JP4557568B2 - Ｍｇ蒸着方法 - Google Patents

Description

本発明は、Ｍｇ（マグネシウム）合金製の被蒸着体（基板）に、Ｍｇの膜を真空蒸着により形成するＭｇ蒸着方法に関する。

Ｍｇ合金は実用金属材料中でもっとも軽量で比強度も高いため、構造体の軽量化に最適な材料である。その一方、Ｍｇ合金はＡｌ（アルミニウム）合金などに比べて耐食性が劣るため、実用的には耐食性を向上させる必要があり、従来、湿式法による表面処理（陽極酸化処理、化学化成処理など）が施されていた。しかしながら、湿式法による表面処理では、耐食性、表面硬度などが不十分であり、また、化学化成処理（クロメート処理）における６価クロムは、環境保護上好ましくない。このため、乾式法による表面処理が望まれていた。

乾式法による表面処理としては、真空蒸着法、イオン注入法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法などが挙げられる。このうち、イオン注入法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法などは実験的には可能であるが、大量生産には適しておらず、もっとも実用的な方法としては、真空蒸着法が挙げられる。この真空蒸着法によって、Ｍｇ合金材の表面に蒸着材としてのＭｇを蒸着させる場合、次のような方法となる。

すなわち、真空槽のなかにＭｇ合金製の基板（被蒸着体）を配置し、蒸着材としてのＭｇを加熱、蒸発させる蒸発源（加熱装置）を、基板と対向させて配置する。そして、蒸発源によってＭｇを蒸発させて、基板の表面にＭｇを付着させるものである（例えば、非特許文献１参照。）。
ジークフリート・シラー、ウルリッヒ・ハイジッヒ共著、日本真空技術株式会社訳「真空蒸着」株式会社アグネ出版、１９７９年８月１日

ところで、このような真空蒸着は通常１０^-3Ｐａ以下の真空下で行われるが、このような真空下では蒸発粒子同士が衝突する確率が１０％以下となり、圧力が低ければ低いほど、その確率は低くなっていく。すなわち、真空蒸着においては、ほとんどの蒸発粒子は衝突することなく（散乱されず）、蒸着材からの蒸発方向（蒸発粒子が飛散する方向）を直進して、基板に衝突することになる。言い換えると、蒸着材から蒸発粒子が飛散する方向に対向する基板の面だけに、蒸着粒子が付着することになる。

さらに、このような真空蒸着においては、蒸着材を蒸発源によって溶融し、蒸発させているので、溶融した蒸着材を安定して保持する（溶融した蒸着材が蒸発源からこぼれないようにする）必要がある。このため、蒸発源の放出面（蒸発粒子が放出される面）を上方に向けて配置しなければならない。このため必然的に、基板を蒸発源の上方に位置させ、かつ、基板の被成膜面（膜を形成したい面）を蒸発源の放出面と対向させて配置しなければならない。この結果、この被成膜面だけに膜が形成されることになる。従って、基板の他面にも成膜させたい場合には、基板を配置し直して（他の被成膜面を下方に向けて）、再び蒸着処理を行うという工程を繰り返さなければならない。

一方、Ｍｇの耐食性はその純度に依存し、純度が９９％程度では腐食しやすいが、純度が９９．９９９９％程度になると腐食がほとんど発生しない。特に、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕによる耐食性劣化の影響は大きく、Ａｌ，Ｍｎ，Ｎａ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｈ，Ｚｒ，Ｂｅ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｙは，その含有量が５重量％程度では、耐食性を大きく劣化させることはない。また、Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃａ，Ａｇは、耐食性をやや劣化させる程度である。いずれにしても、良好な耐食性を得るには、高純度のＭｇを基板に蒸着させる必要がある。しかしながら、純度が９９．９９９９％の超高純度のＭｇは非常に高価であり、このような高価な材料を蒸着材として用いることは実用上できない（大量生産に適用できない）。

そこで本発明は、被蒸着体のあらゆる被成膜面に対してＭｇの膜を形成することができ、かつ、超高純度のＭｇを蒸着材として用いなくても、耐食性が高いＭｇの膜を被蒸着体に形成させることができるＭｇ蒸着方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明は、ＭｇまたはＭｇ合金を蒸着材とし、この蒸着材中のＭｇを前記蒸着材の融点よりも低い温度で昇華させ、この昇華によって気化したＭｇを前記被蒸着体に付着させるＭｇ蒸着方法であって、前記被蒸着体を立方体であるホルダーの上下左右の４つの側面に配置し、加熱装置の前記気化したＭｇが放出される放出面を前記各被蒸着体の被成膜面に対向するように配置して、蒸着を行うことを特徴としている。
（作用）
蒸着材の融点よりも低い温度でＭｇを昇華させるため、蒸着材が溶融せず、蒸着材が加熱装置の放出面からこぼれ落ちることがない。このため、加熱装置の放出面をあらゆる方向に位置させることができる。

また、Ｍｇの飽和蒸気圧は極めて高く、Ｍｇの耐食性を大きく劣化させるＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕの飽和蒸気圧は極めて低い。このため、蒸着材にＦｅ，Ｎｉなどが含有されていても、Ｍｇの昇華にともなってＦｅ，Ｎｉなどが昇華することがない。一方、蒸着材にＡｌ，Ｍｎ，Ｎａ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂなどが含有されていたとしても、実用上、Ｍｇの耐食性を劣化させることはない。この結果、超高純度のＭｇを蒸着材として用いなくても、耐食性が高いＭｇの膜が被蒸着体に形成される。

さらに、蒸着材を溶融しないため、加熱装置への蒸着材の付着や、加熱装置の消耗、蒸着材と加熱装置材との合金化などが抑制され、加熱装置の健全性が維持される。

本発明によれば、被蒸着体のあらゆる被成膜面に加熱装置の放出面を対向させ、あらゆる方向の被成膜面にＭｇ膜を形成することができる。これにより、複数の被成膜面に対して複数の加熱装置を配置し、同時にＭｇ膜を形成することが可能となる。しかも、その方法は簡易であり、かつ、製造費を低く抑えることができる。

また、蒸着材の融点よりも低い温度でＭｇを昇華させ、Ｍｇの耐食性を大きく劣化させる元素は気化しないため、超高純度のＭｇを蒸着材として用いなくても、耐食性が高いＭｇの膜を被蒸着体に形成させることができる。

さらに、蒸着材を溶融しないため、加熱装置の使用寿命を向上させることができる。

加えて、真空蒸着によるため、従来の湿式法に見られるような環境汚染の問題が生じない。

以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
〈実施形態１〉
図１は、本発明の実施形態１に係わるＭｇ蒸着方法を示す概念正面図である。

図中１は真空槽で、その中央部にステンレス製の基板ホルダー５が、支持フレーム（図示せず）によって支持、配置されている。この基板ホルダー５は、本実施形態では一辺が６０ｍｍの立方体で、その上下左右の４つの面の中央部に、それぞれ基板２（被蒸着体）が取り付けられている。この基板２はＡＺ３１材（３Ａｌ，１Ｚｎ，０．１５Ｍｎの展伸用Ｍｇ合金）で、一辺が４０ｍｍの正方形で、板厚が１ｍｍである。これらの各基板２に対向するように、加熱装置４が配置されている。

加熱装置４はタンタル製のパイプで、その外径が１０ｍｍ、内径が９ｍｍで、長さが１００ｍｍである。このパイプの側面には、後述する気化Ｍｇが放出される放出孔４ａが、軸方向に沿って一列に形成されている。すなわち、この放出孔４ａは直径が６ｍｍで、１０ｍｍピッチ（穴心間の距離）で連続的に形成されており、この放出孔４ａが連続的に形成された面（放出面）が基板２に対向するように、加熱装置４が配置されている。なお、この加熱装置４の加熱方法は、本実施形態では抵抗加熱法であり、加熱装置４に直接電流を流し、この電流による抵抗熱によって加熱するものである。

この加熱装置４内には蒸着材３が収容され、加熱装置４の両端（パイプの両端）は、後述する気化Ｍｇがこの両端から放出されないように、タンタル箔の蓋４ｂで封止されている。蒸着材３は純度が９９．９％のＭｇで、厚み０．２４ｍｍ、幅３．２ｍｍのリボン状の素材を撚り合わせたものである。

次に、このような構成で蒸着処理を行った結果を説明する。

まず、真空槽１内を真空にし、真空度が１０^-3Ｐａに達した後に、通電により加熱装置４を加熱して、その温度を約８００Ｋで保持した（Ｍｇの融点は９２３Ｋ）。これにより、各加熱装置４内の蒸着材３が昇華し、この昇華によって気化したＭｇが加熱装置４の放出孔４ａから放出され、各基板２に付着してＭｇ膜が形成された。このＭｇ膜の膜厚は、各基板２で２１μｍ、２３μｍ、２５μｍ、２６μｍであり、各基板２ともにほぼ均一な厚みのＭｇ膜が全面に形成された。すなわち、真空槽１内で下部に位置する基板２のみではなく、左右、上部に位置する基板２に対しても、成膜が良好に行われた。

このように、蒸着材３としてのＭｇを融点以下で昇華させることで、基板２にＭｇ膜が形成される過程（メカニズム）について、以下に説明する。

単位時間当たり、単位面積から蒸発（気化）する蒸発量（気化量）Ｗ（ｋｇ／ｍ²ｓ）は、次式で表される（応用物理学会編、第２版「応用物理ハンドブック」（丸善、２００２））。

Ｗ＝４．３７５×１０^-3・α・Ｐ・（Ｍ／Ｔ）^1/2
ここで、Ｐ（Ｐａ）は温度Ｔ（Ｋ）における飽和蒸気圧で、Ｍは蒸発分子の分子量、Ｔは蒸発面の絶対温度、αは蒸発係数である。この蒸発係数αは、実際の蒸発面からの蒸発速度と、理想状態にある蒸発面からの蒸発速度との比であり、極めて清浄な蒸発面ではα≒１であり、多くの金属ではα＝１として扱っている。

ところで、実用的な蒸着処理を行うには、蒸発量Ｗが１０^-4〜１０^-1（ｋｇ／ｍ²ｓ）程度必要である。ここで、蒸着材として常用されているアルミニウム（Ａｌ）について例示すると、Ａｌの融点が９３３Ｋであるのに対し、蒸着処理時の温度は通常１，５００〜１，７００Ｋであり、その蒸発量Ｗは５．９×１０^-4〜３．０×１０^-2（ｋｇ／ｍ²ｓ）である。

一方、Ｍｇの融点は９２３Ｋであり、Ａｌの融点と大差はないが、同一温度における飽和蒸気圧を比べると、ＭｇがＡｌよりも１０⁵〜１０¹⁰倍大きい。このため、各温度における飽和蒸気圧からＭｇの蒸発量（気化量）Ｗを算出すると、図２のようになる。

この算出結果から、昇華状態においても、Ｍｇの蒸発量（気化量）が蒸着処理として実用的な量であることがわかる。すなわち、融点よりも少し高い１，０００Ｋの溶融状態では、蒸発量が８．８×１０^-1（ｋｇ／ｍ²ｓ）と１，７００ＫにおけるＡｌの蒸発量よりも一桁大きい。また、融点直下の９００Ｋでは蒸発量が２．０×１０^-1（ｋｇ／ｍ²ｓ）と極めて多く、さらに、８００Ｋにおいても蒸発量が１．７×１０^-2（ｋｇ／ｍ²ｓ）であり、蒸着処理として十分実用的な量である。

このように、Ｍｇの飽和蒸気圧が極めて高いことに起因して、Ｍｇの融点よりも低い温度においても、昇華によって十分な蒸発量（気化量）が得られるものである。なお、通常、蒸発とは、液体から気体に相が変化することをいうため、上記のように、融点以下で昇華させる場合、気化というべきであるが、従来の真空蒸着法における用語と一部用語を合わせるため、あるいは区別するために、適宜、蒸発、蒸発量、あるいは、気化、気化量という用語を用いる。

以上のメカニズムにより、本実施形態において、加熱装置４の温度が約８００Ｋであっても、昇華によってＭｇが気化し、基板２にＭｇ膜が形成されるものである。ところで、本実施形態では、純度が９９．９９％のＭｇを蒸着材３として用いているが、このように純度が比較的低いＭｇを用いても、耐食性が高いＭｇ膜が基板２に形成される理由（メカニズム）について、次に説明する。

同一温度におけるＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕの飽和蒸気圧は、Ｍｇに比べて極めて低い。例えば、３００℃におけるＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕの飽和蒸気圧は、Ｍｇの１／１０¹⁶であり、６００℃では１／１０¹⁰である。また、同一飽和蒸気圧になる温度を比較すると、Ｍｇが４３７℃であるのに対してＦｅは１，４２５℃である。従って、上記のような条件下（真空度１０^-3Ｐａ、加熱装置の温度８００Ｋ）で蒸着処理を行っても、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕは昇華、気化されない。すなわち、蒸着材３中にＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕが含まれていたとしても、基板２にはこれらを含まないＭｇ膜が形成されることになる。一方、蒸着材３中にＡｌ，Ｍｎ，Ｎａ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂなどが含まれており、これらの元素が基板２のＭｇ膜中に含まれたとしても、これらの元素による耐食性劣化の影響は小さく、まして、純度が９９．９％のＭｇを蒸着材３として用いているため（残部はわずかに０．１％）、その影響は実用上ない、と言える。

以上の理由により、純度が比較的低いＭｇを蒸着材３として用いても、耐食性が高いＭｇ膜が基板２に形成されるものである。本実施形態では、純度が９９．９９％のＭｇを蒸着材３として用いているが、上記の理由から明らかなように、このような純Ｍｇを用いる必要はなく、例えば、９９％程度のＭｇであってもよい。さらに、Ａｌ，Ｍｎ，Ｎａ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂなどが耐食性劣化に影響を与えない量範囲内であれば、これらの元素、および、Ｆｅ，Ｎｉなどを含む合金であってもよい（Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕは気化しないため、その含有量に制限はない）。例えば、蒸着材３をＡＺ系、ＡＭ系、ＺＫ系、ＥＺ系、ＱＥ系、ＷＥ系のＭｇ合金としてもよい。

以上のように、本実施形態に係わるＭｇ蒸着方法によれば、蒸着材３（純Ｍｇ）の融点よりも低い温度でＭｇを昇華させるため、蒸着材３が加熱装置４からこぼれることがない。このため、図１に示すように、基板２を基板ホルダー５の上下左右の面に配置し、さらに、加熱装置４の放出面（連続した放出孔４ａが形成された面）を各基板２に対向するように配置することができる。すなわち、加熱装置４の放出面をあらゆる方向に位置させることができる。この結果、上下左右に位置する基板２に対して、同時に蒸着処理を行うことができる。しかもその方法は、加熱装置４を複数配置するという簡易なものであり、従来と異なる設備等を要しないため、製造費を低く抑えることができる。

なお、本実施形態では、複数の加熱装置４を各基板２に対向させて配置しているが、４つの基板２を囲む環状の加熱装置を設け、この加熱装置の放出面を各基板２に対向させるように形成してもよい。

さらに、１つの被蒸着体（基板）が複数の被成膜面を有する場合であっても、各被成膜面に対して、一度に蒸着を行うことが可能となる。すなわち、被蒸着体の全被成膜面が露出するように配置し（例えば、吊り下げる）、すべての被成膜面を囲うように加熱装置の放出面を形成することで、各被成膜面への蒸着が可能となる。あるいは、本実施形態のように、加熱装置を複数設け、各加熱装置の放出面を各被成膜面に対向する（加熱装置で被蒸着体を囲む）ように配置してもよい。

また、蒸着材３を溶融させないため、加熱装置４への蒸着材３の付着、加熱装置４の消耗や、蒸着材３と加熱装置４材との合金化などが抑制され、加熱装置４の健全性が維持される。すなわち、加熱装置４を繰り返し使用することができ、加熱装置４の使用寿命が向上することになる。

さらに、Ｍｇの気化により蒸着材３の減量（消費）はあるものの、溶融はなく、健全性は維持されていた。従って、蒸着材３を加熱装置４から容易に取り出して、保管したり、あるいは、引き続き蒸着処理に使用することができる。

また、加熱装置４の加熱による輻射熱によって、基板２も加熱されるが、この基板２の加熱により、基板２に付着していた油脂成分が除去され、基板２とＭｇ膜との密着性が向上する。さらに、蒸着材３から気化して基板２に衝突したＭｇのマイグレーション（表面移動）が良好になり、その結果、Ｍｇ膜中のピンホールの発生が抑制される。

なお、このような真空蒸着法では、従来の湿式法に見られるような環境汚染の問題が生ぜず、環境保護の面でも好ましいものである。
〈実施形態２〉
本実施形態では、蒸着材３としてＡＺ３１材（基板２と同じ材質）を用いており、その形状は、断面が１ｍｍ×２ｍｍで、長さが９０ｍｍの角棒である。また、本実施形態では、加熱装置４の温度を約８５０Ｋに保持している点で、上記実施形態１と異なる。

蒸着処理の結果は、実施形態１と同様に良好であり、各基板２のＭｇ膜の膜厚は、３４μｍ、３５μｍ、３７μｍ、４０μｍで、各基板２ともにほぼ均一な厚みのＭｇ膜が全面に形成された。このように、膜厚が実施形態１の膜厚に比べて厚いのは、加熱装置４の温度が高いためであり、上記図２の蒸発量（気化量）からも明らかである。従って、この結果からも、一定時間でＭｇ膜の膜厚を厚くするには、加熱装置４の温度を上げればよいことがわかる（ただし、融点以下）。

なお、実施形態１と同様に、加熱装置４および蒸着材３の健全性は維持されていた。
〈実施形態３〉
本実施形態では、加熱装置４がＦｅ−２８％Ｃｒ−１５％Ｎｉの耐熱綱製である（実施形態１と同様にパイプ状）点のみが、実施形態１と相違する。

この加熱装置４の温度を８００Ｋに保持し、蒸着処理した結果は、実施形態１と同様に良好であり、各基板２のＭｇ膜の膜厚は、２０μｍ、２０μｍ、２３μｍ、２４μｍで、各基板２ともにほぼ均一な厚みのＭｇ膜が全面に形成された。また、加熱装置４および蒸着材３の健全性も維持されていた。

なお、本実施形態では、加熱装置４の材質としてＦｅ−２８％Ｃｒ−１５％Ｎｉの耐熱綱を用いているが、Ｃｒ綱、Ｃｒ−Ｓｉ−Ａｌ綱、Ｃｒ−Ｎｉ綱（ＳＵＳ，ＳＵＨ）などの耐熱綱を用いてもよい。
〈実施形態４〉
本実施形態では、Ｆｅ−２８％Ｃｒ−１５％Ｎｉの耐熱綱製の加熱装置４（実施形態１と同様にパイプ状）に、幅４ｍｍのスリットを形成し気化Ｍｇの放出孔とした。さらに、真空槽１内の左右、上部に位置する３つの加熱装置４には、スリットから蒸着材３（実施形態１と同様にリボン状）がはみ出ないように、スリットと交差するように４カ所にタンタル線を巻き付けた。本実施形態は、これらの点で実施形態１と相違する。

この加熱装置４の温度を８００Ｋに保持し、蒸着処理した結果は、実施形態１と同様に良好であった。すなわち、各基板２のＭｇ膜の膜厚は、タンタル線を巻き付けた加熱装置４に対向する基板２では、３１μｍ、３３μｍ、３４μｍであり、巻き付けなかった（真空槽１内の下部に位置する）加熱装置４に対向する基板２では、３７μｍであった。また、各基板２ともにほぼ均一な厚みのＭｇ膜が全面に形成されており、さらに、加熱装置４および蒸着材３の健全性も維持されていた。

このように、実施形態３に比べてＭｇの膜厚が厚かったことから、気化Ｍｇが放出される放出孔が大きいほど、効果的に成膜することができると言える。なお、タンタル線を巻き付けた加熱装置４に対向する基板２の膜厚が、巻き付けなかった加熱装置４に対向する基板２の膜厚よりもやや薄かったのは、スリットから放出された気化Ｍｇの一部が、タンタル線による散乱を受けたためである。
〈実施形態５〉
本実施形態では、加熱装置４をヒーター６によって加熱する点で、実施形態１と相違する。すなわち、ヒーター６は赤外線加熱ヒーターで、このヒーター６を加熱装置４の背面に配置し、加熱装置４を加熱した。

このヒーター６によって加熱装置４の温度を８００Ｋに保持し、蒸着処理した結果は、実施形態１と同様に良好であった。すなわち、各基板２のＭｇ膜の膜厚は、２０μｍ、２１μｍ、２４μｍ、２５μｍで、各基板２ともにほぼ均一な厚みのＭｇ膜が全面に形成された。また、加熱装置４および蒸着材３の健全性も維持されていた。

このようにヒーター６による間接的な加熱によっても、加熱装置４を適正に加熱し、良好な成膜が行える。

次に、本発明に係わる真空蒸着法と比較するために、いくつかの比較例を示す。

まず、比較例１として、上記実施形態１において、真空槽１内で下部に位置する加熱装置４のみを加熱して、他の３つの加熱装置４は加熱しなかった。他の条件は実施形態１と同じ、基板２も基板ホルダー５の上下左右面にそれぞれ配置した。

そして、下部に位置する加熱装置４の温度を８００Ｋに保持し、蒸着処理した結果、この加熱装置４と対向する基板２（基板ホルダー５の下面に位置する基板２）のみにＭｇ膜が形成された。その厚みは２３μｍであり、他の３つの基板は成膜されなかった。

この比較例１から、加熱装置４と対向する基板２のみに成膜が行われること、言い換えると、加熱装置４と対向しない基板２（被成膜面）には成膜されないことが確認された。

さらに、比較例２として、加熱装置４の温度をＭｇの融点以上である１，１００Ｋで保持して、蒸着処理を試みた。他の条件は実施形態１と同じである。

この結果、各基板２にはＭｇ膜が形成されたものの、真空槽１内の左右、上部に位置する加熱装置４の放出孔４ａから溶融したＭｇが流出した。このため、安定した蒸着処理が行えず、処理は中止された。すなわち、上部に位置する加熱装置４から流出した溶融Ｍｇが、塊となって基板２上に付着し、また、左右に位置する加熱装置４から流出した溶融Ｍｇが、真空槽１の底板に付着していた。

この比較例２から、蒸着材３を融点以上に加熱する場合、加熱装置４を自由な方向に位置させることができず、実際には加熱装置４の放出面を上方に位置させなければならず、従って、１つの基板２（被成膜面）しか蒸着できないことが確認された。

これらの比較例１，２から、上記した本願発明のように、あらゆる方向に位置する基板２（被成膜面）に対して加熱装置４を配置することができることによって、同時に複数の基板２（被成膜面）を成膜することができ、蒸着処理性が格段に向上することが明らかとなった。

本発明は、Ｍｇ合金の使用によって軽量化が図られているモバイル情報機器や携帯家電製品、自動車、福祉機器などの分野で、Ｍｇ合金製の製品の耐食性を向上させる方法として活用できる。

本発明の実施形態１に係わるＭｇ蒸着方法を示す概念正面図。 各温度におけるＭｇの飽和蒸気圧と蒸発量（気化量）とを示す図。

符号の説明

１ 真空槽
２ 基板（被蒸着体）
３ 蒸着材
４ 加熱装置
４ａ 放出孔
５ 基板ホルダー
６ ヒーター

Claims (5)

1. Ｍｇ合金製の被蒸着体にＭｇの膜を真空蒸着により形成するＭｇ蒸着方法において、
   ＭｇまたはＭｇ合金を蒸着材とし、この蒸着材中のＭｇを前記蒸着材の融点よりも低い温度で昇華させ、この昇華によって気化したＭｇを前記被蒸着体に付着させるＭｇ蒸着方法であって、前記被蒸着体を立方体であるホルダーの上下左右の４つの側面に配置し、加熱装置の前記気化したＭｇが放出される放出面を前記各被蒸着体の被成膜面に対向するように配置して、蒸着を行う、
   ことを特徴とするＭｇ蒸着方法。
2. 前記蒸着材としてのＭｇは、純度が９９％から９９．９９％である、
   ことを特徴とする請求項１に記載のＭｇ蒸着方法。
3. 前記蒸着材としてのＭｇ合金は、Ａｌ−Ｚｎ系（ＡＺ系）合金、Ａｌ−Ｍｎ系（ＡＭ系）合金、Ｚｎ−Ｚｒ系（ＺＫ系）合金、Ｚｎ−Ｒｅ系（ＥＺ系）合金、Ａｇ−Ｎｄ系（ＱＥ系）合金、Ｙ−Ｎｄ系（ＷＥ系）合金のいずれかの系の合金である、
   ことを特徴とする請求項１に記載のＭｇ蒸着法。
4. 前記蒸着材を加熱する一体の加熱装置の前記気化したＭｇが放出される放出面を、前記被蒸着体の被成膜面に対向するように形成した、
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のＭｇ蒸着方法。
5. 前記蒸着材を加熱する加熱装置を複数設け、各加熱装置の前記気化したＭｇが放出される放出面を前記被蒸着体の被成膜面と対向するように配置した、
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のＭｇ蒸着方法。

Images