99dBmである場合に、妨害波(希望波の周波数±6MHz)が−31dBmあったと仮定すると、妨害波は希望波の約2500倍となり、比較的大きなDCオフセットが発生する原因となる。
【0015】
そこで、本発明では、マルチバンド方式の無線通信システムを構成する変復調用の高周波ICにおいて、異なるバンドの受信信号を復調もしくはダウンコンバートする複数のミキサの出力を伝達する複数の信号線を、隣接する信号線が始端から終端まで同じ組合せで並走するのを避けるように途中でスクランブルさせて配設するようにした。
【0016】
上記した手段によれば、信号線が互いにスクランブルしているため、ある箇所である信号線から隣接する他の信号線に与えられた影響が他の個所では逆向きの影響として与えられ、それらの影響が相殺される。これによって、ミキサの後段の利得制御アンプにDCオフセットが発生するのを防止することができる通信用半導体集積回路が得られる。
【0017】
ここで、ミキサの出力を伝達する信号線の数をNとおくと、信号線のスクランブルの領域もしくは回数は(N−1)とするのがよい。これにより、最小のスクランブル回数で最も効率良く各信号線間の相互誘導やクロストークによる影響を相殺させることができる。
【0018】
また、信号線の数がNの場合に信号線のスクランブルの領域もしくは回数をNとしても良い。これにより、ミキサから出力される信号の並びが途中で入れ替わっても、終端では始端と同じ並びに戻すことが可能になり、配線設計が容易になるとともに、設計の見直しや不良解析の際にミキサと信号との関係が分かり易くなる。また、既にある設計資産を利用してミキサとその後段の回路との間の配線のみ変更することで、他の部位のレイアウトを全く変更することなく各信号線間の相互誘導やクロストークによる影響を相殺させることができるようになる。
【0019】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
【0020】
図1は、本発明を適用したマルチバンド方式の通信用半導体集積回路(高周波IC)及びそれを用いた無線通信システムの構成例を示すブロック図である。
【0021】
図1において、100は信号電波の送受信用アンテナ、110は送受信切り替え用のスイッチ、120a〜120cは受信信号から不要波を除去するSAWフィルタなどからなる高周波フィルタ、130は送信信号を増幅する高周波電力増幅回路、200は受信信号を復調したり送信信号を変調したりする高周波IC、300は送信データをI,Q信号に変換したり高周波IC200を制御したりするベースバンド回路(LSI)である。高周波IC200は1つの半導体チップ上に半導体集積回路として構成される。
【0022】
特に制限されるものでないが、この実施例の高周波IC200は、GSM850とGSM900、DCS1800、PCS1900の3つの通信方式による4つの周波数帯の信号の変復調が可能に構成されている。また、これに応じて、高周波フィルタは、GSM系の周波数帯の受信信号を通過させるフィルタ120aと、DCS1800の周波数帯の受信信号を通過させるフィルタ120bと、PCS1900の周波数帯の受信信号を通過させるフィルタ120cとが設けられる。GSM850とGSM900は周波数帯が近いので、この実施例では共通のフィルタ120aが用いられる。
【0023】
本実施例の高周波IC200は、大きく分けると、受信系回路RXCと、送信系回路TXCと、それ以外の制御回路やクロック生成回路など送受信系に共通の回路からなる制御系回路CTCとで構成される。
【0024】
受信系回路RXCは、受信信号を増幅するロウノイズアンプ210a,210b,210cと、高周波発振回路(RFVCO)250で生成された発振信号φRFを分周し互いに90°位相がずれた直交信号を生成する移相分周回路211と、ロウノイズアンプ210a,210b,210cで増幅された受信信号に移相分周回路211で分周された直交信号をミキシングすることで復調およびダウンコンバートを行なうミキサからなる復調回路212a,212bと、復調されたI,Q信号をそれぞれ増幅してベースバンド回路300へ出力する高利得増幅部220A,220Bと、高利得増幅部220A,220B内のアンプの入力DCオフセットをキャンセルするためのオフセットキャンセル回路213などからなる。
【0025】
なお、図1においては図示の都合で、復調回路212a,212bが各バンドに共通の回路であるかのように示されているが、より詳細には、図2のようにGSMとDCSとPCSの各ロウノイズアンプ210a,210b,210cに対応したミキサMIX1a,MIX1b;MIX2a,MIX2b,MIX3a,MIX3bが設けられている。移相分周回路211から供給される互いに90°位相がずれた直交信号φRF1,φRF2も差動信号φRF1,/φRF1,φRF2,/φRF2として各ミキサに供給される。
【0026】
高利得増幅部220Aは、複数のロウパスフィルタLPF11,LPF12,LPF13,LPF14と利得制御アンプPGA11,PGA12,PGA13とが交互に直列形態に接続され、最終段に利得が固定のアンプAMP1が接続された構成を有しており、I信号を増幅してベースバンド回路30へ出力する。高利得増幅部220Bも同様に、複数のロウパスフィルタLPF21,LPF22,LPF23,LPF24と利得制御アンプPGA21,PGA22,PGA23とが交互に直列形態に接続され、最終段に利得が固定のアンプAMP2が接続された構成を有しており、Q信号を増幅してベースバンド回路300へ出力する。
【0027】
オフセットキャンセル回路213は、各利得制御アンプPGA11〜PGA23に対応して設けられ入力端子間を短絡した状態におけるそれらの出力電位差をディジタル信号に変換するAD変換回路(ADC)と、これらのAD変換回路による変換結果に基づき対応する利得制御アンプPGA11〜23の出力のDCオフセットを「0」とするような入力オフセット電圧を生成し差動入力に対して与えるDA変換回路(DAC)と、これらのAD変換回路(ADC)とDA変換回路(DAC)を制御してオフセットキャンセル動作を行なわせる制御回路などから構成される。
【0028】
送信系回路TXCは、例えば640MHzのような中間周波数の発振信号φIFを生成する発振回路(IFVCO)230と、該発振回路230で生成された発振信号φIFを1/4分周して160MHzのような信号を生成する分周回路231と、該分周回路231で分周された信号をさらに分周しかつ互いに90°位相がずれた直交信号を生成する移相分周回路232と、生成された直交信号をベースバンド回路300から供給されるI信号とQ信号により変調をかける変調回路233a,233bと、変調された信号を合成する加算器234と、所定の周波数の送信信号φTXを発生する送信用発振回路(TXVCO)240と、送信用発振回路(TXVCO)240から出力される送信信号φTXをカプラ280A,280b等で抽出したフィードバック信号と周波数変換用の発振信号を生成する局部発振回路としての高周波発振回路(RFVCO)250で生成された高周波発振信号φRFを分周した信号φRF’とをミキシングすることでそれらの周波数差に相当する周波数の信号を生成するオフセットミキサ236と、該オフセットミキサ236の出力と前記加算器234で合成された信号TXIFとを比較して位相差を検出するアナログ位相比較器237aおよびディジタル位相比較器237bと、該位相検出回路237a,237bの出力に応じた電圧を生成するループフィルタ238などから構成されている。
【0029】
なお、ループフィルタ238を構成する抵抗および容量は、外付け素子として実施例の高周波ICの外部端子に接続される。送信用発振回路(TXVCO)240は、GSM850とGMS900の送信信号を生成する発振回路240aと、DCS1800とPCS1900の送信信号を生成する発振回路240bとからなる。このように発振回路を2つ設けているのは、送信用発振回路は、高周波発振回路250や中間周波数の発振回路230に比べて周波数の可変範囲が広く1つの発振回路ですべてカバーできる回路を設計するのは容易でないためである。
【0030】
アナログ位相比較器237aとディジタル位相比較器237bが設けられているのは、PLL回路の動作開始時における引込み動作を早くするためである。具体的には、送信開始時は先ずディジタル位相比較器237bで位相比較を行ない、その後アナログ位相比較器237aに切り替えることで、高速で位相ループをロックさせることができるようにされる。
【0031】
また、この実施例の高周波IC200のチップ上には、チップ全体を制御する制御回路260と、前記高周波発振回路(RFVCO)250と共にRF用PLL回路を構成するRFシンセサイザ261と、前記中間周波数の発振回路(IFVCO)230と共にIF用PLL回路を構成するIFシンセサイザ262と、これらのシンセサイザ261および262の基準信号となるクロック信号φrefを生成する基準発振回路(VCXO)264とが設けられている。シンセサイザ261および262は、それぞれ分周回路や位相比較回路、チャージポンプ、ループフィルタなどで構成される。
【0032】
なお、基準発振信号φrefは周波数精度の高いことが要求されるため、基準発振回路264には外付けの水晶振動子が接続される。基準発振信号φrefとしては、26MHzあるいは13MHzのような周波数が選択される。かかる周波数の水晶振動子は比較的安価に手に入るからである。
【0033】
図1において1/2,1/4などの分数が付記されているブロックはそれぞれ分周回路、符号BFFで示されているのはバッファ回路である。また、SW1,SW2,SW3は、GSM方式に従った送受信を行なうGSMモードとDCSまたはPCS方式に従った送受信を行なうDCS/PCSモードとで接続状態が切り替えられて、伝達される信号の分周比を選択するスイッチである。SW4は送信時にベースバンド回路300からのI,Q信号を変調用ミキサ233a,233bに供給すべくオン、オフ制御されるスイッチである。これらのスイッチSW1〜SW4は制御回路260からの信号によって制御される。
【0034】
制御回路260には、コントロールレジスタCRGが設けられ、このレジスタCRGはベースバンド回路300からの信号に基づいて設定が行なわれる。具体的には、ベースバンド回路300から高周波用IC200に対して同期用のクロック信号CLKと、データ信号SDATAと、制御信号としてのロードイネーブル信号LENとが供給されており、制御回路260は、ロードイネーブル信号LENが有効レベルにアサートされると、ベースバンド回路300から伝送されてくるデータ信号SDATAをクロック信号CLKに同期して順次取り込んで、上記コントロールレジスタCRGにセットする。特に制限されるものでないが、データ信号SDATAはシリアルで伝送される。ベースバンド回路300はマイクロプロセッサなどから構成される。
【0035】
コントロールレジスタCRGは、特に制限されるものでないが、高周波発振回路(RFVCO)250や中間周波数の発振回路(IFVCO)230におけるVCOの周波数測定を開始させる制御ビットや、受信モード、送信モード、アイドルモード、ウォームアップモードなどのモードを指定するビットフィールドなどが設けられる。ここで、アイドルモードは待受け時等ごく一部の回路のみ動作し少なくとも発振回路を含む大部分の回路が停止するスリープ状態となるモード、ウォームアップモードは送信または受信の直前にPLL回路を起動させるモードである。
【0036】
この実施例では、位相検出回路237a,237bと、ループフィルタ238、送信用発振回路(TXVCO)240a,240bおよびオフセットミキサ236とによって周波数変換を行なう送信用PLL回路(TXPLL)が構成される。
【0037】
本実施例のマルチバンド方式の無線通信システムでは、例えばベースバンド回路300からの指令によって制御回路260が、送受信時に高周波発振回路250の発振信号の周波数φRFを使用するチャネルに応じて変更すると共に、GSMモードかDCS/PCSモードかに応じて上記スイッチSW2を切り替えることで、オフセットミキサ236に供給される信号の周波数が変更されることによって送受信の周波数の切り替えが行なわれる。
【0038】
表1は、本実施例のクウォッドバンド用の高周波ICにおける中間周波用発振回路(IFVCO)230、送信用発振回路(TXVCO)240および高周波発振回路(RFVCO)250の発振信号φIF,φTX,φRFの周波数の設定例を示す。なお、表1に示されているGSM850とGSM900は、周波数帯(バンド)のみ異なり、変調方式や多重化方式などは同じであるので、通信方式としては同じ方式とみることができる。
【0039】
【表1】
Figure 0004354681
【0040】
表1に示されているように、本実施例では、中間周波用発振回路(IFVCO)230の発振周波数はGSM、DCS、PCSいずれの場合にも640MHzに設定され、これが分周回路231と移相分周回路232で1/8に分周されて80MHzの搬送波(TXIF)が生成されて変調が行なわれる。
【0041】
一方、高周波発振回路(以下、RFVCOと記す)250の発振周波数は、受信モードと送信モードとで異なる値に設定される。送信モードでは、RFVCO250の発振周波数fRFは、例えばGSM850の場合3616〜3716MHzに、GSM900の場合3840〜3980MHzに、またDCSの場合3610〜3730MHzに、さらにPCSの場合3860〜3980MHzに設定され、これが分周回路でGSMの場合は1/4に分周され、またDCSとPCSの場合は1/2に分周されてφRF’としてオフセットミキサ236に供給される。
【0042】
オフセットミキサ236では、このφRF’と送信用発振回路(TXVCO)240からの送信用発振信号φTXの周波数の差(fRF’−fTX)に相当する信号が出力され、この差信号の周波数が変調信号TXIFの周波数と一致するように送信用PLL(TXPLL)が動作する。言いかえると、TXVCO240は、RFVCO250からの発振信号φRF’の周波数(fRF/4)と変調信号TXIFの周波数(fTX)の差に相当する周波数で発振するように制御される。これが、いわゆるオフセットPLL方式と呼ばれるシステムにおける送信動作である。
【0043】
受信モードでは、RFVCO250の発振周波数fRFは、例えばGSM850の場合3476〜3576MHzに、GSM900の場合3700〜3840MHzに、またDCSの場合3610〜3730MHzに、さらにPCSの場合3860〜3980MHzに設定され、GSMの場合はこれが分周回路で1/2分周され、またDCSとPCSの場合はそのまま移相分周回路211へ供給されて分周と位相シフトされてミキサ212a,212bに供給される。
【0044】
RFVCO250は、例えばLC共振回路を用いたコルピッツ型発振回路で構成されるとともに、LC共振回路を構成する容量素子が各々スイッチ素子を介して複数個並列に設けられており、そのスイッチ素子をバンド切り替え信号で選択的にオンさせることにより、接続される容量素子すなわちLC共振回路のCの値を切り替えることで発振周波数を段階的に切り替えることができるように構成されている。一方、RFVCO250は可変容量素子としてバリキャップダイオードを有しており、RFシンセサイザ261内のループフィルタからの制御電圧によってこのバリキャップダイオードの容量値が変化され、発振周波数が連続的に変化される。
【0045】
次に、実施例の高周波ICにおけるミキサ212a,212b(MIXa1〜MIXb2)と高利得増幅部220A,220Bとミキサの出力を高利得増幅部220A,220Bへ伝達する信号線のレイアウトの第1の実施例について、図3を用いて説明する。なお、図3において、図1と同一の回路には同一の符号を付して重複した説明は省略する。符号MIXa,MIXb,MIXcは各々図2におけるミキサMIXa1とMIXa2の組、MIXb1とMIXb2の組、MIXc1とMIXc2の組を、符号220は高利得増幅部220aと220bを、それぞれ1つのブロックで表わしたものである。また、P0〜P9は外部端子としてのボンディングパッドである。
【0046】
図3に示されているように、本実施例においては、ミキサMIXa,MIXb,MIXcの出力を高利得増幅部220へ伝達する4本の信号線は、異種の信号を伝達する信号線が始端から終端まで隣接して並走するのを避けるように、途中でスクランブルされた配線L1,L2,L3,L4により構成されている。
【0047】
具体的には、先ずMIXaの部分では配線L2とL3が隣接し、次に配線L1とL3が、またその次には配線L1とL4が、そして最後の部分では配線L2とL4が隣接して並走するように3つのスクランブル領域S1,S2,S3が設けられている。
【0048】
これらのスクランブル領域S1〜S3では、図3におけるIV−IV線に沿った断面を示す図4のように、互いに交差する各配線L1〜L4間が電気的に短絡されることがないよう下層配線層からなるブリッジ配線LBRが形成され、上層配線層のうち同一の信号を伝達する配線同士(図4ではL2)がブリッジ配線LBRで接続されている。下層のブリッジ配線LBRと上層の配線L2とは、配線間を絶縁する絶縁膜に形成されたスルーホールTHにて接続されている。
【0049】
図3において、実線で示されている配線は上層配線であることを、破線で示されている配線は下層配線であることを意味している。なお、ブリッジ配線LBRは配線L1〜L4よりも上層に設けられる配線層により形成することも可能である。図4には示されていないが、各配線L1〜L4の周囲は層間絶縁膜により囲まれている。
【0050】
図3により分かるように、この実施例では、ロウパスフィルタLPSを構成する外付け容量C1,C2が接続される外部端子P6〜P9の近傍から高利得増幅部220までは途中にスクランブル領域を設けずに、同一の並びのまま各信号を伝達する配線が形成されている。この部分の配線で伝達される信号は、ロウパスフィルタLPFにより高周波成分が除去された低周波数の信号であるため、配線間の相互誘導等による影響が小さいからである。配線間の相互誘導等による影響をより小さくするために、ロウパスフィルタLPSから高利得増幅部220までの配線はそれらの間隔を充分に大きくしたり、ミキサMIXaの出力端子からロウパスフィルタLPFまでの間に設けられているのと同様なスクランブル領域を有する配線とするようにしてもよい。
【0051】
ところで、この実施例では、3つのスクランブル領域が設けられている。実施例のように信号線の数が4本の場合に信号線間の影響を相殺させるには、信号線をスクランブルさせる回数は最小3回でよい。ただし、そのようにすると、信号の並びが最初と最後では異なってしまう。例えば図3の実施例では、最初はI,/I,Q,/Qの並びであった信号が最後はQ,/Q,/I,Iになっている。そこで、次に述べる実施例のように、スクランブルの回数を4回とすることにより、ミキサから出力される信号の並びが途中で入れ替わっても、終端では始端と同じ並びに戻すことが可能になる。
【0052】
図5は、ミキサ212a,212b(MIXa1〜MIXb2)の出力を後段の高利得増幅部220A,220Bへ伝達する信号線のレイアウトの第2の実施例を示す。なお、図5は、図2において一点鎖線Aで囲まれている部分のみを拡大して示す。
【0053】
図5に示されているように、本実施例においては、ミキサの出力を高利得増幅部へ伝達する4本の信号配線L1,L2,L3,L4の途中に4つのスクランブル領域S1,S2,S3,S4が設けられている。具体的には、符号A1の部分では配線L2とL3が隣接し、符号A2の部分では配線L1とL3が、また符号A3の部分では配線L1とL4が、さらに符号A4の部分では配線L2とL4が、そして最後の符号A5の部分では再び配線L2とL3が隣接して並走するようにスクランブル領域S1,S2,S3,S4が設けられている。
【0054】
この実施例のように、スクランブルの回数を4回とすることにより、ミキサから出力される信号の並びが途中で入れ替わっても、終端では始端と同じ並びに戻すことが可能になり、配線設計が容易になるとともに、設計の見直しや不良解析の際にミキサと信号との関係が分かり易くなる。一方、図3の実施例のようにスクランブルの回数が3回であれば、最小の回数で最も効率良く各信号線間の相互誘導やクロストークによる影響を相殺させることができる。
【0055】
ここで、スクランブルの作用を簡単に説明する。図5において、L1,L2をI信号と/I信号を伝達する配線、L3,L4をQ信号と/Q信号を伝達する配線とすると、I信号と/I信号は互いに逆相の信号であるので、I信号に符号NS1で示すようなノイズがのっていると仮定すると、/I信号には符号NS2で示すような逆向きのノイズがのることになる。図5のA1の部分では配線L2に隣接して配線L3が並走しているので、このノイズNS2により配線L3の信号Qには破線B2のようなノイズが誘起される。
【0056】
一方、符号A2の部分に着目すると、この部分では配線L1と配線L3が並走しているので、配線L1のI信号のノイズNS1により配線L3の信号Qには破線B1のようなノイズが誘起される。ノイズB1とB2を比較すると明らかなように、これらのノイズは同一の大きさで逆向きのノイズである。従って、ノイズB1とB2とが互いに相殺し合って配線L3の信号は配線L1,L2の信号からの影響を受けないのと同じ結果になる。同様の理由から、符号A1の部分において隣接する一方の配線にDCオフセットが生じたとしても、符号A2の部分においては上記と逆のDCオフセットが生じ、それらが互いに相殺し合うことになる。つまり、本実施例においては、隣接する他の配線に生じたDC成分の影響を受けないのと同じ結果になる。
【0057】
さらに、図3の実施例のように、4本の配線L1〜L4がそれぞれ1回ずつ隣接して並走するように3つのスクランブル領域が設けられていると、それぞれの配線間の相互誘導やクロストークが相殺し合って互いに影響を与えないのと同じ結果が得られる。また、図5の実施例のように、スクランブルの回数を図3の実施例よりも1回多い4回としても配線間の相互誘導やクロストークをかなり減らすことができる。しかも、スクランブルの回数を4回とするこれにより、ミキサから出力される信号の並びが途中で入れ替わっても、終端では始端と同じ並びに戻すことが可能になる。
【0058】
さらに、図5において、符号A1の部分の長さと符号A5の部分の長さとの和(A1+A5)が符号A2やA3,A4の部分の長さと同じになるように、つまり(A1+A5)=A2=A3=A4となるように設計することにより、スクランブルの回数が4回でも配線L1〜L4間の影響を相殺しかつ信号の並びを終端と始端で同じにすることができる。
【0059】
また、図3や図5の実施例のように、各スクランブル領域において、1番目と2番目の配線を3番目と4番目に変え、3番目と4番目の配線を2番目と1番目に変えるという規則性のある交差方式を採ると、全てのスクランブル領域における交差構造を同一にして異種の信号を伝達する信号線が始端から終端まで同じ組合せで隣接して並走しないように配設することができる。これによって、スクランブル領域のマスクパターンを同じにすることができるため、レイアウト設計が容易になるという利点がある。
【0060】
図6には、ミキサMIXa1〜MIXb2の具体的な回路例を示す。
【0061】
図6に示されているように、この実施例のミキサは、エミッタ共通接続された2組の入力差動トランジスタ対Q11,Q12およびQ21,Q22と、これらのトランジスタ対の共通エミッタにそれぞれコレクタが接続されかつ互いにエミッタ同士が結合された差動トランジスタ対Q31,Q32と、該トランジスタ対Q31,Q32の共通エミッタに接続された定電流源Ic10と、上記入力差動トランジスタQ11,Q21のコレクタと電源電圧Vccとの間およびQ12,Q22のコレクタと電源電圧Vccとの間に接続されたコレクタ抵抗Rc1,Rc2とから構成されている。また、ミキサの出力端子には、出力信号線L1,L2(L3,L4)間に接続された容量C1(C2)および各出力信号線と接地点との間に接続された抵抗R1,R2(R3,R4)からなるロウパスフィルタLPFが接続される。
【0062】
そして、このミキサでは2組の入力差動トランジスタ対Q11,Q12およびQ21,Q22のベース端子に受信信号RXとその反転信号/RXが入力され、トランジスタ対Q31,Q32のベース端子に移相分周回路211からの高周波信号φRF1,/φRF1(φRF2,/φRF2)が入力される。
【0063】
これにより、出力ノードN1,N2からは受信信号RXと高周波信号φRF1(φRF2)とをミキシングした信号が出力され、その信号を図2の外付け容量C1(C2)と抵抗R1,R2(R3,R4)とからなるロウパスフィルタLPFに通すことによって高周波成分が除去されて受信信号RXと高周波信号φRF1(φRF)の周波数差に等しい周波数を有する信号が生成されて後段の高利得増幅部220A(220B)に供給される。
【0064】
図8には、上記ミキサミキサMIXa1〜MIXb2とロウパスフィルタLPFの作用を説明するための波形図が示されている。なお、図8は各波形を概念的に表わしたもので、正確に表わしたものではない。
【0065】
ロウノイズアンプ210a〜210cには、図8(A)に示されているように、希望波▲1▼よりもレベルの大きな妨害波▲2▼を含む受信信号が入力される場合がある。図8(B)は妨害波を含む場合のミキサMIXa1〜MIXb2の出力波形である。かかる妨害波を含む信号の妨害波の位相が隣接する配線間で180°からずれていると、図7(B)に示されているように、DCオフセットが発生する原因となるが、実施例のようにミキサMIXa1〜MIXb2とロウパスフィルタLPFとの間の配線がスクランブルされていると、DCオフセットの発生が防止される。なお、ミキサMIXa1〜MIXb2の出力に含まれる図8(B)のような妨害波成分はロウパスフィルタLPFの作用により除去されて図8(C)のような所望の波形の受信信号として後段の高利得増幅部220に入力される。
【0066】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものでない。例えば前記実施例においては、伝達する信号線が4本である場合の実施例について説明したが、信号線の数は4本に限定されず5本以上であっても良い。信号線の数がNの場合には、信号線のスクランブルの回数をN、より好ましくは(N−1)とするのがよい。
【0067】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるGSMとDCSとPCSの3つの通信方式による通信が可能な携帯電話機の無線通信システムに用いられる高周波ICに適用した場合について説明したが、本発明はそれに限定されるものでない。例えばGSMにおける位相変調に振幅変調を加えたようなQPSK変調モードを有するEDGEと呼ばれる通信方式にも対応可能な携帯電話機に用いられる高周波ICやCDMA方式の携帯電話機あるいは無線LANやブルートゥースと呼ばれる無線通信システムを構成する高周波ICに対しても本発明を適用することができる。
【0068】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【0069】
すなわち、本発明に従うと、マルチバンド方式の無線通信システムを構成する変復調用の高周波ICにおいて、異なるバンドの受信信号を復調もしくはダウンコンバートするミキサの出力を伝達する信号線が互いにスクランブルしているため、ある箇所である信号線から他の信号線に与えられた影響が他の個所では逆向きの影響として作用して、それらの影響が互いに相殺されることによって、ミキサの後段の利得制御アンプにDCオフセットが発生するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用したマルチバンド方式の通信用半導体集積回路(高周波IC)及びそれを用いた無線通信システムの構成例を示すブロック図である。
【図2】トリプルバンド対応の受信系回路の一例を示すブロック図である。
【図3】図2の実施例の受信系回路におけるミキサの出力を後段回路に伝達する信号線の構成例を示すレイアウト図である。
【図4】図3におけるIV−IV線に沿った配線構造を断面図である。
【図5】受信系回路におけるミキサの出力を後段回路に伝達する信号線の他の構成例を示すレイアウト図である。
【図6】ミキサの具体的な回路例を示す回路図である。
【図7】隣接する配線の各信号の位相ずれによりDCオフセットが生じる理由を説明するための波形図である。
【図8】ロウノイズアンプに入力される受信信号とミキサの出力信号と高利得増幅部への入力信号の波形例を示す波形図である。
【符号の説明】
100 送受信用アンテナ
110 送受信切り替え用のスイッチ
120a〜120c 高周波フィルタ
130 高周波電力増幅回路
200 高周波IC
210 ロウノイズアンプ
212,MIX 復調用ミキサ
233 変調用ミキサ
220 電力増幅部
230 中間周波数発振回路(IFVCO)
238 送信用PLLのループフィルタ
240 送信用発振回路(TXVCO)
250 高周波発振回路(RFVCO)
260 制御回路
261 RFPLL用シンセサイザ回路
262 IFPLL用シンセサイザ回路
264 基準発振回路
300 ベースバンド回路
L1〜L4 ミキサの出力を伝達する信号線
TH スルーホール
LPF ロウパスフィルタ
LBR ブリッジ配線

Claims (14)

  1. 複数のミキサを備え複数のバンドの信号を受信して復調可能な通信用半導体集積回路であって、
    前記複数のミキサの出力を伝達する複数の信号線には、異種の信号を伝達する信号線が始端から終端まで同じ組合せで隣接して並走しないように、信号線を互いに交差させるスクランブル領域が複数箇所設けられ、
    前記ミキサの出力を伝達する信号線の数をNとしたときに、前記信号線のスクランブル領域の数はNであり、
    前記スクランブル領域で分割された各範囲のうち最初の範囲と最後の範囲での前記複数の信号線の並びは同一であり、
    前記スクランブル領域で分割された各範囲のうち最初の範囲と最後の範囲における信号線の長さの和と、それら以外の各範囲における信号線の長さとが等しくなるように設定されている
    ことを特徴とする通信用半導体集積回路。
  2. 前記ミキサは、所定の周波数の受信信号と所定の周波数の発振信号を入力とし、前記受信信号と発振信号の周波数差に相当する周波数の信号を得るための回路である
    ことを特徴とする請求項1に記載の通信用半導体集積回路。
  3. 前記ミキサの出力を伝達する前記信号線にはフィルタ回路が接続され、前記信号線の互いに交差する部位または領域は、前記ミキサとフィルタ回路との間に設けられている
    ことを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の通信用半導体集積回路。
  4. 少なくともGSM方式とDCS方式とPCS方式を含む3以上の通信方式に従った受信信号を復調可能に構成されている
    ことを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載の通信用半導体集積回路。
  5. 複数のミキサを備え複数のバンドの信号を受信して復調可能な通信用半導体集積回路であって、
    前記複数のミキサの出力を伝達する複数の信号線は、異種の信号を伝達する信号線が始端から終端まで同じ組合せで隣接して並走しないように、互いに交差して配設され、
    前記ミキサは、所定の周波数の受信信号と所定の周波数の第1の発振信号を入力とする第1ミキサと、前記受信信号と前記第1発振信号と位相が90度異なる第2発振信号を入力とする第2ミキサとを含み、
    前記ミキサから出力される信号は、第1の情報を含む第1の信号およびその反転信号と、第2の情報を含み前記第1の信号と位相が90度異なる第2の信号およびその反転信号であり、前記第1の信号とその反転信号が隣接して並走され、また前記第2の信号とその反転信号が隣接して並走され、前記スクランブル領域において、信号伝達方向に沿って1番目と2番目の配線が3番目と4番目に切り替えられ、3番目と4番目の配線が2番目と1番目に切り替えられるように配置されている
    ことを特徴とする通信用半導体集積回路。
  6. 複数のミキサを備え複数のバンドの信号を受信して復調可能な通信用半導体集積回路であって、
    前記複数のミキサの出力を伝達する複数の信号線には、異種の信号を伝達する信号線が始端から終端まで同じ組合せで隣接して並走しないように、信号線を互いに交差させるスクランブル領域が複数箇所設けられ、
    前記ミキサは、所定の周波数の受信信号と所定の周波数の第1の発振信号を入力とする第1ミキサと、前記受信信号と前記第1発振信号と位相が90度異なる第2発振信号を入力とする第2ミキサとを含み、
    前記ミキサから出力される信号は、第1の情報を含む第1の信号およびその反転信号と、第2の情報を含み前記第1の信号と位相が90度異なる第2の信号およびその反転信号であり、前記第1の信号とその反転信号が隣接して並走され、また前記第2の信号とその反転信号が隣接して並走され、前記スクランブル領域において、信号伝達方向に沿って1番目と2番目の配線が3番目と4番目に切り替えられ、3番目と4番目の配線が2番目と1番目に切り替えられるように配置されている
    ことを特徴とする通信用半導体集積回路。
  7. 前記ミキサの出力を伝達する信号線の数をNとしたときに、前記信号線のスクランブル領域の数は(N−1)である
    ことを特徴とする請求項に記載の通信用半導体集積回路。
  8. 前記スクランブル領域で分割された各範囲での前記複数の信号線の並びは各範囲毎にそれぞれ異なっている
    ことを特徴とする請求項に記載の通信用半導体集積回路。
  9. 前記ミキサの出力を伝達する信号線の数をNとしたときに、前記信号線のスクランブル領域の数はNである
    ことを特徴とする請求項に記載の通信用半導体集積回路。
  10. 前記スクランブル領域で分割された各範囲のうち最初の範囲と最後の範囲での前記複数の信号線の並びは同一である
    ことを特徴とする請求項に記載の通信用半導体集積回路。
  11. 前記スクランブル領域で分割された各範囲のうち最初の範囲と最後の範囲における信号線の長さの和と、それら以外の各範囲における信号線の長さとが等しくなるように設定されている
    ことを特徴とする請求項10に記載の信用半導体集積回路。
  12. 前記ミキサは、所定の周波数の受信信号と所定の周波数の発振信号を入力とし、前記受信信号と発振信号の周波数差に相当する周波数の信号を得るための回路である
    ことを特徴とする請求項5〜11のいずれかに記載の通信用半導体集積回路。
  13. 前記ミキサの出力を伝達する前記信号線にはフィルタ回路が接続され、前記信号線の互いに交差する部位または領域は、前記ミキサとフィルタ回路との間に設けられている
    ことを特徴とする請求項5〜12のいずれかに記載の通信用半導体集積回路。
  14. 少なくともGSM方式とDCS方式とPCS方式を含む3以上の通信方式に従った受信信号を復調可能に構成されている
    ことを特徴とする請求項5〜13のいずれかに記載の通信用半導体集積回路。
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