JP4386084B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置および電子機器に関し、特に垂直配向型の液晶を用いた液晶装置に
おいて高コントラスト、広視野角の表示が得られる技術に関するものである。また、本発
明はその液晶装置を用いた電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）等とい
った電子機器に液晶装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の表示を
行うための表示装置として液晶装置が用いられている。この液晶装置は、液晶層に印加す
る電圧を画素ごとに制御することにより、その液晶層内の液晶分子の配向を制御する。こ
の液晶分子の配向制御により、液晶層を通過する光を画素ごとに変調し、この変調された
光を偏光層、位相差層等といった光学要素に供給することにより、画像の表示が行われる
。

液晶装置の動作モードには種々のモードがある。例えば、オフ電圧印加状態で液晶分子
が基板面に略平行で基板に垂直な方向にねじれた配向をもつＴＮ（Twisted Nematic：ツ
イステッド・ネマティック）モードや、オフ電圧印加状態で液晶分子が基板に略垂直な方
向に配向したＶＡ（Vertically Aligned：垂直配向）モードが知られている。ＶＡモード
では、液晶分子が基板面に対して略垂直に配列された状態（すなわち法線方向から見た光
学的リタデーションが無い状態）を黒表示として用いるため高いコントラストが得られる
。また、オン電圧印加時に液晶分子が倒れる方向が異なる複数の領域を設けることにより
高視野角を得ることができる。

上記の垂直配向モードの液晶装置として、白表示と黒表示の単位表示領域であるサブ画
素を画素電極と対向電極とによって形成すると共に、画素電極を複数のドット状（すなわ
ち島状）部分に分けることによって１つのサブ画素を複数のドット状領域であるサブドッ
トに分割した電極構造が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２及び特許文献３
参照）。

特開２００３−４３５２５号公報（第７頁、図１） 特開２００５−３４５７５７号公報（第６頁、図２） 特開２００６−３３８０５１号公報（第７頁、図２）

上記の垂直配向モードの液晶装置においては、画素電極の平面形状に応じて発生する斜
め電界や、対向電極に設けられた誘電体突起又はスリットによって液晶分子の配向制御を
行っている。液晶層にオン電圧が印加されると、この配向制御によって規定された方向に
液晶分子が配向して複数のドメイン又はマルチドメインが形成される。この垂直配向モー
ドにおいて、１つの画素電極とそれに対向する共通電極とが平面視で重なり合う領域がサ
ブ画素であり、互いに隣接するサブ画素の間に対応する領域の基板上には遮光膜が設けら
れていた。この遮光膜は、隣接サブ画素間での印加電圧の影響を考慮して、サブ画素間か
ら光が漏れることを防止するものである。

このように従来の液晶装置においては、画素電極と対向電極とが平面視で重なり合う領
域であるサブ画素が平面的に複数設けられる場合に、隣接するサブ画素同士の間は遮光膜
によって遮光を行っていた。これにより、サブ画素の周辺から光が漏れることをその遮光
膜によって防止することにより、コントラストの低下を防止している。この技術は、垂直
配向モードの液晶装置に限らず、他の種々の動作モードにおいて従来から用いられてきた
技術である。しかしながら、垂直配向モードの液晶装置においては、その機能上の理由か
ら、サブ画素内に設けられた複数のサブドットの周辺で斜め電界強度が強くなる傾向にあ
る。このため、特にサブドット周辺で光漏れが大きくなる傾向にあり、コントラストを低
下させる要因となっていた。

本発明は、上記の問題点を解消するために成されたものであって、複数のドット状部分
によって形成された複数のサブドット領域をサブ画素内に備えた電極構造を有する垂直配
向モードの液晶装置において、遮光膜を工夫することにより高コントラストを得ることを
目的とする。

本発明に係る第１の液晶装置は、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された負の誘電異方性を有する液晶層と、一方の基板の液晶側に設けられた画素電極と、他方の基板の液晶側に設けられており前記画素電極に対向する対向電極と、前記液晶層の液晶分子の長軸が前記一対の基板に対して略垂直となる状態に配向させる垂直配向膜とを有し、前記画素電極は、複数の島状のサブピクセルを当該サブピクセルよりも細い形状の接続部によって相互に連結して構成されており、前記画素電極が設けられた基板に対向する基板上に遮光膜が設けられ、前記遮光膜は、、互いに隣接する前記複数のサブピクセルの間の領域であって少なくとも前記接続部以外の領域に対応して、前記隣接する前記複数のサブピクセル間の領域の平面形状と一致する形状とされていることを特徴とする。

この液晶装置は、負の誘電異方性を有する液晶を垂直配向膜によって垂直配向状態に配
向させる構成の液晶装置、すなわち垂直配向モードの液晶装置である。さらに、この液晶
装置は、複数のドット状のサブピクセルを細い形状の接続部によって連結することによっ
て形成された画素電極を有する液晶装置である。複数のサブピクセルを連ねて形成された
画素電極と、これに対向して配置された対向電極とが平面視で重なり合う領域を含む矩形
状（通常は長方形状）の領域がサブ画素の領域である。白黒又はその他の２色で画像表示
を行う場合には１つのサブ画素によって１つの表示画素が構成される。Ｒ（赤色）、Ｇ（
緑色）、Ｂ（青色）の３色に対応した３つのサブ画素によって画像表示を行う場合には３
つのサブ画素によって１つの表示画素が構成される。

従来の垂直配向モードの液晶装置においては、隣接するサブ画素間の領域に対応する領
域に遮光膜を設けることにより、サブ画素の周辺領域からの光漏れを防止していた。しか
しながら、この従来の液晶装置では、１つのサブ画素を構成する複数のサブピクセルの間
の領域に関しては遮光を行っていなかった。

垂直配向モードの液晶装置においては、液晶層にオン電圧が印加されたときに、画素電
極を構成する複数のサブピクセルの周辺部分に斜め電界が形成され、この斜め電界によっ
て液晶分子の配向方向が規定される。この斜め電界の電界強度は強く、そのため、サブピ
クセルの周辺部分では光漏れが発生し易く、コントラストが低下するおそれがあった。従
来の垂直配向モードの液晶装置のようにサブ画素の周辺領域は遮光を行うが、サブ画素内
に配置された複数のサブピクセルの間は遮光しない構成であると、複数のサブピクセル間
に対応する領域において光漏れによるコントラストの低下が発生していた。

これに対し、本発明に係る上記の液晶装置によれば、接続部によって連結された複数の
サブピクセルの互いに隣接するもの同士の間の領域であって少なくとも接続部以外の領域
に対応して遮光膜を設けたので、１つのサブ画素内の複数のサブピクセルの間の領域から
の光漏れを有効に遮光でき、高いコントラストを得ることができた。しかもこのとき、遮
光膜は平面視で画素電極のサブピクセルと重なり合うことはないので、透過率（すなわち
開口率）が低下することはなく、明るい表示を行うことができる。

次に、本発明に係る液晶装置において、前記遮光膜は前記画素電極が形成される前記基
板上に設けられることが望ましい。画素電極が形成される基板上に遮光膜を形成するとい
うことは、画素電極を構成する複数のサブピクセルの間の領域に直接に遮光膜を形成する
ということである。画素電極が形成された基板に対向する基板上に遮光膜を形成する場合
には、それらの基板を貼り合わせる際に両基板間で位置ズレ（いわゆる組ズレ）が発生し
たときに、遮光膜が画素電極に平面視で重なったり、遮光膜と画素電極との間に隙間が形
成されたりすることがある。こうなると、開口率が低下したり、光漏れによるコントラス
トの低下を十分には解消できないおそれがある。これに対し、本発明態様のように、画素
電極が形成される基板上に遮光膜を形成することにすれば、組ズレの発生を防止して、開
口率の低下を防止できる。

次に、本発明に係る液晶装置において、前記遮光膜は前記画素電極が設けられた基板に
対向する基板上に設けられることが望ましい。

次に、本発明に係る液晶装置において、前記遮光膜の幅は、互いに隣接する前記サブピ
クセル間の領域の幅よりも狭くすることが望ましい。この構成を採用すれば、前記サブピ
クセルの遮光膜に対向する端辺と前記遮光膜のサブピクセルに対向する端辺との間には平
面視で隙間が設けられることになる。画素電極が形成された基板に対向する基板上に遮光
膜を設ける場合には、両基板を互いに貼り合わせるときに、画素電極と遮光膜とに位置ズ
レが生じることがある。この位置ズレが生じた場合でも、サブピクセルと遮光膜との間に
予め隙間を設けておけば、組ズレが生じたとしても遮光膜と画素電極とが重なり合うこと
を防止でき、それ故、開口率の低下を回避できる。

次に、本発明に係る液晶装置においては、前記一対の基板の一方にスイッチング素子を
設けることができる。スイッチング素子としては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜
トランジスタ）等といった３端子型スイッチング素子や、ＴＦＤ（Thin Film Diode：薄
膜ダイオード）等といった２端子型スイッチング素子がある。スイッチング素子を用いる
場合、遮光膜はそのスイッチング素子が設けられる基板上に設けられることが望ましく、
さらに遮光膜はスイッチング素子を構成する材料と同じ材料によって形成されることが望
ましい。この構成によれば、スイッチング素子を形成する工程において遮光膜を同時に形
成することが可能となり、製造コスト及び材料コストを低減できる。

次に、一方の基板上にスイッチング素子を形成することにした上記構成の液晶装置にお
いて、そのスイッチング素子は、タンタル又はタンタル合金によって形成された第１層と
、該第１電極上に形成された陽極酸化膜と、導電性金属材料から成り前記陽極酸化膜上に
形成された第２電極とを有する薄膜ダイオードとすることができる。そしてこの場合、前
記遮光膜は前記第１電極と同じ材料によって形成されることが望ましい。この構成によれ
ば、スイッチング素子としての薄膜ダイオードを形成する工程において遮光膜を同時に形
成することが可能となり、製造コスト及び材料コストを低減できる。

次に、本発明に係る液晶装置においては、画素電極が設けられた基板に対向する基板上
に互いに異なる色の着色膜を設けることによってその対向基板上にカラーフィルタを設け
ることができる。そしてこの場合、遮光膜は、着色膜が設けられた基板上に異なる色の着
色膜を重ねることによって形成することが望ましい。この構成によれば、遮光膜をそれ専
用の材料によって形成する場合に比べて、製造コスト及び材料コストの両方を低減できる
。

次に、本発明に係る第２の液晶装置は、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された負
の誘電異方性を有する液晶層と、一方の基板の液晶側に設けられた画素電極と、他方の基
板の液晶側に設けられており前記画素電極に対向する対向電極と、前記液晶層の液晶分子
の長軸が前記一対の基板に対して略垂直となる状態に配向させる垂直配向膜とを有し、前
記画素電極は、複数の島状のサブピクセルを当該サブピクセルよりも細い形状の接続部に
よって相互に連結して構成されており、前記接続部を有する島状の前記サブピクセルの間
の領域に対応して前記一対の基板の少なくともいずれか一方に遮光膜が設けられており、
前記接続部を有さない島状の前記サブピクセルの間に対応する領域には前記遮光膜は設け
られないことを特徴とする。

上記第１の液晶装置では、「サブピクセル間の領域であって接続部以外の領域」に対応
して遮光膜が設けられることを規定したが、「サブピクセル間の領域であって接続部以外
の領域」以外の領域に遮光膜を設けるか、あるいは設けないかについては規定されていな
い。これに対し、第２の液晶装置では、接続部を有する島状の前記サブピクセルの間の領
域に対応して前記一対の基板の少なくともいずれか一方に遮光膜が設けられており、前記
接続部を有さない島状の前記サブピクセルの間に対応する領域には前記遮光膜は設けられ
ないことにしている。第２の液晶装置においては、接続部がある領域にも遮光膜が設けら
れるので、サブピクセル間の光漏れをより一層確実に防止できる。

次に、本発明に係る第４の液晶装置は、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された負
の誘電異方性を有する液晶層と、一方の基板の液晶側に設けられた画素電極と、他方の基
板の液晶側に設けられており前記画素電極に対向する対向電極と、前記液晶層の液晶分子
の長軸が前記一対の基板に対して略垂直となる状態に配向させる垂直配向膜とを有し、前
記画素電極は、角部及び辺部を有する複数の島状状のサブピクセルを当該サブピクセルよ
りも細い形状の接続部によって連結して形成されており、前記複数の島状のサブピクセル
の間の領域に対応して、前記一対の基板の少なくともいずれか一方に遮光膜が設けられて
おり、前記遮光膜は前記各サブピクセルの前記角部に対応した領域には設けられていない
ことを特徴とする。

この第４の液晶装置では、「互いに接続されたサブピクセル間の領域であって接続部以
外の領域と接続部がある領域」と「サブピクセルの辺部の中央部分の外側領域」の各領域
に対応して遮光膜を設け、「サブピクセルの角部の外側領域」に対応する領域には遮光膜
は設けない構成としている。この構成によれば、サブピクセル間の領域からの光漏れを防
止できると共に、サブピクセルの辺部の外側の領域からの光漏れも防止できる。

次に、本発明に係る第５の液晶装置は、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された負の誘電異方性を有する液晶層と、一方の基板の液晶側の面に設けられた画素電極と、他方の基板の液晶側の面に設けられており前記画素電極に対向する対向電極と、前記液晶層の液晶分子の長軸が前記一対の基板に対して略垂直となる状態に配向させる垂直配向膜とを有し、前記画素電極は、複数の島状のサブピクセルを当該サブピクセルよりも細い形状の接続部によって連結することによって形成されており、 前記画素電極が設けられた基板に対向する基板上に遮光膜が設けられ、前記遮光膜は、前記複数のサブピクセルのそれぞれにおける前記接続部を除いた外周領域の全域に対応して、前記隣接する前記複数のサブピクセル間の領域の平面形状と一致する形状とされていることを特徴とする。

この第５の液晶装置では、複数のサブピクセルのそれぞれにおける前記接続部を除いた
外周領域の全域に対応して遮光膜を設けている。この第５の液晶装置によれば、サブピク
セルの周辺全体からの光漏れを防止できる。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶装置を有することを特徴と
する。この電子機器としては、例えば、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡその他の各
種の電子機器が考えられる。本発明に係る液晶装置によれば、垂直配向モードの液晶装置
を構成する基板上に形成する遮光膜に工夫を加えることにより、高コントラストの表示が
得られた。従って、その液晶装置を用いた本発明の電子機器においても、高コントラスト
の表示を得ることができる。

（液晶装置の第１実施形態）
以下、本発明に係る液晶装置を実施形態に基づいて説明する。第１実施形態は、スイッ
チング素子としてアモルファスシリコンＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジス
タ）素子を用いた透過型のアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するもの
である。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これ
以降、図面を用いて説明を行うが、その図面では特徴的な部分を分かり易く示すために、
実際の構成とは異なった比率で各部材要素を示すことがある。

図１は本発明に係る液晶装置の一実施形態の電気的な等価回路図である。図２（ａ）は
カラーフィルタ基板上の１つの画素内の構成を示す平面図である。図２（ｂ）は素子基板
上の１つの画素内の構成を示す平面図である。図３は図２（ａ）、（ｂ）のＺｃ−Ｚｃ線
に従って列方向Ｙに沿った断面構造を示す断面図である。図４は図２（ａ）、（ｂ）のＺ
ｄ−Ｚｄ線に従って行方向Ｘに沿った断面構造を示す断面図である。

図１において、液晶装置１Ａは、走査信号を伝送する複数の走査線２と、画像信号を伝
送する複数のデータ線３とを有する。これらの配線は、１つの基板である素子基板上に平
面視で互いに直交して行列状に設けられている。両線は絶縁膜によって互いに絶縁されて
いる。本実施形態では、走査線２が延びる方向を行方向Ｘとし、データ線３が延びる方向
を列方向Ｙとする。走査線２とデータ線３の交差部の近傍にスイッチング素子としてのＴ
ＦＴ素子４が設けられている。ＴＦＴ素子４は、ゲート４ｇ、ソース４ｓ、ドレイン４ｄ
を有する３端子型のスイッチング素子である。

走査線２はＴＦＴ素子４のゲート４ｇに接続されている。複数の走査線２に対して走査
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。データ
線３はＴＦＴ素子４のソース４ｓに接続されている。データ線３に書き込む画像信号Ｄ１
、Ｄ２、…、Ｄｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ
線３に対してグループごとに供給される。

ＴＦＴ素子４のドレイン４ｄに画素電極５が接続されている。画素電極５とこれに対向
する共通電極（図示せず）との間に液晶容量が形成される。ＴＦＴ素子４を一定期間オン
することにより、データ線３から供給される画像信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｍを所定のタイ
ミングで画素電極５を介して液晶へ書き込む。書き込まれた画像信号は液晶内に一定期間
保持される。画像信号の書き込みにより液晶に印加される電圧が変化し、この電圧変化に
応じて液晶内部の液晶分子の配向が変化する。液晶を通過する光は液晶分子の配向変化に
よって変調され、この変調に基づいて諧調表示が行われる。走査線２と平行に容量線６が
延びている。この容量線６によって形成される蓄積容量Ｃ０が上記の液晶容量と並列に設
けられている。蓄積容量Ｃ０は、液晶内に保持された画像信号がリークすることを防止す
る。

次に、本実施形態に係る液晶装置の概略の構成を図３及び図４に示す断面図を用いて説
明する。本実施形態の液晶装置１Ａは、素子基板１１及びカラーフィルタ基板１２を有す
る。素子基板１１とカラーフィルタ基板１２は所定の間隙であるセルギャップを介して貼
り合わされている。そのセルギャップ内に液晶が封入されて液晶層１３が設けられている
。液晶層１３は、負の誘電異方性を有するネマチック液晶が用いられている。誘電異方性
が負である液晶はオン電圧が印加された状態で、液晶分子の長軸方向が電界と交差する方
向へ配向変化する特性を持っている。

本実施形態では、オフ電圧印加状態の初期配向状態において液晶分子の長軸が基板間に
略垂直に配向する。そして、オン電圧印加状態で液晶分子の長軸が電界と交差する方向で
ある基板平行方向へ配向が変化する。本実施形態ではカラーフィルタ基板１２が観察側に
配置され、素子基板１１が観察側と反対側に配置される。素子基板１１の外側に照明装置
（図示せず）が設けられてバックライトとして機能する。この照明装置の出射光を用いて
透過型の表示が行われる。

素子基板１１は、石英ガラス、プラスチック等といった透光性材料から成る基板１４を
有する。基板１４の外面上に第１位相差フィルム１５ａ及び第１偏光板１６ａが設けられ
ている。第１位相差フィルム１５ａは必要に応じて複数枚設けられる。透過型表示を行う
本実施形態では、円偏光を作るためのλ／４板、位相差を補償するための位相差補償板等
が第１位相差フィルム１５ａとして設けられる。

透光性基板１４の内面上にゲート線１８、ソース線１９、ＴＦＴ素子４が設けられてい
る。ゲート線１８は図２（ｂ）に示すように複数本設けられている。複数のゲート線１８
はそれぞれが行方向Ｘに延在し、列方向Ｙに間隔をおいて平行に設けられている。ソース
線１９も複数本設けられている。複数のソース線１９はそれぞれが列方向Ｙに延在し、行
方向Ｘに間隔をおいて平行に設けられている。ＴＦＴ素子４はゲート線１８とソース線１
９との交差部の近傍に設けられている。ゲート線１８は図１の走査線２として機能する。
ソース線１９はデータ線３として機能する。ゲート線１８とソース線１９との間には図３
のゲート絶縁膜２０が設けられている。ＴＦＴ素子４はパシベーション膜２１によって覆
われ、その上に樹脂膜２２が形成されている。そして、樹脂膜２２上にＩＴＯ（Indium T
in Oxide：インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化
物）から成る画素電極５が設けられ、その上に垂直配向膜２４ａが設けられている。画素
電極５は垂直配向モードを実現するための特別な平面構造に形成されているが、その平面
構造については後述する。

ゲート絶縁膜２０、パシベーション膜２１、樹脂膜２２は、絶縁性の合成樹脂や絶縁性
の有機材料によって形成されている。なお、図３及び図４では、図１における容量線６の
図示を省略している。容量線６は、ゲート絶縁膜２０、パシベーション膜２１、樹脂膜２
２等を介在させて画素電極５に対向する適所に配置される。

カラーフィルタ基板１２は、石英ガラス、プラスチック等といった透光性材料から成る
基板２８を有する。基板２８の外面上に第２位相差フィルム１５ｂ及び第２偏光板１６ｂ
が設けられている。第２位相差フィルム１５ｂも、第１位相差フィルム１５ａと同様に、
λ／４板、位相差補償板等を含んで構成されている。

透光性基板２８の内面上にカラーフィルタを構成する着色膜２９が設けられている。符
号２９に添えられたＲ，Ｇ，Ｂの文字は、それぞれ、着色膜２９が赤色、緑色、青色の各
色であることを示している。本実施形態ではストライプ配列が用いられており、図３の列
方向Ｙに同色の着色膜２９（図では青色）が並び、図４の行方向ＸにＲ，Ｇ，Ｂの着色膜
２９が順番に並べられている。各着色膜２９の間に遮光膜３０が設けられている。この遮
光膜３０は図２（ａ）に示すように各着色膜２９の周囲を囲む格子状に形成されている。
遮光膜３０は、遮光性の感光性樹脂材料によって形成しても良いし、遮光性の金属材料に
よって形成しても良いし、樹脂膜である異なる色の着色膜２９を重ねて形成しても良い。
本実施形態では異なる色の着色膜２９を重ねることによって遮光膜３０を形成するものと
する。着色膜２９と遮光膜３０の上には必要に応じて平坦化膜が設けられる。なお、遮光
膜３０の詳細については後述する。

着色膜２９及び遮光膜３０の上に、画素電極５に対向する対向電極である共通電極３１
が設けられている。共通電極３１もＩＴＯ、ＩＺＯ等によって形成されている。共通電極
３１は全てのサブ画素に共通する面状電極、いわゆるベタ電極として形成されている。共
通電極３１の面上に配向制御手段としての誘電体から成る複数の突起３２が設けられてい
る。そして、それらの突起３２を覆って垂直配向膜２４ｂが共通電極３１の上に設けられ
ている。

液晶層１３の内部の液晶分子は、垂直配向膜２４ａ及び２４ｂの作用により、初期状態
（オフ電圧印加状態）において基板面に垂直方向（図３及び図４の上下方向）に配列して
いる。液晶分子は、突起３２の近傍領域ではその突起３２の表面に垂直となる状態で斜め
に配向している。この配向制御により、液晶層１３にオン電圧が印加されたときの液晶分
子の倒れる方向が所定方向に規制され、液晶分子の安定した配向制御が行われる。

次に、図２（ａ）及び図２（ｂ）を用いて画素内の平面構成について説明する。なお、
図２（ａ）は、図３及び図４の観察側（図の上方側）からカラーフィルタ基板１２上の１
つの画素を見た場合の平面構成を示している。図２（ｂ）は、図３及び図４の観察側（図
の上方側）から素子基板１１を見た場合の平面構成を示している。つまり、図２（ａ）の
カラーフィルタ基板１２と図２（ｂ）の素子基板１１は、そのいずれをも反転させること
なく、図示の状態のままで平行移動させた状態で互いに重ね合わされ、それらの間に液晶
が封入される。なお、図２（ａ）では、第２位相差フィルム１５ｂ及び第２偏光板１６ｂ
の図示を省略し、透光性基板２８は鎖線の仮想線で示している。図２（ｂ）では、垂直配
向膜２４ａの図示を省略している。

図２（ｂ）に示す素子基板１１上において、走査線であるゲート線１８とデータ線であ
るソース線１９とによって囲まれる長方形状の領域が１つのサブ画素Ｐである。サブ画素
Ｐは平面内で隣接して複数設けられており、それらが行方向Ｘ及び列方向Ｙに行列状、い
わゆるマトリクス状に設けられている。そして、それらのサブ画素Ｐの集まりによって画
像表示領域が構成されている。個々のサブ画素Ｐは図２（ａ）のカラーフィルタ基板１２
上の着色膜２９Ｒ，２９Ｇ，２９Ｂのそれぞれ１色ずつに平面的な位置で対応している。
そして、行方向Ｘに並ぶＲ，Ｇ，Ｂの３つのサブ画素Ｐによって１つの画素が形成されて
いる。着色膜２９の色の数が３色以上、例えば４色であれば、それら４色に対応した４つ
のサブ画素Ｐによって１つの画素が構成される。

ゲート線１８とソース線１９との交差部の近傍にＴＦＴ素子４が形成されている。また
、ゲート線１８とソース線１９とによって囲まれるサブ画素Ｐ内に画素電極５が形成され
ている。画素電極５は行方向Ｘ及び列方向Ｙに行列状に設けられている。個々の画素電極
５は複数、本実施形態では３個のドット状（すなわち島状）のサブピクセル５ａ，５ｂ，
５ｃによって構成されている。各サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃは細い幅の接続部３５に
よって電気的に接続されている。こうして列方向Ｙに長い画素電極５が形成されている。
個々のサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃが設けられた領域はサブドットと呼ばれることがあ
る。接続部３５が存在する所の左右両側は画素電極５が切り欠かれた形状になっている。
この切欠部は、垂直配向モードにおいて液晶分子の配向を制御するための斜め電界を形成
するスリットとして作用する。

各サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃは略正方形状であり４つの対角部が円弧形状に丸くな
っている。つまり、各サブピクセルは角部と辺部とを連ねて成る形状となっている。これ
に限られず、サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃは、図５（ａ）に示す角部が鋭角的である四
角形状や、図５（ｂ）に示す八角形状とすることもできる。また、サブピクセル５ａ，５
ｂ，５ｃは、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すような円形状とすることもできる。また
、本実施形態では１つのサブ画素Ｐ内に一列に並んだサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃを設
けたが、１つのサブ画素Ｐ内に２列以上のサブピクセルを設けることもできる。

図２（ｂ）において、ＴＦＴ素子４は部分図（ｃ）に示すように、アモルファスシリコ
ンから成る半導体層にソース領域４ｓ及びドレイン領域４ｄを有しており、その中間がチ
ャネル領域となっている。ソース領域４ｓにはソース線１９（データ線３）が電気的に接
続され、ドレイン領域４ｄには画素電極５が電気的に接続されている。ゲート線１８（走
査線２）は半導体層のチャネル領域に対向する部分を有し、この部分がゲート電極４ｇと
して作用する。ドレイン領域４ｄと画素電極５の電気的な接続は、ドレイン電極領域４ｄ
から延びる配線部３６とＴＦＴ素子４側に在る端部サブピクセル５ａとをコンタクトホー
ル３７を介して導電接続することによって行われている。コンタクトホール３７は端部サ
ブピクセル５ａの略中央に設けられている。

図３において共通電極３１上に設けられた配向制御手段としての突起３２は、図２（ａ
）及び図２（ｂ）から理解されるように、基板法線方向から見た平面視でサブピクセル５
ａ，５ｂ，５ｃの略中央部に対応して配置されている。この構成により、液晶にオン電圧
が印加されると、液晶分子はサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの中心部から各辺に向けて傾
いて倒れることになる。突起３２は、基板法線方向からの平面視で円形状であり、基板平
行方向の横方向から見て外側へ膨らむ山形状又は半球状である。この山形状又は半球状の
突起３２によれば、該突起３２を中心として放射状に広がる液晶分子の配向を得ることが
でき、配向方向が平面視で突起３２を中心とする３６０°の角度範囲で連続的に変化する
状態の配向、いわゆるマルチドメインを安定して形成できる。

突起３２の形状は、液晶分子の配向を一定方向に規制できる形状でありさえすれば、任
意の形状を選定できる。例えば、横方向から見て膨らみの無い直線的な山形状であっても
良い。また、平面形状は本実施形態における円形状に限られず、図６（ａ）に示す正方形
状又は長方形状等といった矩形状や、図６（ｂ）に示す十字形状や、図６（ｃ）に示す「
Ｘ」形状や、その他の多角形状等とすることができる。また、配向制御手段は突起形状に
限られず、共通電極３１内に設けられる開口、すなわちスリットとすることもできる。ス
リットの場合も、その平面形状は、円形状、矩形状、十字形状、「Ｘ」形状等とすること
ができる。

次に、突起３２又はスリットを用いて行われる、負の誘電異方性を持った液晶に対して
の配向制御について、図７（ａ）及び図７（ｂ）を用いて簡単に説明する。図７（ａ）は
突起３２を用いた配向制御の様子を模式的に示しており、特に、液晶層にオン電圧が印加
されて電界が生じた状態における液晶分子１３ａの配向状態を示している。負の誘電異方
性を有する液晶層の液晶分子１３ａは、オフ電圧印加時の初期配向状態においては、当該
液晶分子１３ａの長軸が基板に略垂直な方向を向く状態に配向されている。そしてこのと
き、突起３２の表面は傾斜面となっているので、液晶分子１３ａにはプレチルトが付与さ
れている。つまり、突起３２が山形状又は半球状である場合、その突起３２の表面は中心
部から外方へ向けて傾斜しているので、液晶分子１３ａは突起３２の中心部から外側へ向
けて放射状に徐々に傾いて倒れる配向状態となっている。画素電極５と共通電極３１との
間にオン電圧が印加されて基板間に電界が生じると、液晶分子１３ａはその長軸が電界方
向に対して交差する方向を向くように倒れようとする。このときの傾倒方向は、液晶分子
１３ａに予め付与されたプレチルトによって決められる方向であり、液晶分子１３ａは常
に一定方向へ安定して傾倒することができる。

図７（ｂ）はスリット３３を用いた配向制御の様子を模式的に示しており、特に、液晶
層にオン電圧が印加されて電界が生じた状態における液晶分子１３ａの配向状態を示して
いる。負の誘電異方性を有する液晶層の液晶分子１３ａは、オフ電圧印加時の初期配向状
態においては、当該液晶分子１３ａの長軸が基板に略垂直な方向を向く状態に配向されて
いる。画素電極５と共通電極３１との間にオン電圧が印加されて基板間に電界が生じると
、液晶分子１３ａはその長軸が電界方向に対して交差する方向を向くように倒れようとす
る。スリット３３の所に生じる電界は、スリット３３を跨いだ方向の横方向の成分を含ん
でいる。そのため、印加された電圧による電界強度に応じて、スリット３３の中心部から
外側へ向けて液晶分子１３ａが徐々に傾倒する配向状態となる。

次に、本実施形態における遮光膜の配置状態について説明する。
図２（ａ）に示すように、遮光膜３０はカラーフィルタ基板１２上に設けられている。
遮光膜３０は、対向基板である素子基板１１上に設けられた画素電極５の長手方向（サブ
画素Ｐの長手方向、列方向Ｙ）に沿って延びる部分と、画素電極５の短手方向（サブ画素
Ｐの短手方向、行方向Ｘ）に沿って延びる部分とが交差する、いわゆる格子状に形成され
ている。この遮光膜３０は、遮光性の感光性樹脂材料をフォトリソグラフィ処理によって
パターニングしても良いし、カラーフィルタを構成する着色膜２９Ｒ，２９Ｇ，２９Ｂの
２色又は３色を重ね合わせて形成しても良いし、遮光性の金属材料をフォトエッチング処
理によってパターニングしても良い。遮光性の金属材料としては、例えばＴａ（タンタル
）、Ｔａ合金、Ｃｒ（クロム）、Ｃｒ合金等を用いることができる。本実施形態では、異
なる色の着色膜を重ね合わせて遮光膜３０を形成するものとする。

図２（ａ）において、遮光膜３０は、行方向Ｘに沿って隣接するサブ画素Ｐ間に設けら
れて列方向Ｙに延びる部分３０ａと、列方向Ｙに沿って隣接するサブ画素Ｐ間に設けられ
て行方向Ｘに延びる部分３０ｂと、個々のサブ画素Ｐの内部で３つのサブピクセル５ａ〜
５ｃの互いに隣接するもの同士の間に設けられていて行方向Ｘに延びる部分３０ｃの、３
つの部分によって構成されている。サブ画素Ｐの間に遮光膜３０ａ及び３０ｂを設けるこ
とは従来から行われている。サブピクセル５ａ〜５ｃの間の領域に対応して遮光膜３０ｃ
を設けることは従来は行われていなかった。

垂直配向モードの液晶装置では、図２（ｂ）の各サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間の
領域に斜め電界が形成され、この斜め電界が液晶分子の傾倒方向を規定する。この斜め電
界が生じる領域では光漏れが生じ易く、この領域に対応して遮光膜を設けていなかった従
来の装置は、その光漏れに起因してコントラストが低下し、画像表示品質が低下する傾向
にあった。これに対し、本実施形態のように、サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間の領域
に対応してカラーフィルタ基板１２上に遮光膜３０ｃを設ければ、サブピクセル間からの
光漏れを防止でき、コントラストの低下を防止でき、高い表示品質が得られることになっ
た。

図２（ａ）に示す本実施形態では、サブ画素Ｐ間の領域に対応した遮光膜３０ａ及び３
０ｂをサブ画素Ｐ間の領域の平面形状に一致した形状に形成した。また、サブピクセル５
ａ〜５ｃ間の領域に対応した遮光膜３０ｃを、サブピクセル５ａ〜５ｃ間の領域の平面形
状に一致した形状に形成した。そして、素子基板１１とカラーフィルタ基板１２を貼り合
わせる際には、遮光膜３０ａ，３０ｂ，３０ｃの端辺とサブピクセル５ａ〜５ｃの端辺と
が基板法線方向からの平面視で一致するように両基板１１，１２を貼り合せた。これによ
り、開口率を高く維持しつつ、しかもサブピクセル５ａ〜５ｃ間の光漏れを防止できた。

本実施形態では、互いに隣接する複数のサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間の遮光膜３
０は、少なくとも島状のサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの端辺の形状に沿って設けられた
部分を有しており、各島状のサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの外周の少なくとも一部を取
り囲んで設けられている。また、本実施形態では、遮光膜３０は互いに隣接するサブピク
セル５ａ，５ｂ，５ｃ間の領域の平面形状と一致する形状に設けられている。これらの構
成により、サブピクセル間の光漏れを正確に防止できる。

（変形例）
上記実施形態では、サブ画素Ｐ間の領域に対応した遮光膜３０ａ及び３０ｂの幅を、サ
ブ画素Ｐ間の間隔の平面形状の幅と一致させた。これに代えて、サブ画素Ｐ間の領域に対
応した遮光膜３０ａ及び３０ｂの幅を、サブ画素Ｐ間の間隔の平面形状の幅よりも狭くす
ることができる。この場合には、遮光膜３０ａ，３０ｂの端辺とサブ画素Ｐの端辺との間
に隙間が形成されることになる。また、上記の実施形態では、個々のサブ画素Ｐ内におけ
るサブピクセル５ａ〜５ｃ間の領域に対応した遮光膜３０ｃの幅を、サブピクセル５ａ〜
５ｃ間の間隔の平面形状の幅と一致させた。これに代えて、サブピクセル５ａ〜５ｃ間の
領域に対応した遮光膜３０ｃの幅を、サブピクセル５ａ〜５ｃ間の間隔の平面形状の幅よ
りも狭くすることができる。この場合には、遮光膜３０ｃの端辺とサブピクセル５ａ〜５
ｃの端辺との間に隙間が形成されることになる。

上記のように遮光膜３０ａ，３０ｂ，３０ｃとサブピクセル５ａ〜５ｃとの間に隙間を
設けた場合には、素子基板１１とカラーフィルタ基板１２とを貼り合せたときにそれらの
基板間で位置ズレ（いわゆる組ズレ）が生じても、遮光膜とサブピクセルとが平面視で重
なることを防止でき、開口率が低下することを防止できる。

さらに、上記とは逆に、サブ画素Ｐ間の領域に対応した遮光膜３０ａ及び３０ｂの幅は
、サブ画素Ｐ間の間隔よりも広くすることができる。この場合には、遮光膜３０ａ，３０
ｂの端辺部とサブ画素Ｐの端辺部とが平面視で重なることになる。また、個々のサブ画素
Ｐ内におけるサブピクセル５ａ〜５ｃ間の領域に対応した遮光膜３０ｃの幅を、サブピク
セル５ａ〜５ｃ間の間隔よりも広くすることができる。この場合には、遮光膜３０ｃの端
辺部とサブピクセル５ａ〜５ｃの端辺部とが平面視で重なることになる。

上記のように遮光膜３０ａ，３０ｂ，３０ｃの端辺部の一部とサブピクセル５ａ〜５ｃ
の端辺部の一部とを重ね合わせることにした場合には、サブ画素Ｐ同士の間及びサブピク
セル５ａ〜５ｃ同士の間からの光漏れを確実に防止でき、コントラストの低下を確実に防
止できる。

図２（ａ）に示した実施形態では、遮光膜３０をカラーフィルタ基板１２上に設けた。
これに代えて、遮光膜３０を素子基板１１上に設けても良い。素子基板１１上には画素電
極５が設けられるので、遮光膜３０を素子基板１１上に設けることにすれば、遮光膜３０
を常に画素電極５に対する一定の位置に配置することができる。つまり、素子基板１１と
カラーフィルタ基板１２との組ズレによる遮光膜３０と画素電極５との位置ズレを防止で
き、開口率の低下を防止できる。
さらに、遮光膜３０の一部分を素子基板１１上に設け、残りの一部分をカラーフィルタ
基板１２上に設け、素子基板１１とカラーフィルタ基板１２を貼り合わせた状態でそれら
の遮光膜部分が図２（ａ）のようにつながる構成とすることもできる。

図２（ａ）に示した実施形態では、サブピクセル５ａ〜５ｃの外周領域の全域に対して
遮光膜３０を設けた。この構成に代えて、図８に示すように、複数のサブピクセル５ａ〜
５ｃのそれぞれにおける接続部３５を除いた外周領域の全域に対応して、素子基板１１及
びカラーフィルタ基板１２の少なくともいずれか一方に遮光膜３０を設けることができる
。換言すれば、複数の島状のサブピクセル５ａ〜５ｃの間の領域であって、島状のサブピ
クセル５ａ〜５ｃが連結された所定方向に延在する遮光部と、該遮光部と交差して当該遮
光部から接続部３５に向けて突出して延びる遮光部とを有する遮光膜３０を、一対の基板
の少なくともいずれか一方に設け、該遮光膜３０は接続部３５に対応する領域には設けら
れていない構成とすることができる。

また、図９に示すように、複数のサブピクセル５ａ〜５ｃの互いに隣接するもの同士の
間の領域であって接続部３５以外の領域と接続部３５がある領域との両方に対応して、素
子基板１１及びカラーフィルタ基板１２の少なくともいずれか一方に遮光膜３０を設け、
当該サブピクセル５ａ〜５ｃの辺部及び角部の外側領域に対応する領域には遮光膜を設け
ない構成とすることができる。すなわち、接続部３５を有する島状のサブピクセル５ａ〜
５ｃの間の領域に対応して一対の基板の少なくともいずれか一方に遮光膜３０が設けられ
ており、接続部３５を有さない島状のサブピクセルの間に対応する領域には遮光膜３０は
設けられない構成とすることができる。

また、図１０に示すように、複数のサブピクセル５ａ〜５ｃの互いに隣接するもの同士
の間の領域であって接続部３５以外の領域と、当該サブピクセル５ａ〜５ｃの角部の外側
領域とに対応して、素子基板１１及びカラーフィルタ基板１２の少なくともいずれか一方
に遮光膜３０を設け、当該サブピクセル５ａ〜５ｃの辺部の中央部分の外側領域に対応す
る領域には遮光膜３０は設けない構成とすることができる。すなわち、遮光膜３０を島状
のサブピクセル５ａ〜５ｃを構成する各辺の一部には設けず、互いに隣接する４つのサブ
ピクセル間の領域で十字形状に形成することができる。

さらに、図１１に示すように、複数のサブピクセル５ａ〜５ｃの互いに隣接するもの同
士の間の領域であって接続部３５以外の領域及び接続部３５がある領域と、当該サブピク
セル５ａ〜５ｃの辺部の中央部分の外側領域とに対応して、素子基板１１及びカラーフィ
ルタ基板１２の少なくともいずれか一方に遮光膜３０を設け、当該サブピクセル５ａ〜５
ｃの角部の外側領域に対応する領域には遮光膜３０は設けられない構成とすることができ
る。

（液晶装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置の第２実施形態を図１２、図１３、図１４に基づいて説明
する。第２実施形態は、スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオ
ード）を用いた透過型のアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するもので
ある。

図１２（ａ）は素子基板上の１つの画素内の構成を示す平面図である。図１２（ｂ）は
カラーフィルタ基板上の１つの画素内の構成を示す平面図である。図１２（ａ）及び図１
２（ｂ）はいずれも観察側からそれらの基板を平面的に見た状態を示しており、図１２（
ａ）は液晶層の反対側から素子基板を見た平面図であり、図１２（ｂ）は液晶層側からカ
ラーフィルタ基板を見た平面図である。図１３は、図１２（ａ）、（ｂ）のＺｍ−Ｚｍ線
に従って列方向Ｙに沿った断面構造を示す断面図である。図１４は、図１２（ａ）、（ｂ
）のＺｎ−Ｚｎ線に従って行方向Ｘに沿った断面構造を示す断面図である。

まず、本実施形態に係る液晶装置の概略の構成を図１３及び図１４に示す断面図を用い
て説明する。本実施形態の液晶装置１Ｂは、素子基板５１及びカラーフィルタ基板５２を
有する。素子基板５１とカラーフィルタ基板５２は所定の間隙であるセルギャップを介し
て貼り合わされている。そのセルギャップ内に液晶が封入されて液晶層１３が設けられて
いる。液晶層１３は、負の誘電異方性を有するネマチック液晶によって形成されている。
本実施形態では素子基板５１が観察側に配置され、カラーフィルタ基板５２が観察側と反
対側に配置される。カラーフィルタ基板５２の外側に照明装置（図示せず）が設けられて
バックライトとして機能する。この照明装置の出射光を用いて透過型の表示が行われる。

素子基板５１は、石英ガラス、プラスチック等といった透光性材料から成る基板５４を
有する。基板５４の外面上に第２位相差フィルム５５ｂ及び第２偏光板５６ｂが設けられ
ている。第２位相差フィルム５５ｂは必要に応じて複数枚設けられる。透過型表示を行う
本実施形態では、円偏光を作るためのλ／４板、位相差を補償するための位相差補償板等
が第２位相差フィルム５５ｂとして設けられる。

透光性基板５４の内面上にデータ線５７、素子側遮光膜６０、ＴＦＤ素子４４がそれぞ
れ複数、設けられている。データ線５７は図１２（ａ）に示すように列方向Ｙに延在し、
行方向Ｘに間隔をおいて平行に設けられている。データ線５７は、例えばデータ信号を伝
送する。素子側遮光膜６０は図１２（ａ）に示すように、データ線５７の間に行方向Ｘに
細長いドット状（島状）に形成されている。素子側遮光膜６０の左右両端はデータ線５７
から離間して設けられている。図１３及び図１４において、データ線５７、素子側遮光膜
６０、ＴＦＤ素子４４の上に絶縁性の合成樹脂や絶縁性の有機材料によって樹脂膜６２が
形成されている。そして、樹脂膜６２上にＩＴＯ、ＩＺＯ等から成る画素電極５が設けら
れ、その上に垂直配向膜６４ｂが設けられている。画素電極５は垂直配向モードを実現す
るための特別な平面構造に形成されている。

カラーフィルタ基板５２は、石英ガラス、プラスチック等といった透光性材料から成る
基板６８を有する。基板６８の外面上に第１位相差フィルム５５ａ及び第１偏光板５６ａ
が設けられている。第１位相差フィルム５５ａも、第２位相差フィルム５５ｂと同様に、
λ／４板、位相差補償板等を含んで構成されている。

透光性基板６８の内面上にカラーフィルタを構成する着色膜６９が設けられている。符
号６９に添えられたＲ，Ｇ，Ｂの文字は、それぞれ、着色膜６９が赤色、緑色、青色の各
色であることを示している。本実施形態ではストライプ配列が用いられており、図１３の
列方向Ｙに同色の着色膜２９（図では青色）が並び、図１４の行方向ＸにＲ，Ｇ，Ｂの着
色膜６９が順番に並べられている。各着色膜６９の間にカラーフィルタ側遮光膜７０が設
けられている。カラーフィルタ側遮光膜７０は図１２（ｂ）に示すように各着色膜６９の
周囲を囲む格子状に形成されている。遮光膜７０は、遮光性の樹脂によって形成しても良
いし、遮光性の金属材料によって形成しても良いし、樹脂膜である異なる色の着色膜６９
を重ねて形成しても良い。本実施形態では異なる色の着色膜６９を重ねることによってカ
ラーフィルタ側遮光膜７０を形成するものとする。着色膜６９及び遮光膜７０の上には必
要に応じて平坦化膜が設けられる。なお、遮光膜７０の詳細については後述する。

着色膜６９及び遮光膜７０の上に、画素電極５に対向する対向電極である複数の帯状の
共通電極７１が設けられている。共通電極７１は、例えば走査信号を伝送するための走査
線として機能する。共通電極７１もＩＴＯ、ＩＺＯ等によって形成されている。複数の帯
状の共通電極７１は、それぞれが行方向Ｘに延び、互いに列方向Ｙに間隔をおいて平行に
配置されている。共通電極７１の面上に配向制御手段としての誘電体から成る複数の突起
３２が設けられている。そして、それらの突起３２を覆って垂直配向膜６４ａが共通電極
７１の上に設けられている。

液晶層１３の内部の液晶分子は、垂直配向膜６４ａ及び６４ｂの作用により、初期状態
（オフ電圧印加状態）において基板面に垂直方向（図１３及び図１４の上下方向）に配列
している。液晶分子は、突起３２の近傍領域ではその突起３２の表面に垂直となる状態で
斜めに配向している。この初期配向状態により、液晶層１３にオン電圧が印加されたとき
の液晶分子の倒れる方向が所定方向に規制され、液晶分子の安定した配向制御が行われる
。

次に、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）を用いて画素内の平面構成について説明する。な
お、図１２（ａ）は、図１３及び図１４の観察側（図の上方側）から素子基板５１上の１
つの画素を見た場合の平面構成を示している。図１２（ｂ）は、図１３及び図１４の観察
側（図の上方側）からカラーフィルタ基板５２を見た場合の平面構成を示している。つま
り、図１２（ａ）の素子基板５１と図１２（ｂ）のカラーフィルタ基板５２は、そのいず
れをも反転させることなく、図示の状態のままで平行移動させた状態で重ね合わされ、そ
れらの間に液晶が封入される。なお、図１２（ａ）では、第２位相差フィルム５５ｂ及び
第２偏光板５６ｂの図示を省略し、透光性基板５４は鎖線の仮想線で示している。図１２
（ｂ）では、垂直配向膜６４ａの図示を省略している。

素子基板５１上に形成された複数の画素電極５は行方向Ｘ及び列方向Ｙに行列状、いわ
ゆるマトリクス状に設けられている。一方、カラーフィルタ基板５２上に形成された複数
の帯状、いわゆるストライプ状の共通電極７１は、素子基板５１とカラーフィルタ基板５
２とを貼り合わせた状態で画素電極５と平面視で重なり合っている。画素電極５と共通電
極７１とが重なり合っている平面領域を含む長方形状の領域がサブ画素Ｐである。このサ
ブ画素Ｐが明表示（白表示）と暗表示（黒表示）との切換えの単位となる領域である。

サブ画素Ｐは平面内に複数、配列されている。複数のサブ画素Ｐは行方向Ｘ及び列方向
Ｙに行列状、いわゆるマトリクス状に設けられている。そして、それらのサブ画素Ｐの集
まりによって画像表示領域が構成されている。個々のサブ画素Ｐは図１２（ｂ）のカラー
フィルタ基板５２上の着色膜６９Ｒ，６９Ｇ，６９Ｂのそれぞれ１色ずつに平面的な位置
で対応している。そして、行方向Ｘに並ぶＲ，Ｇ，Ｂの３つのサブ画素Ｐによって１つの
画素が形成されている。着色膜６９の色の数が３色以上、例えば４色であれば、それら４
色に対応した４つのサブ画素Ｐによって１つの画素が構成される。

画素電極５は行方向Ｘ及び列方向Ｙに行列状に設けられている。個々の画素電極５は複
数、本実施形態では３個のドット状（すなわち島状）のサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃに
よって構成されている。各サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃは略中央部分で細い幅の接続部
３５によって電気的に接続されている。こうして列方向Ｙに長い画素電極５が形成されて
いる。個々のサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃが設けられた領域はサブドットと呼ばれるこ
とがある。接続部３５が存在する所の両側は画素電極５が切り欠かれた形状になっている
。この切欠部は、垂直配向モードにおいて液晶分子の配向を制御するための斜め電界を形
成するスリットとして作用する。各サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃは略正方形状であり４
つの対角部が円弧形状に丸くなっている。

図１２（ａ）において、素子基板５１上のサブ画素Ｐの隅部にＴＦＤ素子４４が形成さ
れている。ＴＦＤ素子４４は部分図（ｃ）に示すように、２つのＴＦＤ要素４４ａ及び４
４ｂを電気的に逆極性で直列につないで成る、いわゆるバック・ツー・バック構造として
構成されている。各ＴＦＤ要素４４ａ，４４ｂは基板５４から見て、Ｔａ又はＴａ合金か
ら成る第１電極と、第１電極上に形成された陽極酸化膜（すなわちＴａ酸化物）と、陽極
酸化膜上に形成されたＣｒ又はＣｒ合金から成る第２電極との積層電極構造として形成さ
れている。このＴＦＤ素子４４は、第１電極と第２電極との間に所定以上の電圧が印加さ
れたときにオン状態となる。第１ＴＦＤ要素４４ａの第１電極はデータ線５７に接続され
る。第２ＴＦＤ要素４４ｂの第２電極は当該第２電極から延びる配線部７６及びコンタク
トホール７７を介して端部サブピクセル５ａに導電接続されている。コンタクトホール７
７は端部サブピクセル５ａの略中央に設けられている。

図１３において共通電極７１上に設けられた配向制御手段としての突起３２は、図１２
（ａ）及び図１２（ｂ）から理解されるように、基板法線方向から見た平面視でサブピク
セル５ａ，５ｂ，５ｃの略中央部に対応して配置されている。この構成により、液晶にオ
ン電圧が印加されると、液晶分子はサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの中心部から各辺に向
けて傾いて倒れることになる。突起３２は、基板法線方向からの平面視で円形状であり、
基板平行方向の横方向から見て外側へ膨らむ山形状又は半球状である。この山形状又は半
球状の突起３２によれば、該突起３２を中心として放射状に広がる液晶分子の配向を得る
ことができ、配向方向が突起３２を中心とする３６０°の角度範囲で連続的に変化する状
態の配向、いわゆるマルチドメインを安定して形成できる。なお、突起３２の形状は、液
晶分子の配向を一定方向に規制できる形状でありさえすれば、任意の形状を選定できる。

次に、本実施形態における遮光膜の配置状態について説明する。図１２（ａ）及び図１
２（ｂ）に示すように、遮光膜６０及び遮光膜７０は素子基板５１上とカラーフィルタ基
板５２上とに分けて設けられている。素子基板５１上に形成された素子側遮光膜６０は、
個々の画素電極５のサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間の領域に設けられている。素子側
遮光膜６０の個々は、互いに隣接するデータ線５７の間で細長いドット状（島状）に形成
されている。複数の素子側遮光膜６０はデータ線５７を挟んで行方向Ｘに直線的に１列に
配列されている。素子側遮光膜６０は、画素電極５の短手方向（サブ画素Ｐの短手方向、
行方向Ｘ）に沿って延びている。

素子側遮光膜６０は、サブピクセル５ａとサブピクセル５ｂとの間の領域であって接続
部３５を覆う領域及び接続部３５以外の領域、並びにサブピクセル５ｂとサブピクセル５
ｃとの間の領域であって接続部３５を覆う領域及び接続部３５以外の領域に設けられてい
る。また、素子側遮光膜６０は、隣接するサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃ間の領域の平面
形状と一致する形状にフォトリソグラフィ法に基づいたパターニング処理によって形成さ
れている。つまり、遮光膜６０はサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間隔領域を隙間無く埋
める状態に形成されている。素子側遮光膜６０は画素電極５と同じ基板上に形成されるの
で、遮光膜６０は画素電極５に対して正確な位置に設けることができる。

素子側遮光膜６０は、ＴＦＤ素子４４の第１電極と陽極酸化膜との積層構造と同じ構造
、例えば、Ｔａの上にＴａ酸化物が積層された構造によって形成されている。素子側遮光
膜６０はＴＦＤ素子４４とは無関係に専用の材料によって形成することもできるが、上記
のようにＴＦＤ素子４４をＴＦＤ素子４４の構成材料と同じ材料によって形成すれば、材
料及び製造工程を共通化できて有利である。なお、素子側遮光膜６０は、Ｔａ単層、Ｃｒ
単層等とすることもできる。

カラーフィルタ基板５２上に設けられたカラーフィルタ側遮光膜７０は、サブ画素Ｐを
囲む領域に格子状に形成されている。つまり、カラーフィルタ側遮光膜７０は、行方向Ｘ
に延びる直線部分と列方向Ｙに延びる直線部分とが交差する形状に形成されている。また
、遮光膜７０は、行方向Ｘで隣接するサブ画素Ｐの間の領域、及び列方向Ｙで隣接するサ
ブ画素Ｐの間の領域を埋める状態に形成されている。素子側遮光膜６０は、素子基板５１
とカラーフィルタ基板５２とを貼り合わせたときに、その行方向Ｘに関する左右両端が対
向基板側のカラーフィルタ側遮光膜７０の列方向Ｙに延びる辺の内面に接触する。望まし
くは、隙間無く接触する。

カラーフィルタ側遮光膜７０は、対向基板である素子基板５１上に設けられた画素電極
５の長手方向（サブ画素Ｐの長手方向、列方向Ｙ）に沿って延びる部分と、画素電極５の
短手方向（サブ画素Ｐの端手方向、行方向Ｘ）に沿って延びる部分とが交差する、いわゆ
る格子状に形成されている。この遮光膜７０は、遮光性の感光性樹脂材料をフォトリソグ
ラフィ処理によってパターニングしても良いし、カラーフィルタを構成する着色膜６９Ｒ
，６９Ｇ，６９Ｂの２色又は３色を重ね合わせて形成しても良いし、遮光性の金属材料を
フォトエッチング処理によってパターニングしても良い。遮光性の金属材料としては、例
えばＴａ（タンタル）、Ｔａ合金、Ｃｒ（クロム）、Ｃｒ合金等を用いることができる。
本実施形態では、異なる色の着色膜を重ね合わせて遮光膜７０を形成するものとする。

素子基板５１とカラーフィルタ基板５２とを貼り合わせると、カラーフィルタ側遮光膜
７０が素子基板５１上の画素電極５の周囲に配置され、さらに素子側遮光膜６０の行方向
Ｘの両端がカラーフィルタ側遮光膜７０の列方向Ｙに延びる辺部の内側面につながる。こ
れにより、サブ画素Ｐの外周全域がカラーフィルタ側遮光膜７０によって遮光され、個々
のサブ画素Ｐ内のサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃ間の間隔領域が素子側遮光膜６０によっ
て遮光される。図１２（ｂ）に示すように行方向Ｘ及び列方向Ｙで隣接するサブ画素Ｐ同
士の間に遮光膜７０を設けることは従来から行われていた。しかし、図１２（ａ）に示す
ように１つのサブ画素Ｐ内において互いに隣接するサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間の
領域に対応して遮光膜６０を設けることは従来は行われていなかった。

垂直配向モードの液晶装置では、各サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間の領域に斜め電
界が形成され、この斜め電界が液晶分子の傾倒方向を規定する。この斜め電界が生じる領
域では光漏れが生じ易く、この領域に対応して遮光膜を設けていなかった従来の装置は、
その光漏れに起因してコントラストが低下し、画像表示品質が低下する傾向にあった。こ
れに対し、本実施形態のようにサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間の領域に対応して遮光
膜６０を設ければ、サブピクセル間からの光漏れを防止でき、コントラストの低下を防止
でき、高い表示品質が得られることになった。

図１２（ａ）に示す本実施形態では、隣接するサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃ同士の間
の領域に対応して設ける遮光膜６０を、サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃ間の領域の平面形
状に一致した形状に形成した。そして、素子基板５１とカラーフィルタ基板５２を貼り合
わせる際には、遮光膜６０の行方向Ｘに沿った端辺とサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの行
方向Ｘに沿った端辺とが基板法線方向からの平面視で一致するように両基板５１，５２を
貼り合せた。これにより、開口率を高く維持しつつ、サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃ間の
光漏れを防止できた。

（液晶装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置の第３実施形態を図１５、図１６、図１７に基づいて説明
する。第３実施形態は、スイッチング素子としてアモルファスシリコンＴＦＴ素子を用い
た半透過反射型のアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するものである。
半透過反射型の液晶装置とは、透過光を用いた表示と反射光を用いた表示との任意の１つ
を選択的に行うことができる機能を有する液晶装置である。

図１５（ａ）はカラーフィルタ基板上の１つの画素内の構成を示す平面図である。図１
５（ｂ）は素子基板上の１つの画素内の構成を示す平面図である。図１５（ａ）及び図１
５（ｂ）はいずれも観察側からそれらの基板を平面的に見た状態を示しており、図１５（
ａ）は液晶層の反対側からカラーフィルタ基板を見た平面図であり、図１５（ｂ）は液晶
層側から素子基板を見た平面図である。図１６は、図１２（ａ）、（ｂ）のＺｐ−Ｚｐ線
に従って列方向Ｙに沿った断面構造を示す断面図である。図１７は、図１２（ａ）、（ｂ
）のＺｑ−Ｚｑ線に従って行方向Ｘに沿った断面構造を示す断面図である。

本第３実施形態は、アモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス方
式の液晶装置であり、基本的には図２、図３、図４に示した第１実施形態に近似した構成
を有している。本第３実施形態が第１実施形態と異なる点は、第１実施形態が反射型表示
のための構成を持たない透過型液晶装置であるのに対し、本第３実施形態は透過型表示の
ための構成と反射型表示のための構成を併せて有する液晶装置であることである。以下、
その点を踏まえて説明する。なお、第１実施形態と共通する部分の説明は適宜に省略する
。また、第１実施形態の場合と同じ部材は同じ符号を付すことにしてその説明は省略する
ことがある。

まず、本実施形態に係る液晶装置の概略の構成を図１６及び図１７に示す断面図を用い
て説明する。本実施形態の液晶装置１Ｃは、素子基板８１及びカラーフィルタ基板８２を
有する。素子基板８１とカラーフィルタ基板８２との間に形成されるセルギャップ内に液
晶が封入されて液晶層１３が設けられている。液晶層１３は負の誘電異方性を有するネマ
チック液晶によって形成されている。本実施形態ではカラーフィルタ基板８２が観察側に
配置され、素子基板８１が観察側と反対側に配置される。素子基板８１の外側に照明装置
（図示せず）が設けられてバックライトとして機能する。この照明装置の出射光を用いて
透過型の表示が行われる。また、詳しくは後述するが、観察側の基板であるカラーフィル
タ基板８２の裏側の基板である素子基板８１上に設けられた光反射膜によって反射する外
部光（例えば太陽光、室内光）を用いて反射型の表示が行われる。

素子基板８１は、石英ガラス、プラスチック等といった透光性材料から成る基板１４を
有する。基板１４の外面上に第１位相差フィルム１５ａ及び第１偏光板１６ａが設けられ
ている。第１位相差フィルム１５ａは必要に応じて複数枚設けられる。半透過反射型表示
を行う本実施形態では、（ｉ）円偏光を作るためのλ／４板、（ｉｉ）位相差を補償する
ための位相差補償板、さらには（ｉｉｉ）波長に対応した位相ズレの小さいλ／４板（い
わゆる広帯域λ／４板）を構成するためのλ／２板等が、第１位相差フィルム１５ａとし
て設けられる。

透光性基板１４の内面上にゲート線１８、ソース線１９、ＴＦＴ素子４が設けられてい
る。ゲート線１８は図１５（ｂ）に示すように複数本のそれぞれが行方向Ｘに延在し、列
方向Ｙに間隔をおいて平行に設けられている。ソース線１９は複数本のそれぞれが列方向
Ｙに延在し、行方向Ｘに間隔をおいて平行に設けられている。ＴＦＴ素子４はゲート線１
８とソース線１９との交差部の近傍に設けられている。ゲート線１８は走査線として機能
し、ソース線１９はデータ線として機能する。図１６及び図１７において、ゲート線１８
とソース線１９との間にはゲート絶縁膜２０が設けられている。ＴＦＴ素子４はパシベー
ション膜２１によって覆われ、その上に樹脂膜２２が形成されている。そして、樹脂膜２
２上に光反射膜２３が部分的に設けられ、その上にＩＴＯ、ＩＺＯから成る画素電極５が
設けられ、その上に垂直配向膜２４ａが設けられている。画素電極５は垂直配向モードを
実現するための特別な平面構造に形成されている。

ゲート絶縁膜２０、パシベーション膜２１、樹脂膜２２は、絶縁性の合成樹脂や絶縁性
の有機材料によって形成されている。光反射膜２３は光を反射できる金属材料、例えばＡ
ｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）又はこれらを主成分とする合金、をフォトエッチング処
理によってパターニングすることによって所定形状に形成されている。

カラーフィルタ基板８２は、石英ガラス、プラスチック等といった透光性材料から成る
基板２８を有する。基板２８の外面上に第２位相差フィルム１５ｂ及び第２偏光板１６ｂ
が設けられている。第２位相差フィルム１５ｂも、第１位相差フィルム１５ａと同様に、
λ／４板、位相差補償板、λ／２板等を含んで構成されている。

透光性基板２８の内面上にカラーフィルタを構成する着色膜２９が設けられている。符
号２９に添えられたＲ，Ｇ，Ｂの文字は、それぞれ、着色膜２９が赤色、緑色、青色の各
色であることを示している。本実施形態ではストライプ配列が用いられており、図１６の
列方向Ｙに同色の着色膜２９（図では青色）が並び、図１７の行方向ＸにＲ，Ｇ，Ｂの着
色膜２９が順番に並べられている。各着色膜２９の間に遮光膜３０が設けられている。こ
の遮光膜３０は図１５（ａ）に示すように各着色膜２９の周囲を囲む格子状に形成されて
いる。遮光膜３０は遮光性の金属材料によって形成しても良いし、樹脂膜である異なる色
の着色膜２９を重ねて形成しても良い。本実施形態では異なる色の着色膜２９を重ねるこ
とによって遮光膜３０を形成するものとする。着色膜２９と遮光膜３０の上には必要に応
じて平坦化膜が設けられる。なお、遮光膜３０の詳細については後述する。

図１６において、カラーフィルタ基板８２上の着色膜２９及び遮光膜３０の上層の部分
的な位置に層厚調整膜８３が設けられ、層厚調整膜８３を覆って着色膜２９及び遮光膜３
０の上に画素電極５に対向する対向電極である共通電極３１が設けられている。共通電極
３１もＩＴＯ、ＩＺＯ等によって形成されている。共通電極３１は全てのサブ画素に共通
する面状電極、いわゆるベタ電極として形成されている。共通電極３１の面上に配向制御
手段としての誘電体から成る複数の突起３２が設けられている。そして、それらの突起３
２を覆って垂直配向膜２４ｂが共通電極３１の上に設けられている。

液晶層１３の内部の液晶分子は、垂直配向膜２４ａ及び２４ｂの作用により、初期状態
（オフ電圧印加状態）において基板面に垂直方向（図１６及び図１７の上下方向）に配列
している。液晶分子は、突起３２の近傍領域ではその突起３２の表面に垂直となる状態で
斜めに配向している。この初期配向状態により、液晶層１３にオン電圧が印加されたとき
の液晶分子の倒れる方向が所定方向に規制され、液晶分子の安定した配向制御が行われる
。

次に、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）を用いて画素内の平面構成について説明する。な
お、図１５（ａ）は、図１６及び図１７の観察側（図の上方側）からカラーフィルタ基板
８２上の１つの画素を見た場合の平面構成を示している。図１５（ｂ）は、図１６及び図
１７の観察側（図の上方側）から素子基板８１を見た場合の平面構成を示している。つま
り、図１５（ａ）のカラーフィルタ基板８２と図１５（ｂ）の素子基板８１は、そのいず
れをも反転させることなく、図示の状態のままで平行移動させた状態で重ね合わされ、そ
れらの間に液晶が封入される。なお、図１５（ａ）では、第２位相差フィルム１５ｂ及び
第２偏光板１６ｂの図示を省略し、透光性基板２８は鎖線の仮想線で示している。図１５
（ｂ）では、垂直配向膜２４ａの図示を省略している。

図１５（ｂ）に示す素子基板８１上において、走査線であるゲート線１８とデータ線で
あるソース線１９とによって囲まれる長方形状の領域が１つのサブ画素Ｐである。サブ画
素Ｐは平面内で互いに隣接して複数設けられており、それらが行方向Ｘ及び列方向Ｙに行
列状、いわゆるマトリクス状に設けられている。そして、それらのサブ画素Ｐの集まりに
よって画像表示領域が構成されている。個々のサブ画素Ｐは図１５（ａ）のカラーフィル
タ基板８２上の着色膜２９Ｒ，２９Ｇ，２９Ｂのそれぞれ１色ずつに平面的な位置で対応
している。そして、行方向Ｘに並ぶＲ，Ｇ，Ｂの３つのサブ画素Ｐによって１つの画素が
形成されている。着色膜２９の色の数が３色以上、例えば４色であれば、それら４色に対
応した４つのサブ画素Ｐによって１つの画素が構成される。

ゲート線１８とソース線１９との交差部の近傍にＴＦＴ素子４が形成されている。また
、ゲート線１８とソース線１９とによって囲まれるサブ画素Ｐ内に画素電極５が形成され
ている。画素電極５は行方向Ｘ及び列方向Ｙに行列状に設けられている。個々の画素電極
５は複数、本実施形態では３個のドット状（すなわち島状）のサブピクセル５ａ，５ｂ，
５ｃによって構成されている。各サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃは細い幅の接続部３５に
よって電気的に接続されている。こうして列方向Ｙに長い画素電極５が形成されている。
個々のサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃが設けられた領域はサブドットと呼ばれることがあ
る。接続部３５が存在する所の両側は画素電極５が切り欠かれた形状になっている。この
切欠部は、垂直配向モードにおいて液晶分子の配向を制御するための斜め電界を形成する
スリットとして作用する。

ＴＦＴ素子４は部分図（ｃ）に示すように、アモルファスシリコンから成る半導体層に
ソース領域４ｓ及びドレイン領域４ｄを有しており、その中間がチャネル領域となってい
る。ソース領域４ｓにはソース線１９（データ線）が電気的に接続されている。ドレイン
領域４ｄには、当該ドレイン領域４ｄから延びる配線部３６及びコンタクトホール３７を
介して画素電極５が電気的に接続されている。ゲート線１８（走査線）は半導体層のチャ
ネル領域に対向する部分を有し、この部分がゲート電極４ｇとして作用する。

図１６において共通電極３１上に設けられた配向制御手段としての突起３２は、図１５
（ａ）及び図１５（ｂ）から理解されるように、基板法線方向から見た平面視でサブピク
セル５ａ，５ｂ，５ｃの略中央部に対応して配置されている。この構成により、液晶にオ
ン電圧が印加されると、液晶分子はサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの中心部から各辺に向
けて傾いて倒れることになる。

次に、本実施形態における遮光膜の配置状態について説明する。図１５（ａ）に示すよ
うに、遮光膜３０はカラーフィルタ基板８２上に設けられている。遮光膜３０は、対向基
板である素子基板８１上に設けられた画素電極５の長手方向（サブ画素Ｐの長手方向、列
方向Ｙ）に沿って延びる部分と、画素電極５の短手方向（サブ画素Ｐの短手方向、行方向
Ｘ）に沿って延びる部分とが交差する、いわゆる格子状に形成されている。この遮光膜３
０は、遮光性の感光性樹脂材料をフォトリソグラフィ処理によってパターニングしても良
いし、カラーフィルタを構成する着色膜２９Ｒ，２９Ｇ，２９Ｂの２色又は３色を重ね合
わせて形成しても良いし、遮光性の金属材料をフォトエッチング処理によってパターニン
グしても良い。遮光性の金属材料としては、例えばＴａ（タンタル）、Ｔａ合金、Ｃｒ（
クロム）、Ｃｒ合金等を用いることができる。本実施形態では、異なる色の着色膜を重ね
合わせて遮光膜３０を形成するものとする。

図１５（ａ）において、遮光膜３０は、行方向Ｘに沿って隣接するサブ画素Ｐ間に設け
られて列方向Ｙに延びる部分３０ａと、列方向Ｙに沿って隣接するサブ画素Ｐ間に設けら
れて行方向Ｘに延びる部分３０ｂと、個々のサブ画素Ｐの内部で３つのサブピクセル５ａ
〜５ｃ間に設けられていて行方向Ｘに延びる部分３０ｃの、３つの部分によって構成され
ている。互いに隣接するサブ画素Ｐの間に遮光膜３０ａ及び３０ｂを設けることは従来か
ら行われている。個々のサブ画素Ｐ内でサブピクセル５ａ〜５ｃの間の領域に対応して遮
光膜３０ｃを設けることは従来は行われていなかった。

垂直配向モードの液晶装置では、各サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間の領域に斜め電
界が形成され、この斜め電界が液晶分子の傾倒方向を規定する。この斜め電界が生じる領
域では光漏れが生じ易く、この領域に対応して遮光膜を設けていなかった従来の装置は、
その光漏れに起因してコントラストが低下し、画像表示品質が低下する傾向にあった。こ
れに対し、本実施形態のように、サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間の領域に対応して遮
光膜３０ｃを設ければ、サブピクセル間からの光漏れを防止でき、コントラストの低下を
防止でき、高い表示品質が得られる。

図１５（ｂ）及び図１６において、端部サブピクセル５ａ及び端部サブピクセル５ｃは
透明電極であり、それらに重ねて光反射膜は形成されていないので、それらのサブピクセ
ルに対応する領域は透過表示領域Ｔを構成する。一方、中間サブピクセル５ｂは透明電極
であるがその下には光反射膜２３が設けられているので、中間サブピクセル５ｂに対応す
る領域は反射表示領域Ｒを構成する。つまり、サブ画素Ｐの中央部分に反射表示領域Ｒが
形成され、その長手方向の両側に透過表示領域Ｔが形成されている。ＴＦＴ素子４と画素
電極５の導電接続は、反射表示領域Ｒに配置されたサブピクセル５ｂにおいて行われてい
る。この導電接続を行う配線部３６は端部サブピクセル５ｃの下を通って中間サブピクセ
ル５ｂの略中央部まで延びている。

詳しい図示は省略しているが、反射表示領域Ｒ内の樹脂膜２２の液晶層側の表面にはフ
ォトリソグラフィ処理によって凹凸パターンが付与されて、粗面化処理が成されている。
このため、その上に設けられた光反射膜２３も同じ凹凸パターンを有している。この凹凸
パターンにより反射光が適度に散乱し、明るくて良好な反射特性が得られる。

図１５（ａ）及び図１６において、カラーフィルタ基板８２上に設けられた層厚調整膜
８３は、反射表示領域Ｒ内で行方向Ｘへ延びて形成されている。層厚調整膜８３は、例え
ばアクリル樹脂等といった有機膜によって形成されている。層厚調整膜８３は液晶層１３
の中へ突出しており、そのため反射表示領域Ｒにおける液晶層１３の層厚ｄ０は透過表示
領域Ｔにおける液晶層１３の層厚ｄ１よりも薄くなっている。例えば、透過表示領域Ｔの
層厚ｄ１は４〜６μｍであり、層厚調整膜８３の膜厚は２〜３μｍであり、反射表示領域
Ｒにおける液晶層厚ｄ０は透過表示領域Ｔにおける液晶層厚ｄ１の約１／２になっている
。また、層厚調整膜８３の列方向Ｙの端部（行方向Ｘに延びる端部）は段差面を形成して
おり、その段差面はそれ自身の膜厚が連続的に変化する傾斜面となっている。

端部サブピクセル５ａと中間サブピクセル５ｂとを連結する接続部３５、及び中間サブ
ピクセル５ｂと端部サブピクセル５ｃとを連結する接続部３５は、層厚調整膜８３の段差
面すなわち傾斜面に対応する領域に位置している。

本実施形態によれば、反射表示領域Ｒに層厚調整膜８３を設けたことにより、反射表示
領域Ｒにおける液晶層厚を透過表示領域Ｔにおける液晶層厚の略１／２としたので、反射
表示領域Ｒにおけるリタデーション（Δｎ・ｄ／但しΔｎは屈折率異方性、ｄは液晶層厚
）と透過表示領域Ｔにおけるリタデーションを略等しくでき、これにより、コントラスト
を向上できる。さらに、層厚調整膜８３が液晶層１３の中に突出していると共に、層厚調
整膜８３の段差面が傾斜面となっているので、初期状態で垂直配向した液晶分子がこの傾
斜面の近傍においてはその傾斜面に応じたプレチルトを持つことになる。これにより、電
界印加時における液晶分子の配向方向を制御することができ、光漏れを防止でき、コント
ラストの高い表示を得ることができる。

つまり、本実施形態では、反射表示領域Ｒ内に層厚調整膜８３を設け、その層厚調整膜
８３の端面を傾斜面としたことにより、垂直配向モードの液晶装置において半透過反射方
式の表示を行うにあたって、反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔの両方で均一で安定した
表示を行うことを可能とし、さらに安定した配向制御を行うことを可能としている。

図１６において、光反射膜２３の列方向Ｙの両端辺（行方向Ｘに延びる辺）は中間サブ
ピクセル５ｂの列方向Ｙの両端辺の外側に距離Ｄだけ張り出している。そして、端部サブ
ピクセル５ａと中間サブピクセル５ｂとの間の領域、及び中間サブピクセル５ｂと端部サ
ブピクセル５ｃとの間の領域のそれぞれに対応してカラーフィルタ基板８２上に設けられ
た遮光膜３０ｃの幅Ｗ０は、隣接するサブピクセル間の幅Ｗ１よりも狭く形成されている
。そして、遮光膜３０ｃの内縁部分には、着色膜２９を介して光反射膜２３の辺部分を視
認できる隙間が形成されている。この構成によれば、素子基板８１とカラーフィルタ基板
８２とで組みズレが生じた場合でも、実質的な光反射率が低下することがないという効果
が得られる。

（液晶装置の第４実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置の第４実施形態を図１８、図１９、図２０に基づいて説明
する。第４実施形態は、スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いた半透過反射型のアク
ティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するものである。

図１８（ａ）は素子基板上の１つの画素内の構成を示す平面図である。図１８（ｂ）は
カラーフィルタ基板上の１つの画素内の構成を示す平面図である。図１８（ａ）及び図１
８（ｂ）はいずれも観察側からそれらの基板を平面的に見た状態を示しており、図１８（
ａ）は液晶層の反対側からカラーフィルタ基板を見た平面図であり、図１８（ｂ）は液晶
層側から素子基板を見た平面図である。図１９は、図１８（ａ）、（ｂ）のＺｓ−Ｚｓ線
に従って列方向Ｙに沿った断面構造を示す断面図である。図２０は、図１８（ａ）、（ｂ
）のＺｔ−Ｚｔ線に従って行方向Ｘに沿った断面構造を示す断面図である。

本第４実施形態は、ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置であり、
基本的には図１２、図１３、図１４に示した第２実施形態に近似した構成を有している。
本第４実施形態が第２実施形態と異なる点は、第２実施形態が反射型表示のための構成を
持たない透過型液晶装置であるのに対し、本第４実施形態は透過型表示のための構成と反
射型表示のための構成を併せて有する液晶装置であることである。以下、その点を踏まえ
て説明する。なお、第２実施形態と共通する部分の説明は適宜に省略する。また、第２実
施形態の場合と同じ部材は同じ符号を付すことにしてその説明は省略することがある。

まず、本実施形態に係る液晶装置の概略の構成を図１９及び図２０に示す断面図を用い
て説明する。本実施形態の液晶装置１Ｄは、素子基板９１及びカラーフィルタ基板９２を
有する。素子基板９１とカラーフィルタ基板９２は所定の間隙であるセルギャップを介し
て貼り合わされている。そのセルギャップ内に液晶が封入されて液晶層１３が設けられて
いる。液晶層１３は、負の誘電異方性を有するネマチック液晶によって形成されている。
本実施形態では素子基板９１が観察側に配置され、カラーフィルタ基板９２が観察側と反
対側に配置される。カラーフィルタ基板９２の外側に照明装置（図示せず）が設けられて
バックライトとして機能する。この照明装置の出射光を用いて透過型の表示が行われる。
また、観察側の基板である素子基板９１の裏側の基板であるカラーフィルタ基板９２上に
設けられた光反射膜によって反射する外部光を用いて反射型の表示が行われる。

素子基板９１は、石英ガラス、プラスチック等といった透光性材料から成る基板５４を
有する。基板５４の外面上に第２位相差フィルム５５ｂ及び第２偏光板５６ｂが設けられ
ている。第２位相差フィルム５５ｂは必要に応じて複数枚設けられる。半透過反射型表示
を行う本実施形態では、（ｉ）円偏光を作るためのλ／４板、（ｉｉ）位相差を補償する
ための位相差補償板、さらには（ｉｉｉ）波長に対応した位相ズレの小さいλ／４板（い
わゆる広帯域λ／４板）を構成するためのλ／２板等が、第２位相差フィルム５５ｂとし
て設けられる。

透光性基板５４の内面上にデータ線５７、素子側遮光膜６０、ＴＦＤ素子４４がそれぞ
れ複数、設けられている。データ線５７は図１８（ａ）に示すように列方向Ｙに延在し、
行方向Ｘに間隔をおいて平行に設けられている。データ線５７は、例えばデータ信号を伝
送する。素子側遮光膜６０は図１８（ａ）に示すように、行方向Ｘに細長いドット状（島
状）パターンとしてデータ線５７の間に形成されている。素子側遮光膜６０の左右両端は
データ線５７から離間している。図１９及び図２０において、データ線５７、素子側遮光
膜６０、ＴＦＤ素子４４の上に絶縁性の合成樹脂や絶縁性の有機材料によって樹脂膜６２
が形成されている。そして、樹脂膜６２上にＩＴＯ、ＩＺＯ等から成る画素電極５が設け
られ、その上に垂直配向膜６４ｂが設けられている。画素電極５は垂直配向モードを実現
するための特別な平面構造に形成されている。

カラーフィルタ基板９２は、石英ガラス、プラスチック等といった透光性材料から成る
基板６８を有する。基板６８の外面上に第１位相差フィルム５５ａ及び第１偏光板５６ａ
が設けられている。第１位相差フィルム５５ａも、第２位相差フィルム５５ｂと同様に、
λ／４板、位相差補償板、λ／２板等を含んで構成されている。

透光性基板６８の内面上に樹脂膜９４が設けられ、その樹脂膜９４上に光反射膜９５が
部分的に設けられている。樹脂膜９４は絶縁性の合成樹脂や、絶縁性の有機材料によって
形成されている。光反射膜９５は光を反射できる金属材料、例えばＡｌ、Ａｇ、又はこれ
らを主成分とする合金をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって所
定形状に形成されている。

樹脂膜９４及び光反射膜９５の上に、カラーフィルタを構成する着色膜６９が設けられ
ている。符号６９に添えられたＲ，Ｇ，Ｂの文字は、それぞれ、着色膜６９が赤色、緑色
、青色の各色であることを示している。本実施形態ではストライプ配列が用いられており
、図１９の列方向Ｙに同色の着色膜２９（図では青色）が並び、図２０の行方向ＸにＲ，
Ｇ，Ｂの着色膜６９が順番に並べられている。各着色膜６９の間にカラーフィルタ側遮光
膜７０が設けられている。カラーフィルタ側遮光膜７０は図１８（ｂ）に示すように各着
色膜６９の周囲を囲む格子状に形成されている。遮光膜７０は、遮光性の樹脂によって形
成しても良いし、遮光性の金属材料によって形成しても良いし、樹脂膜である異なる色の
着色膜６９を重ねて形成しても良い。本実施形態では異なる色の着色膜６９を重ねること
によってカラーフィルタ側遮光膜７０を形成するものとする。着色膜６９及び遮光膜７０
の上には必要に応じて平坦化膜が設けられる。

着色膜６９及び遮光膜７０の上層の部分的な位置に層厚調整膜９６が設けられ、層厚調
整膜９６を覆って着色膜６９及び遮光膜７０の上に、画素電極５に対向する対向電極であ
る複数の帯状の共通電極７１が設けられている。層厚調整膜９６は透明で絶縁性を有する
樹脂によって形成されている。共通電極７１は、例えば走査信号を伝送する走査線として
機能する。共通電極７１もＩＴＯ、ＩＺＯ等によって形成されている。複数の帯状の共通
電極７１は、それぞれが行方向Ｘに延び、互いに列方向Ｙに間隔をおいて平行に配置され
ている。共通電極７１の面上に配向制御手段としての複数のスリット９３が設けられてい
る。スリット９３は基板法線方向から見て円形状に形成されている。そして、それらのス
リット９３を覆って垂直配向膜６４ａが共通電極７１の上に設けられている。

液晶層１３の内部の液晶分子は、垂直配向膜６４ａ及び６４ｂの作用により、初期状態
（オフ電圧印加状態）において基板面に垂直方向（図１９及び図２０の上下方向）に配列
している。オン電圧印加時、スリット９３の所に斜め電界が形成され、液晶分子はその斜
め電界に従って配向する。この配向制御により、液晶層１３にオン電圧が印加されたとき
の液晶分子の倒れる方向が所定方向に規制され、液晶分子の安定した配向制御が行われる
。

次に、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）を用いて画素内の平面構成について説明する。な
お、図１８（ａ）は、図１９及び図２０の観察側（図の上方側）から素子基板９１上の１
つの画素を見た場合の平面構成を示している。図１８（ｂ）は、図１９及び図２０の観察
側（図の上方側）からカラーフィルタ基板９２を見た場合の平面構成を示している。つま
り、図１８（ａ）の素子基板９１と図１８（ｂ）のカラーフィルタ基板９２は、そのいず
れをも反転させることなく、図示の状態のままで平行移動させた状態で重ね合わされ、そ
れらの間に液晶が封入される。なお、図１８（ａ）では、第２位相差フィルム５５ｂ及び
第２偏光板５６ｂの図示を省略し、透光性基板５４は鎖線の仮想線で示している。図１８
（ｂ）では、垂直配向膜６４ａの図示を省略している。

素子基板９１上に形成された複数の画素電極５は行方向Ｘ及び列方向Ｙに行列状、いわ
ゆるマトリクス状に設けられている。一方、カラーフィルタ基板９２上に形成された複数
の帯状、いわゆるストライプ状の共通電極７１は、素子基板９１とカラーフィルタ基板９
２とを貼り合わせた状態で画素電極５と平面視で重なり合っている。画素電極５と共通電
極７１とが重なり合っている平面領域を含む長方形状の領域がサブ画素Ｐである。このサ
ブ画素Ｐが明表示（白表示）と暗表示（黒表示）との切換えの単位となる領域である。

サブ画素Ｐは平面内に複数、配列されている。複数のサブ画素Ｐは行方向Ｘ及び列方向
Ｙに行列状、いわゆるマトリクス状に設けられている。そして、それらのサブ画素Ｐの集
まりによって画像表示領域が構成されている。個々のサブ画素Ｐは図１８（ｂ）のカラー
フィルタ基板９２上の着色膜６９Ｒ，６９Ｇ，６９Ｂのそれぞれ１色ずつに平面的な位置
で対応している。そして、行方向Ｘに並ぶＲ，Ｇ，Ｂの３つのサブ画素Ｐによって１つの
画素が形成されている。着色膜６９の色の数が３色以上、例えば４色であれば、それら４
色に対応した４つのサブ画素Ｐによって１つの画素が構成される。

画素電極５は行方向Ｘ及び列方向Ｙに行列状に設けられている。個々の画素電極５は複
数、本実施形態では３個のドット状（すなわち島状）のサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃに
よって構成されている。各サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃは略中央部分で細い幅の接続部
３５によって電気的に接続されている。こうして列方向Ｙに長い画素電極５が形成されて
いる。個々のサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃが設けられた領域はサブドットと呼ばれるこ
とがある。接続部３５が存在する所の両側は画素電極５が切り欠かれた形状になっている
。この切欠部は、垂直配向モードにおいて液晶分子の配向を制御するための斜め電界を形
成するスリットとして作用する。各サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃは略正方形状であり４
つの対角部が円弧形状に丸くなっている。

図１８（ａ）において、素子基板９１上の中間サブピクセル５ｂの隅部にＴＦＤ素子４
４が形成されている。ＴＦＤ素子４４は部分図（ｃ）に示すように、２つのＴＦＤ要素４
４ａ及び４４ｂを電気的に逆極性で直列につないで成る、いわゆるバック・ツー・バック
構造として構成されている。各ＴＦＤ要素４４ａ，４４ｂは基板５４から見て、Ｔａ又は
Ｔａ合金から成る第１電極と、第１電極上に形成された陽極酸化膜（すなわちＴａ酸化物
）と、陽極酸化膜上に形成されたＣｒ又はＣｒ合金から成る第２電極との積層電極構造と
して形成されている。このＴＦＤ素子４４は、第１電極と第２電極との間に所定以上の電
圧が印加されたときにオン状態となる。第１ＴＦＤ要素４４ａの第１電極はデータ線５７
に接続される。第２ＴＦＤ要素４４ｂの第２電極は当該第２電極から延びる配線部７６及
びコンタクトホール７７を介して中間サブピクセル５ｂに導電接続されている。コンタク
トホール７７は中間サブピクセル５ｂの略中央に設けられている。

図１９において共通電極７１内に設けられた配向制御手段としてのスリット９３は、図
１８（ａ）及び図１８（ｂ）から理解されるように、基板法線方向から見た平面視でサブ
ピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの略中央部に対応して配置されている。この構成により、液晶
にオン電圧が印加されると、液晶分子はサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの中心部から各辺
に向けて傾いて倒れることになる。スリット９３は、基板法線方向からの平面視で円形状
である。この円形状のスリット９３によれば、該スリット９３を中心として放射状に広が
る液晶分子の配向を得ることができ、配向方向が平面視でスリット９３を中心とする３６
０°の角度範囲で連続的に変化する状態の配向、いわゆるマルチドメインを安定して形成
できる。なお、スリット９３の形状は、液晶分子の配向を一定方向に規制できる形状であ
りさえすれば、任意の形状を選定できる。

次に、本実施形態における遮光膜の配置状態について説明する。
図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示すように、遮光膜６０及び遮光膜７０は素子基板９
１上とカラーフィルタ基板９２上とに分けて設けられている。素子基板９１上に形成され
た素子側遮光膜６０は、個々の画素電極５のサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間の領域に
設けられている。素子側遮光膜６０の個々は、互いに隣接するデータ線５７の間で行方向
Ｘに延びる細長いドット状（島状）に形成されている。複数の素子側遮光膜６０はデータ
線５７を挟んで直線的に１列に配列されている。素子側遮光膜６０は、画素電極５の短手
方向（サブ画素Ｐの短手方向、行方向Ｘ）に沿って延びている。

素子側遮光膜６０は、サブピクセル５ａとサブピクセル５ｂとの間の領域であって接続
部３５を覆う領域及び接続部３５以外の領域、並びにサブピクセル５ｂとサブピクセル５
ｃとの間の領域であって接続部３５を覆う領域及び接続部３５以外の領域に設けられてい
る。素子側遮光膜６０は画素電極５と同じ基板上に形成されるので、遮光膜６０は画素電
極５に対して正確な位置に設けることができる。

素子側遮光膜６０は、ＴＦＤ素子４４の第１電極と陽極酸化膜との積層構造と同じ構造
、例えば、Ｔａの上にＴａ酸化物が積層された構造によって形成されている。素子側遮光
膜６０はＴＦＤ素子４４とは無関係に専用の材料によって形成することもできるが、上記
のようにＴＦＤ素子４４をＴＦＤ素子４４の構成材料と同じ材料によって形成すれば、材
料及び製造工程を共通化できて有利である。なお、素子側遮光膜６０は、Ｔａ単層、Ｃｒ
単層等とすることもできる。

カラーフィルタ基板９２上に設けられたカラーフィルタ側遮光膜７０は、サブ画素Ｐを
囲む領域に格子状に形成されている。つまり、カラーフィルタ側遮光膜７０は、行方向Ｘ
に延びる直線部分と列方向Ｙに延びる直線部分とが交差する形状に形成されている。また
、遮光膜７０は、行方向Ｘで隣接するサブ画素Ｐの間の領域、及び列方向Ｙで隣接するサ
ブ画素Ｐの間の領域を埋める状態に形成されている。素子側遮光膜６０は、素子基板５１
とカラーフィルタ基板５２とを貼り合わせたときに、その行方向Ｘに関する左右両端が対
向基板側のカラーフィルタ側遮光膜７０の列方向Ｙに延びる辺の内面に接触する。望まし
くは、隙間無く接触する。

カラーフィルタ側遮光膜７０は、対向基板である素子基板９１上に設けられた画素電極
５の長手方向（サブ画素Ｐの長手方向、列方向Ｙ）に沿って延びる部分と、画素電極５の
短手方向（サブ画素Ｐの端手方向、行方向Ｘ）に沿って延びる部分とが交差する、いわゆ
る格子状に形成されている。この遮光膜７０は、遮光性の感光性樹脂材料をフォトリソグ
ラフィ処理によってパターニングしても良いし、カラーフィルタを構成する着色膜６９Ｒ
，６９Ｇ，６９Ｂの２色又は３色を重ね合わせて形成しても良いし、遮光性の金属材料を
フォトエッチング処理によってパターニングしても良い。遮光性の金属材料としては、例
えばＴａ（タンタル）、Ｔａ合金、Ｃｒ（クロム）、Ｃｒ合金等を用いることができる。
本実施形態では、異なる色の着色膜を重ね合わせて遮光膜７０を形成するものとする。

図１８（ａ）及び図１８（ｂ）において、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とを
貼り合わせると、カラーフィルタ側遮光膜７０が素子基板９１上の画素電極５の周囲に配
置され、さらに素子側遮光膜６０の行方向Ｘの両端がカラーフィルタ側遮光膜７０の列方
向Ｙに延びる辺部の内側面につながる。これにより、サブ画素Ｐの外周全域がカラーフィ
ルタ側遮光膜７０によって遮光され、さらに個々のサブ画素Ｐ内のサブピクセル５ａ，５
ｂ，５ｃ間の間隔領域が素子側遮光膜６０によって遮光される。図１８（ｂ）に示すよう
に行方向Ｘで隣接するサブ画素Ｐ同士の間及び列方向Ｙで隣接するサブ画素Ｐ同士の間に
遮光膜７０を設けることは、従来から行われていた。しかし、図１８（ａ）に示すように
個々のサブ画素Ｐ内において互いに隣接するサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間の領域に
対応して遮光膜６０を設けることは従来は行われていなかった。

垂直配向モードの液晶装置では、各サブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間の領域に斜め電
界が形成され、この斜め電界が液晶分子の傾倒方向を規定する。この斜め電界が生じる領
域では光漏れが生じ易く、この領域に対応して遮光膜を設けていなかった従来の装置は、
その光漏れに起因してコントラストが低下し、画像表示品質が低下する傾向にあった。こ
れに対し、本実施形態のようにサブピクセル５ａ，５ｂ，５ｃの間の領域に対応して遮光
膜６０を設ければ、サブピクセル間からの光漏れを防止でき、コントラストの低下を防止
でき、高い表示品質が得られることになった。

図１８（ａ）、図１８（ｂ）及び図１９に示す個々のサブ画素Ｐにおいて、画素電極５
と共通電極７１とが基板法線方向の平面視で重なり合う領域が表示領域である。そして、
その表示領域のうち、光反射膜９５が設けられている平面領域が反射表示領域Ｒであり、
光反射膜９５が設けられておらず光が透過する領域が透過表示領域Ｔである。本実施形態
では、中間サブピクセル５ｂに対応して光反射膜９５が設けられているので、サブ画素Ｐ
の中央部分に反射表示領域Ｒが形成され、その長手方向の両側に透過表示領域Ｔが形成さ
れている。ＴＦＤ素子４４と画素電極５の導電接続は、反射表示領域Ｒに配置されたサブ
ピクセル５ｂにおいて行われている。

光反射膜９５の下層である樹脂膜９４の液晶層側の表面にはフォトリソグラフィ処理に
よって凹凸パターンが付与されて、粗面化処理が成されている。このため、その上に設け
られた光反射膜９５も同じ凹凸パターンを有している。この凹凸パターンにより反射光が
適度に散乱し、明るくて良好な反射特性が得られる。

図１８（ｂ）及び図１９において、カラーフィルタ基板９２上に設けられた層厚調整膜
９６は、反射表示領域Ｒ内で行方向Ｘへ延びて形成されている。層厚調整膜９６は、例え
ばアクリル樹脂等といった有機膜によって形成されている。層厚調整膜９６は液晶層１３
の中へ突出しており、そのため反射表示領域Ｒにおける液晶層１３の層厚ｄ０は透過表示
領域Ｔにおける液晶層１３の層厚ｄ１よりも薄くなっている。例えば、透過表示領域Ｔの
層厚ｄ１は４〜６μｍであり、層厚調整膜９６の膜厚は２〜３μｍであり、反射表示領域
Ｒにおける液晶層厚ｄ０は透過表示領域Ｔにおける液晶層厚ｄ１の約１／２になっている
。また、層厚調整膜９６の列方向Ｙの端部（行方向Ｘに延びる端部）は段差面を形成して
おり、その段差面はそれ自身の膜厚が連続的に変化する傾斜面となっている。

端部サブピクセル５ａと中間サブピクセル５ｂとを連結する接続部３５、及び中間サブ
ピクセル５ｂと端部サブピクセル５ｃとを連結する接続部３５は、層厚調整膜９６の段差
面すなわち傾斜面に対応する領域に位置している。

本実施形態によれば、反射表示領域Ｒに層厚調整膜９６を設けたことにより、反射表示
領域Ｒにおける液晶層厚を透過表示領域Ｔにおける液晶層厚の略１／２としたので、反射
表示領域Ｒにおけるリタデーションと透過表示領域Ｔにおけるリタデーションを略等しく
でき、これにより、コントラストを向上できる。さらに、層厚調整膜９６が液晶層１３の
中に突出していると共に、層厚調整膜９６の段差面が傾斜面となっているので、初期状態
で垂直配向した液晶分子がこの傾斜面の近傍においてはその傾斜面に応じたプレチルトを
持つことになる。これにより、電界印加時における液晶分子の配向方向を制御することが
でき、光漏れを防止でき、コントラストの高い表示を得ることができる。

つまり、本実施形態では、反射表示領域Ｒ内に層厚調整膜９６を設け、その層厚調整膜
９６の端面を傾斜面としたことにより、垂直配向モードの液晶装置において半透過反射方
式の表示を行うにあたって、反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔの両方で均一で安定した
表示を行うことを可能とし、さらに安定した配向制御を行うことを可能としている。

図１９において、光反射膜９５の列方向Ｙの両端辺（行方向Ｘに延びる辺）は、中間サ
ブピクセル５ｂの列方向Ｙの両端辺の外側に距離Ｄだけ張り出している。そして、端部サ
ブピクセル５ａと中間サブピクセル５ｂとの間の領域、及び中間サブピクセル５ｂと端部
サブピクセル５ｃとの間の領域のそれぞれに対応して素子基板９１上に設けられた遮光膜
６０の幅Ｗ０は、互いに隣接するサブピクセル間の幅Ｗ１よりも狭く形成されている。そ
して、遮光膜６０の内縁部分には、着色膜６９を介して光反射膜９５の両端辺部分を視認
できる隙間が形成されている。この構成によれば、素子基板９１とカラーフィルタ基板９
２とで組みズレが生じた場合でも、実質的な光反射率が低下することがないという効果が
得られる。

（電子機器の第１実施形態）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の
一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。図２１は、本
発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶装置１０１
と、これを制御する制御回路１０２とを有する。液晶装置１０１は液晶パネル１０３及び
駆動回路１０４を有する。また、制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処
理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。

表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といったメモリや、各種
ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路
等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づい
て、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給す
る。

表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回
路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行し
て、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路
１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである
。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

液晶装置１０１は、例えば、図１〜図４に示した液晶装置１Ａを用いて構成できる。こ
の液晶装置Ａ１によれば、垂直配向モードを実現する画素電極を構成する複数のサブピク
セルの間の間隔領域に対応して遮光膜を設けることにより、個々のサブ画素内の複数のサ
ブピクセルの間の領域からの光漏れを防止して、高いコントラストの表示を得ることがで
きた。従って、この液晶装置１Ａを用いて構成された本実施形態の電子機器においても、
高品質の画像表示を行うことができる。

（電子機器の第２実施形態）
図２２は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここ
に示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、この本体部１１１に対して開閉可能に設け
られた表示体部１１２とを有する。表示体部１１２には表示装置１１３及び受話部１１４
が設けられる。電話通信に関する各種表示は、表示装置１１３の表示画面１１５に表示さ
れる。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る
制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部
に格納される。本体部１１１には操作ボタン１１６及び送話部１１７が設けられる。

表示装置１１３は、例えば、図１〜図４に示した液晶装置１Ａを用いて構成できる。こ
の液晶装置１Ａによれば、垂直配向モードを実現する画素電極を構成する複数のサブピク
セルの間の間隔領域に対応して遮光膜を設けることにより、個々のサブ画素内の複数のサ
ブピクセルの間の領域からの光漏れを防止して、高いコントラストの表示を得ることがで
きた。従って、この液晶装置１Ａを用いて構成された本実施形態の電子機器においても、
高品質の画像表示を行うことができる。

（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明の電子機器を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。例
えば、本発明は、携帯電話機に限られず、携帯情報端末機、ＰＤＡ、パーソナルコンピュ
ータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カー
ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーショ
ン、テレビ電話装置、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラ、電子ブック、等といった各種
の電子機器に適用できる。

本発明に係る液晶装置の一実施形態の電気的な等価回路図である。 本発明に係る液晶装置の第１実施形態の要部の平面図であり、（ａ）はカラーフィルタ基板、（ｂ）は素子基板である。 図２のＺｃ−Ｚｃ線に従った列方向Ｙに沿った断面図である。 図２のＺｄ−Ｚｄ線に従った行方向Ｘに沿った断面図である。 画素電極の変形例を示す平面図である。 画素電極に設ける配向制御手段の具体例を示す平面図である。 液晶分子の配向制御例を模式的に示す図であり、（ａ）は突起による配向制御例、（ｂ）はスリットによる配向制御例である。 遮光膜の配置の仕方の変形例を示す平面図である。 遮光膜の配置の仕方の他の変形例を示す平面図である。 遮光膜の配置の仕方のさらに他の変形例を示す平面図である。 遮光膜の配置の仕方のさらに他の変形例を示す平面図である。 本発明に係る液晶装置の第２実施形態の要部の平面図であり、（ａ）は素子基板、（ｂ）はカラーフィルタ基板である。 図１２のＺｍ−Ｚｍ線に従った列方向Ｙに沿った断面図である。 図１２のＺｎ−Ｚｎ線に従った行方向Ｘに沿った断面図である。 本発明に係る液晶装置の第３実施形態の要部の平面図であり、（ａ）はカラーフィルタ基板、（ｂ）は素子基板である。 図１５のＺｐ−Ｚｐ線に従った列方向Ｙに沿った断面図である。 図１５のＺｑ−Ｚｑ線に従った行方向Ｘに沿った断面図である。 本発明に係る液晶装置の第４実施形態の要部の平面図であり、（ａ）は素子基板、（ｂ）はカラーフィルタ基板である。 図１８のＺｓ−Ｚｓ線に従った列方向Ｙに沿った断面図である。 図１８のＺｔ−Ｚｔ線に従った行方向Ｘに沿った断面図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。 本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図である。

符号の説明

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ．液晶装置、 ２．走査線、 ３．データ線、
４．ＴＦＴ素子、 ４ｇ．ゲート、 ４ｓ．ソース、 ４ｄ．ドレイン、
５．画素電極、 ５ａ，５ｂ，５ｃ．サブピクセル、 ６．容量線、 １１．素子基板、
１２．カラーフィルタ基板、 １３．液晶層、 １３ａ．液晶分子、
１４．透光性基板、 １５ａ，１５ｂ．位相差フィルム、 １６ａ，１６ｂ．偏光板、
１８．ゲート線、 １９．ソース線、 ２０．ゲート絶縁膜、
２１．パシベーション膜、 ２２．樹脂膜、 ２３．光反射膜、
２４ａ，２４ｂ．垂直配向膜、 ２８．透光性基板、 ２９．着色膜、 ３０．遮光膜、
３０ａ，３０ｂ．サブ画素間遮光膜、 ３０ｃ．サブピクセル間遮光膜、
３１．共通電極、 ３２．突起、 ３３．スリット、 ３５．接続部、 ３６．配線部、
３７．コンタクトホール、 ４４．ＴＦＤ素子、 ４４ａ，４４ｂ．ＴＦＤ要素、
５１．素子基板、 ５２．カラーフィルタ基板、 ５４，６８．基板、
５５ａ，５５ｂ．位相差フィルム、 ５６ａ，５６ｂ．偏光板、 ５７．データ線、
６０．素子側遮光膜、 ６２．樹脂膜、 ６４ａ，６４ｂ．垂直配向膜、
６９．着色膜、 ７０．カラーフィルタ側遮光膜、 ７１．共通電極、 ７６．配線部、
７７．コンタクトホール、 ８１．素子基板、 ８２．カラーフィルタ基板、
８３．層厚調整膜、 ９１．素子基板、 ９２．カラーフィルタ基板、
９３．スリット、 ９４．樹脂膜、 ９５．光反射膜、 ９６．層厚調整膜、
１０１．液晶装置、 １１０．携帯電話機（電子機器）、 Ｃ０．蓄積容量、
Ｄ．距離、 Ｐ．サブ画素、 Ｒ．反射表示領域、 Ｔ．透過表示領域

Claims (9)

1. 一対の基板と、
   該一対の基板間に挟持された負の誘電異方性を有する液晶層と、
   一方の基板の液晶側に設けられた画素電極と、
   他方の基板の液晶側に設けられており前記画素電極に対向する対向電極と、
   前記液晶層の液晶分子の長軸が前記一対の基板に対して略垂直となる状態に配向させる垂直配向膜と、を有し、
   前記画素電極は、複数の島状のサブピクセルを当該サブピクセルよりも細い形状の接続部によって相互に連結して構成されており、
   前記画素電極が設けられた基板に対向する基板上に遮光膜が設けられ、前記遮光膜は、互いに隣接する前記複数のサブピクセルの間の領域であって少なくとも前記接続部以外の領域に対応して、前記隣接する前記複数のサブピクセル間の領域の平面形状と一致する形状とされていることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置において、
   前記遮光膜の幅は、互いに隣接する前記サブピクセル間の領域の幅よりも狭く形成されており、前記サブピクセルの端辺と前記遮光膜の端辺との間に平面視で隙間が設けられることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１または２に記載の液晶装置において、
   前記一対の基板の一方にはスイッチング素子が設けられ、
   前記遮光膜は前記スイッチング素子が設けられる基板上に設けられ、
   前記遮光膜は前記スイッチング素子を構成する材料と同じ材料によって形成されることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項３記載の液晶装置において、
   前記スイッチング素子は、タンタル又はタンタル合金によって形成された第１電極と、該第１電極上に形成された陽極酸化膜と、導電性金属材料から成り前記陽極酸化膜上に形成された第２電極とを有する薄膜ダイオードであり、
   前記遮光膜は前記第１電極と同じ材料によって形成されることを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１または２に記載の液晶装置において、前記画素電極が設けられた基板に対向する基板上に互いに異なる色の着色膜が設けられ、前記遮光膜は前記着色膜が設けられた基板上に前記異なる色の着色膜を重ねて形成されることを特徴とする液晶装置。
6. 一対の基板と、
   該一対の基板間に挟持された負の誘電異方性を有する液晶層と、
   一方の基板の液晶側に設けられた画素電極と、
   他方の基板の液晶側に設けられており前記画素電極に対向する対向電極と、
   前記液晶層の液晶分子の長軸が前記一対の基板に対して略垂直となる状態に配向させる垂直配向膜と、を有し、
   前記画素電極は、複数の島状のサブピクセルを当該サブピクセルよりも細い形状の接続部によって相互に連結して構成されており、
   前記接続部を有する島状の前記サブピクセルの間の領域に対応して前記一対の基板の少なくともいずれか一方に遮光膜が設けられており、前記接続部を有さない島状の前記サブピクセルの間に対応する領域には前記遮光膜は設けられないことを特徴とする液晶装置。
7. 一対の基板と、
   該一対の基板間に挟持された負の誘電異方性を有する液晶層と、
   一方の基板の液晶側に設けられた画素電極と、
   他方の基板の液晶側に設けられており前記画素電極に対向する対向電極と、
   前記液晶層の液晶分子の長軸が前記一対の基板に対して略垂直となる状態に配向させる垂直配向膜と、を有し、
   前記画素電極は、角部及び辺部を有する複数の島状のサブピクセルを当該サブピクセルよりも細い形状の接続部によって連結して形成されており、
   前記複数の島状のサブピクセルの間の領域に対応して、前記一対の基板の少なくともいずれか一方に遮光膜が設けられており、前記遮光膜は前記各サブピクセルの前記角部に対応した領域には設けられていないことを特徴とする液晶装置。
8. 一対の基板と、
   該一対の基板間に挟持された負の誘電異方性を有する液晶層と、
   一方の基板の液晶側に設けられた画素電極と、
   他方の基板の液晶側に設けられており前記画素電極に対向する対向電極と、
   前記液晶層の液晶分子の長軸が前記一対の基板に対して略垂直となる状態に配向させる
   垂直配向膜と、を有し、
   前記画素電極は、複数の島状のサブピクセルを当該サブピクセルよりも細い形状の接続部によって連結することによって形成されており、
   前記画素電極が設けられた基板に対向する基板上に遮光膜が設けられ、前記遮光膜は、前記複数のサブピクセルのそれぞれにおける前記接続部を除いた外周領域の全域に対応して、前記隣接する前記複数のサブピクセル間の領域の平面形状と一致する形状とされていることを特徴とする液晶装置。
9. 請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。

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