JP4529599B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4529599B2
JP4529599B2 JP2004259465A JP2004259465A JP4529599B2 JP 4529599 B2 JP4529599 B2 JP 4529599B2 JP 2004259465 A JP2004259465 A JP 2004259465A JP 2004259465 A JP2004259465 A JP 2004259465A JP 4529599 B2 JP4529599 B2 JP 4529599B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
emitting chip
electrode
reflector member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004259465A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006080124A (ja
Inventor
峰宏 今村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004259465A priority Critical patent/JP4529599B2/ja
Publication of JP2006080124A publication Critical patent/JP2006080124A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4529599B2 publication Critical patent/JP4529599B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法に関するものである。
パネルディスプレイ等の光源として、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)等の発光チップを備えた発光装置が用いられることがある。そのような発光装置においては、光取り出し効率の向上等を目的としてリフレクタと呼ばれる反射部材が設けられる場合が多い。下記特許文献にはリフレクタを備えた発光装置に関する技術の一例が開示されている。
特許第2718339号公報 特許第3319392号公報 特開2001−44513号公報
上述した従来技術においては、発光チップ(LED)の電極と実装基板との電気的な接続部としてワイヤ(あるいはリードフレーム)が用いられている。そのため、発光チップの高輝度化等を目的として発光チップに大電力(大電流)を印加したい場合、ワイヤが大電力に耐えられずに切断してしまう等、その接続部が劣化し易いといった不都合が存在する。また、リフレクタと発光チップとの間にワイヤを配設するためのスペース(隙間)を設ける必要があるため、発光チップが設けられた実装基板に対してリフレクタを実装する場合、実装基板及び発光チップとリフレクタとの位置決めが困難となる可能性がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、発光チップの高輝度化を実現することができ、作業性良く製造可能な発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の発光装置は、第1電極及び第2電極を有し、前記第1電極と前記第2電極とを介して通電されることによって、第1面に設けられた発光領域より光を射出する発光チップを備えた発光装置において、前記発光領域より射出された光を所定方向に反射する反射面を有するリフレクタ部材を備え、前記リフレクタ部材に、前記第1電極と電気的に接続する第1導電部が設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、リフレクタ部材に発光チップの第1電極と電気的に接続する第1導電部を設け、そのリフレクタ部材の少なくとも一部を第1電極との電気的な接続部とすることで、例えばワイヤを用いた接続部構造に比べて、発光チップに大電力を印加しても、接続部の劣化を抑制することができる。したがって、発光チップに大電力を印加することができるため、発光チップの高輝度化を実現することができる。また、リフレクタ部材と発光チップとを直接的に接続することで、第1電極と第1導電部との電気的な接続が得られるため、リフレクタ部材と発光チップとの位置決め作業等を円滑に行うことができる。したがって、発光装置を作業性良く製造することができる。
本発明の発光装置において、前記発光チップは、前記第1面と反対側に設けられ、前記第2電極が設けられた第2面を有し、前記第2面と対向する実装基板に、前記第2電極と電気的に接続する第2導電部が設けられている構成を採用することができる。
本発明によれば、第1面と反対側の第2面に第2電極を設けることで、その第2面と対向する実装基板の第2導電部と第2電極とを円滑に接続して、発光チップを第1電極と第2電極とを介して通電することができる。
本発明の発光装置において、前記リフレクタ部材は、前記第1面の一部と対向する第3面を有し、前記第1導電部は、前記第3面に設けられている構成を採用することができる。
本発明によれば、リフレクタ部材は、発光チップに設けられた第1面と対向する第3面を有しているので、第1面と第3面とを対向するように配置することで、リフレクタ部材に対して発光チップを良好に位置決めした状態で、第3面に設けられた第1導電部と第1面に設けられた第1電極とを良好に接続することができる。
本発明の発光装置において、前記第3面は、前記第1面の周縁領域と対向する構成を採用することができる。
本発明によれば、第3面は第1面の周縁領域と対向するので、第1面に設けられた発光領域を避けて第3面を配置することができる。したがって、発光チップから射出された光を良好に取り出すことができる。
本発明の発光装置において、前記第1電極は、前記第1面の周縁領域に設けられている構成を採用することができる。
本発明によれば、第1面の周辺領域に第1電極を設けたので、第1面の周縁領域に対向する第3面に設けられた第1導電部と第1電極とを、発光領域を避けて良好に接続することができる。
本発明の発光装置において、前記第1導電部は、前記第3面を覆う導電性膜を含む構成を採用することができる。
本発明によれば、第1導電部をリフレクタ部材の第3面上に被覆された導電性膜とすることで、その第1導電部を所望の位置に良好に設けることができる。
本発明の発光装置において、前記リフレクタ部材は、実装基板と対向する第4面を有し、前記第1導電部は、前記第3面と前記第4面との間において連続するように設けられている構成を採用することができる。
本発明によれば、第3面に設けられた第1導電部は、リフレクタ部材のうち、実装基板と対向する第4面にも連続するように設けられているので、第4面の第1導電部と実装基板上の第3導電部とを電気的に接続することで、実装基板からの電力を、第3導電部、第4面の第1導電部、及び第3面の第1導電部を介して、発光チップに印加することができる。
本発明の発光装置において、前記発光チップの第2面と、前記リフレクタ部材の第4面とはほぼ面一である構成を採用することができる。
本発明によれば、発光チップ及びリフレクタ部材のそれぞれのうち、実装基板に対向する第2面及び第4面をほぼ面一としたので、実装基板に対して発光チップ及びリフレクタ部材を実装するときの作業性を向上することができる。
本発明の発光装置において、前記発光チップの第1電極は、前記リフレクタ部材の第1導電部に対してバンプ又は導電性ペーストを介して接続されている構成を採用することができる。
本発明によれば、発光チップの第1電極とリフレクタ部材の第1導電部とはバンプ又は導電性ペーストを介して所謂フリップチップボンディング(フリップチップ実装)によって接続されるので、発光チップとリフレクタ部材とを良好に位置決めした状態で接続できるとともに、実装するときの作業性を向上することができる。また、発光チップとリフレクタ部材とをフリップチップボンディングによって接続することで、たとえ発光チップに対して大電力を印加しても、その接続部の劣化を抑えることができる。したがって、発光チップに大電力を印加することができるので、発光チップの高輝度化を実現することができる。
本発明の発光装置において、前記発光チップ及びリフレクタ部材は、実装基板に対してフリップチップ実装されている構成を採用することができる。
本発明によれば、発光チップ及びリフレクタ部材は実装基板に対してフリップチップ実装されるので、発光チップ及びリフレクタ部材と実装基板とを良好に位置決めした状態で接続できるとともに、実装するときの作業性を向上することができる。また、発光チップ及びリフレクタ部材と実装基板とをフリップチップボンディングによって接続することで、たとえ発光チップやリフレクタ部材に対して大電力を印加しても、その接続部の劣化を抑えることができる。したがって、発光チップに大電力を印加することができるので、発光チップの高輝度化を実現することができる。
本発明の発光装置において、前記第1導電部の表面及び前記第1電極のうち少なくともいずれか一方は、粗面処理されている構成を採用することができる。
本発明によれば、第1導電部の表面あるいは第1電極の表面は粗面処理されているので、第1導電部と第1電極とをバンプや導電性ペースト等の接続用材料を介して接続する際、その接続用材料と第1導電部又は第1電極の表面との接触面積を大きくすることができる。したがって、接着強度を向上することができる。
本発明の発光装置において、前記リフレクタ部材は複数の面を有する多面体であり、前記面どうしの複数の境界のうち少なくとも一部の境界は曲面状である構成を採用することができる。
リフレクタ部材に角部が形成されている場合、その角部における熱の伝導性が低下し、発光チップの発光等に起因する熱がその角部に集中する(こもる)可能性があるが、 本発明によれば、リフレクタ部材の角部に曲面加工を施して、リフレクタ部材に形成される角部を少なくする、あるいは無くすことで、熱がリフレクタ部材の一部に集中することを防止することができる。
本発明の発光装置の製造方法は、第1電極及び第2電極を有し、前記第1電極と前記第2電極とを介して通電されることによって、第1面に設けられた発光領域より光を射出する発光チップを備えた発光装置の製造方法において、前記発光領域より射出された光を所定方向に反射する反射面を有するリフレクタ部材を形成する工程と、前記リフレクタ部材の少なくとも一部に、前記第1電極と電気的に接続する第1導電部を設ける工程とを有することを特徴とする。
本発明によれば、リフレクタ部材を形成した後、そのリフレクタ部材上の少なくとも一部に、発光チップの第1電極と電気的に接続する第1導電部を設けることで、リフレクタ部材上の所望の位置に第1導電部を良好に設けることができる。また、例えばワイヤを用いた接続部構造に比べて、発光チップに大電力を印加しても、接続部の劣化を抑制することができる。したがって、発光チップに大電力を印加することができるため、発光チップの高輝度化を実現することができる。更に、リフレクタ部材と発光チップとを直接的に接続することができるので、リフレクタ部材と発光チップとの位置決め作業等を円滑に行うことができる。したがって、発光装置を作業性良く製造することができる。
本発明の製造方法において、前記発光チップの第1電極と前記リフレクタ部材の第1導電部とをバンプを介して接続する構成を採用することができる。
本発明によれば、発光チップの第1電極とリフレクタ部材の第1導電部とはバンプを介して所謂フリップチップボンディング(フリップチップ実装)によって接続されるので、発光チップとリフレクタ部材とを良好に位置決めした状態で接続できるとともに、実装するときの作業性を向上することができる。また、発光チップとリフレクタ部材とをフリップチップボンディングによって接続することで、たとえ発光チップに対して大電力を印加しても、その接続部の劣化を抑えることができる。したがって、発光チップに大電力を印加することができるので、発光チップの高輝度化を実現することができる。
本発明の製造方法において、前記リフレクタ部材を複数含むシート状部材を形成する工程を有し、前記シート状部材に形成された前記リフレクタ部材のそれぞれに対して前記発光チップを実装した後、該シート状部材を前記リフレクタ部材毎に分割する構成を採用することができる。
本発明によれば、シート状部材にリフレクタ部材を複数形成し、そのシート状部材上のリフレクタ部材のそれぞれに対して発光チップを実装した後、シート状部材をリフレクタ部材毎に切断することで、発光チップを実装されたリフレクタ部材を多数効率良く製造することができる。
本発明の製造方法において、前記実装は、前記発光チップの第1面に設けられた第1電極と、前記リフレクタ部材の第3面に設けられた第1導電部とを接続することを含む構成を採用することができる。
本発明によれば、発光チップの第1面に第1電極を設けておくとともに、リフレクタ部材の第3面に第1導電部を設けておき、それら第1面と第3面とを対向して接近することで、第1面の第1電極と第3面の第1導電部とを作業性良く円滑に接続することができる。
本発明の製造方法において、前記発光チップは、前記第1面と反対側に設けられた第2面を有し、前記リフレクタ部材は、前記発光チップが実装された状態において、第2面とほぼ面一となる第4面を有する構成を採用することができる。
本発明によれば、リフレクタ部材は、発光チップの第2面と面一となる第4面を有しているので、実装基板に対して発光チップ及びリフレクタ部材を実装するときの作業性を向上することができる。
本発明の製造方法において、前記発光チップを実装されたリフレクタ部材を実装基板にフリップチップ実装する構成を採用することができる。
本発明によれば、発光チップ及びリフレクタ部材は実装基板に対してフリップチップ実装されるので、発光チップ及びリフレクタ部材と実装基板とを良好に位置決めした状態で接続できるとともに、実装するときの作業性を向上することができる。また、発光チップ及びリフレクタ部材と実装基板とをフリップチップボンディングによって接続することで、たとえ発光チップやリフレクタ部材に対して大電力を印加しても、その接続部の劣化を抑えることができる。したがって、発光チップに大電力を印加することができるので、発光チップの高輝度化を実現することができる。
本発明の製造方法において、前記発光チップも前記リフレクタ部材と一緒に前記実装基板に実装する構成を採用することができる。
本発明によれば、互いに予め接続されている発光チップとリフレクタ部材とのそれぞれを、実装基板に対して良好に位置決めしつつ効率良く実装することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。更には、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
<発光装置>
発光装置の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図1は本実施形態に係る発光装置1を上方から見た平面図、図2は図1のA−A線断面矢視図、図3は図2中、符号Bで示す領域近傍を拡大した図である。
これらの図において、発光装置1は、発光チップ2と、リフレクタ部材10と、発光チップ2及びリフレクタ部材10を支持する実装基板20とを備えている。発光チップ2は、固体光源である発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)によって構成されており、発光領域3を有する上面4と、その上面4とは反対側の下面14とを備えている。発光チップ2の上面4には第1電極6が設けられ、下面14には第2電極5が設けられている。発光チップ2は、第1電極6と第2電極5とを介して通電されることによって、上面4に設けられた発光領域3より光を射出する。
リフレクタ部材10は、発光チップ2の発光領域3より射出された光を図2中、上方向(Z軸方向)に導くためのものであって、発光領域3より射出された光をZ軸方向に反射する反射面11を有している。リフレクタ部材10の平面視における中央部には、発光チップ2の形状に応じて形成されたほぼ矩形状の開口部12が形成されている。発光チップ2のうち少なくとも発光領域3は開口部12の内側に配置されている。斜面11は、発光チップ2(発光領域3)を囲むように配置されており、発光領域3から外側に向かうにつれて、発光チップ2より離れるように傾斜している。
発光チップ2の下面14に設けられた第2電極5は、実装基板20の上面15と接続している。本実施形態においては、実装基板20は例えば銅等の導電性材料によって形成されており、この実装基板20が第2電極5と電気的に接続する第2導電部として機能している。なお、実装基板20の上面15にこの実装基板20とは別の導電性膜を形成し、この導電性膜を、発光チップ2の第2電極5と電気的に接続する第2導電部として用いてもよい。
リフレクタ部材10のうち、開口部12近傍には段部が形成されており、その段部によって、実装基板20上に設けられている発光チップ2の上面4の一部と対向する対向面7が形成されている。対向面7は、発光チップ2の上面4の周縁領域と対向するように枠状に設けられている。
発光チップ2の上面4の一部には第1電極6が設けられている。第1電極6は、発光チップ2の上面4の周縁領域においてほぼ枠状に設けられている。そして、その発光チップ2の上面4の周縁領域に設けられた第1電極6に対向するリフレクタ部材10の対向面7には、第1電極6と電気的に接続する第1導電部8が設けられている。第1導電部8は、対向面7の一部を覆うように、例えば銅等の導電性材料からなる導電性膜(薄膜)によって形成されている。
また、リフレクタ部材10は、実装基板20と対向する下面9を有している。そして、導電性膜からなる第1導電部8は、その下面9の一部も覆っている。そして、対向面7及び下面9のそれぞれを覆う第1導電部8は、対向面7と下面9との間において連続するように設けられている。すなわち、第1導電部8は対向面7と下面9とを接続する側面9Sも覆っており、対向面7に被覆された第1導電部8と、下面9に被覆された第1導電部9とは、側面9Sに被覆された第1導電部8を介して電気的に接続されている。
実装基板20の上面15には、発光チップ2を囲むように絶縁層22が設けられ、更にその絶縁層22の上層には導電層21が設けられている。絶縁層22によって、導電層21と実装基板20との電気的な絶縁状態が確保されている。
そして、リフレクタ部材10の下面9に設けられた第1導電部8と、実装基板20上に設けられた導電層21とが接触しており、それら第1導電部8と導電層21とが電気的に接続されている。したがって、導電層21と、発光チップ2の第1電極6とが、第1導電部8を介して電気的に接続されている。
発光チップ2の上面4の一部に設けられた第1電極6と、リフレクタ部材10の対向面7に設けられた第1導電部8とは、バンプや導電性ペースト(銀ペースト)等の導電性接着剤を介して電気的に接続されている。また、発光チップ2の下面14に設けられた第2電極5と実装基板20の上面15とが、バンプや導電性ペースト(銀ペースト)等の導電性接着剤を介して電気的に接続されているとともに、リフレクタ部材10の下面9に設けられた第1導電部8と、実装基板20上に設けられた導電層21とが、バンプや導電性ペースト(銀ペースト)等の導電性接着剤を介して電気的に接続されている。また、発光チップ2の下面14と、リフレクタ部材10の下面9とはほぼ面一となっている。
図4は、第1電極6と第1導電部8との接続部近傍の拡大断面図である。図4に示すように、第1導電部8の表面(第1電極6と対向する面)は、粗面処理されている。本実施形態においては、粗面処理として、第1導電部8の表面(下面)には多数のV溝が形成されている。なお粗面処理としては、図5に示すように、断面視矩形状の四角溝であってもよい。あるいは、サンドブラストに基づく手法によって粗面処理が施されていてもよい。また、第1導電部8のみならず、第1電極6の表面(第1導電部8と対向する面)が粗面処理されていてもよいし、第1電極6のみが粗面処理されていてもよい。第1導電部8及び第1電極6のうち少なくとも上記接続用材料(銀ペースト等)と接触する領域を粗面処理しておくことで、その接続用材料と第1導電部8(第1電極6)の表面との接触面積を大きくすることができ、接着強度を向上することができる。
なお、本実施形態における発光チップ2は、pn接合部に電流が流れると発光するダイオード(LED)である。同じ半導体材料を接合したホモ接合型のLEDでは、発光部に注入されたキャリアに対する障壁がないため、キャリアが半導体中の拡散距離にまで広がってしまう。これに対して、異なる半導体材料を接合したヘテロ接合型のLEDでは、キャリアに対する障壁を構造中に作りこむため、発光部に注入されるキャリアの密度を大幅に増大させることができる。特に、クラッド層の間に発光層を挟み込んだダブルヘテロ接合型のLEDでは、発光層の幅が狭いほどキャリア密度を高めることが可能になり、内部量子効率を向上させることができる。一方、ホモ接合型のLEDでは、外界に接する材料と発光部の材料とが同じであるため、発光光が自分自身の材料で吸収されてしまう。これに対して、ダブルヘテロ接合型のLEDでは、バンドギャップの広い材料からなるクラッド層の間にバンドギャップの狭い材料からなる発光層が挟み込まれているので、自己吸収が減少して発光光の取り出し効率を向上させることができる。したがって、発光効率に優れたダブルヘテロ接合型のLEDを採用することが望ましい。
また、発光チップ2として、赤色の発光光を射出するものを用いる場合には、ガリウムヒ素(GaAs)等の基板上に、AlGaInP系の化合物半導体結晶を成長させることによって形成する。なお、GaAs基板は可視光を吸収するため、LEDの発光光の取り出し効率の向上に限界がある。そこで、本実施形態における発光チップ2では、半導体結晶を成長させた後にGaAs基板を取り除き、発光波長に対して透明なガリウムリン(GaP)基板を高温高圧化で貼り付けることが望ましい。そして、n−GaPからなるクラッド層と、p−GaPのクラッド層との間に、AlGaInPの発光層を挟み込んだダブルヘテロ接合構造を採用する。また、発光チップ2として、青色あるいは緑色の発光光を射出するものを用いる場合には、サファイヤ(Al)等の基板の表面に、GaInN系の化合物半導体結晶を成長させることによって形成する。そして、n−GaNからなるクラッド層と、p−GaNからなるクラッド層との間に、InGaNからなる発光層を挟み込んだダブルヘテロ接合構造を採用することが好ましい。
上述した構成を有する光源装置1においては、実装基板20上の導電層21より第1導電部8を介して第1電極6に電流が印加されるとともに、実装基板20の上面15より第2電極5に電流が印加されると、第1電極6及び第2電極5を介して発光チップ2に通電が生じ、これにより発光チップ2の発光領域3から光が射出される。
ここで、第1電極6には、第1導電部8を介して電流が印加される。このような第1導電部8は、従来の光源装置に備えられていたワイヤよりも格段に広い面積を有しており、第1電極6と第1導電部8との接触面積は十分に大きいため、より大きな電流を流すことができる。したがって、本実施形態における光源装置1においては、発光チップ2の大電流駆動が可能となり、発光量が多く、高輝度な光源装置1を実現できる。同様に、第2電極5と実装基板(第2導電部)20との接触面積も十分に大きく形成されており、大電流駆動が可能である。また、本実施形態の光源装置1においては、上述のようにワイヤの代わりに、発光チップ2の上面4の周縁領域に設けられた第1電極6に対して、その上面4の周縁領域に対向する対向面7に設けられた第1導電部8を介して、電流が印加されている。すなわち、従来、発光光の光路上に配置されていたワイヤが配置されていない。このため、照明光の照度分布が不均一化されることを防止することができる。
また、本実施形態の光源装置1においては、実装基板20が導電性の高い金属材料(Cu)によって形成されるとともに、発光チップ2の第2電極5に電流を印加する第2導電部として機能するため、発光チップ2の熱量が実装基板20を介して効率的に放熱される。このため、発光チップ2の温度上昇を抑止することができる。したがって、発光チップ2の大電流駆動が可能となり、より発光量の多い光源装置1となる。
そして、発光チップ2の発光領域3から射出された光のうち、+Z方向に射出された光は、そのまま+Z方向に射出される。また、発光チップ2の発光領域3から射出された光のうち、斜方に射出された光は、リフレクタ部材10の反射面11で反射することによって平行光化されて+Z方向に導かれる。また、発光チップ2の発光領域3から射出された光のうち、発光チップ2内を導波し発光チップ2の下面14から射出された光は、発光チップ2の下面14に配置された反射膜として機能する第2電極5によって反射され、再び発光チップ2内を導波し、+Z方向に射出される。このように、本実施形態の光源装置1においては、発光チップ2の下面14に反射膜として機能する第2電極5が配置されているため、光の取り出し効率を向上させることが可能となる。
なお、上述した実施形態においては、第1電極6は、発光チップ2の上面4において、発光領域3以外の領域の周縁領域に枠状に設けられているが、第1電極6を、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の透光性を有する導電性材料によって形成することにより、発光チップ2の発光領域3を含む例えば上面4全域に設けることも可能である。このような構成とすることにより、発光チップ2の上面4に均一に電流が印加され、発光チップ2から均一な照度分布の発光光を得ることができる。したがって、光源装置1の照明光の照度分布がより均一化される。
なお、上述した実施形態においては、リフレクタ部材10の反射面11は4つの斜面によって構成されているが、これに限定されるものではなく、例えば、斜面11はすり鉢状に形成されてもよい。
なお、上述した実施形態においては、第1電極6に電流を印加する第1導電部8は、リフレクタ部材10の下面9や対向面7等に導電性材料を被覆することで形成された膜であるが、リフレクタ部材10全体を導電性材料で形成し、そのリフレクタ部材10全体を第1導電部8として用いてもよい。
<製造方法>
次に、上述した構成を有する発光装置1の製造方法について説明する。まず、図6に示すような、複数のリフレクタ部材10を含んで構成されるシート状部材50が形成される。なお図6においては、リフレクタ部材10の下面9が、図中、上を向いている。そして、下面9、側面9S、及び対向面7を連続するように、それら下面9、側面9S、及び対向面7のそれぞれの一部の領域に導電性材料が被覆され、薄膜状の第1導電部8が形成される。ここで、シート状部材50としては、ほぼ平坦な板状部材であってもよいし、ロール状に巻かれたものであってもよい。
次に、図7に示すように、シート状部材50に形成されたリフレクタ部材10のそれぞれに対して、発光チップ2が実装される。発光チップ2は、その上面4の一部(周縁領域)に設けられた第1電極6と、リフレクタ部材10の対向面7に設けられた第1導電部8とを接続するように、リフレクタ部材10の段差の内側に実装される。ここで、上述したように、第1電極6と第1導電部8との間には、バンプや接続用材料(銀ペーストなどの導電性ペースト)等が介在しており、それらバンプや接続用材料を介して、発光チップ2の第1電極6とリフレクタ部材10の第1導電部8とが接続される。すなわち本実施形態においては、シート状部材50をプリント配線板として見た場合、発光チップ2は、そのシート状部材50(リフレクタ部材10)に対してフリップチップ実装されることになる。また、リフレクタ部材10に対して実装された発光チップ2の下面14(第2電極5の表面を含む)と、そのリフレクタ部材10の下面9(第1導電部8の表面を含む)とは、ほぼ面一となる。
発光チップ2の第1電極6とリフレクタ部材10の第1導電部8とを電気的に接続するために、リフレクタ部材10に対して発光チップ2をフリップチップ実装することで、発光チップ2とリフレクタ部材10とを良好に位置決めしつつ、実装することができる。また、シート状部材50にリフレクタ部材10を複数形成し、そのシート状部材50上のリフレクタ部材10のそれぞれに対して発光チップ2を実装した後、シート状部材50をリフレクタ部材10毎に切断することで、発光チップ2を実装されたリフレクタ部材10を多数効率良く製造することができる。
シート状部材50を構成するリフレクタ部材10のそれぞれに対して発光チップ2がフリップチップ実装された後、そのシート状部材50は、リフレクタ部材10毎に分割(ダイシング)される。そして、図8に示すように、発光チップ2を実装されたリフレクタ部材10は、実装基板20に、発光チップ2と一緒にフリップチップ実装される。リフレクタ部材10を実装基板20に実装する際、バンプや導電性ペースト(銀ペースト)等の導電性接着剤を介して、リフレクタ部材10(発光チップ2)と実装基板20とが電気的に接続される。これにより、実装基板20の上面15と発光チップ2の第2電極5とが電気的に接続されるとともに、実装基板20上の導電層21とリフレクタ部材10の下面9の第1導電部8とが電気的に接続される。このとき、リフレクタ部材10に対して実装された発光チップ2の下面14(第2電極5の表面を含む)と、そのリフレクタ部材10の下面9(第1導電部8の表面を含む)とはほぼ面一であるため、実装基板20に対して発光チップ2及びリフレクタ部材10を一緒に実装するときの作業性を向上することができる。また、発光チップ2及びリフレクタ部材10は実装基板20に対してフリップチップ実装されるので、発光チップ2及びリフレクタ部材10と実装基板20とを良好に位置決めした状態で接続できるとともに、実装するときの作業性を向上することができる。
このように、リフレクタ部材10を形成した後、そのリフレクタ部材10上の少なくとも一部に、発光チップ2の第1電極6と電気的に接続する第1導電部8を設ける構成とすることで、リフレクタ部材10上の所望の位置に第1導電部を良好に設けることができる。また、発光チップ2とリフレクタ部材10とをフリップチップボンディングによって接続することで、発光チップ2の第1電極6とリフレクタ部材10の第1導電部8との間においては大きな接触面積を得ることができる。同様に、発光チップ2及びリフレクタ部材10を実装基板20に対してフリップチップ実装することで、発光チップ2の第2電極5と実装基板20の上面15との間においても大きな接触面積を得ることができ、リフレクタ部材10の第1導電部8と実装基板20上の導電部21との間においても大きな接触面積を得ることができる。したがって、大電流駆動を実現可能とし、発光チップ2の高輝度化を実現することができる。
ところで、上述した実施形態において、リフレクタ部材10は複数の面を有する多面体である。そこで、図9に示すように、前記面どうしの複数の境界のうち少なくとも一部の境界を曲面状に形成することができる。図9に示す例では、対向面7と側面9Sとの境界が曲面加工されて曲面状となっている。発光装置1においては、発光チップ2の側面からも光が射出される可能性があり、リフレクタ部材10の側面9S近傍は、その発光チップ2の側面から射出された光の照射によって温度上昇する可能性がある。ここで、リフレクタ部材10に角部が形成されていると、その角部近傍における熱伝導性は他の部分の熱伝導性よりも低い場合が多いため、発光チップ2からの光の照射による熱がその角部に集中する(こもる)可能性がある。ところが、図9に示したように、リフレクタ部材10の角部に曲面加工を施して、発光チップ2の側面から射出された光が照射される位置近傍でのリフレクタ部材10の角部を無くす(あるいは少なくする)ことで、熱がこもることを防止でき、光源装置1の温度上昇を抑止することが可能となる。
<プロジェクタ>
図10は、本実施形態に係る光源装置を備えたプロジェクタの概略構成図である。図10において、プロジェクタ500は、上述した実施形態のような光源装置512,513,514と、液晶ライトバルブ(光変調素子)522,523,524と、クロスダイクロイックプリズム525と、投写レンズ526とを備えている。
光源装置512,513,514のそれぞれには、それぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)に発光するLEDが採用されている。また、各光源装置512,513,514には、各々に対応する集光レンズ535が配置されている。
そして、赤色光源装置512からの光束は、集光レンズ535Rを透過して反射ミラー517で反射され、赤色光用液晶ライトバルブ522に入射する。また、緑色光源装置513からの光束は、集光レンズ535Gを透過して緑色光用液晶ライトバルブ523に入射する。また、青色光源装置514からの光束は、集光レンズ535Bを透過して反射ミラー516で反射され、青色光用液晶ライトバルブ524に入射する。
また、各液晶ライトバルブの入射側及び射出側には、偏光板(不図示)が配置されている。そして、各光源からの光束のうち所定方向の直線偏光のみが入射側偏光板を透過して、各液晶ライトバルブに入射する。また、入射側偏光板の後方に偏光変換手段(不図示)を設けてもよい。この場合、入射側偏光板で反射された光束をリサイクルして各液晶ライトバルブに入射させることが可能になり、照明光(発光光)の利用効率を向上させることができる。
各液晶ライトバルブ522,523,524によって変調された3つの色光は、クロスダイクロイックプリズム525に入射する。このプリズムは4つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投写レンズ526により投写スクリーン527上に投写され、拡大された画像が表示される。
上述した本実施形態の光源装置1では、照明光の照度分布が均一化されるとともに、平行光化された照明光が射出される。このため、プロジェクタの光源として適した光源装置となる。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る光源装置の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、上述した実施形態においては、発光チップ2としてLEDを例にして説明したが、発光チップ2としては、面発光レーザ(VCSEL)を用いることもできる。すなわち、本発明に適用可能な発光チップ2としては、所定面(第1面)に発光領域を有する面発光型のチップ(素子)について適用可能である。
本発明の発光装置の一実施形態を示す平面図である。 図1のA−A線断面矢視図である。 図2の要部拡大図である。 第1電極と第1導電部との接続部近傍の一例を示す拡大図である。 第1電極と第1導電部との接続部近傍の他の例を示す拡大図である。 発光装置の製造工程の一例を説明するための図である。 発光装置の製造工程の一例を説明するための模式図である。 発光装置の製造工程の一例を説明するための模式図である。 発光装置の他の実施形態を示す模式図である。 発光装置の適用例を示す図であって、プロジェクタを示す模式図である。
符号の説明
1…発光装置、2…発光チップ、3…発光領域、4…上面(第1面)、5…第2電極、6…第1電極、7…対向面(第3面)、8…第1導電部、9…下面(第4面)、10…リフレクタ部材、11…反射面、12…開口部、14…下面(第2面)、15…上面(第2導電部)、20…実装基板(第2導電部)

Claims (1)

  1. 第1電極及び第2電極を有し、前記第1電極と前記第2電極とを介して通電されることによって、第1面に設けられた発光領域より光を射出する発光チップを備えた発光装置の製造方法であって、
    前記発光チップの厚みと略同様の深さの収納凹部と前記収納凹部に開口部とを有する複数のリフレクタ部材を含んで構成される板状部材を形成する工程と、
    前記複数のリフレクタ部材のそれぞれの一部の領域導電材料が被覆され、前記第1電極と電気的に接続する薄膜状の第1導電部を形成する工程と、
    前記第1電極と前記第1導電部とを電気的に導通するようそれぞれの前記複数のリフレクタ部材の前記収納凹部に対して、前記発光チップを位置決めしつつフリップチップ実装する工程と、
    前記板状部材を前記リフレクタ部材毎に分割する工程と、
    前記発光チップを実装したリフレクタ部材を実装基板にフリップチップ実装する工程と、を有し、
    前記板状部材を形成する工程では、前記リフレクタ部材の収納凹部を構成する側面と対向面との一部の境界を曲面加工することを含む、
    ことを特徴とする発光装置の製造方法。
JP2004259465A 2004-09-07 2004-09-07 発光装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4529599B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004259465A JP4529599B2 (ja) 2004-09-07 2004-09-07 発光装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004259465A JP4529599B2 (ja) 2004-09-07 2004-09-07 発光装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006080124A JP2006080124A (ja) 2006-03-23
JP4529599B2 true JP4529599B2 (ja) 2010-08-25

Family

ID=36159362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004259465A Expired - Fee Related JP4529599B2 (ja) 2004-09-07 2004-09-07 発光装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4529599B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4655029B2 (ja) * 2006-11-20 2011-03-23 パナソニック株式会社 発光装置および半導体発光素子の製造方法
US8338317B2 (en) 2011-04-06 2012-12-25 Infineon Technologies Ag Method for processing a semiconductor wafer or die, and particle deposition device
KR100999733B1 (ko) * 2010-02-18 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101969985B1 (ko) * 2015-01-16 2019-04-17 이우필 리플렉터, 리플렉터가 결합된 엘이디패키지 및 그 제조방법
KR101768371B1 (ko) * 2016-04-20 2017-08-16 조성은 표면 실장을 통한 리플렉터와 발광소자의 패키지 구조
JP7231809B2 (ja) * 2018-06-05 2023-03-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI662724B (zh) * 2018-06-06 2019-06-11 海華科技股份有限公司 覆晶式發光模組

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11261110A (ja) * 1998-03-13 1999-09-24 Omron Corp 発光装置およびそれに用いられる上面電極接続部材
JP2004014993A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Seiko Epson Corp 面発光型発光素子およびその製造方法、面発光型発光素子の実装構造、光モジュール、光伝達装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006080124A (ja) 2006-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100776853B1 (ko) 광원 장치 및 프로젝터
JP6133040B2 (ja) 発光素子及び発光素子パッケージ
US9207389B2 (en) Light emitting module and illumination system including the same
JP6328420B2 (ja) 発光素子
KR20150056055A (ko) 발광장치
US20140167092A1 (en) Optoelectronic assembly and method for producing an optoelectronic assembly
US20190207071A1 (en) Radiation-emitting component
JP2014090191A (ja) 発光装置
KR101707532B1 (ko) 발광 소자
JP4529599B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
US20210351324A1 (en) Light-emitting element and image displaying apparatus
JP2007059781A (ja) サブマウント付発光素子および発光装置
US9281450B2 (en) Method for manufacturing LED die
CN215933632U (zh) 单元像素及显示装置
JP2003188424A (ja) 表面実装型発光ダイオード
JP2005093701A (ja) 光源装置およびプロジェクタ
JP2023528076A (ja) 発光素子を有するユニットピクセル及びディスプレイ装置
JP4124129B2 (ja) 光源装置及びプロジェクタ
CN116114075A (zh) 具有发光元件的单元像素及显示装置
JP2015185685A (ja) 発光装置の製造方法及び照明装置
JP4947569B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP5197368B2 (ja) 発光装置
JP2006086172A (ja) 光源装置及びその冷却方法、並びに画像表示装置
JP2005129799A (ja) 光源装置及びプロジェクタ
JP2017211543A (ja) 光源装置およびプロジェクター

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20061229

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090821

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090908

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20090918

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091023

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20091023

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100202

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100414

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100518

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100531

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4529599

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees