JP4532001B2 - ガスセンサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、内燃機関の排気ガス等に含まれる窒化酸化物等のガスを測定するための、酸素イオン伝導性固体電解質を用いたガスセンサに関する。更に詳しくは、ガスセンサを短時間で使用可能にするとともに、酸素イオン伝導性固体電解質及び制御回路等のの破壊を防ぐガスセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】
窒素酸化物の濃度を検出するためのガスセンサとして、酸素イオン伝導性固体電解質層に電極を設けた酸素イオンポンプセルを2基使用したガスセンサがある。このガスセンサは被測定ガスを、図1に示すガスセンサ素子の第1拡散通路41を介して第1測定室21に導入し、且つ、第1測定室21の第1電極311、312に電圧を印加して、第2測定室22入り口の酸素濃度を一定にするように酸素を素子外へ汲み出す。尚、この汲み出しによって一酸化窒素等の窒化酸化物も幾らか分解される。
【0003】
更に、第2測定室22の第2電極321、322に電圧を印加して、第1測定室21の被測定ガスが第2拡散通路42を介して流入する第2測定室22内の酸素を汲み出すとともに、窒化酸化物を分解する。このとき、第2測定室22の第2電極321、322に流れる電流Ip2は、窒化酸化物の濃度に比例する。このため、電流Ip2から窒化酸化物濃度を算出するとともに、第1測定室21の第1電極311、312に流れる電流Ip1を用いた補正を行うことで、正確な窒化酸化物濃度を求めることができる。
【0004】
また、このセンサ素子は酸素イオン伝導性固体電解質を用いているため、この固体電解質が電解質として機能する温度域(例えば500〜900℃)で使用することが必要であり、温度域以外に電位差がある場合は、無理にポンプとして機能しようとした結果、素子破壊が起きる場合があった。このため、昇温中は素子破壊を防ぐために、第2電極321、322に電圧を印加しないことで、電位差を生じないようにしていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、第2電極321、322に電圧を印加することなく昇温を行うと、自然に生じた電位差によって第2測定室22側に酸素が汲みこまれる場合があり、昇温後、酸素を余分に汲み出す必要が生じて、使用できない時間が増えることがあった。
本発明は、このような問題点を解決するものであり、昇温中に第2測定室へ酸素が汲みこまれることがなく、短時間で使用可能となり、素子破壊が起きることがないガスセンサを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明のガスセンサは、拡散通路を介して測定ガスを拡散できる少なくとも1つの測定室と、該測定室に面して酸素イオン伝導性固体電解質体からなる少なくとも1つのポンプセルを具備し、該ポンプセルに電流を流すことで酸素を測定室内外へポンピングし、その時に流れる電流値から測定ガス中の被検出ガス濃度を測定するガスセンサであって、該ポンプセルに流れる電流を該測定室内から酸素を汲み出す方向に流し、該方向とは逆の方向に流れる電流を抑制する逆電流抑制手段を備え、上記ポンプセルがポンピング可能である活性状態にあるかを判定する判定手段を備え、上記逆電流抑制手段は該判定手段の結果が未活性状態であれば上記測定室内へ酸素を汲み入れる方向に流れる電流を抑制することを特徴とする。
【0009】
また、本ガスセンサは、拡散通路を介して測定ガスを拡散できる第1及び第2測定室と、該第1及び第2測定室に面して酸素イオン伝導性固体電解質体からなる第1及び第2ポンプセルを具備し、該第1ポンプセルは該第1測定室に面し、該第2ポンプセルは該第2測定室に面し、該第1測定室は拡散抵抗下で周囲の測定ガスと連通し、該第2測定室は拡散抵抗下で該第1測定室と連通し、該第1ポンプセルによって該第1測定室中の酸素濃度を制御することで、第2測定室に流入する酸素量を所定量に制御し、該第2ポンプセルによって該第2測定室中の酸素濃度を制御することで、該第2測定室に流入する被検出ガス濃度を測定するガスセンサであって、該第2ポンプセルに流れる電流を該第2測定室内から酸素を汲み出す方向に流し、該方向とは逆の方向に流れる電流を抑制する逆電流抑制手段を備え、上記第2ポンプセルがポンピング可能である活性状態にあるかを判定する判定手段を備え、上記逆電流抑制手段は該判定手段の結果が未活性状態であれば上記第2測定室内へ酸素を汲み入れる方向に流れる電流を抑制することを特徴とする。
【0010】
上記「逆電流抑制手段」は、酸素イオン伝導性固体電解質体や制御回路の各素子に逆電流が流れ、素子破壊を防ぐ為の手段である。この手段は任意に選択することができる。つまり、上記逆電流抑制手段は、ダイオードとしたり、直流電源を用いることを挙げることができる。
また、トランジスタや電界効果トランジスタ等の制御素子としてもよいし、制御回路の各素子内に一体として備えることもできる。
また、上記直流電源の電圧は10〜200mV(特に20〜120mV、更に好ましくは30〜100mV)が好ましい。電位の範囲が10mV未満では、十分な抑止効果が得られず第2測定室に酸素が汲みこまれる恐れがあるし、200mVを超えると、無理に第2測定室から酸素を汲み出すほどの電位となって、固体電解質積層の破壊を起こす恐れが生じるからである。
【0011】
更に、このようなガスセンサは、上記ポンプセルがポンピング可能である活性状態にあるかを判定する判定手段を備え、上記逆電流抑制手段は該判定手段の結果が未活性状態であれば上記逆の方向に流れる電流を抑制することができる。
この活性状態の判断は任意の方法で行うことができるが、動作可能温度未満であれば未活性状態とし、動作可能温度以上であれば活性状態とすることを例示できる。
尚、上記測定ガスは窒素酸化物等とすることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のガスセンサに関する実施例により本発明を更に詳しく説明する。本ガスセンサは、ガソリンエンジン等の内燃機関の排気管に接続され、排気ガス中の窒化酸化物ガス濃度を測定するために用いられる。
【0013】
〔実施例1〕
本実施例1のガスセンサは、逆電流抑制手段にダイオードを用いたガスセンサである。本ガスセンサに用いられるガスセンサ素子は、図1に示すように、対向する2枚のヒータ61、62と、ヒータ61、62の間に設けられる、薄膜状ジルコニアからなる第1固体電解質層11、第2固体電解質層12及び第3固体電解質層13を備える。また、各固体電解質層11、12、13の間には、それぞれアルミナからなる絶縁層51、52が挟まれている。
第1固体電解質層11及び第2固体電解質層12の間には空隙とした第1測定室21が設けられている。また、第2固体電解質層12及び第3固体電解質層13の間には、第2測定室22と、絶縁層52内に形成される基準酸素室23とが設けられている。
更に、第1測定室21は、連通孔を設けた絶縁層41である第1拡散通路41を介して外気に通じる。また、第2測定室22は、第2固体電解質層12に設けられた第2拡散通路42を介して第1測定室21に接続されている。
【0014】
第1固体電解質層11の表裏面上には第1電極(P1)が設けられており、第1ポンプセルとして機能する。このうち、陽極側である第1電極311(P1+)はヒータ61側であり、陰極側である第1電極312(P1-)は第1測定室21内に位置する。
また、第3固体電解質層13の表面上には第2電極(P2)が設けられており、第2ポンプセルとして機能する。このうち、陽極側である第2電極321(P2+)は基準酸素室23内、陰極側である第2電極322(P2-)は第2測定室22内に位置する。
更に、第2固体電解質層12の表裏面上には基準電極(S)が設けられている。このうち、陽極側である基準電極331(S+)は基準酸素室23内、陰極側である基準電極332(S-)は第1測定室21内に位置する。
【0015】
図2に本実施例1のガスセンサ素子の制御回路図を示す。第1電極312(P1-)、第2電極322(P2-)及び基準電極332(S-)は互いに接続され、オペアンプ71の入力側、PID(比例積分微分)素子73の出力側に接続されている。
また、第1電極311(P1+)はオペアンプ71の出力側に、第2電極321(P2+)は、逆電流抑制手段であるダイオード8を介してオペアンプ72の出力側に、そして基準電極331(S+)はPID73の入力側に接続されている。
【0016】
次いで、上記ガスセンサ素子及びその制御回路を用いたガスセンサの昇温時の動作を説明する。
各固体電解質層11、12、13を活性化し、ガスセンサ素子を使用可能な温度域にするには、ヒータ61、62を通電し、ガスセンサ素子の温度が500〜900℃に達するまで加熱する。
【0017】
ガスセンサ素子の昇温時に第2電極(P2)に電位を掛けないことで、第2測定室22に酸素が汲みこまれるのを防止することができる。このため、活性後は早期に第2測定室22の酸素濃度を低減させ、窒素酸化物濃度を求めることができる。更に、オペアンプ72の出力先に逆電流抑制手段であるダイオード8を設けたため、第2測定室22に酸素が汲みこむ方向に電流が流れるのを防止することができるとともに、オペアンプ72の破壊を防止することができる。
【0018】
尚、各固体電解質層11、12、13が活性化し、使用可能な温度域に達した後は、第1電極(P1)、第2電極(P2)に通常の印加を行い、窒素酸化物濃度を求めることができる。また、第1電極(P1)311、312間では、400mV程度の電位差があるため、窒素酸化物も20〜30%程度分解される。
【0019】
〔実施例2〕
本実施例2のガスセンサは、逆電流抑制手段に定電圧電源を用いたガスセンサである。本ガスセンサに用いられるガスセンサ素子は図1に示すように、実施例1と同じ構成である。
【0020】
図3に本実施例1のガスセンサ素子の制御回路図を示す。第1電極312(P1-)、第2電極322(P2-)及び基準電極332(S-)は互いに接続され、オペアンプ71の入力側、PID(比例積分微分)素子73の出力側、及び定電圧電源82の入力側に接続されている。
また、第1電極311(P1+)はオペアンプ71の出力側に、第2電極321(P2+)は、定電圧電源82及びオペアンプ72の出力側に、そして基準電極331(S+)はPID素子73の入力側に接続されている。
【0021】
次いで、上記ガスセンサ素子及びその制御回路を用いたガスセンサの昇温時の動作を説明する。
各固体電解質層11、12、13を活性化し、ガスセンサ素子を使用可能な温度域にするには、ヒータ61、62を通電し、ガスセンサ素子の温度が500〜900℃に達するまで加熱する。
また、第2電極(P2)には、定電圧電源82を用いて、酸素が該基準酸素室側へ移動する極性の電位を印加する。つまり、第2電極321(P2+)が正、第2電極322(P2-)が負となるように、40〜70mVの電位をかける。
【0022】
ガスセンサ素子の昇温時に第2電極(P2)にポンピングが起きない程度の電位を掛けることで、第2電極(P2)間の電位によるポンプ作用が起きず、第2測定室22に酸素が汲みこまれるのを防止することができる。このため、活性後は早期に第2測定室22の酸素濃度を低減させ、窒素酸化物濃度を求めることができる。また、印加する電位は、酸素の汲み出しに必要な電位より低い200mV以下の40〜70mVであるため、実際には酸素の移動が抑制され、固体電解質の破壊を防止することができる。
【0023】
〔実施例3〕
本実施例3のガスセンサは、第2ポンプセルの電圧印加用の電源自体を逆電流抑制手段として用いたガスセンサである。本ガスセンサに用いられるガスセンサ素子は図1に示すように、実施例1と同じ構成である。
【0024】
図4に本実施例1のガスセンサ素子の制御回路図を示す。第1電極312(P1-)、第2電極322(P2-)及び基準電極332(S-)は互いに接続され、オペアンプ71の入力側、PID(比例積分微分)素子73の出力側に接続されている。
また、第1電極311(P1+)はオペアンプ71の出力側に、第2電極321(P2+)はオペアンプ72の出力側に、そして基準電極331(S+)はPID素子73の入力側に接続されている。
【0025】
次いで、上記ガスセンサ素子及びその制御回路を用いたガスセンサの昇温時の動作を説明する。
各固体電解質層11、12、13を活性化し、ガスセンサ素子を使用可能な温度域にするには、ヒータ61、62を通電し、ガスセンサ素子の温度が500〜900℃に達するまで加熱する。
また、第2電極(P2)には、定電圧源Vref2及びオペアンプ72を用いて、酸素が該基準酸素室側へ移動する極性の電位を印加する。つまり、第2電極321(P2+)が正、第2電極322(P2-)が負となるように、40〜70mVの電位をかける。
【0026】
ガスセンサ素子の昇温時に第2電極(P2)にポンピングが起きない程度の電位を掛けることで、第2電極(P2)間の電位によるポンプ作用が起きず、第2測定室22に酸素が汲みこまれるのを防止することができる。このため、活性後は早期に第2測定室22の酸素濃度を低減させ、窒素酸化物濃度を求めることができる。また、印加する電位は、酸素の汲み出しに必要な電位より低い200mV以下の40〜70mVであるため、実際には酸素の移動が抑制され、固体電解質の破壊を防止することができる。
【0027】
尚、本発明においては、上記実施例に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した態様とすることができる。即ち、ガスセンサ素子の制御回路に用いられている逆電流抑制手段は、図2に示すダイオード8に限らず、任意の素子を用いることができる。また、オペアンプ72内に一体として備えることができる。更に、必要に応じてオペアンプ71及びPID73に逆電流抑制手段を設けることができる。また、本実施例で検知するガスの種類は、窒素酸化物ガスのみとしたが、電極Sを酸素濃度検出用として用い、酸素及び窒素酸化物ガス濃度を求めることができる。
【0028】
【発明の効果】
本発明のガスセンサによれば、ガスセンサ素子の昇温中に第2測定室に酸素が汲みこまれることが無く、短時間で使用可能にすることができる。また、ガスセンサ素子の素子破壊を防ぐことができる。更に、ガスセンサ素子昇温時に制御回路の破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施例のガスセンサに用いるガスセンサ素子の構造を説明するための断面図である。
【図2】本実施例1のガスセンサの制御回路を説明するための回路図である。
【図3】本実施例2のガスセンサの制御回路を説明するための回路図である。
【図4】本実施例2のガスセンサの制御回路を説明するための回路図である。
【符号の説明】
11;第1固体電解質層、12;第2固体電解質層、13;第3固体電解質層、21;第1測定室、22;第2測定室、23;基準酸素室、311;第1電極(P1+)、312;第1電極(P1-)、321;第2電極(P2+)、322;第2電極(P2-)、331;基準電極(S+)、332;基準電極(S-)、41;第1拡散通路、42;第2拡散通路、51、52;絶縁層、61、62;ヒータ、71、72;オペアンプ、73;PID素子、81;ダイオード、82;定電圧電源。
Claims (6)
- 拡散通路を介して測定ガスを拡散できる少なくとも1つの測定室と、該測定室に面して酸素イオン伝導性固体電解質体からなる少なくとも1つのポンプセルを具備し、該ポンプセルに電流を流すことで酸素を測定室内外へポンピングし、その時に流れる電流値から測定ガス中の被検出ガス濃度を測定するガスセンサであって、
該ポンプセルに流れる電流を該測定室内から酸素を汲み出す方向に流し、該方向とは逆の方向に流れる電流を抑制する逆電流抑制手段を備え、
上記ポンプセルがポンピング可能である活性状態にあるかを判定する判定手段を備え、上記逆電流抑制手段は該判定手段の結果が未活性状態であれば上記測定室内へ酸素を汲み入れる方向に流れる電流を抑制することを特徴とするガスセンサ。 - 拡散通路を介して測定ガスを拡散できる第1及び第2測定室と、該第1及び第2測定室に面して酸素イオン伝導性固体電解質体からなる第1及び第2ポンプセルを具備し、
該第1ポンプセルは該第1測定室に面し、該第2ポンプセルは該第2測定室に面し、該第1測定室は拡散抵抗下で周囲の測定ガスと連通し、該第2測定室は拡散抵抗下で該第1測定室と連通し、該第1ポンプセルによって該第1測定室中の酸素濃度を制御することで、第2測定室に流入する酸素量を所定量に制御し、該第2ポンプセルによって該第2測定室中の酸素濃度を制御することで、該第2測定室に流入する被検出ガス濃度を測定するガスセンサであって、
該第2ポンプセルに流れる電流を該第2測定室内から酸素を汲み出す方向に流し、該方向とは逆の方向に流れる電流を抑制する逆電流抑制手段を備え、
上記第2ポンプセルがポンピング可能である活性状態にあるかを判定する判定手段を備え、上記逆電流抑制手段は該判定手段の結果が未活性状態であれば上記第2測定室内へ酸素を汲み入れる方向に流れる電流を抑制することを特徴とするガスセンサ。 - 上記逆電流抑制手段は、ダイオードである請求項1又は2記載のガスセンサ。
- 上記逆電流抑制手段は、直流電源である請求項1又は2記載のガスセンサ。
- 上記直流電源の電圧は10〜200mVである請求項4記載のガスセンサ。
- 上記測定ガスは窒素酸化物である請求項1乃至5のいずれか一項に記載のガスセンサ。
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